JP2003347844A - 電圧制御発振器、pll回路及び半導体装置 - Google Patents
電圧制御発振器、pll回路及び半導体装置Info
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Abstract
及び直線性の劣化を防止し得る電圧制御発振器を提供す
る。 【解決手段】制御電圧VTに基づく発振周波数の出力信
号fvcoを出力するとともに、切替え信号VSWの入力
に基づいて出力信号fvcoの発振周波数帯域を切り替え
る切替え手段を備えた発振部23と、制御電圧VTに基
づいて、切替え信号VSWを出力する制御部28とで電
圧制御発振器が構成される。
Description
使用される電圧制御発振器(以下VCOという)に関す
るものである。
ては、小型化、軽量化及び低価額化がますます要請され
ている。そこで、このような移動体通信機器に使用され
るVCOのIC化が必要となっている。しかし、VCO
のIC化については、発振周波数帯域の広域化、入出力
特性の直線性の確保、ノイズ特性、製造ばらつきによる
発振周波数帯域の変動等の課題があり、これらの課題を
解決することが必要となっている。
ダクタ1a,1bの一端には電源Vccがそれぞれ供給さ
れ、他端間には可変容量2a,2bが接続される。前記
可変容量2a,2b間に制御電圧VTが入力される。前
記可変容量2a,2bは、制御電圧VTに基づいてその
容量値が変化する。
固定容量3が可変容量2a,2bに対し並列となるよう
に、接続される。前記インダクタ1aの他端にはNPN
トランジスタTr1のコレクタが接続され、前記インダク
タ1bの他端にはNPNトランジスタTr2のコレクタが
接続されている。
ジスタTr2のベースに接続され、同トランジスタTr2の
ベースはトランジスタTr1のベースに接続されている。
前記トランジスタTr1,Tr2のエミッタはそのトランジ
スタTr1,Tr2にエミッタ電流を供給する電流源4に接
続される。
レクタから相補出力信号OUT,XOUTがVCOの出
力信号fvcoとして出力される。このように構成された
VCOでは、電源Vccの供給に基づいて発振動作を行
い、出力信号fvcoの発振周波数は、次式で表される。
値、Cは可変容量2a,2bと固定容量3の容量値の総
和である。
2a,2bの容量値が変化すると、出力信号fvcoの周
波数が変化する。
PLL回路に搭載する場合には、PLL回路のロックレ
ンジを広帯域化するために、VCOの発振周波数帯域を
広帯域化する必要がある。
発振周波数帯域を広帯域化すると、CN(キャリヤ・ノ
イズ)特性の劣化及び制御電圧VTの変化に対する出力
信号fvcoの直線性の劣化等が発生する。
周波数帯域を狭帯域化すれば、CN特性及び直線性の劣
化を防止することができる。しかし、PLLループのロ
ックレンジが狭帯域化するとともに、製造ばらつきによ
り発振周波数帯域が設定値から外れてしまう等、製造ば
らつきに対するマージンが低下するという問題点があ
る。
域化しながら、CN特性及び直線性の劣化を防止し得る
電圧制御発振器を提供することにある。
明図である。すなわち、制御電圧VTに基づく発振周波
数の出力信号fvcoを出力するとともに、切替え信号V
SWの入力に基づいて前記出力信号fvcoの発振周波数
帯域を切り替える切替え手段を備えた発振部23と、前
記制御電圧VTに基づいて、前記切替え信号VSWを出
力する制御部28とで電圧制御発振器が構成される。
部23は、インダクタ1a,1bと、制御電圧VTに基
づいて容量が変化する可変容量2a,2bと、固定容量
C1〜C3とで前記発振周波数帯域を設定可能とし、前
記切替え手段は、切替え信号VSW1〜VSW3に基づ
いて並列に接続する固定容量の数を選択するスイッチ回
路SW1〜SW3とから構成した。
COを搭載するPLL回路の一例を示す。発振器11は
