JP2003327797A - 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）オルガノポリシロキサン又
は（Ｆ）オルガノポリシロキサンのＳｉＨ基とアルケニ
ル基含有エポキシ化合物のアルケニル基を付加反応させ
たブロック共重合体、及び（Ｅ）ホスファゼン化合物を
必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を実質的
に含まない半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物、及
びこの組成物の硬化物で封止した半導体装置。 【効果】 本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組
成物は、成形性に優れるとともに、難燃性及び耐湿信頼
性に優れた硬化物を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成形性に優れると
ともに、難燃性及び耐湿信頼性に優れ、臭素化エポキシ
樹脂等の臭素化物、三酸化アンチモン等のアンチモン化
合物を含有しない硬化物を得ることができる半導体封止
用エポキシ樹脂組成物、及び該樹脂組成物の硬化物で封
止した半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジス
ター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキ
シ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べて成形性、接着性、電
気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキ
シ樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的であ
る。半導体デバイスは家電製品、コンピュータ等、生活
環境のあらゆる所で使用されているため、万が一の火災
に備えて、半導体装置には難燃性が要求されている。

【０００３】半導体封止用エポキシ樹脂組成物中には、
難燃性を高めるため、一般にハロゲン化エポキシ樹脂と
三酸化アンチモンとが配合されている。このハロゲン化
エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとの組み合わせは、気
相においてラジカルトラップ、空気遮断効果が大きく、
その結果、高い難燃効果が得られるものである。

【０００４】しかし、ハロゲン化エポキシ樹脂は燃焼時
に有毒ガスを発生するという問題があり、また三酸化ア
ンチモンにも粉体毒性があるため、人体、環境に対する
影響を考慮すると、これらの難燃剤を樹脂組成物中に全
く含まないことが好ましい。

【０００５】このような要求に対して、ハロゲン化エポ
キシ樹脂あるいは三酸化アンチモンの代替として、従来
からＡｌ（ＯＨ）₃、Ｍｇ（ＯＨ）₂等の水酸化物、赤リ
ン、リン酸エステル等のリン系難燃剤等の検討がなされ
てきている。しかし、Ａｌ（ＯＨ）₃、Ｍｇ（ＯＨ）₂等
の水酸化物は難燃効果が低いため、難燃組成とするため
には、エポキシ樹脂組成物中に水酸化物を多量に添加し
なければならず、その結果、組成物の粘度が上昇し、成
形時にボイド、ワイヤー流れ等の成形不良が発生すると
いう問題がある。一方、赤リン、リン酸エステル等のリ
ン系難燃剤をエポキシ樹脂組成物に添加した場合、半導
体装置が高温高湿条件にさらされると、リン系難燃剤が
加水分解されてリン酸が生成し、このリン酸がアルミ配
線を腐食させ、信頼性を低下させるという大きな問題が
あった。

【０００６】この問題を解決するため、特許第２８４３
２４４号公報では、赤リンの表面にＳｉ_XＯ_Y組成からな
る被覆層で被覆した化合物を難燃剤として使用したエポ
キシ樹脂組成物が提案されているが、上記の耐湿信頼性
は改善されていないのが現状である。また、特開平１０
−２５９２９２号公報では、環状ホスファゼン化合物
を、充填剤を除く配合成分の合計量に対して、燐原子の
量が０．２〜３．０重量％となる量を使用したエポキシ
樹脂組成物も提案されているが、難燃性を得るためには
相当な量をエポキシ樹脂組成物に添加する必要があり、
その場合は硬化性の低下ならびに高温環境下での電気抵
抗性低下を引き起こす等の問題点があった。

【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、臭素化エポキシ樹脂等の臭素化物、三酸化アンチモ
ン等のアンチモン化合物を含有せず、成形性に優れると
ともに、難燃性及び耐湿信頼性に優れる硬化物を得るこ
とができる半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物、及
び該樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結
果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機質
充填剤、（Ｄ）下記平均組成式（１）で示されるオルガ
ノポリシロキサン又は（Ｆ）下記平均組成式（１’）で
示されるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基とアルケニ
ル基含有エポキシ化合物のアルケニル基を付加反応させ
たブロック共重合体、及び（Ｅ）下記平均組成式（２）
で示されるホスファゼン化合物を必須成分とし、臭素化
物及びアンチモン化合物を実質的に含まない半導体封止
用難燃性エポキシ樹脂組成物が、成形性に優れると共
に、難燃性及び耐湿信頼性に優れる硬化物となり得るこ
とを見出し、本発明をなすに至った。

【０００９】 Ｒ¹ _mＲ² _nＳｉ（ＯＲ³）_p（ＯＨ）_qＯ_{(4-m-n-p-q)/2} …（１） （式中、Ｒ¹はフェニル基、Ｒ²は炭素数１〜６の一価炭
化水素基又は水素原子、Ｒ³は炭素数１〜４の一価炭化
水素基を表し、ｍ，ｎ，ｐ，ｑは、０≦ｍ≦２．０、０
≦ｎ≦１．０、０≦ｐ≦２．５、０≦ｑ≦０．３５、
０．９２≦ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ≦２．８の範囲である。）

【００１０】Ｈ_rＲ_sＳｉＯ_(4-r-s)/2 …
（１’） （式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基であり、
ｒ，ｓは、０．００１≦ｒ≦１、１≦ｓ≦３、１．００
１≦ｒ＋ｓ≦３を満足する正数である。）

