JP2003509515A - 多座ホスファイト配位子を用いるヒドロホルミル化 - Google Patents

多座ホスファイト配位子を用いるヒドロホルミル化

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Abstract

(57)【要約】 第VIII族遷移金属および選択された多座ホスファイト配位子を用いる、非環式モノエチレン性不飽和化合物を対応する末端アルデヒドへとヒドロホルミル化するための方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (発明の分野) 本発明は、第VIII族遷移金属および選択された多座ホスファイト配位子の存在
下のC2〜C20モノエチレン性不飽和有機化合物のヒドロホルミル化による線状
アルデヒドの調製のための方法に関する。また、本発明は、選択された多座ホス
ファイト配位子自身、加えてそれらから作成されるヒドロホルミル化触媒に関す
る。
【0002】 (発明の背景) リンをベースとする配位子は、触媒反応において広く普及しており、および多
くの商業的に重要な化学変換に用いられている。触媒反応において一般的に用い
られるリンをベースとする配位子は、ホスフィン類およびホスファイト類を含む
。これらの配位子は、遷移金属に対する供与体として機能する単一のリン原子を
含有する化合物であるモノホスフィンおよびモノホスファイト配位子、ならびに
2個のリン供与体原子を含有し、および通常は遷移金属と環状キレート構造を形
成するビスホスフィン、ビスホスファイト、およびビス(リン)配位子を含む。
【0003】 リンをベースとする配位子を用いる産業的に重要な触媒反応は、オレフィンの
ヒドロホルミル化である。これらの反応に関して、ホスファイト配位子が特に良
好な配位子である。たとえば、米国特許第5,235,113号は、加えてロジ
ウムも含む均一ヒドロホルミル化触媒系において、有機ジヒドロキシル架橋基に
結合される2つのリン原子を含有する有機2座配位子を用いるヒドロホルミル化
方法を記載している。この特許は、前記触媒系を用いるエチレン性不飽和有機化
合物(たとえば1−オクテンまたは2量化ブタジエン)のヒドロホルミル化によ
りアルデヒドを調製する方法を記載する。ロジウムを伴うホスファイト配位子の
使用は、官能基化されたエチレン性不飽和化合物のヒドロホルミル化においても
開示されている。たとえば、Cuny et al., J. Am. Chem. Soc., 1993, 115, 206
6;米国特許第4,769,498号、米国特許第4,668,651号、米国
特許第4,885,401号、米国特許第5,113,022号、米国特許第5
,059,710号、米国特許第5,235,113号、米国特許第5,264
,616号、および米国特許第4,885,401号;および国際出願公開第W
O9303839号および第WO9518089号を参照されたい。
【0004】 芳香族ジヒドロキシル架橋基およびヘテロ原子置換基を有する末端アリール基
を含有する有機2座配位子を伴うヒドロホルミル化方法は、ドイツ国特許出願第
DE19717359A1号に記載されている。
【0005】 2つの3価リン原子を含有し、それら2つの三価リン原子が2,2’−ジヒド
ロキシル−1,1’−ビナフタレン架橋基で結合されている有機2座配位子を伴
うヒドロホルミル化方法は、米国特許第5,874,641号およびその中で引
用されている先行技術に記載されている。米国特許第5,874,641号は、
2,2’−ジヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン架橋基の3,3’−位にエ
ステルまたはケトンのような置換基を含有する配位子を記載する。そのような配
位子は、内部オレフィンから末端アルデヒドへのヒドロホルミル化において、相
応に良好な選択性を提供する。
【0006】 これらの従来技術の系のいくつかは商業的に実用的な触媒ではあるが、さらに
優れた商業的潜在力を実現するためのさらにより効果的な触媒に対する要求が依
然として存在する。本発明の目的は、ヒドロホルミル化のためのそのような改良
された触媒を提供することである。
【0007】 (発明の概要) 1つの態様において、本発明はC2〜C20非環式モノエチレン性不飽和化合物
をその対応する末端アルデヒドへと変換するための方法であり、第VIII族遷移金
属および以下の式I、式II、または式IIIを有する少なくとも1つの多座ホスフ
ァイト配位子の存在下で、該化合物をCOおよびH2と反応させる工程を含む。
【0008】
【化10】
【0009】 ここで、 それぞれのR1は、少なくとも1つのR1が−R3Zであることを条件として、
独立的にC1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリール、F、Cl、−CO24
−OR4、または−R3Zであり; それぞれのR2は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CHO、−CNまたは−
CF3であり; それぞれのR3は、独立的にC1〜C10のアルキレンであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
であり、 それぞれのZは、−CO24、−CHO、−C(O)R4、−C(O)SR4
−SR4、−C(O)NR56、−OC(O)R4、−OC(O)OR4、−N=
CR56、−C(R5)=NR6,−C(R5)=N−O−R6、−P(O)(OR 4 )(OR4)、−S(O)24、−S(O)R4、−C(O)OC(O)R4、−
NR4CO24、−NR4C(O)NR56または−CNであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
であり; それぞれのR5は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
ールであり; それぞれのR6は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
ールであり; Qは、下式を有する2価架橋基である
【0010】
【化11】
【0011】 (式中、 それぞれのR7は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−C(R5)=N−O−R6 、−CHO、−CN、−CF3、−C(R5)=NR6、−NR56、または−R3 Zであり、および それぞれのR8は、H、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリー
ル、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CNまたは−CF3である)。
【0012】 術語「アリール」は、芳香族炭化水素から1原子の除去により誘導される有機
基を指すことを意味する。適当なアリール基は、たとえばフェニル、ベンジル、
ナフチル、ビナフチルおよびアントラセニルである。術語「アルキル」および「
アルキレン」は、線状および分枝基の両方を指すことを意味する。
【0013】 別の態様において、本発明は、前述の多座ホスファイト配位子およびそれらか
ら作成される触媒組成物を提供する。
【0014】 前記配位子の任意のものを、必要に応じて可溶性あるいは不溶性の不活性担体
に結合してもよい。不溶性の不活性担体の例は、メリフィールド樹脂(Aldrich
Chemical Companyから商業的に入手可能な官能基化されたポリスチレン樹脂)で
ある。
【0015】 (発明の詳細な説明) 本発明は、高い触媒性能(選択性および/または活性)を有する末端アルデヒ
ドの調製のための方法を提供する。本方法の利点は、反応剤が内部モノエチレン
性不飽和化合物であるときに、特に顕著である。以前に知られているヒドロホル
ミル化方法を用いて内部モノエチレン性不飽和化合物から出発して末端アルデヒ
ドを調製することは、一般的に末端アルデヒドに対する中程度の選択性、二重結
合のいくらかの水素添加、および/またはより低い触媒活性をもたらす。本発明
にしたがう方法のさらなる利点は、線状性[末端アルデヒド/(末端アルデヒド
+分枝アルデヒド)]が高く、末端アルデヒドと分枝アルデヒドとの混合物から
の所望される末端アルデヒドの単離を容易にすることである。
【0016】 本発明の方法において有用な触媒組成物は、選択される多座ホスファイト配位
子と第VIII族遷移金属を含み、その第VIII族遷移金属は化合物の形態で提供され
る。
【0017】 多座ホスファイト配位子は、以下の式I、式II、または式IIIを有する。
【0018】
【化12】
【0019】 ここで、 それぞれのR1は、少なくとも1つのR1が−R3Zであることを条件として、
独立的にC1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリール、F、Cl、−CO24
−OR4、または−R3Zであり; それぞれのR2は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CHO、−CNまたは−
CF3であり; それぞれのR3は、独立的にC1〜C10のアルキレンであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
であり、 それぞれのZは、−CO24、−CHO、−C(O)R4、−C(O)SR4
−SR4、−C(O)NR56、−OC(O)R4、−OC(O)OR4、−N=
CR56、−C(R5)=NR6,−C(R5)=N−O−R6、−P(O)(OR 4 )(OR4)、−S(O)24、−S(O)R4、−C(O)OC(O)R4、−
NR4CO24、−NR4C(O)NR56または−CNであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
であり; それぞれのR5は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
ールであり; それぞれのR6は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
ールであり; Qは、下式を有する2価架橋基である
【0020】
【化13】
【0021】 (式中、 それぞれのR7は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−C(R5)=N−O−R6 、−CHO、−CN、−CF3、−C(R5)=NR6、−NR56、または−R3 Zであり、および それぞれのR8は、H、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリー
ル、OR4、−CO24、−C(O)R4、−CNまたは−CF3である)。
【0022】 好ましい多座ホスファイト配位子は、以下の式Iを有する。
【0023】
【化14】
【0024】 ここで、 それぞれのR1は、独立的に−R3Zであり; それぞれのR2は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CHO、−CNまたは−
CF3であり; それぞれのR3は、独立的にC1〜C4のアルキレンであり; それぞれのZは、独立的に−CO24、−CHO、−C(O)R4、−C(O
)NR56、−OC(O)R4、−OC(O)OR4、−N=CR56または−C
(R5)=NR6であり; Qは、下式を有する2価架橋基である
【0025】
【化15】
【0026】 (式中、 それぞれのR7は、独立的に−CO24、−C(O)R4、−C(R5)=N−
O−R6、−CHO、−CNまたは−C(R5)=NR6であり、および それぞれのR8は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CNまたは−CF3であ
る)。
【0027】 本発明の多座ホスファイト配位子は、ホスホロクロリダイトを2価架橋基と反
応させる方法を用いて調製することができる。ホスホロクロリダイトは、約−4
0℃と10℃との間の温度において、有機塩基の不存在下、約2モル当量の置換
フェノールで1モル当量のPCl3を処理することによって調製することができ
る。次に、得られる溶液を少なくとも2当量の有機塩基で処理して、ホスホロク
ロリダイトを生成する。置換フェノールを、置換ビフェノールまたは置換アルキ
リデンビスフェノールに交換する時に、最初に、有機塩基の不存在下で、約−4
0℃と10℃との間において、1モル当量のPCl3を約1モル当量の置換ビフ
ェノールまたは置換アルキリデンビスフェノールと混合することにより、同様に
ホスホロクロリダイトを調製することができる。次に、得られる溶液を少なくと
も2当量の有機塩基で処理して、ホスホロクロリダイトを生成する。
【0028】 上記の方法においてホスホロクロリダイトを調製する時に、塩基添加の間、温
度を−40℃および10℃の範囲内に維持することが重要である。塩基の添加は
、HClを中和することにより形成される不溶性塩の形成を引き起こし、そして
反応混合物は濃厚なスラリーになる。そのようなスラリーは、所望される生成物
の収率を低下させる恐れがある反応混合物中の温度勾配を回避するのに重要であ
る、塩基の良好な混合を達成することにおける問題点をもたらし、それは所望さ
れる生成物の収率を低下させる恐れがある。したがって、反応を強い攪拌または
他のかき混ぜを伴って実施して、反応混合物からの熱の効果的な除去を可能にす
ることが重要である。必要とされる温度範囲への冷却は、当該技術においてよく
知られている技術により実施することができる。
【0029】 −40℃および70℃の温度範囲において、ホスホロクロリダイトは、約0.
