JP2003318169A - 窒化シリコン膜作製方法及び窒化シリコン膜作製装置 - Google Patents
窒化シリコン膜作製方法及び窒化シリコン膜作製装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、所望の膜質の窒化シリコン膜を再
現性よく堆積することが可能な薄膜作製装置及び作製方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 排気系及びガス供給系が連結された真空
容器内に、発熱体及び基板を配置し、該発熱体を所定温
度に維持して前記ガス供給系から供給される原料ガスを
分解又は活性化し、基板表面に窒化シリコン薄膜を堆積
させる化学蒸着装置及び蒸着方法であって、前記真空容
器の内部に、前記発熱体及び基板を囲むように内壁を配
置して成膜空間を形成し、前記発熱体が前記成膜空間に
配置され、前記成膜空間に原料ガスを導入するガス導入
手段を設けるとともに、前記内壁の加熱手段及び／又は
冷却手段を設け、該内壁を所定の温度に制御する構成と
したことを特徴とする。
現性よく堆積することが可能な薄膜作製装置及び作製方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 排気系及びガス供給系が連結された真空
容器内に、発熱体及び基板を配置し、該発熱体を所定温
度に維持して前記ガス供給系から供給される原料ガスを
分解又は活性化し、基板表面に窒化シリコン薄膜を堆積
させる化学蒸着装置及び蒸着方法であって、前記真空容
器の内部に、前記発熱体及び基板を囲むように内壁を配
置して成膜空間を形成し、前記発熱体が前記成膜空間に
配置され、前記成膜空間に原料ガスを導入するガス導入
手段を設けるとともに、前記内壁の加熱手段及び／又は
冷却手段を設け、該内壁を所定の温度に制御する構成と
したことを特徴とする。
Description
【０００１】本発明は、膜厚及び膜質の再現性に優れた
窒化シリコン膜作製装置及び窒化シリコン膜作製方法に
係り、特にＨＥＭＴ、ＨＢＴ等の化合物半導体デバイス
に用いられる窒化シリコン膜の作製装置及び作製方法に
関する。
窒化シリコン膜作製装置及び窒化シリコン膜作製方法に
係り、特にＨＥＭＴ、ＨＢＴ等の化合物半導体デバイス
に用いられる窒化シリコン膜の作製装置及び作製方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造には、熱ＣＶＤ法
やプラズマＣＶＤ法等の化学蒸着法が広く用いられてい
るが、デバイスのより一層の高機能化、高集積化が求め
られてくるとプラズマによる損傷や処理温度が大きな問
題となり、これらの問題がなく良質の薄膜を形成できる
Ｃａｔ−ＣＶＤ法が注目され、種々の薄膜への応用、実
用化の検討が行われている（特開平１０−８３９８８号
公報等）。
やプラズマＣＶＤ法等の化学蒸着法が広く用いられてい
るが、デバイスのより一層の高機能化、高集積化が求め
られてくるとプラズマによる損傷や処理温度が大きな問
題となり、これらの問題がなく良質の薄膜を形成できる
Ｃａｔ−ＣＶＤ法が注目され、種々の薄膜への応用、実
用化の検討が行われている（特開平１０−８３９８８号
公報等）。
【０００３】この方法は、例えば、図３に示すように、
排気口２及びガス導入手段８を取り付けた真空容器１中
に、基板７を保持する基板ホルダ３に対向してタングス
テン等の高融点金属の発熱体４を配置した装置を用いて
行われる。まず、真空容器内部を排気し、外部の電源か
ら接続端子５を介して発熱体４に通電して１０００〜２
０００℃程度に加熱維持する。続いてガス導入手段８か
ら原料ガスを真空容器内に導入すると、発熱体表面又は
その近傍で原料ガスが分解又は活性化し、基板上に薄膜
の堆積が開始する。この方法を例えばＧａＡｓ系ＨＥＭ
Ｔの窒化シリコン保護膜の堆積に応用することにより、
基板への表面損傷が少なく、動特性に優れたデバイスが
得られることが確認されている ( R.Hattori et al.,
Technical Digest of 19th AnnualGaAs IC Symp., Anah
eim, 1997, p.78.）。
排気口２及びガス導入手段８を取り付けた真空容器１中
に、基板７を保持する基板ホルダ３に対向してタングス
テン等の高融点金属の発熱体４を配置した装置を用いて
行われる。まず、真空容器内部を排気し、外部の電源か
ら接続端子５を介して発熱体４に通電して１０００〜２
０００℃程度に加熱維持する。続いてガス導入手段８か
ら原料ガスを真空容器内に導入すると、発熱体表面又は
その近傍で原料ガスが分解又は活性化し、基板上に薄膜
の堆積が開始する。この方法を例えばＧａＡｓ系ＨＥＭ
Ｔの窒化シリコン保護膜の堆積に応用することにより、
基板への表面損傷が少なく、動特性に優れたデバイスが
得られることが確認されている ( R.Hattori et al.,
Technical Digest of 19th AnnualGaAs IC Symp., Anah
eim, 1997, p.78.）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、その一方で、
多数の基板に窒化シリコン膜を連続して形成すると、基
板間で膜質及び膜厚にバラツキが生じ、安定したデバイ
ス特性が得られないという問題があることが分かった。
そこで、この原因を究明すべく、装置内部の部材の配置
及び構造、成膜条件や脱ガス処理等の前処理条件、容器
内部の付着膜のクリーニング等の検討を行う中で、真空
容器内壁への膜付着を防止し、メンテナンスを容易にす
