JP2003299641A - 半導体x線検出器内の過剰ピクセル・ラグを有するピクセルを特定し補正する方法 - Google Patents
半導体x線検出器内の過剰ピクセル・ラグを有するピクセルを特定し補正する方法Info
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Abstract
トを受けやすいピクセルを特定しそのアーチファクトを
補正するための技法及び装置を提供する。 【解決手段】 ディジタルX線検出器内で画像アーチフ
ァクトを生じさせるような残留電荷量を受けているピク
セルを特定する方法を提供する。ラグ・アーチファクト
しきい値を取得しており、このラグ・アーチファクトし
きい値によって、ディジタルX線検出器内のピクセルが
保持した場合に画像アーチファクトを生じさせるような
残留電荷量を特定する。ピクセルが受けるピクセル・ラ
グを決定しており、このピクセル・ラグは各ピクセルご
とに異なることがある。ラグ・アーチファクトしきい値
を超えるピクセル・ラグを有するピクセルを特定し補正
する。
Description
ために多重半導体素子のX線検出器を利用しているX線
システムに関し、詳細には、過剰ピクセル・ラグ(pi
xellag)に起因するアーチファクトを受けやすい
ピクセルを特定しそのアーチファクトを補正するための
技法及び装置に関する。
00〜4,000個の検出器素子からなる2次元アレイ
を備えるような半導体X線検出器を開発している。各検
出器素子は、検出器素子上に入射する放射線の量を表す
電荷を検出しかつ蓄積している光検出器を備えている。
各検出器素子はさらに、フォトダイオードに接続される
と共にフォトダイオード上に蓄積した電荷の読み出しを
有効及び無効にさせるスイッチとして動作させる1つの
薄膜トランジスタ(TFT)を含む。各検出器素子は最
終的に、検出器上に投射されたX線画像内のピクセルの
輝度に対応した電気信号を発生させる。各検出器素子か
らの信号は個々に読み出し、さらに画像を処理、保存及
び表示するためにディジタル化している。
グ用途で使用されることがある。こうした用途の1つは
2重エネルギー・イメージング(dual−energ
yimaging)である。2重エネルギー・イメージ
ングでは、連続した2枚のX線画像を、互いに時間的に
極めて接近させて収集している。一方の収集は、典型的
には、低エネルギー画像(すなわち、60〜90kVp
照射後に読み出した画像)であり、またもう一方の収集
は、典型的には、高エネルギー画像(すなわち、110
〜140kVp照射後に読み出した画像)である。この
2つの未処理入力画像を元に、第1の「骨のみ」の画像
と第2の「軟部組織のみ」の画像を作成させるようなア
ルゴリズムを実行する。このアルゴリズムは当技術分野
で周知であり、対数サブトラクションなどの多くの形態
とすることができる。2枚の画像を組み合わせることに
より結節(nodule)や石灰化の描出が向上する。
の連続したX線画像を収集するために使用することがで
きる。例えば、心臓のシネループを構成するために多数
の画像を収集することがある。上述した2重エネルギー
・イメージングの場合と同様に、この収集では、収集間
の時間間隔を短くして収集を行っている。時間間隔が短
いことは、患者の動きによるアーチファクトの軽減及び
/または患者の解剖構造の動きの取り込みに役立つ。
(image lag)を受けることがある。画像ラグ
とは、検出器内に以前の画像からのイメージング情報が
保持されることである。ラグは例えば、検出器素子のフ
ォトダイオードまたはTFT内の残留電荷に起因するこ
とがある。第2の照射または後続の照射による電荷がこ
の残留電荷、すなわちラグ、に付加され、これによりピ
クセルの信号出力が増加する。半導体検出器では、ラグ
による劣化効果は一般に、画像収集間の時間の短縮及び
/または連続させる画像の数に伴って増大する。
の近傍ピクセルの幾つかまたはすべてと比べかなり異な
る信号を有するように表示されてアーチファクトを示す
ことがある。例えば、ピクセルの各々が同じレベルの放
射線を受け取った場合であっても、近傍のピクセルと比
べてより大きなラグを受けているピクセルはより明るく
