JP2003308696A - データの入力方法及びデータ入力バッファ - Google Patents

データの入力方法及びデータ入力バッファ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】tDQSSウィンドウを改善し得るデータ入力
バッファを提供する。 【解決手段】データストローブ信号に応答して複数のデ
ータを含む第1群の直列データを第1群の並列データに
変換した後、前記データストローブ信号に応答して複数
のデータを含む第2群の直列データを第2群の並列デー
タに変換する変換回路と、第1の書込み信号に応答して
前記第1群の並列データの各々を対応する各出力端に伝
送する第1の伝送回路と、第2の書込み信号に応答して
前記第2群の並列データの各々を対応する前記各出力端
に伝送する第2の伝送回路とを備え、前記第1の書込み
信号及び前記第2の書込み信号は所定の時間差をおいて
交互に活性化される。このようなデータ入力方法及びデ
ータ入力バッファは、tDQSSウィンドウを改善する
効果があり、また、最小tDQSSから最大tDQSS
までの範囲で円滑にデータ書込みの動作を行える効果が
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体メモリ装置に
係り、より詳細には、データの入力方法及びデータ入力
バッファに関する。
【0002】
【従来の技術】DDR SDRAM(Double Da
ta Rate Synchronous DRAM)
は、DDR SDRAMにおいて確実な書込み動作を保
証するためにtDQSSを定義する。tDQSSとは、
書込み命令が入力されるクロックの立ち上がりエッジか
らDQSの最初の立ち上がりエッジまでの遅延時間を言
う。
【0003】このため、DDR SDRAMは最小tD
QSSから最大tDQSSまで範囲内で正常にデータ書
込みの動作をしなければならない。現在標準化された仕
様書(スペック)によれば、最小tDQSSは0.75
tCKであり、最大tDQSSは1.25tCKであ
る。ここで、tCKはクロックサイクルタイムを意味
し、tDQSSウィンドウは最大tDQSSと最小tD
QSSとの差を意味する。
【0004】図1は、従来のデータ入力バッファの回路
図である。図1のデータ入力バッファ10は、データス
トローブ信号PDS及び制御信号PDSEN1、PDS
EN2に応答して直列データPDINTを偶数番目のデ
ータE1、E2と奇数番目のデータO1、O2とに分離
して出力する。
【0005】偶数番目のデータE1、E2は内部クロッ
クPCLK及び制御信号PCLKEN1に応答してデー
タ入力線DI_Eに出力され、奇数番目のデータO1、
O2は内部クロックPCLK及び制御信号PCLKEN
2に応答してデータ入力線DI_Oに出力される。
【0006】図1のデータ入力バッファ10は、多数の
インバータ及び多数の伝送ゲートを備えるため、データ
入力バッファのレイアウト面積がかなり広いという問題
点がある。
【0007】図2は、従来の他のデータ入力バッファの
回路図である。図2のデータ入力バッファ20はデータ
ストローブ信号PDSに応答して直列データPDINT
を偶数番目のデータと奇数番目のデータとに分離してラ
ッチし、前記ラッチされたデータの各々は内部クロック
PCLKW及び制御信号PWEFに応答してデータ入力
線DI_E、DI_Oに出力される。
【0008】図2のデータ入力バッファ20のtDQS
Sウィンドウは、現在標準化された仕様書の要件をやっ
と満足できるほどに小さいため、データ入力バッファ2
0は最小tDQSSから最大tDQSSの範囲で正常に
データを書き込めない場合があるといった問題点があ
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明が解決
しようとする技術的な課題は、レイアウト面積を効率よ
く縮小しながらtDQSSウィンドウを改善し得るデー
タの入力方法及びデータ入力バッファを提供することで
ある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記技術的な課題を達成
するために、本発明によるデータの入力バッファは、デ
ータストローブ信号に応答して複数のデータを含む第1
群の直列データを第1群の並列データに変換した後、前
記データストローブ信号に応答して複数のデータを含む
第2群の直列データを第2群の並列データに変換する変
換回路と、第1の書込み信号に応答して前記第1群の並
列データの各々を対応する各出力端に伝送する第1の伝
送回路と、第2の書込み信号に応答して前記第2群の並
列データの各々を対応する前記各出力端に伝送する第2
の伝送回路とを備え、前記第1の書込み信号及び前記第
2の書込み信号は、所定の時間差をおいて交互に活性化
される。
【0011】本発明の望ましい実施の形態では、前記第
1群の直列データ及び前記第2群の直列データは、互い
に連続したデータであり、前記データ入力バッファは前
記各出力端のデータをラッチする出力ラッチをさらに備
え、前記出力ラッチは、前記第1の書込み信号が活性化
されてから前記第2の書込み信号が活性化されるまで前
記各出力端のデータをラッチするか、あるいは、前記第
