JP2003518014A - アルキルハロシランの製造方法 - Google Patents
アルキルハロシランの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、触媒としてのＣｕ及び反応促進剤Ｚｎを含む触媒系の存在下で２５０〜３５０℃の範囲の温度においてハロゲン化アルキル、好ましくはＣＨ3Ｃｌをケイ素とを反応させることから成る、直接合成によるアルキルハロゲノシランの製造方法に関する。ケイ素中のＮｉ及びＶの量は、ケイ素含有出発物質の熱炭素還元法において用いられる出発物質によってもたらされるＮｉ及びＶの量に作用を及ぼすことによって、意図的に４０ｐｐｍ以下、特に３０ｐｐｍ以下、好ましくは２０ｐｐｍ以下の値に調節される。
Description
【０００１】
本発明は、アルキルハロシランの直接合成用に意図される冶金ケイ素（Ｓｉ）
中のある種の不純物の含有量の調節に関する。本発明の特定的な主題事項は、冶
金Ｓｉの製造に用いられる出発物質を選択することによってこの含有量を調節す
ることにある。従って、本発明の１つの主題事項は、かかる冶金Ｓｉを用いたア
ルキルハロシランの製造にある。
中のある種の不純物の含有量の調節に関する。本発明の特定的な主題事項は、冶
金Ｓｉの製造に用いられる出発物質を選択することによってこの含有量を調節す
ることにある。従って、本発明の１つの主題事項は、かかる冶金Ｓｉを用いたア
ルキルハロシランの製造にある。
【０００２】
アルキルハロシランの直接合成はよく知られており、Rochowによるその報告以
来、数多くの改善の主題事項を形成してきた。この直接合成反応は、流動床中で
気体状態のハロゲン化アルキル又はアリール、主として塩化メチルＣＨ3Ｃｌ（
場合によってはクロルベンゼンＣ6Ｈ5Ｃｌ）を、石英又は別のＳｉＯ2源の熱炭
素還元によって得られた冶金Ｓｉの微細粒子と反応させることから成る。この反
応は触媒系を利用し、この直接合成における大きな変更の１つは、銅−亜鉛−錫
触媒系を使用することに関連する（フランス国特許第２５４９８３８号明細書）
。
来、数多くの改善の主題事項を形成してきた。この直接合成反応は、流動床中で
気体状態のハロゲン化アルキル又はアリール、主として塩化メチルＣＨ3Ｃｌ（
場合によってはクロルベンゼンＣ6Ｈ5Ｃｌ）を、石英又は別のＳｉＯ2源の熱炭
素還元によって得られた冶金Ｓｉの微細粒子と反応させることから成る。この反
応は触媒系を利用し、この直接合成における大きな変更の１つは、銅−亜鉛−錫
触媒系を使用することに関連する（フランス国特許第２５４９８３８号明細書）
。
【０００３】
その操作条件は、直鎖の形成に必要な二官能価化合物(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ2が主
として生成するように合成を方向づけることを可能にする。同時に多少なりとも
有利な副生成物が多数生成する。メチルクロルシランの場合には、ＣＨ3ＳｉＣ
ｌ3や(ＣＨ3)3ＳｉＣｌのようなメチルクロルシラン類、ＣＨ3ＳｉＨＣｌ2のよ
うなヒドロメチルクロルシラン類及びジシラン類及び(ＣＨ3)4Ｓｉの生成を挙げ
ることができる。
として生成するように合成を方向づけることを可能にする。同時に多少なりとも
有利な副生成物が多数生成する。メチルクロルシランの場合には、ＣＨ3ＳｉＣ
ｌ3や(ＣＨ3)3ＳｉＣｌのようなメチルクロルシラン類、ＣＨ3ＳｉＨＣｌ2のよ
うなヒドロメチルクロルシラン類及びジシラン類及び(ＣＨ3)4Ｓｉの生成を挙げ
ることができる。
【０００４】
操作条件を選択することによって望ましくない副生成物（例えばＣＨ3ＳｉＣ
ｌ3及び重質生成物、即ちジシラン類）の生成を低減させて二官能価化合物(ＣＨ 3 )2ＳｉＣｌ2に対する選択性を高めるための試みが以前から為されてきている。
ｌ3及び重質生成物、即ちジシラン類）の生成を低減させて二官能価化合物(ＣＨ 3 )2ＳｉＣｌ2に対する選択性を高めるための試みが以前から為されてきている。
【０００５】
冶金Ｓｉは数多くの不純物を含み、その主なものは、Ａｌ、Ｃａ、Ｆｅ及びＴ
ｉである。これはまた、二次不純物と称される不純物も含み、そのケイ素中の含
有量は一般的に１００ｐｐｍ未満である。
ｉである。これはまた、二次不純物と称される不純物も含み、そのケイ素中の含
有量は一般的に１００ｐｐｍ未満である。
【０００６】
これは例えば石英中に存在することがあるリンについての場合である。ヨーロ
ッパ特許公開第２７２８６０号公報は、石英の熱炭素還元の際に用いられる出発
物質によってケイ素中に導入されるリンの量に作用を及ぼすことによってリン含
有量が２５〜２５００ｐｐｍの範囲に調節された冶金ケイ素を前記直接合成に用
いることを提唱している。
ッパ特許公開第２７２８６０号公報は、石英の熱炭素還元の際に用いられる出発
物質によってケイ素中に導入されるリンの量に作用を及ぼすことによってリン含
有量が２５〜２５００ｐｐｍの範囲に調節された冶金ケイ素を前記直接合成に用
いることを提唱している。
【０００７】
米国特許第２６６６７７５号及び同第２６６６７７６号の各明細書には、ケイ
素と銅との合金であって元素周期表第Ｖ〜VIII族からの金属、特にニッケルを含
むものを用いた場合に、この直接合成が改善されると教示されている。
素と銅との合金であって元素周期表第Ｖ〜VIII族からの金属、特にニッケルを含
むものを用いた場合に、この直接合成が改善されると教示されている。
【０００８】
ドイツ国特許第４４１２８３７号明細書には、この直接合成にはＡｌ、Ｆｅ及
びＣａタイプの不純物が好ましく、他方Ｔｉ、Ｐｂ、Ｃｒ及びＮｉは望ましくな
いと教示されている。従ってこの文献は、第Ｖ〜VIII族からの元素、特にニッケ
ルを推奨している米国特許第２６６６７７５号及び同第２６６６７７６号の各明
細書とは食い違っている。
びＣａタイプの不純物が好ましく、他方Ｔｉ、Ｐｂ、Ｃｒ及びＮｉは望ましくな
いと教示されている。従ってこの文献は、第Ｖ〜VIII族からの元素、特にニッケ
ルを推奨している米国特許第２６６６７７５号及び同第２６６６７７６号の各明
細書とは食い違っている。
【０００９】
ドイツ国特許第４４１２８３７号明細書にはさらに、バナジウムＶが直接合成
のために好ましいと開示され、Ｃｕ、Ｚｎ及びＶ、並びにＳｎ、Ｓｂ及びＰから
選択される化合物の存在下で直接合成を実施することによって(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ 2 についての選択性を高めることが提唱されている。推奨されたＶ濃度は、ケイ
素の重量に対して１０〜５００ｐｐｍの範囲、好ましくは１００〜４００ｐｐｍ
の範囲、特に２００〜３００ｐｐｍの範囲である。
のために好ましいと開示され、Ｃｕ、Ｚｎ及びＶ、並びにＳｎ、Ｓｂ及びＰから
選択される化合物の存在下で直接合成を実施することによって(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ 2 についての選択性を高めることが提唱されている。推奨されたＶ濃度は、ケイ
素の重量に対して１０〜５００ｐｐｍの範囲、好ましくは１００〜４００ｐｐｍ
の範囲、特に２００〜３００ｐｐｍの範囲である。
【００１０】
本発明の目的は、二官能価化合物（２個のアルキル基がＳｉに結合したもの）
、例えば(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ2に対する直接合成の選択性を改善することにある。
、例えば(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ2に対する直接合成の選択性を改善することにある。
【００１１】