5モル当量の2価架橋基と反応する。ホスホロクロリダイトを調製するのに3当
量未満の有機塩基を用いる場合、追加の塩基を添加して、該方法に用いられる有
機塩基の総当量数を少なくとも3にする。
【0030】 多座配位子を調製するのに用いられる塩基は、無水かつ反応媒質に可溶性であ
るべきである。適当な塩基は、有機アミン類である。特に好ましいのはトリアル
キルアミン類である。最も好ましい塩基は、トリブチルアミン、ベンジルジメチ
ルアミン、トリエチルアミンおよびジイソプロピルメチルアミンから成る群から
選択される。
【0031】 当該技術において知られている種々の他の方法によって、ホスホロクロリダイ
トを調製することができる。1つの方法は、Polymer 1992, 33, 161;Inorganic
Synthesis, 1966, 8, 68;米国特許第5,210,260号;およびZ. Anorg.
Allg. Chem., 1986, 535, 221に記載されるように、フェノール類をPCl3
処理する工程を伴う。
【0032】 PCl3からホスホロクロリダイトを良好な収率で調製することができない時
、好ましい方法は、HClを用いるN,N−ジアルキルジアリールホスホロアミ
ダイト誘導体の処理を伴う。N,N−ジアルキルジアリールホスホロアミダイト
は、(R92NP(アリールオキシ)2の形態(式中、R9はC1〜C4のアルキル
基である)を有し、および国際出願公開第WO9622968号、米国特許第5
,710,306号および米国特許第5,821,378号に記載されるような
当該技術において知られている方法により、フェノールまたは置換フェノールを
、(R92NPCl2と反応させることにより調製される。N,N−ジアルキル
ジアリールホスホロアミダイトは、たとえば、Tet. Lett., 1993, 34, 6451;Sy
nthesis, 1988, 2, 142-144およびAust. J. Chem., 1991, 44, 233に記載される
ように調製されてもよい。
【0033】 本発明の方法に用いるために、多座ホスファイト配位子は純粋である必要はな
い;それは、不純物としていくらかの単座ホスファイトを含有することができる
【0034】 多座ホスファイト配位子は、可溶性あるいは不溶性の不活性担体上に担持され
ていてもよい。当該技術において知られている種々の方法によって、ポリマーに
担持された多座リン配位子を調製してもよい。国際出願公開第WO930383
9号、米国特許第4,769,498号および同第4,668,651号、なら
びに国際出願公開第WO9906146号を参照されたい。一般的に、その調製
は、P−O結合を形成するためのジオールと、典型的には塩化物であるがそれに
限定されるものではないリンハロゲン化物の反応を伴う。代表的な例を以下に示
す。
【0035】
【化16】
【0036】 「Pol」は、可溶性または不溶性の不活性担体を示す。R1およびR7は、前
記に定義されるようなものである。
【0037】 不溶性の不活性担体の具体的な例は、メリフィールド樹脂(Aldrich Chemical
Companyから入手可能な官能基化されたポリスチレン樹脂)である。前記のジオ
ールは、メリフィールド樹脂と、2,2’−ジヒドロキシル−1,1’−ビナフ
タレン−3,3’−ジカルボン酸の最初の部分的エステル化、得られるエステル
/酸ジオール中間体の引き続いてのエステル化により調製されてもよい。エステ
ル化の条件は、有機合成の技術における当業者によく知られている。
【0038】 本発明は、同様に、ある種の多座ホスファイト配位子およびそれから作成され
る触媒組成物をも提供する。具体的には、これらは、式I、式II、または式III
を有する配位子、および第VIII族遷移金属化合物と式I、式II、または式IIIを
有する配位子の組合せを含む。好ましい第VIII族遷移金属は、ロジウム、コバル
ト、イリジウム、パラジウムおよび白金であり、最も好ましいものはロジウムで
ある。第VIII族金属は、水素化物、ハロゲン化物、有機酸の塩、ケトナート、無
機酸の塩、酸化物、カルボニル化合物またはアミン化合物のような化合物の形態
において提供されてもよい。好ましい第VIII族金属化合物は、Ir4(CO)12
、IrSO4、RhCl3、Rh(NO33、Rh(OAc)3、Rh23、Rh
(acac)(CO)2、[Rh(OAc)(COD)]2、Rh4(CO)12
Rh6(CO)16、RhH(CO)(Ph3P)3、[Rh(OAc)(CO)2 2 および[RhCl(COD)]2(ここで、「acac」は、アセチルアセトナ
ート基であり;「OAc」はアセチル基であり;「COD」は1,5−シクロオ
クタジエンであり;および「Ph」はフェニル基である)。しかし、第VIII族金
属化合物は前記列挙した化合物に必ずしも限定されるものではないことに注意す
べきである。ヒドロホルミル化に適当であるロジウム化合物は、たとえば国際出
願公開第WO9530680号、米国特許第3,907,847号およびJ. Ame
r. Chem. Soc., 115, 2066, 1993に記載されるような当該技術においてよく知ら
れている技術にしたがって調製ないし発生させることができる。本発明の多座ホ
スファイト配位子によって置換することができる配位子を含有するロジウム化合
物が、ロジウムの好ましい源である。そのように好ましいロジウム化合物の例は
、Rh(CO)2(acac)、Rh(CO)2(C49COCHCO−t−C4
9)、Rh23、Rh4(CO)12、Rh6(CO)16、Rh(O2CCH32
よびRh(2−エチルヘキサノエート)である。
【0039】 本方法の反応剤は、分子内に少なくとも1つのC=C結合と、好ましくは2〜
20炭素原子とを有するモノエチレン性不飽和有機化合物である。好ましいエチ
レン性不飽和有機化合物の例は、たとえばエチレン、プロピレン、1−ブテン、
1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、1−デセン、1−テ
トラデセン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセン、1−エイコセンおよび1−
ドデセンのような線状末端オレフィン性炭化水素;たとえばイソブテンおよび2
−メチル−1−ブテンのような分枝状末端オレフィン性炭化水素;たとえばシス
およびトランス−2−ブテン、シスおよびトランス−2−ヘキセン、シスおよび
トランス−2−オクテン、シスおよびトランス−3−オクテンのような線状内部
オレフィン性炭化水素;たとえば2,3−ジメチル−2−ブテン、2−メチル−
2−ブテンおよび2−メチル−2−ペンテンのような分枝状内部オレフィン性炭
化水素;末端オレフィン性炭化水素;内部オレフィン性炭化水素混合物;たとえ
ば、ブテンの二量化により調製されるオクテン類である。
【0040】 適当なオレフィン性化合物の例は、不飽和炭化水素基で置換されたものを含み
、スチレン、α−メチルスチレンおよびアリルベンゼンのような芳香族置換基を
含有するオレフィン性化合物を含む。
【0041】 エチレン性不飽和有機化合物を、酸素、硫黄、窒素またはリンのようなヘテロ
原子を含有する1つまたは複数の官能基で置換してもよい。これらヘテロ原子で
置換されたエチレン性不飽和有機化合物の例は、ビニルメチルエーテル、オレイ
ン酸メチル、オレイルアルコール、3−ペンテンニトリル、4−ペンテンニトリ
ル、3−ペンテン酸、4−ペンテン酸、3−ペンテン酸メチル、3−ペンテナー
ル、アリルアルコール、7−オクテン−1−アール、アクリロニトリル、アクリ
ル酸エステル類、アクリル酸メチル、メタクリル酸エステル類、メタクリル酸メ
チルおよびアクロレインを含む。
【0042】 本発明は、特に、2〜20炭素原子を有する内部モノエチレン性不飽和有機化
合物から出発して線状アルデヒド化合物が形成されるヒドロホルミル化方法を指
向する。
【0043】 本発明の方法において有用な好ましいモノエチレン性不飽和化合物は、式IVお
よび式VIに示され、および生成される対応する末端アルデヒド化合物は、それぞ
れ式Vおよび式VIIに例示される。
【0044】
【化17】
【0045】 ここで、R10はH、−CN、−CO25、−C(O)NR56、−CHO、−O
