JP2003506869A - 集積回路の製造において異なる高さの金属層の間に配線層間誘電体層を形成する方法 - Google Patents

集積回路の製造において異なる高さの金属層の間に配線層間誘電体層を形成する方法

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JP2003506869A JP2001514476A JP2001514476A JP2003506869A JP 2003506869 A JP2003506869 A JP 2003506869A JP 2001514476 A JP2001514476 A JP 2001514476A JP 2001514476 A JP2001514476 A JP 2001514476A JP 2003506869 A JP2003506869 A JP 2003506869A
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テリーンス マックダニエル，
マックス， エフ． ハイネマン，
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マイクロン テクノロジー， インク．
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、集積回路の製造において、異なる高さの導電性金属層の間に、配線層間誘電体層を設ける方法を含むものである。一実施形態において、集積回路の製造において異なる高さの導電性金属層の間に配線層間誘電体層を設ける方法には、基板上に導電性金属配線層を形成する工程が含まれる。絶縁性誘電体マスは、導電性金属配線層の周辺に設けられる。絶縁性誘電体マスは、第１誘電率を有する。絶縁性誘電体マスの少なくとも大部分は、基板からエッチング除去される。エッチングの後、配線層間誘電体層が、エッチングされた絶縁性誘電体物質の少なくとも幾らかと置き換わるように堆積される。配線層間誘電体層は、第１誘電率よりも小さい第２誘電率を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路の製造において、異なる高さの導電性金属層の間に配線層
間誘電体層を設ける方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路を形成する方法において、集積回路のコンポーネントを絶縁材料で互
いに電気的に分離することがしばしば望まれる。例えば、導電性の層は、それら
を絶縁材料で分けることにより、互いに電気的に分離可能である。二つの異なる
高さの導電性の層又はコンポーネント層の間に入れられる絶縁材料は、典型的に
は配線層間誘電体材料と呼ばれる。また、半導体基板内に延在するデバイスは、
例えばトレンチ分離領域等の、コンポーネント間の基板内に形成された絶縁材料
によって互いに電気的に分離可能である。
【０００３】 集積回路のコンポーネントを分離するための典型的な絶縁材料の一つは、約４
の誘電率を有する二酸化シリコンである。更に、多くの適用例において、絶縁材
料により分けられた導電性コンポーネント間で起こる寄生容量を減らすために、
二酸化シリコンよりも低い誘電率を有する絶縁材料を用いることが望まれる。デ
バイスの寸法及びコンポーネントの間隔が縮小し続けているので、半導体製造産
業において寄生容量を減らすことの重要性は増し続けている。間隔がより近接す
ると、寄生容量には逆の影響が現れる。
【０００４】 ある固有の絶縁材料の誘電率を減らす方法の一つは、その中に少量の炭素を供
給することである。そのようなことを行うための技術の一例として、Ｆｌｏｗｆ
ｉｌｌ（商標）技術と呼ばれるものが、英国ブリストルのトリコン テクノロジ
ーにより最近開発された。より多くの炭素の混入を望むときは、ガス状のメチル
シラン及び液状のＨ２Ｏ２を、平行平板反応室等の反応室内に別々に導入する。
メチルシランとＨ２Ｏ２との反応は、反応室内への窒素の導入により加減可能で
ある。ウェーハは、反応室内に提供され、メチルシラノール構造の形成体を得る
ために、例えば０℃等の適当な低い温度で１Ｔｏｒｒの典型的な圧力に理想的に
は保たれる。このような構造・材料は、ウェーハ表面上に凝縮する。反応はガス
の段階で起こるが、堆積された材料は、ウェーハ表面上の小さいギャップを充填
するために流れ得る粘性液体の形状をとる。堆積する厚みが増えた場合には、表
面張力で堆積層が平坦になり、以って基板上に平坦化された層が形成される。
【０００５】 液体メチルシラノールは、シラノール型構造が堆積された反応室とは別の二つ
の反応室内で行なわれる二つの工程により、二酸化シリコン構造に変換される。
まず、約１Ｔｏｒｒの圧力を保ちながら温度を１００℃以上に上昇させることで