本出願人は、ニッケルＮｉ及びバナジウムＶが過剰量である場合に負の効果が
あることを見出し、いくつかの時点においてＮｉ及びＶの含有量を厳密に調節す
ることによって(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ2に対する選択性を高めることができることを
見出した。
あることを見出し、いくつかの時点においてＮｉ及びＶの含有量を厳密に調節す
ることによって(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ2に対する選択性を高めることができることを
見出した。
【００１２】
冶金Ｓｉの製造のために用いられる出発物質は、一方でケイ素源、他方で炭素
系還元用成分である。後者は木材、特にユーカリ（チップの形のもの又は還元し
て木炭の形にしたもの）、石炭、石油コークス等から選択されるいくつかの出発
物質の混合物であるのが一般的である。いくつかの製造業者は還元剤用の１つの
出発物質で満足する。それらの源に応じて、これらの物質（還元剤及びＳｉＯ2
源）は多少なりともＮｉ及びＶを含む。従って、本発明によって提唱される限度
内にＮｉ及びＶの含有量を調節することを可能にするのは、本質的には、炭素還
元の際に用いられる物質の選択による。
系還元用成分である。後者は木材、特にユーカリ（チップの形のもの又は還元し
て木炭の形にしたもの）、石炭、石油コークス等から選択されるいくつかの出発
物質の混合物であるのが一般的である。いくつかの製造業者は還元剤用の１つの
出発物質で満足する。それらの源に応じて、これらの物質（還元剤及びＳｉＯ2
源）は多少なりともＮｉ及びＶを含む。従って、本発明によって提唱される限度
内にＮｉ及びＶの含有量を調節することを可能にするのは、本質的には、炭素還
元の際に用いられる物質の選択による。
【００１３】
かくして、本発明の主題事項は、触媒系（好ましくは触媒としてのＣｕ及び反
応促進剤Ｚｎを含む触媒系）の存在下で（且つ好ましくは錫及び／又はリンも存
在する下で）ハロゲン化アルキル（好ましくはＣＨ3Ｃｌ）とケイ素とを２５０
〜３５０℃の温度において接触させる直接合成によってアルキルハロシランを製
造する方法であって、 ケイ素含有出発物質の熱炭素還元のための操作において用いられる出発物質（
特に還元剤として用いられるもの）によって寄与されるＮｉ及びＶの量に作用を
及ぼすことによってケイ素中のＮｉ及びＶの累積量を意図的に４０ｐｐｍ以下、
特に４０ｐｐｍ未満、特定的には３０ｐｐｍ以下、好ましくは２０ｐｐｍ以下の
値に調節することを特徴とする、前記方法にある。
応促進剤Ｚｎを含む触媒系）の存在下で（且つ好ましくは錫及び／又はリンも存
在する下で）ハロゲン化アルキル（好ましくはＣＨ3Ｃｌ）とケイ素とを２５０
〜３５０℃の温度において接触させる直接合成によってアルキルハロシランを製
造する方法であって、 ケイ素含有出発物質の熱炭素還元のための操作において用いられる出発物質（
特に還元剤として用いられるもの）によって寄与されるＮｉ及びＶの量に作用を
及ぼすことによってケイ素中のＮｉ及びＶの累積量を意図的に４０ｐｐｍ以下、
特に４０ｐｐｍ未満、特定的には３０ｐｐｍ以下、好ましくは２０ｐｐｍ以下の
値に調節することを特徴とする、前記方法にある。
【００１４】
炭素還元操作において用いられる出発物質とは、もちろんＳｉ源及び還元剤と
しての作用をする出発物質を含むが、炭素還元操作において用いられる任意のそ
の他の材料（それがどんなものであるかとかどんな形で用いられるかとかに拘ら
ず）（例えば炉の電極）をも意味すると理解すべきである。
しての作用をする出発物質を含むが、炭素還元操作において用いられる任意のそ
の他の材料（それがどんなものであるかとかどんな形で用いられるかとかに拘ら
ず）（例えば炉の電極）をも意味すると理解すべきである。
【００１５】
有利には、ケイ素中の元素Ｎｉ及びＶのそれぞれの量は、２０ｐｐｍ以下、特
に２０ｐｐｍ未満、特別には１５ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下、特に
１０ｐｐｍ未満の値に調節する。本発明の目標が可能な限り最も低い値を目指す
こと、従ってこれらの不純物が存在しない又はほとんど存在しないようにするの
を目指すことであることは明らかである。これらの不純物Ｎｉ又はＶの内の一方
のみの含有量をこれらの値に調節・制御することもまた本発明の範囲内である。
に２０ｐｐｍ未満、特別には１５ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下、特に
１０ｐｐｍ未満の値に調節する。本発明の目標が可能な限り最も低い値を目指す
こと、従ってこれらの不純物が存在しない又はほとんど存在しないようにするの
を目指すことであることは明らかである。これらの不純物Ｎｉ又はＶの内の一方
のみの含有量をこれらの値に調節・制御することもまた本発明の範囲内である。
【００１６】
また、もし冶金ケイ素から又は炭素還元において用いられる出発物質（特に還
元剤として用いられる出発物質）からＮｉ及びＶの全部又は一部を除去すること
を可能にする方法が利用可能であるのならば、その方法は、出発物質の選択と同
等の又はそれを補完するものとして利用することができる。
元剤として用いられる出発物質）からＮｉ及びＶの全部又は一部を除去すること
を可能にする方法が利用可能であるのならば、その方法は、出発物質の選択と同
等の又はそれを補完するものとして利用することができる。
【００１７】
ケイ素は一般的に炭素系還元剤を用いて二酸化ケイ素ＳｉＯ2を熱炭素還元す
ることによって製造される。二酸化ケイ素は石英、砂、シリカ等の形にあること
ができる。石英を用いるのが好ましい。還元剤は、木材（木材チップ）、特にユ
ーカリ、木炭、特にユーカリ木炭、石炭、石油コークス及びそれらの混合物から
成ることができる。利用可能な出発物質中のＮｉ及びＶの含有量は、慣用の方法
によって測定することが完全に可能である。
ることによって製造される。二酸化ケイ素は石英、砂、シリカ等の形にあること
ができる。石英を用いるのが好ましい。還元剤は、木材（木材チップ）、特にユ
ーカリ、木炭、特にユーカリ木炭、石炭、石油コークス及びそれらの混合物から
成ることができる。利用可能な出発物質中のＮｉ及びＶの含有量は、慣用の方法
によって測定することが完全に可能である。
【００１８】
当業者ならば、Ｖ及びＮｉの含有量が可能な限り最も低く、本発明に従う冶金
ケイ素をもたらすものを好ましく得ることができる。選択した出発物質が規定に
適った冶金ケイ素を製造することを可能にするかどうかを確認するためには、当
業者は、試験として標準式ＳｉＯ2＋Ｃ→ＣＯ2＋Ｓｉに従う熱炭素還元（これは
例えば黒鉛電極によって作り出された電気アークによって加熱された炉中でほぼ
１８００℃において実施するのが一般的である）を実施し、次いで単離されたケ
イ素中のＮｉ及びＶの含有量を定量的に測定すれば充分である。
ケイ素をもたらすものを好ましく得ることができる。選択した出発物質が規定に
適った冶金ケイ素を製造することを可能にするかどうかを確認するためには、当
業者は、試験として標準式ＳｉＯ2＋Ｃ→ＣＯ2＋Ｓｉに従う熱炭素還元（これは
例えば黒鉛電極によって作り出された電気アークによって加熱された炉中でほぼ
１８００℃において実施するのが一般的である）を実施し、次いで単離されたケ
イ素中のＮｉ及びＶの含有量を定量的に測定すれば充分である。
【００１９】
還元剤として用いられる様々な出発物質（例えば木材、ユーカリ、石炭、石油
コークス）又はＳｉＯ2源として用いられる様々な出発物質（例えば石英、砂、
シリカ）は、地理的起源に応じて可変的な含有量でＶ及びＮｉを含むことができ
