JP2003209018A - フェライトコア及びこれを用いたチップインダクタ - Google Patents
フェライトコア及びこれを用いたチップインダクタInfo
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- JP2003209018A JP2003209018A JP2002007148A JP2002007148A JP2003209018A JP 2003209018 A JP2003209018 A JP 2003209018A JP 2002007148 A JP2002007148 A JP 2002007148A JP 2002007148 A JP2002007148 A JP 2002007148A JP 2003209018 A JP2003209018 A JP 2003209018A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡単な構造でＱ値の高いチップインダクタを提
供する。 【解決手段】胴部の両端に脚部を有し、該脚部の底面に
電極を備え、前記電極が前記脚部底面の外周端部の少な
くとも一部に存在せず、且つ前記底面における前記電極
の面積割合が２０〜７７％であるフェライトコアを用い
てチップインダクタを構成する。
供する。 【解決手段】胴部の両端に脚部を有し、該脚部の底面に
電極を備え、前記電極が前記脚部底面の外周端部の少な
くとも一部に存在せず、且つ前記底面における前記電極
の面積割合が２０〜７７％であるフェライトコアを用い
てチップインダクタを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電気回路等に
使用されているフェライトコア及びこれを用いたチップ
インダクタに関する。
使用されているフェライトコア及びこれを用いたチップ
インダクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年テレビ、パソコン、移動体通信機器
等の分野において、高周波化の進展とともにこれらの機
器に使用される部品も高周波化の要求が高まっている。
また、急速に需要が拡大しつつある角形コイルの分野に
おいて、小型化、軽量化、高信頼性の要求が大きくなっ
ている。この角形コイルをなすチップインダクタの構造
は、図５に示す様に逆凹形状をしたフェライトコア１０
の胴部１１ａに導線１２を巻回して巻き線を施し、脚部
１１ｂの底面に電極１３を形成して、上記導線１２の両
端を電極１３に接続したものである。
等の分野において、高周波化の進展とともにこれらの機
器に使用される部品も高周波化の要求が高まっている。
また、急速に需要が拡大しつつある角形コイルの分野に
おいて、小型化、軽量化、高信頼性の要求が大きくなっ
ている。この角形コイルをなすチップインダクタの構造
は、図５に示す様に逆凹形状をしたフェライトコア１０
の胴部１１ａに導線１２を巻回して巻き線を施し、脚部
１１ｂの底面に電極１３を形成して、上記導線１２の両
端を電極１３に接続したものである。
【０００３】フェライトコア１０は２〜３ｍｍ角の大き
さでアルミナ、フェライト、樹脂等から成り、導線１２
は直径０．０２〜０．１ｍｍ程度の銅線から成る。ま
た、電極１３はＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の厚膜ペーストや、
Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗ等のメタライズした後、Ｎｉ，Ａｕ，Ｓ
ｎ−Ｐｄ等をメッキして形成される。そして、図４のよ
うに上記電極１３を半田で接合することにより、チップ
インダクタ２２を基板２０に実装することが出来る。
さでアルミナ、フェライト、樹脂等から成り、導線１２
は直径０．０２〜０．１ｍｍ程度の銅線から成る。ま
た、電極１３はＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の厚膜ペーストや、
Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗ等のメタライズした後、Ｎｉ，Ａｕ，Ｓ
ｎ−Ｐｄ等をメッキして形成される。そして、図４のよ
うに上記電極１３を半田で接合することにより、チップ
インダクタ２２を基板２０に実装することが出来る。
【０００４】また、図６に示す様に、側面がＨ形状をし
たフェライトコア１０を用いたチップインダクタも使用
されている。
たフェライトコア１０を用いたチップインダクタも使用
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、特に携帯電話等
に使用するチップインダクタは、各周波数における信号
のＳ／Ｎ比を高くするために、Ｑ値が高い事が求められ
ている。このため、チップインダクタの材質としてＱ値
の高いフェライトが広く使用されている。
に使用するチップインダクタは、各周波数における信号
のＳ／Ｎ比を高くするために、Ｑ値が高い事が求められ
ている。このため、チップインダクタの材質としてＱ値
の高いフェライトが広く使用されている。
【０００６】しかし、図５に示す従来のチップインダク
タ２２をなすフェライトコア１０は抵抗値が１〜１００
ＭΩ程度と若干導電性があるため、磁束が電極１３側に
流れて導体損を誘発し、Ｑ値が低下してしまうという問
題があった。
タ２２をなすフェライトコア１０は抵抗値が１〜１００
ＭΩ程度と若干導電性があるため、磁束が電極１３側に
流れて導体損を誘発し、Ｑ値が低下してしまうという問
題があった。
【０００７】そこで、フェライトコア１０の胴部１１ａ
をフェライトにより形成し、脚部１１ｂを絶縁性の高い
アルミナセラミックスで形成して電極１３側への磁束の
流れを防ぐため、両者を接着剤で接合した構造のチップ
インダクタが提案されている。しかし、この場合は、脚
部１１ｂがアルミナであるためＱ値が低くなり、また製
造工程で胴部１１ａと脚部１１ｂとを接着する工程が必
要となるだけでなく、テスト時や使用時に高温になる
と、接着剤の軟化や胴部１１ａと脚部１１ｂとの熱膨張
差によって両者の接合が剥がれやすいという問題があっ
た。
をフェライトにより形成し、脚部１１ｂを絶縁性の高い
アルミナセラミックスで形成して電極１３側への磁束の
流れを防ぐため、両者を接着剤で接合した構造のチップ
インダクタが提案されている。しかし、この場合は、脚
部１１ｂがアルミナであるためＱ値が低くなり、また製
造工程で胴部１１ａと脚部１１ｂとを接着する工程が必
要となるだけでなく、テスト時や使用時に高温になる
と、接着剤の軟化や胴部１１ａと脚部１１ｂとの熱膨張
差によって両者の接合が剥がれやすいという問題があっ
た。
【０００８】そこで、本発明は、簡単な構造でＱ値の高
いチップインダクタを提供することを目的とする。
いチップインダクタを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフェライトコア
は、胴部の両端に脚部を有し、該脚部の底面に電極を有
する逆凹型フェライトコアにおいて、前記電極が前記脚
部底面の外周端部の少なくとも一部に存在せず、且つ前
記底面における前記電極の面積割合が２０〜７７％であ
ることを特徴とする。
は、胴部の両端に脚部を有し、該脚部の底面に電極を有
する逆凹型フェライトコアにおいて、前記電極が前記脚
部底面の外周端部の少なくとも一部に存在せず、且つ前
記底面における前記電極の面積割合が２０〜７７％であ
ることを特徴とする。
【００１０】本発明のフェライトコアは、前記底面の長
手方向の長さ及び電極長さをＤ、Ｄ 1とし、前記底面の
長手方向と直角方向の長さ及び電極長さをＷ、Ｗ1とし
たとき、Ｄ1／Ｄ＝０．２５〜０．９２、Ｗ1／Ｗ＝０．
２５〜０．８４であることを特徴とする。
手方向の長さ及び電極長さをＤ、Ｄ 1とし、前記底面の
長手方向と直角方向の長さ及び電極長さをＷ、Ｗ1とし
たとき、Ｄ1／Ｄ＝０．２５〜０．９２、Ｗ1／Ｗ＝０．
２５〜０．８４であることを特徴とする。
【００１１】また、本発明のチップインダクタは前記フ
ェライトコアに導線を巻回するとともに、該導線の両端
を前記底面の電極に接続してなることを特徴とする。