るために設けた膜防着シールド板の温度及びその形状に
より、膜質及び膜厚の再現性が大きく変動することを見
出した。一般に、このような装置では、膜防着シールド
板は真空容器に直接又は間接に接続され、その温度は発
熱体温度と連動している。即ち、成膜による温度上昇や
成膜停止による温度降下が真空容器とともに繰り返し発
生していた。今回、防着シールド板温度と膜質、膜厚と
の関係を検討したところ、このような発熱体及び基板の
周辺温度の変動により膜質等の再現性が大きく変動する
ことが分かった。
多数の基板に窒化シリコン膜を連続して形成すると、基
板間で膜質及び膜厚にバラツキが生じ、安定したデバイ
ス特性が得られないという問題があることが分かった。
そこで、この原因を究明すべく、装置内部の部材の配置
及び構造、成膜条件や脱ガス処理等の前処理条件、容器
内部の付着膜のクリーニング等の検討を行う中で、真空
容器内壁への膜付着を防止し、メンテナンスを容易にす
るために設けた膜防着シールド板の温度及びその形状に
より、膜質及び膜厚の再現性が大きく変動することを見
出した。一般に、このような装置では、膜防着シールド
板は真空容器に直接又は間接に接続され、その温度は発
熱体温度と連動している。即ち、成膜による温度上昇や
成膜停止による温度降下が真空容器とともに繰り返し発
生していた。今回、防着シールド板温度と膜質、膜厚と
の関係を検討したところ、このような発熱体及び基板の
周辺温度の変動により膜質等の再現性が大きく変動する
ことが分かった。
【０００５】本発明は、かかる知見を基にさらに検討を
加えて完成に至ったものであり、本発明の目的は、膜質
又は膜厚の再現性に優れた窒化シリコン膜作製装置及び
窒化シリコン膜作製方法を提供することにある。
加えて完成に至ったものであり、本発明の目的は、膜質
又は膜厚の再現性に優れた窒化シリコン膜作製装置及び
窒化シリコン膜作製方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化シリコン膜
作製装置は、排気系及びガス供給系が連結された真空容
器内に、発熱体及び基板を配置し、該発熱体を所定温度
に維持して前記ガス供給系から供給される原料ガスを分
解又は活性化し、基板表面に窒化シリコン薄膜を堆積さ
せる窒化シリコン膜作製装置であって、前記真空容器の
内部に、前記発熱体及び基板表面を囲むように内壁を配
置して成膜空間を形成し、前記発熱体が前記成膜空間内
部に配置され、前記成膜空間に原料ガスを導入するガス
導入手段を設けるとともに、前記内壁の加熱手段及び／
又は冷却手段を設け該内壁を所定の温度に制御する構成
としたことを特徴とする。かかる構成とすることによ
り、発熱体及び基板の周辺温度を常に所定の温度に制御
することが可能となり、現在のところその詳細な理由は
明らかでないが、繰り返し膜堆積を行っても所望の膜質
及び膜厚を安定して得ることができる。
作製装置は、排気系及びガス供給系が連結された真空容
器内に、発熱体及び基板を配置し、該発熱体を所定温度
に維持して前記ガス供給系から供給される原料ガスを分
解又は活性化し、基板表面に窒化シリコン薄膜を堆積さ
せる窒化シリコン膜作製装置であって、前記真空容器の
内部に、前記発熱体及び基板表面を囲むように内壁を配
置して成膜空間を形成し、前記発熱体が前記成膜空間内
部に配置され、前記成膜空間に原料ガスを導入するガス
導入手段を設けるとともに、前記内壁の加熱手段及び／
又は冷却手段を設け該内壁を所定の温度に制御する構成
としたことを特徴とする。かかる構成とすることによ
り、発熱体及び基板の周辺温度を常に所定の温度に制御
することが可能となり、現在のところその詳細な理由は
明らかでないが、繰り返し膜堆積を行っても所望の膜質
及び膜厚を安定して得ることができる。
【０００７】前記内壁は、例えば、第１の内壁と第２の
内壁を接続したものであり、該接続部で支持される。こ
のようにして、内壁は真空容器と実質上熱的に隔離する
ことができる。両者は、独立して温度制御可能となって
いて、また、前記内壁は真空容器に比べて熱容量が小さ
いため、内壁内表面の温度はより均一に制御・維持さ
れ、膜質等の安定性はより向上する。また、前記内壁に
おいて、熱量は発熱体からの距離に依存するため、発熱
体が矩形の場合には、発熱体に近い内壁部分（発熱体に
対向する前記内壁部及び発熱体枠部分に近い内壁部）が
特に高温になっていた。従って、前記内壁の内面形状
を、前記発熱体からの輻射熱量が各部で略同一となるよ
うに、少なくとも前記発熱体を挟んで基板と反対側（上
部）の内壁を前記発熱体に向かう方向に湾曲する曲面を
有する形状とするのが好ましい。さらには、基板側に配
置された内壁部外周部を同様に湾曲する曲面を有する形
状とするとよい。これにより、内壁温度の制御及び均一
化が容易となる。
内壁を接続したものであり、該接続部で支持される。こ
のようにして、内壁は真空容器と実質上熱的に隔離する
ことができる。両者は、独立して温度制御可能となって
いて、また、前記内壁は真空容器に比べて熱容量が小さ
いため、内壁内表面の温度はより均一に制御・維持さ
れ、膜質等の安定性はより向上する。また、前記内壁に
おいて、熱量は発熱体からの距離に依存するため、発熱
体が矩形の場合には、発熱体に近い内壁部分（発熱体に
対向する前記内壁部及び発熱体枠部分に近い内壁部）が
特に高温になっていた。従って、前記内壁の内面形状
を、前記発熱体からの輻射熱量が各部で略同一となるよ
うに、少なくとも前記発熱体を挟んで基板と反対側（上
部）の内壁を前記発熱体に向かう方向に湾曲する曲面を
有する形状とするのが好ましい。さらには、基板側に配
置された内壁部外周部を同様に湾曲する曲面を有する形