る。当業者ならば、木材、例えばユーカリ、石炭、石油コークスの源又はその他
の炭素源であって、Ｖ及びＮｉを本質的に含まず又はそれらの含有量が低く且つ
規定に適った冶金ケイ素を製造することを可能にするものを見出すことができる
。
コークス）又はＳｉＯ2源として用いられる様々な出発物質（例えば石英、砂、
シリカ）は、地理的起源に応じて可変的な含有量でＶ及びＮｉを含むことができ
る。当業者ならば、木材、例えばユーカリ、石炭、石油コークスの源又はその他
の炭素源であって、Ｖ及びＮｉを本質的に含まず又はそれらの含有量が低く且つ
規定に適った冶金ケイ素を製造することを可能にするものを見出すことができる
。
【００２０】
アルキルハロシランの製造は連続式製造であるのが一般的である。反応器に入
れられる新たなケイ素によるＮｉ及びＶの供給を制限することによって、本発明
は、長時間に渡って反応媒体中のＮｉ及びＶの濃度を過度に高くないものに保つ
ものである。この濃度を常に反応塊に対して１００ｐｐｍ以下、好ましくは９０
ｐｐｍ以下、より一層好ましくは８０、７０、６０、５０・・・ｐｐｍ以下に保
つのが好ましい。ここでもまた、目標は可能な限り最も低い濃度を目指すことで
ある。
れられる新たなケイ素によるＮｉ及びＶの供給を制限することによって、本発明
は、長時間に渡って反応媒体中のＮｉ及びＶの濃度を過度に高くないものに保つ
ものである。この濃度を常に反応塊に対して１００ｐｐｍ以下、好ましくは９０
ｐｐｍ以下、より一層好ましくは８０、７０、６０、５０・・・ｐｐｍ以下に保
つのが好ましい。ここでもまた、目標は可能な限り最も低い濃度を目指すことで
ある。
【００２１】
通常、アルキルハロシランの製造は、微粉、即ち粒子（これからケイ素の大部
分が消費され、従ってこれが不純物、例えばＮｉ及びＶの割合の増加を示す）を
取り除くためのパージ装置を含む。パージ無しでは、反応媒体は次第にＮｉ及び
Ｖに富むようになり、これはある時間の後、特に出発物質中のＮｉ及びＶの含有
量が所定の幅の中の頂上部分にあるときには、好ましくないものになる。本発明
の追加の条件に従えば、反応媒体中のこれらの金属の濃度を制限するためにパー
ジを調節するのが有利である。しかしながら、過度に高い度合いのパージ一般的
な反応に対して有害なことがある。当業者ならば、自分が利用可能なプラントに
応じて反応媒体中のＮｉ及びＶの含有量を本発明の範囲内に保つためのパージの
最適な度合いを決定することが完全に可能である。
分が消費され、従ってこれが不純物、例えばＮｉ及びＶの割合の増加を示す）を
取り除くためのパージ装置を含む。パージ無しでは、反応媒体は次第にＮｉ及び
Ｖに富むようになり、これはある時間の後、特に出発物質中のＮｉ及びＶの含有
量が所定の幅の中の頂上部分にあるときには、好ましくないものになる。本発明
の追加の条件に従えば、反応媒体中のこれらの金属の濃度を制限するためにパー
ジを調節するのが有利である。しかしながら、過度に高い度合いのパージ一般的
な反応に対して有害なことがある。当業者ならば、自分が利用可能なプラントに
応じて反応媒体中のＮｉ及びＶの含有量を本発明の範囲内に保つためのパージの
最適な度合いを決定することが完全に可能である。
【００２２】
本発明においては、Ｎｉ及びＶは冶金ケイ素中の金属の状態にある。
【００２３】
リン（Ｐ）は直接合成のための有益な元素である。これは反応促進剤として、
ケイ素を基準として１０〜４００ｐｐｍ、好ましくは１５〜３００ｐｐｍの割合
で存在させるのが好ましい。リン含有量を調節するためには特に、冶金ケイ素を
製造している間に還元剤としての作用をする炭素系出発物質の選択を変更してそ
れらが必要なリンの量の全部若しくは一部に寄与するようにしたり且つ／又はＰ
を含むＳｉＯ2源（例えば石英）を選択したり且つ／又は特に冶金Ｓｉを製造し
ている間に例えばリン化合物を用いてリンを導入したりすることができる。
ケイ素を基準として１０〜４００ｐｐｍ、好ましくは１５〜３００ｐｐｍの割合
で存在させるのが好ましい。リン含有量を調節するためには特に、冶金ケイ素を
製造している間に還元剤としての作用をする炭素系出発物質の選択を変更してそ
れらが必要なリンの量の全部若しくは一部に寄与するようにしたり且つ／又はＰ
を含むＳｉＯ2源（例えば石英）を選択したり且つ／又は特に冶金Ｓｉを製造し
ている間に例えばリン化合物を用いてリンを導入したりすることができる。
【００２４】
しかしながら、反応媒体中のＰの濃度が高くなると生産性が低下する傾向があ
るので、限度がある。生産性の低下を望まない場合には、生産性に影響がないＮ
ｉ及びＶの含有量の調節がＰの含有量の調節を相乗効果的に補完する。生産性を
制限するかも知れないＰの含有量を過度に増大させるというものよりも、２つの
手段を組み合わせた方が、選択性に関してはよい。このことは本発明の予期しな
かった利点であり、直接合成に対してその選択性及びその生産性という重要な結
果をもたらすものである。
るので、限度がある。生産性の低下を望まない場合には、生産性に影響がないＮ
ｉ及びＶの含有量の調節がＰの含有量の調節を相乗効果的に補完する。生産性を
制限するかも知れないＰの含有量を過度に増大させるというものよりも、２つの
手段を組み合わせた方が、選択性に関してはよい。このことは本発明の予期しな
かった利点であり、直接合成に対してその選択性及びその生産性という重要な結
果をもたらすものである。
【００２５】
触媒系（触媒及び反応促進剤）は、銅Ｃｕ及び亜鉛Ｚｎを含むのが好ましい。
フランス国特許第２５４９８３８号明細書の教示に従えば、これはさらに錫Ｓｎ
を含むのが好ましい。これは、Ｓｉに対して０．５〜１０重量％のＣｕ、Ｃｕ１
部当たりに０．０１〜０．５部のＺｎ及びＣｕ１００００００部当たりに２０〜
３０００部のＳｎを含むのが有利である。
フランス国特許第２５４９８３８号明細書の教示に従えば、これはさらに錫Ｓｎ
を含むのが好ましい。これは、Ｓｉに対して０．５〜１０重量％のＣｕ、Ｃｕ１
部当たりに０．０１〜０．５部のＺｎ及びＣｕ１００００００部当たりに２０〜
３０００部のＳｎを含むのが有利である。
【００２６】
通常、この直接合成は、アルミニウムＡｌ及びカルシウムＣａが１〜４の範囲
のＡｌ対Ｃａ比で存在する下で実施され、ＡｌはＳｉに対して約０．１〜０．３
％の範囲で存在させる。
のＡｌ対Ｃａ比で存在する下で実施され、ＡｌはＳｉに対して約０．１〜０．３
％の範囲で存在させる。
【００２７】
かくして、本発明に従えば、直接合成は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐ、Ａｌ及びＣ
ａが特に前記の割合で存在する下で、できる限り低いＶ及びＮｉ一定累積含有量
で実施される。
ａが特に前記の割合で存在する下で、できる限り低いＶ及びＮｉ一定累積含有量
で実施される。
【００２８】
限定を意図するものではないが、ＣｕはＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏ及び／又は金属Ｃｕ
の形にあることができ、ＺｎはＺｎＯ、金属Ｚｎ及び／又はＺｎ合金、例えば真
鍮の形にあることができ、ＳｎはＳｎＯ、青銅及び／又は金属Ｓｎの形にあるこ
とができ、また、Ｓｎ及び／又はＺｎの全部又は一部はＣｕ中の不純物の形にあ
ることができ、Ａｌ及びＣａは一般的にＳｉによってもたらされる。
の形にあることができ、ＺｎはＺｎＯ、金属Ｚｎ及び／又はＺｎ合金、例えば真
鍮の形にあることができ、ＳｎはＳｎＯ、青銅及び／又は金属Ｓｎの形にあるこ
とができ、また、Ｓｎ及び／又はＺｎの全部又は一部はＣｕ中の不純物の形にあ
ることができ、Ａｌ及びＣａは一般的にＳｉによってもたらされる。
【００２９】
アルカリ金属の化合物、例えばＣｓの化合物のようなその他の化合物を存在さ