水晶振動子の発振に基づく固有周波数の基準クロック信
号CKを基準分周器12に出力する。基準分周器12は
カウンタ回路で構成され、シフトレジスタ13で設定さ
れる分周比に基づいて、前記基準クロック信号CKを分
周した基準信号frを位相比較器14に出力する。
から比較信号fpが入力される。そして、位相比較器1
4は前記基準信号frと比較信号fpとの周波数差及び
位相差に応じたパルス信号ΦR,ΦPをチャージポンプ
16に出力する。
器14から出力されるパルス信号ΦR,ΦPに基づい
て、出力信号SCPをLPF(ローパスフィルタ)17
に出力する。
成分が含まれたものであり、その直流成分はパルス信号
ΦR,ΦPの周波数変動にともなって変化し、パルス成
分はパルス信号ΦR,ΦPの位相差に基づいて変化す
る。
出力信号SCPを平滑して高周波成分を除去した出力信
号をVCO18に制御電圧VTとして出力する。前記V
CO18は、前記制御電圧VTに応じた周波数の出力信
号fvcoを外部回路に出力するとともに、前記比較分周
器15に出力する。
式であって、プリスケーラ19と、メインカウンタ20
と、スワローカウンタ21と、制御回路22とから構成
される。
19に入力され、そのプリスケーラ19はVCO18の
出力信号fvcoの周波数をM分周若しくはM+1分周し
て、メインカウンタ20及びスワローカウンタ21に出
力信号Poutとして出力する。
ラ19の出力信号PoutをA分周して、その出力信号を
前記制御回路22に出力する。前記制御回路22は、ス
ワローカウンタ21の分周信号に基づいて、前記プリス
ケーラ19に例えばLレベルのモジュラス信号XMDを
出力する。プリスケーラ19はそのモジュラス信号XM
Dに基づいて、VCO18の出力信号fvcoをM分周し
た出力信号Poutを出力する。
スをカウントしている間は、制御回路22は例えばHレ
ベルのモジュラス信号XMDを出力し、プリスケーラ1
9はそのモジュラス信号XMDに基づいて、VCO18
の出力信号fvcoをM+1分周した出力信号Poutを出力
する。
シフトレジスタ13で設定され、プリスケーラ19の出
力信号PoutをN分周して、前記位相比較器14に比較
信号fpとして出力する。また、メインカウンタ20の
分周信号は前記制御回路22に出力され、制御回路22
はメインカウンタ20がプリスケーラ19の出力信号P
outをN分周する毎に、スワローカウンタ21に起動信
号を出力する。
タ20がプリスケーラ19の出力信号PoutをN分周す
る毎にスワローカウンタ21が動作して、プリスケーラ
19の出力信号Poutをカウントする。
比較信号fpの周波数及び位相が一致するように、VC
O18の周波数がロックアップされる。前記VCO18
の具体的構成を図2に従って説明する。前記制御電圧V
Tは、発振部23に入力される。前記発振部23は、図
3に示すように、容量部24を除いて、前記従来例のV
COと同様である。
側にそれぞれスイッチ回路SW1〜SW3が接続された
容量C1〜C3が並列に接続され、そのスイッチ回路S
W1〜SW3は、スイッチ制御信号VSW1〜VSW3
に基づいて開閉される。
PチャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSトラ
ンジスタとを並列に接続したトランスミッションゲート
で構成される。そして、対応するスイッチ制御信号VS
W1〜VSW3がLレベルとなったとき導通状態とな
り、Hレベルとなったとき不導通となるように設定され
る。
すべて導通状態となったとき、容量部24の容量は、容
量C1〜C3の容量値の総和となる。このとき、発振部
23の制御電圧VTに基づく出力信号fvcoの発振周波
数帯域は、図6に示すA帯で推移する。
導通状態となると、容量部24の容量は容量C2,C3
の容量値の和となる。このとき、発振部23の制御電圧