4またはOHであり、 yは0から12までの整数であり; xは0から12までの整数であり; R4、R5およびR6は前記で定義されるようなものである。
【0046】 特に好ましい内部モノエチレン性不飽和化合物は、3−ペンテンニトリル、3
−ペンテン酸、および3−ペンテン酸アルキルである。これらの化合物の1つか
ら出発して本発明の方法により調製される線状アルデヒド化合物は、ナイロン−
6および/またはナイロン−6,6の前駆体であるε−カプロラクタム、ヘキサ
メチレンジアミン、6−アミノカプロン酸、6−アミノカプロニトリルまたはア
ジピン酸の調製において都合よく用いることができる。
【0047】 3−ペンテンニトリルは、4−ペンテンニトリルを含有する混合物において存
在してもよい。同様に、3−ペンテン酸アルキルまたは3−ペンテン酸が本発明
の方法に用いられる反応剤である時、それぞれ4−ペンテン酸アルキルまたは4
−ペンテン酸を含有する混合物が存在してもよい。これらの化合物の4−異性体
は、それらの対応する3−異性体と同様の方法において、所望される線状アルデ
ヒドへと反応するので、異性体の混合物を本発明の方法において直接用いること
ができる。これら3−および4−異性体のヒドロホルミル化を、2−異性体の存
在下で実施することができる。それら不純物が反応を妨害しない限りにおいて、
不純物が存在することができる。
【0048】 本発明にしたがうヒドロホルミル化方法を、以下に記載するように実施するこ
とができる。 一般的に、ヒドロホルミル化方法の反応条件は、たとえば米国特許第4,76
9,498号に記載される慣用の方法において用いられるものと同一であり、お
よび具体的な出発モノエチレン性不飽和有機化合物に依存する。たとえば、温度
は、周囲温度から200℃まで、好ましくは約50〜150℃、およびより好ま
しくは85℃から110℃までであることができる。圧力は、常圧から5MPa
まで、好ましくは0.1〜2MPaまで変化することができる。原則として、圧
力は、水素および一酸化炭素の分圧をあわせたものと等しい。しかし、追加の不
活性ガスもまた存在してもよく;不活性ガスが存在する時、圧力は常圧から15
MPaまで変化してもよい。水素対一酸化炭素のモル比は、一般的に10:1と
1:10との間、および好ましくは6:1と1:2との間である。
【0049】 遷移金属化合物の量は、触媒活性および方法の経済性に関して都合のよい結果
を得ることができるように選択される。反応媒質中の遷移金属の濃度は、遊離の
金属として計算される時に、一般的に10ppmと10,000ppmとの間、
およびより好ましくは50ppmと1000ppmとの間である。
【0050】 リン配位子対遷移金属のモル比は、触媒活性および所望されるアルデヒドの選
択性に関して都合のよい結果を得ることができるように選択される。この比は、
一般的には約0.5から100まで、および好ましくは1から20まで(金属1
モル当たりのリンのモル数)である。
【0051】 溶媒は、出発不飽和化合物、アルデヒド生成物および/または副生成物のよう
な、ヒドロホルミル化反応自身の反応剤の混合物であってもよい。他の適当な溶
媒は、飽和炭化水素類(たとえばケロシン、ミネラルオイルまたはシクロヘキサ
ン)、エーテル類(たとえば、ジフェニルエーテルまたはテトラヒドロフラン)
、ケトン類(たとえば、アセトン、シクロヘキサノン)、ニトリル類(アセトニ
トリル、アジポニトリルまたはベンゾニトリル)、芳香族類(たとえば、トルエ
ン、ベンゼン、またはキシレン)、エステル類(たとえば吉草酸メチル、カプロ
ラクトン)、Texanol(登録商標、Union Carbide)、またはジメチルホルムアミ
ドを含む。
【0052】 (実施例) 以下の非制限的な実施例により、本発明をさらに説明する。別に記載されない
限り、全てのパーセントはモル基準である。
【0053】 (実施例1) 配位子1の合成
【0054】
【化18】
【0055】 J. Amer. Chem. Soc., 70, 1948, 1930に記載される手順を用いて、2−ヒド
ロキシフェニル酢酸イソプロピルを調製した。フラスコに対して、10gの2−
ヒドロキシフェニル酢酸、99mLのイソプロパノールおよび9.9mLの硫酸
を添加した。その混合物を5.5時間にわたって還流し、400mLの氷中へと
注加し、そして3×100mLのエーテルで抽出した。有機層を100mLの重
炭酸ナトリウム水溶液(飽和)で洗浄した。有機画分を、硫酸ナトリウム上で乾
燥し、そして回転濃縮により溶媒を除去した。残渣は、10%酢酸エチル/ヘキ
サンで溶離されるシリカゲル上でフラッシュクロマトグラフにかけられ、9.2
27gの所望される生成物を白色固体として与えた。1H NMR (300 Mhz,
δ, CDCl3): 7.16 (m, 1H), 7.08 (dd, 1H), 6.92 (dd, 1H), 6.80 (m, 1H), 5.
04 (7重線, J=6.2 Hz, 1H), 3.60 (s, 2H), 1.25 (d, 6.2 Hz, 6H)。
【0056】 上記フェノール(4.8g)を100mLのジエチルエーテル中に溶解させ、
窒素でパージされるグローブボックス中で−40℃まで冷却した。トリエチルア
ミン(3.0g)を添加し、引き続いて2.1gのジエチル亜ホスホロアミド酸
ジクロリドの添加を行った。ジエチル亜ホスホロアミド酸ジクロリドの添加時に
、白色の析出物が形成された。反応混合物を室温において1時間にわたって攪拌
し、次にセライト(Celite)(登録商標、Johns Manville Corp.により製
造される濾過助剤)パッドを通して濾過した。濾液を減圧下で濃縮して、5.8
gの対応する亜リン酸アミダイトを得た。31P NMR(トルエン):141.
7ppm。
【0057】 上記の亜リン酸アミダイト(5.8g)を100mLの無水エーテル中に溶解
し、そして−40℃に冷却した。攪拌しているアミダイト溶液に対して、滴下ロ
ートを介して、あらかじめ冷却されたエーテル中1MのHCl溶液23mLを添
加した。添加時に、白色の析出物が形成された。混合物を10分間にわたって攪
拌し、そして2時間にわたって−40℃に再び冷却した。得られるスラリーを、
セライト(登録商標)パッド上で濾過し、減圧下で濃縮して、5.1gの対応す
るホスホロクロリダイトを得た。31P NMR(トルエン):162.1ppm
【0058】 上記のホスホロクロリダイト(5.12g、11mmol)を冷エーテル(3
0mL)中に溶解し、そして−30℃に冷却した。これに対して、攪拌しながら
ジ−o−トリル 2,2’−ジヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン−3,3
’−ジカルボキシレート(2g、3.61mmol)を添加し、引き続いてトリ
エチルアミン溶液(エーテル5mL中1.1g)の滴下を行った。添加の後に、
混合物を室温において15分間にわたって攪拌し、次に終夜にわたって−30℃
にしたままにし、白色スラリーを得た。生成物を中性アルミナのパッドを通して
濾過し、そして濾液を減圧下で濃縮して、ワックス状の白色固体を与えた。その
固体をヘキサンで洗浄して、2.0gの白色粉末を得た。31P NMR(トルエ
ン):127.1ppm、131.3ppmに少量のピークを伴い、129.4
ppmに主要共鳴吸収。
【0059】 (実施例1A) 配位子1/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 1.09gの配位子1、0.040gのロジウムビス(カルボニル)アセチル
アセトナート、2gのオルト−ジクロロベンゼン(GC内部標準)および70g
の3−ペンテンニトリルを含有する溶液を混合し、そして3gのAmberlyst(登
録商標)A−21イオン交換樹脂(Rohm and Haasにより製造され入手可能な弱
塩基性の高度架橋樹脂)とともに15分間にわたって攪拌した。樹脂を濾過によ
り除去し、そして溶液を100mLのオートクレーブ中に装填し、そしてCOお
よびH2の1:1混合物を用いる0.45MPaの下で、20mL/分の速度で
CO/H2を流しながら、激しく攪拌を伴って6時間にわたって95℃に加熱し
た。6時間後に反応器からサンプルを取り出し、そして、Quadrex Corporation
から購入したQuadrex 23溶融シリカキャピラリカラム(30メートル、内径0.