2の書込み信号が活性化されてから前記第1の書込み信
号が活性化されるまで前記各出力端のデータをラッチす
る。
【0012】さらに、本発明によるデータ入力バッファ
は、データストローブ信号に応答して直列データを構成
する奇数番目のデータを第1のノードに出力し、前記デ
ータストローブ信号に応答して直列データを構成する偶
数番目のデータを第2のノードに出力する変換回路と、
第1の制御信号に応答して前記第1のノード及び前記第
2のノードのデータを各々ラッチし、第1の書込み信号
に応答してラッチされた各々のデータを同時に出力する
第1のラッチ回路と、第2の制御信号に応答して前記第
1のノード及び前記第2のノードのデータを各々ラッチ
し、第2の書込み信号に応答してラッチされた各々のデ
ータを同時に出力する第2のラッチ回路と、を備える。
【0013】本発明の望ましい実施の形態では、前記第
1の書込み信号及び前記第2の書込み信号は、所定の時
間差をおいて交互に活性化され、前記データ入力バッフ
ァは、前記第1のラッチ回路または前記第2のラッチ回
路の出力データをラッチする出力ラッチをさらに備え、
前記出力ラッチは、前記第1の書込み信号が活性化され
てから前記第2の書込み信号が活性化されるまで前記出
力データをラッチするか、あるいは、前記第2の書込み
信号が活性化されてから前記第1の書込み信号が活性化
されるまで前記出力データをラッチする。前記第1の制
御信号及び前記第2の制御信号は、所定の時間差をおい
て交互に活性化される。
【0014】前記技術的課題を達成するために、本発明
によるデータの入力方法は、データストローブ信号に応
答して複数のデータを含む第1群の直列データを第1群
の並列データに変換した後、前記データストローブ信号
に応答して複数のデータを含む第2群の直列データを第
2群の並列データに変換する段階と、第1の書込み信号
に応答して前記第1群の並列データの各々を対応する各
出力端に伝送する段階と、第2の書込み信号に応答して
前記第2群の並列データの各々を対応する前記各出力端
に伝送する段階とを含み、前記第1の書込み信号及び前
記第2の書込み信号は、所定の時間差をおいて交互に活
性化される。
【0015】さらに、本発明によるデータの入力方法
は、データストローブ信号に応答して直列データを構成
する奇数番目のデータを第1のノードに出力し、前記デ
ータストローブ信号に応答して直列データを構成する偶
数番目のデータを第2のノードに出力する段階と、第1
の制御信号に応答して前記第1のノード及び前記第2の
ノードのデータを各々ラッチし、第1の書込み信号に応
答してラッチされた各々のデータを同時に出力する段階
と、第2の制御信号に応答して前記第1のノード及び前
記第2のノードのデータを各々ラッチし、第2の書込み
信号に応答してラッチされた各々のデータを同時に出力
する段階とを含む。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明とその動作上の利点及び本
発明の実施によって達成される目的を十分に理解するた
めには、本発明の好ましい実施の形態を例示する添付図
面及びそれに関連する説明を参照しなければならない。
【0017】以下、添付した図面に基づき、本発明の好
ましい実施の形態を説明することによって、本発明を詳
細に説明する。各図面に示された同じ参照符号は同じ要
素を表わす。
【0018】図3は、本発明の実施の形態によるデータ
入力バッファの回路図である。図3を参照すれば、デー
タ入力バッファ30は、変換回路31、第1のラッチ回
路33、第2のラッチ回路35及び出力ラッチ37を備
える。
【0019】変換回路31は、内部データストローブP
DSDに応答して直列データPDINを並列データに変
換してノードC及びEに出力する。データ入力バッファ
30は、データ伝送回路の一例である。当業者であれ
ば、図3のインバータの接続関係が容易に理解できるで
あろう。
【0020】第1のラッチ回路33は、第1の制御信号
PDSEP1に応答して各ノードC、Eの出力信号(ま
たはデータ)を各ノードF、Gに出力した後、第1の書
込み信号PCLKW1及び書込み順序制御信号PWEF
に応答して各ノードF、Gの出力信号を各ノードO、P
に出力する。第1の制御信号PDSEP1は、第1の書
込み信号PCLKW1より先に活性化されることが好ま
しい。
【0021】第1のラッチ回路33は伝送回路の一例で
あって、第1の伝送回路は、第1の書込み信号PCLK
W1に応答して第1群の並列データ(例えば、各ノード
F、Gのデータ)の各々を対応する各出力ノードO、P
に伝送することができる。
【0022】第2のラッチ回路35は、第2の制御信号
PDSEP2に応答して各ノードC、Eの出力信号(ま
たはデータ)を各ノードH、Iに出力した後、第2の書
込み信号PCLKW2及び書込み順序制御信号PWEF
に応答して各ノードH、Iの出力信号を各ノードO、P
に出力する。第2の制御信号PDSEP2は、第2の書
込み信号PCLKW2より先に活性化されることが好ま
しい。
【0023】第2のラッチ回路35は伝送回路の一例で
あって、第2の書込み信号PCLKW2に応答して第2
群の並列データ(例えば、各ノードH、Iのデータ)の