、液体薄膜の平坦化が促進され、結果として凝固して高分子層が形成される。そ
の後、（ＣＨ３）ｙＳｉＯ（２−ｙ）を形成するために、約１Ｔｏｒｒの圧力を
保ちながら温度が約４５０℃まで上げられる。ｙ／２は、ＣＨ３結合の割合であ
る。（ＣＨ３）ｙＳｉＯ（２−ｙ）は、約３と同じかそれ以下の誘電率を有し、
二酸化シリコン及び／又はリンがドープされた二酸化シリコンよりも、寄生容量
が問題となる可能性は低い。
【０００６】 低誘電体層材料（ｌｏｗ ｋ）の他の例には、フッ素がドープされた二酸化シ
リコンや、高炭素・水素含有材料、及び２０％よりも少ないシリコンを有する他
の有機薄膜が含まれる。
【０００７】 低誘電体材料の使用に関する従来技術における問題は、これらの材料の多くが
高温処理に耐えられないことである。具体的には、基板が低誘電体材料の堆積後
に晒される比較的低い温度において、多くは溶解又はガス化してしまう。これは
、基本的には製造される回路を破壊し得る。更に、典型的なフォトレジストの除
去工程は、低誘電体層の多少の等方性エッチングを望まずして生ずるので、その
ような低誘電体層上での処理のときに、フォトレジストを素早く除去するのは非
常に困難である。
【０００８】
【発明の開示】
本発明は、集積回路の製造において、異なる高さの導電性金属層の間に配線層
間誘電体層を設ける方法からなるものである。一実施形態において、集積回路の
製造において異なる高さの導電性金属層の間に配線層間誘電体層を設ける方法は
、基板上に導電性金属配線層を形成する工程を含む。絶縁性誘電体マスが、導電
性金属配線層の周辺に設けられる。絶縁性誘電体マスは、第１誘電率を有する。
絶縁性誘電体マスの少なくとも大部分は、基板からエッチング除去される。エッ
チングの後、配線層間誘電体層が、エッチングされた絶縁性誘電体物質の少なく
とも幾らかと置換するように堆積される。配線層間誘電体層は、第１誘電率より
も小さい第２誘電率を有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図示例と共に説明する。集積回路の製造において
、異なる高さの導電性層の間に配線層間誘電体層を設ける方法を、先ず図１から
図５を参照して説明する。先ず図１を参照すると、製造途中の半導体ウェーハ片
は、参照番号１０により示されている。これは、その中に形成されたフィールド
酸化領域１４を有するバルク半導体基板１２、好ましくは、低濃度ｐ型単結晶シ
リコンである。本明細書中において、用語「半導体基板」又は「半導電性基板」
は、半導体ウェーハ（単体又はその上に他の材料を含む集合体）等のバルク半導
体材料や、半導体材料層（単体又は他の材料を含む集合体）を含むがこれに限定
されない半導体材料からなる、あらゆる構造体を意味すると定義される。用語「
基板」は、上述の半導体基板を含むがこれに限定されない、あらゆる支持構造体
を言う。
【００１０】 一対のゲートライン構造体１６が基板１２上に設けられ、それは、符号をもっ
て特には示さないが、ゲート誘電体層、導電性ポリシリコン層、導電性シリサイ
ド層からなり、側壁スペーサ及びキャップを含む。ソース／ドレイン拡散領域１
８が、基板１２内に形成される。これは、基板上の少なくとも一部分に作られる
典型的な回路デバイスを構成する。他のあらゆる電気デバイス又はコンポーネン
トも、勿論考えられる。
【００１１】 絶縁層２０が、デバイス１６及び基板１２上に形成される。一例として好まし
い材料は、ボロフォスフォシリケイトグラス（ＢＰＳＧ）である。典型的な厚み
は、５，０００Åから３０，０００Åである。絶縁層２２は、絶縁層２０上に形
成される。これは、後に説明するように、好ましくはエッチング停止材料として
機能するように設けられる。材料の一例には、テトラエチルオルソシリケイト（
ＴＥＯＳ）及び窒化シリコンの分解により堆積される、ドープされていない二酸
化シリコンが含まれる。層２２の典型的な厚みは、０Åから２，０００Åである
。層２０，２２は、あくまでも一例だが、基板上に少なくとも部分的に作られた
回路デバイスの上に形成される絶縁性誘電体マスからなる。開口３３が、絶縁性
誘電体マス２４内で、ワードライン１６の間に基板拡散領域１８まで形成されて
いる。この開口は、例えば導電性ドープトポリシリコン又は金属等の導電性プラ
グ材料３４により充填され、層２２の外側表面と実質的に一致する最外表面を有
するように平坦化される。
【００１２】 第１導電性配線層２６が、基板１２上に形成される。好ましい材料は、単一金
属又は金属合金である。導電性配線層２６は、外側上部２９、内側下部３０及び
側壁３１を有する少なくとも一つの導電性ライン２８の形状となるように形成さ
れている。従って、第１導電性配線層２６及びライン２８は、第２絶縁性誘電体
マス２４により支持される。
【００１３】 絶縁性誘電体マス３６が、導電性金属配線層２６の周辺に設けられる。従って