VTに基づく出力信号fvcoの発振周波数帯域は、図6
に示すB帯で推移する。
となると、容量部24の容量は容量C3の容量値とな
る。このとき、発振部23の制御電圧VTに基づく出力
信号fvcoの発振周波数帯域は、図6に示すC帯で推移
する。
は、図2に示すように、制御部28を構成する比較器2
5〜27で生成される。前記比較器25〜27には前記
制御電圧VTが入力される。各比較器25〜27は、ヒ
ステリシス特性を備えた比較器である。
すように、立上がり側しきい値VthH1と立下り側しき
い値VthL1とを備えている。そして、Lレベルのスイ
ッチ制御信号VSW1を出力している状態では、制御電
圧VTがしきい値VthH1より高くなったとき、スイッ
チ制御信号VSW1をHレベルとする。また、Hレベル
のスイッチ制御信号VSW1を出力している状態では、
制御電圧VTがしきい値VthL1より低くなったとき、
スイッチ制御信号VSW1をLレベルとする。
に、立上がり側しきい値VthH2と立下り側しきい値V
thL2とに基づいて、比較器25と同様に動作する。し
きい値VthH2は、しきい値VthH1より高く、しきい
値VthL2はしきい値VthL1より高い電圧に設定され
る。
に、立上がり側しきい値VthH3と立下り側しきい値V
thL3とに基づいて、比較器25と同様に動作する。し
きい値VthH3は、Vしきい値VthH2より高く、しき
い値VthL3はしきい値VthL2より高い電圧に設定さ
れる。
の動作を説明する。さて、前記PLL回路の起動時に、
制御電圧VTが比較器25のしきい値VthL1より低い
レベルから上昇するとき、制御電圧VTがしきい値Vth
H1を越えるまでは、各比較器25〜27から出力され
るスイッチ制御信号VSW1〜VSW3はすべてLレベ
ルとなり、発振部23は図6に示すA帯で動作する。
に、制御電圧VTが比較器25のしきい値VthH1を越
えない範囲で、発振部23の出力信号fvcoが収束しか
つロックされれば、発振部23はA帯で動作する状態に
維持される。
c点に移動すると、制御電圧VTが上昇する。そして、
制御電圧VTが比較器25のしきい値VthH1を越える
と、比較器25から出力されるスイッチ制御信号VSW
1はHレベルとなる。
って、容量部24の容量値は容量C2,C3の容量値の
和となって小さくなり、発振部23はA帯のb点からB
帯のd点に移動する。
ために、制御電圧VTが低下し、やがてc点に収束す
る。このとき、制御電圧VTが比較器25のしきい値V
thL1を下回るまで、比較器25から出力されるスイッ
チ制御信号VSW1はHレベルに維持されるので、発振
部23はB帯で動作する。
波数がe点に移動すると、制御電圧VTが上昇する。そ
して、制御電圧VTが比較器26のしきい値VthH2を
越えると、比較器26から出力されるスイッチ制御信号
VSW2はHレベルとなる。
って、容量部24の容量値は容量C3の容量値となって
小さくなり、発振部23はB帯のf点からC帯のg点に
移動する。
るために、制御電圧VTが低下し、やがてe点に収束す
る。このとき、制御電圧VTが比較器26のしきい値V
thL2を下回るまで、比較器26から出力されるスイッ
チ制御信号VSW2はHレベルに維持されるので、発振
部23はC帯で動作する。
えばe点から再びc点に移動すると、制御電圧VTが低
下する。そして、制御電圧VTが比較器26のしきい値
VthL2を下回ると、比較器26から出力されるスイッ
チ制御信号VSW2はLレベルとなる。
容量部24の容量値は容量C2,C3の容量値の和とな
り、発振部23はB帯のh点に移行する。そして、出力
信号fvcoをc点に収束させるために、制御電圧VTが
上昇し、やがてc点に収束する。i点からj点への移行
によるB帯からA帯への移行も上記と同様な動作とな
る。
次に示す作用効果を得ることができる。 (1)制御電圧VTに基づいて、A帯、B帯、C帯のい