表示され、一方近傍のピクセルと比べてより小さなラグ
を受けているピクセルはより暗く表示されることがあ
る。このアーチファクトは、例えば、点状アーチファク
ト、線分状、矩形領域など任意のサイズまたは形状をも
つことがある。こうしたアーチファクトは全く臨床医に
とって厄介であったり、患者診断に潜在的な影響を及ぼ
すことがある。
より特徴付けてきた。ある事前定義範囲に入る平均ラグ
をもつような検出器は、良好あるいは臨床使用上受容可
能であると判定されていた。事前定義範囲から外れた平
均ラグをもつような検出器は、臨床使用上受容可能でな
いと判定され廃棄されていた。しかしながら、これまで
の方法では、ラグ均一性の問題のために、個々のピクセ
ル、ライン及びその他任意のアーチファクトの検出及び
補正がうまくできていない。
ァクトを示すという受容しがたいリスクをもつピクセル
がどれであるかを特定することが望ましい。
ディジタルX線検出器内で、画像アーチファクトを発生
させる程の大きな電荷量を保持しているピクセルを特定
するための方法を提供する。本方法によれば、画像アー
チファクトを生じさせるような残留電荷量を特定してい
るラグ・アーチファクトしきい値が取得される。任意選
択では、そのラグ・アーチファクトしきい値は、ピクセ
ルが画像アーチファクトを示さないような信頼度百分率
を表すことができる。別法として、そのラグ・アーチフ
ァクトしきい値は、画像アーチファクトの特定に利用さ
れる認知検査により決定される認知値によって取得する
ことができる。この認知値と信頼度百分率の差を利用し
てもラグ・アーチファクトしきい値を取得することがで
きる。
グを決定する。任意選択では、そのピクセル・ラグによ
りピクセルが保持する残留電荷量を示すことがある。別
法として、そのピクセルを取り囲むピクセル群が受ける
ラグ量に基づいて中央値ピクセル・ラグを計算すること
がある。一例では、このピクセル群によって、当該のピ
クセルを取り囲む1平方センチメートルのピクセル領域
を規定することがある。そのピクセルが中央値ピクセル
・ラグを超えるラグ量を受けていることを示すような過
剰ピクセル・ラグを計算することも可能である。次い
で、このラグ・アーチファクトしきい値を超えるピクセ
ル・ラグを保持しているピクセルを特定する。さらに、
検出器が受けるノイズを表すノイズ値を特定することが
できる。このノイズ値は、検出器が曝露を受けた放射線
レベルと一緒に利用して、過剰ピクセル・ラグを計算す
ることができる。ラグ・アーチファクトしきい値を超え
るラグを受けているピクセルを用いてラグ・ピクセル・
アーチファクト・マップを作成することができる。
を第1の放射線レベルに曝露させることがある。第1の
放射線レベルを表している第1の信号組を取得すること
ができる。次いで、検出器を第2の放射線レベルに曝露
させ、第2の信号組を取得することがある。第1の放射
線レベルを高レベルとし、かつ第2の放射線レベルを低
レベルとすることが可能である。ラグ・アーチファクト
しきい値はこれら第1及び第2の放射線レベルに基づか
せることができる。この2つの放射線レベルを使用し
て、そのピクセルが受けているラグ量が周辺ピクセルの
受ける平均ラグを超えているようなラグ量を計算するこ
とができる。
ルX線検出器に関するラグ・ピクセル・アーチファクト
・マップを計算するための方法を提供する。この検出器
は放射線に曝露させる。次いで、検出器を連続して読み
取って少なくとも第1及び第2のピクセル値の組を取得
する。任意選択では、この第1及び第2のピクセル値の
組は、200msなど互いから所定の時間内で取得して
いる。検出器内のピクセルが画像アーチファクトを発生
させることがあるような残留電荷量を保持していること
を特定するラグ・アーチファクトしきい値を取得する。
別法として、そのラグ・アーチファクトしきい値は、ピ
クセルが画像アーチファクトを示さないような信頼度百
分率を表すことがある。
る過剰ピクセル・ラグを計算することがある。任意選択
では、この過剰ピクセル・ラグは、画像アーチファクト
の特定に利用される認知検査により決定される認知値を
用いて計算することができる。この過剰ピクセル・ラグ
は、現在のピクセル上の保持電荷と現在のピクセルを取