この例では、絶縁性誘電体マス３６が、ここでは層２８の形状の別の導電性金属
配線層上に形成される。従って更に、絶縁性誘電体マス３６が、ライン２８の上
部２９及び側壁３１の上に形成される。層３６の好ましい材料の一例は、層２０
と同様に、例えばＢＰＳＧである。絶縁性誘電体マス２４は、ＢＰＳＧの誘電率
が約３．９であるので、ある第１の誘電率を有する。層３６の典型的な堆積厚は
、層３６が堆積の後の平坦化が行なわれたように示されている状態で、１，００
０Åから１５，０００Åである。開口３８が、層３６を貫通して形成され、これ
は導電性ライン２８との電気的接続を行うために、導電性材料４０により充填さ
れる。典型的な導電性ライン４２は、この例では、その上部及び絶縁性誘電体マ
ス３６上で、導電性ライン４２とライン２８との間に導電性ラインの配線を提供
するために、パターンニングされている。従って、ライン４２は、第２絶縁性誘
電体マス３６により少なくとも部分的に支持される第２導電性配線層及びライン
を構成する。層４２，４０，２６及び３４は、全て好ましくは金属である。製造
工程のこの時点で、基板１０に対して作られる集積回路の殆ど全てが、そのよう
に形成されることが最も好ましい。更に好ましくは、基板１０に対して行なわれ
る後のあらゆる製造工程には、如何なるフォトリソグラフィック工程が無いこと
が好ましい。
【００１４】 図３を参照すると、絶縁性誘電体マス３６の少なくとも一部が、基板１０から
エッチング除去されている。より好ましくは、エッチングは基板１０から絶縁性
誘電体マス３６の（もし全てでないなら）少なくとも大部分を除去する。図３は
、ドライエッチングが一例である典型的な異方性エッチングを表わしている。層
３６がＢＰＳＧである場合の具体的な条件例としては、１０ｍＴｏｒｒのＬＡＭ
９１００（商標）酸化エッチング反応室内で、１２ｓｃｃｍのＣ４Ｆ８、２００
ｓｃｃｍのＡｒ、１３００Ｗのソース、１４００Ｗのバイアスである。何れにし
ても、更に好ましくは、エッチングは、下部３０ラインの近傍まで内側方向に第
２絶縁性誘電体マス３６をエッチングする工程からなる。図３に表わされた例に
おいて、エッチングは、第１導電性配線ライン２８及び第２導電性配線ライン４
２に対して実質的に選択的に、且つエッチング停止層２２に対して、従って絶縁
性誘電体マス２４に対して実質的に選択的に行なわれる。より好ましくは、この
ようなエッチングは、第１導電性配線ライン２８及び絶縁性誘電体マス２４を露
出させるように行なわれる。
【００１５】 この例におけるエッチングでは、図示のように導電性ライン４２直下に絶縁性
誘電体材料３６を残留させる。図３により表わされたものに代わる典型的な他の
工程を、図４に示す。ここでは、エッチングが基板１０から実質的に全ての絶縁
性誘電体マス３６をエッチングする工程となるように、基本的に等方性エッチン
グ工程が十分な程度行なわれ、導電性ライン４２直下には絶縁性誘電体材料３６
は残らない。図４に示した構造を達成するための典型的な好ましい工程には、例
えばＨＦ，ＮＨ４Ｆ：ＨＦの化学物質、又はグリコール、リン酸、ＨＦ及びカル
ボン酸の非水溶性混合物質を利用したウェットエッチングが含まれる。上述の具
体的な化学物質は、アルミニウムライン且つプラグ、ＢＰＳＧ、及び層２２の窒
化シリコンに対して選択的なエッチングを提供する。層３６の除去の結果、種々
の導電性ピラー４０及び／又は残存絶縁層３６により支持される層４２となる。
【００１６】 図５を参照すると、配線層間誘電体層４６がエッチングされた絶縁性誘電体材
料３６の少なくとも幾らかと置き換わるように堆積されている。配線層間誘電体
層４６は、層３６の第１誘電率よりも値が小さい第２誘電率を有する。例として
好ましい低誘電体材料（ｌｏｗ ｋ）は、上記の「従来の技術」の項で説明した
ものであり、これは、今後開発される低誘電体材料を含むものである。図５に表
わされた例において好ましくは、配線層間誘電体層の堆積により、図４及び図５
の実施例で例示されたような、基板からエッチングされた絶縁性誘電体材料３６
の全てが置き換わることが好ましい。この層は、好ましくは図示のように平坦化
される。
【００１７】 上述の例示的処理工程は、導電性金属配線層及びライン４２が、絶縁性誘電体
マス３６の形成後に、且つライン４２が形成される堆積された金属配線層をサブ
トラクティブエッチングすることによって形成若しくは提供されるものを示して
いる。図６から図１０は、ライン形成工程が、所望のライン形状にするために絶
縁性誘電体マスをダマシン法によりエッチングする工程である、他の典型的な工
程を表わしている。図６は、参照番号５０により示されている製造途中のウェー
ハ片を示している。これには、その中に形成された開口５４を有する絶縁層５２
が含まれる。導電性プラグ材料５６が、開口５４内に収容される。絶縁性誘電体