32mm、膜厚0.25μm)を伴うHP 5890Aクロマトグラフを用いるガスクロマ
トグラフ法により分析した。
【0060】 GC分析(モル%): 2−ペンテンニトリル2.13%、バレロニトリル8.1%、3−ペンテンニト
リル8%、5−ホルミルバレロニトリル70.2%。 「転化率」は、生成物に転化される3−および4−ペンテンニトリルのパーセ
ンテージである。 「選択性」は、5−ホルミルバレロニトリルから構成される生成物混合物のパ
ーセンテージであり、および 「線状性」は、5−ホルミルバレロニトリルから構成されるアルデヒド生成物
のパーセンテージである。ペンテンニトリル類の転化率:92%;5−ホルミル
バレロニトリルに対する選択性:モル基準で78%;生成されるアルデヒドの線
状性:87%。
【0061】 (実施例1B) 配位子1/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテン酸メチルのヒドロホルミル化 ドライボックス中で、トルエン中に3−ペンテン酸メチル(0.5M)、ロジ
ウムビス(カルボニル)アセチルアセトナート(1.0mM)および1,2−ジ
クロロベンゼン(内部標準、0.14M)を含有する溶液を調製した。この溶液
の一部を、ガラスライニングされた圧力容器に対して添加し、およびRhに対し
て4.6当量の配位子1を与えるのに十分な量の配位子(0.05M)のトルエ
ン溶液を添加した。反応器を密封し、COおよびH2の1:1混合物を用いて0
.45MPaに加圧し、そして3時間にわたって95℃に加熱した。反応器を冷
却および減圧し、そして反応混合物のサンプルを、JW Scientificから購入したD
B-FFAP溶融シリカキャピラリカラム(30メートル、内径0.32mm、膜厚0
.25μm)を伴うHP 5890Aクロマトグラフによるガスクロマトグラフ法により
分析した。GC分析:(モル%)2−ペンテン酸メチル5.6%、吉草酸メチル
1.7%、3−ペンテン酸メチル28.3%、5−ホルミル吉草酸メチル62.
2%。ペンテン酸メチル類の転化率:71%;5−ホルミル吉草酸メチルに対す
る選択性:モル基準で88%;生成されるアルデヒドの線状性:98%。
【0062】 (実施例2) 配位子2の合成
【0063】
【化19】
【0064】 3−(2−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸メチルのホスホロクロリダイト
を、−30℃において塩基としてトリエチルアミンを用い、トルエン中のPCl 3 から調製した。反応混合物の31P NMR:162.8ppm。この混合物に
対して、ジメチル 2,2’−ジヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン−3,
3’−ジカルボキシレートおよびさらなるトリエチルアミンを添加した。混合物
をセライト(登録商標)を通して濾過し、そして溶媒を回転濃縮により除去した
。残渣をトルエン中に溶解し、そしてトルエンを用いて塩基性アルミナを通過さ
せた。溶媒を除去し、そして残渣を、トルエンを用い、そして次にテトラヒドロ
フランを用いてシリカゲルを通過させた。テトラヒドロフラン画分から溶媒を除
去し、そして残渣を真空乾燥した。31P{H}NMR(202.4MHz、CD
Cl3):147.0および131.4ppmに少量の他の共鳴吸収を伴い、1
31.0ppmに主要共鳴吸収。
【0065】 (実施例2A) 配位子2/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 100mLオートクレーブ中に、0.018gのロジウムビス(カルボニル)
アセチルアセトナート、Rhに対して3.7当量の配位子2、1gのオルト−ジ
クロロベンゼンおよび30gの3−ペンテンニトリルを装填し、そしてCOとH 2 との1:1混合物を用いる0.45MPaの下、約30mL/分の速度でCO
/H2を流しながら、激しい攪拌を伴って5時間にわたって95℃に加熱した。
反応器を冷却および減圧し、そして反応混合物のサンプルをQuadrex Corporatio
nから購入したQuadrex 23溶融シリカキャピラリカラム(30メートル、内径0
.32mm、膜厚0.25μm)を伴うHP 5890Aクロマトグラフを用いるガスクロ
マトグラフ法により分析した。GC分析:(モル%)2−ペンテンニトリル3.
6%、バレロニトリル15.4%、3−ペンテンニトリル7.5%、5−ホルミ
ルバレロニトリル53.5%。ペンテンニトリル類の転化率:92%;5−ホル
ミルバレロニトリルに対する選択性:モル基準で58%;生成されるアルデヒド
の線状性:73%。
【0066】 (実施例2B) 配位子2/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテン酸メチルのヒドロホルミル化 Rhに対して4.6当量の配位子2を用いることを除いて、実施例1Bと同様
に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテン酸メチル6.4%、吉草酸
メチル3.2%、3−ペンテン酸メチル21.2%、5−ホルミル吉草酸メチル
66.4%。ペンテン酸メチル類の転化率:79%;5−ホルミル吉草酸メチル
に対する選択性:モル基準で84%;生成されるアルデヒドの線状性:96%。
【0067】 (実施例3) 配位子3の合成
【0068】
【化20】
【0069】 ジメチル 2,2’−ジヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン−3,3’−
ジカルボキシレートの代りに、ジ−o−トリル 2,2’−ジヒドロキシル−1
,1’−ビナフタレン−3,3’−ジカルボキシレートを用いることを除いて、
実施例2と同一の手順を繰り返した。31P{H}NMR(202.4MHz、C
DCl3):148.3ppmおよび131.4ppmに少量の共鳴吸収を伴う
、129.4ppmの主要共鳴吸収。
【0070】 (実施例3A) 配位子3/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 Rhに対して3.7当量の配位子3を用い、5時間にわたることを除いて、実
施例2Aと同様に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテンニトリル1
.8%、バレロニトリル19.0%、3−ペンテンニトリル4.0%、5−ホル
ミルバレロニトリル60.5%。ペンテンニトリル類の転化率:96%;5−ホ
ルミルバレロニトリルに対する選択性:モル基準で63%;生成されるアルデヒ
ドの線状性:81%。
【0071】 (実施例3B) 配位子3/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテン酸メチルのヒドロホルミル化 Rhに対して4.6当量の配位子3を用いることを除いて、実施例1Bと同様
に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテン酸メチル4.3%、吉草酸
メチル1.5%、3−ペンテン酸メチル36.9%、5−ホルミル吉草酸メチル
54.5%。ペンテン酸メチル類の転化率:62%;5−ホルミル吉草酸メチル
に対する選択性:モル基準で88%;生成されるアルデヒドの線状性:96%。
【0072】 (実施例4) 配位子4の合成
【0073】
【化21】
【0074】 乾燥窒素下で攪拌しながら、2,2’−ジヒドロキシ−1,1’−ビナフタレ
ン−3,3’−ジカルボン酸(8.42g、22.5mmol)を乾燥テトラヒ
ドロフラン中に溶解させ、次にドライアイス/アセトン浴を用いて−78℃に冷
却した。フェニルリチウム(70/30のシクロヘキサン/エーテル中1.8M
の100mL、0.18mmol)を滴下し、次に、その溶液を周囲温度まで暖
まるままにした。終夜にわたる攪拌の後に、0℃において、反応溶液に対して脱
イオン水(50mL)をゆっくりと添加した。水相が強酸性(pH=2)になる
まで、激しく攪拌しながら、1M塩酸を滴下した。分液ロート中で、有機相を水
で洗浄し、次いで硫酸マグネシウム上で乾燥し、そして濃縮した。有機残渣をジ
クロロメタン中に再溶解させ、そしてシリカゲルのプラグを通して溶出させた。
橙色の濾液を濃縮して、黄色固体として2,2’−ジヒドロキシ−1,1’−ビ
ナフタレン−3,3’−ビス(フェニルケトン)(10.5g)を得た。
【0075】 実施例1に記載されるようにイソプロピル 3−(2−ヒドロキシフェニル)
プロピオネートのホスホロクロリダイトを調製した。31P NMR(トルエン)
:δ163。トリエチルアミンの存在下、イソプロピル 3−(2−ヒドロキシ
フェニル)プロピオネートのホスホロクロリダイトに対して、2,2’−ジヒド
ロキシ−1,1’−ビナフタレン−3,3’−ビス(フェニルケトン)を添加し
、引き続いて実施例1に略述される手順を行って、配位子4を得た。31P NM
R(トルエン):δ127(主要)、123(少量)。
【0076】 (実施例4A) 配位子4/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 ドライボックス中で、トルエン中に3−ペンテンニトリル(0.5M)、ロジ
ウムビス(カルボニル)アセチルアセトナート(0.85mM)、および1,2
−ジクロロベンゼン(内部標準、0.14M)を含有する溶液を調製した。この
溶液の一部をガラスライニングされた圧力容器に添加し、そしてRhに対して2
.9当量の配位子4を与えるのに十分な量の配位子(0.5M)のトルエン溶液
を添加した。反応器を密封し、そしてCOとH2との1:1混合物を用いて0.
