JP2003326165A - 排ガス浄化方法 - Google Patents
排ガス浄化方法Info
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- JP2003326165A JP2003326165A JP2003103749A JP2003103749A JP2003326165A JP 2003326165 A JP2003326165 A JP 2003326165A JP 2003103749 A JP2003103749 A JP 2003103749A JP 2003103749 A JP2003103749 A JP 2003103749A JP 2003326165 A JP2003326165 A JP 2003326165A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エンジン始動時に排出される高濃度のＨＣを
効率よく吸着し、吸着層からＨＣが脱離し始める温度に
おいても脱離したＨＣが効率よく浄化される排ガス浄化
方法を提供すること。 【解決手段】 排ガスを、プリ三元触媒、触媒Ａ及び吸
着触媒Ｂに順次通過させて浄化する排ガス浄化方法であ
る。触媒Ａは、炭化水素、一酸化炭素及び窒素酸化物を
理論空燃比近傍で浄化する三元触媒をハニカム担体にコ
ーティングして成り、吸着触媒Ｂは、ハニカム担体に、
炭化水素の吸着に有効なゼオライト層を下層として、触
媒層を上層として配して成る。
効率よく吸着し、吸着層からＨＣが脱離し始める温度に
おいても脱離したＨＣが効率よく浄化される排ガス浄化
方法を提供すること。 【解決手段】 排ガスを、プリ三元触媒、触媒Ａ及び吸
着触媒Ｂに順次通過させて浄化する排ガス浄化方法であ
る。触媒Ａは、炭化水素、一酸化炭素及び窒素酸化物を
理論空燃比近傍で浄化する三元触媒をハニカム担体にコ
ーティングして成り、吸着触媒Ｂは、ハニカム担体に、
炭化水素の吸着に有効なゼオライト層を下層として、触
媒層を上層として配して成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車等の内燃機
関から排出される排ガスの浄化方法に関するものであ
る。
関から排出される排ガスの浄化方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】自動車等の内燃機関の排ガス浄化用触媒
としては、一酸化炭素（ＣＯ）及び炭化水素（ＨＣ）の
酸化と、窒素酸化物（ＮＯｘ）の還元を同時に行なう触
媒が汎用されている。このような触媒は、例えば特公昭
５８−２０３０７号公報にもみられるように、耐火性担
体上のアルミナコート層に、パラジウム（Ｐｄ）、白金
（Ｐｔ）及びロジウム（Ｒｈ）の貴金属、並びに場合に
より助触媒成分としてセリウム（Ｃｅ）、ランタン（Ｌ
ａ）等の希土類金属又はニッケル（Ｎｉ）等のベースメ
タル酸化物を添加したものがほとんどである。
としては、一酸化炭素（ＣＯ）及び炭化水素（ＨＣ）の
酸化と、窒素酸化物（ＮＯｘ）の還元を同時に行なう触
媒が汎用されている。このような触媒は、例えば特公昭
５８−２０３０７号公報にもみられるように、耐火性担
体上のアルミナコート層に、パラジウム（Ｐｄ）、白金
（Ｐｔ）及びロジウム（Ｒｈ）の貴金属、並びに場合に
より助触媒成分としてセリウム（Ｃｅ）、ランタン（Ｌ
ａ）等の希土類金属又はニッケル（Ｎｉ）等のベースメ
タル酸化物を添加したものがほとんどである。
【０００３】かかる触媒は、排ガス温度とエンジンの設
定空燃比の影響を強く受ける。自動車用触媒が浄化能を
発揮する排ガス温度としては、一般に３００℃以上必要
であり、また空燃比は、ＨＣとＣＯの酸化とＮＯｘの還
元のバランスがとれる理論空燃比（Ａ／Ｆ＝１４．６）
付近で触媒が最も有効に働く。従って、従来の三元触媒
を用いる排ガス浄化装置を取り付けた自動車では、三元
触媒が有効に働くような位置に設置されており、また排
気系の酸素濃度を検出して、混合気を理論空燃比付近に
保つようフィードバック制御が行なわれている。
定空燃比の影響を強く受ける。自動車用触媒が浄化能を
発揮する排ガス温度としては、一般に３００℃以上必要
であり、また空燃比は、ＨＣとＣＯの酸化とＮＯｘの還
元のバランスがとれる理論空燃比（Ａ／Ｆ＝１４．６）
付近で触媒が最も有効に働く。従って、従来の三元触媒
を用いる排ガス浄化装置を取り付けた自動車では、三元
触媒が有効に働くような位置に設置されており、また排
気系の酸素濃度を検出して、混合気を理論空燃比付近に
保つようフィードバック制御が行なわれている。
【０００４】従来の三元触媒をエキゾーストマニホール
ド直後に設置しても、排ガス温度が低い（３００℃以
下）エンジン始動直後には触媒活性が低く、始動直後
（コールドスタート時）に大量に排出されるＨＣは浄化
されずにそのまま排出されてしまうという問題がある。
ド直後に設置しても、排ガス温度が低い（３００℃以
下）エンジン始動直後には触媒活性が低く、始動直後
（コールドスタート時）に大量に排出されるＨＣは浄化
されずにそのまま排出されてしまうという問題がある。
【０００５】上記の課題を解決するための排ガス浄化装
置として、触媒コンバータの排気上流側にコールドＨＣ
を吸着するための吸着剤を納めたＨＣトラッパーを配置
したものが特開平２−１３５１２６号公報や特開平３−
１４１８１６号公報に提案されている。
置として、触媒コンバータの排気上流側にコールドＨＣ
を吸着するための吸着剤を納めたＨＣトラッパーを配置
したものが特開平２−１３５１２６号公報や特開平３−
１４１８１６号公報に提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
２−１３５１２６号公報に記載されている自動車排気ガ
ス浄化装置では、 （１）吸着材の下流側に触媒成分を含浸しているため、
触媒が活性温度に達する前に上流側の吸着材からＨＣが
脱離してしまう。 （２）ゼオライトへ触媒金属溶液を含浸しているため、
触媒成分の耐久性に乏しい。また、特開平３−１４１８
１６号公報に記載されている排気ガス浄化装置では、 （３）吸着したＨＣの脱離制御を温度センサ、バイパス
管、制御装置等を用いて行なっているため、システムが
複雑で信頼性や排気レイアウト上実用的ではない。 という問題があった。
２−１３５１２６号公報に記載されている自動車排気ガ
ス浄化装置では、 （１）吸着材の下流側に触媒成分を含浸しているため、
触媒が活性温度に達する前に上流側の吸着材からＨＣが
脱離してしまう。 （２）ゼオライトへ触媒金属溶液を含浸しているため、
触媒成分の耐久性に乏しい。また、特開平３−１４１８
１６号公報に記載されている排気ガス浄化装置では、 （３）吸着したＨＣの脱離制御を温度センサ、バイパス
管、制御装置等を用いて行なっているため、システムが
複雑で信頼性や排気レイアウト上実用的ではない。 という問題があった。
【０００７】従って、本発明の目的は、上記従来技術に
存在する問題を解決し、エンジン始動時に排出される高
濃度のＨＣを効率よく吸着し、吸着層からＨＣが脱離し
始める温度においても脱離したＨＣが効率よく浄化され
る排ガス浄化方法を提供することにある。
存在する問題を解決し、エンジン始動時に排出される高
濃度のＨＣを効率よく吸着し、吸着層からＨＣが脱離し
始める温度においても脱離したＨＣが効率よく浄化され
る排ガス浄化方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の従
来技術に存在する問題に着目し、ＨＣ吸着に有効なゼオ
ライト層上に触媒層を備えたことを特徴とする吸着触媒
の製造方法を特願平５−２７３７８０号及び特願平５−
２７３７８１号公報で提案した。これらの方法で得られ
た触媒は表層の触媒層が内層のゼオライトよりも早く加
熱されるため、ゼオライト層からＨＣが脱離する段階に
おいて触媒層が活性化されており、ＨＣが良好に浄化さ
れる。本発明者等は更に鋭意研究を重ねた結果、上記吸
着触媒を床下位置に装着し、エンジン始動直後に緩やか
に加速し又は低速走行を続けた場合、表層の触媒層が活
性化する前に内層のゼオライト層から吸着していたＨＣ
の一部が脱離するため、エンジン始動時に排出されたＨ
Ｃの浄化能が少し低下するということがわかった。
来技術に存在する問題に着目し、ＨＣ吸着に有効なゼオ
ライト層上に触媒層を備えたことを特徴とする吸着触媒
の製造方法を特願平５−２７３７８０号及び特願平５−
２７３７８１号公報で提案した。これらの方法で得られ
た触媒は表層の触媒層が内層のゼオライトよりも早く加
熱されるため、ゼオライト層からＨＣが脱離する段階に
おいて触媒層が活性化されており、ＨＣが良好に浄化さ
れる。本発明者等は更に鋭意研究を重ねた結果、上記吸
着触媒を床下位置に装着し、エンジン始動直後に緩やか
に加速し又は低速走行を続けた場合、表層の触媒層が活
性化する前に内層のゼオライト層から吸着していたＨＣ
の一部が脱離するため、エンジン始動時に排出されたＨ
Ｃの浄化能が少し低下するということがわかった。
【０００９】本発明は、上記問題点を解決するために、
排ガスを、プリ三元触媒、触媒Ａ及び吸着触媒Ｂに順次
通過させて浄化する排ガス浄化方法であって、上記触媒
Ａは、炭化水素、一酸化炭素及び窒素酸化物を理論空燃
比近傍で浄化する三元触媒をハニカム担体にコーティン
グして成り、上記吸着触媒Ｂは、ハニカム担体に、炭化
水素の吸着に有効なゼオライト層を下層として、触媒層
を上層として配して成ることを特徴とする排ガス浄化方
法に関するものである。
排ガスを、プリ三元触媒、触媒Ａ及び吸着触媒Ｂに順次
通過させて浄化する排ガス浄化方法であって、上記触媒
Ａは、炭化水素、一酸化炭素及び窒素酸化物を理論空燃
比近傍で浄化する三元触媒をハニカム担体にコーティン
グして成り、上記吸着触媒Ｂは、ハニカム担体に、炭化
水素の吸着に有効なゼオライト層を下層として、触媒層
を上層として配して成ることを特徴とする排ガス浄化方
法に関するものである。
【００１０】また、流入側の触媒Ａと流出側の吸着触媒
Ｂの距離は任意でよいが、近すぎると背圧上昇によるエ
ンジン性能の低下を引き起こす可能性があり、逆に離れ
すぎていると、流出側の吸着触媒表層の触媒温度が上が
らず脱離ＨＣの浄化率が低下する可能性もある。従っ
て、触媒Ａと吸着触媒Ｂの距離は１０〜５０ｍｍの範囲
とするのが好ましい。
Ｂの距離は任意でよいが、近すぎると背圧上昇によるエ
ンジン性能の低下を引き起こす可能性があり、逆に離れ
すぎていると、流出側の吸着触媒表層の触媒温度が上が
らず脱離ＨＣの浄化率が低下する可能性もある。従っ
て、触媒Ａと吸着触媒Ｂの距離は１０〜５０ｍｍの範囲
とするのが好ましい。
【００１１】上記吸着触媒Ｂとしては、ゼオライト層上
に活性セリア及び／又はアルミナを主成分とした粉末に
触媒成分として白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）及び
ロジウム（Ｒｈ）から成る群より選ばれた少なくとも１
種の貴金属を含む触媒層を備えるものが好ましい。
に活性セリア及び／又はアルミナを主成分とした粉末に
触媒成分として白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）及び
ロジウム（Ｒｈ）から成る群より選ばれた少なくとも１
種の貴金属を含む触媒層を備えるものが好ましい。
【００１２】本発明で使用される担体は、モノリス型の
ハニカム形状のもので、コージエライト質担体、メタル
担体等任意のものが使用される。
ハニカム形状のもので、コージエライト質担体、メタル
担体等任意のものが使用される。
【００１３】一般的にゼオライトは低温時にＨＣを吸着
し、昇温とともに脱離する。触媒がある温度で急激に活
性化するのに対し、ゼオライトからの脱離は温度上昇に
対してある分布を持って排出される。そして、排ガス温
度の上昇に伴い、吸着触媒前に配置した触媒も活性化
し、反応熱によって触媒出口温度、即ち吸着触媒入口温
度が上昇する。この温度上昇によって吸着触媒表層の触
媒も早く活性化するため、ゼオライト層から吸着してい
たＨＣが脱離するときに、効率よく浄化することができ
る。しかも、吸着触媒前に触媒を配置することにより、
ゼオライト層の温度上昇も抑えられるため吸着能も向上
する。
し、昇温とともに脱離する。触媒がある温度で急激に活
性化するのに対し、ゼオライトからの脱離は温度上昇に
対してある分布を持って排出される。そして、排ガス温
度の上昇に伴い、吸着触媒前に配置した触媒も活性化
し、反応熱によって触媒出口温度、即ち吸着触媒入口温
度が上昇する。この温度上昇によって吸着触媒表層の触
媒も早く活性化するため、ゼオライト層から吸着してい
たＨＣが脱離するときに、効率よく浄化することができ
る。しかも、吸着触媒前に触媒を配置することにより、
ゼオライト層の温度上昇も抑えられるため吸着能も向上
する。
【００１４】ゼオライトには多くの種類があるが、本発
明の吸着触媒Ｂに用いるゼオライトとしては、常温ない
し比較的高い温度まで水存在雰囲気下でも充分なＨＣ吸
着能を有し、且つ耐久性の高いものを適宜選択する。例
えば、モルデナイト、ＵＳＹ、βゼオライト、ＺＳＭ−
５等が挙げられる。排ガス中の多種類のＨＣを効率よく
吸着するためには、細孔構造の異なるゼオライトを２種
以上混合するのがより好ましい。
明の吸着触媒Ｂに用いるゼオライトとしては、常温ない
し比較的高い温度まで水存在雰囲気下でも充分なＨＣ吸
着能を有し、且つ耐久性の高いものを適宜選択する。例
えば、モルデナイト、ＵＳＹ、βゼオライト、ＺＳＭ−
５等が挙げられる。排ガス中の多種類のＨＣを効率よく
吸着するためには、細孔構造の異なるゼオライトを２種
以上混合するのがより好ましい。
【００１５】各種ゼオライトはＨ型でも十分な吸着能力
を有するが、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｄ等の
金属をイオン交換法、含浸法、浸漬法等の通常の方法を
用いて担持したゼオライトが、吸着特性及び脱離抑制能
を更に向上することができるため好ましい。各担持量は
任意でよいが、例えば０．１〜１５重量％位が好まし
い。０．１重量％より少ないと吸着特性及び脱離抑制効
果が少なく、逆に１５重量％を超えても効果は変わらな
い。
を有するが、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｄ等の
金属をイオン交換法、含浸法、浸漬法等の通常の方法を
用いて担持したゼオライトが、吸着特性及び脱離抑制能
を更に向上することができるため好ましい。各担持量は