【００１１】

【化３】 （式中、ＸはＯ、Ｓ又はＮＲ⁶であり、ＹはＯ、Ｓ又は
ＮＲ⁷であり、Ｒ⁴，Ｒ⁵は水素原子、炭素数１〜４のア
ルキル基、アルコキシ基、ＮＲ⁸Ｒ⁹及びＳＲ⁸から選ば
れる基であり、Ｒ⁶〜Ｒ⁹はそれぞれ水素原子又は炭素数
１〜４のアルキル基であり、ａ，ｂ，ｃは０＜ａ≦２
ｃ、０≦ｂ＜２ｃ、ａ＋ｂ＝２ｃ、３≦ｃ≦１０００で
ある。）

【００１２】従って、本発明は、下記に示す半導体封止
用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供す
る。 〔Ｉ〕（Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）無機質充填剤 （Ｄ）上記平均組成式（１）で表されるオルガノポリシ
ロキサン （Ｅ）上記平均組成式（２）で示されるホスファゼン化
合物 を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を実質
的に含まないことを特徴とする半導体封止用難燃性エポ
キシ樹脂組成物。 〔ＩＩ〕（Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）無機質充填剤 （Ｅ）上記平均組成式（２）で示されるホスファゼン化
合物 （Ｆ）上記平均組成式（１’）で示されるオルガノポリ
シロキサンのＳｉＨ基とアルケニル基含有エポキシ化合
物のアルケニル基を付加反応させたブロック共重合体 を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合物を実質
的に含まないことを特徴とする半導体封止用難燃性エポ
キシ樹脂組成物。 〔ＩＩＩ〕〔Ｉ〕又は〔ＩＩ〕記載の半導体封止用難燃
性エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。

【００１３】本発明のエポキシ樹脂組成物は、このよう
に、臭素化物、アンチモン化合物を実質的に含まないも
のである。一般に、エポキシ樹脂組成物中には、難燃性
を達成するため、臭素化エポキシ樹脂と三酸化アンチモ
ンとが配合されているが、本発明のエポキシ樹脂組成物
は、この臭素化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとを使
用せずに、難燃規格であるＵＬ−９４、Ｖ−０を達成す
ることができるものである。

【００１４】ここで、臭素化エポキシ樹脂あるいは三酸
化アンチモンの代替として、従来からＡｌ（ＯＨ）₃、
Ｍｇ（ＯＨ）₂等の水酸化物、赤リン、リン酸エステル
等のリン系難燃剤等が検討されている。しかし、これら
の公知の代替難燃剤は、特に高温において耐水性が弱
く、難燃剤自身が溶解、分解して、抽出水中の不純物イ
オンを増加させるという共通の欠点があった。このた
め、臭素化物、アンチモン化合物を実質的に含まない従
来の難燃性エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置
を長時間高温高湿下に放置すると、半導体装置のアルミ
配線が腐食し、耐湿信頼性が低下するという問題があっ
た。

【００１５】本発明者等は、上記不都合を解決すべく鋭
意検討を行った結果、難燃剤として、（Ｄ）平均組成式
（１）で示されるオルガノポリシロキサン又は（Ｆ）平
均組成式（１’）で示されるオルガノポリシロキサンの
ＳｉＨ基とアルケニル基含有エポキシ化合物のアルケニ
ル基を付加反応させたブロック共重合体と、（Ｅ）平均
組成式（２）で示されるホスファゼン化合物の２種を併
用した半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、前述のよう
に抽出水中の不純物イオンを増加させることもなく、成
形性に優れ、難燃性及び耐湿信頼性に優れた硬化物を得
ることができることを見出したものである。

【００１６】この場合、これらの化合物は、いずれも耐
水性が高く、抽出水中の不純物イオンを増加させる作用
がないものである。しかし、これらの化合物をそれぞれ
単独で使用した場合は、難燃効果が不十分であったり、
エポキシ樹脂組成物の流動性が低下したり、あるいは硬
化性が低下したりする不都合があったが、本発明の難燃
性エポキシ樹脂組成物は、難燃剤として、（Ｄ）平均組
成式（１）で示されるオルガノポリシロキサン又は
（Ｆ）平均組成式（１’）で示されるオルガノポリシロ
キサンのＳｉＨ基とアルケニル基含有エポキシ化合物の
アルケニル基を付加反応させたブロック共重合体と、
（Ｅ）平均組成式（２）で示されるホスファゼン化合物
の２種を併用したことにより、それぞれの添加量を最小
限に抑えることができるため、上述のような成形時の問
題点もなく、しかも難燃性及び耐湿信頼性に特に優れた
硬化物を得ることができるものである。

【００１７】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。本発明のエポキシ樹脂組成物を構成する（Ａ）エポ
キシ樹脂は特に限定されない。一般的なエポキシ樹脂と
しては、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキ
シ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含
有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹
脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、複素環型エ
ポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキ
シ化合物、スチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらのうち１種又は２種以上を併用することができる。
これらのうちでは、芳香環を含むエポキシ樹脂が好まし
い。なお、本発明においては臭素化エポキシ樹脂は配合
されない。

【００１８】上記エポキシ樹脂は、加水分解性塩素が１
０００ｐｐｍ以下、特に５００ｐｐｍ以下であり、ナト
リウム及びカリウムはそれぞれ１０ｐｐｍ以下の含有量
とすることが好ましい。加水分解性塩素が１０００ｐｐ
ｍを超えたり、ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを
超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置す
ると、耐湿性が劣化する場合がある。

【００１９】本発明に用いる（Ｂ）硬化剤も特に限定さ
れるものではない。一般的な硬化剤としては、フェノー
ル樹脂が好ましく、具体的には、フェノールノボラック
樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、アラルキル型
フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール
樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹
脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹
脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノ
ール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ
型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂などが挙げ
られ、これらのうち１種又は２種以上を併用することが
できる。

