JP2003309405A - 誘電体共振器装置、高周波フィルタおよび高周波発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 共振器とスロット線路等との間で強い結合を
得ることができる誘電体共振器装置、高周波フィルタお
よび高周波発振器を提供する。 【解決手段】 誘電体基板１の表面１Ａ、裏面１Ｂには
電極膜２，３を形成すると共に、これらの電極膜２，３
には互いに対向する円形の開口４Ａ，４ＢからなるＴＥ
０１０モード共振器４を形成する。また、電極膜２，３
には互いに対向するスロット５Ａ，５ＢからなるＰＤＴ
Ｌ５を形成し、ＰＤＴＬ５をＴＥ０１０モード共振器４
に接続する。さらに、電極膜２，３のうちスロット５
Ａ，５Ｂの両脇に位置する部位を開口４Ａ，４Ｂ内に延
伸させることによって励振部６を形成する。これによ
り、励振部６の先端をＴＥ０１０モード共振器４の電界
強度の強い位置に配置することができ、ＴＥ０１０モー
ド共振器４とＰＤＴＬ５との結合を強くすることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばマイクロ
波、ミリ波等の高周波の電磁波（高周波信号）に用いて
好適な誘電体共振器装置、高周波フィルタおよび高周波
発振器に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、誘電体共振器装置として、誘電
体基板の表面と裏面に電極膜を設け、これら表面側と裏
面側の電極膜に誘電体基板を挟んで互いに対向して配置
された円形開口からなるＴＥ０１０モード共振器を形成
すると共に、誘電体基板の表面側にはＴＥ０１０モード
共振器に接続されたコプレーナ線路を設けたものが知ら
れている（例えば、特開平１１−２３９０２１号公報
等）。

【０００３】この従来技術では、コプレーナ線路のうち
接地導体（電極膜）に挟まれたストリップ状の中心導体
をＴＥ０１０モード共振器の円形開口内まで延伸させて
いる。これにより、この延伸した中心導体を結合線路と
して用い、コプレーナ線路とＴＥ０１０モード共振器と
を強く結合させている。

【０００４】また、他の従来技術による誘電体共振器装
置として、誘電体基板には、表面側の電極膜に矩形開口
を形成し、裏面側の電極膜を接地導体とした接地導体付
のスロット共振器を設けると共に、表面側の電極膜に溝
状の切欠きからなるスロット線路を設け、該スロット線
路を矩形スロット共振器に接続したものも知られてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術による誘電体共振器装置では、ＴＥ０１０モード
共振器、スロット共振器等とコプレーナ線路とでは、高
周波信号を励振、伝搬したときのモードが異なる。この
ため、ＴＥ０１０モード共振器等とコプレーナ線路との
間で強い結合をとったときには、共振器の無負荷Ｑ（Ｑ
o）が劣化し、損失が増大するという問題がある。

【０００６】一方、他の従来技術では、スロット共振器
とスロット線路とはいずれもＴＥモードで励振、伝搬す
るから、モードの相違によるＱoの劣化を抑制すること
ができる。しかし、スロット共振器の輪郭部（矩形開口
の周縁部）に位置する電極膜はショート面をなすのに対
し、スロット線路の先端はこのショート面に直接接続さ
れているから、スロット線路の先端で電界強度を高める
ことができず、スロット共振器とスロット線路との間で
強い結合を得ることできないという問題がある。

【０００７】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明の目的は共振器とスロット線路等
との間で強い結合を得ることができる誘電体共振器装
置、高周波フィルタおよび高周波発振器を提供すること
にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、誘電体基板と、該誘電体基板の両面
のうち少なくとも表面に設けられた電極膜と、該電極膜
に形成された開口からなる共振器と、該共振器の開口に
接続されたスロットを有するスロット系線路とによって
構成してなる誘電体共振器装置に適用される。

【０００９】そして、請求項１の発明が採用する構成の
特徴は、電極膜にはスロットの両脇に位置する部位を前
記開口内に向けて延伸させることにより励振部を形成し
たことにある。

【００１０】このように構成したことにより、励振部に
よってスロットを共振器の開口内に延長させることがで
きると共に、励振部を共振器の開口のうち電界強度が強
い位置まで引き込むことができる。このため、例えば励
振部の先端（突出端）側に電界強度の強い高周波信号を
入力することによって、共振器を強く励振することがで
き、共振器とスロット系線路との間の結合を強くするこ
とができる。

【００１１】請求項２の発明は、励振部の延伸寸法を、
誘電体基板内の高周波信号の波長をλgとしたときに、
λg／４から（３×λg）／４程度の値に設定したことに
ある。

【００１２】これにより、共振器内の電界最大となる位
置と励振部のうち仮想的な開放端となる先端とを近付け
ることができる。このため、励振部の延伸寸法を他の値
に設定したときに比べて、共振器とスロット系線路との
間の結合をさらに強くすることができる。

【００１３】請求項３の発明では、誘電体基板には高周
波信号を伝送する伝送線路を設け、前記スロット系線路
は該伝送線路からＴ分岐したＴ分岐線路をなし、前記励
振部は該Ｔ分岐線路の先端に配置する構成としている。

【００１４】これにより、共振器は伝送線路を伝搬する
高周波信号のうち共振周波数に対応した信号を反射する
から、帯域反射型のフィルタを構成することができる。

【００１５】請求項４の発明は、Ｔ分岐線路の長さ寸法
を、誘電体基板内の高周波信号の波長をλgとしたとき
に、λg／４程度の値に設定したことにある。

【００１６】これにより、Ｔ分岐線路のうち伝送線路か
らＴ分岐した基端を仮想的な開放端、この基端からλg
／４程度の長さ寸法だけ離間したＴ分岐線路の先端を仮
想的な短絡端とすることができると共に、Ｔ分岐線路の
先端に延伸して設けられた励振部の先端を仮想的な開放
端にすることができる。このため、電界強度の強い励振
部の先端（開放端）を、共振器のうち電界強度が強い開
口内の位置に配置することができ、共振器とスロット系
線路との間の結合をさらに強くすることができる。

【００１７】請求項５の発明のように、本発明による誘
電体共振器装置を入力部と出力部のうち少なくともいず
れか一方に用いて高周波フィルタを構成してもよい。

【００１８】これにより、誘電体共振器装置のうち共振
器とスロット系線路との間の結合を強くすることがで
き、当該誘電体共振器装置を用いた高周波フィルタの周
波数帯域を増大することができる。