状とするとよい。これにより、内壁温度の制御及び均一
化が容易となる。
【０００８】前記内壁の冷却手段は前記接続部に取り付
けた環状の冷却機構であり、これにより、内壁の過熱を
防止する構成としたことを特徴とする。膜形成を連続し
て繰り返し行うと発熱体の輻射熱により内壁温度は徐々
に上昇するが、かかる冷却機構を設けることにより、内
壁の過熱が効率よく防止され、常に所望の温度に制御す
ることが可能となり、安定した膜堆積が可能となる。ま
た、前記ガス導入手段は、前記基板ホルダに面する内壁
方向に向けて吹き出す構成としたことを特徴とする。こ
れにより、薄膜の膜厚均一性が向上する。
けた環状の冷却機構であり、これにより、内壁の過熱を
防止する構成としたことを特徴とする。膜形成を連続し
て繰り返し行うと発熱体の輻射熱により内壁温度は徐々
に上昇するが、かかる冷却機構を設けることにより、内
壁の過熱が効率よく防止され、常に所望の温度に制御す
ることが可能となり、安定した膜堆積が可能となる。ま
た、前記ガス導入手段は、前記基板ホルダに面する内壁
方向に向けて吹き出す構成としたことを特徴とする。こ
れにより、薄膜の膜厚均一性が向上する。
【０００９】本発明の窒化シリコン膜作製方法は、排気
系及びガス供給系が連結された真空容器内に、発熱体及
び基板を配置し、該発熱体を所定温度に維持して前記ガ
ス供給系から供給される原料ガスを分解又は活性化し、
基板表面に窒化シリコン薄膜を堆積させする窒化シリコ
ン膜作製方法であって、前記真空容器の内部に、前記発
熱体及び基板を囲むように内壁を配置して成膜空間を形
成し、前記発熱体が前記成膜空間内部に配置され、前記
内壁を所定の温度に制御しながら前記成膜空間に原料ガ
スを導入して窒化シリコン薄膜の堆積を行うことを特徴
とする。なお、内壁の加熱は、上述したように、内壁に
取り付けた加熱手段により行うのが好ましいが、発熱体
の輻射熱を利用して加熱するようにしてもよい。
系及びガス供給系が連結された真空容器内に、発熱体及
び基板を配置し、該発熱体を所定温度に維持して前記ガ
ス供給系から供給される原料ガスを分解又は活性化し、
基板表面に窒化シリコン薄膜を堆積させする窒化シリコ
ン膜作製方法であって、前記真空容器の内部に、前記発
熱体及び基板を囲むように内壁を配置して成膜空間を形
成し、前記発熱体が前記成膜空間内部に配置され、前記
内壁を所定の温度に制御しながら前記成膜空間に原料ガ
スを導入して窒化シリコン薄膜の堆積を行うことを特徴
とする。なお、内壁の加熱は、上述したように、内壁に
取り付けた加熱手段により行うのが好ましいが、発熱体
の輻射熱を利用して加熱するようにしてもよい。
【００１０】本発明は、前記基板に面する内壁方向に向
けて原料ガスを吹き出す構成とし、前記成膜空間の圧力
を０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。これにより、
薄膜の膜厚均一性が向上する。
けて原料ガスを吹き出す構成とし、前記成膜空間の圧力
を０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。これにより、
薄膜の膜厚均一性が向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態を挙げ、本発明
をより具体的に説明する。図１は本発明の窒化シリコン
膜作製装置１００の一構成例を示す概略断面図であり、
図２は生産装置の構成例を示す模式図である。図１にお
いて、真空容器１の内部には、基板７を保持する基板ホ
ルダ３と、その上方に発熱体４とが配置され、これらを
囲むように、内壁９が取り付けられている。真空容器１
及び内壁９は、メンテナンスを容易に行えるように上下
に分割可能な構造となっている。
をより具体的に説明する。図１は本発明の窒化シリコン
膜作製装置１００の一構成例を示す概略断面図であり、
図２は生産装置の構成例を示す模式図である。図１にお
いて、真空容器１の内部には、基板７を保持する基板ホ
ルダ３と、その上方に発熱体４とが配置され、これらを
囲むように、内壁９が取り付けられている。真空容器１
及び内壁９は、メンテナンスを容易に行えるように上下
に分割可能な構造となっている。
【００１２】内壁９は、鍔部１０を有する第１の内壁９
ａと第２の内壁９ｂとからなり、それぞれの鍔部で接続
されている。第１及び第２の内壁の外側には内壁加熱手
段（例えばシーズヒータ）１１が取り付けられ、これに
より内壁を所定の温度に加熱することができる。さら
に、図１の例では、発熱体の輻射熱による内壁の過熱を
防止するため、環状の冷媒流路１２（内壁冷却手段）が
設けられており、この上に内壁の鍔部１０が取り付けら
れる。冷媒流路１２には冷却管１３を通して外部から冷
媒が供給及び排出される。このように、内壁は、鍔部１
０で支持されるため、発熱体及び基板を囲む内壁部は実
質的に真空容器と熱的に隔離されることとなり、これら
の部分の温度を効率的に制御することができる。このよ
うに内壁部と真空容器とは、内壁冷却手段を介して接続
されているため、熱容量の大きな真空容器と熱的に隔離
された熱容量の小さな内壁部の温度制御がし易くなると
ともに、内壁部からの熱伝導による真空容器温度上昇が
低減され、真空容器壁面からのアウトガスを低減させる
効果もある。
ａと第２の内壁９ｂとからなり、それぞれの鍔部で接続
されている。第１及び第２の内壁の外側には内壁加熱手
段（例えばシーズヒータ）１１が取り付けられ、これに
より内壁を所定の温度に加熱することができる。さら
に、図１の例では、発熱体の輻射熱による内壁の過熱を
防止するため、環状の冷媒流路１２（内壁冷却手段）が