45MPaに加圧し、そして3時間にわたって95℃に加熱した。反応器を冷却
および減圧し、そして反応混合物のサンプルをQuadrex Corporationから購入し
たQuadrex 23溶融シリカキャピラリカラム(30メートル、内径0.32mm、膜
厚0.25μm)を伴うHP 5890Aクロマトグラフを用いるガスクロマトグラフ法
により分析した。GC分析:(モル%)2−ペンテンニトリル7.2%、バレロ
ニトリル9.9%、3−ペンテンニトリル24.7%、5−ホルミルバレロニト
リル53.6%。ペンテンニトリル類の転化率:78%;5−ホルミルバレロニ
トリルに対する選択性:モル基準で72%;生成されるアルデヒドの線状性:9
0%。
【0077】 (実施例5) 配位子5の合成
【0078】
【化22】
【0079】 反応を不活性雰囲気中で実施した。100mLのフラスコ中に、0.206g
の3塩化リンと16gのトルエンとを添加した。その混合物を−30℃に冷却し
、そして0.499gの2−ヒドロキシフェニル酢酸メチルを添加した。この冷
却された溶液に対して、−30℃に冷却された8gトルエン中の0.400gの
トリエチルアミンを滴下した。トリエチルアミンの添加の後に、0.300gの
トリエチルアミンとともに、0.605gのジメチル 2,2’−ジヒドロキシ
ル−1,1’−ビナフタレン−3,3’−ジカルボキシレートを添加した。混合
物を終夜にわたって攪拌し、セライト(登録商標、Johns Manville Corp.)上で
濾過し、そして回転濃縮により溶媒を除去した。濃厚な黄色油状物(1.274
g)が得られた。31P{H}NMR(202.4MHz、CDCl3)は混合物
をしめした:145.8、130.9、130.4、129.4、129.0p
pm。マトリクスで補助されるレーザー脱離イオン化質量分析法(MALDI MS):実
測値M’+Na:1144.5;C6052182+Naに関する計算値:11
45.2。
【0080】 (実施例5A) 配位子5/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 Rhに対して5.4当量の配位子5を用いることを除いて、実施例4Aと同様
に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテンニトリル5.6%、バレロ
ニトリル7.9%、3−ペンテンニトリル21.7%、5−ホルミルバレロニト
リル61.7%。ペンテンニトリル類の転化率:86%;5−ホルミルバレロニ
トリルに対する選択性:モル基準で79%;生成されるアルデヒドの線状性:9
5%。
【0081】 (実施例5B) 配位子5/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテン酸メチルのヒドロホルミル化 Rhに対して4.6当量の配位子5を用いることを除いて、実施例1Bと同様
に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテン酸メチル6.8%、吉草酸
メチル3.4%、3−ペンテン酸メチル17.4%、5−ホルミル吉草酸メチル
70.1%。ペンテン酸メチル類の転化率:82%;5−ホルミル吉草酸メチル
に対する選択性:モル基準で85%;生成されるアルデヒドの線状性:97%。
【0082】 (実施例6) 配位子6の合成
【0083】
【化23】
【0084】 20mLの無水メタノールおよび5mLの硫酸中に4−(2−ヒドロキシフェ
ニル)酪酸(1g、5.55mmol)を溶解させた。その混合物を6時間にわ
たって加熱して還流させた。水性処理の後に、1.14gの4−(2−ヒドロキ
シフェニル)酪酸メチルが得られた。1H NMR(CDCl3):1.92(q, 2H),
2.40(t, 2H), 2.65(t, 2H), 3.72(s, 3H), 6.84(m, 2H), 7.10(m, 2H)。
【0085】 4−(2−ヒドロキシフェニル)酪酸メチルを、実施例1において記載される
ようにジエチル亜ホスホロアミド酸ジクロリドと反応させ、対応する亜リン酸ア
ミダイトを与えた。31P NMR(トルエン):142ppm。得られる亜リン
酸アミダイトを、実施例1において記載されるように1MのHClで処理して、
対応するホスホロクロリダイトを得た。31P NMR(トルエン):162pp
m。次にホスホロクロリダイトを、実施例1において記載されるのと同一の方法
においてジ−o−トリル 2,2’−ジヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン
−3,3’−ジカルボキシレートを反応させ、配位子6を得た。NMRは混合物
を示した。31P NMR(トルエン):130.7、131.2、131.8;
共鳴吸収はほぼ同一の強度であった。
【0086】 (実施例6A) 配位子6/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 Rhに対して2.9当量の配位子6を用いることを除いて、実施例4Aと同様
に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテンニトリル2.6%、バレロ
ニトリル10.0%、3−ペンテンニトリル26.3%、5−ホルミルバレロニ
トリル49.6%。ペンテンニトリル類の転化率:74%;5−ホルミルバレロ
ニトリルに対する選択性:モル基準で68%;生成されるアルデヒドの線状性:
82%。
【0087】 (実施例6B) 配位子6/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテン酸メチルのヒドロホルミル化 Rhに対して4.6当量の配位子6を用いることを除いて、実施例1Bと同様
に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテン酸メチル4.6%、吉草酸
メチル1.7%、3−ペンテン酸メチル49.5%、5−ホルミル吉草酸メチル
41.8%。ペンテン酸メチル類の転化率:49%;5−ホルミル吉草酸メチル
に対する選択性:モル基準で85%;生成されるアルデヒドの線状性:98%。
【0088】 (実施例6C) 配位子6/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いるウン デセンのヒドロホルミル化 ドライボックス中で、トルエン中にウンデセン(0.5M)、ロジウムビス(
カルボニル)アセチルアセトナート(0.85mM)、および1,2−ジクロロ
ベンゼン(内部標準、0.14M)を含有する溶液を調製した。この溶液の一部
をガラスライニングされた圧力容器中に添加し、そしてRhに対して5.5当量
の配位子6を与えるのに十分な配位子6(0.05M)のトルエン溶液を添加し
た。反応器を密封し、そしてCOとH2との1:1混合物を用いて0.45MP
aに加圧し、そして3時間にわたって95℃に加熱した。反応器を冷却および減
圧し、そして反応混合物のサンプルを、J&W Scientific Companyから購入したDB
-Wax溶融シリカキャピラリカラム(30メートル、内径0.32mm、膜厚0.