【００２０】上記硬化剤は、エポキシ樹脂と同様に、ナ
トリウム及びカリウムの含有量をそれぞれ１０ｐｐｍ以
下とすることが好ましい。ナトリウム又はカリウムが１
０ｐｐｍを超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装
置を放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。

【００２１】ここで、エポキシ樹脂、硬化剤の配合量は
特に制限されないが、硬化剤としてフェノール樹脂を用
いる場合、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モル
に対して、硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモ
ル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲であ
ることが好ましい。

【００２２】また、本発明において、エポキシ樹脂と硬
化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用い
ることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進
させるものであれば特に制限はなく、例えばトリフェニ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチ
ルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラ
ン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレー
トなどのリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジ
メチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
などの第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、
２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル
イミダゾールなどのイミダゾール化合物等を使用するこ
とができる。

【００２３】硬化促進剤の配合量は有効量であるが、
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との総量１００重量
部に対し、０．１〜５重量部、特に０．５〜２重量部と
することが好ましい。

【００２４】本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合され
る（Ｃ）無機質充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成
物に配合されるものを使用することができる。例えば溶
融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化
珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チ
タン、ガラス繊維等が挙げられる。

【００２５】これら無機質充填剤の平均粒径や形状及び
無機質充填剤の充填量は、特に限定されないが、難燃性
を高めるためには、エポキシ樹脂組成物中に成形性を損
なわない範囲で可能な限り多量に充填させることが好ま
しい。この場合、無機質充填剤の平均粒径、形状とし
て、平均粒径５〜３０μｍの球状の溶融シリカが特に好
ましく、また、（Ｃ）成分である無機質充填剤の充填量
は、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との総量１００
重量部に対し、４００〜１２００重量部とすることが好
ましく、特に５００〜１０００重量部とすることが好ま
しい。

【００２６】なお、本発明において、平均粒径は、例え
ばレーザー光回折法等による重量平均値（又はメディア
ン径）等として求めることができる。

【００２７】無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との
結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタ
ネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面
処理したものを配合することが好ましい。このようなカ
ップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエ
トキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等
のアミノシラン、γ−メルカプトシラン等のメルカプト
シランなどのシランカップリング剤を用いることが好ま
しい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量
及び表面処理方法については特に制限されるものではな
い。

【００２８】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂
組成物は、（Ｄ）平均組成式（１）で表されるオルガノ
ポリシロキサンを配合する。 Ｒ¹ _mＲ² _nＳｉ（ＯＲ³）_p（ＯＨ）_qＯ_{(4-m-n-p-q)/2} …（１） （式中、Ｒ¹はフェニル基、Ｒ²は炭素数１〜６のアルキ
ル基、アルケニル基等の一価炭化水素基（但し、フェニ
ル基を除く）又は水素原子、Ｒ³は炭素数１〜４のアル
キル基、アルケニル基等の一価炭化水素基を表し、ｍ，
ｎ，ｐ，ｑは、０≦ｍ≦２．０、０≦ｎ≦１．０、０≦
ｐ≦２．５、０≦ｑ≦０．３５、０．９２≦ｍ＋ｎ＋ｐ
＋ｑ≦２．８を満足する数である。）

【００２９】本発明の樹脂組成物が良好な難燃性を示す
理由は定かではないが、上記平均組成式（１）で表され
るシリコーン化合物を含む本発明の樹脂組成物を燃焼さ
せた場合、アルコキシ基の酸化分解架橋によりオルガノ
シロキサンと特に芳香族を含むエポキシ樹脂が結合して
燃焼部周辺に固定され、更にオルガノシロキサンに高含
有率で含まれるフェニル基は特に芳香環を含むエポキシ
樹脂との間で、各々が持つ芳香環相互のカップリングに
より不燃性のＳｉ−Ｃセラミック層を容易に形成し、高
い難燃効果を発現すると考えられる。この難燃化機構が
有効に働くために好ましいアルコキシ基含有率は、オル
ガノシロキサンの平均組成式中のｐ、すなわちＳｉ原子
１モルに対するアルコキシ基のモル数が、好ましくは
０．４２〜２．５である。０．４２未満では架橋性が低
すぎて燃焼部周辺に固定化され難いため、また、２．５
を超えると低分子量なオルガノシロキサンしか得られ
ず、燃焼時に固定化される前に熱で気化することによる
損失率が高くなるため、いずれの場合も難燃化効果が低
下してしまう場合がある。更に好ましいアルコキシ基含
有率はＳｉ原子１モルに対して０．５〜２．３モルであ
る。

【００３０】平均組成式（１）中のＲ³は、好ましくは
炭素数１〜４のアルキル基から選ばれ、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル基であり、炭素数５以上
のアルキル基はアルコキシ基としての反応性が低く、難
燃化効果が期待出来ない。

【００３１】一方、オルガノシロキサンに含まれるシラ
ノール基も反応性が低く、難燃性にほとんど寄与するこ
とはないが、保存安定性の面や加工性の面から、オルガ
ノシロキサン平均組成式におけるｑの値で０．３５以下
が好ましい。

【００３２】上述の難燃化機構が有効に働くために必要
なもう一つの要素であるフェニル基含有率については、
平均組成式のｍ、すなわちＳｉ原子１モルに対するフェ
ニル基のモル数で、好ましくは０．５〜２．０である。
０．５未満だとフェニル基が少なすぎて難燃化効果が得
られない場合がある。２．０を超えるとフェニル基含有
率は十分に高いが、嵩高いフェニル基が一つのＳｉ上に
密集した構造を多く含むため、立体障害が大きく、ポリ
オルガノシロキサン分子の空間的自由度が低下し、芳香
環相互のカップリングによる難燃化機構が作用するのに
必要な芳香環同士の重なりが困難になり、難燃化効果を
低下させる。より好ましいｍの値は０．６〜１．８であ
る。