せることもできる。
せることもできる。
【００３０】
本発明においては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、リン、Ａｌ及びＣａと言
った時、それらはそれらの元素の形及び／又はそれらを含む化合物としてのもの
と理解すべきである。それぞれの濃度は元素単独について表わされる。
った時、それらはそれらの元素の形及び／又はそれらを含む化合物としてのもの
と理解すべきである。それぞれの濃度は元素単独について表わされる。
【００３１】
本発明の別の主題事項は、本発明に従うケイ素、即ち本発明に従って不純物Ｎ
ｉ及びＶ含有量が調節されたケイ素を、二官能価化合物に対する選択性が改善さ
れた直接合成によるアルキルハロシランの製造に用いることに関する。
ｉ及びＶ含有量が調節されたケイ素を、二官能価化合物に対する選択性が改善さ
れた直接合成によるアルキルハロシランの製造に用いることに関する。
【００３２】
本発明の別の主題事項は、Ｎｉ及びＶが枯渇したこのようなケイ素を、リンが
特にケイ素を基準として１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは１５〜３００ｐｐｍ存
在する下で、アルキルハロシランの製造に使用することに関し、これは(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2について高い選択性をもたらし、特に単純にリンの量を調節する場合
よりも選択性について良い結果をもたらしながら、選択性を実質的に低下させる
ことがない。
特にケイ素を基準として１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは１５〜３００ｐｐｍ存
在する下で、アルキルハロシランの製造に使用することに関し、これは(ＣＨ3)2 ＳｉＣｌ2について高い選択性をもたらし、特に単純にリンの量を調節する場合
よりも選択性について良い結果をもたらしながら、選択性を実質的に低下させる
ことがない。
【００３３】
以下、非限定的な実施例として本発明の具体例を用いて本発明をより一層詳細
に説明する。
に説明する。
【００３４】実施例
メチルクロルシランの製造のための工業ユニットが利用可能である。反応器に
一方で気体状ＣＨ3Ｃｌを、他方で冶金Ｓｉと触媒系との混合物を、連続的に供
給する。この触媒系は、冶金Ｓｉに対しておおよそでＣｕ４重量％、Ｚｎ２００
ｐｐｍ、Ｓｎ１００ｐｐｍ及びＰ２０ｐｐｍを含む。反応器には、微粉を除去す
ることを可能にするパージ手段を取り付ける。パージの度合いは７％に設定する
。
一方で気体状ＣＨ3Ｃｌを、他方で冶金Ｓｉと触媒系との混合物を、連続的に供
給する。この触媒系は、冶金Ｓｉに対しておおよそでＣｕ４重量％、Ｚｎ２００
ｐｐｍ、Ｓｎ１００ｐｐｍ及びＰ２０ｐｐｍを含む。反応器には、微粉を除去す
ることを可能にするパージ手段を取り付ける。パージの度合いは７％に設定する
。
【００３５】
いくつかの試験を、不純物Ｎｉ及びＶを様々な量で導入し、新たなケイ素を反
応器に連続的供給しながら実施し、５００時間の操作の後に化合物ＣＨ3ＳｉＨ
Ｃｌ2（ＭｅＨ）、(ＣＨ3)3ＳｉＣｌ（Ｍｅ3）、ＣＨ3ＳｉＣｌ3（Ｍｅ）、(Ｃ
Ｈ3)2ＳｉＣｌ2（Ｍｅ2）及び重質生成物の製造についての累積選択性に対する
これらの不純物の影響を測定した。また、７％のパージの度合いについて５００
時間後の反応器中の不純物Ｎｉ＋Ｖの累積含有量も測定した。得られた値を下記
の表に与える。不純物Ｎｉ＋Ｖの累積量（これらの不純物は実質的に等量である
）は、供給物に関しては新たなケイ素に対するｐｐｍで、反応器中の含有量に関
しては反応塊に対するｐｐｍで与える。選択性は、操作時間Ｔ＝５００時間にお
ける累積選択性であり、重量％で示される。
応器に連続的供給しながら実施し、５００時間の操作の後に化合物ＣＨ3ＳｉＨ
Ｃｌ2（ＭｅＨ）、(ＣＨ3)3ＳｉＣｌ（Ｍｅ3）、ＣＨ3ＳｉＣｌ3（Ｍｅ）、(Ｃ
Ｈ3)2ＳｉＣｌ2（Ｍｅ2）及び重質生成物の製造についての累積選択性に対する
これらの不純物の影響を測定した。また、７％のパージの度合いについて５００
時間後の反応器中の不純物Ｎｉ＋Ｖの累積含有量も測定した。得られた値を下記
の表に与える。不純物Ｎｉ＋Ｖの累積量（これらの不純物は実質的に等量である
）は、供給物に関しては新たなケイ素に対するｐｐｍで、反応器中の含有量に関
しては反応塊に対するｐｐｍで与える。選択性は、操作時間Ｔ＝５００時間にお
ける累積選択性であり、重量％で示される。
【００３６】
【表１】
【００３７】
この表は、反応器中のＮｉ＋Ｖの含有量１００ｐｐｍ未満（これは新たなケイ
素についての不純物Ｎｉ＋Ｖの累積供給ほぼ４０ｐｐｍ以下に相当する）につい
てはＭｅ2について２〜３ポイントの選択性の改善を示している。
素についての不純物Ｎｉ＋Ｖの累積供給ほぼ４０ｐｐｍ以下に相当する）につい
てはＭｅ2について２〜３ポイントの選択性の改善を示している。
【００３８】
特許請求の範囲によって規定された本発明は上に示した特定的な具体例に限定
されるものではなくて、その範囲からも本発明の技術思想からも逸脱することな
くそれらの別形態を包含するものであるということをはっきり理解すべきである
。
されるものではなくて、その範囲からも本発明の技術思想からも逸脱することな
くそれらの別形態を包含するものであるということをはっきり理解すべきである
。
【手続補正書】
【提出日】平成１４年９月２４日（２００２．９．２４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本出願人は、ニッケルＮｉ及びバナジウムＶが過剰量である場合に負の効果が
あることを見出し、Ｎｉ及びＶの含有量を厳密に調節することによって(ＣＨ３) ２ ＳｉＣｌ２に対する選択性をある程度高めることができることを見出した。
あることを見出し、Ｎｉ及びＶの含有量を厳密に調節することによって(ＣＨ３) ２ ＳｉＣｌ２に対する選択性をある程度高めることができることを見出した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
冶金Ｓｉの製造のために用いられる出発物質は、一方でケイ素源、他方で炭素
系還元用成分である。後者は木材、特にユーカリ（チップの形のもの又は還元し
て木炭の形にしたもの）、石炭、石油コークス等から選択されるいくつかの出発
物質の混合物であるのが一般的である。製造業者によっては、還元剤用について 単一 の出発物質で満足する。これらの物質（還元剤及びＳｉＯ２源）は、それら の源に応じて、 多少なりともＮｉ及びＶを含むことがある。従って、本発明は、 炭素還元の際に用いられる物質を選択することによってＮｉ及びＶの含有量を本 発明が提唱する限度内に調節することを可能にするものである 。
系還元用成分である。後者は木材、特にユーカリ（チップの形のもの又は還元し
て木炭の形にしたもの）、石炭、石油コークス等から選択されるいくつかの出発
物質の混合物であるのが一般的である。製造業者によっては、還元剤用について 単一 の出発物質で満足する。これらの物質（還元剤及びＳｉＯ２源）は、それら の源に応じて、 多少なりともＮｉ及びＶを含むことがある。従って、本発明は、 炭素還元の際に用いられる物質を選択することによってＮｉ及びＶの含有量を本 発明が提唱する限度内に調節することを可能にするものである 。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、もし冶金ケイ素から又は炭素還元において用いられる出発物質（特に還
元剤として用いられる出発物質）からＮｉ及びＶの全部又は一部を除去すること