【００１９】この場合、請求項６の発明のように、入力
部と出力部とは異なる構造のスロット系線路を接続し、
線路変換の機能を有する構成としてもよい。

【００２０】これにより、線路変換機能を高周波フィル
タに組み込むことができ、高周波フィルタの高機能化を
図ることができる。また、高周波フィルタとは別個に線
路変換部を設けた場合に比べて、線路変換部を省くこと
ができ、装置全体を小型化することができる。

【００２１】また、請求項７の発明のように、本発明に
よる誘電体共振器装置を用いて高周波発振器を構成して
もよい。

【００２２】これにより、誘電体共振器装置のうち共振
器とスロット系線路との間の結合を強くすることがで
き、当該誘電体共振器装置を用いた高周波発振器の位相
雑音の軽減、周波数変調幅の増大、発振出力の増加を行
うことができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
誘電体共振器装置、高周波フィルタおよび高周波発振器
を、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。

【００２４】まず、図１ないし図３は第１の実施の形態
による誘電体共振器装置を示し、図において、１は略四
角形の平板状に形成された誘電体基板で、該誘電体基板
１は、誘電体材料として、樹脂材料、セラミックス材
料、またはこれらを混合して焼結した複合材料からな
り、例えば厚さ寸法ｔが０．６ｍｍ（ｔ＝０．６ｍ
ｍ）、比誘電率εrが２４（εr＝２４）程度の値に設定
されている。

【００２５】２，３は誘電体基板１の表面１Ａ、裏面１
Ｂにそれぞれ形成された電極膜で、該電極膜２，３は、
例えばフォトリソグラフィ技術等を用いて金、銅、銀等
の導電性の金属薄膜を両面一緒に高精度にパターニング
することによって形成されている。

【００２６】４は誘電体基板１の中央側に設けられた円
形のＴＥ０１０モード共振器で、該ＴＥ０１０モード共
振器４は、電極膜２，３にそれぞれ形成された円形の開
口４Ａ，４Ｂによって構成され、これらの開口４Ａ，４
Ｂは誘電体基板１を挟んで互いに対向する位置に配設さ
れている。そして、ＴＥ０１０モード共振器４は、共振
周波数ｆ0が例えば３０ＧＨｚ（ｆ0＝３０ＧＨｚ）程度
に設定されると共に、誘電体基板１内での共振周波数ｆ
0に対応した高周波信号の波長をλgとしたときに、直径
寸法φが波長λgとほぼ等しい値として例えば３．５ｍ
ｍ（φ＝３．５ｍｍ）程度に設定されている。

【００２７】５は誘電体基板１の外周縁からＴＥ０１０
モード共振器４に向けて直線状に延びるスロット系線路
としての平面誘電体線路（以下、ＰＤＴＬ５という）
で、該ＰＤＴＬ５は、円形をなすＴＥ０１０モード共振
器４の法線方向に沿って延びている。また、ＰＤＴＬ５
は、電極膜２，３にそれぞれ形成された溝状のスロット
５Ａ，５Ｂによって構成され、これらのスロット５Ａ，
５Ｂは誘電体基板１を挟んで互いに対向する位置に配設
されている。そして、ＰＤＴＬ５は、例えば幅寸法Ｗ1
が０．１ｍｍ（Ｗ1＝０．１ｍｍ）程度に設定されてい
る。

【００２８】６はＴＥ０１０モード共振器４の開口４
Ａ，４Ｂ内に位置して設けられた励振部で、該励振部６
は、ＰＤＴＬ５の延長線上に位置してＴＥ０１０モード
共振器４の中心に向けて延びている。また、励振部６
は、誘電体基板１の表面１Ａ側に位置して開口４Ａ内に
突出して設けられ、互いに平行に延びる２本の細長い励
振線路６Ａと、誘電体基板１の裏面１Ｂ側に位置して開
口４Ｂ内に突出して設けられ、誘電体基板１を挟んで励
振線路６Ａに対向した２本の細長い励振線路６Ｂとによ
って構成され、ＰＤＴＬ５をＴＥ０１０モード共振器４
内まで延長して引き込んでいる。

【００２９】そして、励振線路６Ａは、電極膜２のうち
スロット５Ａの両脇に位置する部位を開口４Ａ内に延伸
する（引き込む）ことによって形成され、電極膜２と同
じ導電性の金属薄膜を用いて電極膜２と一体化して形成
されている。同様に、励振線路６Ｂも、電極膜３のうち
スロット５Ｂの両脇に位置する部位を開口４Ｂ内に延伸
することによって形成されている。

【００３０】また、励振部６は、ＴＥ０１０モード共振
器４の輪郭部をなす開口４Ａ，４Ｂの周縁部４Ｃ，４Ｄ
から開口４Ａ，４Ｂ内に向けて突出した延伸寸法Ｌが、
誘電体基板１内での共振周波数ｆ0に対応した高周波信
号の波長λgに対して、例えばλg／４と（３×λg）／
４との間の範囲となる値（λg／４≦Ｌ≦（３×λg）／
４）に設定されている。そして、励振部６の励振線路６
Ａ，６Ｂは、例えば幅寸法Ｗ2が０．１ｍｍ（Ｗ2＝０．
１ｍｍ）程度に設定されている。

【００３１】本実施の形態による誘電体共振器装置は上
述の如き構成を有するもので、次にその作動について図
１ないし図５を参照しつつ説明する。

【００３２】まず、ＰＤＴＬ５に例えば３０ＧＨｚ程度
の高周波の電磁波（高周波信号）を入力すると、スロッ
ト５Ａ，５Ｂの幅方向に電界Ｅが形成されると共に、ス
ロット５Ａ，５Ｂの長さ方向と誘電体基板１の厚さ方向
とに対して磁界Ｈが形成される。そして、高周波信号
は、誘電体基板１の表面１Ａと裏面１Ｂとで全反射を繰
り返すＴＥ波となってＴＥ０１０モード共振器４に向け
て伝搬すると共に、ＰＤＴＬ５に連続した励振部６の先
端からＴＥ０１０モード共振器４の開口４Ａ，４Ｂ内に
放射される。このとき、ＴＥ０１０モード共振器４内の
高周波信号は、周縁部４Ｃ，４Ｄ間を結ぶ円周面がショ
ート面となっているから、円環状の電界Ｅと該電界Ｅを
取囲むドーナツ状の磁界Ｈとを形成し、ＴＥ０１０モー
ドに準じた共振モードで共振する（図４参照）。