設けられており、この上に内壁の鍔部１０が取り付けら
れる。冷媒流路１２には冷却管１３を通して外部から冷
媒が供給及び排出される。このように、内壁は、鍔部１
０で支持されるため、発熱体及び基板を囲む内壁部は実
質的に真空容器と熱的に隔離されることとなり、これら
の部分の温度を効率的に制御することができる。このよ
うに内壁部と真空容器とは、内壁冷却手段を介して接続
されているため、熱容量の大きな真空容器と熱的に隔離
された熱容量の小さな内壁部の温度制御がし易くなると
ともに、内壁部からの熱伝導による真空容器温度上昇が
低減され、真空容器壁面からのアウトガスを低減させる
効果もある。
【００１３】第１の内壁９ａの中心部近傍には熱電対
（不図示）が取り付けられ、内壁の温度をモニタするこ
とにより加熱手段１１の通電量及び冷媒流量（又は温
度）を調整し、内壁温度を所望の温度に保つことができ
る。即ち、連続的に成膜を繰り返し行っても、各成膜時
における発熱体及び基板の周囲温度を常に所定の温度に
維持することが可能となる。なお、熱電対の代わりに放
射温度計を用いてもよく、、熱電対のようにメンテナン
スのたびごとに内壁から取り外す必要がなくなる。ま
た、温度測定は、第１及び第２の内壁を別個に行っても
良く、内壁全体の温度制御をより均一に且つ再現性良く
行うことができる。また、内壁部測定箇所は、発熱体の
少なくとも水平方向での中心軸近傍あるいは垂直方向で
の中心軸近傍であればさらによい。
（不図示）が取り付けられ、内壁の温度をモニタするこ
とにより加熱手段１１の通電量及び冷媒流量（又は温
度）を調整し、内壁温度を所望の温度に保つことができ
る。即ち、連続的に成膜を繰り返し行っても、各成膜時
における発熱体及び基板の周囲温度を常に所定の温度に
維持することが可能となる。なお、熱電対の代わりに放
射温度計を用いてもよく、、熱電対のようにメンテナン
スのたびごとに内壁から取り外す必要がなくなる。ま
た、温度測定は、第１及び第２の内壁を別個に行っても
良く、内壁全体の温度制御をより均一に且つ再現性良く
行うことができる。また、内壁部測定箇所は、発熱体の
少なくとも水平方向での中心軸近傍あるいは垂直方向で
の中心軸近傍であればさらによい。
【００１４】内壁９の形状は、各部で発熱体からの輻射
熱が略均一となるようにするのが好ましく、曲面構造と
なっている。また、内壁加熱手段１１も内壁を均一に加
熱するように配置するのが好ましい。また、本発明の実
施形態では、上下２部位に分割した内壁を冷却機構の部
位にて支持しているが、内壁が独立して温度制御可能な
構成であれば良く、熱接触の小さな構成あるいは非伝導
性の材料部材によって接続されていてもよい。
熱が略均一となるようにするのが好ましく、曲面構造と
なっている。また、内壁加熱手段１１も内壁を均一に加
熱するように配置するのが好ましい。また、本発明の実
施形態では、上下２部位に分割した内壁を冷却機構の部
位にて支持しているが、内壁が独立して温度制御可能な
構成であれば良く、熱接触の小さな構成あるいは非伝導
性の材料部材によって接続されていてもよい。
【００１５】さらに、内壁内部側の成膜空間２０に原料
ガスを供給するためのガス導入管８が取り付けられ、外
部のガス供給系（不図示）と連結されている。発熱体
は、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金
属が、例えば、鋸歯状に平面状に取り付けられ、接続端
子５を介して外部の電源（不図示）に接続されている。
また、基板ホルダ３には、基板７を所定の温度に加熱す
るためのヒータが内蔵されている。基板ホルダ３と発熱
体４の間にはシャッタ６が配置され、膜堆積時には、基
板上から退避する構成となっている。
ガスを供給するためのガス導入管８が取り付けられ、外
部のガス供給系（不図示）と連結されている。発熱体
は、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金
属が、例えば、鋸歯状に平面状に取り付けられ、接続端
子５を介して外部の電源（不図示）に接続されている。
また、基板ホルダ３には、基板７を所定の温度に加熱す
るためのヒータが内蔵されている。基板ホルダ３と発熱
体４の間にはシャッタ６が配置され、膜堆積時には、基
板上から退避する構成となっている。
【００１６】次に、連続堆積方法を、ＧａＡｓ基板上に
窒化シリコン膜を堆積する場合について説明する。多数
の基板に連続して薄膜を堆積する装置は、図２に示すよ
うに、図１の窒化シリコン膜作製装置１００を基板搬送
ロボットが設置された搬送室２００及び基板収納カセッ
トが載置されたロードロック室３００とそれぞれゲート
バルブ４００，４００’を介して連結された構成とな
る。
窒化シリコン膜を堆積する場合について説明する。多数
の基板に連続して薄膜を堆積する装置は、図２に示すよ
うに、図１の窒化シリコン膜作製装置１００を基板搬送
ロボットが設置された搬送室２００及び基板収納カセッ
トが載置されたロードロック室３００とそれぞれゲート
バルブ４００，４００’を介して連結された構成とな
る。
【００１７】真空容器１の排気口２に連結された排気装
置（不図示）により、内部を１０− ５〜１０−６Ｐａ程
度に排気した後、基板ホルダ内蔵ヒータに通電し、シャ
ッタ６を開けた状態で、内壁加熱手段１１及び発熱体４
に通電して、それぞれを所定の温度に加熱し、内壁温度
を例えば１７０℃とする。この予備加熱は、通常、発熱
体を堆積温度（窒化シリコンの場合１６００〜１９００
℃程度）又はこれより５０〜１００℃高温にし、内壁温
度が例えば１７０℃となるように内壁加熱手段１１等で
調節する。ここで、例えば、内壁の材質にＳＵＳを用い