25μm)を伴うHP 5890Aガスクロマトグラフによるガスクロマトグラフ法によ
り分析した。GC分析:(モル%)ウンデカン(1.8%)、1−ウンデセン(
3.7%)、内部ウンデセン類(52.8%)、メチルウンデカナール(0.2
%)、ドデカナール(41.4%)。ウンデセン類の転化率:58%;ドデカナ
ールに対する選択性:モル基準で97%;生成されるアルデヒドの線状性:99
.5%。
【0089】 (実施例7) 配位子7の合成
【0090】
【化24】
【0091】 実施例6において記載されるように、4−(2−ヒドロキシフェニル)酪酸メ
チルを対応するホスホロクロリダイトへ変換した。実施例1において記載される
手順を繰り返して、そのホスホロクロリダイトを3,3’,4,4’,6,6’
−ヘキサメチル−2,2’−ビフェノールと反応させ、配位子7を与えた。NM
Rは混合物を示した。31P NMR(トルエン):131、136、137;共
鳴吸収はほぼ同一の強度であった。
【0092】 (実施例7A) 配位子7/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 Rhに対して5.7当量の配位子7を用いることを除いて、実施例4Aと同様
に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテンニトリル2.2%、バレロ
ニトリル10.0%、3−ペンテンニトリル35.4%、5−ホルミルバレロニ
トリル36.6%。ペンテンニトリル類の転化率:64%;5−ホルミルバレロ
ニトリルに対する選択性:モル基準で57%;生成されるアルデヒドの線状性:
70%。
【0093】 (実施例7B) 配位子7/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテン酸メチルのヒドロホルミル化 Rhに対して4.6当量の配位子7を用いることを除いて、実施例1Bと同様
に反応を行った。ペンテン酸メチル類の転化率:65%;5−ホルミル吉草酸メ
チルに対する選択性:モル基準で65%;生成されるアルデヒドの線状性:93
%。
【0094】 (実施例8) 配位子8の合成
【0095】
【化25】
【0096】 実施例1に記載されるように、2−ヒドロキシフェニル酢酸メチルをジエチル
亜ホスホロアミド酸ジクロリドと反応させて、対応する亜リン酸アミダイトを得
た。31P NMR(トルエン):137ppm。実施例1に記載されるように、
その亜リン酸アミダイトを1MのHCl溶液で処理して、対応するホスホロクロ
リダイトを得た。31P NMR(トルエン):158ppm。次に、実施例1に
記載されるように、そのクロリダイトをビス(4−クロロ−2−メチルフェニル
)−2,2’−ジヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン−3,3’−ジカルボ
キシレートと反応させて、配位子8を得た。31P NMR(トルエン):127
(主要)、128、131。
【0097】 (実施例8A) 配位子8/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 Rhに対して5.5当量の配位子8を用いることを除いて、実施例4Aと同様
に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテンニトリル2.3%、バレロ
ニトリル8.1%、3−ペンテンニトリル13.5%、5−ホルミルバレロニト
リル69.8%。ペンテンニトリル類の転化率:86%;5−ホルミルバレロニ
トリルに対する選択性:モル基準で81%;生成されるアルデヒドの線状性:9
2%。
【0098】 (実施例9) 配位子9の合成
【0099】
【化26】
【0100】 ジエチルアミン(98.5g)およびジヒドロクマリン(20.0g)を4時
間にわたって還流させた。過剰のジエチルアミンを減圧下で除去して、34.0
gのN,N−ジエチル−3−(2−ヒドロキシフェニル)プロピオンアミドを残
した。1H NMR(CDCl3):7.26-7.03(m, 2H), 6.91(dd, 1H), 6.81(td,
1H), 3.37(4重線, 2H), 3.26(4重線, 2H), 2.95(m, 2H), 2.71(m, 2H), 1.10
(4重線, 6H)。
【0101】 窒素でパージされたグローブボックス中で、110mLの無水THF(テトラ
ヒドロフラン)中にN,N−ジエチル−3−(2−ヒドロキシフェニル)プロピ
オンアミド(5.0g)を溶解させ、そして−30℃に冷却した。これに対して
ジエチル亜ホスホロアミド酸ジクロリド(1.97g)を添加し、引き続いてト
リエチルアミン(2.97g)の滴下を行った。その混合物を10分間にわたっ
て室温において攪拌し、次に2時間にわたって−30℃に保持した。得られる白
色スラリーを、セライト(登録商標)パッド上で濾過し、濃縮して、6.1gの
対応する亜リン酸アミダイトを得た。31P NMR(トルエン):141.5p
pm。55mLの無水エーテル中に、上記亜リン酸アミダイトを溶解させ、そし
て−40℃に冷却した。攪拌されているアミダイト溶液に対して、滴下ロートを
介してあらかじめ冷却した1MのHClエーテル溶液11mLを添加した。添加
時に、白色析出物が形成された。混合物を10分間にわたって攪拌し、そして1
時間にわたって−40℃に再冷却した。得られるスラリーをセライト(登録商標
)パッド上で濾過し、そして減圧下で濃縮して、3.1gの対応するホスホロク
ロリダイトを得た。31P NMR(トルエン):157.9ppm。次に、実施
例1に記載されるように、そのクロリダイトを、ジ−o−トリル 2,2’−ジ
ヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン−3,3’−ジカルボキシレートと反応
させて、配位子9を得た。31P NMR(トルエン):132(主要)、134
(少量)、148(少量)。
【0102】 (実施例9A) 配位子9/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3− ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 Rhに対して10当量の配位子9を用いることを除いて、実施例4Aと同様に
反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテンニトリル1.2%、バレロニ
トリル7.9%、3−ペンテンニトリル21.3%、5−ホルミルバレロニトリ
ル57.4%。ペンテンニトリル類の転化率:76%;5−ホルミルバレロニト
リルに対する選択性:モル基準で75%;生成されるアルデヒドの線状性:86
%。
【0103】 (実施例10) 配位子10の合成
【0104】
【化27】
【0105】 ジメチル 2,2’−ジヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン−3,3’−
ジカルボキシレートの代りに3,3’,5,5’−テトラメチル−2,2’−ビ
フェノールを用いることを除いて、実施例2の手順に従った。31P{H}NMR
(202.4MHz、CDCl3):141.9、133.6、130.6pp
mに少量の共鳴吸収を伴う133.4ppmの主要共鳴吸収。
【0106】 (実施例10A) 配位子10/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3 −ペンテン酸メチルのヒドロホルミル化 Rhに対して4.6当量の配位子10を用いることを除いて、実施例1Bと同
様に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテン酸メチル6.8%、吉草
酸メチル3.3%、3−ペンテン酸メチル44.4%、5−ホルミル吉草酸メチ
ル42.4%。ペンテン酸メチル類の転化率:55%;5−ホルミル吉草酸メチ
ルに対する選択性:モル基準で78%;生成されるアルデヒドの線状性:95%
【0107】 (実施例11) 配位子11の合成
【0108】
【化28】
【0109】 「MR」は、メリフィールド樹脂を示す。メリフィールド樹脂と2,2’−ジ
ヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン−3,3’−ジカルボン酸の部分的エス
テル化、引き続くo−クレゾールを用いるエステル化により調製した0.757
g(0.6mmol)のポリマーに担持されたジオールを、15mLの無水トル
エン中に配置し、引き続いて0.983gのClP[OC64−2−(CH22 CO2CH32(2.4mmol)および0.465gのジイソプロピルエチル
アミン(3.6mmol)を配置した。終夜にわたる振盪の後、樹脂は橙色から
淡黄色へと変化した。担持された配位子を濾過により収集し、そして減圧下で乾
燥する前にトルエン(20mL)、テトラヒドロフラン(20mL)、およびC
2Cl2(20mL)で洗浄した。元素分析:1.74〜1.97質量%のP;
IR(KBr):1736cm-1(vs)。
【0110】 担持された配位子の一部を、過剰のNi(COD)2で処理し、引き続いて約
0.1MPaの一酸化炭素で処理して、担持された錯体P2Ni(CO)2(P2
は担持された配位子を示す)を与えた。この材料の赤外スペクトルは、1730
cm-1のエステル帯に加えて、所望されるジカルボニル種の形成と一致する20
45および1996cm-1に強い吸収を示す。2084cm-1における非常に弱
いピークは、痕跡量の担持されたPNi(CO)3(Pは担持されたモノホスフ
ァイト配位子を示す)の形成を示す。
【0111】 (実施例11A) 配位子11/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3 −ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 ドライボックス中で、トルエン中に3−ペンテンニトリル(0.5M)、ロジ
ウムビス(カルボニル)アセチルアセトナート(0.85mM)、および1,2
−ジクロロベンゼン(内部標準、0.14M)を含有する溶液を調製した。この
溶液の一部を、Rhに対して5.3モル当量の配位子11を含有するガラスライ
ニングされた圧力容器に添加した。反応器を密封し、そしてCOとH2との1:
1混合物を用いて0.45MPaの間に加圧し、そして3時間にわたって95℃
の間に加熱した。反応器を冷却および減圧し、そして反応混合物のサンプルをQu
adrex Corporationから購入したQuadrex 23溶融シリカキャピラリカラム(30
メートル、内径0.32mm、膜厚0.25μm)を伴うHP 5890Aクロマトグラフ
を用いるガスクロマトグラフ法により分析した。GC分析:(モル%)2−ペン
テンニトリル4.7%、バレロニトリル13.6%、3−ペンテンニトリル23
.3%、5−ホルミルバレロニトリル46.3%。ペンテンニトリル類の転化率
:77%;5−ホルミルバレロニトリルに対する選択性:モル基準で60%;生
成されるアルデヒドの線状性:79%。
【0112】 (実施例11B) 配位子11/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3 −ペンテン酸メチルのヒドロホルミル化 ドライボックス中で、トルエン中に3−ペンテン酸メチル(0.5M)、ロジ
ウムビス(カルボニル)アセチルアセトナート(1.0mM)、および1,2−
ジクロロベンゼン(内部標準、0.14M)を含有する溶液を調製した。この溶
液の一部を、Rhに対して4.9モル当量の配位子11を含有するガラスライニ