【００３３】然るに、本実施の形態では、ＴＥ０１０モ
ード共振器４にはその共振モードと同じＴＥモードで高
周波信号を伝搬するＰＤＴＬ５を接続したから、従来技
術のようにコプレーナ線路を接続した場合に比べて、無
負荷Ｑ（Ｑo）の劣化を防ぐことができ、損失を抑える
ことができる。

【００３４】また、他の従来技術のように励振部６を設
けない場合には、ＰＤＴＬ５の先端（開放端）がショー
ト面をなす周縁部４Ｃ，４Ｄに接触するから、励振部位
をなすＰＤＴＬ５の先端の電界強度を高めることができ
ない。これに対し、本実施の形態では、励振部６の先端
が周縁部４Ｃ，４Ｄから離間しているから、励振部６の
先端の電界強度を高めた状態でＴＥ０１０モード共振器
４を励振することができ、ＴＥ０１０モード共振器４と
ＰＤＴＬ５との間の結合を強くすることができる。

【００３５】特に、ＴＥ０１０モード共振器４は、開口
４Ａ，４Ｂのうち中心と周縁部４Ｃ，４Ｄとの中間に位
置する環状の部位が電界強度が強くなる。一方、励振部
６も２本の励振線路６Ａ間および２本の励振線路６Ｂ間
がいずれも絶縁されているから、励振部６の先端は電界
強度が大きな仮想的な開放端となっている。そして、励
振部６は周縁部４Ｃ，４ＤからＴＥ０１０モード共振器
４の電界強度の強い位置まで突出しているから、励振部
６の仮想的な開放端をＴＥ０１０モード共振器４の電界
強度の強い位置に配置することができ、ＴＥ０１０モー
ド共振器４を電界強度を高めた状態で励振することがで
きる。

【００３６】即ち、誘電体基板１の比誘電率εrを例え
ば２４、誘電体基板１の厚さ寸法ｔを例えば０．６ｍ
ｍ、ＴＥ０１０モード共振器４の直径寸法φを例えば
３．５ｍｍ、ＰＤＴＬ５の幅寸法Ｗ1を例えば０．１ｍ
ｍ、励振部６の励振線路６Ａ，６Ｂの幅寸法Ｗ2を例え
ば０．１ｍｍにそれぞれ設定し、電磁界シミュレーショ
ンを行った場合、図５に示す解析結果を得ることができ
る。

【００３７】ここで、図５は、励振部６の長さ寸法Ｌと
ＴＥ０１０モード共振器４の外部Ｑ（Ｑe）との関係を
示している。図５において、Ｌ＝０の点は他の従来技術
と同じ状態（励振部６を設けない状態）を示し、この状
態のＱeは３００程度となる。これに対し、励振部６を
ＴＥ０１０モード共振器４内に突出させることによっ
て、Ｑeを７０程度まで強化することができる。

【００３８】特に、ＴＥ０１０モード共振器４の電界強
度が最大となる位置と励振部６の仮想的な開放端（先
端）とが近付く範囲として、励振部６の長さ寸法Ｌがλ
g／４と（３×λg）／４との間の範囲となる値（λg／
４≦Ｌ≦（３×λg）／４）では、他の範囲に比べてＱe
が小さくなる。従って、本実施の形態のように、励振部
６の長さ寸法Ｌをλg／４から（３×λg）／４の範囲に
設定することによって、ＴＥ０１０モード共振器４とＰ
ＤＴＬ５との結合をさらに強くすることができる。

【００３９】また、励振部６をＴＥ０１０モード共振器
４の内部に形成したから、励振部６を形成することによ
って装置全体が大型化することがない。さらに、ＴＥ０
１０モード共振器４、ＰＤＴＬ５および励振部６を同一
の電極成膜プロセスによって成形できるから、特性バラ
ツキが少ない誘電体共振器装置を提供することができ
る。

【００４０】なお、第１の実施の形態では、共振器とし
てＴＥ０１０モード共振器４を用いるものとした。しか
し、本発明はこれに限らず、共振器として、誘電体基板
１の表面１Ａには円形開口をもった電極膜２を設け、裏
面１Ｂからは電極膜３を省いた円形共振器を用いてもよ
く、誘電体基板１の表面１Ａには円形開口をもった電極
膜２を設け、裏面１Ｂには全面に亘って接地された電極
膜２を設けた円形共振器を用いてもよい。

【００４１】また、第１の実施の形態では、励振部６の
励振線路６Ａ，６Ｂは直線状をなすものとした。しか
し、本発明はこれに限るものではなく、図６ないし図１
１に示す第１ないし第６の変形例に示すように各種の形
状を採用し得るものである。

【００４２】例えば、図６に示す第１の変形例のように
励振部１１をなす２本の励振線路１１Ａ（表面１Ａ側の
み図示）の先端には互いに離間する方向に屈曲した屈曲
部１１Ｂを形成する構成としてもよい。この場合、励振
部１１の先端を拡開させたから、励振部１１の屈曲部１
１Ｂによって環状の電界を形成し易くすることができ
る。

【００４３】また、図７に示す第２の変形例のように励
振部１２をなす２本の励振線路１２Ａ（表面１Ａ側のみ
図示）の先端には互いに離間する方向に屈曲し、ＴＥ０
１０モード共振器４の周縁部４Ｃに沿って湾曲して延び
る湾曲部１２Ｂを形成する構成としてもよい。この場
合、励振線路１２の先端を周縁部４Ｃに沿って湾曲させ
たから、湾曲部１２Ｂを取囲む磁界を誘導し、ＴＥ０１
０モード共振器４内にドーナツ状の磁界を形成し易くす
ることができる。

【００４４】また、図８に示す第３の変形例のように励
振部１３の励振線路１３Ａ（表面１Ａ側のみ図示）の幅
寸法は基端側と先端側とで異なる値（例えば先端側を大
きく）に形成してもよく、図９に示す第４の変形例のよ
う励振部１４をなす２本の励振線路１４Ａ（表面１Ａ側
のみ図示）間の間隔寸法は基端側と先端側とで異なる値
（例えば先端側を大きく）に形成してもよい。