る場合は、あまり高温にするとＣｒが析出し、ＧａＡｓ
を汚染してデバイス特性を低下させる場合があるため、
内壁温度は３００℃以下とし、さらには２００℃以下と
するのが好ましい。なお、予備加熱の際、例えばＨ２ガ
ス等を所定流量導入してもよい。
置（不図示）により、内部を１０− ５〜１０−６Ｐａ程
度に排気した後、基板ホルダ内蔵ヒータに通電し、シャ
ッタ６を開けた状態で、内壁加熱手段１１及び発熱体４
に通電して、それぞれを所定の温度に加熱し、内壁温度
を例えば１７０℃とする。この予備加熱は、通常、発熱
体を堆積温度（窒化シリコンの場合１６００〜１９００
℃程度）又はこれより５０〜１００℃高温にし、内壁温
度が例えば１７０℃となるように内壁加熱手段１１等で
調節する。ここで、例えば、内壁の材質にＳＵＳを用い
る場合は、あまり高温にするとＣｒが析出し、ＧａＡｓ
を汚染してデバイス特性を低下させる場合があるため、
内壁温度は３００℃以下とし、さらには２００℃以下と
するのが好ましい。なお、予備加熱の際、例えばＨ２ガ
ス等を所定流量導入してもよい。
【００１８】その後、発熱体への通電を停止し、シャッ
タを閉じた状態で、搬送ロボットにより基板７をロード
ロック室３００のカセットから取り出し基板ホルダ３上
に載置する。基板７が所定温度となった後、ガス導入管
８を通して、ＳｉＨ４，ＮＨ ３及びＨ２からなる原料ガ
スを所定流量成膜空間に導入し、排気口２に取り付けら
れた自動圧力制御器（ＡＰＣ）（不図示）により所定の
圧力（例えば０．１〜１０Ｐａ）に制御し、発熱体に通
電する。続いてシャッタ６を開ける。原料ガスは、ガス
導入管８から第１の内壁９ａに向かって吹き出され、壁
面に衝突して四方に散乱する。原料ガスは発熱体４の表
面及びその近傍で分解又は活性化され、生成した活性種
が基板表面上に拡散して、膜の堆積が開始する。所定時
間経過後、シャッタ６を閉じるとともに、発熱体への通
電及びガス導入を停止して膜堆積を終了する。処理基板
は搬送ロボットにより取り出され、カセットに戻され
る。一方、未処理基板がカセットから取り出され、基板
ホルダ上に載置し、以上と同様にして、膜堆積を開始す
る。
タを閉じた状態で、搬送ロボットにより基板７をロード
ロック室３００のカセットから取り出し基板ホルダ３上
に載置する。基板７が所定温度となった後、ガス導入管
８を通して、ＳｉＨ４，ＮＨ ３及びＨ２からなる原料ガ
スを所定流量成膜空間に導入し、排気口２に取り付けら
れた自動圧力制御器（ＡＰＣ）（不図示）により所定の
圧力（例えば０．１〜１０Ｐａ）に制御し、発熱体に通
電する。続いてシャッタ６を開ける。原料ガスは、ガス
導入管８から第１の内壁９ａに向かって吹き出され、壁
面に衝突して四方に散乱する。原料ガスは発熱体４の表
面及びその近傍で分解又は活性化され、生成した活性種
が基板表面上に拡散して、膜の堆積が開始する。所定時
間経過後、シャッタ６を閉じるとともに、発熱体への通
電及びガス導入を停止して膜堆積を終了する。処理基板
は搬送ロボットにより取り出され、カセットに戻され
る。一方、未処理基板がカセットから取り出され、基板
ホルダ上に載置し、以上と同様にして、膜堆積を開始す
る。
【００１９】以上を繰り返し行うと、内壁温度は発熱体
４の輻射熱により徐々に上昇するため、冷却機構１２の
冷媒流量（又は温度）及び／又は加熱手段１１を調節し
て常に所定の温度範囲（好ましくは、例えば１７０〜１
８０℃又は１８０〜１９０℃）に保つようにする。な
お、上記実施形態では成膜時のみ発熱体へ通電したが、
プロセス中、発熱体へ常時通電するようにしてもよい。
４の輻射熱により徐々に上昇するため、冷却機構１２の
冷媒流量（又は温度）及び／又は加熱手段１１を調節し
て常に所定の温度範囲（好ましくは、例えば１７０〜１
８０℃又は１８０〜１９０℃）に保つようにする。な
お、上記実施形態では成膜時のみ発熱体へ通電したが、
プロセス中、発熱体へ常時通電するようにしてもよい。
【００２０】以上のようにして基板上に繰り返し窒化シ
リコン膜を堆積し、膜厚及び膜質の再現性を調べた実験
を以下に述べる。この実験では、１バッチで３枚の基板
に膜堆積を繰り返し行い、これを５バッチ行った。第１
バッチ前には予備加熱を行い、各バッチ間では、基板ホ
ルダ内蔵ヒータに通電したままの状態で、発熱体及び内
壁加熱ヒータへの通電を停止して、６０分又は３０分
（第４バッチと第５バッチの間）のインターバルを設け
た。得られた窒化シリコン膜の膜厚及び屈折率を表１に
示す。なお、窒化シリコン膜の膜厚及び屈折率はエリプ
ソメータで測定した。
リコン膜を堆積し、膜厚及び膜質の再現性を調べた実験
を以下に述べる。この実験では、１バッチで３枚の基板
に膜堆積を繰り返し行い、これを５バッチ行った。第１
バッチ前には予備加熱を行い、各バッチ間では、基板ホ
ルダ内蔵ヒータに通電したままの状態で、発熱体及び内
壁加熱ヒータへの通電を停止して、６０分又は３０分
（第４バッチと第５バッチの間）のインターバルを設け
た。得られた窒化シリコン膜の膜厚及び屈折率を表１に
示す。なお、窒化シリコン膜の膜厚及び屈折率はエリプ
ソメータで測定した。
【００２１】本実験において、発熱体としては、０．５
ｍｍ径のタングステンワイヤを方形状の枠体（２１５ｘ
２０８ｍｍ）にジグザグに屈曲させて取り付けた（５往
復）。第１の内壁下部及び第２の内壁中央部の内径はそ
れぞれ３５０ｍｍ及び３１０ｍｍとし、発熱体平面と第
１の内壁及び基板との距離はそれぞれ１２６ｍｍ、７５
ｍｍとし、上部内壁湾曲部の曲率半径Ｒは３５０ｍｍと
した。また、膜堆積開始時及び堆積中の内壁温度は、１
７０〜１８０℃の範囲内に維持した。