【００３３】Ｓｉ−Ｃ結合でＳｉに結合する置換基はフ
ェニル基以外の置換基Ｒ²を含んでもよい。この置換基
は難燃化効果と直接関係がないため、含有量が多くなれ
ば逆効果となるが、適量含有させることで、嵩高いフェ
ニル基含有率の高いオルガノシロキサン分子の立体障害
を緩和して空間的な自由度を向上させ、フェニル基同士
の重なりを容易にして難燃化効果を高める方向に働く場
合もある。この効果を期待できるＲ²の含有率は、平均
組成式のｎの値で１．０以下である。好ましくは平均組
成式中のｍ＋ｎに対するｎの比率ｎ／（ｍ＋ｎ）で０〜
０．３の範囲であり、０．３を超えては相対的なフェニ
ル基含有率が低下して難燃化効果が十分に得られなくな
るおそれがある。

【００３４】Ｒ²は炭素数１〜６の炭化水素基又は水素
原子であり、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６
のアルケニル基が好ましい。例えば、メチル、エチル、
プロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル基、ビニル、
プロペニル、ブテニルなどのアルケニル基が挙げられ
る。特にメチル基、ビニル基が、立体障害緩和の点から
も工業的にも好ましい。

【００３５】本発明の（Ｄ）成分のオルガノポリシロキ
サンは、下記式（３） Ｒ¹⁰ＳｉＺ₃ （３） （但し、式（３）中のＲ¹⁰はＲ¹又はＲ²と同じ有機基を
表し、Ｚは−ＯＨ、−ＯＲ¹¹又はシロキサン残基を表
し、一つのＳｉ原子に結合している三つのＺのうち少な
くとも一つはシロキサン結合を含む。）で表されるシロ
キサン単位を５０モル％以上含有していることが好まし
い。この三官能性シロキサン単位は、三次元的な架橋構
造を形成してオルガノシロキサン分子構造を強固にする
ことで樹脂的性質を付与し、エポキシ樹脂組成物への分
散性、加工性を向上させる。また、単官能性や二官能性
シロキサン単位を多く含む直線的な分子構造のオルガノ
シロキサンは、燃焼時に起きるシロキサン結合の熱によ
る再配列で揮発性低分子量シロキサンを形成して系外へ
逃げやすいのに対し、架橋反応性の高い三官能性シロキ
サン単位を多く含むオルガノシロキサンは、更に高分子
量化して系内に止まり、難燃化に寄与する。三官能性シ
ロキサン単位が５０モル％未満ではこれらの効果が小さ
くなることがあり、より好ましくは三官能性シロキサン
単位を６０モル％以上含むオルガノシロキサンで高い難
燃化効果が発現される。

【００３６】式（３）のＲ¹⁰はＲ¹又はＲ²と同じであ
り、アルキル基、アルケニル基、アリール基等であり、
例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル
基等のアルキル基、ビニル、プロペニル、ブテニル基等
のアルケニル基、フェニル基等のアリール基が挙げられ
る。特にフェニル基、メチル基、ビニル基が工業的に好
ましい。

【００３７】式（３）中のＺは−ＯＨ、−ＯＲ¹¹、又は
シロキサン残基を表し、一つのＳｉ原子に結合している
Ｚのうち少なくとも一つはシロキサン単位を含んでいな
ければならない。なお、シロキサン残基、シロキサン結
合とは、−Ｏ−（Ｓｉ≡）を示す（但し、括弧内のＳｉ
≡は隣接するＳｉ原子と結合していることを示す）。ま
た、Ｒ¹¹は炭素数１〜３のアルキル基を示す。

【００３８】（Ｄ）成分のオルガノポリシロキサン中に
は、三官能性シロキサン単位以外の構成単位として、特
性に影響を与えない範囲で二官能性シロキサン単位、単
官能性シロキサン単位、四官能性シロキサン単位を含有
してもよい。特に四官能性シロキサン単位は三次元的な
架橋構造を形成してオルガノポリシロキサン分子構造を
強固にすることや、高い架橋反応性が高分子量化を促し
て系内に止まり、難燃化に寄与する。一方、この四官能
性シロキサン単位の含有率が多くなると、エポキシ樹脂
への分散性が低下するので、好ましい含有率は５０モル
％以下である。

【００３９】また、（Ｄ）成分であるオルガノポリシロ
キサンの平均重合度は２．５〜２０量体であることが好
ましい。重合度は難燃化効果を決める重要な因子であ
り、この重合度範囲のオルガノシロキサンは、溶融混合
時に良く分散し、また燃焼時における熱で溶融して移動
し、燃焼部周辺に集まることもできる。また、この動き
易さはフェニル基の重なりを容易にすることでも難燃化
の効果を向上させる。平均重合度が２．５未満の低分子
量オルガノシロキサンでは、燃焼時における熱による気
化で難燃化効果が低下してしまい、２０を超えると燃焼
時の動き易さがなくなり難燃化効果が低下し、またエポ
キシ樹脂への分散性が悪くなることがある。より好まし
くは、平均重合度で２．５〜１５量体であり、更に好ま
しくは平均分子量で４１０以上２０００未満の範囲をも
満たすことが良い。

【００４０】このようなオルガノポリシロキサンは公知
の方法で製造できる。例えば、上記のシロキサン単位を
形成しうるオルガノクロロシランに、全てのクロル基と
反応する過剰のアルコールと水を反応させてアルコキシ
基含有オルガノシランを形成し、減圧ストリップ等の方
法で未反応アルコール、水及び反応副生物である塩化水
素を除去して目的物を得る。目標のアルコキシ基含有率
や平均分子量のものを調製するには、反応させるアルコ
ールと水の量を調整して行う。水は目標の平均分子量が
達成される理論量とし、アルコールは目標のアルコキシ
基量を達成する理論量より過剰にすれば目標の構造に近
いオルガノポリシロキサンが得られる。

