JP2003303720A

JP2003303720A - フェライトコア及びこれを用いたチップインダクタ

Info

Publication number: JP2003303720A
Application number: JP2002217645A
Authority: JP
Inventors: Chisato Ishida; 千里石田; Naoki Kawai; 直樹河合
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-02-07
Filing date: 2002-07-26
Publication date: 2003-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構造で接着強度の高く、Ｑ値の高いチッ
プインダクタを提供する。【解決手段】胴部の両端に脚部を備え、該脚部の底面と
側面に電極を有する逆凹型フェライトコアにおいて、前
記側面電極が前記脚部底面の外周長さの２０％以上の範
囲に存在し、前記底面電極が前記フェライトコアの脚部
底面の外周端部の少なくとも一部に存在せず、且つ前記
底面電極の底面に対する面積割合を５０％以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種電気回路等に
使用されているフェライト及びこれを用いたチップイン
ダクタに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年テレビ、パソコン、移動体通信機器
等の分野において、高周波化の進展とともにこれらの機
器に使用される部品も高周波化の要求が高まっている。

【０００３】また、急速に需要が拡大しつつある角形コ
イルの分野において、小型化、軽量化、高信頼性の要求
が大きくなっている。この角形コイルをなすチップイン
ダクタの構造は、図７に示す様に逆凹形状をしたフェラ
イトコア１１の胴部１１ａに導線１２を巻回して巻き線
を施し、脚部１１ｂの底面に電極１３を形成して、上記
導線１２の両端を電極１３に接続したものである。フェ
ライトコア１１は２〜３ｍｍ角の大きさでアルミナ、フ
ェライト、樹脂等から成り、導線１２は直径０．０２〜
０．１ｍｍ程度の銅線から成る。

【０００４】また、底面電極１３はＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等
の厚膜ペーストや、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗ等のメタライズをし
た後、Ｎｉ，Ａｕ，Ｓｎ−Ｐｄ等をメッキして形成され
る。そして、前記底面電極１３を半田２１で基板２０に
接合することにより、チップインダクタ２２を基板２０
に実装することが可能となる。

【０００５】また、図９に示す様に、側面がＨ形状をし
たフェライトコア１１を用いたH型チップインダクタ１
６も使用されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年、特に携帯電話等
に使用するチップインダクタは、各周波数における信号
のＳ／Ｎ比を高くするためにＱ値が高い事が求められて
いる。このため、チップインダクタの材質としてＱ値の
高いフェライトが広く使用されている。しかし、図７に
示す従来のチップインダクタ２２をなすフェライトコア
１１は抵抗値が１〜１００ＭΩ程度と若干導電性がある
ため、磁束が底面電極１３側に流れて導体損を誘発し、
Ｑ値が低下してしまうという問題があった。また、Ｑ値
低下を起こす電極面積を小さくすると基板２０との接着
強度が低下し剥がれが生じてしまう問題があった。そこ
で、図８に示すようにフェライトコア１１の胴部１１ａ
をフェライトにより形成し、底面電極１３側への磁束の
流れを防ぐため脚部１１ｂを絶縁性の高いアルミナセラ
ミックスで形成して、両者を接着剤で接合した構造のチ
ップインダクタが提案されている。しかし、この場合
は、脚部１１ｂがアルミナであるためＱ値が低くなり、
また製造工程で胴部１１ａと脚部１１ｂとを接着する工
程が必要となるだけでなく、テスト時や使用時に高温に
なると接着剤の軟化や胴部１１ａと脚部１１ｂとの熱膨
張差によって両者の接合が剥がれやすいという問題があ
った。そこで、本発明は、簡単な構造で接着強度が高
く、且つＱ値の高いチップインダクタを提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のフェライトコア
は、胴部の両端に脚部を備え、該脚部の底面と側面に電
極を有する逆凹型フェライトコアにおいて、前記側面電
極が前記脚部側面の外周長さの２０％以上に存在し、前
記底面電極が前記底面の外周端部の少なくとも一部に存
在せず、且つ前記底面電極の底面に対する面積割合が５
０％以下に存在することを特徴とする。