各々を対応する各出力ノードO、Pに伝送することがで
きる。第1の書込み信号PCLKW1及び第2の書込み
信号PCLKW2は、所定の時間差をおいて交互に活性
化されることが好ましい。
【0024】出力ラッチ37は各ノードO、Pの出力信
号を各々ラッチするため、直列データPDINのうち奇
数番目のデータは出力ラッチ37の第1の出力端DI_
Eを介して第1の書込みドライバ(図示せず)に出力さ
れ、直列データPDINのうち偶数番目のデータは出力
ラッチ37の第2の出力端DI_Oを介して第2の書込
みドライバ(図示せず)に出力される。
【0025】図4は、図3に示すデータ入力バッファの
タイミング図である。図3及び図4に基づき、本発明の
実施の形態によるデータ入力バッファの書込み動作を詳
細に説明する。直列データPDINはバッファリングさ
れた直列データDINを表わし、内部データストローブ
PDSDはバッファリングされたデータストローブDQ
Sを表わす。
【0026】そして、制御信号PCLK、PCLKB、
PDSRST、PDSEP1、PDSEP2、PCLK
W1、PLCKW2は、図4に示されたように、各々所
定の幅を有するパルスである。第1の内部クロック信号
PCLKはクロック信号CLKの立ち上がりエッジに応
答して発生するパルスであり、第2の内部クロック信号
PCLKBはクロック信号CLKの立ち下がりエッジに
応答して発生するパルスである。
【0027】データ入力バッファ30は、書込み命令W
Rに応答して発生するリセット信号PDSRSTに応答
してリセットされ、書込み順序制御信号PWEFは、書
込み命令WR及び第1の内部クロック信号PCLKの立
ち上がりエッジに応答して活性化(例えば、ハイ)され
る。
【0028】書込み順序制御信号PWEFは、書込み命
令WR及び第1の内部クロック信号PCLKの立ち上が
りエッジに応答して非活性化(例えば、ロー)されもす
る。書込み順序制御信号PWEFは、偶数番目のデータ
(例えば、D0、D2、D4またはD6)を先に書き込
むように制御する信号である。
【0029】まず、ケースAについて説明する。DQS
minはtDQSSが最小である場合を表わし、後述す
る全ての信号は書込み命令WRが入力されるクロック信
号CLKを基準としている。
【0030】第1の制御信号PDSEP1は、内部デー
タストローブPDSDの奇数番目の立ち下がりエッジに
応答して発生するパルスであり、第2の制御信号PDS
EP2は、内部データストローブPDSDの偶数番目の
立ち下がりエッジに応答して発生するパルスである。
【0031】第1の制御信号PDSEP1または第2の
制御信号PDSEP2は、内部データストローブPDS
Dのあるエッジに応答して発生できる。第1の制御信号
PDSEP1及び第2の制御信号PDSEP2は、所定
の時間差をおいて交互に活性化されることが好ましい。
【0032】説明の便宜のために、直列データPDIN
は8つのデータD0ないしD7よりなると仮定し、各信
号はタイミングシーケンスで活性化/非活性化されると
仮定する。まず、PDSDが”ロー”である場合、伝送
ゲート301は最初のデータD0をノードAに出力す
る。続けて、PDSDが”ロー”から”ハイ”へと遷移
する場合、伝送ゲート303はノードAのデータD0を
ノードBに伝送し、伝送ゲート307は2番目のデータ
D1をノードDに伝送する。
【0033】引き続き、PDSDが”ハイ”から”ロ
ー”へと遷移する場合、伝送ゲート305はノードBの
データD0をノードCに伝送し、伝送ゲート301は3
番目のデータD2をノードAに伝送し、伝送ゲート30
8はノードDのデータD1をノードEに伝送する。
【0034】すなわち、変換回路31は、内部データス
トローブ信号PDSDに応答して多数のデータD0、D
1を有する第1群の直列データを第1群の並列データに
変換した後、内部データストローブ信号PDSDに応答
して多数のデータD2、D3を有する第2群の直列デー
タを第2群の並列データに変換する。
【0035】より具体的には、変換回路31は、内部デ
ータストローブ信号PDSDに応答して直列データPD
INを構成する奇数番目のデータD0、D2、D4、ま
たはD6をノードCに出力し、内部データストローブ信
号PDSDに応答して直列データPDINを構成する偶
数番目のデータD1、D3、D5、またはD7をノード
Eに出力する。インバータによるデータの反転/非反転
は当業者が図3を参照すれば容易に分かるため、これに
ついての詳細な説明は省く。
【0036】次に、伝送ゲート311は、第1の制御信
号PDSEP1に応答してノードCのデータD0をノー
ドFに出力し、伝送ゲート313は第1の制御信号PD
SEP1に応答してノードEのデータD1をノードGに
出力する。
【0037】そして、PDSDが”ロー”から”ハイ”
へと遷移する場合、伝送ゲート303はノードAのデー
タD2をノードBに伝送し、伝送ゲート307は4番目
のデータD3をノードDに出力する。
【0038】第1の書込み信号PCLKW1が活性化さ
れる場合、ノードJは第1の書込み信号PCLKW1及
び書込み順序制御信号PWEFに応答して”ハイ”とな
るため、伝送ゲート319はノードFのデータD0をノ
