JP2003313174A - ４−アルキル−チアゾール化合物の製造法 - Google Patents
４−アルキル−チアゾール化合物の製造法Info
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- JP2003313174A JP2003313174A JP2002118667A JP2002118667A JP2003313174A JP 2003313174 A JP2003313174 A JP 2003313174A JP 2002118667 A JP2002118667 A JP 2002118667A JP 2002118667 A JP2002118667 A JP 2002118667A JP 2003313174 A JP2003313174 A JP 2003313174A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の製造法に見られる欠点を克服し、
簡便かつ実用的であって、目的とする４−アルキル−５
−ビニル−チアゾール化合物を高収率で得ることができ
る汎用的な製造法を提供する。 【解決手段】 式（１）で表される４−アルキル−５
−スルホニルオキシエチル−チアゾール化合物と二環式
アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土類金
属塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１種又
は２種以上とを反応させることを特徴とする、式（２）
で表される４−アルキル−５−ビニル−チアゾール化合
物の製造法。 【化１】 〔式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ２は水素
原子又は置換基を有することがあるアミノ基、Ｒ３は置
換基を有することのある低級アルキル基、置換基を有す
ることのあるアリール基又は置換基を有することのある
アラルキル基を示す。〕 【化２】 〔式中、Ｒ１、Ｒ２は上記に同じ。〕
簡便かつ実用的であって、目的とする４−アルキル−５
−ビニル−チアゾール化合物を高収率で得ることができ
る汎用的な製造法を提供する。 【解決手段】 式（１）で表される４−アルキル−５
−スルホニルオキシエチル−チアゾール化合物と二環式
アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土類金
属塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１種又
は２種以上とを反応させることを特徴とする、式（２）
で表される４−アルキル−５−ビニル−チアゾール化合
物の製造法。 【化１】 〔式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ２は水素
原子又は置換基を有することがあるアミノ基、Ｒ３は置
換基を有することのある低級アルキル基、置換基を有す
ることのあるアリール基又は置換基を有することのある
アラルキル基を示す。〕 【化２】 〔式中、Ｒ１、Ｒ２は上記に同じ。〕
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、４−アルキル−チ
アゾール化合物の製造法に関する。
アゾール化合物の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】４−メチル−５−ビニル−チアゾール
は、強いナッツの香味を持つことが知られており〔Ｓｔ
ｏｌｌ ｅｔ．ａｌ．，Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ Ａｃｔａ
５０，２０５５（１９６７）〕、またピラジン化合物
との組み合わせにより肉のアロマの改良が可能となる
（特開昭４９−１０００７８号公報)。また、本化合物
が害虫忌避剤としても有効であることが見出されている
（特開平１−３８００３号公報）。
は、強いナッツの香味を持つことが知られており〔Ｓｔ
ｏｌｌ ｅｔ．ａｌ．，Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ Ａｃｔａ
５０，２０５５（１９６７）〕、またピラジン化合物
との組み合わせにより肉のアロマの改良が可能となる
（特開昭４９−１０００７８号公報)。また、本化合物
が害虫忌避剤としても有効であることが見出されている
（特開平１−３８００３号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、４−アルキル−
５−ビニル−チアゾールの製造法としては、下記反応工
程式−１に示すように、４−アルキル−５−低級アルキ
ルカルボニルオキシエチル−チアゾール化合物を４５０
〜５５０℃で熱分解する方法が知られている（特開昭４
９−１０００７８号公報）。しかしながら、この方法で
は、高温で熱分解を行うため、収率が低くなり、更に４
５０〜５５０℃という温度は、工業生産を行う際の温度
としては極端に高く、実用的な方法とは言い難く、また
収率も低い。
５−ビニル−チアゾールの製造法としては、下記反応工
程式−１に示すように、４−アルキル−５−低級アルキ
ルカルボニルオキシエチル−チアゾール化合物を４５０
〜５５０℃で熱分解する方法が知られている（特開昭４
９−１０００７８号公報）。しかしながら、この方法で
は、高温で熱分解を行うため、収率が低くなり、更に４
５０〜５５０℃という温度は、工業生産を行う際の温度
としては極端に高く、実用的な方法とは言い難く、また
収率も低い。
【０００４】
【化７】
【０００５】また、下記反応工程式−２に示すように、
チアミンを出発原料とする製造法も知られている〔Ｔｅ
ｔｒａｈｅｄｒｏｎ，５２，１４５３（１９９６）〕。
しかしながら、この方法においても、全収率が６７％と
低く、更に、工程数が多く、高価な原料や試薬類を使用
する必要があるので、実用に供せられる方法とはいえな
い。
チアミンを出発原料とする製造法も知られている〔Ｔｅ
ｔｒａｈｅｄｒｏｎ，５２，１４５３（１９９６）〕。
しかしながら、この方法においても、全収率が６７％と
低く、更に、工程数が多く、高価な原料や試薬類を使用
する必要があるので、実用に供せられる方法とはいえな
い。
【０００６】
【化８】
【０００７】このように、種々の製造法が開発されてい
るにもかかわらず、工業生産が可能となるような方法は
なく、実用的な製造法が強く望まれている。
るにもかかわらず、工業生産が可能となるような方法は
なく、実用的な製造法が強く望まれている。
【０００８】本発明の課題は、上記の従来の製造法に見
られる欠点を克服し、簡便かつ実用的であって、目的と
する４−アルキル−５−ビニル−チアゾール化合物を高
収率で得ることができる汎用的な製造法を提供すること
にある。
られる欠点を克服し、簡便かつ実用的であって、目的と
する４−アルキル−５−ビニル−チアゾール化合物を高
収率で得ることができる汎用的な製造法を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、式（１）で表
される４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チ
アゾール化合物と二環式アミン、水素化アルカリ金属
塩、水素化アルカリ土類金属塩及びアルカリ金属アルコ
キシドから選ばれる１種又は２種以上とを反応させるこ
とを特徴とする、式（２）で表される４−アルキル−５
−ビニル−チアゾール化合物の製造法に係る。
される４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チ
アゾール化合物と二環式アミン、水素化アルカリ金属
塩、水素化アルカリ土類金属塩及びアルカリ金属アルコ
キシドから選ばれる１種又は２種以上とを反応させるこ
とを特徴とする、式（２）で表される４−アルキル−５
−ビニル−チアゾール化合物の製造法に係る。
【００１０】
【化９】
【００１１】〔式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル
基、Ｒ２は水素原子又は置換基を有することがあるアミ
ノ基、Ｒ３は置換基を有することのある低級アルキル
基、置換基を有することのあるアリール基又は置換基を
有することのあるアラルキル基を示す。〕
基、Ｒ２は水素原子又は置換基を有することがあるアミ
ノ基、Ｒ３は置換基を有することのある低級アルキル
基、置換基を有することのあるアリール基又は置換基を
有することのあるアラルキル基を示す。〕
【００１２】
【化１０】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２は上記に同じ。〕
【００１３】また本発明は式（３）で表される４−アル
キル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物に、式