【０００８】また、本発明のフェライトコアは、前記脚
部の高さをｈとするとき前記側面電極が前記脚部の底面
端部から前記脚部の高さ方向に対して０．０５ｈ以上の
位置に存在することを特徴とする。

【０００９】また、本発明のフェライトコアは前記脚部
底面の長手方向の長さ及び底面電極の長さをＤ及びＤ₁
とし、前記長手方向と垂直方向の底面の長さ及び底面電
極の長さをＷ及びＷ₁とするとき、Ｄ₁／Ｄ＝０．６０〜
０．９２、Ｗ₁／Ｗ＝０．５４〜０．８８であることを
特徴とする。

【００１０】また、本発明のフェライトコアは、前記側
面電極の下側端部と前記底面電極の外側端部とが繋がっ
ていることを特徴とする。

【００１１】また、本発明のフェライトコアは、前記側
面電極の下側端部と前記底面電極の外側端部との間隔比
が前記脚部底面の底面幅の１０％以上であることを特徴
とする。

【００１２】また、本発明のチップインダクタは前記フ
ェライトコアの胴部に導線が巻回されるとともに、該導
線の両端を前記脚部の底面電極または側面電極に導出し
てなることを特徴とする。

【００１３】また、本発明のチップインダクタは、前記
チップインダクタにおいてＱ値の最大値が使用周波数５
〜１０ＭＨｚの範囲で得られることを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明のフェライトコアに
ついて図１〜４を用いて説明する。なお、これらの図で
は説明のために実装時とは上下を逆にして示してある。

【００１５】本発明のフェライトコアは、図１〜４に示
す様に胴部１１aの両端に脚部１１bを備え、脚部１１ｂ
の底面と側面に底面電極１３と側面電極１４を有する逆
凹型フェライトコア１１である。そして側面電極１４が
フェライトコア１１の脚部１１ｂの側面の外周長さの２
０％以上に存在することが接着高度を高くするために重
要である。また、製造上好ましくは脚部１１ｂの長手部
の外側に存在することである。また、図２に示す様に側
面電極１４がフェライトコア１１の脚部１１ｂの側面の
外周長さの１００％に存在することで最も高い接着強度
が得られる。

【００１６】側面電極１４がフェライトコア１１の脚部
１１ｂの底面の外周長さの２０％以上に存在する事とす
るのは次の理由による。前記側面電極１４が前記外周長
さの２０％未満の範囲に存在すると接着強度の向上が低
く、２０％以上の範囲に存在すると接着強度が著しく向
上する。また、前記側面電極１４が外周長さの２０％以
上に存在すると磁束の流れに電極面が平行となるため電
極による導体損の影響が小さい。

【００１７】また、本発明のフェライトコアは底面電極
１３がフェライトコア１１の脚部１１ｂの底面の外周端
部の少なくとも一部に存在せず、且つ前記底面における
底面電極１３の底面に対する面積割合が５０％以下にす
ることがＱ値を高くするために重要である。好ましくは
前記面積割合が１０〜３０％である。底面電極１３がフ
ェライトコア１１の脚部１１ｂの底面の外周端部の少な
くとも一部に存在しない事とするのは次の理由による。
磁束は前記底面の外周端部に集中しやすいため、前記外
周端部の底面電極１３で導体損が発生して著しくＱ値が
低下する。したがってＱ値の低下を抑制するためには底
面電極１３がフェライトコア１１の脚部１１ｂの底面の
外周端部の少なくとも一部に存在しない事が重要であ
る。

【００１８】また、前記底面における前記底面電極１３
の面積割合を５０％以下にするとしたのは、Q値を高く
するためである。また、前記面積割合が５０％より大き
い場合は、底面電極１３が外周端部に近くなるのでＱ値
が低下する。前記面積割合が１０％未満の場合は、図１
の底面電極１３と基板２０との接着強度の向上が著しく
ない。

【００１９】また、本発明のフェライトコアにおいて
は、前記脚部１１bの高さをｈとするとき脚部底面端部
より前記高さ方向に対して前記側面電極１４が０．０５
ｈ以上の位置に存在させることによりさらに高い接着強
度が得られる。ここで前記側面電極１４の高さを０．０
５ｈ以上の位置に存在させるのは接着強度の著しい向上
が見られるからである。前記側面電極１４の高さが０．
０５ｈ未満にのみ存在すると接着強度が著しくない。