【００４５】これらの場合には、励振線路１３Ａの幅寸
法、励振線路１４Ａ間の間隔寸法に応じて励振部１３，
１４のインピーダンスが変化するから、ＴＥ０１０モー
ド共振器４の外部Ｑ（Ｑe）を調整することができる。

【００４６】また、図１０に示す第５の変形例のよう
に、励振部１５をなす励振線路１５Ａ（表面１Ａ側のみ
図示）には、基端側、先端側等に形成される鋭角形状を
なす部位に丸みをもって連続する面取り部１５Ｂを形成
してもよい。

【００４７】この場合、鋭角形状をなす部位には電流が
集中し易く、ＴＥ０１０モード共振器４の無負荷Ｑ（Ｑ
o）が低下する傾向があるのに対し、面取り部１５Ｂに
よって電流の集中を緩和することができ、Ｑoの劣化を
抑制することができる。

【００４８】さらに、第１の実施の形態では、励振部６
先端を開放端としたが、図１１に示す第６の変形例のよ
うに、励振部１６をなす２本の励振線路１６Ａ（表面１
Ａ側のみ図示）の先端を互いに接続して励振部１６の先
端を短絡端１６Ｂとしてもよい。

【００４９】この場合、励振部１６の短絡端１６ＢをＴ
Ｅ０１０モード共振器４の仮想的な短絡点（中央位置）
に配置することによって、ＴＥ０１０モード共振器４に
対する結合を強くすることができる。

【００５０】次に、図１２ないし図１４は本発明の第２
の実施の形態による誘電体共振器装置を示し、本実施の
形態の特徴は、共振器として平面誘電体線路共振器を用
いると共に、スロット系線路として接地導体付スロット
線路を用いたことにある。なお、本実施の形態では、第
１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、
その説明を省略するものとする。

【００５１】２１は誘電体基板１の中央側に設けられた
四角形の平面誘電体線路共振器（以下、ＰＤＴＬ共振器
２１という）で、該ＰＤＴＬ共振器２１は、電極膜２，
３にそれぞれ形成された四角形の開口２１Ａ，２１Ｂに
よって構成され、これらの開口２１Ａ，２１Ｂは誘電体
基板１を挟んで互いに対向する位置に配設されている。
そして、ＰＤＴＬ共振器２１は、誘電体基板１内での共
振周波数ｆ0に対応した高周波信号の波長をλgとしたと
きに、高周波信号の伝搬方向に向かう長さ寸法Ｌ0が波
長λgの半分程度の値（Ｌ0＝λg／２）に設定されてい
る。

【００５２】２２は誘電体基板１の外周縁からＰＤＴＬ
共振器２１に向けて直線状に延びるスロット系線路とし
ての接地導体付スロット線路で、該接地導体付スロット
線路２２は、四角形をなすＰＤＴＬ共振器２１の一辺に
対してほぼ垂直に延びている。また、接地導体付スロッ
ト線路２２は、電極膜２に形成された溝状のスロット２
２Ａによって構成されると共に、電極膜３が接地されて
いる。

【００５３】２３はＰＤＴＬ共振器２１の開口２１Ａ内
に位置して設けられた励振部で、該励振部２３は、接地
導体付スロット線路２２の延長線上に位置してＰＤＴＬ
共振器２１の中心に向けて延びている。また、励振部２
３は、誘電体基板１の表面１Ａ側に位置してＰＤＴＬ共
振器２１の輪郭部をなす開口２１Ａの周縁部２１Ｃから
開口２１Ａ内に向けて突出して設けられ、互いに平行に
延びる２本の細長い励振線路２３Ａによって構成されて
いる。

【００５４】そして、励振線路２３Ａは、電極膜２のう
ちスロット２２Ａの両脇に位置する部位を開口２１Ａ内
に延伸する（引き込む）ことによって電極膜２と一体に
形成され、接地導体付スロット線路２２をＰＴＤＬ共振
器２１内まで延長している。

【００５５】本実施の形態による誘電体共振器装置は上
述の如き構成を有するもので、接地導体付スロット線路
２２を伝搬するＴＥモードの高周波信号は、励振部２３
の先端からＰＤＴＬ共振器２１内に放射される。これに
より、ＰＤＴＬ共振器２１内にはスロット２２Ａの幅方
向と略平行な電界Ｅと該電界Ｅを取囲む磁界Ｈとが形成
され、高周波信号はＴＥモードをなして共振する。

【００５６】かくして、本実施の形態でも第１の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。

【００５７】ここで、ＰＤＴＬ共振器２１の場合、図１
５に示す比較例のようにＰＤＴＬ共振器２１と接地導体
付スロット線路２２との間にスロット２２Ａよりも幅寸
法が大きな励振用スロット部２４を設け、ＰＤＴＬ共振
器２１と接地導体付スロット線路２２との間の結合量を
増加させることも可能である。

【００５８】しかし、この場合にはＰＤＴＬ共振器２１
の外側に励振用スロット部２４が形成されているから、
ＰＤＴＬ共振器２１に加えて励振用スロット部２４を形
成するための面積を確保する必要があり、装置全体が大
型化するという問題がある。

【００５９】これに対し、本実施の形態では、ＰＤＴＬ
共振器２１の内側に励振部２３を形成するから、ＰＤＴ
Ｌ共振器２１とは別に励振部２３用の面積を確保する必
要がなく、比較例に比べて装置全体を小型化することが
できる。

【００６０】なお、第２の実施の形態では、共振器とし
てＰＤＴＬ共振器２１を用いるものとした。しかし、本
発明はこれに限らず、共振器として、誘電体基板１の表
面１Ａには矩形開口をもった電極膜２を設け、裏面１Ｂ
からは電極膜３を省いたスロット線路共振器を用いても
よく、誘電体基板１の表面１Ａには矩形開口をもった電
極膜２を設け、裏面１Ｂには全面に亘って接地された電
極膜２を設けた接地導体付スロット線路共振器を用いて
もよい。