り囲むピクセルの組に関する平均保持電荷との比を用い
て計算することができる。さらに、検出器が受けるノイ
ズに関するノイズ値を決定することがある。このノイズ
値は、検出器が曝露を受けた放射線レベルと共に利用し
て、過剰ピクセル・ラグを計算することができる。この
過剰ピクセル・ラグはラグ・アーチファクトしきい値と
比較している。過剰ピクセル・ラグがラグ・アーチファ
クトしきい値より大きい場合、そのピクセルをラグ・ピ
クセル・アーチファクト・マップに追加する。
過剰ラグによる画像アーチファクトを発生させるかを特
定することによって、画像アーチファクトを補正するこ
とができる。このことは、画像アーチファクトがX線画
像を観察している技師や放射線医を混乱させるような場
合に有利である。さらに、画像アーチファクトがある
と、放射線医は画像アーチファクトが患者解剖構造を表
さないことを確認するために追加的で不要なスキャンま
たは検査を実施することにつながる。こうした追加的な
スキャンにより、全体的コストが増加すると共に、患者
が追加的な放射線に曝露されることがあるため望ましく
ない。
施形態の以下の詳細な説明は、添付の図面と共に読むこ
とによってさらに十分な理解が得られよう。しかし、本
発明は添付の図面に示した配置や手段に限定するもので
はないことを理解すべきである。
電源16により付勢させた際にX線ビーム17を放出す
るX線管15を含んでいる。図示したように、X線ビー
ム17は、X線透過性のテーブル20上に横たえた患者
18の方向に向けられる。ビーム17のテーブル20及
び患者18を透過して伝搬した部分は、番号22で示す
X線検出器に当たる。X線検出器22は、X線光子をよ
り低エネルギーの光子、すなわち光学フォトンに変換し
ているシンチレータ24を備えている。シンチレータ2
4と境を接して光検出器アレイ26があり、光学フォト
ンを電気信号に変換している。検出器制御装置27は、
画像を収集し各光検出器素子から信号を読み出すように
検出器アレイを動作させるための電子回路を含んでい
る。
線画像信号の処理及び強調のための回路を含んだ画像処
理装置28と結合させている。次いで、処理した画像は
ビデオ・モニタ32上に表示させており、またこの画像
は画像記憶デバイス30内にアーカイブすることがあ
る。画像処理装置28はさらに、電源16を調節しこれ
によりX線照射を調節するために照射制御回路34に加
えられる輝度制御信号を発生させている。X線装置14
の全体動作はシステム制御装置36により統御してお
り、このシステム制御装置36はオペレータ・インタフ
ェース・パネル38を介してX線技師からのコマンドを
受け取っている。
により形成されている光検出器アレイ26の回路を表し
ている。検出器素子40は、アモルファスシリコンのウ
ェハ上でm個の縦列とn個の横列(ここで、mとnは整
数)からなる従来型の2次元アレイの形に配列させてい
る。例えば、典型的な高分解能X線検出器は、素子の横
列と縦列が1,000〜4,000の正方形アレイであ
る。各検出器素子40は、フォトダイオード42及び薄
膜トランジスタ(TFT)44を含んでいる。フォトダ
イオード42は、シンチレータ24が発生させた光の相
当大きな部分がフォトダイオード42により捕捉される
ように大きなウェハ面積により製作している。各フォト
ダイオード42はさらに、光子刺激に起因する電荷を蓄
積できるように比較的大きなキャパシタンスを有する。
42の陰極は、関連するTFT44のソース・ドレイン
間導電経路により、その縦列に対する共通縦列信号線
(48 -1〜48-m)と接続させている。例えば、縦列1
内の各フォトダイオード42は第1の信号線48-1と結
合している。各横列内のダイオードのアノードは、共同
して負のバイアス電圧源(−V)と接続させている。各
横列内のTFT44のゲート電極は、横列1での線46
-1などのような共通横列選択線(46-1〜46-n)と接
続させている。横列選択線及び縦列信号線は検出器制御
装置27と結合させており、また縦列信号線はさらに、
画像処理装置28と接続させている。
収集するために、装置14は以下の動作シーケンスを実
行することがある。先ず、検出器制御装置27によっ
て、すべての縦列信号線(48-1〜48-m)を接地に接