【００４１】上記のシロキサン単位を形成しうるアルコ
キシシランが入手できれば、目標の平均分子量が達成で
きる理論量の水を加えて部分加水分解縮合反応させる方
法も可能である。この場合は、反応を促進する触媒とし
て、酸、塩基、有機金属化合物を添加することが望まし
い。副生したアルコールは常圧蒸留や減圧ストリップに
より除去して目的物を得る。より保存安定性を高める必
要がある場合は、添加した反応触媒を中和等の方法によ
り除去してもよい。いずれの方法においても、ゲルの発
生や分子量分布の広がりを抑制する目的で有機溶剤を配
合することも可能である。

【００４２】本発明における（Ｄ）成分であるオルガノ
ポリシロキサンの添加量は、（Ａ）エポキシ樹脂と
（Ｂ）硬化剤との総量１００重量部に対して０．１〜５
０重量部が好ましく、より好ましくは２〜２０重量部で
ある。０．１重量部未満では難燃性を十分に付与するこ
とができないおそれがあり、５０重量部を超えると成形
時の粘度が高くなり、また成形品の外観や強度に悪影響
を与える場合がある。

【００４３】また、本発明の半導体封止用難燃性エポキ
シ樹脂組成物は、下記平均組成式（１’）で示されるオ
ルガノポリシロキサンのＳｉＨ基とアルケニル基含有エ
ポキシ化合物のアルケニル基を付加反応させたブロック
共重合体（Ｆ）を使用することもできる。 Ｈ_rＲ_sＳｉＯ_(4-r-s)/2 …（１’） （式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基であり、
ｒ，ｓは、０．００１≦ｒ≦１、１≦ｓ≦３、１．００
１≦ｒ＋ｓ≦３を満足する正数である。）

【００４４】ここで、式（１’）において、Ｒの一価炭
化水素基としては、炭素数１〜１０、特に１〜８のもの
が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシ
ル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル
基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェ
ニル基、キシリル基、トリル基等のアリール基、ベンジ
ル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラ
ルキル基などや、これら炭化水素基の水素原子の一部又
は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換し
たクロロメチル基、トリフルオロプロピル基、ブロモエ
チル基等のハロゲン置換一価炭化水素基などを挙げるこ
とができる。

【００４５】また、式（１’）において、ｓ，ｒのより
好ましい範囲は、０．０１≦ｒ≦０．５、１．５≦ｓ≦
２．５、１．５１≦ｒ＋ｓ≦３．０であり、式（１’）
のオルガノポリシロキサンの一分子中におけるケイ素原
子数は２〜１０００、特に１０〜２００であることが好
ましく、ケイ素原子に直結した水素原子（ＳｉＨ基）の
数は１〜１０、特に１〜５であることが好ましい。ま
た、ブロック共重合体中のオルガノポリシロキサン含有
量は５〜５０重量％、特に１０〜２０重量％であること
が好ましい。

【００４６】本発明の共重合体の製造方法は、すでに公
知であり（特公昭６３−６００６９号、特公昭６３−６
００７０号公報等）、アルケニル基含有エポキシ化合物
のアルケニル基と、上記式（１’）で示されるオルガノ
ポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応によって得るこ
とができる。ブロック共重合体として、具体的には下記
式（４）で示される構造を例示することができる。

【００４７】

【化４】 （上記式中、Ｒは上記と同じ、Ｒ¹²は水素原子又は炭素
数１〜４のアルキル基、Ｒ¹³は−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−、
−ＯＣＨ₂−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ₂−Ｏ−ＣＨ₂ＣＨ ₂ＣＨ
₂−又は−Ｏ−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−である。ｕは１〜２０
０、好ましくは１０〜１００の整数、ｔ、ｖは１〜１０
０、好ましくは１〜２０の整数である。）

【００４８】本発明において、（Ｆ）ブロック共重合体
中のオルガノポリシロキサン含有量は５〜５０重量％、
特に１０〜２０重量％であることが好ましい。

【００４９】（Ｆ）成分であるブロック共重合体を使用
する場合の含有量としては、（Ａ）エポキシ樹脂と
（Ｂ）硬化剤との総量１００重量部に対して０．１〜５
０重量部が好ましく、より好ましくは２〜２０重量部で
ある。また、共重合体中のオルガノポリシロキサン含有
量としては、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との総
量１００重量部に対してジオルガノポリシロキサン単位
で０．１〜１０重量部が好ましく、より好ましくは０．
５〜８重量部であることが望ましい。

【００５０】更に、本発明の半導体封止用難燃性エポキ
シ樹脂組成物は、（Ｅ）下記平均組成式（２）で示され
るホスファゼン化合物を使用するものである。

【００５１】

【化５】 （式中、ＸはＯ、Ｓ又はＮＲ⁶であり、ＹはＯ、Ｓ又は
ＮＲ⁷であり、Ｒ⁴，Ｒ⁵は水素原子、炭素数１〜４のア
ルキル基、アルコキシ基、ＮＲ⁸Ｒ⁹及びＳＲ⁸から選ば
れる基であり、Ｒ⁶〜Ｒ⁹はそれぞれ水素原子又は炭素数
１〜４のアルキル基であり、ａ，ｂ，ｃは０＜ａ≦２
ｃ、０≦ｂ＜２ｃ、ａ＋ｂ＝２ｃ、３≦ｃ≦１０００で
ある。）