ェライトコアに導線を巻回するとともに、該導線の両端
を前記底面の電極に接続してなることを特徴とする。
【００１２】また、本発明のチップインダクタは、Ｑ値
の最大値が周波数５〜１０ＭＨｚの範囲で得られること
を特徴とする。
の最大値が周波数５〜１０ＭＨｚの範囲で得られること
を特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について以下に
説明する。
説明する。
【００１４】本発明のフェライトコアについて図１〜３
を用いて説明する。なお、これらの図では、電極形状を
説明するために、図４のような実装時とは上下を逆にし
て示してある。本発明のフェライトコア１０は胴部１１
ａの両端に脚部１１ｂを有し、該脚部１１ｂの底面に電
極１３を有する逆凹型であり、電極１３が脚部１１bの
底面の外周端部の少なくとも一部に存在していない。且
つ前記底面における前記電極１３の面積割合を２０〜７
７％にすることがＱ値を高くするために重要であり、好
ましくは前記面積割合を２０〜５０％とする。
を用いて説明する。なお、これらの図では、電極形状を
説明するために、図４のような実装時とは上下を逆にし
て示してある。本発明のフェライトコア１０は胴部１１
ａの両端に脚部１１ｂを有し、該脚部１１ｂの底面に電
極１３を有する逆凹型であり、電極１３が脚部１１bの
底面の外周端部の少なくとも一部に存在していない。且
つ前記底面における前記電極１３の面積割合を２０〜７
７％にすることがＱ値を高くするために重要であり、好
ましくは前記面積割合を２０〜５０％とする。
【００１５】電極１３がフェライトコア１０の脚部１１
ｂの底面の外周端部の少なくとも一部に存在しない事と
するのは次の理由による。磁束は前記底面の外周端部に
集中しやすいため、電極１３が前記外周端部に存在する
と、この部分で導体損が発生してＱ値が低下する。した
がってＱ値の低下を抑制するためには電極１３がフェラ
イトコア１０の脚部１１ｂの底面の少なくとも一部に存
在しない事が重要である。本発明のフェライトコアにお
いては、磁束の集中しやすい前記底面の外周端部に電極
１３が存在せず、且つ前記面積割合が２０〜７７％であ
るとＱ値の高いフェライトコアを得る事が出来る。
ｂの底面の外周端部の少なくとも一部に存在しない事と
するのは次の理由による。磁束は前記底面の外周端部に
集中しやすいため、電極１３が前記外周端部に存在する
と、この部分で導体損が発生してＱ値が低下する。した
がってＱ値の低下を抑制するためには電極１３がフェラ
イトコア１０の脚部１１ｂの底面の少なくとも一部に存
在しない事が重要である。本発明のフェライトコアにお
いては、磁束の集中しやすい前記底面の外周端部に電極
１３が存在せず、且つ前記面積割合が２０〜７７％であ
るとＱ値の高いフェライトコアを得る事が出来る。
【００１６】また、前記面積割合が７７％より大きい場
合は、電極１３が外周端部に近くなるのでＱ値が低下す
る。前記面積割合が２０％未満の場合は、図４の電極１
３と基板２０との接着強度が低下し、フェライトコア１
０が基板２０から剥がれてしまうという問題点がある。
合は、電極１３が外周端部に近くなるのでＱ値が低下す
る。前記面積割合が２０％未満の場合は、図４の電極１
３と基板２０との接着強度が低下し、フェライトコア１
０が基板２０から剥がれてしまうという問題点がある。
【００１７】また、本発明においてＱ値を向上させるた
めには、前記電極１３が前記脚部１１ｂの底面の外周端
部の長さの５０％以下の範囲に存在することが好まし
い。前記電極１３が前記脚部１１ｂの底面の外周端部の
長さの５０％以下の範囲に存在するとは、底面に存在す
る電極１３のうち底面の外周端部に存在する電極１３の
長さの和を底面の外周の長さの和で割った割合が５０％
以下であることを示す。これによって特にＱ値の高いフ
ェライトコアを得ることができる。
めには、前記電極１３が前記脚部１１ｂの底面の外周端
部の長さの５０％以下の範囲に存在することが好まし
い。前記電極１３が前記脚部１１ｂの底面の外周端部の
長さの５０％以下の範囲に存在するとは、底面に存在す
る電極１３のうち底面の外周端部に存在する電極１３の