【００６１】また、前記第１，第２の実施の形態では、
スロット系線路として、誘電体基板１の両面１Ａ，１Ｂ
にスロット５Ａ，５Ｂがそれぞれ形成されたＰＤＴＬ
５、または誘電体基板１の表面１Ａにのみスロット２２
Ａを形成され、裏面１Ｂには接地された電極膜３を設け
た接地導体付スロット線路２２を用いるものとした。

【００６２】しかし、本発明はこれに限らず、スロット
系線路として、誘電体基板１の表面１Ａにのみスロット
を形成し、裏面１Ｂからは電極膜３を省いたスロット線
路を用いてもよい。

【００６３】次に、図１６は本発明の第３の実施の形態
による誘電体共振器装置を示し、本実施の形態の特徴
は、伝送線路から分岐したスタブ線路を共振器に接続
し、スタブ線路の先端に励振部を配置する構成としたこ
とにある。なお、本実施の形態では、第１の実施の形態
と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略
するものとする。

【００６４】３１は誘電体基板１の中央側に設けられた
円形共振器で、該円形共振器３１は、電極膜２に形成さ
れた円形の開口３１Ａによって構成されている。そし
て、円形共振器３１は、誘電体基板１内での共振周波数
ｆ0に対応した高周波信号の波長をλgとしたときに、直
径寸法が波長λgとほぼ等しい値に設定されている。な
お、本実施の形態では、誘電体基板１の裏面１Ｂには電
極膜を形成しない構成となっている。

【００６５】３２は円形共振器３１から離間した位置に
設けられた伝送線路としてのスロット線路（他のスロッ
ト系線路）で、該スロット線路３２は、電極膜２に形成
された溝状のスロット３２Ａによって構成され、該スロ
ット３２Ａは円形共振器３１の接線方向に対して平行に
延びている。

【００６６】３３はスロット線路３２からＴ分岐したＴ
分岐線路としてのスタブ線路で、該スタブ線路３３は、
スロット線路３２の途中位置から円形共振器３１に向け
て直線状に延び、円形共振器３１の法線方向に沿って形
成されている。また、スタブ線路３３は、電極膜２に形
成された溝状のスロット３３Ａによって構成され、スロ
ット線路３２と円形共振器３１の周縁部３１Ｂとの間の
距離をなすスロット３３Ａの長さ寸法Ｌ1は、高周波信
号の波長をλgとしたときに、λg／４程度の値（Ｌ1＝
λg／４）に設定されている。なお、スロット３３Ａの
長さ寸法Ｌ1は、λg／４に限らず（２ｎ＋１）×λg／
４（ｎ：整数）程度の値に設定してもよい。

【００６７】３４は円形共振器３１の開口３１Ａ内に位
置して設けられた励振部で、該励振部３４は、スタブ線
路３３の延長線上に位置して円形共振器３１の中心に向
けて延びている。また、励振部３４は、電極膜２のうち
スタブ線路３３の両脇に位置する部位を開口３１Ａ内に
延伸させることによって形成され、誘電体基板１の表面
１Ａ側に位置して開口３１Ａ内に突出して設けられ、互
いに平行に延びる２本の細長い励振線路３４Ａによって
構成されている。そして、励振部３４の延伸寸法は、例
えばλg／４と（３×λg）／４との間の範囲となる値に
設定されている。

【００６８】かくして、本実施の形態でも第１の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができるが、本実施の
形態では、スロット線路３２からＴ分岐したスタブ線路
３３の先端に励振部３４を設け、円形共振器３１とスタ
ブ線路３３とを接続する構成としたから、円形共振器３
１はスロット線路３２を伝搬する高周波信号のうちその
共振周波数ｆ0に対応した信号を反射する。このため、
装置全体によって帯域反射型のフィルタを構成すること
ができる。

【００６９】また、スタブ線路３３の長さ寸法Ｌ1をλg
／４程度の値に設定したから、スタブ線路３３のうちス
ロット線路３２からＴ分岐した基端を仮想的な開放端、
スタブ線路３３の先端を仮想的な短絡端とすることがで
きると共に、スタブ線路３３の先端に突出して設けられ
た励振部３４の先端を仮想的な開放端にすることができ
る。このため、電界強度の強い励振部３４の先端（開放
端）を、円形共振器３１のうち電界強度が強い開口３１
Ａ内の位置に配置することができ、円形共振器３１とス
タブ線路３３との間の結合をさらに強くすることができ
る。

【００７０】さらに、円形共振器３１、スロット線路３
２、スタブ線路３３および励振部３４は電極膜２を成膜
する成膜プロセスにおいて一緒に形成することができる
から、特性バラツキの少ない誘電体共振器装置を提供す
ることができる。

【００７１】次に、図１７は本発明の第４の実施の形態
による高周波フィルタを示し、本実施の形態の特徴は、
高周波フィルタを複数のスロット線路共振器によって構
成すると共に、その入力部と出力部をなすスロット線路
共振器内にはスロット線路の先端に位置して励振部を設
けたことにある。なお、本実施の形態では、第１の実施
の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明
を省略するものとする。

【００７２】４１は本実施の形態による高周波フィルタ
で、該高周波フィルタ４１は、後述する４個のスロット
線路共振器４２〜４５等によって構成されている。

【００７３】４２〜４５は誘電体基板１の表面１Ａに直
線状に並んで設けられたスロット線路共振器で、該各ス
ロット線路共振器４２〜４５は、電極膜２に形成された
四角形の開口４２Ａ〜４５Ａによって構成されている。
そして、スロット線路共振器４２〜４５のうち両端側に
位置するスロット線路共振器４２，４５は、高周波フィ
ルタ４１の入力部４１Ａと出力部４１Ｂとをなしてい
る。なお、本実施の形態では、誘電体基板１の裏面１Ｂ
には電極膜を形成しない構成となっている。

【００７４】４６，４７は入力側のスロット線路共振器
４２と出力側のスロット線路共振器４５とにそれぞれ接
続されたスロット系線路としてのスロット線路で、該ス
ロット線路４６，４７は、誘電体基板１の外周縁からス
ロット線路共振器４２，４５に向けて直線状に延び、電
極膜２に形成された溝状のスロット４６Ａ，４７Ａによ
って構成されている。