を可能にする方法があるのならば、その方法は、出発物質の選択と同等の又はそ
れを補完するものとして利用することができるということも明らかである。
元剤として用いられる出発物質）からＮｉ及びＶの全部又は一部を除去すること
を可能にする方法があるのならば、その方法は、出発物質の選択と同等の又はそ
れを補完するものとして利用することができるということも明らかである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
還元剤として用いられる様々な出発物質（例えば木材、ユーカリ、石炭、石油
コークス）又はＳｉＯ２源として用いられる様々な出発物質（例えば石英、砂、
シリカ）は、地理的起源に応じて可変的な含有量でＶ及びＮｉを含むことができ
る。当業者ならば、木材、例えばユーカリ、石炭、石油コークスの源又はその他
の炭素源、及びＳｉＯ２源であって、Ｖ及びＮｉを本質的に含まず又はそれらの
含有量が低く且つ規定に適った冶金ケイ素を製造することを可能にするものを見
出すことができる。
コークス）又はＳｉＯ２源として用いられる様々な出発物質（例えば石英、砂、
シリカ）は、地理的起源に応じて可変的な含有量でＶ及びＮｉを含むことができ
る。当業者ならば、木材、例えばユーカリ、石炭、石油コークスの源又はその他
の炭素源、及びＳｉＯ２源であって、Ｖ及びＮｉを本質的に含まず又はそれらの
含有量が低く且つ規定に適った冶金ケイ素を製造することを可能にするものを見
出すことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
アルキルハロシランの製造は連続式製造であるのが一般的である。反応器に入
れられる新たなケイ素によるＮｉ及びＶの供給を制限することによって、本発明
は、長時間に渡って反応媒体中のＮｉ及びＶの濃度を過度に高くないものに保つ
ものである。この濃度を常に反応塊（ケイ素＋触媒系）に対して１００ｐｐｍ以
下、好ましくは９０ｐｐｍ以下、より一層好ましくは８０、７０、６０、５０・
・・ｐｐｍ以下に保つのが好ましい。ここでもまた、目標は可能な限り最も低い
濃度を目指すことである。
れられる新たなケイ素によるＮｉ及びＶの供給を制限することによって、本発明
は、長時間に渡って反応媒体中のＮｉ及びＶの濃度を過度に高くないものに保つ
ものである。この濃度を常に反応塊（ケイ素＋触媒系）に対して１００ｐｐｍ以
下、好ましくは９０ｐｐｍ以下、より一層好ましくは８０、７０、６０、５０・
・・ｐｐｍ以下に保つのが好ましい。ここでもまた、目標は可能な限り最も低い
濃度を目指すことである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
通常、アルキルハロシランの製造には、微粉、即ち粒子（これからケイ素の大
部分が消費され、従ってこれが不純物、例えばＮｉ及びＶの割合の増加を示す）
を取り除くためのパージ装置が伴われる。パージ無しでは、反応媒体は次第にＮ
ｉ及びＶに富むようになり、これはある時間の後、特に出発物質中のＮｉ及びＶ
の含有量が所定の幅の中の頂上部分にあるときには、好ましくないものになる。
本発明の追加の条件に従えば、反応媒体中のこれらの金属の濃度を制限するため
にパージを調節するのが有利である。しかしながら、過度に高い度合いのパージ は 一般的な反応に対して有害なことがある。当業者ならば、自分が利用可能なプ
ラントに応じて反応媒体中のＮｉ及びＶの含有量を本発明の範囲内に保つための
パージの最適な度合いを決定することが完全に可能である。
部分が消費され、従ってこれが不純物、例えばＮｉ及びＶの割合の増加を示す）
を取り除くためのパージ装置が伴われる。パージ無しでは、反応媒体は次第にＮ
ｉ及びＶに富むようになり、これはある時間の後、特に出発物質中のＮｉ及びＶ
の含有量が所定の幅の中の頂上部分にあるときには、好ましくないものになる。
本発明の追加の条件に従えば、反応媒体中のこれらの金属の濃度を制限するため
にパージを調節するのが有利である。しかしながら、過度に高い度合いのパージ は 一般的な反応に対して有害なことがある。当業者ならば、自分が利用可能なプ
ラントに応じて反応媒体中のＮｉ及びＶの含有量を本発明の範囲内に保つための
パージの最適な度合いを決定することが完全に可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明においては、Ｎｉ及びＶは冶金ケイ素中において金属の状態にある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
リン（Ｐ）は直接合成のための有益な元素である。これは反応促進剤として、
ケイ素を基準として１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは１５〜３００ｐｐｍの割合
で存在させるのが好ましい。リン含有量を調節するためには特に、冶金ケイ素を
製造している間に還元剤としての作用をする炭素系出発物質の選択を変更してそ
れらが必要なリンの量の全部若しくは一部に寄与するようにしたり且つ／又はＰ
を含むＳｉＯ２源（例えば石英）を選択したり且つ／又は特に冶金Ｓｉを製造し
ている間に例えばリン化合物を用いてＰを導入したりすることができる。
ケイ素を基準として１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは１５〜３００ｐｐｍの割合
で存在させるのが好ましい。リン含有量を調節するためには特に、冶金ケイ素を
製造している間に還元剤としての作用をする炭素系出発物質の選択を変更してそ
れらが必要なリンの量の全部若しくは一部に寄与するようにしたり且つ／又はＰ
を含むＳｉＯ２源（例えば石英）を選択したり且つ／又は特に冶金Ｓｉを製造し
ている間に例えばリン化合物を用いてＰを導入したりすることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
しかしながら、反応媒体中のＰの濃度が高くなると生産性が低下する傾向があ
るので、限度がある。生産性の低下を望まない場合には、Ｎｉ及びＶの含有量を 調節すること（これは生産性に影響がない）がＰの含有量を調節すること を相乗
効果的に補完する。生産性を制限するかも知れないＰの含有量を過度に増大させ
るというものよりも、２つの手段を組み合わせた方が、選択性に関してはよい。
このことは本発明の予期しなかった利点であり、直接合成に対してその選択性及
びその生産性という重要な結果をもたらすものである。
るので、限度がある。生産性の低下を望まない場合には、Ｎｉ及びＶの含有量を 調節すること（これは生産性に影響がない）がＰの含有量を調節すること を相乗
効果的に補完する。生産性を制限するかも知れないＰの含有量を過度に増大させ
るというものよりも、２つの手段を組み合わせた方が、選択性に関してはよい。
このことは本発明の予期しなかった利点であり、直接合成に対してその選択性及
びその生産性という重要な結果をもたらすものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明に従うケイ素、即ち本発明に従って不純物Ｎｉ及びＶ含有量が調節され たケイ素を直接合成によるアルキルハロシランの製造に用いた場合、二官能価化 合物（例えば(ＣＨ３)２ＳｉＣｌ２）に対して高い選択性が達成される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明に従ってこのようにＮｉ及びＶ含有量が低減されたケイ素を、リンが特 にケイ素を基準として１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは１５〜３００ｐｐｍ存在 する下で、アルキルハロシランの製造に使用することによって、(ＣＨ３)２Ｓｉ Ｃｌ２について高い選択性がもたらされ、特に、生産性を実質的に低下させるこ となく、単純にリンの量を調節する場合よりも選択性について良い結果がもたら される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】実施例