長さの和を底面の外周の長さの和で割った割合が５０％
以下であることを示す。これによって特にＱ値の高いフ
ェライトコアを得ることができる。
【００１８】例えば、図１に示すものでは、電極１３は
完全に底面の内側に存在して外周端部に存在しないた
め、上記割合は０％である。図２、３のものでは、上記
割合が５０％以下となるように、電極１３は底面の一方
側端部に存在している。
完全に底面の内側に存在して外周端部に存在しないた
め、上記割合は０％である。図２、３のものでは、上記
割合が５０％以下となるように、電極１３は底面の一方
側端部に存在している。
【００１９】また、本発明のフェライトコアにおいては
フェライトコア１０の脚部１１ｂの側面に電極１３を塗
布するとＱ値が低下するため、前記側面に電極１３が存
在しないことが望ましい。
フェライトコア１０の脚部１１ｂの側面に電極１３を塗
布するとＱ値が低下するため、前記側面に電極１３が存
在しないことが望ましい。
【００２０】本発明のフェライトコア１０に用いるフェ
ライトは、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｍｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｎ系等のフェライ
ト材料からなり、好ましくはＦｅ2Ｏ3が２５ｍｏｌ％〜
５０ｍｏｌ％、ＮｉＯが１０ｍｏｌ％〜５５ｍｏｌ％、
ＺｎＯが３５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯが１０ｍｏｌ％以下
及びＭｎＯが３ｍｏｌ％以下の組成比からなることが望
ましい。
ライトは、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系、Ｎｉ−
Ｚｎ−Ｍｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｎ系等のフェライ
ト材料からなり、好ましくはＦｅ2Ｏ3が２５ｍｏｌ％〜
５０ｍｏｌ％、ＮｉＯが１０ｍｏｌ％〜５５ｍｏｌ％、
ＺｎＯが３５ｍｏｌ％以下、ＣｕＯが１０ｍｏｌ％以下
及びＭｎＯが３ｍｏｌ％以下の組成比からなることが望
ましい。
【００２１】更に本発明のフェライトコアの組成は、例
えばＦｅ2Ｏ3が４７ｍｏｌ％〜４８．５ｍｏｌ％、Ｎｉ
Ｏが２１．５ｍｏｌ％〜２３．５ｍｏｌ％、ＺｎＯが２
２ｍｏｌ％〜２４ｍｏｌ％、ＣｕＯが４ｍｏｌ％〜６ｍ
ｏｌ％、ＭｎＯが０．５ｍｏｌ％〜１．５ｍｏｌ％の割
合で所定のＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯを少な
くとも１種以上含有し、好ましくはＳｉＯ2が１ｍｏｌ
％以下、Ａｌ2Ｏ3が０．５ｍｏｌ％以下、ＭｇＯが０．
５ｍｏｌ％以下、ＣａＯが０．５ｍｏｌ％以下含有する
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｎ系フェライトが好ましく、透磁
率については１４０〜２００、好ましくは１６０〜１８
０のフェライト材料で形成する。
えばＦｅ2Ｏ3が４７ｍｏｌ％〜４８．５ｍｏｌ％、Ｎｉ
Ｏが２１．５ｍｏｌ％〜２３．５ｍｏｌ％、ＺｎＯが２
２ｍｏｌ％〜２４ｍｏｌ％、ＣｕＯが４ｍｏｌ％〜６ｍ
ｏｌ％、ＭｎＯが０．５ｍｏｌ％〜１．５ｍｏｌ％の割
合で所定のＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯを少な
くとも１種以上含有し、好ましくはＳｉＯ2が１ｍｏｌ
％以下、Ａｌ2Ｏ3が０．５ｍｏｌ％以下、ＭｇＯが０．
５ｍｏｌ％以下、ＣａＯが０．５ｍｏｌ％以下含有する
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｎ系フェライトが好ましく、透磁
率については１４０〜２００、好ましくは１６０〜１８
０のフェライト材料で形成する。
【００２２】本発明のフェライトコアは透磁率を上述し
た範囲内にすることにより特にＱ値を高くする事が出来
る。
た範囲内にすることにより特にＱ値を高くする事が出来
る。
【００２３】本発明のフェライトコアにおいては、前記