【００５２】上記式（２）で示されるホスファゼン化合
物を添加した本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂
組成物は、赤リン、リン酸エステル等のリン系難燃剤を
添加したエポキシ樹脂組成物と比較して、熱水抽出特性
に優れ、耐湿信頼性に特に優れる硬化物を得ることがで
きる。また、上記式（２）で示されるホスファゼン化合
物を、（Ｄ）平均組成式（１）で表されるオルガノポリ
シロキサン又は（Ｆ）平均組成式（１’）で示されるオ
ルガノポリシロキサンのＳｉＨ基とアルケニル基含有エ
ポキシ化合物のアルケニル基を付加反応させたブロック
共重合体と併用することにより、更に高い難燃効果を得
ることができる。

【００５３】ここで、式（２）において、ｃは３〜１０
００であるが、より好ましい範囲は３〜１０である。合
成上特に好ましくはｃ＝３である。

【００５４】ａ、ｂの比率は、０＜ａ≦２ｃ、０≦ｂ＜
２ｃであるが、難燃性と硬化性、高温保管時の電気抵抗
性を高いレベルで両立するためには、０．３３ｃ≦ａ≦
１．６７ｃ、０．３３ｃ≦ｂ≦１．６７ｃが望ましい。

【００５５】Ｘは、Ｏ、Ｓ又はＮＲ⁶、Ｙは、Ｏ、Ｓ又
はＮＲ⁷であるが、より高い硬化性を得る為にはエポキ
シ基と反応するＮＨなどが望ましい。エポキシ基と反応
する基であれば特に問題ない。

【００５６】Ｒ⁴、Ｒ⁵は、炭素数１〜４のアルキル基、
アルコキシ基、ＮＲ⁸Ｒ⁹、ＳＲ⁸基など電子供与性の基
である。電子供与基の置換が無い場合、Ｘ又はＹがＮＨ
である時のＮの求核性が低下するため、エポキシ基との
反応性が低くなる。その為、式（２）で表されるホスフ
ァゼン化合物の添加量を増やした場合、硬化性の低下、
高温時の電気抵抗性低下が生じる。また、Ｒ⁴、Ｒ⁵が炭
素数５以上のアルキル基、アルコキシ基において、炭素
数が増加すると難燃性が低下する。従って、メチル基、
メトキシ基、アミノ基、ジメチルアミノ基が望ましい。

【００５７】また、（Ｅ）成分であるホスファゼン化合
物の添加量は、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との
総量１００重量部に対し、１〜５０重量部、特に２〜２
０重量部が好ましい。添加量が１重量部未満では十分な
難燃効果が得られない場合があり、また５０重量部を超
えると、流動性の低下を引き起こす場合がある。

【００５８】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂
組成物は、本発明の目的及び効果を発現できる範囲内に
おいて、他の難燃剤、例えば水酸化アルミニウム、水酸
化マグネシウム等の水酸化物、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜
鉛、モリブデン酸亜鉛等の無機化合物を添加することも
できる。但し、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物
は配合されない。

【００５９】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂
組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合する
ことができる。例えば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラスト
マー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カル
ナバワックス、高級脂肪酸、合成ワックス等のワックス
類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤
等の添加剤を添加配合することができる。

【００６０】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂
組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤、その
他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等
によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、
エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで
冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とする
ことができる。

【００６１】このようにして得られる本発明の半導体封
止用難燃性エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の
封止用として有効に利用でき、この場合、封止の最も一
般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げ
られる。なお、本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹
脂組成物の成形は、温度１５０〜１８０℃で３０〜１８
０秒、後硬化は１５０〜１８０℃で２〜１６時間行うこ
とが望ましい。

【００６２】

【発明の効果】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹
脂組成物は、成形性に優れるとともに、難燃性及び耐湿
信頼性に優れた硬化物を得ることができる。しかも、臭
素化エポキシ樹脂等の臭素化物、三酸化アンチモン等の
アンチモン化合物をエポキシ樹脂組成物中に含有しない
ので、人体、環境に対する悪影響もないものである。ま
た、本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物の
硬化物で封止された半導体装置は、難燃性、耐湿信頼性
に優れたものであり、産業上特に有用である。

【００６３】

【実施例】以下、ホスファゼン化合物、オルガノポリシ
ロキサンの合成例、及びエポキシ樹脂組成物の実施例と
比較例を示し、本発明を具体的に示すが、本発明は下記
の実施例に制限されるものではない。なお、式中のＭｅ
はメチル基を示す。

【００６４】［合成例Ａ］窒素雰囲気下、室温にてベン
ジルアミン７３．９ｇ（０．６９ｍｏｌ）をトルエン１
５０ｍｌに溶かし、そこにヘキサクロロトリホスファゼ
ン２５．５ｇ（７３ｍｍｏｌ）のトルエン１００ｍｌ溶
液を滴下後、１５時間加熱還流した。析出した白色結晶
を水を加えて溶かし、５％塩酸水溶液２００ｍｌ×２、
５％炭酸水素ナトリウム水溶液２００ｍｌ、水２００ｍ
ｌ×３で抽出し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥後、減
圧留去を行うことにより、白色結晶４３．２ｇを得た。

【００６５】

【化６】

【００６６】［合成例Ｂ］窒素雰囲気下、室温にてヘキ
サクロロトリホスファゼン２５．５ｇ（７３ｍｍｏ
ｌ）、２−メチルフェノール２３．３ｇ（２１６ｍｍｏ
ｌ）をトルエンに溶かし、そこにベンジルアミン２３．
１ｇ（２１６ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ６５．６ｇ（４３１ｍ
ｍｏｌ）のトルエン１００ｍｌ溶液を滴下した。加熱還
流下で１０時間攪拌した後、デカンテーションにより得
られた下層の黄色シロップ状物を８０％酢酸１２０ｍｌ
に溶解し、水５００ｍｌに移して結晶を得た。得られた
結晶を水洗後、更にトルエン、アセトンで洗浄し、乾燥
して褐色固体２０．２ｇを得た。