続させ、すべての横列選択線(46-1〜46-n)に正の
電圧(Von)を印加する。横列選択線に印加した正電圧
により各検出器素子40内のTFT44がオンになり、
逆バイアスされたフォトダイオード42上に正電荷が溜
まる。フォトダイオード42が完全に充電されると、検
出器制御装置27は負の供給電圧(−V)と比べてより
負値が大きい負電圧(−Voff)を横列選択線(46-1
〜46-n)に印加する。横列選択線に対するこの負バイ
アスにより各検出器素子40内のTFT44がオフにな
る。
るように管球15を付勢させながらシステムが従来の方
式で発生させたパルス状X線光子に検出器22を曝露さ
せる。このX線光子はシンチレータ24によってより低
エネルギーの光子に変換している。これらのより低エネ
ルギーの光子が検出器26内のフォトダイオード42に
当たると、電子と正孔の対が解放されフォトダイオード
のキャパシタンスに蓄積される。所与のフォトダイオー
ド42内に蓄積された電荷の量は、そのフォトダイオー
ドに当たるより低エネルギーの光子の量に依存してお
り、さらにこれは、シンチレータ24のそのフォトダイ
オードと隣接した領域に当たるX線エネルギー強度に依
存している。したがって、各検出器素子40内のフォト
ダイオード42に蓄積される電荷の量は、X線検出器2
2の対応する領域に当たるX線強度の関数である。
ド42内の残留電荷を検知する。これを行うには、各検
出器アレイ縦列に対する縦列信号線(48-1〜48-m)
を、画像処理装置28の別々の検知回路に同時に接続す
る。幾つかのタイプの検知回路のうちの任意の回路を画
像処理装置28に組み込むことができる。例えば、検知
回路は、フォトダイオード両端の電圧(すなわち、フォ
トダイオード内に蓄積されている電荷量)を計測するこ
とがある。別法として、その検知回路は、当該の縦列信
号線(48-1〜48-m)をフォトダイオードのカソード
より低い電位に接続し、フォトダイオードに流入または
フォトダイオードから流出する電荷の量を計測すること
がある。
イオード電荷は、検出器制御装置27によって、横列選
択線(46-1〜46-n)の各々に正の電圧(Von)を順
々に印加しながら1回あたり1横列の割合で検知してい
る。ある横列選択線(46-1〜46-n)が正にバイアス
されると、当該横列選択線(46-1〜46-n)に接続さ
れた検出器アレイのTFT44がオンになり、これによ
り選択した横列内の関連するフォトダイオード42がそ
の縦列信号線(48-1〜48-m)と結合される。
内の1つのピクセルに対応している。したがって、フォ
トダイオードの電荷レベルにより、対応するピクセルの
値が決定される。オフセット補正後において、ピクセル
の値P1は、(式1)に示すように入力照射Eのレベル
に比例する。
わちkVp)、mは応答係数、またβは検出器22のう
ちそのピクセルを取り囲む領域内にあるピクセルの中央
値ピクセル・ラグである。応答係数mは所与の検出器2
2に関して所与のX線エネルギー・スペクトルにおいて
固定であり、また検出器22に応じて異なることがあ
る。したがって、増加させた入力照射E1にピクセルを
曝露させると、そのピクセル値P1は増加する。ピクセ
ルをある入力照射E1に複数回曝露させても、各照射E1
ごとに生成されるピクセル値P1が同一でないことがあ
る。例えば、ピクセル「A」を実質的に同じ入力照射E
1に複数回曝露させており、かつその照射を検出器22
内に残留電荷が全く保持されないように時間的に離した
場合、ピクセル「A」のピクセル値P1はガウス分布な
どの正規分布を示す。
合、そのピクセルはアーチファクトであると特定され
る。
は近傍ピクセルに関する標準偏差値でありバックグラウ
ンド・ノイズを表している。検出器22のうち近傍ピク
セルを画定しているエリアについて以下でさらに検討す
る。ピクセル値Pと平均値μの差の絶対値を取ることに
より、平均と比べて上または下のいずれかである過剰ラ
グをもつピクセル値Pの特定が可能となる。パラメータ
κは用途により異なる。パラメータκが大きくなると、
アーチファクトと特定されるピクセルは少なくなる。
ル、線状及びその他のアーチファクトを異なる信号対雑