（４）で表されるスルホン酸誘導体の存在下、２モル当
量以上の二環式アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化
アルカリ土類金属塩及びアルカリ金属アルコキシドから
選ばれる１種又は２種以上を反応させることを特徴とす
る、式（２）で表される４−アルキル−５−ビニル−チ
アゾール化合物の製造法に係る。
キル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物に、式
（４）で表されるスルホン酸誘導体の存在下、２モル当
量以上の二環式アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化
アルカリ土類金属塩及びアルカリ金属アルコキシドから
選ばれる１種又は２種以上を反応させることを特徴とす
る、式（２）で表される４−アルキル−５−ビニル−チ
アゾール化合物の製造法に係る。
【００１４】
【化１１】
【００１５】Ｒ３ＳＯ２Ｘ （４）
【００１６】〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は上記に同じ。
Ｘはハロゲン原子又は基−ＯＳＯ２Ｒ ３を示す。〕
Ｘはハロゲン原子又は基−ＯＳＯ２Ｒ ３を示す。〕
【００１７】また、本発明は式（３）で表される４−ア
ルキル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物と、
式（４）で表されるスルホン酸誘導体とを、塩基の存在
下に、反応させることを特徴とする、式（１）で表され
る４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チアゾ
ール化合物の製造法に係る。
ルキル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物と、
式（４）で表されるスルホン酸誘導体とを、塩基の存在
下に、反応させることを特徴とする、式（１）で表され
る４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チアゾ
ール化合物の製造法に係る。
【００１８】本発明者は、４−アルキル−５−ビニル−
チアゾール化合物（２）の製造法を開発するにあたり、
工業的に容易に入手可能な試薬類を用いる合成ルートの
検討を行う過程で、４−アルキル−５−ヒドロキシエチ
ル−チアゾール化合物（３）を出発原料とし、中間体と
して４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チア
ゾール化合物（１）を経由する新しい合成ルートに着目
し、引続き研究を重ねた結果、工業化の可能な穏和な反
応条件下で実施できる合成法を開発することに成功し
た。
チアゾール化合物（２）の製造法を開発するにあたり、
工業的に容易に入手可能な試薬類を用いる合成ルートの
検討を行う過程で、４−アルキル−５−ヒドロキシエチ
ル−チアゾール化合物（３）を出発原料とし、中間体と
して４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チア
ゾール化合物（１）を経由する新しい合成ルートに着目
し、引続き研究を重ねた結果、工業化の可能な穏和な反
応条件下で実施できる合成法を開発することに成功し
た。
【００１９】本発明によれば、工業的に簡便かつ穏和な
条件下で、目的物である４−アルキル−５−ビニル−チ
アゾール化合物（２）を高収率で合成できる製造法が提
供される。また、本発明によれば、中間体である４−ア
ルキル−５−スルホニルオキシエチル−チアゾール化合
物（１）を反応系内で生成させ、そのまま引続いて目的
物の合成を行うワンポット反応の製造法が提供される。
条件下で、目的物である４−アルキル−５−ビニル−チ
アゾール化合物（２）を高収率で合成できる製造法が提
供される。また、本発明によれば、中間体である４−ア
ルキル−５−スルホニルオキシエチル−チアゾール化合
物（１）を反応系内で生成させ、そのまま引続いて目的
物の合成を行うワンポット反応の製造法が提供される。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明において低級アルキル基と
しては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ
プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、
ｔｅｒｔ−ブチル等の直鎖又は分岐鎖状の炭素数１〜４
のアルキル基を挙げることができる。アリール基として
は、例えば、フェニル、ナフチル等を挙げることができ
る。アラルキル基としては、例えば、ベンジル、フェネ
チル等を挙げることができる。前記低級アルキル基、ア
リール基及びアラルキル基に置換してもよい置換基とし
ては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シア
ノ基、アリール基、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、アリールオキシ基、カルボキシル基、アルコキシカ
ルボニル基、アリールオキシカルボニル基アミノ基、モ
ノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、メ
ルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ホルミ
ル基、ホルミルオキシ基、式Ｒ５ＣＯＯ−（Ｒ５は低級
アルキル基又はアリール基を示す）で表されるアシルオ
キシ基、基Ｒ５ＣＯ−（Ｒ５は前記に同じ）で表される
アシル基等を挙げることができる。またＲ２で示される
アミノ基には１又は２個の置換基が置換可能であり、置
換基としてはトリフェニルメチル、ジフェニルメチル、
ｔｅｒt-ブチルオキシカルボニル、ホルミル、アセチ
ル、クロルアセチル基などを挙げることができる。符号
Ｘで示されるハロゲン原子としては、弗素、塩素、臭
素、ヨウ素等を挙げることができる。
しては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ
プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、
ｔｅｒｔ−ブチル等の直鎖又は分岐鎖状の炭素数１〜４
のアルキル基を挙げることができる。アリール基として
は、例えば、フェニル、ナフチル等を挙げることができ
る。アラルキル基としては、例えば、ベンジル、フェネ
チル等を挙げることができる。前記低級アルキル基、ア
リール基及びアラルキル基に置換してもよい置換基とし
ては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シア
ノ基、アリール基、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、アリールオキシ基、カルボキシル基、アルコキシカ
ルボニル基、アリールオキシカルボニル基アミノ基、モ
ノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、メ
ルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ホルミ
ル基、ホルミルオキシ基、式Ｒ５ＣＯＯ−（Ｒ５は低級
アルキル基又はアリール基を示す）で表されるアシルオ
キシ基、基Ｒ５ＣＯ−（Ｒ５は前記に同じ）で表される
アシル基等を挙げることができる。またＲ２で示される
アミノ基には１又は２個の置換基が置換可能であり、置
換基としてはトリフェニルメチル、ジフェニルメチル、
ｔｅｒt-ブチルオキシカルボニル、ホルミル、アセチ
ル、クロルアセチル基などを挙げることができる。符号
Ｘで示されるハロゲン原子としては、弗素、塩素、臭
素、ヨウ素等を挙げることができる。
【００２１】本発明によれば、４−アルキル−５−ビニ
ル−チアゾール化合物（２）は、４−アルキル−５−ス
ルホニルオキシエチル−チアゾール化合物（１）と二環
式アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土類
金属塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１種
又は２種以上とを反応させることにより製造できる（製
造法−１）。
ル−チアゾール化合物（２）は、４−アルキル−５−ス
ルホニルオキシエチル−チアゾール化合物（１）と二環
式アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土類
金属塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１種
又は２種以上とを反応させることにより製造できる（製
造法−１）。
【００２２】