ｍｍ径のタングステンワイヤを方形状の枠体（２１５ｘ
２０８ｍｍ）にジグザグに屈曲させて取り付けた（５往
復）。第１の内壁下部及び第２の内壁中央部の内径はそ
れぞれ３５０ｍｍ及び３１０ｍｍとし、発熱体平面と第
１の内壁及び基板との距離はそれぞれ１２６ｍｍ、７５
ｍｍとし、上部内壁湾曲部の曲率半径Ｒは３５０ｍｍと
した。また、膜堆積開始時及び堆積中の内壁温度は、１
７０〜１８０℃の範囲内に維持した。
【００２２】
【表１】
【００２３】また、成膜条件及び予備加熱条件は以下の
通りである。 （成膜条件） ・圧力 ：５Ｐａ ・ＳｉＨ４流量 ：１ｓｃｃｍ ・ＮＨ３流量 ：１００ｓｃｃｍ ・発熱体加熱電力（温度）：５７９．６Ｗ（１８００℃） ・基板ホルダ温度 ：２７５℃ ・成膜時間 ：７分間 （予備加熱条件） ・圧力 ：５Ｐａ ・Ｈ２流量 ：８０ｓｃｃｍ ・発熱体加熱電力（温度）：５７９．６Ｗ（１８００℃） ・基板ホルダ温度 ：２７５℃ ・予備加熱処理時間 ：３０分
通りである。 （成膜条件） ・圧力 ：５Ｐａ ・ＳｉＨ４流量 ：１ｓｃｃｍ ・ＮＨ３流量 ：１００ｓｃｃｍ ・発熱体加熱電力（温度）：５７９．６Ｗ（１８００℃） ・基板ホルダ温度 ：２７５℃ ・成膜時間 ：７分間 （予備加熱条件） ・圧力 ：５Ｐａ ・Ｈ２流量 ：８０ｓｃｃｍ ・発熱体加熱電力（温度）：５７９．６Ｗ（１８００℃） ・基板ホルダ温度 ：２７５℃ ・予備加熱処理時間 ：３０分
【００２４】また、比較のため、内壁の予備加熱を行わ
ず、内壁加熱手段及び冷却手段を用いないで、即ち内壁
温度の温度制御を行わないで、同様にして膜堆積を繰り
返し行った。この結果を成膜開始時の内壁温度とともに
表２に示す。
ず、内壁加熱手段及び冷却手段を用いないで、即ち内壁
温度の温度制御を行わないで、同様にして膜堆積を繰り
返し行った。この結果を成膜開始時の内壁温度とともに
表２に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２が示すように、内壁の温度制御を行わ
ないと基板間で内壁温度が大きく変化し、これに関連し
て各基板の屈折率（膜質）及び膜厚が大きく変化するこ
とが分かる。即ち、成膜開始温度が１７０℃以下の場
合、１２試料の膜厚平均値５５．６８ｍｍでは標準偏差
１．７３ｎｍ、及び屈折率平均値２．０４８に対しては
標準偏差０．０１４であり、膜厚や膜質の均一な窒化シ
リコン膜を得ることが困難であることが分かる。一方、
表１から明らかなように、内壁の温度制御を行い１７０
℃に達した時点で成膜を開始し、１７０〜１８０℃の温
度範囲に維持されるようにしたところ、１バッチ３試料
でインターバル６０分（又は３０分）にて行った５バッ
チの試料では、膜厚平均値５４．２６ｎｍに対して、バ
ッチ内標準偏差０．０３〜０．２７ｎｍ、バッチ間０．
２０ｎｍ、及び屈折率平均値２．０２５に対し、バッチ
内０．０００３〜０．００１、バッチ間０．００２と、
非常に安定した膜厚及び屈折率が得られた。即ち、成膜
時の内壁温度（即ち、発熱体及び基板表面の周辺温度）
を制御することにより、所望の膜質及び膜厚を得ること
が可能となり、また、内壁温度を一定に保つことによ
り、再現性に優れた膜質、膜厚が得られることが分か
る。また、上記実験条件で作製した窒化シリコン膜は、
バリア性及び膜応力の点でＧａＡｓ基板の保護膜として
優れたものであった。
ないと基板間で内壁温度が大きく変化し、これに関連し
て各基板の屈折率（膜質）及び膜厚が大きく変化するこ
とが分かる。即ち、成膜開始温度が１７０℃以下の場
合、１２試料の膜厚平均値５５．６８ｍｍでは標準偏差
１．７３ｎｍ、及び屈折率平均値２．０４８に対しては
標準偏差０．０１４であり、膜厚や膜質の均一な窒化シ
リコン膜を得ることが困難であることが分かる。一方、
表１から明らかなように、内壁の温度制御を行い１７０
℃に達した時点で成膜を開始し、１７０〜１８０℃の温
度範囲に維持されるようにしたところ、１バッチ３試料
でインターバル６０分（又は３０分）にて行った５バッ
チの試料では、膜厚平均値５４．２６ｎｍに対して、バ
ッチ内標準偏差０．０３〜０．２７ｎｍ、バッチ間０．
２０ｎｍ、及び屈折率平均値２．０２５に対し、バッチ
内０．０００３〜０．００１、バッチ間０．００２と、
非常に安定した膜厚及び屈折率が得られた。即ち、成膜
時の内壁温度（即ち、発熱体及び基板表面の周辺温度）
を制御することにより、所望の膜質及び膜厚を得ること
が可能となり、また、内壁温度を一定に保つことによ
り、再現性に優れた膜質、膜厚が得られることが分か
る。また、上記実験条件で作製した窒化シリコン膜は、
バリア性及び膜応力の点でＧａＡｓ基板の保護膜として
優れたものであった。
【００２７】
【発明の効果】本発明により、即ち、発熱体及び基板を
囲むように内壁を設け、この内壁を温度制御することに
より、膜質及び膜厚の再現性に優れた薄膜形成が可能と
なり、安定した薄膜形成が可能な窒化シリコン膜作製装
置及び窒化シリコン膜作製方法を実現することができ
る。即ち、本発明は、高機能デバイスの安定した生産に
資するものである。
囲むように内壁を設け、この内壁を温度制御することに
より、膜質及び膜厚の再現性に優れた薄膜形成が可能と
なり、安定した薄膜形成が可能な窒化シリコン膜作製装
置及び窒化シリコン膜作製方法を実現することができ
る。即ち、本発明は、高機能デバイスの安定した生産に
資するものである。
【図１】本発明の窒化シリコン膜作製装置の一例を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】生産装置の一例を示す模式図である。
【図３】従来の窒化シリコン膜作製装置を示す概略断面
図である。
図である。