【００２０】また、図３に示す様に本発明のフェライト
コアにおいては、前記脚部１１b底面の長手方向の長さ
及び底面電極１３の長さをＤ及びＤ₁とし、前記長手方
向と直角方向の底面の長さ及び底面電極１３の長さをＷ
及びＷ₁とするとき、Ｄ₁／Ｄ＝０．６０〜０．９２、Ｗ
₁／Ｗ＝０．５４〜０．８３であることが特にＱ値を高
くするために好ましい。Ｄ₁／Ｄが０．６６及びＷ₁／Ｗ
が０．５４より小さい場合は接着強度の向上が著しくな
く、Ｄ₁／Ｄが０．９２より大きい場合やＷ₁／Ｗが０．
８８より大きい場合は脚部１１ｂの外周端部に電極が近
くなるため、Ｑ値の向上が著しくない。

【００２１】また、図４に示す様に本発明のフェライト
コアにおいては、前記脚部１１ｂの外側の側面１１cに
印刷された側面電極１４の下側端部と底面電極１３の外
側端部とが繋がり一体化した電極形状の時にＱ値の著し
い向上が見られる。この理由は、図４の側面１１cに印
刷された側面電極１４の下側端部と底面電極１３の外側
端部とが繋がり一体化した時、底面電極１３の外側端部
での磁束の損失が小さくなるためと考えられる。より好
ましくは、側面１１cに印刷された側面電極１４の下側
端部と底面電極１３の外側端部とが繋がっている部分の
長さ（図４ではＤ₁に相当する）が、底面の長さＤに対
して８０％以上となっていることである。

【００２２】一方、図３に示す様に側面１１cの側面電
極１４の下側端部と底面電極１３の外側端部とが離れて
いる場合は、両者の間隔Ｗ₂を脚部１１ｂの底面の長さ
Ｗに対して１０％以上とする事によりＱ値をさらに向上
させることが出来る。この理由は、間隔W₂を本発明の範
囲とすることにより、側面１１cに印刷された脚部１１
ｂの側面電極１４の下側端部と底面電極１３の外側端部
の間の磁束が損失することによって起こるＱ値低下を抑
制することが出来るためと考えられる。より、好ましく
はW₂が前記脚部１１bの底面長さＷの１６％以上であ
る。

【００２３】本発明のフェライトコア１１に用いるフェ
ライト材料は、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｎｉ−ＺｎーＣｕ系、Ｎ
ｉ−Ｚｎ−Ｍｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ−ＣｕーＭｎ系等のフェ
ライト材料からなり、好ましくはＦｅ₂Ｏ₃が２５ｍｏｌ
％〜５０ｍｏｌ％、ＮｉＯが１０ｍｏｌ％〜５５ｍｏｌ
％、ＺｎＯが３５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯが１０ｍｏｌ％
以下及びＭｎＯが３ｍｏｌ％以下の組成比からなること
が望ましい。更に本発明のフェライトコアの組成は、例
えばＦｅ₂Ｏ₃が４７ｍｏｌ％〜４８．５ｍｏｌ％、Ｎｉ
Ｏが２１．５ｍｏｌ％〜２３．５ｍｏｌ％、ＺｎＯが２
２ｍｏｌ％〜２４ｍｏｌ％、ＣｕＯが４ｍｏｌ％〜６ｍ
ｏｌ％、ＭｎＯが０．５ｍｏｌ％〜１．５ｍｏｌ％の割
合で所定のＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＣａＯを少な
くとも１種以上含有し、好ましくはＳｉＯ₂が１ｍｏｌ
％以下、Ａｌ₂Ｏ₃が０．５ｍｏｌ％以下、ＭｇＯが０．
５ｍｏｌ％以下、ＣａＯが０．５ｍｏｌ％以下含有する
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｎ系フェライトが好ましく、透磁
率については１４０〜２００、好ましくは１６０〜１８
０のフェライト材料で形成する。