【化１２】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は上記に同じ。〕
【００２３】原料化合物となる４−アルキル−５−スル
ホニルオキシエチル−チアゾール化合物（１）は公知の
化合物であるが、後述する新規な方法によっても製造で
きる。二環式アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化ア
ルカリ土類金属塩及びアルカリ金属アルコキシドとして
は公知のものを何れも使用できる。二環式アミンの具体
例としては、例えば、ジアザビシクロウンデセン、ジア
ザビシクロノネン等を挙げることができる。水素化アル
カリ金属塩の具体例としては、例えば、水素化リチウ
ム、水素化ナトリウム、水酸化カリウム等を挙げること
ができる。水素化アルカリ土類金属塩の具体例として
は、例えば、水素化カルシウム等を挙げることができ
る。アルカリ金属アルコキシドとしては、例えば、ナト
リウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−
ｔｅｒｔ−ブトキシド等を挙げることができる。二環式
アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土類金
属塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１種又
は２種以上の使用量は特に制限されず、広い範囲から適
宜選択できるが、４−アルキル−５−スルホニルオキシ
エチル−チアゾール化合物（１）１モルに対し１〜１０
モル当量とすればよいが、必要に応じ、前記チアゾール
化合物（１）がなくなるまで反応系に添加してもよい。
ホニルオキシエチル−チアゾール化合物（１）は公知の
化合物であるが、後述する新規な方法によっても製造で
きる。二環式アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化ア
ルカリ土類金属塩及びアルカリ金属アルコキシドとして
は公知のものを何れも使用できる。二環式アミンの具体
例としては、例えば、ジアザビシクロウンデセン、ジア
ザビシクロノネン等を挙げることができる。水素化アル
カリ金属塩の具体例としては、例えば、水素化リチウ
ム、水素化ナトリウム、水酸化カリウム等を挙げること
ができる。水素化アルカリ土類金属塩の具体例として
は、例えば、水素化カルシウム等を挙げることができ
る。アルカリ金属アルコキシドとしては、例えば、ナト
リウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−
ｔｅｒｔ−ブトキシド等を挙げることができる。二環式
アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土類金
属塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１種又
は２種以上の使用量は特に制限されず、広い範囲から適
宜選択できるが、４−アルキル−５−スルホニルオキシ
エチル−チアゾール化合物（１）１モルに対し１〜１０
モル当量とすればよいが、必要に応じ、前記チアゾール
化合物（１）がなくなるまで反応系に添加してもよい。
【００２４】上記反応は、通常、有機溶媒中で行なわれ
る。有機溶媒としては特に制限されず、反応に不活性な
公知のものを何れも使用でき、例えば、蟻酸メチル、蟻
酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢
酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メ
チル、プロピオン酸エチル等の低級アルキルエステル
類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケ
トン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、
ジエチルケトン等のケトン類、ジエチルエーテル、エチ
ルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ジプロピ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテ
ル、メチルセロソルブ、ジメトキシエタン等のエーテル
類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリ
ル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリル
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、
アニソール等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、ク
ロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタン、ジブ
ロモエタン、プロピレンジクロライド、四塩化炭素等の
ハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
シクロアルカン類、ジメチルホルムアミド、ジエチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、Ｎ−
メチルピロリジノン等の環状アミド類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジオキソラン等の環状エーテル類、
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類等を挙げるこ
とができる。有機溶媒は１種を単独で使用でき又は２種
以上を併用できる。また有機溶媒には、必要に応じて水
が含まれていてもよい。有機溶媒の使用量は特に制限さ
れず、反応が円滑に進行する量を適宜選択すればよい
が、４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チア
ゾール化合物（１）１ｋｇに対し通常２〜２００リット
ル、好ましくは３〜１００リットルとすればよい。
る。有機溶媒としては特に制限されず、反応に不活性な
公知のものを何れも使用でき、例えば、蟻酸メチル、蟻
酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢
酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メ
チル、プロピオン酸エチル等の低級アルキルエステル
類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケ
トン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、
ジエチルケトン等のケトン類、ジエチルエーテル、エチ
ルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ジプロピ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテ
ル、メチルセロソルブ、ジメトキシエタン等のエーテル
類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリ
ル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリル
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、
アニソール等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、ク
ロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタン、ジブ
ロモエタン、プロピレンジクロライド、四塩化炭素等の
ハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
シクロアルカン類、ジメチルホルムアミド、ジエチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、Ｎ−
メチルピロリジノン等の環状アミド類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジオキソラン等の環状エーテル類、
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類等を挙げるこ
とができる。有機溶媒は１種を単独で使用でき又は２種
以上を併用できる。また有機溶媒には、必要に応じて水
が含まれていてもよい。有機溶媒の使用量は特に制限さ
れず、反応が円滑に進行する量を適宜選択すればよい
が、４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チア