１ 真空容器、
２ 排気口、
３ 基板ホルダ、
４ 発熱体、
５ 接続端子、
６ シャッタ、
７ 基板
８ ガス導入管、
９ 内壁、
１０ 鍔部、
１１ 加熱手段、
１２ 冷媒流路、
１３ 冷却管、
２０ 成膜空間、
１００ 窒化シリコン膜作製装置、
２００ 搬送室、
３００ ロードロック室、
４００，４００’ ゲートバルブ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 神谷 保志
東京都府中市四谷５丁目８番１号 アネル
バ株式会社内
(72)発明者 野村 秀二
東京都府中市四谷５丁目８番１号 アネル
バ株式会社内
(72)発明者 戸塚 正裕
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 奥 友希
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 服部 亮
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 4K030 BA40 EA06 FA10 KA23 KA26
LA11
5F045 AA06 AB33 AC01 AC12 AD06
AE17 AF04 BB01 DC65 DP04
EJ04 EK06 EK07 EK30 GB05
Claims (8)
- 【請求項１】 排気系及びガス供給系が連結された真空
容器内に、発熱体及び基板を配置し、該発熱体を所定温
度に維持して前記ガス供給系から供給される原料ガスを
分解又は活性化し、基板表面に窒化シリコン薄膜を堆積
させる窒化シリコン膜作製装置であって、前記真空容器
の内部に、前記発熱体及び基板を囲むように内壁を配置
して成膜空間を形成し、前記発熱体が前記成膜空間内部
に配置され、前記成膜空間に原料ガスを導入するガス導
入手段を設けるとともに、前記内壁の加熱手段及び／又
は冷却手段を設け前記内壁を所定の温度に制御する構成
としたことを特徴とする窒化シリコン膜作製装置。 - 【請求項２】 前記内壁と前記真空容器とは内壁支持部
を介して接続されており、両者は独立して温度制御可能
になっていることを特徴とする請求項１に記載の窒化シ
リコン膜作製装置。 - 【請求項３】 前記内壁は第１の内壁と第２の内壁を接
続したものであり、該接続部で支持される構成としたこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化シリコン膜
作製装置。 - 【請求項４】 前記内壁の内面形状を、前記発熱体から
の輻射熱量が各部で略同一となるようにしたことを特徴
とした請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化シリコ
ン膜作製装置。 - 【請求項５】 前記内壁の冷却手段は前記接続部に取り
付けた環状の冷却機構であることを特徴とする請求項１
〜４のいずれか１項に記載の窒化シリコン膜作製装置。 - 【請求項６】 前記ガス導入手段は、前記基板ホルダに
面する内壁方向に向けて吹き出す構成としたことを特徴
とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化シリコ
ン膜作製装置。 - 【請求項７】 排気系及びガス供給系が連結された真空
容器内に、発熱体及び基板を配置し、該発熱体を所定温
度に維持して前記ガス供給系から供給される原料ガスを
分解又は活性化し、基板表面に窒化シリコン薄膜を堆積
させする窒化シリコン膜作製方法であって、前記真空容
器の内部に、前記発熱体及び基板を囲むように内壁を配
置して成膜空間を形成し、前記発熱体が前記成膜空間内
部に配置され、前記内壁を所定の温度に制御しながら前
記成膜空間に原料ガスを導入して窒化シリコン薄膜の堆
積を行うことを特徴とする窒化シリコン膜作製方法。 - 【請求項８】 前記基板に面する内壁方向に向けて原料
ガスを吹き出す構成とし、前記成膜空間の圧力を０．１
〜１０Ｐａとしたことを特徴とする請求項７に記載の窒
化シリコン膜作製方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002118773A JP4157718B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | 窒化シリコン膜作製方法及び窒化シリコン膜作製装置 |
| KR1020030024605A KR100984658B1 (ko) | 2002-04-22 | 2003-04-18 | 질화 실리콘막 제작 방법 및 질화 실리콘막 제작 장치 |
| DE60325138T DE60325138D1 (de) | 2002-04-22 | 2003-04-19 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Siliziumnitrid-Filmes |
| EP03009084A EP1357202B1 (en) | 2002-04-22 | 2003-04-19 | Silicon nitride film forming apparatus and film forming method |
| CNB031218377A CN100413036C (zh) | 2002-04-22 | 2003-04-21 | 氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置 |
| TW092109200A TWI287839B (en) | 2002-04-22 | 2003-04-21 | Silicon nitride film forming method and silicon nitride forming apparatus |