脚部１１ｂの底面の長手方向の長さ及び電極１３の長さ
をそれぞれＤ、Ｄ1とし、前記底面の長手方向と直角方
向の長さ及び電極１３の長さをそれぞれＷ、Ｗ1とした
とき、Ｄ1／Ｄ＝０．２５〜０．９２、Ｗ1／Ｗ＝０．２
５〜０．８４％であることが特にＱ値を高くするために
重要である。
脚部１１ｂの底面の長手方向の長さ及び電極１３の長さ
をそれぞれＤ、Ｄ1とし、前記底面の長手方向と直角方
向の長さ及び電極１３の長さをそれぞれＷ、Ｗ1とした
とき、Ｄ1／Ｄ＝０．２５〜０．９２、Ｗ1／Ｗ＝０．２
５〜０．８４％であることが特にＱ値を高くするために
重要である。
【００２４】即ち、図１〜３に示した本発明のフェライ
トコア１０の電極１３は、脚部１１ｂの底面の長手方向
の長さ及び電極１３の長さをＤ、Ｄ1とし、前記底面の
長手方向と直角方向の長さ及び電極１３の長さをＷ、Ｗ
1としたときＤ1／Ｄ＝０．２５〜０．９２、Ｗ1／Ｗ＝
０．２５〜０．８４の範囲内にある任意の形状からな
る。ここで、Ｄ1／Ｄ及びＷ1／Ｗが０．２５より小さい
場合は接着強度が大きく向上せず、Ｄ1／Ｄが０．９２
より大きい場合やＷ1／Ｗが０．８２より大きい場合は
脚部１１ｂの外周端部に電極が近くなるため、Ｑ値が特
に大きく向上しない。
トコア１０の電極１３は、脚部１１ｂの底面の長手方向
の長さ及び電極１３の長さをＤ、Ｄ1とし、前記底面の
長手方向と直角方向の長さ及び電極１３の長さをＷ、Ｗ
1としたときＤ1／Ｄ＝０．２５〜０．９２、Ｗ1／Ｗ＝
０．２５〜０．８４の範囲内にある任意の形状からな
る。ここで、Ｄ1／Ｄ及びＷ1／Ｗが０．２５より小さい
場合は接着強度が大きく向上せず、Ｄ1／Ｄが０．９２
より大きい場合やＷ1／Ｗが０．８２より大きい場合は
脚部１１ｂの外周端部に電極が近くなるため、Ｑ値が特
に大きく向上しない。
【００２５】また、Ｄ1／Ｄ、Ｗ1／Ｗが前記範囲内であ
れば、電極１３の形状は、例えば円形や三角形、楕円形
といった任意の形状であっても良いが、長方形や正方形
が製造上望ましい。
れば、電極１３の形状は、例えば円形や三角形、楕円形
といった任意の形状であっても良いが、長方形や正方形
が製造上望ましい。
【００２６】本発明のフェライトコアの製造方法は例え
ば以下に示す通りである。
ば以下に示す通りである。
【００２７】Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を用いて調合
し、振動ミル等で湿式混合粉砕を経て乾燥噴霧造粒装置
にて粉体を得る。得られた粉体を７５０℃〜９００℃で
仮焼し仮焼粉を得る。得られた仮焼分にＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＣｏＯ等と
バインダーを加え、ボールミル等で湿式粉砕、混合を経
て乾式噴霧造粒装置にて造粒体を得る。得られた粉体を
圧縮成型機にて加圧してプレスすることによって、所定
の形をなす成形体を得る。次に得られた成形体を９５０
℃〜１２００℃の温度で焼成することでフェライトコア
１０を得ることができる。
し、振動ミル等で湿式混合粉砕を経て乾燥噴霧造粒装置
にて粉体を得る。得られた粉体を７５０℃〜９００℃で
仮焼し仮焼粉を得る。得られた仮焼分にＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＣｏＯ等と
バインダーを加え、ボールミル等で湿式粉砕、混合を経
て乾式噴霧造粒装置にて造粒体を得る。得られた粉体を
圧縮成型機にて加圧してプレスすることによって、所定
の形をなす成形体を得る。次に得られた成形体を９５０
℃〜１２００℃の温度で焼成することでフェライトコア
１０を得ることができる。
【００２８】得られたフェライトコア１０にＡｇペース
トを１８〜２２μｍの厚さでディッピングした後、電解
メッキにてＮｉ及びＳｎ、Ｐｄを各２〜４μｍの厚さで
メッキ処理して電極１３を形成する。
トを１８〜２２μｍの厚さでディッピングした後、電解
メッキにてＮｉ及びＳｎ、Ｐｄを各２〜４μｍの厚さで
メッキ処理して電極１３を形成する。
【００２９】本発明のチップインダクタ２２は、前記フ