【００２４】本発明のフェライトコアは透磁率を上述し
た範囲内にすることにより特にＱ値を高くする事が出来
る。

【００２５】本発明のフェライトコアの製造方法は例え
ば以下に示す通りである。

【００２６】Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を用いて調合
し振動ミル等で湿式混合粉砕を経て乾燥噴霧造粒装置に
て粉体を得る。得られた粉体を７５０℃〜９００℃で仮
焼し仮焼粉を得る。

【００２７】得られた仮焼粉にＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍ
ｇＯ、ＣａＯ、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＣｏＯ等とバイン
ダーを加え、ボールミル等で湿式粉砕、混合を経て乾式
噴霧造粒装置にて造粒体を得る。得られた粉体を圧縮成
型機にて加圧してプレスすることによって、所定の形を
なす成形体を得る。次に得られた成形体を９５０℃〜１
２００℃の温度で焼成することでフェライトコアを得る
ことができる。

【００２８】底面電極１３は得られたフェライトコアに
Ａｇペーストを１８〜２２μｍの厚さでディッピングす
る。次に側面電極１４はコア側面を表にし容器に並べ電
極形状の型取りされたスクリーンを被せ、その上からス
クリーン印刷する。次に６００℃〜８００℃でＡｇペー
ストを焼き付ける。次に電解メッキにてＮｉ及びＳｎ、
Ｐｄを各２〜４μｍの厚さでメッキする。

【００２９】本発明のチップインダクタは前記フェライ
トコア１１に導線１２が巻回され、該導線１２の両端を
導出する両端を上記逆凹型フェライトコアの脚部の底面
電極１３または側面電極１４に形成してなることが重要
である。即ち、本発明のチップインダクタは、図３に示
すように本発明のフェライトコア１１の胴部１１ａに導
線１２を巻回し、導線１２の両端を脚部コア１１ｂの端
部に形成した底面電極１３に導出して接合してなるもの
である。また、フェライトコア１１に巻回す導線１２の
巻回し数を制御することにより所望のインダクタンスを
得る事ができ、図６に示す様に更に底面電極１３と側面
電極１４を基板２０と半田２１により接合する事で回路
基板への表面実装を可能にする。また、本発明のチップ
インダクタはＱ値の最大値が周波数５〜１０ＭＨｚの範
囲で得られることが重要である。その理由は、周波数５
〜１０ＭＨｚの範囲にＱ値の最大値があることにより、
Ｑ値のばらつきが少ないチップインダクタを得ることが
できるからである。

【００３０】

【実施例】実施例１本発明の実施例として、図１〜４に示すチップインダク
タ２２を次の様に作製した。Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト
粉末を用いて調合し振動ミルで湿式粉砕して乾燥噴霧造
粒装置にて造粒体を得た。得られた造粒体を７５０℃〜
９００℃で仮焼した。次に、得られた仮焼粉にＳｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、
ＣｏＯ等とバインダーを加えボールミルで湿式粉砕し乾
式噴霧造粒装置にて造粒体を得た。得られた造粒体を圧
縮成形機にて加圧してプレス成形することによって、所
定の形をなす成形体を得た。得られた成形体を９５０℃
〜１２００℃で焼成することによって脚部１１ｂの底面
の長さＤが１．９８〜２．０２ｍｍ、Ｗが０．４８〜
０．５２ｍｍのフェライトコア１１を得た。次に、得ら
れたフェライトコア１１の脚部１１ｂの底面にＡｇペー
ストを２０μmの厚みでディッピングした後、脚部１１
ｂの側面にもＡｇペーストを２０μｍの厚みでスクリー
ン印刷する。次に６００℃〜８００℃でＡｇペーストを
焼き付けた後に電解メッキにてＮｉ及びＳｎ−Ｐｄメッ
キを１〜５μmの厚みでメッキする。次に直径０．０５
ｍｍの導線１２をフェライトコア１１の胴部１１ｃに３
０回巻き回し本発明のチップインダクタ２２を作製し
た。更に巻き回した前記導線１２の両端を前記フェライ
トコア１１の脚部１１ｂの底面電極１３または側面電極
１４に導出して接合した。得られたチップインダクタ２
２の７５ＫＨｚ〜３０ＭＨzの周波数範囲におけるＱ値
をＬＣＲメータを用いて測定した。