ゾール化合物（１）１ｋｇに対し通常２〜２００リット
ル、好ましくは３〜１００リットルとすればよい。
【００２５】本反応は、通常−７８〜２００℃、好まし
くは−３０〜１２０℃の温度下に行なわれ、通常５分〜
５時間、好ましくは１０分〜２時間で終了する。上記の
反応により得られる４−アルキル−５−ビニル−チアゾ
ール化合物（２）は、抽出、蒸留等の通常の分離精製手
段により、反応系から容易に単離できる。
くは−３０〜１２０℃の温度下に行なわれ、通常５分〜
５時間、好ましくは１０分〜２時間で終了する。上記の
反応により得られる４−アルキル−５−ビニル−チアゾ
ール化合物（２）は、抽出、蒸留等の通常の分離精製手
段により、反応系から容易に単離できる。
【００２６】また、本発明によれば、４−アルキル−５
−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）に、スル
ホン酸誘導体（４）の存在下、２モル当量以上の二環式
アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土類金
属塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１種又
は２種以上を反応させることにより、４−アルキル−５
−ビニル−チアゾール化合物（２）を製造できる（製造
法−２）。
−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）に、スル
ホン酸誘導体（４）の存在下、２モル当量以上の二環式
アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土類金
属塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１種又
は２種以上を反応させることにより、４−アルキル−５
−ビニル−チアゾール化合物（２）を製造できる（製造
法−２）。
【００２７】
【化１３】
【００２８】
Ｒ３ＳＯ２Ｘ （４）
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘは上記に同じ。〕
【００２９】本反応には、目的物である４−アルキル−
５−ビニル−チアゾール化合物（２）をワンポットで製
造できるという利点がある。従って、工業的な製造法と
してより好適な方法と言うことができる。原料化合物で
ある４−アルキル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール
化合物（３）は、公知の化合物である。
５−ビニル−チアゾール化合物（２）をワンポットで製
造できるという利点がある。従って、工業的な製造法と
してより好適な方法と言うことができる。原料化合物で
ある４−アルキル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール
化合物（３）は、公知の化合物である。
【００３０】スルホン酸誘導体（４）はスルホン酸ハラ
イド又はスルホン酸無水物であり、その具体例として
は、例えば、塩化メタンスルホニル、臭化メタンスルホ
ニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル等の置換基を
有してもよい低級アルキルスルホン酸ハライド、塩化ベ
ンゼンスルホニル、塩化トルエンスルホニル等の置換基
を有してもよい芳香族スルホン酸ハライド、塩化ベンジ
ルスルホニル、塩化ｐ−メトキシベンジルスルホニル、
塩化フェネチルスルホニル等の置換基を有してもよいア
ラルキルスルホン酸ハライド、メタンスルホン酸無水
物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等の置換基を
有してもよい低級アルキルスルホン酸無水物、ベンゼン
スルホン酸無水物、トルエンスルホン酸無水物等の置換
基を有してもよい芳香族スルホン酸無水物、ベンジルス
ルホン酸無水物、ｐ−メトキシベンジルスルホン酸無水
物等の置換基を有してもよいアラルキルスルホン酸無水
物等を挙げることができる。スルホン酸誘導体（４）は
１種を単独で使用でき又は必要に応じて２種以上を併用
できる。スルホン酸誘導体（４）の使用量は特に制限は
なく、広い範囲から適宜選択できるが、４−アルキル−
５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）１モル
に対して通常１〜５０倍モル、好ましくは１〜１０倍モ
ルとすればよい。
イド又はスルホン酸無水物であり、その具体例として
は、例えば、塩化メタンスルホニル、臭化メタンスルホ
ニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル等の置換基を
有してもよい低級アルキルスルホン酸ハライド、塩化ベ
ンゼンスルホニル、塩化トルエンスルホニル等の置換基
を有してもよい芳香族スルホン酸ハライド、塩化ベンジ
ルスルホニル、塩化ｐ−メトキシベンジルスルホニル、
塩化フェネチルスルホニル等の置換基を有してもよいア
ラルキルスルホン酸ハライド、メタンスルホン酸無水
物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等の置換基を
有してもよい低級アルキルスルホン酸無水物、ベンゼン
スルホン酸無水物、トルエンスルホン酸無水物等の置換
基を有してもよい芳香族スルホン酸無水物、ベンジルス
ルホン酸無水物、ｐ−メトキシベンジルスルホン酸無水
物等の置換基を有してもよいアラルキルスルホン酸無水
物等を挙げることができる。スルホン酸誘導体（４）は
１種を単独で使用でき又は必要に応じて２種以上を併用
できる。スルホン酸誘導体（４）の使用量は特に制限は
なく、広い範囲から適宜選択できるが、４−アルキル−
５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）１モル
に対して通常１〜５０倍モル、好ましくは１〜１０倍モ
ルとすればよい。
【００３１】二環式アミン、水素化アルカリ金属塩、水
素化アルカリ土類金属塩及びアルカリ金属アルコキシド
としては、上記と同様のものをいずれも使用できる。こ
れらの使用量は、４−アルキル−５−ヒドロキシエチル
−チアゾール化合物（３）１モルに対して２モル以上、
好ましくは２〜１０モルとすればよい。
素化アルカリ土類金属塩及びアルカリ金属アルコキシド
としては、上記と同様のものをいずれも使用できる。こ
れらの使用量は、４−アルキル−５−ヒドロキシエチル
−チアゾール化合物（３）１モルに対して２モル以上、
好ましくは２〜１０モルとすればよい。
【００３２】本反応は、通常有機溶媒中にて、通常−７
８〜２００℃、好ましくは−３０〜１２０℃の温度下に
行なわれ、通常５分〜５時間、好ましくは１０分〜２時
間で終了する。ここで使用される有機溶媒は、上記に例
示のものを何れも使用できる。有機溶媒の使用量は特に
制限されず広い範囲から適宜選択できるが、４−アルキ
ル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）１
ｋｇに対して、通常２〜２００リットル、好ましくは３
〜１００リットルとすればよい。上記の反応により得ら
れる４−アルキル−５−ビニル−チアゾール化合物
（２）は、抽出、蒸留等の通常の分離精製手段により、
反応系から容易に単離できる。
８〜２００℃、好ましくは−３０〜１２０℃の温度下に
行なわれ、通常５分〜５時間、好ましくは１０分〜２時
間で終了する。ここで使用される有機溶媒は、上記に例
示のものを何れも使用できる。有機溶媒の使用量は特に
制限されず広い範囲から適宜選択できるが、４−アルキ
ル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）１
ｋｇに対して、通常２〜２００リットル、好ましくは３
〜１００リットルとすればよい。上記の反応により得ら
れる４−アルキル−５−ビニル−チアゾール化合物
（２）は、抽出、蒸留等の通常の分離精製手段により、
反応系から容易に単離できる。
【００３３】上記の製造法において原料化合物として使
用される４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−
チアゾール化合物（１）は、塩基の存在下、４−アルキ
ル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）と
スルホン酸誘導体（４）とを反応させることにより製造
できる（製造法−３）。
用される４−アルキル−５−スルホニルオキシエチル−
チアゾール化合物（１）は、塩基の存在下、４−アルキ
ル−５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）と
スルホン酸誘導体（４）とを反応させることにより製造
できる（製造法−３）。
【００３４】塩基としては、有機塩基及び無機塩基のい
ずれをも用いることが出来る。有機塩基としては公知の
