JP2003338540A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. （ａ）半導体基板上にアルミニウムを主成分とする第１導電性膜を第１温度で形成する工程、
   （ｂ）前記第１導電性膜をパターニングして配線を形成する工程、
   （ｃ）前記配線上を含む前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、
   （ｄ）前記絶縁膜に前記配線に達する孔を形成する工程、
   （ｅ）前記（ｄ）工程後、前記半導体基板を第２温度で加熱し、前記絶縁膜の前記孔の部分を含み脱ガス処理を行う工程、
   （ｆ）前記孔の側面および底面に第２導電性膜を第３温度で形成する工程、
   を含み、
   前記第１温度は前記第２温度以上であり、
   前記第２温度は前記第３温度以上であり、
   前記第３温度は前記第１温度より低いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
   前記第１温度と前記第３温度との温度差は５０℃以上であり、
   前記第３温度は１００℃以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
3. （ａ）半導体基板上にアルミニウムを主成分とする第１導電性膜を第１温度で形成する工程、
   （ｂ）前記第１導電性膜をパターニングして配線を形成する工程、
   （ｃ）前記配線上を含む前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、
   （ｄ）前記絶縁膜に前記配線に達する孔を形成する工程、
   （ｅ）前記（ｄ）工程後、前記半導体基板を第２温度で加熱し、前記絶縁膜の前記孔の部分を含み脱ガス処理を行う工程、
   （ｆ）前記孔の側面および底面に第２導電性膜を第３温度で形成する工程、
   を含み、
   前記第１温度は前記第２温度以上であり、
   前記第２温度は前記第３温度以上であり、
   前記第３温度は１００℃以上であり且つ前記第１温度より５０℃以上低いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
4. 請求項１〜３に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
   前記第２導電性膜上に前記孔内部を埋め込む第３導電性膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
   前記第１温度は３００℃〜４００℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
   前記第２温度は２５０℃〜３５０℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
   前記第３温度は５０℃〜２５０℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
   前記第１導電性膜及び前記第２導電性膜はスパッタリング法で形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
9. （ａ）半導体基板上にアルミニウムを主成分とする第１導電性膜を第１温度で形成する工程、
   （ｂ）前記第１導電性膜をパターニングして配線を形成する工程、
   （ｃ）前記配線上を含む前記半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程、
   （ｄ）前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程、
   （ｅ）前記第１絶縁膜に前記配線に達する孔を形成する工程、
   （ｆ）前記第２絶縁膜に前記孔と接続する配線溝を形成する工程、
   （ｇ）前記（ｆ）工程後、前記半導体基板を第２温度で加熱し、前記絶縁膜の前記配線溝および前記孔を含み脱ガス処理を行う工程、
   （ｈ）前記孔および前記配線溝の側面および底面に第２導電性膜を第３温度で形成する工程、
   （ｉ）前記第２導電性膜上に前記孔内部および前記配線溝内部を埋め込む第３導電性膜を形成する工程、
   を含み、
   前記第１温度は前記第２温度以上であり、
   前記第２温度は前記第３温度以上であり、
   前記第３温度は前記第１温度より低いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記第１温度と前記第３温度との温度差は５０℃以上であり、
    前記第３温度は１００℃以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
11. 請求項９または１０に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記第１温度は３００℃〜４００℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
12. 請求項９〜１１のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記第２温度は２５０℃〜３５０℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
13. 請求項９〜１２のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
    前記第３温度は５０℃〜２５０℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。