音比で発生させている認知検査を通じて決定される。典
型的なκの値は1であるが、κは用途並びに検討対象の
アーチファクトのサイズに応じて0.25〜6の範囲に
あることがある。κの値は、具体的な検出器22ごと
に、検出器22に特異的なアーチファクトのサイズ及び
形状に従って選択することができる。κ=1などより小
さいκの値を使用することがあり、これによりどのピク
セルを良好と見なすかに関する制限がより厳しくなる。
さらに、X線装置14は、収集する用途によらずただ1
つのκの値を使用することがある。
うに第1の画像の後で極めて速やかに第2の画像を収集
する場合、第2の画像内のピクセルのオフセット補正後
の値は次式となる。
第1の画像の照射レベル、E2は第2の画像の照射レベ
ル、またβは検出器22のうちそのピクセルを取り囲む
領域内にあるピクセルの中央値ピクセル・ラグである。
上で検討したように、mは応答係数であり、所与の検出
器22に関して所与のX線エネルギー・スペクトルにお
いて固定である。しかし、中央値ピクセル・ラグβは検
出器に応じて異なることがあり、したがって、1または
2平方センチメートルなどの狭い面積にわたって算定す
る。例えば、中央値ピクセル・ラグβの値はそのピクセ
ルを取り囲む1平方センチメートルにわたって計算する
ことがある。(式3)に示すように、ラグは照射E1と
E2の差に中央値ピクセル・ラグβを乗算した値に比例
する。
つピクセルは、点状や線状のアーチファクトなどの画像
アーチファクトとして表示されることがある。過剰ピク
セル・ラグをもつピクセルに関して、そのピクセル値は
次式から得ることができる。
る。過剰ピクセル・ラグγはある特定のピクセルの中央
値ピクセル・ラグβからの偏差を表しており、また過剰
ピクセル・ラグγはピクセル依存性をもつ(すなわち、
ピクセルがそれぞれ異なる過剰ピクセル・ラグγの値を
有することがある)。過剰ピクセル・ラグγは、中央値
ピクセル・ラグβより大きい場合には正の数で、また中
央値ピクセル・ラグβより小さい場合は負の数で表すこ
とができる。
ピクセル・ラグγを受けることがあるが、過剰ピクセル
・ラグγを受けているすべてのピクセルがアーチファク
トを示すわけではない。図3は、中央値ピクセル・ラグ
βをもつピクセルの応答の分布、並びに過剰ピクセル・
ラグγをもつピクセルの応答の分布を表している。中央
値ピクセル・ラグβをもつピクセルは分布102で表し
ている。分布102は平均値M1(106)を有する。
過剰ピクセル・ラグγをもつピクセルは分布104で表
している。分布104は平均値M2(108)を有す
る。分布104は過剰ピクセル・ラグγをもつピクセル
の絶対値を表しており、過剰ピクセル・ラグγは中央値
ピクセル・ラグβより上にある場合や下にある場合があ
る。
上で検討したように(式1)ピクセル値P2が所与の値
となる確率、並びに、正規分布を表している。分布10
2は、中央値ピクセル・ラグβを受けるピクセルに関す
るピクセル値P2を、(式3)で表現されるようにその
近傍ピクセルと比較して表している。多くの場合、中央
値ピクセル・ラグβを受けるピクセルは平均値、すなわ
ち、平均値M1(106)に来ることになる。分布10
4は、中央値ピクセル・ラグβに加えて過剰ピクセル・
ラグγを受けるピクセル値P2を、(式4)で表現され
るようにその近傍ピクセルと比較して表している。多く
の場合、過剰ピクセル・ラグγを受けるピクセルは平均
値、すなわち、平均値M2(108)に来ることにな
る。
ァクトにならない信頼度百分率を決定することができ
る。この関係式は次のように記述できる。
(電子的ノイズと量子ノイズの両者による)であって図
3ではノイズσ114で表している。ポアソン・ノイズ
の仮定によりノイズσ114は応答係数mと入力エネル
ギーEの積の平方根として特定することができる。別法
として、ノイズσ114は実験的に計測し、値を検出器
22に対してセットしている。
は、認知検査によって決定される。図3では、κの値は
5であるが、κがF(α)より大きければκは上で検討
したように1など別の数値とすることができる。平均値
M1(106)+κσによって図3に示すラグ・アーチ
ファクトしきい値110が決定される。換言すると、ラ