| US10/419,958 US20030198743A1 (en) | 2002-04-22 | 2003-04-22 | Silicon nitride film forming apparatus and film forming method |
| US11/764,745 US7704556B2 (en) | 2002-04-22 | 2007-06-18 | Silicon nitride film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002118773A JP4157718B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | 窒化シリコン膜作製方法及び窒化シリコン膜作製装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003318169A true JP2003318169A (ja) | 2003-11-07 |
| JP4157718B2 JP4157718B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=28786738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002118773A Expired - Lifetime JP4157718B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | 窒化シリコン膜作製方法及び窒化シリコン膜作製装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20030198743A1 (ja) |
| EP (1) | EP1357202B1 (ja) |
| JP (1) | JP4157718B2 (ja) |
| KR (1) | KR100984658B1 (ja) |
| CN (1) | CN100413036C (ja) |
| DE (1) | DE60325138D1 (ja) |
| TW (1) | TWI287839B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010110551A2 (ko) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | 주식회사수성기술 | 폴리실리콘 제조용 화학기상증착 반응기 |
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|---|---|---|---|---|
| US20080173239A1 (en) * | 2007-01-24 | 2008-07-24 | Yuri Makarov | Method, system, and apparatus for the growth of SiC and related or similar material, by chemical vapor deposition, using precursors in modified cold-wall reactor |
| KR101414257B1 (ko) | 2012-07-04 | 2014-08-06 | 주식회사 하이박 | 진공 질화 열처리로 |
| WO2014103727A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣ膜成膜装置およびＳｉＣ膜の製造方法 |
| WO2014103728A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 昭和電工株式会社 | 成膜装置 |
| WO2023162072A1 (ja) * | 2022-02-24 | 2023-08-31 | 株式会社Kokusai Electric | 成膜方法、半導体装置の製造方法、成膜装置、およびプログラム |
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| JPH0754759B2 (ja) * | 1987-04-27 | 1995-06-07 | 日本電信電話株式会社 | プラズマ処理方法および装置並びにプラズマ処理装置用モード変換器 |
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| JPH05109626A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Nec Kansai Ltd | 減圧ｃｖｄ装置 |
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| JPH06244269A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法 |
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| KR100264445B1 (ko) * | 1993-10-04 | 2000-11-01 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
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