任意でよいが、例えば０．１〜１５重量％位が好まし
い。０．１重量％より少ないと吸着特性及び脱離抑制効
果が少なく、逆に１５重量％を超えても効果は変わらな
い。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例、比較例及び試験例に
より更に詳細に説明する。尚、例中の「部」は特記しな
い限り重量部を表す。
より更に詳細に説明する。尚、例中の「部」は特記しな
い限り重量部を表す。
【００１７】（実施例１）Ｐｔを担持した活性セリア粉
末（以下、Ｐｔ／ＣｅＯ２と記す）１００部、アルミナ
５０部、２％硝酸１５０部を磁気ポットに仕込み、振動
ミル装置で４０分間、若しくはユニバーサルボールミル
装置で６．５ 時間混合粉砕して、ウォッシュコートス
ラリーを製造した。コーディエライト製モノリス担体を
吸引コート法で給水処理した後、上記製造したスラリー
を担体断面全体に均一に投入し、吸引コート法で余分な
スラリーを除去した。その後、乾燥を行い、４００℃で
１時間仮焼成した。これにより、Ｐｔ／ＣｅＯ２層が１
００ｇ／Ｌコート量で担体にコートされた。上記ウォシ
ュコート、乾燥、焼成を更に繰り返して合計２００ｇ／
ＬのＰｔ／ＣｅＯ２層をコートした。次に、Ｒｈを担持
したアルミナ粉末（以下、Ｒｈ／Ａｌ２Ｏ３と記す）１
００部、アルミナ５０部、２％硝酸１５０部を磁器ポッ
トに仕込み、上記と同様にしてウォシュコートスラリー
を製造し、同方法でＰｔ／ＣｅＯ２層の上に５０ｇ／Ｌ
のＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥後、空気雰
囲気６５０℃で３時間の焼成を行い、排気流入側の（触
媒Ａ１）を得た。また、Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／Ａ
ｌ２Ｏ３＝７００）（以下ＺＳＭ−５と記す）１００
部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸
１００部及び水１５部を磁性ポットに仕込み、上記と同
様にしてＺＳＭ−５スラリーを製造し、同方法でモノリ
ス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、４００℃で１
時間焼成を行った。上記と同様にしてＺＳＭ−５層の上
に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾
燥、４００℃で１時間焼成を行った。更にＰｔ／ＣｅＯ
２層の上にＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層を５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥後、空気雰囲気６５０℃で３時間の焼成を行
い、排気流出側の（吸着触媒Ｂ１）を得た。排気流入側
に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１）を得た。
末（以下、Ｐｔ／ＣｅＯ２と記す）１００部、アルミナ
５０部、２％硝酸１５０部を磁気ポットに仕込み、振動
ミル装置で４０分間、若しくはユニバーサルボールミル
装置で６．５ 時間混合粉砕して、ウォッシュコートス
ラリーを製造した。コーディエライト製モノリス担体を
吸引コート法で給水処理した後、上記製造したスラリー
を担体断面全体に均一に投入し、吸引コート法で余分な
スラリーを除去した。その後、乾燥を行い、４００℃で
１時間仮焼成した。これにより、Ｐｔ／ＣｅＯ２層が１
００ｇ／Ｌコート量で担体にコートされた。上記ウォシ
ュコート、乾燥、焼成を更に繰り返して合計２００ｇ／
ＬのＰｔ／ＣｅＯ２層をコートした。次に、Ｒｈを担持
したアルミナ粉末（以下、Ｒｈ／Ａｌ２Ｏ３と記す）１
００部、アルミナ５０部、２％硝酸１５０部を磁器ポッ
トに仕込み、上記と同様にしてウォシュコートスラリー
を製造し、同方法でＰｔ／ＣｅＯ２層の上に５０ｇ／Ｌ
のＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥後、空気雰
囲気６５０℃で３時間の焼成を行い、排気流入側の（触
媒Ａ１）を得た。また、Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／Ａ
ｌ２Ｏ３＝７００）（以下ＺＳＭ−５と記す）１００
部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸
１００部及び水１５部を磁性ポットに仕込み、上記と同
様にしてＺＳＭ−５スラリーを製造し、同方法でモノリ
ス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、４００℃で１
時間焼成を行った。上記と同様にしてＺＳＭ−５層の上
に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾
燥、４００℃で１時間焼成を行った。更にＰｔ／ＣｅＯ
２層の上にＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層を５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥後、空気雰囲気６５０℃で３時間の焼成を行
い、排気流出側の（吸着触媒Ｂ１）を得た。排気流入側
に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１）を得た。
【００１８】（実施例２）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝７００）１００部、シリカゾル（固形分２
０％）２１５部、１０％硝酸１００部及び水１５部を磁
性ポットに仕込み、実施例１と同様にしてＺＳＭ−５ス
ラリーを製造し、同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／
Ｌコート、乾燥、４００℃で１時間焼成を行なった。次
に、Ｐｄを担持したアルミナ粉末（以下、Ｐｄ／Ａｌ２
Ｏ３と記す）１００部、アルミナ５０部、２％硝酸１５
０部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でウォシ
ュコートスラリーを製造し、同コート方法でＺＳＭ−５
層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層をコート
し、乾燥、焼成を行なった。更に、実施例１と同方法で
Ｒｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０
ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２）
を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸
着触媒Ｂ２）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２）を
得た。
Ａｌ２Ｏ３＝７００）１００部、シリカゾル（固形分２
０％）２１５部、１０％硝酸１００部及び水１５部を磁
性ポットに仕込み、実施例１と同様にしてＺＳＭ−５ス
ラリーを製造し、同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／
Ｌコート、乾燥、４００℃で１時間焼成を行なった。次
に、Ｐｄを担持したアルミナ粉末（以下、Ｐｄ／Ａｌ２
Ｏ３と記す）１００部、アルミナ５０部、２％硝酸１５
０部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でウォシ
ュコートスラリーを製造し、同コート方法でＺＳＭ−５
層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層をコート
し、乾燥、焼成を行なった。更に、実施例１と同方法で
Ｒｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０
ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２）
を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸
着触媒Ｂ２）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２）を
得た。
【００１９】（実施例３）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝５０）（以下ＵＳＹと記す）５０部、シリ
カゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００
部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法
でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方
法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼
成を行い、（吸着触媒Ｂ３）を得た。排気流入側に（触
媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ３）を組合せ、
（タンデム型吸着触媒−３）を得た。
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝５０）（以下ＵＳＹと記す）５０部、シリ
カゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００
部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法
でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方
法でＺＳＭ−５とＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼
成を行い、（吸着触媒Ｂ３）を得た。排気流入側に（触
媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ３）を組合せ、
（タンデム型吸着触媒−３）を得た。
【００２０】（実施例４）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝５０）５０部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹ
の混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法
でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とＵＳ
Ｙの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒
層をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と
同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層
上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触
媒Ｂ４）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出
側に（吸着触媒Ｂ４）を組合せ、（タンデム型吸着触媒
−４）を得た。
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝５０）５０部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹ
の混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法
でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とＵＳ
Ｙの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒
層をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と
同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層
上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触
媒Ｂ４）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出
側に（吸着触媒Ｂ４）を組合せ、（タンデム型吸着触媒
−４）を得た。
【００２１】（実施例５）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝７００）６７部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹ
の混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法
でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳ
Ｙの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層
をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同
方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／Ａｌ２Ｏ３層上
に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒
Ｂ５）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側
に（吸着触媒Ｂ５）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−
５）を得た。
Ａｌ２Ｏ３＝７００）６７部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹ
の混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法
でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳ
Ｙの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層
をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同
方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／Ａｌ２Ｏ３層上
に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒
Ｂ５）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側
に（吸着触媒Ｂ５）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−
５）を得た。
【００２２】（実施例６）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝７００）６７部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹ
の混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法
でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とＵＳ
Ｙの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒
層をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と
同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／Ａｌ２Ｏ３層
上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触
媒Ｂ６）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出
側に（吸着触媒Ｂ６）を組合せ、（タンデム型吸着触媒
−６）を得た。
Ａｌ２Ｏ３＝７００）６７部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とＵＳＹ
の混合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法
でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成
を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５とＵＳ
Ｙの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒
層をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と
同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／Ａｌ２Ｏ３層
上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触
媒Ｂ６）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出
側に（吸着触媒Ｂ６）を組合せ、（タンデム型吸着触媒
−６）を得た。
【００２３】（実施例７）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型モルデナイト（以下
モルデナイトと記す）（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝２０
０）５０部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１
０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５とモルデナイトの混合スラ
リーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス
担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とモルデナイトの
混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコ
ートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法
でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０
ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ７）
を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸
着触媒Ｂ７）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−７）を
得た。
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型モルデナイト（以下
モルデナイトと記す）（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝２０
０）５０部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１
０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５とモルデナイトの混合スラ
リーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス
担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とモルデナイトの
混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコ
ートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法
でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０
ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ７）
を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸
着触媒Ｂ７）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−７）を
得た。
【００２４】（実施例８）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型モルデナイト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）５０部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５と
モルデナイトの混合スラリーを製造した。そして、実施
例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺ
ＳＭ−５とモルデナイトの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｔ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、
焼成を行い、（吸着触媒Ｂ８）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ８）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−８）を得た。
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型モルデナイト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）５０部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５と
モルデナイトの混合スラリーを製造した。そして、実施
例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺ
ＳＭ−５とモルデナイトの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｔ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、
焼成を行い、（吸着触媒Ｂ８）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ８）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−８）を得た。
【００２５】（実施例９）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２／
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型βゼオライト（以下
βゼオライトと記す）（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１０
０）５０部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１
０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオライトの混合スラ
リーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス
担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオライトの
混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／Ａｌ２Ｏ３触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方
法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５
０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ
９）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に
（吸着触媒Ｂ９）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−
９）を得た。
Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型βゼオライト（以下
βゼオライトと記す）（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１０
０）５０部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１
０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実
施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオライトの混合スラ
リーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス
担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。
次に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５とβゼオライトの
混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／Ａｌ２Ｏ３触媒層を
コートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方
法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５
０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ
９）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に
（吸着触媒Ｂ９）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−
９）を得た。
【００２６】（実施例１０）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型βゼオライト（Ｓ
ｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）５０部、シリカゾル（固
形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５
とβゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実
施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺ
ＳＭ−５とβゼオライトの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、
焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１０）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１０）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１０）を得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ｈ型βゼオライト（Ｓ
ｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）５０部、シリカゾル（固
形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５
とβゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実
施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺ
ＳＭ−５とβゼオライトの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、
焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１０）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１０）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１０）を得た。
【００２７】（実施例１１）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）６７部、Ｈ型βゼオライト（Ｓ
ｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）３３部、シリカゾル（固
形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５
とβゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実
施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺ
ＳＭ−５とβゼオライトの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼
成を行い、（吸着触媒Ｂ１１）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１１）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１１）を得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）６７部、Ｈ型βゼオライト（Ｓ
ｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）３３部、シリカゾル（固
形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５
とβゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実
施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺ
ＳＭ−５とβゼオライトの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼
成を行い、（吸着触媒Ｂ１１）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１１）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１１）を得た。
【００２８】（実施例１２）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）６７部、Ｈ型βゼオライト（Ｓ
ｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）３３部、シリカゾル（固
形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５
とβゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実
施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺ
ＳＭ−５とβゼオライトの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、
焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１２）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１２）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１２）を得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）６７部、Ｈ型βゼオライト（Ｓ
ｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）３３部、シリカゾル（固
形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５
とβゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実
施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺ
ＳＭ−５とβゼオライトの混合層の上に１００ｇ／Ｌの
Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層
をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、
焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１２）を得た。排気流入側に
（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１２）を組合
せ、（タンデム型吸着触媒−１２）を得た。
【００２９】（実施例１３）Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａ
ｌ２Ｏ３＝５０）１００部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＵＳＹスラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次に、実
施例１と同方法でＵＳＹ層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／
ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更
に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ
／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行
い、（吸着触媒Ｂ１３）を得た。排気流入側に（触媒Ａ
１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１３）を組合せ、（タ
ンデム型吸着触媒−１３）を得た。
ｌ２Ｏ３＝５０）１００部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＵＳＹスラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次に、実
施例１と同方法でＵＳＹ層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／
ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更
に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ
／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行
い、（吸着触媒Ｂ１３）を得た。排気流入側に（触媒Ａ
１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１３）を組合せ、（タ
ンデム型吸着触媒−１３）を得た。
【００３０】（実施例１４）Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａ
ｌ２Ｏ３＝５０）１００部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＵＳＹスラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次に、実
施例２と同方法でＵＳＹ層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更
に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ
／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を
行い、（吸着触媒Ｂ１４）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１４）を組合せ、
（タンデム型吸着触媒−１４）を得た。
ｌ２Ｏ３＝５０）１００部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポ
ットに仕込み、実施例１と同方法でＵＳＹスラリーを製
造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に
１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次に、実
施例２と同方法でＵＳＹ層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更
に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ
／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を
行い、（吸着触媒Ｂ１４）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１４）を組合せ、
（タンデム型吸着触媒−１４）を得た。
【００３１】（実施例１５）Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ
２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）１００部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でβゼオライト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例１と同方法でβゼオライト層の上に１
００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ ２触媒層をコートし、乾燥、
焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２
Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１５）を得た。排
気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１
５）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１５）を得た。
２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）１００部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でβゼオライト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例１と同方法でβゼオライト層の上に１
００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ ２触媒層をコートし、乾燥、
焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２
Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコート
し、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１５）を得た。排
気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ１
５）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１５）を得た。
【００３２】（実施例１６）Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ
２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）１００部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でβゼオライト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に１５０ｇ／Ｌ コートし、乾燥、焼成を行
った。次に、実施例２と同方法でβゼオライト層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１６）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ１６）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１６）を
得た。
２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）１００部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でβゼオライト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に１５０ｇ／Ｌ コートし、乾燥、焼成を行
った。次に、実施例２と同方法でβゼオライト層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１６）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ１６）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１６）を