【００６７】

【化７】

【００６８】［合成例Ｃ］窒素雰囲気下、室温にてヘキ
サクロロトリホスファゼン２５．５ｇ（７３ｍｍｏ
ｌ）、フェノール１７．７ｇ（２１６ｍｍｏｌ）をトル
エンに溶かし、そこにベンジルアミン２３．１ｇ（２１
６ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ６５．６ｇ（４３１ｍｍｏｌ）の
トルエン１００ｍｌ溶液を滴下した。加熱還流下で１０
時間攪拌した後、デカンテーションにより得られた下層
の黄色シロップ状物を８０％酢酸１２０ｍｌに溶解し、
水５００ｍｌに移して結晶を得た。得られた結晶を水洗
後、更にトルエン、アセトンで洗浄し、乾燥して褐色固
体２０．２ｇを得た。

【００６９】

【化８】

【００７０】［合成例Ｄ］窒素雰囲気下、室温にてヘキ
サクロロトリホスファゼン２５．５ｇ（７３ｍｍｏ
ｌ）、フェノール１７．３ｇ（２１６ｍｍｏｌ）をトル
エンに溶かし、そこにＮ−メチルベンジルアミン２５．
２ｇ（２１６ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ６５．６ｇ（４３１ｍ
ｍｏｌ）のトルエン１００ｍｌ溶液を滴下した。加熱還
流下で１６時間攪拌した後、５％水酸化ナトリウム水溶
液２００ｍｌ×２、５％硫酸水溶液２００ｍｌ×２、５
％炭酸水素ナトリウム水溶液２００ｍｌ×２、水２００
ｍｌ×２で抽出を行った。溶媒を減圧留去し、褐色固体
１９．２ｇを得た。

【００７１】

【化９】

【００７２】［合成例Ｅ］攪拌装置、冷却装置、温度計
を取り付けた１ｌフラスコにフェニルトリクロロシラン
２１１ｇ（１モル）とトルエン１４３ｇを仕込み、オイ
ルバスで内温４０℃にまで加熱した。滴下ロートにメタ
ノール６４ｇ（２モル）を仕込み、フラスコ内へ攪拌し
ながら１時間で滴下し、アルコキシ化反応中に発生する
塩化水素ガスを系外へ除去しながら反応を進めた。滴下
終了後、更に内温４０℃で攪拌を１時間続けて熟成し
た。次に、滴下ロートに水１２ｇ（０．７モル）を仕込
み、フラスコ内へ攪拌しながら１時間で滴下し、加水分
解縮合反応中に発生する塩化水素ガスを系外へ除去しな
がら、反応を進めた。滴下終了後、更に内温４０℃で攪
拌を１時間続けて熟成し、引き続き減圧蒸留によりトル
エン、過剰分のメタノール、未反応の水、塩化水素を除
去して液状のメトキシ基含有オルガノポリシロキサン１
５１ｇを得た。得られたオルガノポリシロキサンは、Ｒ
¹ _mＲ² _nＳｉ（ＯＲ³）_p（ＯＨ）_qＯ_{(4- m-n-p-q)/2}で表す
とｍ＝１．０、ｎ＝０、ｎ／（ｎ＋ｍ）＝０でＳｉ原子
上のＳｉ−Ｃ結合で結合した有機置換基は１００モル％
がフェニル基であり、ｐ＝１．５で、Ｒ³＝メチル基、
ｑ＝０．２、三官能性シロキサン単位を１００モル％含
み、外観は無色透明液体で、平均重合度３（平均分子量
は５００）であった。

【００７３】［実施例１〜５、比較例１〜３］表１に示
す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉
砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。これら
の組成物につき、次の（Ｉ）〜（ＶＩＩ）の諸特性を測
定した。結果を表２に示した。

【００７４】（Ｉ）スパイラルフロー値 ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、温度１７５℃、
成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間１２０秒の条件で
測定した。

【００７５】（ＩＩ）ゲル化時間 組成物のゲル化時間を１７５℃の熱板上で測定した。

【００７６】（ＩＩＩ）成形硬度 ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて、温度１７５℃、成形圧力
６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間９０秒の条件で１０×４×
１００ｍｍの棒を成形したときの熱時硬度をバーコール
硬度計で測定した。

【００７７】（ＩＶ）高温電気抵抗特性 温度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間１
２０秒の条件で７０φ×３ｍｍの円板を成形し、１８０
℃で４時間ポストキュアーした。その後、１５０℃雰囲
気下で体積抵抗率を測定した。

【００７８】（Ｖ）難燃性 ＵＬ−９４規格に基づき、１／３２インチ厚の板を、温
度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間１２
０秒の条件で成形し、１８０℃で４時間ポストキュアー
したものの難燃性を調べた。

【００７９】（ＶＩ）耐湿性 アルミニウム配線を形成した６×６ｍｍの大きさのシリ
コンチップを１４ｐｉｎ−ＤＩＰフレーム（４２アロ
イ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウム電極とリ
ードフレームとを３０μｍφの金線でワイヤボンディン
グした後、これにエポキシ樹脂組成物を温度１７５℃、
成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間１２０秒の条件で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。このパ
ッケージそれぞれ２０個を１４０℃／８５％ＲＨの雰囲
気中−５Ｖの直流バイアス電圧をかけて５００時間放置
した後、アルミニウム腐食が発生したパッケージ数を調
べた。