グ・アーチファクトしきい値110は(式5)の関係式
の右辺により規定することができる。ラグ・アーチファ
クトしきい値110を超えるピクセル値P2はアーチフ
ァクトを示すことがある。
ないような信頼度百分率であり、また関数F(α)は次
式を満足している。
N(Pi)はピクセル値iをもつピクセルの数である。
(表1)は、ガウス分布を仮定してF(α)に関する幾
つかの例示的値をリストにしたものである。
定させる必要はないが、関数F(α)は典型的にはκの
値より小さい。関数F(α)の値は任意の数学的分布か
ら得る場合や、計測した分布から生成させる場合があ
る。
ことにより、図3で信頼度百分率しきい値112が特定
される。明瞭にするため、信頼度百分率しきい値112
は、多数のピクセル値がラグ・アーチファクトしきい値
110の左側にあるように図示している。しかし、信頼
度百分率しきい値112及びラグ・アーチファクトしき
い値110は、ピクセル値がもっと離れている場合や互
いにもっと接近している場合がある。信頼度百分率しき
い値112により一方の側に限定している分布104の
ハッチング領域は、分布104内のピクセル値P2の総
数の95%を表している。したがって、平均値M2(1
08)をもつピクセルがアーチファクトを示さない95
%信頼度が存在する。
での信号の平均の差である。式7または式8を用いる
と、その値にあるかその値を超えると平均値M2(10
8)をもつピクセルがアーチファクトを示すようなラグ
・アーチファクトしきい値(図3の線110など)を決
定することができる。換言すると、検出器の定義した地
理学的面積(すなわち、1cm平方)内のあるピクセル
の値が平均値M1(106)と比べてノイズσ114の
ある倍数(すなわちκσ)だけ大きいまたは小さい場
合、そのピクセルはアーチファクトを示すことがある。
図3に示すように、平均値M1(106)に5σを加え
た値を超えるような値をもつピクセルはアーチファクト
を示すことがある。
セルを特定しかつ補正するための方法を表している。ス
テップ150において、画像処理装置28は、例えば
(式1)で表した関係を正しく示さないピクセルの特
定、ゲイン補正の決定、その他などのために、検出器2
2の別の較正手順を実行することがある。ステップ15
0の較正手順は、ラグをもつピクセルを特定する前に実
施することも、特定後に実施することもできる。不良で
あると特定されたピクセルは、以下でさらに検討するラ
グ有ピクセルの特定手順から除くことができる。別法と
して、画像処理装置28は、既に画像処理装置28内に
保存してある補正データにアクセスすることにより既知
の不良ピクセルを特定することがある。
ステム制御装置36を利用してX線検出器22を第1の
放射線レベルE1に曝露させる。X線管と検出器22の
間にはコリメータ、患者18並びにテーブル20を配置
させずに、検出器22が均一な放射線レベルを受け取る
ようにする。例えば、検出器22は、110〜140k
Vpなど高放射線レベルに曝露させることがある。
8は、上で検討したように検出器22内のフォトダイオ
ード42の各々を読み取り、さらにその信号を画像処理
装置28内に保存する。各フォトダイオード42から読
み出した信号は(式1)に示すようなピクセル値P1を
示している。
御装置36は検出器22を第2の放射線レベルE2に曝
露させる。ステップ152の第1の照射とステップ15
6の第2の照射との間の時間は短い。単に一例として、
検出器22に対する第1と第2の照射間の経過時間は2
00ms未満である。検出器22に対する第1と第2の
照射間や2回の読み取り動作間の経過時間が長くなりす
ぎると、検出器22は第1の照射からのイメージング情
報(すなわち、残留電荷)を保持することができない。
したがって、検出器22は、遅延の経過が長すぎる場合
には、通常の使用の際には検出器22が受けることがあ
るような中央値ピクセル・ラグβ並びに過剰ピクセル・
ラグγを示さないことがある。第2の照射のkVpレベ
ルは重要ではない。第2の放射線レベルE2は第1の放
射線レベルE1より高くする場合、第1の放射線レベル
E1と同じ場合、あるいは第1の放射線レベルE1より低
くする場合がある。第2の放射線レベルE2はゼロとす