得た。
【００３３】（実施例１７）Ｈ型モルデナイト（ＳｉＯ
２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）１００部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でモルデナイト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に１５０ｇ／Ｌ コートし、乾燥、焼成を行
った。次に、実施例１と同方法でモルデナイト層の上に
１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ ２触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１７）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
１７）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１７）を得
た。
２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）１００部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でモルデナイト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に１５０ｇ／Ｌ コートし、乾燥、焼成を行
った。次に、実施例１と同方法でモルデナイト層の上に
１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ ２触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１７）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
１７）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１７）を得
た。
【００３４】（実施例１８）Ｈ型モルデナイト（ＳｉＯ
２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）１００部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でモルデナイト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例２と同方法でモルデナイト層の上に１
００ｇ／ＬのＰｔ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１８）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ１８）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１８）を
得た。
２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）１００部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でモルデナイト
スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノ
リス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行っ
た。次に、実施例２と同方法でモルデナイト層の上に１
００ｇ／ＬのＰｔ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１８）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ１８）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１８）を
得た。
【００３５】（実施例１９）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、Ｈ型モルデナイト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）３３部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、
ＵＳＹ、モルデナイトの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方
法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モルデナイトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１９）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
１９）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１９）を得
た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、Ｈ型モルデナイト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）３３部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、
ＵＳＹ、モルデナイトの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方
法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モルデナイトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ１９）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
１９）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−１９）を得
た。
【００３６】（実施例２０）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、Ｈ型モルデナイト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）３３部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、
ＵＳＹ、モルデナイトの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同
方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モルデナイトの混合層の上
に１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、
乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２０）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ２０）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２０）を
得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、Ｈ型モルデナイト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝２００）３３部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、
ＵＳＹ、モルデナイトの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同
方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、モルデナイトの混合層の上
に１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、
乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２０）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ２０）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２０）を
得た。
【００３７】（実施例２１）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、Ｈ型βゼオライト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）３３部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５ 部、１０％硝酸１００部、水１５部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、ＵＳＹ、βゼオライトの混合スラリーを製造した。
そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ
／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と
同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、βゼオライトの混合層の
上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、
乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２１）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ２１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２１）を
得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、Ｈ型βゼオライト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）３３部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５ 部、１０％硝酸１００部、水１５部
を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−
５、ＵＳＹ、βゼオライトの混合スラリーを製造した。
そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ
／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と
同方法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、βゼオライトの混合層の
上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、
乾燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２１）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ２１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２１）を
得た。
【００３８】（実施例２２）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、Ｈ型βゼオライト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）３３部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、
ＵＳＹ、βゼオライトの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方
法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２２）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ２２）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２２）を
得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、Ｈ型βゼオライト（Ｓｉ
Ｏ２／Ａｌ２Ｏ３＝１００）３３部、シリカゾル（固形
分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水１５部を
磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、
ＵＳＹ、βゼオライトの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方
法でＺＳＭ−５、ＵＳＹ、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２２）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ２２）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２２）を
得た。
【００３９】（実施例２３）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ａｇをイオン交換した
ＺＳＭ−５（以下、Ａｇ−ＺＳＭ−５と記す）（Ａｇ担
持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）３３部、
Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、シ
リカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００
部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法
でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合スラリ
ーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担
体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−
５、ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ
２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施
例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ
２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸
着触媒Ｂ２３）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排
気流出側に（吸着触媒Ｂ２３）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−２３）を得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ａｇをイオン交換した
ＺＳＭ−５（以下、Ａｇ−ＺＳＭ−５と記す）（Ａｇ担
持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）３３部、
Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、シ
リカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００
部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法
でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合スラリ
ーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担
体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−
５、ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ
２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施
例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ
２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸
着触媒Ｂ２３）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排
気流出側に（吸着触媒Ｂ２３）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−２３）を得た。
【００４０】（実施例２４）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ａｇ担持ＺＳＭ−５
（Ａｇ担持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３
３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝
酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１
と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混
合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモ
ノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行
った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−Ｚ
ＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更
に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ
／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を
行い、（吸着触媒Ｂ２４）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ２４）を組合せ、
（タンデム型吸着触媒−２４）を得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ａｇ担持ＺＳＭ−５
（Ａｇ担持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３
３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝
酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１
と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混
合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモ
ノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行
った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−Ｚ
ＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更
に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ
／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を
行い、（吸着触媒Ｂ２４）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ２４）を組合せ、
（タンデム型吸着触媒−２４）を得た。
【００４１】（実施例２５）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｐｄをイオン交換した
ＺＳＭ−５（以下、Ｐｄ−ＺＳＭ−５と記す）（Ｐｄ担
持量２重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）３３部、
Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、シ
リカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００
部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法
でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合スラリ
ーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担
体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−
５、ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ
２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施
例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ
２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸
着触媒Ｂ２５）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排
気流出側に（吸着触媒Ｂ２５）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−２５）を得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｐｄをイオン交換した
ＺＳＭ−５（以下、Ｐｄ−ＺＳＭ−５と記す）（Ｐｄ担
持量２重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）３３部、
Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３３部、シ
リカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００
部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法
でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混合スラリ
ーを製造した。そして、実施例１と同方法でモノリス担
体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次
に、実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−
５、ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ
２触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更に、実施
例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ
２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行い、（吸
着触媒Ｂ２５）を得た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排
気流出側に（吸着触媒Ｂ２５）を組合せ、（タンデム型
吸着触媒−２５）を得た。
【００４２】（実施例２６）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｐｄ担持ＺＳＭ−５
（Ｐｄ担持量２重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３
３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝
酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１
と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混
合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモ
ノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行
った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−Ｚ
ＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更
に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ
／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を
行い、（吸着触媒Ｂ２６）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ２６）を組合せ、
（タンデム型吸着触媒−２６）を得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｐｄ担持ＺＳＭ−５
（Ｐｄ担持量２重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝５０）３
３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝
酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１
と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、ＵＳＹの混
合スラリーを製造した。そして、実施例１と同方法でモ
ノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行
った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−Ｚ
ＳＭ−５、ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ／ＬのＰｄ／
Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾燥、焼成を行った。更
に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ
／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を
行い、（吸着触媒Ｂ２６）を得た。排気流入側に（触媒
Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ２６）を組合せ、
（タンデム型吸着触媒−２６）を得た。
【００４３】（実施例２７）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ａｇ担持ＺＳＭ−５
（Ａｇ担持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１
００）３３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、
１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、
実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、β
ゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ
−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２７）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
２７）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２７）を得
た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ａｇ担持ＺＳＭ−５
（Ａｇ担持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１
００）３３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、
１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、
実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、β
ゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ
−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２７）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
２７）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２７）を得
た。
【００４４】（実施例２８）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ａｇ担持ＺＳＭ−５
（Ａｇ担持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１
００）３３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、
１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、
実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、β
ゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ
−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２８）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ２８）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２８）を
得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ａｇ担持ＺＳＭ−５
（Ａｇ担持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１
００）３３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、
１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、
実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、β
ゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ
−５、Ａｇ−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２８）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ２８）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２８）を
得た。
【００４５】（実施例２９）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｐｄ担持ＺＳＭ−５
（Ｐｄ担持量２重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１
００）３３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、
１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、
実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、β
ゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ
−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２９）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
２９）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２９）を得
た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｐｄ担持ＺＳＭ−５
（Ｐｄ担持量２重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１
００）３３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、
１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、
実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、β
ゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方法でＺＳＭ
−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコー
トし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ２９）を得た。
排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ
２９）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−２９）を得
た。
【００４６】（実施例３０）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｐｄ担持ＺＳＭ−５
（Ｐｄ担持量２重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１
００）３３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、
１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、
実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、β
ゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ
−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ３０）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ３０）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３０）を
得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）３４部、Ｐｄ担持ＺＳＭ−５
（Ｐｄ担持量２重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝３０）
３３部、Ｈ型βゼオライト（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１
００）３３部、シリカゾル（固形分２０％）２１５部、
１０％硝酸１００部、水１５部を磁器ポットに仕込み、
実施例１と同方法でＺＳＭ−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、β
ゼオライトの混合スラリーを製造した。そして、実施例
１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌコートし、
乾燥、焼成を行った。次に、実施例２と同方法でＺＳＭ
−５、Ｐｄ−ＺＳＭ−５、βゼオライトの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ３０）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ３０）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３０）を
得た。
【００４７】（実施例３１）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ａｇをイオン交換した
ＵＳＹ（以下、Ａｇ−ＵＳＹと記す）（Ａｇ担持量５重
量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１２）５０部、シリカゾ
ル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水
１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳ
Ｍ−５、Ａｇ−ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方
法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ
／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾燥、焼成を
行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触
媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾
燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ３１）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ３１）を
組合せ、（タンデム型吸着触媒−３１）を得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ａｇをイオン交換した
ＵＳＹ（以下、Ａｇ−ＵＳＹと記す）（Ａｇ担持量５重
量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１２）５０部、シリカゾ
ル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１００部、水
１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方法でＺＳ
Ｍ−５、Ａｇ−ＵＳＹの混合スラリーを製造した。そし
て、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５０ｇ／Ｌ
コートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例１と同方
法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＵＳＹの混合層の上に１００ｇ
／ＬのＰｔ／ＣｅＯ２触媒層をコートし、乾燥、焼成を
行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａｌ２Ｏ３触
媒層をＰｔ／ＣｅＯ２層上に５０ｇ／Ｌコートし、乾
燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ３１）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ３１）を
組合せ、（タンデム型吸着触媒−３１）を得た。
【００４８】（実施例３２）Ｈ型ＺＳＭ−５（ＳｉＯ２
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ａｇ−ＵＳＹ（Ａｇ担
持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１２）５０部、
シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１０
０部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方
法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＵＳＹの混合スラリーを製造し
た。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５
０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
２と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＵＳＹの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ３２）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ３２）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３２）を
得た。
／Ａｌ２Ｏ３＝７００）５０部、Ａｇ−ＵＳＹ（Ａｇ担
持量５重量％、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝１２）５０部、
シリカゾル（固形分２０％）２１５部、１０％硝酸１０
０部、水１５部を磁器ポットに仕込み、実施例１と同方
法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＵＳＹの混合スラリーを製造し