ェライトコア１０に導線１２を巻回し、該導線１２の両
端を上記底面の電極１３に接続してなるものである。即
ち、本発明のチップインダクタ２２は、図４に示すよう
に本発明のフェライトコア１０の胴部１１ａに導線１２
を巻回し、導線１２の両端を脚部１１ｂの端面に形成し
た電極１３に導出して接合してなるものである。また、
フェライトコア１０に巻回する導線１２の巻回数を制御
することにより所望のインダクタンスを得る事ができ、
更に電極１３を基板２０と接合する事により回路基板へ
の表面実装を可能にする。
ェライトコア１０に導線１２を巻回し、該導線１２の両
端を上記底面の電極１３に接続してなるものである。即
ち、本発明のチップインダクタ２２は、図４に示すよう
に本発明のフェライトコア１０の胴部１１ａに導線１２
を巻回し、導線１２の両端を脚部１１ｂの端面に形成し
た電極１３に導出して接合してなるものである。また、
フェライトコア１０に巻回する導線１２の巻回数を制御
することにより所望のインダクタンスを得る事ができ、
更に電極１３を基板２０と接合する事により回路基板へ
の表面実装を可能にする。
【００３０】また、本発明のチップインダクタ２２はＱ
値の最大値が周波数５〜１０ＭＨｚの範囲で得られるこ
とが重要である。その理由は、周波数５〜１０ＭＨｚの
範囲にＱ値の最大値があることにより、Ｑ値のばらつき
が少ないチップインダクタを得ることができるからであ
る。
値の最大値が周波数５〜１０ＭＨｚの範囲で得られるこ
とが重要である。その理由は、周波数５〜１０ＭＨｚの
範囲にＱ値の最大値があることにより、Ｑ値のばらつき
が少ないチップインダクタを得ることができるからであ
る。
【００３１】
【実施例】実施例１
本発明の実施例として、図１、２及び３に示すチップイ
ンダクタ２２を次の様に作製した。
ンダクタ２２を次の様に作製した。
【００３２】Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト粉末を用いて調
合し振動ミルで湿式粉砕して乾燥噴霧造粒装置にて造粒
体を得た。得られた造粒体を７５０℃〜９００℃で仮焼
した。次に、得られた仮焼粉にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ、ＣａＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＣｏＯ等とバイン
ダーを加えボールミルで湿式粉砕し乾式噴霧造粒装置に
て造粒体を得た。得られた造粒体を圧縮成形機にて加圧
してプレス成形することによって、所定の形をなす成形
体を得た。得られた成形体を９５０℃〜１２００℃で焼
成することによって脚部１１ｂの底面の長さＤが１．９
５〜２．００ｍｍ、Ｗが０．４８〜０．５２ｍｍのフェ
ライトコア１０を得た。
合し振動ミルで湿式粉砕して乾燥噴霧造粒装置にて造粒
体を得た。得られた造粒体を７５０℃〜９００℃で仮焼
した。次に、得られた仮焼粉にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ、ＣａＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＣｏＯ等とバイン
ダーを加えボールミルで湿式粉砕し乾式噴霧造粒装置に
て造粒体を得た。得られた造粒体を圧縮成形機にて加圧
してプレス成形することによって、所定の形をなす成形
体を得た。得られた成形体を９５０℃〜１２００℃で焼
成することによって脚部１１ｂの底面の長さＤが１．９
５〜２．００ｍｍ、Ｗが０．４８〜０．５２ｍｍのフェ
ライトコア１０を得た。
【００３３】次に、得られたフェライトコア１０の脚部
１１ｂの底面にＡｇペーストを２０μmの厚みで塗布し
て電極１３を形成した後、Ｎｉ及びＳｎ−Ｐｄメッキを
１〜５μmの厚みで施し直径０．０５ｍｍの導線１２を
３０回巻回し、該導線１２の両端を前記底面に形成した
電極１３に導出して接合した。得られたチップインダク
タ２２の０．０７５〜３０ＭＨzの周波数範囲における
Ｑ値をＬＣＲメータを用いて測定した。
１１ｂの底面にＡｇペーストを２０μmの厚みで塗布し