ものを使用でき、例えば、トリメチルアミン、ジメチル
エチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチ
ルアミン等のＮ,Ｎ,Ｎ−トリ低級アルキルアミン類、Ｎ
−メチルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジン等のＮ−低
級アルキルアザシクロアルカン類、Ｎ−メチルモルホリ
ン、Ｎ−エチルモルホリン等のＮ−低級アルキルアザオ
キシシクロアルカン類、Ｎ−ベンジル−Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアミン、Ｎ−ベンジル−Ｎ,Ｎ−ジエチルアミン等の
Ｎ−フェニル低級アルキル−Ｎ,Ｎ−ジ低級アルキルア
ミン類、Ｎ,Ｎ-ジメチルアニリン等のＮ,Ｎ−ジアルキ
ル芳香族アミン又はピリジン等の含窒素芳香族アミン等
を挙げることができる。無機塩基としても公知のものを
使用でき、例えば、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等の炭酸アルカリ金属塩、炭酸ベリリウム、
炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等の炭酸アルカリ土
類金属塩、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウム等の炭酸水素アルカリ金属塩、水酸化リ
チウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化
アルカリ金属塩、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウ
ム等の水酸化アルカリ土類金属塩、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のアルカリ土類金属酸化物等を挙げる
ことができる。更に、上記の製造法−１，２で用いた二
環式アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土
類金属塩及びアルカリ金属アルコキシドも、塩基として
用いることができる。塩基は１種を単独で使用でき又は
２種以上を併用できる。塩基の使用量は特に制限されず
広い範囲から適宜選択できるが、通常、４−アルキル−
５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）１モル
に対して１〜１０モル使用すればよく、必要ならばチア
ゾール化合物（３）がなくなるまで添加してもよい。
ずれをも用いることが出来る。有機塩基としては公知の
ものを使用でき、例えば、トリメチルアミン、ジメチル
エチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチ
ルアミン等のＮ,Ｎ,Ｎ−トリ低級アルキルアミン類、Ｎ
−メチルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジン等のＮ−低
級アルキルアザシクロアルカン類、Ｎ−メチルモルホリ
ン、Ｎ−エチルモルホリン等のＮ−低級アルキルアザオ
キシシクロアルカン類、Ｎ−ベンジル−Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアミン、Ｎ−ベンジル−Ｎ,Ｎ−ジエチルアミン等の
Ｎ−フェニル低級アルキル−Ｎ,Ｎ−ジ低級アルキルア
ミン類、Ｎ,Ｎ-ジメチルアニリン等のＮ,Ｎ−ジアルキ
ル芳香族アミン又はピリジン等の含窒素芳香族アミン等
を挙げることができる。無機塩基としても公知のものを
使用でき、例えば、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等の炭酸アルカリ金属塩、炭酸ベリリウム、
炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等の炭酸アルカリ土
類金属塩、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウム等の炭酸水素アルカリ金属塩、水酸化リ
チウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化
アルカリ金属塩、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウ
ム等の水酸化アルカリ土類金属塩、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のアルカリ土類金属酸化物等を挙げる
ことができる。更に、上記の製造法−１，２で用いた二
環式アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土
類金属塩及びアルカリ金属アルコキシドも、塩基として
用いることができる。塩基は１種を単独で使用でき又は
２種以上を併用できる。塩基の使用量は特に制限されず
広い範囲から適宜選択できるが、通常、４−アルキル−
５−ヒドロキシエチル−チアゾール化合物（３）１モル
に対して１〜１０モル使用すればよく、必要ならばチア
ゾール化合物（３）がなくなるまで添加してもよい。
【００３５】本反応は、通常−７８〜２００℃、好まし
くは−３０〜１２０℃の温度下に行なわれ、通常５分〜
５時間、好ましくは１０分〜２時間で終了する。本反応
により得られる４−アルキル−５−スルホニルオキシエ
チル−チアゾール化合物（１）は、抽出、蒸留等の通常
の分離精製手段に従って、反応系から容易に単離精製で
きる。また、該チアゾール化合物（１）を含む反応混合
物を、そのまま、４−アルキル−５−ビニル−チアゾー
ル化合物（２）の製造に用いることができる。
くは−３０〜１２０℃の温度下に行なわれ、通常５分〜
５時間、好ましくは１０分〜２時間で終了する。本反応
により得られる４−アルキル−５−スルホニルオキシエ
チル−チアゾール化合物（１）は、抽出、蒸留等の通常
の分離精製手段に従って、反応系から容易に単離精製で
きる。また、該チアゾール化合物（１）を含む反応混合
物を、そのまま、４−アルキル−５−ビニル−チアゾー
ル化合物（２）の製造に用いることができる。
【００３６】
【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明
するが、何らこれらに限定されるものではない。
するが、何らこれらに限定されるものではない。
【００３７】実施例１
３００ｍｌの四口フラスコに、４−メチル−５−ヒドロ
キシエチル−チアゾール（３）１０ｇを秤り取り、塩化
メチレン１００ｍｌを加えて溶解し、０〜５℃に冷却し
た。このものにメタンスルホニルクロリド６.６ｍｌ
（１.２モル当量）及びトリエチルアミン２４ｍｌ（２.
５モル当量）を加え、０〜５℃の温度を維持しながら１
時間１５分攪拌した。原料化合物（３）がほぼ消失して
いることを薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）で確認し
た後、５％塩化アンモニウム水溶液１００ｍｌを加え、
更に水５０ｍｌで２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシ
ウム上で乾燥した後、減圧下に溶媒を留去した。得られ
た残査をシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸エチル＝１
／１）にて精製し、化合物(１ａ)(Ｒ３＝ＣＨ３)１５.
１ｇ（収率９８％）が得られた。このものの１Ｈ−ＮＭ
Ｒは標品のそれと一致した。 １Ｈ−ＮＭＲ：ｄ ２.４２（ｓ，３Ｈ）、２.９５
（ｓ，３Ｈ）、３.２３（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６Ｈｚ）、４.
３６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６Ｈｚ）、８.６３（ｓ，１Ｈ）
キシエチル−チアゾール（３）１０ｇを秤り取り、塩化
メチレン１００ｍｌを加えて溶解し、０〜５℃に冷却し
た。このものにメタンスルホニルクロリド６.６ｍｌ
（１.２モル当量）及びトリエチルアミン２４ｍｌ（２.
５モル当量）を加え、０〜５℃の温度を維持しながら１
時間１５分攪拌した。原料化合物（３）がほぼ消失して
いることを薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）で確認し
た後、５％塩化アンモニウム水溶液１００ｍｌを加え、
更に水５０ｍｌで２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシ
ウム上で乾燥した後、減圧下に溶媒を留去した。得られ
た残査をシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸エチル＝１
／１）にて精製し、化合物(１ａ)(Ｒ３＝ＣＨ３)１５.