た。そして、実施例１と同方法でモノリス担体上に１５
０ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行った。次に、実施例
２と同方法でＺＳＭ−５、Ａｇ−ＵＳＹの混合層の上に
１００ｇ／ＬのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３触媒層をコートし、乾
燥、焼成を行った。更に、実施例１と同方法でＲｈ／Ａ
ｌ２Ｏ３触媒層をＰｄ／Ａｌ２Ｏ３層上に５０ｇ／Ｌコ
ートし、乾燥、焼成を行い、（吸着触媒Ｂ３２）を得
た。排気流入側に（触媒Ａ１）、排気流出側に（吸着触
媒Ｂ３２）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３２）を
得た。
【００４９】（実施例３３）実施例１と同方法でＰｄ／
ＣｅＯ２層を２００ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、同方法でＰｄ／ＣｅＯ２層上にＲｈ／Ａｌ２
Ｏ３層を５０ｇ／Ｌコートし、乾燥後、雰囲気６５０℃
で３時間の焼成を行い、（触媒Ａ２）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ２）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ５）を組
合せ、（タンデム型吸着触媒−３３）を得た。
ＣｅＯ２層を２００ｇ／Ｌコートし、乾燥、焼成を行っ
た。更に、同方法でＰｄ／ＣｅＯ２層上にＲｈ／Ａｌ２
Ｏ３層を５０ｇ／Ｌコートし、乾燥後、雰囲気６５０℃
で３時間の焼成を行い、（触媒Ａ２）を得た。排気流入
側に（触媒Ａ２）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ５）を組
合せ、（タンデム型吸着触媒−３３）を得た。
【００５０】（実施例３４）排気流入側に（触媒Ａ
２）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ９）を組合せ、（タン
デム型吸着触媒−３３）を得た。
２）、排気流出側に（吸着触媒Ｂ９）を組合せ、（タン
デム型吸着触媒−３３）を得た。
【００５１】（比較例１）Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ
２Ｏ３＝５０）を１００部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸水１００部、水１５部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でウォッシュコート
スラリーを製造し、同コート方法でモノリス担体に１５
０ｇ／Ｌコート、乾燥、焼成を行ない、（吸着触媒Ｂ３
５）を得た。排気流入側に（吸着触媒３５）、排出流出
側に（触媒Ａ１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３
５）を得た。
２Ｏ３＝５０）を１００部、シリカゾル（固形分２０
％）２１５部、１０％硝酸水１００部、水１５部を磁器
ポットに仕込み、実施例１と同方法でウォッシュコート
スラリーを製造し、同コート方法でモノリス担体に１５
０ｇ／Ｌコート、乾燥、焼成を行ない、（吸着触媒Ｂ３
５）を得た。排気流入側に（吸着触媒３５）、排出流出
側に（触媒Ａ１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３
５）を得た。
【００５２】（比較例２）Ｈ型ＵＳＹ（ＳｉＯ２／Ａｌ
２Ｏ３＝７）を１００部、シリカゾル（固形分２０％）
２１５部、１０％硝酸水１００部、水１５部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でウォッシュコートスラ
リーを製造し、同コート方法でモノリス担体に１５０ｇ
／Ｌコート、乾燥、焼成を行ない、（吸着触媒−３６）
を得た。排気流入側に（吸着触媒Ｂ３６）、排出流出側
に（触媒Ａ１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３
６）を得た。
２Ｏ３＝７）を１００部、シリカゾル（固形分２０％）
２１５部、１０％硝酸水１００部、水１５部を磁器ポッ
トに仕込み、実施例１と同方法でウォッシュコートスラ
リーを製造し、同コート方法でモノリス担体に１５０ｇ
／Ｌコート、乾燥、焼成を行ない、（吸着触媒−３６）
を得た。排気流入側に（吸着触媒Ｂ３６）、排出流出側
に（触媒Ａ１）を組合せ、（タンデム型吸着触媒−３
６）を得た。
【００５３】（比較例３）排気流入側に（吸着触媒Ｂ１
３）、排気流出側に（触媒Ａ１）を組合せ、（タンデム
型吸着触媒−３７）を得た。
３）、排気流出側に（触媒Ａ１）を組合せ、（タンデム
型吸着触媒−３７）を得た。
【００５４】［試験例］実施例１〜３４及び比較例１〜
４の触媒Ａと吸着触媒Ｂを用いたタンデム型吸着触媒を
使用して下記評価条件でＨＣ吸着・浄化特性評価（ＦＴ
Ｐ７５Ａｂａｇ）を日産自動車（株）製車両（排気量３
リットル）を用いて行った。各吸着触媒Ｂの浄化特性は
吸着触媒未装着システム（触媒Ａのみ）と性能比較を行
なった。即ち、評価は、（１）エンジン始動時に排出さ
れるＨＣの吸着能を評価するためＡｂａｇ０〜１２５秒
間のエミッション低減率を測定し、（２）エンジン始動
時及び昇温後のＨＣの吸着浄化能を評価するためＡｂａ
ｇ０〜５０５秒間のエミッション低減率を測定した。
４の触媒Ａと吸着触媒Ｂを用いたタンデム型吸着触媒を
使用して下記評価条件でＨＣ吸着・浄化特性評価（ＦＴ
Ｐ７５Ａｂａｇ）を日産自動車（株）製車両（排気量３
リットル）を用いて行った。各吸着触媒Ｂの浄化特性は
吸着触媒未装着システム（触媒Ａのみ）と性能比較を行
なった。即ち、評価は、（１）エンジン始動時に排出さ
れるＨＣの吸着能を評価するためＡｂａｇ０〜１２５秒
間のエミッション低減率を測定し、（２）エンジン始動
時及び昇温後のＨＣの吸着浄化能を評価するためＡｂａ
ｇ０〜５０５秒間のエミッション低減率を測定した。
【００５５】
ガス組成 エンジン始動時（０〜１２５秒） 芳香族 ４４．４％
パラフィン ３３．３％
オレフィン ２２．３％
エンジン暖気時（１２５〜５０５秒）芳香族 ４３．７％
パラフィン ２０．１％
オレフィン ３６．２％
流入側触媒Ａの入口温度 ０秒 ２５℃
１００秒 １９０℃
２００秒 ３４０℃
３００秒 ４７０℃
４００秒 ４２０℃
５００秒 ４００℃
【００５６】尚、評価に当たっては図１示すようにエン
ジン１のエギゾーストマニホールド２にプリ三元触媒３
（０．５Ｌ）として４０ｇ／ｃｆのＰｔ／ＲｈがＰｔ：
Ｒｈ＝５：１の比で担持した触媒を、８５０℃で１００
時間エンジン耐久（燃焼カット有）したＰｔ−Ｒｈ系触
媒の耐久品を配置し、床下三元触媒Ａ４（１．３Ｌ）の
後に吸着触媒Ｂ５（１．３Ｌ）を装着した排ガス浄化装
置を用い、吸着触媒Ｂ未装着の場合と性能比較を行っ
た。評価結果を表１に示す。
ジン１のエギゾーストマニホールド２にプリ三元触媒３
（０．５Ｌ）として４０ｇ／ｃｆのＰｔ／ＲｈがＰｔ：
Ｒｈ＝５：１の比で担持した触媒を、８５０℃で１００
時間エンジン耐久（燃焼カット有）したＰｔ−Ｒｈ系触
媒の耐久品を配置し、床下三元触媒Ａ４（１．３Ｌ）の
後に吸着触媒Ｂ５（１．３Ｌ）を装着した排ガス浄化装
置を用い、吸着触媒Ｂ未装着の場合と性能比較を行っ
た。評価結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の排ガ
ス浄化方法においては、担体上に触媒活性成分を含む無
機物をコートした触媒を排気流入側に配置し、担体上に
ＨＣ吸着に有効なゼオライトから成る吸着層がコートさ
れた吸着触媒を排気流出側に配置することにより、吸着
層からＨＣが脱離し始める温度においても、脱離したＨ
Ｃが良好に浄化される。
ス浄化方法においては、担体上に触媒活性成分を含む無
機物をコートした触媒を排気流入側に配置し、担体上に
ＨＣ吸着に有効なゼオライトから成る吸着層がコートさ
れた吸着触媒を排気流出側に配置することにより、吸着
層からＨＣが脱離し始める温度においても、脱離したＨ
Ｃが良好に浄化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】試験例に用いた排ガス浄化装置の系統図であ
る。
る。
１ エンジン
２ エキゾ−ストマニホールド
３ プリ三元触媒
４ 触媒Ａ
５ 吸着触媒Ｂ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3G091 AB03 AB10 BA03 FA01 GA06
GB06W GB07W GB09X GB10X
HA01 HA03 HA12
4D048 AA18 BA03X BA10X BA11X
BA19X BA30X BA31X BA33Y
BB02 EA04
4G069 AA03 AA08 BA01A BA01B
BA07A BA07B BA13A BA13B
BC43A BC43B BC71A BC72A
BC72B BC75A BC75B CA03
CA07 CA15 EA18 FA06 FB14
FB18 FB19 FB67 ZA05A
ZA06A ZA11A ZA11B ZA19A
Claims (6)
- 【請求項１】 排ガスを、プリ三元触媒、触媒Ａ及び吸
着触媒Ｂに順次通過させて浄化する排ガス浄化方法であ
って、 上記触媒Ａは、炭化水素、一酸化炭素及び窒素酸化物を
理論空燃比近傍で浄化する三元触媒をハニカム担体にコ
ーティングして成り、 上記吸着触媒Ｂは、ハニカム担体に、炭化水素の吸着に
有効なゼオライト層を下層として、触媒層を上層として
配して成ることを特徴とする排ガス浄化方法。 - 【請求項２】 上記触媒Ａには上記プリ三元触媒から流
出した排ガスが常時流入し、上記触媒Ｂには上記触媒Ａ
から流出した排ガスが常時流入することを特徴とする請
求項１に記載の排ガス浄化方法。 - 【請求項３】 上記触媒Ｂの触媒層は、活性セリア及び
／又はアルミナを主成分とした粉末に触媒成分としての
白金、パラジウム及びロジウムから成る群より選ばれた
少なくとも１種の貴金属を予め含ませた粉末を、上記ゼ
オライト層上にコーティングして形成されることを特徴
とする請求項１又は２に記載の排ガス浄化方法。 - 【請求項４】 上記プリ三元触媒がエンジンのエキゾー
ストマニホールド位置に装着され、且つ上記吸着触媒Ｂ
が床下位置に装着されていることを特徴とする請求項１
〜３のいずれか１つの項に記載の排ガス浄化方法。 - 【請求項５】 上記触媒Ａと吸着触媒Ｂとは、１０〜５
０ｍｍの距離範囲で配置されることを特徴とする請求項
１〜４のいずれか１つの項に記載の排ガス浄化方法。 - 【請求項６】 上記吸着触媒Ｂにおけるゼオライトとし
てモルデナイト、ＵＳＹ、βゼオライト及びＺＳＭ−５
から成る群より選ばれた少なくとも１種のものを用いた
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つの項に記
載の排ガス浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003103749A JP3991908B2 (ja) | 2003-04-08 | 2003-04-08 | 排ガス浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003103749A JP3991908B2 (ja) | 2003-04-08 | 2003-04-08 | 排ガス浄化方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17461798A Division JP3459037B2 (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 排ガス浄化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003326165A true JP2003326165A (ja) | 2003-11-18 |
| JP3991908B2 JP3991908B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=29707384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003103749A Expired - Lifetime JP3991908B2 (ja) | 2003-04-08 | 2003-04-08 | 排ガス浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3991908B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007007609A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Nissan Motor Co Ltd | 排気ガス浄化用触媒及びその製造方法 |
| JP2014504202A (ja) * | 2010-11-24 | 2014-02-20 | ビーエーエスエフ コーポレーション | ディーゼル酸化触媒体ならびにその作製および使用方法 |
-
2003
- 2003-04-08 JP JP2003103749A patent/JP3991908B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007007609A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Nissan Motor Co Ltd | 排気ガス浄化用触媒及びその製造方法 |
| JP2014504202A (ja) * | 2010-11-24 | 2014-02-20 | ビーエーエスエフ コーポレーション | ディーゼル酸化触媒体ならびにその作製および使用方法 |
| KR101862814B1 (ko) | 2010-11-24 | 2018-05-30 | 바스프 코포레이션 | 디젤 산화 촉매 물품 및 그의 제조 및 사용 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3991908B2 (ja) | 2007-10-17 |
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