ードOに出力し、伝送ゲート321はノードGのデータ
D1をノードPに出力する。
【0039】すなわち、第1のラッチ回路33は、第1
の制御信号PDSEP1に応答して最初のデータD0及
び2番目のデータD1を各々受信し、第1の書込み信号
PCLKW1及び書込み順序制御信号PWEFに応答し
て最初のデータD0及び2番目のデータD1を各ノード
O、Pに出力する。
【0040】出力ラッチ37の第1の出力端DI_Eは
最初のデータD0を出力し、出力ラッチ37の第2の出
力端DI_Oは2番目のデータD1を出力する。
【0041】第1のラッチ回路33は、第1の制御信号
PDSEP1に応答して各ノードC、Eのデータを各々
ラッチし、第1の書込み信号PCLKW1に応答してノ
ードFにラッチされたデータ(例えば、D0またはD
4)をノードOに出力し、ノードGにラッチされたデー
タ(例えば、D1またはD5)をノードPに出力する。
【0042】しかし、書込み順序制御信号PWEFが書
込み命令CM及び第1の内部クロック信号PCLKの立
ち上がりエッジに応答して非活性化(”ロー”)される
場合、ノードKは活性化(”ハイ”)されるため、ノー
ドFのデータD0は伝送ゲート323を介してノードP
に伝送され、ノードGのデータD1は伝送ゲート325
を介してノードOに伝送される。
【0043】続いて、PDSDがハイからローへと遷移
する場合、伝送ゲート305はノードBのデータD2を
ノードCに伝送し、伝送ゲート309はノードDのデー
タD3をノードEに伝送し、伝送ゲート301は5番目
のデータD4をノードAに伝送する。
【0044】次に、第2の制御信号PDSEP2が活性
化される場合、伝送ゲート315はノードCのデータD
2をノードHに伝送し、伝送ゲート317はノードEの
データD3をノードIに伝送する。
【0045】ノードLは第2の書込み信号PCLKW2
及び書込み順序制御信号PWEFに応答して活性化(”
ハイ”)されるため、伝送ゲート327はノードHのデ
ータD2をノードOに出力し、伝送ゲート329はノー
ドIのデータD3をノードPに出力する。
【0046】すなわち、第2のラッチ回路35は、第2
の制御信号PDSEP2に応答して3番目のデータD2
及び4番目のデータD3を各々受信し、第2の書込み信
号PCLKW2及び書込み順序制御信号に応答して3番
目のデータD2及び4番目のデータD3を各ノードO、
Pに各々出力する。出力ラッチ37の第1の出力端DI
_Eは3番目のデータD2を出力し、出力ラッチ37の
第2の出力端DI_Oは4番目のデータD3を出力す
る。
【0047】第2のラッチ回路35は、第2の制御信号
PDSEP2に応答して各ノードC、Eのデータを各々
ラッチし、第2の書込み信号PCLKW1に応答してノ
ードHにラッチされたデータ(例えば、D2またはD
6)をノードOに出力し、ノードGにラッチされたデー
タ(例えば、D3またはD7)をノードPに出力する。
【0048】しかし、書込み順序制御信号PWEFが書
込み命令CM及び第2の内部クロック信号PCLKの立
ち上がりエッジに応答して非活性化(”ロー”)される
場合、ノードMは”ハイ”となるため、ノードHのデー
タD2は伝送ゲート331を介してノードPに伝送さ
れ、ノードIのデータD3は伝送ゲート333を介して
ノードOに伝送される。
【0049】従って、データD0、D1は第1の制御信
号PDSEP1に応答して第1のラッチ回路33にラッ
チされた後に第1の書込み信号PCLKW1に応答して
出力され、データD2、D3は第2の制御信号PDSE
P2に応答して第2のラッチ回路35にラッチされた後
に第1の書込み信号PCLKW1に応答して出力され
る。
【0050】第1の書込み信号PCLKW1は第1の制
御信号PDSEP1が活性化されてから所定時間が過ぎ
た後に活性化され、第2の制御信号PDSEP2は第1
の書込み信号PCLKW1が活性化されてから所定時間
が過ぎた後に活性化され、第2の書込み信号PCLKW
2は第2の制御信号PDSEP2が活性化されてから所
定時間が過ぎた後に活性化されることが好ましい。
【0051】すなわち、第1の書込み信号PCLKW1
及び第2の書込み信号PCLKW2は所定の時間差をお
いて交互に活性化される。
【0052】第1のラッチ回路33は、第1の書込み信
号PCLKW1に応答してPDINを構成する最初のデ
ータD0及び2番目のデータD1を出力ラッチ37に同
時に出力し、PDINを構成する5番目のデータD4及
び6番目のデータD5を出力ラッチ37に同時に出力す
る。
【0053】また、第2のラッチ回路35は、第2の書
込み信号PCLKW2に応答してPDINを構成する3
番目のデータD2及び4番目のデータD3を出力ラッチ
37に同時に出力し、PDINを構成する7番目のデー
タD6及び8番目のデータD7を出力ラッチ37に同時
に出力する。
【0054】出力ラッチ37の第1の出力端DI_E
は、第1の書込み信号PCLKW1が活性化されてから
第2の書込み信号PCLKW2が活性化されるまで最初
のデータD0及び2番目のデータD1を保持し、出力ラ
ッチ37の第2の出力端DI_Oは、第2の書込み信号
PCLKW2が活性化されてから第1の書込み信号PC
LKW1が活性化されるまで3番目のデータD2及び4