１ｇ（収率９８％）が得られた。このものの１Ｈ−ＮＭ
Ｒは標品のそれと一致した。 １Ｈ−ＮＭＲ：ｄ ２.４２（ｓ，３Ｈ）、２.９５
（ｓ，３Ｈ）、３.２３（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６Ｈｚ）、４.
３６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６Ｈｚ）、８.６３（ｓ，１Ｈ）
【００３８】実施例２
３００ｍｌの四口フラスコに、４−メチル−５−ヒドロ
キシエチル−チアゾール（３）１０ｇを秤り取り、塩化
メチレン１００ｍｌを加えて溶解した。このものにトル
エンスルホニルクロリド１６ｇ（１.２モル当量）及び
トリエチルアミン２４ｍｌ（２.４モル当量）を加え、
室温下２時間４０分攪拌した。原料化合物（３）がほぼ
消失していることを薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）
で確認した後、５％塩化アンモニウム水溶液１５０ｍｌ
を加え、更に水７５ｍｌで２回洗浄した。有機層を硫酸
マグネシウム上で乾燥した後、減圧下に溶媒を留去し
た。得られた残査をシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸
エチル＝２／１）にて精製し、化合物(１ｂ)（Ｒ３＝Ｃ
６Ｈ４−ＣＨ３−ｐ）１９.５ｇ(収率９８％)が得られ
た。このものの１Ｈ−ＮＭＲは標品のそれと一致した。 １Ｈ−ＮＭＲ：ｄ ２.１６（ｓ，３Ｈ）、２.４４
（ｓ，３Ｈ）、３.１６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６Ｈｚ）、４.
１６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６Ｈｚ）、７.３２（ｄ，２Ｈ，
Ｊ＝６Ｈｚ）、７.７１（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ）、８.
５５（ｓ，１Ｈ）
キシエチル−チアゾール（３）１０ｇを秤り取り、塩化
メチレン１００ｍｌを加えて溶解した。このものにトル
エンスルホニルクロリド１６ｇ（１.２モル当量）及び
トリエチルアミン２４ｍｌ（２.４モル当量）を加え、
室温下２時間４０分攪拌した。原料化合物（３）がほぼ
消失していることを薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）
で確認した後、５％塩化アンモニウム水溶液１５０ｍｌ
を加え、更に水７５ｍｌで２回洗浄した。有機層を硫酸
マグネシウム上で乾燥した後、減圧下に溶媒を留去し
た。得られた残査をシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸
エチル＝２／１）にて精製し、化合物(１ｂ)（Ｒ３＝Ｃ
６Ｈ４−ＣＨ３−ｐ）１９.５ｇ(収率９８％)が得られ
た。このものの１Ｈ−ＮＭＲは標品のそれと一致した。 １Ｈ−ＮＭＲ：ｄ ２.１６（ｓ，３Ｈ）、２.４４
（ｓ，３Ｈ）、３.１６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６Ｈｚ）、４.
１６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６Ｈｚ）、７.３２（ｄ，２Ｈ，
Ｊ＝６Ｈｚ）、７.７１（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ）、８.
５５（ｓ，１Ｈ）
【００３９】実施例３〜９
塩基を表１に記載のものに変更する以外は、実施例２と
同様に操作し、化合物（１ｂ）を合成した。得られた化
合物（１ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲはいずれも標品と一致し
た。
同様に操作し、化合物（１ｂ）を合成した。得られた化
合物（１ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲはいずれも標品と一致し
た。
【００４０】
【表１】
【００４１】実施例１０
３００ｍｌの四口フラスコに、４−メチル−５−ヒドロ
キシエチル−チアゾール（３）１０ｇを秤り取り、Ｎ,
Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍｌを加えて溶解し
た。このものにトルエンスルホニルクロリド１６ｇ(１.
２モル当量)及び炭酸ナトリウム１７.８ｇ（２.４モル
当量）を加え、室温下２時間４０分攪拌した。原料化合
物（３）がほぼ消失していることをＴＬＣで確認した
後、塩化メチレン３００ｍｌと水１００ｍｌとの混合溶
媒中に注ぎ込み、抽出を行った。有機層に５％塩化アン
モニウム水溶液１５０ｍｌを加え、水７５ｍｌで２回洗
浄した。有機層を硫酸マグネシウム上で乾燥した後、減
圧下に溶媒を留去した。得られた残査をシリカゲルカラ
ム（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、化合
物（１ｂ）が得られた（収率９３％）。得られた化合物
（１ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲは実施例２のそれと一致した。
キシエチル−チアゾール（３）１０ｇを秤り取り、Ｎ,
Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍｌを加えて溶解し
た。このものにトルエンスルホニルクロリド１６ｇ(１.