【００８０】（ＶＩＩ）高温保管信頼性 アルミニウム配線を形成した６×６ｍｍの大きさのシリ
コンチップを１４ｐｉｎ−ＤＩＰフレーム（４２アロ
イ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウム電極とリ
ードフレームとを３０μｍφの金線でワイヤボンディン
グした後、これにエポキシ樹脂組成物を温度１７５℃、
成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間１２０秒の条件で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。このパ
ッケージそれぞれ２０個を２００℃雰囲気中５００時間
放置した後、発煙硝酸で溶解、開封し、金線引張り強度
を測定した。引張り強度が初期値の７０％以下となった
ものを不良とし、不良数を調べた。

【００８１】

【表１】

【００８２】エポキシ樹脂：ｏ−クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、ＥＯＣＮ１０２０−５５（日本化薬
製、エポキシ当量２００） 硬化剤：フェノールノボラック樹脂、ＤＬ−９２（明和
化成製、フェノール性水酸基当量１１０） オルガノポリシロキサン：合成例Ｅのポリシロキサン

【００８３】オルガノポリシロキサンとアルケニル基含
有エポキシ化合物を付加反応させたブロック共重合体：
下記式で表されるブロック共重合体、オルガノポリシロ
キサン含有量１６重量％、エポキシ当量２３８

【化１０】

【００８４】ホスファゼン化合物：合成例Ａ〜Ｄの化合
物 無機質充填剤：球状溶融シリカ（龍森製、平均粒径２０
μｍ） 硬化触媒：トリフェニルホスフィン（北興化学製） 離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ
製） カーボンブラック：デンカブラック（電気化学工業製） シランカップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、ＫＢＭ−４０３（信越化学工業製）

【００８５】

【表２】

【００８６】表２の結果から明らかなように、本発明の
半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物は、硬化性に優
れると共に、難燃性、耐湿信頼性に優れ、高温電気抵抗
特性に優れる硬化物を得ることができ、本発明のエポキ
シ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、難燃
性、耐湿信頼性に優れるものである。しかも、臭素化エ
ポキシ樹脂等の臭素化物、三酸化アンチモン等のアンチ
モン化合物を樹脂組成物中に含有しないので、人体・環
境に対する悪影響がないものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 長田 将一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 安藤 信吾 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CC04X CC05X CC06X CC07X CD03W CD04W CD05W CD06W CD07W CE00X CP033 CP045 CP053 CP063 CQ014 DE136 DE146 DF016 DJ006 DJ016 DK006 DL006 EW157 FA046 FD016 FD090 FD130 FD134 FD137 FD200 GQ00 4M109 AA01 CA21 EB07 EB18

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）無機質充填剤 （Ｄ）下記平均組成式（１）で表されるオルガノポリシ
   ロキサン Ｒ¹ _mＲ² _nＳｉ（ＯＲ³）_p（ＯＨ）_qＯ_{(4-m-n-p-q)/2} …（１） （式中、Ｒ¹はフェニル基、Ｒ²は炭素数１〜６の一価炭
   化水素基又は水素原子、Ｒ³は炭素数１〜４の一価炭化
   水素基を表し、ｍ，ｎ，ｐ，ｑは、０≦ｍ≦２．０、０
   ≦ｎ≦１．０、０≦ｐ≦２．５、０≦ｑ≦０．３５、
   ０．９２≦ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ≦２．８の範囲である。） （Ｅ）下記平均組成式（２）で示されるホスファゼン化
   合物 【化１】 （式中、ＸはＯ、Ｓ又はＮＲ⁶であり、ＹはＯ、Ｓ又は
   ＮＲ⁷であり、Ｒ⁴，Ｒ⁵は水素原子、炭素数１〜４のア
   ルキル基、アルコキシ基、ＮＲ⁸Ｒ⁹及びＳＲ⁸から選ば
   れる基であり、Ｒ⁶〜Ｒ⁹はそれぞれ水素原子又は炭素数
   １〜４のアルキル基であり、ａ，ｂ，ｃは０＜ａ≦２
   ｃ、０≦ｂ＜２ｃ、ａ＋ｂ＝２ｃ、３≦ｃ≦１０００で
   ある。）を必須成分とし、臭素化物及びアンチモン化合
   物を実質的に含まないことを特徴とする半導体封止用難
   燃性エポキシ樹脂組成物。
2. 【請求項２】 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）無機質充填剤 （Ｅ）下記平均組成式（２）で示されるホスファゼン化
   合物 【化２】 （式中、ＸはＯ、Ｓ又はＮＲ⁶であり、ＹはＯ、Ｓ又は
   ＮＲ⁷であり、Ｒ⁴，Ｒ⁵は水素原子、炭素数１〜４のア
   ルキル基、アルコキシ基、ＮＲ⁸Ｒ⁹及びＳＲ⁸から選ば
   れる基であり、Ｒ⁶〜Ｒ⁹はそれぞれ水素原子又は炭素数
   １〜４のアルキル基であり、ａ，ｂ，ｃは０＜ａ≦２
   ｃ、０≦ｂ＜２ｃ、ａ＋ｂ＝２ｃ、３≦ｃ≦１０００で
   ある。） （Ｆ）下記平均組成式（１’）で示されるオルガノポリ
   シロキサンのＳｉＨ基とアルケニル基含有エポキシ化合
   物のアルケニル基を付加反応させたブロック共重合体 Ｈ_rＲ_sＳｉＯ_(4-r-s)/2 …（１’） （式中、Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基であり、
   ｒ，ｓは、０．００１≦ｒ≦１、１≦ｓ≦３、１．００
   １≦ｒ＋ｓ≦３を満足する正数である。）を必須成分と
   し、臭素化物及びアンチモン化合物を実質的に含まない
   ことを特徴とする半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成
   物。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体封止用難燃
   性エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。