番目のデータD3を保持する。
【0055】次に、ケースBについて説明する。DQS
maxはtDQSSが最大である場合を表わし、ケース
Bの各信号DIN、PDSD、PDIN、PDSEP
1、PDSEP2はケースAの各信号DIN、PDS
D、PDIN、PDSEP1、PDSEP2と同じメカ
ニズムによって発生する。また、ケースBの各データD
0ないしD3の出力過程とケースAの各データD0ない
しD3の出力過程とは同じである。
【0056】変換回路31は、内部データストローブP
DSDに応答して直列データPDINを並列データに変
換する。直列データPDINのうち第1群のデータ(例
えば、データD0、D1)が内部データストローブPD
SDに応答して並列データに変換されれば、第1のラッ
チ回路33は第1の制御信号PDSEP1に応答して第
1群のデータD0、D1を受信し、第1の書込み信号P
CLKW1に応答して第1群のデータD0、D1を同時
に出力ラッチ37に出力する。
【0057】続けて、直列データPDINのうち第2群
のデータ(例えば、データD2、D3)が内部データス
トローブPDSDに応答して並列データに変換されれ
ば、第2のラッチ回路35は第2の制御信号PDSEP
2に応答して第2群のデータD2、D3を受信し、第2
の書込み信号PCLKW2に応答して第2群のデータD
2、D3を同時に出力ラッチ37に出力する。直列デー
タPDINのうち第2群のデータD2、D3は第1群の
データD0、D1と連続したデータである。
【0058】続いて、直列データPDINのうち第3群
のデータ(例えば、データD4、D5)が内部データス
トローブPDSDに応答して並列データに変換されれ
ば、第1のラッチ回路33は第1の制御信号PDSEP
1に応答して第1群のデータD4、D5を受信し、第1
の書込み信号PCLKW1に応答して第1群のデータD
4、D5を同時に出力ラッチ37に出力する。直列デー
タPDINのうち第3群のデータD4、D5と第2群の
データD2、D3とは連続したデータである。
【0059】データの伝送を制御する信号はPDSEP
1→PCLKW1→PDSEP2→PCLKW2→PD
SEP1→PCLKW1,...の順番に活性化される
ため、出力ラッチ37の各出力端DI_E、DI_Oは
第1群のデータ,第2群のデータ,第3群のデー
タ,...を出力する。
【0060】本発明は図面に示された一実施の形態を参
考として説明されたが、これは単なる例示的なものに過
ぎず、この技術分野における当業者であれば、これより
各種の変形及び均等な他の実施の形態が可能であるとい
う点は理解できるであろう。よって、本発明の真の技術
的な保護範囲は、特許請求の範囲に記載された思想によ
って定まるべきである。
【0061】
【発明の効果】上述したように、本発明によるデータの
入力方法及びデータ入力バッファは、tDQSSウィン
ドウを改善する効果がある。従って、データ入力バッフ
ァは、最小tDQSSから最大tDQSSまでの範囲で
円滑にデータ書込みの動作を行うことができる。
【0062】そして、本発明によるデータ入力バッファ
によれば、レイアウト面積が縮小される。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のデータ入力バッファの回路図である。
【図2】従来の他のデータ入力バッファの回路図であ
る。
【図3】本発明の実施の形態によるデータ入力バッファ
の回路図である。
【図4】図3のタイミング図である。
【符号の説明】
30 データ入力バッファ 31 変換回路 33 第1のラッチ回路 35 第2のラッチ回路 37 出力ラッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5M024 AA40 AA62 BB03 BB34 DD39 JJ03 JJ18 PP02 PP03 PP07

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データストローブ信号に応答して複数の
    データを含む第1群の直列データを第1群の並列データ
    に変換した後、前記データストローブ信号に応答して複
    数のデータを含む第2群の直列データを第2群の並列デ
    ータに変換する変換回路と、 第1の書込み信号に応答して前記第1群の並列データの
    各々を対応する各出力端に伝送する第1の伝送回路と、 第2の書込み信号に応答して前記第2群の並列データの
    各々を対応する前記各出力端に伝送する第2の伝送回路
    と、を備え、 前記第1の書込み信号及び前記第2の書込み信号は、所
    定の時間差をおいて交互に活性化されることを特徴とす
    るデータ入力バッファ。
  2. 【請求項2】 前記第1群の直列データ及び前記第2群
    の直列データは、互いに連続したデータであることを特
    徴とする請求項1に記載のデータ入力バッファ。
  3. 【請求項3】 前記データ入力バッファは前記各出力端
    のデータをラッチする出力ラッチをさらに備え、 前記出力ラッチは、前記第1の書込み信号が活性化され
    てから前記第2の書込み信号が活性化されるまで前記各