ずれかの発信周波数帯域を自動的に選択して、出力信号
fvcoの周波数をロック設定周波数に収束させることが
できる。 (2)A帯、B帯、C帯の各発振周波数帯域を狭帯域化
することができるので、制御電圧VTに対する出力信号
fvcoのCN特性及び直線性を向上させることができ
る。 (3)A帯、B帯、C帯を自動的に切り替えることによ
り、VCO18としての発振周波数帯域を広帯域化する
ことができる。従って、PLL回路のロックレンジを広
帯域化することができるとともに、製造ばらつきに対す
るマージンを確保することが容易である。 (4)各比較器25〜27がヒステリシスを備え、A
帯、B帯、C帯の各発振周波数帯域がオーバーラップし
ているので、発振周波数帯域の切替えを円滑に行うこと
ができる。
ることもできる。 ・容量部24の容量値をさらに多段階に切り替えること
により、各容量値に対応する発振周波数帯域をさらに狭
帯域化して、CN特性及び直線性の向上図ったり、ある
いはVCOとしての発振周波数帯域をさらに広帯域化す
ることができる。 ・前記実施の形態では、容量部24の容量値を切り替え
ることにより、発振部23の発振周波数帯域を切り替え
る構成としたが、図7に示すように、インダクタの値を
スイッチ制御信号VSW1〜VSW3で切り替えるよう
にしてもよい。 ・図8に示すように、可変容量の容量値をスイッチ制御
信号VSW1〜VSW3で切り替えるようにしてもよ
い。
波数帯域を広帯域化しながら、CN特性及び直線性の劣
化を防止し得る電圧制御発振器を提供することができ
る。
Claims (8)
- 【請求項1】 制御電圧に基づく発振周波数の出力信号
を出力するとともに、切替え信号の入力に基づいて前記
出力信号の発振周波数帯域を切り替える切替え手段を備
えた発振部と、 前記制御電圧に基づいて、前記切替え信号を出力する制
御部とを備えたことを特徴とする電圧制御発振器。 - 【請求項2】 前記発振部は、インダクタと、前記制御
電圧に基づいて容量が変化する可変容量と、固定容量と
で前記発振周波数帯域を設定可能とし、 前記切替え手段は、前記切替え信号に基づいて並列に接
続する前記固定容量の数を選択するスイッチ回路とから
構成したことを特徴とする請求項1記載の電圧制御発振
器。 - 【請求項3】 前記発振部は、インダクタと、前記制御
電圧に基づいて容量が変化する可変容量と、固定容量と
で前記発振周波数帯域を設定可能とし、 前記切替え手段は、複数のインダクタと、前記切替え信
号に基づいて並列に接続する前記インダクタの数を選択
するスイッチ回路とから構成したことを特徴とする請求
項1記載の電圧制御発振器。 - 【請求項4】 前記発振部は、インダクタと、前記制御
電圧に基づいて容量が変化する可変容量と、固定容量と
で前記発振周波数帯域を設定可能とし、 前記切替え手段は、前記切替え信号に基づいて並列に接
続する前記可変容量の数を選択するスイッチ回路とから
構成したことを特徴とする請求項1記載の電圧制御発振
器。 - 【請求項5】 前記制御部は、それぞれ異なるしきい値
を備えた複数の比較器で構成したことを特徴とする請求
項2乃至4のいずれかに記載の電圧制御発振器。 - 【請求項6】 前記比較器は、立上がり側しきい値が、
立下り側しきい値より高くなるヒステリシスを備えたこ
とを特徴とする請求項5記載の電圧制御発振器。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれかに記載の電圧
制御発振器を備えたことを特徴とするPLL回路。 - 【請求項8】 請求項7記載のPLL回路を搭載したこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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