て電極１３を形成した後、Ｎｉ及びＳｎ−Ｐｄメッキを
１〜５μmの厚みで施し直径０．０５ｍｍの導線１２を
３０回巻回し、該導線１２の両端を前記底面に形成した
電極１３に導出して接合した。得られたチップインダク
タ２２の０．０７５〜３０ＭＨzの周波数範囲における
Ｑ値をＬＣＲメータを用いて測定した。
【００３４】また、得られたチップインダクタ２２を基
板２０に半田付けし、基板２０の面と平行な方向から加
圧器により速度５ｍｍ／ｓｅｃ、圧力１５Ｎの条件で加
圧した。
板２０に半田付けし、基板２０の面と平行な方向から加
圧器により速度５ｍｍ／ｓｅｃ、圧力１５Ｎの条件で加
圧した。
【００３５】その結果、表１に示したように試料Ｎｏ．
２〜４、７〜９及び１２〜１４はチップインダクタ２２
と基板２０とが剥離せず、しかもＱ値が３５〜４８と高
くなった。一方、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１、５、
６及び１０、１１、１５はＱ値が低かったり、接着強度
が弱いためチップインダクタ２２と基板２０が剥離した
りした。
２〜４、７〜９及び１２〜１４はチップインダクタ２２
と基板２０とが剥離せず、しかもＱ値が３５〜４８と高
くなった。一方、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１、５、
６及び１０、１１、１５はＱ値が低かったり、接着強度
が弱いためチップインダクタ２２と基板２０が剥離した
りした。
【００３６】なお、表１において電極形状Ａ、Ｂ及びＣ
はそれぞれ図２、３及び１のチップインダクタ２２の電
極形状であることを示す。また、表１の○印はチップイ
ンダクタ２２と基板２０とが剥離しなかったこと、×印
はチップインダクタ２２と基板２０が剥離したことを表
す。
はそれぞれ図２、３及び１のチップインダクタ２２の電
極形状であることを示す。また、表１の○印はチップイ
ンダクタ２２と基板２０とが剥離しなかったこと、×印
はチップインダクタ２２と基板２０が剥離したことを表
す。
【００３７】
【表１】
【００３８】実施例２
実施例１と同様にフェライトコア１０を作製し、脚部１
１ｂの底面に電極１３を塗布しチップインダクタ２２を
作製した。この時、底面の長手方向の電極長さＤ1と長
手方向と直角な方向の電極長さＷ1を変えて、底面にお
ける電極１３の面積割合の異なるチップインダクタを作
製した。これらのチップインダクタ２２をＬＣＲメータ
ーを用いて０．０７５〜３０ＭＨｚの周波数範囲でＱ値
を測定した。また、図４に示す様にチップインダクタ２
２を基板２０に半田付けし、実施例１と同様に加圧し
た。
１ｂの底面に電極１３を塗布しチップインダクタ２２を
作製した。この時、底面の長手方向の電極長さＤ1と長
手方向と直角な方向の電極長さＷ1を変えて、底面にお
ける電極１３の面積割合の異なるチップインダクタを作
製した。これらのチップインダクタ２２をＬＣＲメータ
ーを用いて０．０７５〜３０ＭＨｚの周波数範囲でＱ値
を測定した。また、図４に示す様にチップインダクタ２
２を基板２０に半田付けし、実施例１と同様に加圧し
た。
【００３９】その結果、長手方向の電極長さＤ1を変え
た試料Ｎｏ．２０〜２３及び２２と長手方向と直角の電
極長さＷ1を変えた試料Ｎｏ．１６〜１９は接着強度が
低下せず、Ｑ値が４０〜５４．０９と実施例１より更に
高いＱ値が得られた。
た試料Ｎｏ．２０〜２３及び２２と長手方向と直角の電
極長さＷ1を変えた試料Ｎｏ．１６〜１９は接着強度が
低下せず、Ｑ値が４０〜５４．０９と実施例１より更に
高いＱ値が得られた。
【００４０】
【表２】
【００４１】
【発明の効果】以上の様に本発明のフェライトコアを用
いることにより、電極面積と電極形状を制限することで
Ｑ値の高いチップインダクタを提供することが出来る。
これによりテレビ、パソコン、移動体通信機の高周波機
器に充分適用することが出来る。
いることにより、電極面積と電極形状を制限することで
Ｑ値の高いチップインダクタを提供することが出来る。
これによりテレビ、パソコン、移動体通信機の高周波機
器に充分適用することが出来る。