    出力端のデータをラッチするか、あるいは、前記第2の
    書込み信号が活性化されてから前記第1の書込み信号が
    活性化されるまで前記各出力端のデータをラッチするこ
    とを特徴とする請求項1に記載のデータ入力バッファ。
  4. 【請求項4】 データストローブ信号に応答して直列デ
    ータを構成する奇数番目のデータを第1のノードに出力
    し、前記データストローブ信号に応答して直列データを
    構成する偶数番目のデータを第2のノードに出力する変
    換回路と、 第1の制御信号に応答して前記第1のノード及び前記第
    2のノードのデータを各々ラッチし、第1の書込み信号
    に応答してラッチされた各々のデータを同時に出力する
    第1のラッチ回路と、 第2の制御信号に応答して前記第1のノード及び前記第
    2のノードのデータを各々ラッチし、第2の書込み信号
    に応答してラッチされた各々のデータを同時に出力する
    第2のラッチ回路と、を備えることを特徴とするデータ
    入力バッファ。
  5. 【請求項5】 前記第1の書込み信号及び前記第2の書
    込み信号は、所定の時間差をおいて交互に活性化される
    ことを特徴とする請求項4に記載のデータ入力バッフ
    ァ。
  6. 【請求項6】 前記データ入力バッファは、前記第1の
    ラッチ回路または前記第2のラッチ回路の出力データを
    ラッチする出力ラッチをさらに備え、 前記出力ラッチは、前記第1の書込み信号が活性化され
    てから前記第2の書込み信号が活性化されるまで前記出
    力データをラッチするか、あるいは、前記第2の書込み
    信号が活性化されてから前記第1の書込み信号が活性化
    されるまで前記出力データをラッチすることを特徴とす
    る請求項5に記載のデータ入力バッファ。
  7. 【請求項7】 前記第1の制御信号及び前記第2の制御
    信号は、所定の時間差をおいて交互に活性化されること
    を特徴とする請求項4に記載のデータ入力バッファ。
  8. 【請求項8】 データストローブ信号に応答して複数の
    データを含む第1群の直列データを第1群の並列データ
    に変換した後、前記データストローブ信号に応答して服
    すのデータを備える第2群の直列データを第2群の並列
    データに変換する段階と、 第1の書込み信号に応答して前記第1群の並列データの
    各々を対応する各出力端に伝送する段階と、 第2の書込み信号に応答して前記第2群の並列データの
    各々を対応する前記各出力端に伝送する段階と、を含
    み、 前記第1の書込み信号及び前記第2の書込み信号は、所
    定の時間差をおいて交互に活性化されることを特徴とす
    るデータの入力方法。
  9. 【請求項9】 前記第1群の直列データ及び前記第2群
    の直列データは、互いに連続したデータであることを特
    徴とする請求項8に記載のデータの入力方法。
  10. 【請求項10】 前記データの入力方法は、前記各出力
    端のデータをラッチする段階をさらに含み、 前記データをラッチする段階は、前記第1の書込み信号
    が活性化されてから前記第2の書込み信号が活性化され
    るまで前記各出力端のデータをラッチするか、あるい
    は、前記第2の書込み信号が活性化されてから前記第1
    の書込み信号が活性化されるまで前記各出力端のデータ
    をラッチすることを特徴とする請求項8に記載のデータ
    の入力方法。
  11. 【請求項11】 データストローブ信号に応答して直列
    データを構成する奇数番目のデータを第1のノードに出
    力し、前記データストローブ信号に応答して直列データ
    を構成する偶数番目のデータを第2のノードに出力する
    段階と、 第1の制御信号に応答して前記第1のノード及び前記第
    2のノードのデータを各々ラッチし、第1の書込み信号
    に応答してラッチされた各々のデータを同時に出力する
    段階と、 第2の制御信号に応答して前記第1のノード及び前記第
    2のノードのデータを各々ラッチし、第2の書込み信号
    に応答してラッチされた各々のデータを同時に出力する
    段階と、を含むことを特徴とするデータの入力方法。
  12. 【請求項12】 前記第1の書込み信号及び前記第2の
    書込み信号は、所定の時間差をおいて交互に活性化され
    ることを特徴とする請求項11に記載のデータの入力方
    法。
  13. 【請求項13】 データの入力バッファであって、 入力端と第1の出力端及び第2の出力端を備え、前記入
    力端に入力される直列データビットを受信して前記直列
    データビットの偶数番目のデータを前記第1の出力端に
    出力し、前記直列データビットの奇数番目のデータを前
    記第2の出力端に出力する変換回路と、 前記変換回路の第1の出力端に接続される第1の入力端
    と、前記変換回路の第2の出力端に接続される第2の入
    力端と、第3の出力端及び第4の出力端を備え、第1の
    期間中に前記第1の入力端に入力される第1の偶数番目