【００７５】４８，４９はスロット線路共振器４２，４
５の開口４２Ａ，４５Ａ内に位置して設けられた励振部
で、該励振部４８，４９は、スロット線路４６，４７の
延長線上に位置してスロット線路共振器４２，４５の中
心に向けて延びている。また、励振部４８，４９は、導
体膜２のうちスロット線路４６，４７の両脇に位置する
部位を開口４２Ａ，４５Ａ内に向けて延伸させることに
よってそれぞれ形成され、開口４２Ａ，４５Ａ内に向け
て突出し、互いに平行に延びる２本の細長い励振線路４
８Ａ，４９Ａによって構成されている。

【００７６】本実施の形態による高周波フィルタ４１は
上述の如き構成を有するもので、スロット線路４６に入
力された高周波信号は、励振部４８を通じてスロット線
路共振器４２内に供給される。このとき、スロット線路
共振器４２はその共振周波数に応じた高周波信号を励振
すると共に、隣合うスロット線路共振器４３に結合し、
スロット線路共振器４３内にその共振周波数に応じた高
周波信号を励振する。そして、スロット線路共振器４２
〜４４は互いに隣合う共振器同士が結合するから、高周
波信号のうち各スロット線路共振器４２〜４４の共振周
波数に応じた信号だけが出力側のスロット線路共振器４
５に伝搬し、励振部４９を通じてスロット線路４７から
出力される。これにより、高周波フィルタ４１は帯域通
過フィルタとして動作する。

【００７７】かくして、本実施の形態でも第１の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本
実施の形態では、高周波フィルタ４１の入力部４１Ａと
出力部４１Ｂとに励振部４８，４９を備えたスロット線
路共振器４２，４５を用いたから、スロット線路共振器
４２，４５とスロット線路４６，４７との間の結合を強
くすることができ、励振部４８，４９を用いない場合に
比べて高周波フィルタ４１の周波数帯域を増大すること
ができる。

【００７８】なお、本実施の形態では、高周波フィルタ
４１の入力部４１Ａと出力部４１Ｂのいずれにも励振部
４８，４９を備えたスロット線路共振器４２，４５を用
いるものとしたが、入力部と出力部のうちいずれか一方
に励振部を有するスロット線路共振器を用い、他方の励
振部を省く構成としてもよい。

【００７９】次に、図１８は本発明の第５の実施の形態
による高周波フィルタを示し、本実施の形態の特徴は、
高周波フィルタの入力部と出力部をなすスロット線路共
振器にはそれぞれ励振部を設けると共に、入力部と出力
部にはそれぞれ異なる種類のスロット系線路を接続した
ことにある。なお、本実施の形態では、第１の実施の形
態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省
略するものとする。

【００８０】５１は本実施の形態による高周波フィルタ
で、該高周波フィルタ５１は、後述する４個のＰＤＴＬ
共振器５２〜５５等によって構成されている。

【００８１】５２〜５５は誘電体基板１の表面１Ａに直
線状に並んで設けられた平面誘電体線路共振器（以下、
ＰＤＴＬ共振器５２〜５５という）で、該各ＰＤＴＬ共
振器５２〜５５は、電極膜２に形成された四角形の開口
５２Ａ〜５５Ａと、該開口５２Ａ〜５５Ａにそれぞれ対
向して電極膜３に形成された四角形の開口５２Ｂ〜５５
Ｂとによって構成されている。そして、ＰＤＴＬ共振器
５２〜５５のうち両端側に位置するＰＤＴＬ共振器５
２，５５は、高周波フィルタ５１の入力部５１Ａと出力
部５１Ｂとをなしている。

【００８２】５６は入力側のＰＤＴＬ共振器５２に接続
されたスロット系線路としての平面誘電体線路（以下、
ＰＤＴＬ５６という）で、該ＰＤＴＬ５６は、誘電体基
板１の外周縁からＰＤＴＬ共振器５２に向けて直線状に
延び、電極膜２に形成された溝状のスロット５６Ａと該
スロット５６Ａに対向して電極膜３に形成されたスロッ
ト５６Ｂとによって構成されている。

【００８３】５７は出力側のＰＤＴＬ共振器５５に接続
されたＰＤＴＬ５６とは異なる種類のスロット系線路と
しての接地導体付スロット線路で、該接地導体付スロッ
ト線路５７は、誘電体基板１の外周縁からＰＤＴＬ共振
器５５に向けて直線状に延び、電極膜２に形成された溝
状のスロット５７Ａによって構成されている。なお、誘
電体基板１の裏面１Ｂに設けられた電極膜３は接地され
ている。

【００８４】５８はＰＤＴＬ共振器５２の開口５２Ａ，
５２Ｂ内に位置して設けられた励振部で、該励振部５８
は、ＰＤＴＬ５６の延長線上に位置してＰＤＴＬ共振器
５２の中心に向けて延びている。また、励振部５８は、
導体膜２，３のうちＰＤＴＬ５６の両脇に位置する部位
を開口５２Ａ，５２Ｂ内に向けて延伸させることによっ
て形成され、開口５２Ａ内に向けて突出して互いに平行
に延びる２本の細長い励振線路５８Ａと該励振線路５８
Ａと対向して開口５２Ｂ内に向けて突出した励振線路５
８Ｂとによって構成されている。

【００８５】５９はＰＤＴＬ共振器５５の開口５５Ａ内
に位置して設けられた励振部で、該励振部５９は、スロ
ット線路５７の延長線上に位置してＰＤＴＬ共振器５５
の中心に向けて延びている。また、励振部５９は、電極
膜２のうちスロット線路５７の両脇に位置する部位を開
口５５Ａ内に延伸させることによって形成され、開口５
５Ａ内に向けて突出し、互いに平行に延びる２本の細長
い励振線路５９Ａによって構成されている。

【００８６】本実施の形態による高周波フィルタ５１は
上述の如き構成を有するもので、第４の実施の形態と同
様に帯域通過フィルタとして動作する。

【００８７】かくして、本実施の形態でも第１の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。また、本実
施の形態では、高周波フィルタ５１の入力部５１Ａと出
力部５１Ｂとに励振部５８，５９を有するＰＤＴＬ共振
器５２，５５を用いたから、ＰＤＴＬ共振器５２，５５
とＰＤＴＬ５６、接地導体付スロット線路５７との間の
結合を強くすることができ、高周波フィルタ５１の周波
数帯域を増大することができる。