２モル当量)及び炭酸ナトリウム１７.８ｇ（２.４モル
当量）を加え、室温下２時間４０分攪拌した。原料化合
物（３）がほぼ消失していることをＴＬＣで確認した
後、塩化メチレン３００ｍｌと水１００ｍｌとの混合溶
媒中に注ぎ込み、抽出を行った。有機層に５％塩化アン
モニウム水溶液１５０ｍｌを加え、水７５ｍｌで２回洗
浄した。有機層を硫酸マグネシウム上で乾燥した後、減
圧下に溶媒を留去した。得られた残査をシリカゲルカラ
ム（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、化合
物（１ｂ）が得られた（収率９３％）。得られた化合物
（１ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲは実施例２のそれと一致した。
【００４２】実施例１１〜１６
塩基を表２に記載のものに変更する以外は、実施例１０
と同様に操作し、化合物（１ｂ）を合成した。得られた
化合物（１ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲはいずれも実施例２のそ
れと一致した。
と同様に操作し、化合物（１ｂ）を合成した。得られた
化合物（１ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲはいずれも実施例２のそ
れと一致した。
【００４３】
【表２】
【００４４】実施例１７
１０ｍｌのナス型フラスコに、化合物（１ｂ）（Ｒ３＝
Ｃ６Ｈ４−ＣＨ３−ｐ）１１０ｍｇを秤り取り、Ｎ,Ｎ
−ジメチルホルムアミド１ｍｌに溶解した。このものに
水素化ナトリウム（６０重量％含量）３１ｍｇ（２.０
モル当量）を加え、室温下１時間２０分攪拌した。原料
化合物（１ｂ）がほぼ消失していることをＴＬＣで確認
した後、塩化メチレン１０ｍｌと水１０ｍｌとの混合溶
媒中に注ぎ込み、抽出を行った。有機層を硫酸マグネシ
ウム上で乾燥した後、低真空度減圧下に溶媒を留去し
た。得られた残査をシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸
エチル＝２／１）にて精製し、４−メチル−５−ビニル
−チアゾール（２）４５.３ｍｇ（収率９４％）が得ら
れた。 １Ｈ−ＮＭＲ：ｄ ２.４３（ｓ，３Ｈ）、５.２５
（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１１Ｈｚ）、５.４７（ｄ，１Ｈ，Ｊ
＝１６ＨＺｚ）、６.７９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１１，１
６Ｈｚ）、８.５３（ｓ，１Ｈ）
Ｃ６Ｈ４−ＣＨ３−ｐ）１１０ｍｇを秤り取り、Ｎ,Ｎ
−ジメチルホルムアミド１ｍｌに溶解した。このものに
水素化ナトリウム（６０重量％含量）３１ｍｇ（２.０
モル当量）を加え、室温下１時間２０分攪拌した。原料
化合物（１ｂ）がほぼ消失していることをＴＬＣで確認
した後、塩化メチレン１０ｍｌと水１０ｍｌとの混合溶
媒中に注ぎ込み、抽出を行った。有機層を硫酸マグネシ
ウム上で乾燥した後、低真空度減圧下に溶媒を留去し
た。得られた残査をシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸
エチル＝２／１）にて精製し、４−メチル−５−ビニル
−チアゾール（２）４５.３ｍｇ（収率９４％）が得ら
れた。 １Ｈ−ＮＭＲ：ｄ ２.４３（ｓ，３Ｈ）、５.２５
（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１１Ｈｚ）、５.４７（ｄ，１Ｈ，Ｊ
＝１６ＨＺｚ）、６.７９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１１，１
６Ｈｚ）、８.５３（ｓ，１Ｈ）
【００４５】実施例１８
１０ｍｌのナス型フラスコに、化合物（１ａ）（Ｒ３＝
ＣＨ３）９８.５ｍｇを秤り取り、Ｎ,Ｎ−ジメチルホル
ムアミド１ｍｌに溶解した。このものに水素化ナトリウ
ム（６０重量％含量）３６ｍｇ（２.０モル当量）を加
え、室温下１時間４０分攪拌した。原料化合物（１ａ）
がほぼ消失していることをＴＬＣで確認した後、抽出以
降を実施例１７と同様にして操作すると、４−メチル−
５−ビニル−チアゾール（２）５１.８ｍｇ（収率９３
％）が得られた。得られた化合物の１Ｈ−ＮＭＲは実施
例１７に一致した。
ＣＨ３）９８.５ｍｇを秤り取り、Ｎ,Ｎ−ジメチルホル
ムアミド１ｍｌに溶解した。このものに水素化ナトリウ
ム（６０重量％含量）３６ｍｇ（２.０モル当量）を加
え、室温下１時間４０分攪拌した。原料化合物（１ａ）
がほぼ消失していることをＴＬＣで確認した後、抽出以
降を実施例１７と同様にして操作すると、４−メチル−
５−ビニル−チアゾール（２）５１.８ｍｇ（収率９３
％）が得られた。得られた化合物の１Ｈ−ＮＭＲは実施
例１７に一致した。
【００４６】実施例１９
２００ｍｌの四つ口フラスコに、化合物（１ｂ）１３ｇ
を秤り取り、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１３０ｍｌ
を加えて溶解した。このものにジアザビシクロウンデセ
ン７.９ｍｌ(１.３モル当量)を加え、１００℃にて１時
間攪拌した。原料化合物（１ｂ）がほぼ消失しているこ
とをＴＬＣで確認し、室温まで冷却した後、塩化メチレ
ン２５０ｍｌに注ぎ込み、更に５％塩化アンモニウム水
溶液１５０ｍｌを加え、水２５ｍｌで２回洗浄した。有
機層を硫酸マグネシウム上で乾燥した後、低真空度減圧
下に溶媒を留去した。得られた残査をシリカゲルカラム
（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、４−メ
チル−５−ビニル−チアゾール（２）４.４９ｇ（収率
９１％）が得られた。得られた化合物の１Ｈ−ＮＭＲは
実施例１７に一致した。
を秤り取り、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１３０ｍｌ
を加えて溶解した。このものにジアザビシクロウンデセ
ン７.９ｍｌ(１.３モル当量)を加え、１００℃にて１時
間攪拌した。原料化合物（１ｂ）がほぼ消失しているこ
とをＴＬＣで確認し、室温まで冷却した後、塩化メチレ
ン２５０ｍｌに注ぎ込み、更に５％塩化アンモニウム水
溶液１５０ｍｌを加え、水２５ｍｌで２回洗浄した。有
機層を硫酸マグネシウム上で乾燥した後、低真空度減圧
下に溶媒を留去した。得られた残査をシリカゲルカラム
（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、４−メ
チル−５−ビニル−チアゾール（２）４.４９ｇ（収率
９１％）が得られた。得られた化合物の１Ｈ−ＮＭＲは
実施例１７に一致した。
【００４７】実施例２０
１０ｍｌのナス型フラスコに、化合物(１ａ)１１１ｍｇ
を秤り取り、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍｌを加
えて溶解した。このものにジアザビシクロウンデセン
（ＤＢＵ）０.０９２ｍｌ（１.２モル当量）を加え、１
００℃にて１時間攪拌した。原料化合物（１ａ）がほぼ
消失していることをＴＬＣで確認し、室温まで冷却した
後、塩化メチレン２０ｍｌと５％塩化アンモニウム水溶
液２０ｍｌとの混合溶媒中に注ぎ込み、５％塩化アンモ
ニウム水溶液で２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウ
ム上で乾燥した後、低真空度減圧下に溶媒を留去した。
得られた残査をシリカゲルカラム（ヘキサン/酢酸エチ
ル＝２／１）にて精製すると、４−メチル−５−ビニル
−チアゾール（２）５５.８ｍｇ（収率８９％）が得ら
れた。得られた化合物の１Ｈ−ＮＭＲは実施例１７に一
致した。
を秤り取り、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍｌを加
えて溶解した。このものにジアザビシクロウンデセン
（ＤＢＵ）０.０９２ｍｌ（１.２モル当量）を加え、１
００℃にて１時間攪拌した。原料化合物（１ａ）がほぼ
消失していることをＴＬＣで確認し、室温まで冷却した
後、塩化メチレン２０ｍｌと５％塩化アンモニウム水溶
液２０ｍｌとの混合溶媒中に注ぎ込み、５％塩化アンモ
ニウム水溶液で２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウ
ム上で乾燥した後、低真空度減圧下に溶媒を留去した。
得られた残査をシリカゲルカラム（ヘキサン/酢酸エチ
ル＝２／１）にて精製すると、４−メチル−５−ビニル
−チアゾール（２）５５.８ｍｇ（収率８９％）が得ら
れた。得られた化合物の１Ｈ−ＮＭＲは実施例１７に一
致した。
【００４８】実施例２１
１０ｍｌのナス型フラスコに、４−メチル−５−ヒドロ
キシエチル−チアゾール（３）１０２ｍｇを秤り取り、
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍｌを加えて溶解し
た。このものにトルエンスルホニルクロリド１６０ｍｇ
（１.２モル当量）及び炭酸ナトリウム１９０ｍｇ（２.