ングされた圧力容器に添加した。反応器を密封し、そしてCOとH2との1:1
混合物を用いて0.45MPaの間に加圧し、そして3時間にわたって95℃の
間に加熱した。反応器を冷却および減圧し、そして反応混合物のサンプルを JW Scientificから購入したDB-FFAP溶融シリカキャピラリカラム(30メートル
、内径0.32mm、膜厚0.25μm)を伴うHP 5890Aクロマトグラフを用いる
ガスクロマトグラフ法により分析した。GC分析:(モル%)2−ペンテン酸メ
チル2.7%、吉草酸メチル0.8%、3−ペンテン酸メチル75.3%、5−
ホルミル吉草酸メチル19.1%。ペンテン酸メチル類の転化率:24%;5−
ホルミルペンテン酸メチルに対する選択性:モル基準で79%;生成されるアル
デヒドの線状性:93%。
【0113】 (実施例12、13、14) 配位子12、13、および14の合成 実施例11において配位子11に関して記載されるように、配位子12、13
、および14を調製した。特性データを第1表に与える。以下の構造中の「MR
」は、メリフィールド樹脂を指す。
【0114】
【表1】
【0115】 (実施例12A〜14A) 実施例11Aにおけるように反応を実施した。結果を第2表にまとめる。表中
、「CONV」(転化率)は、生成物へと変換される3および4ペンテンニトリ
ルのパーセンテージであり、「SEL」(選択性)は、5−ホルミルバレロニト
リルから構成される生成物混合物のパーセンテージであり、および「LIN」(
線状性)は、5−ホルミルバレロニトリルから構成されるアルデヒド混合物のパ
ーセンテージである。
【0116】
【表2】
【0117】 (実施例12B〜14B) 配位子は、上記のように調製された。反応剤として3−ペンテン酸メチルを用
いる反応を、実施例11Bにおけるように実施した。結果は第3表中にある。
【0118】
【表3】
【0119】 (比較例1) 配位子15の合成
【0120】
【化29】
【0121】 Canadian Journal of Chemistry, 31, 1956, 851に記載される手順に従って、
フェノールから2−ヒドロキシ−イソブチロフェノンを調製した。トリフルオロ
酢酸(14g、122mmol)中の2−ヒドロキシ−イソブチロフェノン(2
g、12.2mmol)の溶液に対して、トリエチルシラン(26.8mmol
)をゆっくりと添加した。その溶液を6時間にわたって室温にて攪拌した。反応
混合物に対して、飽和重炭酸ナトリウム溶液、続いてエーテルを添加した。層を
分離し、そして水層をエーテルで抽出した。有機層を合わせて、硫酸マグネシウ
ム上で乾燥させ、そして濃縮した。粗製の材料を減圧下で蒸留した(約9.3×
10-4MPa、75℃)。蒸留物を水酸化カリウム溶液で洗浄し、引き続いて塩
化水素溶液の添加およびエーテルを用いる抽出を行った。エーテル層を合わせ、
硫酸マグネシウム上で乾燥させ、そして濃縮して、1.0g(55%)の2−イ
ソブチルフェノールを与えた。1H NMR(300MHz、δ、CDCl3):
7.0(m, 2H), 6.8(t, 1H), 6.7(d, 1H), 4.6(br. s, 1H), 2.4(d, 2H), 1.9(s, 1
H), 0.9(d, 6H)。
【0122】 上記のフェノール(0.78g)を、25mLのジエチルエーテル中に溶解さ
せ、そして窒素パージされるグローブボックス中で−40℃に冷却した。トリエ
チルアミン(0.68g)を添加し、引き続いて、0.45gのジエチル亜ホス
ホロアミド酸ジクロリドの添加を行った。ジエチル亜ホスホロアミド酸ジクロリ
ドの添加時に、白色の析出物が形成された。反応混合物を1時間にわたって室温
にて攪拌し、次にセライト(登録商標)パッド上で濾過した。濾液を減圧下で濃
縮して、1.0g(97%)の対応する亜リン酸アミダイトを得た。31P NM
R(トルエン):136ppm。上記の亜リン酸アミダイト(1.0g)を25
mL無水エーテル中に溶解させ、そして−40℃に冷却した。攪拌されているア
ミダイト溶液に対して、あらかじめ冷却された1MのHClエーテル溶液5.0
mLをゆっくりと添加した。添加時に白色の析出物が形成された。その混合物を
10分間にわたって攪拌し、そして2時間にわたって−40℃に再冷却した。得
られるスラリーを、セライト(登録商標)パッド上で濾過し、そして減圧下で濃
縮して、0.85gの対応するホスホロクロリダイトを得た。31P NMR(ト
ルエン):161ppm。
【0123】 実施例1において記載されるのと同一の方法において、上記ホスホロクロリダ
イトを、ジ−o−トリル 2,2’−ジヒドロキシル−1,1’−ビナフタレン
−3,3’−ジカルボキシレートおよびトリエチルアミンと反応させて、配位子
15を得た。31P NMR(トルエン):129.9ppm。
【0124】 (比較例1A) 配位子15/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3 −ペンテンニトリルのヒドロホルミル化 配位子15を用いることを除いて、実施例4Aと同様に反応を行った。3−ペ
ンテンニトリルの転化率:73%;5−ホルミルバレロニトリルに対する選択性
:モル基準で64%;生成されるアルデヒドの線状性:73%。
【0125】 (比較例1B) 配位子15/ロジウムビス(カルボニル)アセチルアセトナートを用いる3 −ペンテン酸メチルのヒドロホルミル化 Rhに対して4.6当量の配位子15を用いることを除いて、実施例1Bと同
様に反応を行った。GC分析:(モル%)2−ペンテン酸メチル5.5%、吉草
酸メチル1.5%、3−ペンテン酸メチル46.7%、5−ホルミル吉草酸メチ
ル43.3%。ペンテンニトリル類の転化率:83%;5−ホルミル吉草酸メチ
ルに対する選択性:モル基準で78%;生成されるアルデヒドの線状性:96%
【0126】 先行技術と対照的に、少なくとも1つのR1基がR3Zである本発明の多座ホス
ファイト配位子は、3−ペンテンニトリルのヒドロホルミル化における高い選択
性を与える。立体的に同等の配位子1(本発明の配位子)の性能と比較例の配位
子15の性能の比較は、3−ペンテンニトリルのヒドロホルミル化における選択
性が、配位子1に関して14%高いことを示す。同様に、配位子1は、3−ペン
テン酸メチルのヒドロホルミル化においても、立体的に類似の比較例の配位子1
5よりも良好に機能し、5−ホルミル吉草酸エステルの10%高い選択性をもた
らす。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07C 69/716 C07C 69/716 Z 253/30 253/30 255/17 255/17 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ, BA,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,C U,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GD ,GE,GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN, IS,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,L K,LR,LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK ,MN,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO, RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,T M,TR,TT,UA,UG,UZ,VN,YU,ZW (72)発明者 ヘレン エス.エム.ルー アメリカ合衆国 19086 ペンシルベニア 州 ウォーリングフォード ノル ロード 209 (72)発明者 ケネス ジーン モロイ アメリカ合衆国 19711 デラウェア州 ニューアーク エディンバラ コート 13 (72)発明者 ショーン エイチ.フィリップス アメリカ合衆国 93534 カリフォルニア 州 ランカスター ウェスト アベニュー エル 801 アパートメント 107 (72)発明者 キャスリン イー.シュワイバート アメリカ合衆国 19808 デラウェア州 ウイルミントン ペニントン コート 4801 (72)発明者 ウィルソン タム アメリカ合衆国 19061 ペンシルベニア 州 ブースウィン ブルッククロフト レ ーン 3781 (72)発明者 ノーラ ラデュ アメリカ合衆国 19061 ペンシルベニア 州 ランデンバーグ ストーニー リッジ ロード 109 Fターム(参考) 4G069 AA06 AA08 BA27A BA27B BC67A BC71A BC71B BC72A BC74A BC75A BE13A BE21A BE29A BE29B BE33A BE36A BE36B BE37A BE37B BE38A BE38B CB51 DA02 FA01 4H006 AA02 AC45 BA20 BA22 BA24 BA25 BA26 BA28 BA30 BA32 BA37 BA40 BA41 BA48 BE20 BE40 BQ10 QN30 4H039 CA62 CL45 4H050 AA01 AB40

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 C2〜C20の非環式モノエチレン性不飽和化合物を対応する
    末端アルデヒドへと変換するための方法であって、第VIII族遷移金属および式I
    、式IIまたは式IIIを有する少なくとも1つの多座ホスファイト配位子の存在下
    で、該化合物をCOおよびH2と反応させる工程を具えたことを特徴とする方法 【化1】 (式中、 それぞれのR1は、少なくとも1つのR1が−R3Zであることを条件として、
    独立的にC1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリール、F、Cl、−CO24
    −OR4、または−R3Zであり; それぞれのR2は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CHO、−CNまたは−
    CF3であり; それぞれのR3は、独立的にC1〜C10のアルキレンであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
    であり、 それぞれのZは、−CO24、−CHO、−C(O)R4、−C(O)SR4
    −SR4、−C(O)NR56、−OC(O)R4、−OC(O)OR4、−N=
    CR56、−C(R5)=NR6,−C(R5)=N−O−R6、−P(O)(OR 4 )(OR4)、−S(O)24、−S(O)R4、−C(O)OC(O)R4、−
    NR4CO24、−NR4C(O)NR56または−CNであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
    であり; それぞれのR5は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
    ールであり; それぞれのR6は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
    ールであり; Qは、下式を有する2価架橋基であり: 【化2】 ここで、 それぞれのR7は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−C(R5)=N−O−R6 、−CHO、−CN、−CF3、−C(R5)=NR6、−NR56、または−R3 Zであり、および それぞれのR8は、H、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリー
    ル、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CNまたは−CF3である)。
  2. 【請求項2】 前記配位子は式Iを有し、ここで それぞれのR1は、独立的に−R3Zであり; それぞれのR2は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CHO、−CNまたは−
    CF3であり; それぞれのR3は、独立的にC1〜C4のアルキレンであり; それぞれのZは、独立的に−CO24、−CHO、−C(O)R4、−C(O
    )NR56、−OC(O)R4、−OC(O)OR4、−N=CR56、または−
    C(R5)=NR6であり; Qは、下式を有する2価架橋基であり: 【化3】 それぞれのR7は、独立的に−CO24、−C(O)R4、−C(R5)=N−
    O−R6、−CHO、−CN、または−C(R5)=N(R6)であり、および それぞれのR8は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、OR4、−CO24、−C(O)R4、−CNまたは−CF3である
    ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 それぞれのR2はHであり、それぞれのR3はC1〜C3のアル
    キレンであり、およびそれぞれのZは−CO24であることを特徴とする請求項
    2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記第VIII族金属は、ロジウム、コバルト、イリジウム、パ
    ラジウムおよび白金から成る群から選択されることを特徴とする請求項3に記載
    の方法。
  5. 【請求項5】 前記金属は、ロジウムであることを特徴とする請求項4に記
    載の方法。
  6. 【請求項6】 前記ロジウムは、ロジウムの水素化物、ハロゲン化物、有機
    酸の塩、アセチルアセトナート、無機酸の塩、酸化物、カルボニル化合物または
    アミン化合物の形態で添加されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
  7. 【請求項7】 前記ロジウムは、ロジウムビス(カルボニル)ケトナートの
    形態で添加されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
  8. 【請求項8】 前記非環式モノエチレン性不飽和化合物は、3−ペンテンニ
    トリル、3−ペンテン酸、3−ペンテン酸アルキルまたは3−ペンテナールであ
    ることを特徴とする請求項7に記載の方法。
  9. 【請求項9】 前記配位子は、担体上にあることを特徴とする請求項8に記
    載の方法。
  10. 【請求項10】 前記担体は、ポリスチレン樹脂であることを特徴とする請
    求項9に記載の方法。
  11. 【請求項11】 式I、式II、または式IIIを有する多座ホスファイト配位
    子 【化4】 (式中、 それぞれのR1は、少なくとも1つのR1が−R3Zであることを条件として、
    独立的にC1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリール、F、Cl、−CO24
    −OR4、または−R3Zであり; それぞれのR2は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CHO、−CNまたは−
    CF3であり; それぞれのR3は、独立的にC1〜C10のアルキレンであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
    であり、 それぞれのZは、−CO24、−CHO、−C(O)R4、−C(O)SR4
    −SR4、−C(O)NR56、−OC(O)R4、−OC(O)OR4、−N=
    CR56、−C(R5)=NR6,−C(R5)=N−O−R6、−P(O)(OR 4 )(OR4)、−S(O)24、−S(O)R4、−C(O)OC(O)R4、−
    NR4CO24、−NR4C(O)NR56または−CNであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
    であり; それぞれのR5は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
    ールであり; それぞれのR6は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
    ールであり; Qは、下式を有する2価架橋基であり: 【化5】 ここで、 それぞれのR7は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−C(R5)=N−O−R6 、−CHO、−CN、−CF3、−C(R5)=NR6、−NR56、または−R3 Zであり、および それぞれのR8は、H、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリー
    ル、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CNまたは−CF3である)。
  12. 【請求項12】 前記配位子は式Iを有し、ここで それぞれのR1は、独立的に−R3Zであり; それぞれのR2は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CHO、−CNまたは−
    CF3であり; それぞれのR3は、独立的にC1〜C4のアルキレンであり; それぞれのZは、独立的に−CO24、−CHO、−C(O)R4、−C(O
    )NR56、−OC(O)R4、−OC(O)OR4、−N=CR56、または−
    C(R5)=NR6であり; Qは、下式を有する2価架橋基であり: 【化6】 それぞれのR7は、独立的に−CO24、−C(O)R4、−C(R5)=N−
    O−R6、−CHO、−CN、または−C(R5)=N(R6)であり、および それぞれのR8は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、OR4、−CO24、−C(O)R4、−CNまたは−CF3である
    ことを特徴とする請求項11に記載の多座ホスファイト配位子。
  13. 【請求項13】 それぞれのR2はHであり、それぞれのR3はC1〜C3のア
    ルキレンであり、それぞれのZは−CO24であることを特徴とする請求項12
    に記載の多座ホスファイト配位子。
  14. 【請求項14】 第VIII族金属と、式I、式IIまたは式IIIにより表される
    群から選択される多座ホスファイト配位子とを含むことを特徴とする触媒 【化7】 (式中、 それぞれのR1は、少なくとも1つのR1が−R3Zであることを条件として、
    独立的にC1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリール、F、Cl、−CO24
    −OR4、または−R3Zであり; それぞれのR2は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CHO、−CNまたは−
    CF3であり; それぞれのR3は、独立的にC1〜C10のアルキレンであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
    であり、 それぞれのZは、−CO24、−CHO、−C(O)R4、−C(O)SR4
    −SR4、−C(O)NR56、−OC(O)R4、−OC(O)OR4、−N=
    CR56、−C(R5)=NR6,−C(R5)=N−O−R6、−P(O)(OR 4 )(OR4)、−S(O)24、−S(O)R4、−C(O)OC(O)R4、−
    NR4CO24、−NR4C(O)NR56または−CNであり; それぞれのR4は、独立的にC1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリール
    であり; それぞれのR5は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
    ールであり; それぞれのR6は、独立的にH、C1〜C12のアルキルまたはC6〜C20のアリ
    ールであり; Qは、下式を有する2価架橋基であり: 【化8】 ここで、 それぞれのR7は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−C(R5)=N−O−R6 、−CHO、−CN、−CF3、−C(R5)=NR6、−NR56、または−R3 Zであり、および それぞれのR8は、H、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20のアリー
    ル、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CNまたはCF3である)。
  15. 【請求項15】 前記配位子は式Iを有し、ここで それぞれのR1は、独立的に−R3Zであり; それぞれのR2は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、−OR4、−CO24、−C(O)R4、−CHO、−CNまたは−
    CF3であり; それぞれのR3は、独立的にC1〜C4のアルキレンであり; それぞれのZは、独立的に−CO24、−CHO、−C(O)R4、−C(O
    )NR56、−OC(O)R4、−OC(O)OR4、−N=CR56、または−
    C(R5)=NR6であり; Qは、下式を有する2価架橋基であり: 【化9】 ここで それぞれのR7は、独立的に−CO24、−C(O)R4、−C(R5)=N−
    O−R6、−CHO、−CN、または−C(R5)=N(R6)であり、および それぞれのR8は、独立的にH、F、Cl、C1〜C12のアルキル、C6〜C20
    のアリール、OR4、−CO24、−C(O)R4、−CNまたは−CF3である
    ことを特徴とする請求項14に記載の触媒組成物。
  16. 【請求項16】 それぞれのR2はHであり、それぞれのR3はC1〜C3のア
    ルキレンであり、それぞれのZは−CO24であることを特徴とする請求項15
    に記載の触媒組成物。
  17. 【請求項17】 前記金属は、ロジウム、コバルト、イリジウム、パラジウ
    ムおよび白金から成る群から選択されることを特徴とする請求項16に記載の触
    媒組成物。
  18. 【請求項18】 前記金属は、ロジウムであることを特徴とする請求項17
    に記載の触媒組成物。
  19. 【請求項19】 前記ロジウムは、ロジウムの水素化物、ハロゲン化物、有
    機酸の塩、アセチルアセトナート、無機酸の塩、酸化物、カルボニル化合物また
    はアミン化合物の形態にあることを特徴とする請求項18に記載の触媒組成物。
  20. 【請求項20】 前記ロジウムは、ロジウムビス(カルボニル)アセチルア
    セトナートの形態にあることを特徴とする請求項19に記載の触媒組成物。
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