【００３１】また、図６に示す様なチップインダクタ２
２を基板２０に半田付けし、基板２０の面と平行な方向
から加圧器により速度５ｍｍ／secの条件で加圧し接着
強度を評価した。合否判定の基準として、接着強度は１
０Ｎ以上およびＱ値は３５以上を合格とした。その結果
を表１と表２に示す。表１に脚部底面の面積に対する底
面電極１３の面積の割合を２５％、脚部１１ｂの高さｈ
に対する側面電極１４の高さを５％と固定し前記脚部１
１ｂの側面電極１４の外周長さの割合を表１に示したよ
うに条件を振り評価した。その結果、試料Ｎｏ．３〜９
はチップインダクタと基板との接着強度が１５〜２９Ｎ
得られ、Ｑ値が４０〜５１と高い値が得られた。一方、
本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１、２は、接着強度が弱い
ため９Ｎ以下の低い値でチップインダクタと基板が剥離
した。

【００３２】また、表２に脚部１１ｂの側面電極１４の
外周長さの割合を２０％、脚部１１ｂの高さｈに対する
側面電極１４の高さを５％と固定し脚部１１ｂの底面面
積に対する底面電極１３の面積の割合を表２に示した様
に条件を振り評価した。その結果、試料Ｎｏ．１０〜１
５は、チップインダクタと基板との接着強度１４〜３４
Ｎが得られ、Ｑ値が３６〜５２と高い値が得られた。ま
た、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１４、１５はＱ値が３
２、２７と低い値となった。なお、さらに実験を重ねた
ところＷ＝０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ、Ｄ＝０．５ｍｍ〜
４．０ｍｍの範囲において、側面電極１４がフェライト
コアの前記脚部の外周長さの２０％以上であり、前記底
面電極が前記フェライトコアの脚部底面の外周端部の少
なくとも一部に存在せず、且つ面電極の面積割合が５０
％以下であればＱ値が３５以上、接着強度が１０Ｎ以上
のフェライトコアが得られた。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】

【００３５】実施例２実施例１と同様にフェライトコア１１を作製しフェライ
トコア脚部の底面と側面に電極を塗布しチップインダク
タを作製した。これらのチップインダクタをＬＣＲメー
ターを用いて７５ＫＨｚ〜３０ＭＨｚの周波数範囲でＱ
値を測定した。また、図６に示す様にチップインダクタ
２２を基板２０に半田付けし、実施例１と同様に加圧し
た。この時、前記脚部底面面積に対する底面電極１３の
面積割合を２５％、脚部１１ａの外周長さに対する脚部
１１の側面電極１４の長さの割合を１００％と固定し、
脚部１１ｂの高さｈに対する脚部１１ｂの底面端部から
脚部の高さ方向に対する側面電極１４の高さの割合を表
３に示す様に条件を振り評価した。その結果、試料Ｎ
ｏ．１６〜２１はＱ値が３６〜４０と高く、接着強度が
２９〜４６Ｎと実施例１より更に高い接着強度が得られ
た。

【００３６】

【表３】

【００３７】実施例３実施例１と同様にして、チップインダクタを作製し、同
様の評価を行った。この際、底面電極１３の面積の割
合、側面電極１４の長さと高さの割合を表１〜３の本発
明試料と同じ値とし、Ｄ₁／Ｄ、Ｗ₁／Ｗの値を変化させ
た。その結果Ｄ₁／Ｄ＝０．６０〜０．９２、Ｗ₁／W＝
０．５４〜０．８８の場合、接着強度が１０Ｎ以上で且
つ実施例１、２よりもＱ値の高いチップインダクタが得
られた。