４モル当量）を加え室温下に１時間撹拌した。この反応
液に更に水素化ナトリウム（６０重量％含量）４３ｍｇ
（１.５モル当量）を加え、室温下に３０分攪拌した。
原料化合物（３）がほぼ消失していることをＴＬＣで確
認した後、塩化メチレン２０ｍｌと水２０ｍｌとの混合
溶媒中に注ぎ込み、抽出を行った。有機層を硫酸マグネ
シウム上で乾燥した後、低真空度減圧下に溶媒を留去し
た。得られた残査をシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸
エチル＝２／１）にて精製すると、４−メチル−５−ビ
ニル−チアゾール（２）８０.２ｍｇ（収率９０％）が
得られた。
キシエチル−チアゾール（３）１０２ｍｇを秤り取り、
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍｌを加えて溶解し
た。このものにトルエンスルホニルクロリド１６０ｍｇ
（１.２モル当量）及び炭酸ナトリウム１９０ｍｇ（２.
４モル当量）を加え室温下に１時間撹拌した。この反応
液に更に水素化ナトリウム（６０重量％含量）４３ｍｇ
（１.５モル当量）を加え、室温下に３０分攪拌した。
原料化合物（３）がほぼ消失していることをＴＬＣで確
認した後、塩化メチレン２０ｍｌと水２０ｍｌとの混合
溶媒中に注ぎ込み、抽出を行った。有機層を硫酸マグネ
シウム上で乾燥した後、低真空度減圧下に溶媒を留去し
た。得られた残査をシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸
エチル＝２／１）にて精製すると、４−メチル−５−ビ
ニル−チアゾール（２）８０.２ｍｇ（収率９０％）が
得られた。
【００４９】実施例２２
１０ｍｌのナス型フラスコに、４−メチル−５−ヒドロ
キシエチル−チアゾール（３）１００ｍｇを秤り取り、
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍｌを加えて溶解し
た。このものにトルエンスルホニルクロリド１６０ｍｇ
（１.２モル当量）及び水素化ナトリウム（６０重量％
含量）８４ｍｇ（３モル当量）を加え、室温下に１時間
３０分攪拌した。原料化合物（３）がほぼ消失している
ことをＴＬＣで確認した後、抽出以降を実施例２１と同
様に操作すると、４−メチル−５−ビニル−チアゾール
（２）７１.６ｍｇ（収率８２％）が得られた。
キシエチル−チアゾール（３）１００ｍｇを秤り取り、
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍｌを加えて溶解し
た。このものにトルエンスルホニルクロリド１６０ｍｇ
（１.２モル当量）及び水素化ナトリウム（６０重量％
含量）８４ｍｇ（３モル当量）を加え、室温下に１時間
３０分攪拌した。原料化合物（３）がほぼ消失している
ことをＴＬＣで確認した後、抽出以降を実施例２１と同
様に操作すると、４−メチル−５−ビニル−チアゾール
（２）７１.６ｍｇ（収率８２％）が得られた。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、工業的に簡便かつ穏和
な条件下で、目的物である４−アルキル−５−ビニル−
チアゾール化合物（２）を高収率で合成できる製造法が
提供される。また、本発明によれば、中間体である４−
アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チアゾール化
合物（１）を反応系内で生成させ、そのまま引続いて目
的物の合成を行うワンポット反応の製造法が提供され
る。
な条件下で、目的物である４−アルキル−５−ビニル−
チアゾール化合物（２）を高収率で合成できる製造法が
提供される。また、本発明によれば、中間体である４−
アルキル−５−スルホニルオキシエチル−チアゾール化
合物（１）を反応系内で生成させ、そのまま引続いて目
的物の合成を行うワンポット反応の製造法が提供され
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 式（１）で表される４−アルキル−５−
スルホニルオキシエチル−チアゾール化合物と二環式ア
ミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土類金属
塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１種又は
２種以上とを反応させることを特徴とする、式（２）で
表される４−アルキル−５−ビニル−チアゾール化合物
の製造法。 【化１】 〔式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ２は水素
原子又は置換基を有することがあるアミノ基、Ｒ３は置
換基を有することのある低級アルキル基、置換基を有す
ることのあるアリール基又は置換基を有することのある
アラルキル基を示す。〕 【化２】 〔式中、Ｒ１、Ｒ２は上記に同じ。〕 - 【請求項２】 式（３）で表される４−アルキル−５−
ヒドロキシエチル−チアゾール化合物に、式（４）で表
されるスルホン酸誘導体の存在下、２モル当量以上の二
環式アミン、水素化アルカリ金属塩、水素化アルカリ土
類金属塩及びアルカリ金属アルコキシドから選ばれる１
種又は２種以上を反応させることを特徴とする、式
（２）で表される４−アルキル−５−ビニル−チアゾー
ル化合物の製造法。 【化３】 Ｒ３ＳＯ２Ｘ （４） 【化４】 〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は上記に同じ。Ｘはハロゲン
原子又は基−ＯＳＯ２Ｒ ３を示す。〕 - 【請求項３】 式（３）で表される４−アルキル−５−
ヒドロキシエチル−チアゾール化合物と、式（４）で表
されるスルホン酸誘導体とを、塩基の存在下に、反応さ
せることを特徴とする、式（１）で表される４−アルキ
ル−５−スルホニルオキシエチル−チアゾール化合物の
製造法。 【化５】 Ｒ３ＳＯ２Ｘ （４） 【化６】 〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘは上記に同じ。〕
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| JP2002118667A JP4289829B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | ４−アルキル−チアゾール化合物の製造法 |
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| JP2002118667A JP4289829B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | ４−アルキル−チアゾール化合物の製造法 |
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| JP2003313174A true JP2003313174A (ja) | 2003-11-06 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016136735A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 花王株式会社 | 昆虫忌避剤 |
-
2002
- 2002-04-22 JP JP2002118667A patent/JP4289829B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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