【図１】本発明のチップインダクタを示す斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明のチップインダクタを示す斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明のチップインダクタを示す斜視図であ
る。
る。
【図４】本発明のチップインダクタを基板へ実装した状
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図５】従来のチップインダクタを示す斜視図である。
【図６】従来のチップインダクタを示す斜視図である。
１０：フェライトコア
１１ａ：胴部
１１ｂ：脚部
１２：導線
１３：電極
２０：基板
２２：チップインダクタ
Claims (4)
- 【請求項１】胴部の両端に脚部を有し、該脚部の底面に
電極を有する逆凹型フェライトコアにおいて、前記電極
が前記底面の外周端部の少なくとも一部に存在せず、且
つ前記底面における前記電極の面積割合が２０〜７７％
であることを特徴とするフェライトコア。 - 【請求項２】前記底面の長手方向の長さ及び電極長さを
それぞれＤ、Ｄ1とし、前記底面の長手方向と直角方向
の長さ及び電極長さをそれぞれＷ、Ｗ1としたとき、Ｄ1
／Ｄ＝０．２５〜０．９２、Ｗ1／Ｗ＝０．２５〜０．
８４であることを特徴とする請求項１に記載のフェライ
トコア。 - 【請求項３】請求項１、２のいずれかに記載のフェライ
トコアに導線を巻回するとともに、該導線の両端を前記
底面に備えた電極に接続してなるチップインダクタ。 - 【請求項４】Ｑ値の最大値が周波数５〜１０ＭＨｚの範
囲で得られることを特徴とする請求項３記載のチップイ
ンダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002007148A JP2003209018A (ja) | 2002-01-16 | 2002-01-16 | フェライトコア及びこれを用いたチップインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002007148A JP2003209018A (ja) | 2002-01-16 | 2002-01-16 | フェライトコア及びこれを用いたチップインダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209018A true JP2003209018A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27645731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002007148A Withdrawn JP2003209018A (ja) | 2002-01-16 | 2002-01-16 | フェライトコア及びこれを用いたチップインダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003209018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119552A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Tdk Corp | コイル部品及び端子電極の実装構造 |
-
2002
- 2002-01-16 JP JP2002007148A patent/JP2003209018A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119552A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Tdk Corp | コイル部品及び端子電極の実装構造 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040716 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060626 |