【００３８】実施例４実施例１と同様にフェライトコア１１を作製しフェライ
トコア脚部の底面と側面に電極を塗布しチップインダク
タを作製した。これらのチップインダクタをＬＣＲメー
ターを用いて７５ＫＨｚ〜３０ＭＨｚの周波数範囲でＱ
値を測定した。また、図６に示す様にチップインダクタ
２２を基板２０に半田付けし、実施例１と同様に加圧し
た。この時、脚部１１ｂの底面面積に対する底面電極１
３の面積割合を２５％、側面電極１４の外周長さに対す
る脚部１１ｂの側面電極１４の長さの割合を４０％と固
定し、脚部１１ｂの高さｈに対する脚部１１ｂの底面端
部から脚部の高さ方向に対する側面電極１４の高さの割
合を１７％と固定し、側面電極１４の下側端部と底面電
極１３の外側端部との間隔Ｗ₂を脚部１１ｂの底面の長
さＷに対する間隔W₂の比を、表４、図５に示す様に条件
を変えて評価した。その結果、試料Ｎｏ．２９は間隔Ｗ
₂が０、すなわち側面電極１４と底面電極１３が繋がっ
ておりＱ値が５０と実施例１〜３よりさらに高く、接着
強度が２９と実施例１より更に高い接着強度が得られ
た。

【００３９】一方、側面電極１４と底面電極１３が離れ
ている場合は、その間隔Ｗ₂が底面長さＷの１０％以上
のもの（Ｎｏ２３〜２７）が高いＱ値を得られた。

【００４０】

【表４】

【００４１】

【発明の効果】以上の様に電極面積と電極形状等を本発
明の範囲内としたフェライトコアを用いることにより接
着強度が高く、Ｑ値の高いチップインダクタを提供する
ことが出来る。これによりテレビ、パソコン、移動体通
信機の高周波機器に充分適用することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップインダクタを示す斜視図であ
る。

【図２】本発明のチップインダクタを示す斜視図であ
る。

【図３】本発明のチップインダクタを示す斜視図であ
る。

【図４】本発明のチップインダクタを示す斜視図であ
る。

【図５】本発明のチップインダクタにおける底面電極長
さＷに対する電極間隔Ｗ₂の比とＱ値の関係を示すグラ
フである。

【図６】本発明のチップインダクタを基板へ実装した状
態を示す斜視図である。

【図７】従来のチップインダクタを示す斜視図である。

【図８】従来のチップインダクタを示す斜視図である。

【図９】従来のチップインダクタを示す斜視図である。

【符号の説明】

１１：フェライトコア１１ａ：胴部１１ｂ：脚部１２：導線１３：底面電極１４：側面電極１６：Ｈ型チップインダクタ２０：基板２１：半田２２：チップインダクタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】胴部の両端に脚部を備え、該脚部の底面と
側面に電極を有する逆凹型フェライトコアにおいて、前
記側面電極が前記脚部底面の外周長さの２０％以上の範
囲に存在し、前記底面電極が前記底面の外周端部の少な
くとも一部に存在せず、且つ前記底面電極の底面に対す
る面積割合が５０％以下であることを特徴とするフェラ
イトコア。
【請求項２】前記フェライトコアの脚部の高さをhとす
るとき、前記側面電極が前記脚部の底面端部から前記脚
部の高さ方向に対して０．０５ｈ以上の位置に存在する
ことを特徴とする請求項１に記載のフェライトコア。
【請求項３】前記脚部底面の長手方向の長さ及び底面電
極長さをＤ及びＤ₁とし、前記長手方向と直角方向の底
面長さ及び底面電極の長さをＷ及びＷ₁とするとき、Ｄ₁
／Ｄ＝０．６０〜０．９２、Ｗ₁／Ｗ＝０．５４〜０．
８８であることを特徴とする請求項１、２のいずれかに
記載のフェライトコア。
【請求項４】前記側面電極の下側端部と前記底面電極の
外側端部とが繋がっていることを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載のフェライトコア。
【請求項５】前記側面電極の下側端部と前記底面電極の
外側端部との間隔比が前記脚部底面の底面幅の１０％以
上あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
のフェライトコア。
【請求項６】請求項１〜３のいずれかに記載のフェライ
トコアの胴部に導線が巻回されるとともに、該導線の両
端を上記脚部の底面電極または側面電極に導出してなる
チップインダクタ。
【請求項７】Q値の最大値が周波数５〜１０MHｚの範囲
で得られることを特徴とする請求項６に記載のチップイ
ンダクタ。