    のデータビットを前記第3の出力端に出力し、前記第2
    の入力端に入力される第1の奇数番目のデータビットを
    前記第4の出力端に出力する第1のラッチ回路と、 前記変換回路の前記第1の出力端に接続される第3の入
    力端、前記変換回路の第2の出力端に接続される第4の
    入力端、前記第1のラッチ回路の前記第3の出力端に接
    続される第5の出力端及び前記第1のラッチ回路の前記
    第4の出力端に接続される第6の出力端を備え、第2の
    期間中に前記第3の入力端に入力される第2の偶数番目
    のデータビットを前記第5の出力端に出力し、前記第4
    の入力端に入力される第2の奇数番目のデータビットを
    前記第6の出力端に出力する第2のラッチ回路と、 前記第1の偶数番目のデータビット及び前記第1の奇数
    番目のデータビットをラッチするか、あるいは、前記第
    2の偶数番目のデータビット及び前記第2の奇数番目の
    データビットをラッチする出力ラッチと、を備え、 前記第1の期間及び前記第2の期間は重ならないことを
    特徴とするデータ入力バッファ。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9203116B2 (en) 2006-12-12 2015-12-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Energy storage device
US9401508B2 (en) 2009-08-27 2016-07-26 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Electrical storage device and electrode thereof
US9450232B2 (en) 2009-04-23 2016-09-20 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Process for producing negative plate for lead storage battery, and lead storage battery
US9508493B2 (en) 2009-08-27 2016-11-29 The Furukawa Battery Co., Ltd. Hybrid negative plate for lead-acid storage battery and lead-acid storage battery
US9524831B2 (en) 2009-08-27 2016-12-20 The Furukawa Battery Co., Ltd. Method for producing hybrid negative plate for lead-acid storage battery and lead-acid storage battery
US9666860B2 (en) 2007-03-20 2017-05-30 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Optimised energy storage device having capacitor material on lead based negative electrode

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6728162B2 (en) * 2001-03-05 2004-04-27 Samsung Electronics Co. Ltd Data input circuit and method for synchronous semiconductor memory device
JP4016184B2 (ja) * 2002-05-31 2007-12-05 ソニー株式会社 データ処理回路、表示装置および携帯端末
US6922367B2 (en) * 2003-07-09 2005-07-26 Micron Technology, Inc. Data strobe synchronization circuit and method for double data rate, multi-bit writes
ES2537655T3 (es) 2003-09-18 2015-06-10 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Dispositivos de almacenamiento de energía de alto rendimiento
KR100666931B1 (ko) * 2004-12-28 2007-01-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체메모리소자
TWI292096B (en) 2005-10-06 2008-01-01 Via Tech Inc A data buffer system and an access method of a data buffer device