層６０が層５２上に形成され、その上に好ましくは絶縁性エッチング停止層６２
が形成される。開口６４が、プラグ材料５６を露出させるように層６２，６０を
貫通してエッチング形成されている。その後、絶縁層６４及びエッチング停止層
６６がそれぞれ層６２上に形成されている。所望のライン形状開口６８が、層６
６，６４を貫通してパターンニング形成されており、この開口は図示された一つ
の開口６４の上に横たわっている。層６０，６２，６４及び６６は、一つの典型
的な絶縁性誘電体マス７０を構成する。
【００１８】 図７を参照すると、ダマシン法によるライン開口６８及びコンタクト開口６４
を充填するように、導電性配線層７２が堆積されている。
【００１９】 図８を参照すると、パターンニングされ分離された所望の導電性配線ライン７
４を提供するように、層７２が平坦化されている。
【００２０】 図９を参照すると、絶縁性誘電体マス７０が、基板５０からエッチング除去さ
れている。等方性又は異方性エッチングが上述のように行なわれ、基板上には、
絶縁性誘電体マス７０の幾らかが残るか、又は全く残らない。
【００２１】 図１０を参照すると、配線層間誘電体層７６が、エッチングされた絶縁性誘電
体材料７０の少なくとも幾らかと、ここでは全てと置き換わって堆積されている
。層７６は、除去された絶縁性マス７０よりもより総合的に低いｋ値を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の一態様における製造途中の半導体ウェーハ片の断面図である
。
【図２】 図２は、図１に表わされた工程の次の製造工程における図１のウェーハの図で
ある。
【図３】 図３は、図２に表わされた工程の次の製造工程における図１のウェーハの図で
ある。
【図４】 図４は、図２に表わされた工程の次の製造工程における別の実施例の半導体ウ
ェーハ片の図である。
【図５】 図５は、図３に表わされた工程の次の製造工程における図１のウェーハ片の図
である。
【図６】 図６は、本発明の一態様における製造工程におけるもう一つ別の実施例のウェ
ーハ片の断面図である。
【図７】 図７は、図６に示された工程の次の製造工程における図６のウェーハの図であ
る。
【図８】 図８は、図７に表わされた工程の次の製造工程における図６のウェーハの図で
ある。
【図９】 図９は、図８に表わされた工程の次の製造工程における図６のウェーハ片の図
である。
【図１０】 図１０は、図９に表わされた工程の次の製造工程における図６のウェーハの図
である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１０月１日（２００１．１０．１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ， ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 5F033 HH04 HH08 HH25 JJ01 JJ08 KK01 KK08 MM02 MM18 NN19 QQ09 QQ16 QQ18 QQ19 QQ25 QQ37 RR04 RR06 RR08 RR11 RR15 RR21 SS03 SS04 SS13 SS15 TT08 VV06 WW09 XX01 XX24

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 集積回路の製造において異なる高さの導電性金属層の間に配
    線層間誘電体層を設ける方法であって、該方法は、 基板上に、導電性金属配線層を形成する工程と、 前記導電性金属配線層の周辺に、第１誘電率を有する絶縁性誘電体マスを設け
    る工程と、 前記基板から、絶縁性誘電体マスの少なくとも大部分をエッチング除去する工
    程と、 前記エッチング工程の後、前記エッチングされた絶縁性誘電体材料の少なくと
    も幾らかを置き換えるように、前記第１誘電率よりも小さい第２誘電率を有する
    配線層間誘電体層を堆積する工程と、 を具備することを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、前記導電性金属配線層は、
    前記絶縁性誘電体マスを設ける工程の後に形成されることを特徴とする方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の方法は、前記導電性配線層で導電性ライン
    を形成する工程を含み、該ライン形成工程は、前記金属配線層のサブトラクティ
    ブエッチング工程からなることを特徴とする方法。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の方法は、前記導電性配線層で導電性ライン
    を形成する工程を含み、該ライン形成工程は、前記絶縁性誘電体マスを所望のラ