メチルクロルシランの製造のための工業ユニットが利用可能である。反応器に
一方で気体状ＣＨ３Ｃｌを、他方で冶金Ｓｉと触媒系との混合物を、連続的に供
給する。この触媒系は、冶金Ｓｉに対しておおよそでＣｕ４重量％、Ｚｎ２００
ｐｐｍ、Ｓｎ１００ｐｐｍ及びＰ２０ｐｐｍを含む。Ａｌ対Ｃａの比は平均して １．５である。 反応器には、微粉を除去することを可能にするパージ手段を取り
付ける。パージの度合いは７％に設定する。
一方で気体状ＣＨ３Ｃｌを、他方で冶金Ｓｉと触媒系との混合物を、連続的に供
給する。この触媒系は、冶金Ｓｉに対しておおよそでＣｕ４重量％、Ｚｎ２００
ｐｐｍ、Ｓｎ１００ｐｐｍ及びＰ２０ｐｐｍを含む。Ａｌ対Ｃａの比は平均して １．５である。 反応器には、微粉を除去することを可能にするパージ手段を取り
付ける。パージの度合いは７％に設定する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
いくつかの試験を、不純物Ｎｉ及びＶを様々な量で導入し、新たなケイ素を反
応器に連続的に供給しながら実施し、５００時間の操作の後に化合物ＣＨ３Ｓｉ
ＨＣｌ２（ＭｅＨ）、(ＣＨ３)３ＳｉＣｌ（Ｍｅ３）、ＣＨ３ＳｉＣｌ３（Ｍｅ
）、(ＣＨ３)２ＳｉＣｌ２（Ｍｅ２）及び重質生成物の製造についての累積選択
性に対するこれらの不純物の影響を測定した。また、７％のパージの度合いにつ
いて５００時間後の反応器中の不純物Ｎｉ＋Ｖの累積含有量も測定した。得られ
た値を下記の表に与える。不純物Ｎｉ＋Ｖの累積量（これらの不純物は実質的に
等量である）は、供給物に関しては新たなケイ素に対するｐｐｍで、反応器中の
含有量に関しては反応塊に対するｐｐｍで与える。選択性は、操作時間Ｔ＝５０
０時間における累積選択性であり、重量％で示される。
応器に連続的に供給しながら実施し、５００時間の操作の後に化合物ＣＨ３Ｓｉ
ＨＣｌ２（ＭｅＨ）、(ＣＨ３)３ＳｉＣｌ（Ｍｅ３）、ＣＨ３ＳｉＣｌ３（Ｍｅ
）、(ＣＨ３)２ＳｉＣｌ２（Ｍｅ２）及び重質生成物の製造についての累積選択
性に対するこれらの不純物の影響を測定した。また、７％のパージの度合いにつ
いて５００時間後の反応器中の不純物Ｎｉ＋Ｖの累積含有量も測定した。得られ
た値を下記の表に与える。不純物Ｎｉ＋Ｖの累積量（これらの不純物は実質的に
等量である）は、供給物に関しては新たなケイ素に対するｐｐｍで、反応器中の
含有量に関しては反応塊に対するｐｐｍで与える。選択性は、操作時間Ｔ＝５０
０時間における累積選択性であり、重量％で示される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この表は、反応器中のＮｉ＋Ｖの含有量１００ｐｐｍ未満（これは新たなケイ
素についての不純物Ｎｉ＋Ｖの累積供給ほぼ４０ｐｐｍ以下に相当する）につい
てはＭｅ２についての選択性が２〜３ポイント改善されることを示している。 （訂正の理由１） 原語の「quelques points」（国際公開ＷＯ０１/３０７８６号パンフレットの
第２頁第２１行）を「いくつかの時点」と勘違いしましたが、選択性が高められ
る度合いを表現する「何ポイントか」という意味であることに気がつきました。 （訂正の理由２） この段落の訂正の内で誤訳訂正に相当するのは、「ことがある」という部分の
翻訳が洩れたという点だけで、それ以外は、単に日本語としてわかりやすい文章
構成にしたに過ぎません。上記の語句は、上記国際公開パンフレット第２頁第２
８行の「sont susceptibles de」に相当します。 （訂正の理由３） 原語の「Il est bien evident」（上記パンフレット第３頁第２４行）なる部
分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。 （訂正の理由４） 原語の「ainsi que des sources de SiO２」（上記パンフレット第４頁第１６
行）なる部分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。 （訂正の理由５） 原語の「(silicium et systeme catalytique)」（上記パンフレット第４頁第
２４行）なる部分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。 （訂正の理由８） 訂正前の「４００」は「５００」のタイプミスです（上記パンフレット第５頁
第１１行）。 （訂正の理由１０） 原語の「e.g. (CH３)２SiCl２」（上記パンフレット第６頁第２２〜２３行）
なる部分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。それ以外は、単に日本語
としてわかりやすい文章構成にしたに過ぎません。 （訂正の理由１１） 原語の「productivite」（上記パンフレット第６頁第３０行）を「選択性」と
誤訳していたので、「生産性」に訂正しました。それ以外は、単に日本語として
わかりやすい文章構成にしたに過ぎません。 （訂正の理由１２） 原語の「Le rapport Al sur Ca est en moyenne de 1,5.」（上記パンフレッ
ト第７頁第７行）なる部分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。
素についての不純物Ｎｉ＋Ｖの累積供給ほぼ４０ｐｐｍ以下に相当する）につい
てはＭｅ２についての選択性が２〜３ポイント改善されることを示している。 （訂正の理由１） 原語の「quelques points」（国際公開ＷＯ０１/３０７８６号パンフレットの
第２頁第２１行）を「いくつかの時点」と勘違いしましたが、選択性が高められ
る度合いを表現する「何ポイントか」という意味であることに気がつきました。 （訂正の理由２） この段落の訂正の内で誤訳訂正に相当するのは、「ことがある」という部分の
翻訳が洩れたという点だけで、それ以外は、単に日本語としてわかりやすい文章
構成にしたに過ぎません。上記の語句は、上記国際公開パンフレット第２頁第２
８行の「sont susceptibles de」に相当します。 （訂正の理由３） 原語の「Il est bien evident」（上記パンフレット第３頁第２４行）なる部
分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。 （訂正の理由４） 原語の「ainsi que des sources de SiO２」（上記パンフレット第４頁第１６
行）なる部分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。 （訂正の理由５） 原語の「(silicium et systeme catalytique)」（上記パンフレット第４頁第
２４行）なる部分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。 （訂正の理由８） 訂正前の「４００」は「５００」のタイプミスです（上記パンフレット第５頁
第１１行）。 （訂正の理由１０） 原語の「e.g. (CH３)２SiCl２」（上記パンフレット第６頁第２２〜２３行）
なる部分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。それ以外は、単に日本語