【００８８】さらに、本実施の形態では、高周波フィル
タ５１の入力部５１Ａと出力部５１Ｂとに互いに異なる
種類のスロット系線路としてＰＤＴＬ５６と接地導体付
スロット線路５７とをそれぞれ接続している。これによ
り、線路変換機能を高周波フィルタ５１に組み込むこと
ができ、高周波フィルタ５１を高機能化することができ
る。また、線路変換を行うための構成を高周波フィルタ
５１とは別途に設ける必要がなく、装置全体を小型化す
ることができる。

【００８９】なお、本実施の形態では、スロット系線路
としてＰＤＴＬ５６、接地導体付スロット線路５７を用
いるものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例え
ばＰＤＴＬ、接地導体付スロット線路とのうちいずれか
一方に代えて接地導体を省いたスロット線路を用いるも
のとしてもよい。

【００９０】次に、図１９は本発明の第６の実施の形態
による高周波発振器を示し、本実施の形態の特徴は、高
周波発振器を励振部を備えた円形共振器を用いて構成し
たことにある。なお、本実施の形態では、第１の実施の
形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を
省略するものとする。

【００９１】６１は本実施の形態による高周波発振器
で、該高周波発振器６１は、後述する円形共振器６２、
ＦＥＴ６７等によって構成されている。

【００９２】６２は誘電体基板１に設けられた円形共振
器で、該円形共振器６２は、電極膜２に形成された円形
の開口６２Ａによって構成されている。そして、円形共
振器６２は、誘電体基板１内での共振周波数ｆ0に対応
した高周波信号の波長をλgとしたときに、直径寸法が
波長λgとほぼ等しい値に設定されている。なお、本実
施の形態では、誘電体基板１の裏面１Ｂには電極膜を形
成しない構成となっている。

【００９３】６３は円形共振器６２から離間した位置に
設けられた伝送線路としてのスロット線路（他のスロッ
ト系線路）で、該スロット線路６３は、基端側が後述の
ＦＥＴ６７のゲート端子に接続され、先端側には終端抵
抗６４が接続されている。

【００９４】６５はスロット線路３２からＴ分岐したＴ
分岐線路としてのスタブ線路で、該スタブ線路６５は、
スロット線路６５の途中位置から円形共振器６２に向け
て直線状に延び、円形共振器６２の法線方向に沿って形
成されている。また、スタブ線路６５の長さ寸法は、高
周波信号の波長をλgとしたときに、λg／４程度の値に
設定されている。

【００９５】６６は円形共振器６２の開口６２Ａ内に突
出して設けられた励振部で、該励振部６６は、電極膜２
のうちスタブ線路６５の両脇に位置する部位を開口６２
Ａ内に延伸させることによって形成され、スタブ線路６
５の延長線上に位置して円形共振器６２の中心に向けて
延びている。

【００９６】６７はスロット線路６３の基端側に設けら
れた電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ６７という）
で、該ＦＥＴ６７は、ゲート端子がスロット線路６３に
接続されると共に、バイアス用の直流成分を除去するＤ
Ｃカット回路６８が接続されている。また、ＦＥＴ６７
のゲート端子とドレイン端子との間には、帰還回路６９
が接続され、ＦＥＴ６７のドレイン端子には、バイアス
用の直流成分を除去するＤＣカット回路７０、ダンピン
グ回路７１およびスロット線路７２がそれぞれ接続さ
れ、ＦＥＴ６７のソース端子は接地されている。

【００９７】また、ダンピング回路７１は、基端側がＦ
ＥＴ６７のドレイン端子に接続されると共に、先端側に
は終端抵抗７３が接続されている。また、スロット線路
７２は出力端子をなし、高周波発振器６１によって発生
した高周波信号を外部に出力するものである。

【００９８】本実施の形態による高周波発振器６１は上
述の如き構成を有するもので、円形共振器６２、スロッ
ト線路６３およびスタブ線路６５等が帯域反射型のフィ
ルタとして動作し、ＦＥＴ６７に共振周波数に応じた高
周波信号を入力する。このとき、ＦＥＴ６７は、帰還回
路６９を通じて高周波信号を増幅し、スロット線路７２
から出力する。これにより、高周波発振器６１は全体と
して位相雑音を改善する安定化発振回路として動作す
る。

【００９９】かくして、本実施の形態でも第１の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本
実施の形態では、高周波発振器６１を励振部６６を備え
た円形共振器６２を用いて構成したから、円形共振器６
２とスタブ線路６５との結合を強めることができ、高周
波発振器６１の周波数変調幅の増大、発振出力の増加が
可能となる。また、Ｑoの劣化を抑えて強い結合をとっ
ているので、円形共振器６２の負荷Ｑ（ＱL）を高める
ことができ、位相雑音を低下させることができる。

【０１００】

【発明の効果】以上詳述した如く、請求項１の発明によ
れば、電極膜にはスロットの両脇に位置する部位を開口
内に向けて延伸させることによって励振部を形成したか
ら、励振部によってスロットを共振器の開口内に延長さ
せることができると共に、励振部を共振器の開口のうち
電界強度が強い位置まで引き込むことができる。このた
め、例えば励振部の先端（突出端）側に電界強度の強い
高周波信号を入力することによって、共振器を強く励振
することができ、共振器とスロット系線路との間の結合
を強くすることができる。また、共振器の共振モードと
スロット系共振器の伝搬モードとをいずれもＴＥモード
にすることができるから、共振器の無負荷Ｑの劣化を抑
制することができる。さらに、励振部を共振器の開口内
に設けたから、共振器の外部に設けた場合に比べて装置
全体を小型化することができる。

【０１０１】請求項２の発明によれば、励振部の延伸寸
法を、誘電体基板内の高周波信号の波長をλgとしたと
きに、λg／４から（３×λg）／４程度の値に設定した
から、共振器内の電界最大となる位置と励振部のうち仮
想的な開放端となる先端とを近付けることができ、共振
器とスロット系線路との間の結合をさらに強くすること
ができる。

【０１０２】請求項３の発明によれば、誘電体基板には
高周波信号を伝送する伝送線路を設け、スロット系線路
は該伝送線路からＴ分岐したＴ分岐線路をなし、励振部
は該Ｔ分岐線路の先端に配置する構成としたから、共振
器は伝送線路を伝搬する高周波信号のうち共振周波数に
対応した信号を反射するから、帯域反射型のフィルタを
構成することができる。