    イン形状とするダマシンエッチング工程からなることを特徴とする方法。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の方法において、前記第１誘電率は、少なく
    とも３．９であり、前記第２誘電率は、３．９よりも小さいことを特徴とする方
    法。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の方法において、前記堆積する工程は、前記
    基板からエッチングされた絶縁材料の全てを置き換えることを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の方法において、前記エッチング工程は、等
    方性エッチング工程であることを特徴とする方法。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の方法において、前記エッチング工程は、異
    方性エッチング工程であることを特徴とする方法。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載の方法において、前記絶縁性誘電体マスは、
    別の導電性金属配線層上に形成され、前記エッチング工程は、前記基板から絶縁
    性誘電体マスの全てをエッチングする工程であることを特徴とする方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１に記載の方法において、前記エッチング工程は、
    前記導電性金属配線層に対して実質的に選択的に行なわれることを特徴とする方
    法。
  11. 【請求項１１】 請求項１に記載の方法において、前記エッチング工程は、
    作られるべき集積回路が実質的に全て前記基板上に作られた後に行なわれること
    を特徴とする方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１に記載の方法は、前記エッチング工程の後には、
    基板の如何なるフォトリソグラフィック工程も無いことを特徴とする方法。
  13. 【請求項１３】 集積回路の製造において異なる高さの導電性層の間に配線
    層間誘電体層を設ける方法であって、該方法は、 基板上に少なくとも部分的に形成された回路デバイスの上に、第１絶縁性誘電
    体マスを形成する工程と、 前記第１絶縁性誘電体マスにより支持される、第１導電性配線層を形成する工
    程と、 前記第１導電性配線層上に、第１誘電率を有する第２絶縁性誘電体マスを形成
    する工程と、 前記第２絶縁性誘電体マスにより支持される、第２導電性配線層を形成する工
    程と、 前記基板から、前記第２絶縁性誘電体マスの少なくとも一部分をエッチング除
    去する工程と、 前記エッチング工程の後、エッチングされた第２絶縁性誘電体材料の少なくと
    も幾らかを置き換えるように、前記第１誘電率よりも小さい第２誘電率を有する
    配線層間誘電体層を堆積する工程と、 を具備することを特徴とする方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の方法において、前記エッチングされた
    一部分は、前記第２絶縁性誘電体マスの大部分であることを特徴とする方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１３に記載の方法は、前記第１導電性配線で少なく
    とも一つの導電性配線ラインの形状を提供する工程を含み、前記第１導電性配線
    ラインは、内側下部、側壁及び外側上部を有し、前記第２絶縁性誘電体マスは、
    前記上部及び側壁上に形成され、前記エッチング工程は、前記第２絶縁性誘電体
    マスを前記下部近傍に向かって内側方向にエッチングする工程からなることを特
    徴とする方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１３に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、等方性エッチング工程からなることを特徴とする方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１３に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、異方性エッチング工程からなることを特徴とする方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１３に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、前記基板から前記第２絶縁性誘電体マスの全てをエッチングすることを特徴と