としてわかりやすい文章構成にしたに過ぎません。 （訂正の理由１１） 原語の「productivite」（上記パンフレット第６頁第３０行）を「選択性」と
誤訳していたので、「生産性」に訂正しました。それ以外は、単に日本語として
わかりやすい文章構成にしたに過ぎません。 （訂正の理由１２） 原語の「Le rapport Al sur Ca est en moyenne de 1,5.」（上記パンフレッ
ト第７頁第７行）なる部分の翻訳が洩れましたので、それを加えました。
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１０月１７日（２００２．１０．１７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ
，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，
ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ
Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ
，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，
ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，
ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ
Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ
，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，
ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ
Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ
，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，
ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ
Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ
，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，
ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
Ｆターム(参考） 4G069 BB02A BB02B BC01A BC06A
BC22A BC22B BC31A BC31B
BC35A BC35B BD07A BD07B
CB25 CB68 CB80 FC08
4H039 CA11 CA52
4H049 VN01 VP01 VQ02 VQ12 VR11
VR21 VR22 VR23 VR31 VS02
VS12 VT04 VT06
Claims (14)
- 【請求項１】 触媒系、好ましくは触媒としてのＣｕ及び反応促進剤Ｚｎを
含む触媒系の存在下でハロゲン化アルキル、好ましくはＣＨ3Ｃｌとケイ素とを
２５０〜３５０℃の温度において接触させる直接合成によってアルキルハロシラ
ンを製造する方法であって、 ケイ素含有出発物質の熱炭素還元のための操作において用いられる出発物質に
よってもたらされるＮｉ及びＶの量に作用を及ぼすことによってケイ素中のＮｉ
及びＶの累積量を意図的に４０ｐｐｍ以下、特に３０ｐｐｍ以下、好ましくは２
０ｐｐｍ以下の値に調節することを特徴とする、前記方法。 - 【請求項２】 ケイ素中のＮｉ及びＶ元素のそれぞれの量を２０ｐｐｍ以下
、特に２０ｐｐｍ未満、特定敵意は１５ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下
、特に１０ｐｐｍ未満に調節することを特徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 直接合成の間を通じて反応塊に対するＶ＋Ｎｉの含有量を１
００ｐｐｍ以下、特に９０ｐｐｍ以下、好ましくは８０ｐｐｍ以下に保つことを
特徴とする、請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 微粉を取り除くためのパージの度合いを調節することによっ
てＶ＋Ｎｉの含有量を前記限度内に保つことを特徴とする、請求項３記載の方法
。 - 【請求項５】 用いるケイ素が、Ｎｉ及びＶを含有しない又はそれらの含有
量が低い炭素系還元剤の存在下で、Ｎｉ及びＶを含有しない又はそれらの含有量
が低いＳｉＯ2源を熱炭素還元することによって得られたものであることを特徴
とする、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】 炭素系還元剤がユーカリ（好ましくはチップ及び／又は木炭
の形のもの）を含むことを特徴とする、請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 炭素系還元剤が石炭を含むことを特徴とする、請求項５又は
６記載の方法。 - 【請求項８】 炭素系還元剤が石油コークスを含むことを特徴とする、請求
項５、６又は７記載の方法。 - 【請求項９】 触媒系が反応促進剤としてのリンを好ましくはケイ素を基準
として１０〜５００ｐｐｍの割合、特に１５〜３００ｐｐｍの割合で含むことを
特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１０】 触媒系が触媒としてのＣｕ並びに反応促進剤としてのＺｎ
、Ｓｎ及び随意としてのＰを含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに
記載の方法。 - 【請求項１１】 触媒系がＳｉに対して０．５〜１０重量％のＣｕ、Ｃｕ１
部当たりに０．０１〜０．５部のＺｎ及びＣｕ１００００００部当たりに２０〜
３０００部のＳｎを含むことを特徴とする、請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 触媒系がアルカリ金属、好ましくはＣｓの１種以上の化合
物を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１３】 ケイ素含有出発物質の熱炭素還元のための操作において用
いられる出発物質によってもたらされるＮｉ及びＶの量に作用を及ぼすことによ
ってＮｉ及びＶの累積量を意図的に４０ｐｐｍ以下、特に３０ｐｐｍ以下、好ま
しくは２０ｐｐｍ以下の値に調節された冶金ケイ素を、直接合成によるアルキル
ハロシランの製造に、二官能価化合物に対する改善された選択性で使用する方法
。 - 【請求項１４】 さらにリンを特にケイ素に対して１０〜５００ｐｐｍ、好
ましくは１５〜３００ｐｐｍ存在させた、請求項１３記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9913759A FR2800376B1 (fr) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | Procede pour la production d'alkylhalogenosilanes |
| FR99/13759 | 1999-10-28 | ||