WO2008063199A1 (en) 2006-11-20 2008-05-29 Rambus Inc. Memory systems and methods for dynamically phase adjusting a write strobe and data to account for receive-clock drift
US7975162B2 (en) * 2006-11-28 2011-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for aligning input data in semiconductor memory device
KR101147360B1 (ko) * 2010-08-31 2012-05-23 매그나칩 반도체 유한회사 버퍼링 회로 및 이를 구비하는 반도체 장치
JP2012133959A (ja) 2010-12-21 2012-07-12 Furukawa Battery Co Ltd:The 鉛蓄電池用複合キャパシタ負極板及び鉛蓄電池
KR102222449B1 (ko) * 2015-02-16 2021-03-03 삼성전자주식회사 탭이 내장된 데이터 수신기 및 이를 포함하는 데이터 전송 시스템
TWI612427B (zh) * 2015-11-27 2018-01-21 九暘電子股份有限公司 資料傳輸裝置及其資料傳輸方法
US9729170B1 (en) * 2016-06-27 2017-08-08 Xilinx, Inc. Encoding scheme for processing pulse-amplitude modulated (PAM) signals
US10734044B2 (en) * 2018-08-14 2020-08-04 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for latching data input bits

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4386367A (en) * 1981-06-26 1983-05-31 Tektronix, Inc. System and method for converting a non-interlaced video signal into an interlaced video signal
TW426847B (en) * 1998-05-21 2001-03-21 Nippon Electric Co Semiconductor memory device capable of securing large latch margin
JP3312602B2 (ja) * 1998-10-28 2002-08-12 日本電気株式会社 半導体記憶装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9203116B2 (en) 2006-12-12 2015-12-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Energy storage device
US9666860B2 (en) 2007-03-20 2017-05-30 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Optimised energy storage device having capacitor material on lead based negative electrode
US9450232B2 (en) 2009-04-23 2016-09-20 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Process for producing negative plate for lead storage battery, and lead storage battery
US9401508B2 (en) 2009-08-27 2016-07-26 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Electrical storage device and electrode thereof
US9508493B2 (en) 2009-08-27 2016-11-29 The Furukawa Battery Co., Ltd. Hybrid negative plate for lead-acid storage battery and lead-acid storage battery
US9524831B2 (en) 2009-08-27 2016-12-20 The Furukawa Battery Co., Ltd. Method for producing hybrid negative plate for lead-acid storage battery and lead-acid storage battery

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