【０１０３】請求項４の発明によれば、Ｔ分岐線路の長
さ寸法を、誘電体基板内の高周波信号の波長をλgとし
たときに、λg／４程度の値に設定したから、Ｔ分岐線
路の先端に延伸して設けられた励振部の先端を仮想的な
開放端にすることができ、励振部の先端を共振器のうち
電界強度が強い開口内の位置に配置し、共振器とスロッ
ト系線路との間の結合をさらに強くすることができる。

【０１０４】請求項５の発明のように、本発明による誘
電体共振器装置を入力部と出力部のうち少なくともいず
れか一方に用いて高周波フィルタを構成してもよい。こ
れにより、誘電体共振器装置のうち共振器とスロット系
線路との間の結合を強くすることができ、当該誘電体共
振器装置を用いた高周波フィルタの周波数帯域を増大す
ることができる。

【０１０５】請求項６の発明によれば、入力部と出力部
とは異なる構造のスロット系線路を接続し、線路変換の
機能を有する構成としたから、線路変換機能を高周波フ
ィルタに組み込むことができ、高周波フィルタの高機能
化を図ることができる。また、高周波フィルタとは別個
に線路変換部を設けた場合に比べて、線路変換部を省く
ことができ、装置全体を小型化することができる。

【０１０６】また、請求項７の発明のように、本発明に
よる誘電体共振器装置を用いて高周波発振器を構成して
もよい。これにより、誘電体共振器装置のうち共振器と
スロット系線路との間の結合を強くすることができ、当
該誘電体共振器装置を用いた高周波発振器の位相雑音の
軽減、周波数変調幅の増大、発振出力の増加を行うこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態による誘電体共振器装置を示
す斜視図である。

【図２】第１の実施の形態による誘電体共振器装置を示
す平面図である。

【図３】ＰＤＴＬを図２中の矢示III−III方向からみた
断面図である。

【図４】ＴＥ０１０モード共振器が励振した状態を示す
説明図である。

【図５】励振部の延伸寸法とＴＥ０１０モード共振器の
外部Ｑ（Ｑe）との関係を示す特性線図である。

【図６】第１の変形例による誘電体共振器装置を示す平
面図である。

【図７】第２の変形例による誘電体共振器装置を示す平
面図である。

【図８】第３の変形例による誘電体共振器装置を示す平
面図である。

【図９】第４の変形例による誘電体共振器装置を示す平
面図である。

【図１０】第５の変形例による誘電体共振器装置を示す
平面図である。

【図１１】第６の変形例による誘電体共振器装置を示す
平面図である。

【図１２】第２の実施の形態による誘電体共振器装置を
示す斜視図である。

【図１３】第２の実施の形態による誘電体共振器装置を
示す平面図である。

【図１４】接地導体付スロット線路を図１３中の矢示XI
V−XIV方向からみた断面図である。

【図１５】比較例による誘電体共振器装置を示す斜視図
である。

【図１６】第３の実施の形態による誘電体共振器装置を
示す斜視図である。

【図１７】第４の実施の形態による高周波フィルタを示
す斜視図である。

【図１８】第５の実施の形態による高周波フィルタを示
す斜視図である。

【図１９】第６の実施の形態による高周波発振器を示す
斜視図である。

【符号の説明】

１ 誘電体基板 ２，３ 電極膜 ４ ＴＥ０１０モード共振器 ４Ａ，４Ｂ，２１Ａ，２１Ｂ，３１Ａ，４２Ａ，４３
Ａ，４４Ａ，４５Ａ，５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３
Ｂ，５４Ａ，５４Ｂ，５５Ａ，５５Ｂ，６２Ａ 開口 ５，５６ ＰＤＴＬ（スロット系線路） ５Ａ，５Ｂ，２２Ａ，３２Ａ，３３Ａ，４６Ａ，４７
Ａ，５６Ａ，５６Ｂ スロット ６，１１，１２，１３４，１４，１５，１６，２３，３
４，４８，４９，５８，５９ 励振部 ２１，５２，５３，５４，５５ ＰＤＴＬ共振器 ２２，５７ 接地導体付スロット線路（スロット系線
路） ３１，６２ 円形共振器 ３２，６３ スロット線路（伝送線路） ３３，６５ スタブ線路（Ｔ分岐線路） ４１，５１ 高周波フィルタ ４２，４３，４４，４５ スロット線路共振器 ６１ 高周波発振器 ６７ ＦＥＴ ６９ 帰還回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松崎 宏泰 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 河内 哲也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 馬場 貴博 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 坂本 孝一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HC03 HC12 JA01 LA05 NA01

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体材料により形成された誘電体基板
   と、該誘電体基板の両面のうち少なくとも表面に設けら
   れた導体からなる電極膜と、該電極膜に形成された開口
   からなる共振器と、前記電極膜に設けられ該共振器の開
   口に接続されたスロットを有するスロット系線路とによ
   って構成してなる誘電体共振器装置において、 前記電極膜には、前記スロットの両脇に位置する部位を
   前記開口内に向けて延伸させることにより励振部を形成
   したことを特徴とする誘電体共振器装置。
2. 【請求項２】 前記励振部の延伸寸法は、前記誘電体基
   板内の高周波信号の波長をλgとしたときに、λg／４か
   ら（３×λg）／４程度の値に設定してなる請求項１に
   記載の誘電体共振器装置。
3. 【請求項３】 前記誘電体基板には高周波信号を伝送す
   る伝送線路を設け、前記スロット系線路は該伝送線路か
   らＴ分岐したＴ分岐線路をなし、前記励振部は該Ｔ分岐
   線路の先端に配置してなる請求項１または２に記載の誘
   電体共振器装置。
4. 【請求項４】 前記Ｔ分岐線路の長さ寸法は、前記誘電
   体基板内の高周波信号の波長をλgとしたときに、λg／
   ４程度の値に設定してなる請求項３に記載の誘電体共振
   器装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の誘
   電体共振器装置を入力部と出力部のうち少なくともいず
   れか一方に用いた高周波フィルタ。
6. 【請求項６】 前記入力部と出力部とは異なる構造のス
   ロット系線路を接続し、線路変換の機能を有する構成と
   してなる請求項５に記載の高周波フィルタ。
7. 【請求項７】 請求項１ないし４のいずれかに記載の誘
   電体共振器装置を用いた高周波発振器。