| PCT/FR2000/002998 WO2001030786A1 (fr) | 1999-10-28 | 2000-10-27 | Procede pour la production d'alkylhalogenosilanes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003518014A true JP2003518014A (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=9551671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001533139A Pending JP2003518014A (ja) | 1999-10-28 | 2000-10-27 | アルキルハロシランの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1224191A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003518014A (ja) |
| KR (1) | KR20020044564A (ja) |
| CN (1) | CN1384836A (ja) |
| AU (1) | AU1283001A (ja) |
| FR (1) | FR2800376B1 (ja) |
| WO (1) | WO2001030786A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006509032A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | ロディア・シミ | アルキルハロシランの直接合成用の銅、燐及びアルカリ金属をベースとした触媒組成物 |
| JP2006525943A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-11-16 | ロディア・シミ | アルキルハロシランの直接合成のための触媒系及び方法 |
| JP2020521701A (ja) * | 2018-02-08 | 2020-07-27 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトＷａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ | 冶金シリコンの分類方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114644339B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-04-25 | 成都理工大学 | 一种采用无机锌盐去除硅中杂质的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4602101A (en) * | 1985-11-12 | 1986-07-22 | Dow Corning Corporation | Method of manufacturing alkylhalosilanes |
| DE4412837A1 (de) * | 1994-04-14 | 1995-10-19 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen |
| FR2720385B1 (fr) * | 1994-05-31 | 1996-07-05 | Pechiney Electrometallurgie | Alliage de silicium pour la synthèse des alkyl ou aryl halogénosilanes contenant de l'aluminium, du calcium et du cuivre. |
| FR2729131B1 (fr) * | 1995-01-09 | 1997-02-14 | Pechiney Electrometallurgie | Silicium et ferrosilicium metallurgique a basse teneur en oxygene |
| US5973177A (en) * | 1998-07-29 | 1999-10-26 | Dow Corning Corporation | Method for selecting silicon metalloid having improved performance in the direct process for making organohalosilanes |
-
1999
- 1999-10-28 FR FR9913759A patent/FR2800376B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-27 KR KR1020027005210A patent/KR20020044564A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-10-27 AU AU12830/01A patent/AU1283001A/en not_active Abandoned
- 2000-10-27 CN CN00815113A patent/CN1384836A/zh active Pending
- 2000-10-27 EP EP00974580A patent/EP1224191A1/fr not_active Withdrawn
- 2000-10-27 WO PCT/FR2000/002998 patent/WO2001030786A1/fr not_active Application Discontinuation
- 2000-10-27 JP JP2001533139A patent/JP2003518014A/ja active Pending
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2006509032A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | ロディア・シミ | アルキルハロシランの直接合成用の銅、燐及びアルカリ金属をベースとした触媒組成物 |
| JP2006525943A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-11-16 | ロディア・シミ | アルキルハロシランの直接合成のための触媒系及び方法 |
| JP2020521701A (ja) * | 2018-02-08 | 2020-07-27 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトＷａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ | 冶金シリコンの分類方法 |
Also Published As
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|---|---|
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| AU1283001A (en) | 2001-05-08 |
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| WO2001030786A1 (fr) | 2001-05-03 |
| FR2800376A1 (fr) | 2001-05-04 |
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