    する方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１３に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、前記第１導電性配線層を露出させることを特徴とする方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１３に記載の方法は、前記第２導電性配線層で少な
    くとも一つの導電性ラインの形状を提供する工程を含み、前記エッチング工程は
    、前記導電性ラインの直下に第２絶縁性誘電体材料を残留させることを特徴とす
    る方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１３に記載の方法は、前記第２導電性配線層で少な
    くとも一つの導電性ラインの形状を提供する工程を含み、前記エッチング工程は
    、前記導電性ラインの直下に第２絶縁性誘電体材料を残留させないことを特徴と
    する方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１３に記載の方法において、前記第１及び第２導電
    性配線層は、金属であることを特徴とする方法。
  23. 【請求項２３】 請求項１３に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、作られるべき集積回路が実質的に全て前記基板上に作られた後に行なわれるこ
    とを特徴とする方法。
  24. 【請求項２４】 請求項１３に記載の方法は、前記エッチング工程の後には
    、基板の如何なるフォトリソグラフィック工程も無いことを特徴とする方法。
  25. 【請求項２５】 集積回路の製造において異なる高さの導電性層の間に配線
    層間誘電体層を設ける方法であって、該方法は、 基板上に少なくとも部分的に形成された回路デバイスの上に、第１絶縁性誘電
    体マスを形成する工程と、 前記第１絶縁性誘電体マスにより支持される、第１導電性配線ラインを形成す
    る工程と、 前記第１導電性配線ライン上に、第１誘電率を有する第２絶縁性誘電体マスを
    形成する工程と、 前記第２絶縁性誘電体マスにより支持される、第２導電性配線ラインを形成す
    る工程と、 前記第１及び第２導電性配線ラインに対して実質的に選択的に、及び前記第１
    絶縁性誘電体マスに対して実質的に選択的に、前記基板から前記第２絶縁性誘電
    体マスの大部分をエッチングする工程であって、前記第１導電性配線ライン及び
    前記第１絶縁性誘電体マスを露出するエッチング工程と、 前記エッチング工程の後、エッチングされた第２絶縁性誘電体材料の少なくと
    も幾らかを置き換えるように、前記第１誘電率よりも小さい第２誘電率を有する
    配線層間誘電体層を堆積する工程と、 を具備することを特徴とする方法。
  26. 【請求項２６】 請求項２５に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、前記第２導電性配線ラインの直下に第２絶縁性誘電体材料を残留させることを
    特徴とする方法。
  27. 【請求項２７】 請求項２５に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、前記第２導電性配線ラインの直下に第２絶縁性誘電体材料を残留させないこと
    を特徴とする方法。
  28. 【請求項２８】 請求項２５に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、等方性エッチング工程からなることを特徴とする方法。
  29. 【請求項２９】 請求項２５に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、異方性エッチング工程からなることを特徴とする方法。
  30. 【請求項３０】 請求項２５に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、前記基板から前記第２絶縁性誘電体マスの全てをエッチングすることを特徴と
    する方法。
  31. 【請求項３１】 請求項２５に記載の方法において、前記エッチング工程は
    、作られるべき集積回路が実質的に全て前記基板上に作られた後に行なわれるこ
    とを特徴とする方法。
  32. 【請求項３２】 請求項２５に記載の方法は、前記エッチング工程の後には
    、基板の如何なるフォトリソグラフィック工程も無いことを特徴とする方法。
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