ることもある。例えば、ステップ156を省略し検出器
22に2回目の曝露をさせないことが可能である。さら
に、以下でさらに検討するが、検出器22を2回目の曝
露をさせないことによって、ピクセルが示す過剰ピクセ
ル・ラグγをより簡単に計算することができる。したが
って、図4の検討の残りの部分では、第2の放射線レベ
ルE2をゼロに設定する。
8はステップ154と同様の方式により検出器22の2
回目の読み取りを行い、さらにその信号を画像処理装置
28内に保存する。各フォトダイオード42の信号レベ
ルはピクセル値P2を示している。ピクセル値P2は、個
々のピクセルが中央値ピクセル・ラグβを示す場合は
(式3)によって表され、また個々のピクセルが過剰ピ
クセル・ラグγを示す場合は(式4)によって表され
る。
8は(式7)または(式8)を用いることによって、信
頼度百分率α(例えば、95%)に関するラグ・アーチ
ファクトしきい値を計算する。(式7)及び(式8)で
は中央値ピクセル・ラグβを用いていないので、検出器
22全体に関して単一のラグ・アーチファクトしきい値
110を計算することができる。画像処理装置28はさ
らに、この算出したラグ・アーチファクトしきい値11
0に関して、(式7)または(式8)において過剰ピク
セル・ラグγの起こり得る最大値を計算することがあ
る。
8は、検出器22の処理対象となる第1の/次のピクセ
ル及び対応する領域を特定する。中央値ピクセル・ラグ
βの値は上で検討したように検出器22の全体にわたっ
て様々となり得るため、検出器22内で処理対象ピクセ
ルを取り囲むピクセル領域を特定している。任意選択で
は、この領域は1cm平方である。
使用するピクセル値P2の分布を表している。分布20
0、中央値ピクセル・ラグβ202、(ステップ160
で計算した)ラグ・アーチファクトしきい値204、並
びに過剰ピクセル・ラグ値206及び208を図示して
いる。上で検討したように、過剰ピクセル・ラグγは中
央値ピクセル・ラグβ202より小さいこともあるが、
明瞭にするため図5では過剰ピクセル・ラグγの正の値
を図示している。
で特定した領域の内部にあるピクセル値P2の中央値を
見つけることによって中央値ピクセル・ラグβを計算す
る。分布200は、この領域内のピクセル値P2を表し
ている。ピクセル値P2は中央値ピクセル・ラグβ20
2を有する。1つまたは複数のピクセル値P2が領域内
の大部分のピクセル値P2と比べてかなり大きいまたは
かなり小さいために、当該領域内のP2のすべての値を
用いて計算した中央値ピクセル・ラグβ202が代表値
とならないことがあり得る。任意選択では、中央値から
離れすぎているピクセル値P2を有するピクセルを自動
的に特定しかつこれらのピクセル値を中央値ピクセル・
ラグβの計算から除外するための追加的なしきい値を決
定することにより、さらに強力な中央値ピクセル・ラグ
β202を計算することができる。検出器22の機能不
良によって不良ピクセルが生じることもある、例えば、
ステップ150で検討したような別の較正手順により不
良ピクセルが特定されていることがある。
8はステップ162で特定したピクセルに関する過剰ピ
クセル・ラグγを計算する。上述したように、検出器2
2は第2の放射線レベルに曝露させない(すなわち、E
2=0)。したがって、E2を0に等しく設定し(式1)
を(式4)に代入することによって、画像処理装置28
は(式9)を用いて過剰ピクセル・ラグを計算すること
ができる。
08を示している。それぞれは、(式9)により計算さ
れるような単一ピクセルに関する過剰ピクセル・ラグγ
を表している。過剰ピクセル・ラグ値206はラグ・ア
ーチファクトしきい値204の下側にあり、また過剰ピ
クセル・ラグ値208はラグ・アーチファクトしきい値
204の上側にある。
装置28は166で計算した過剰ピクセル・ラグγをス
テップ160で特定したラグ・アーチファクトしきい値
204と比較する。過剰ピクセル・ラグγがラグ・アー
チファクトしきい値204より小さい(すなわち、図5
の線206である)場合、そのピクセルはアーチファク
トを示すことがなく、制御はステップ172に渡る。過
剰ピクセル・ラグγがラグ・アーチファクトしきい値2
04を超える(すなわち、図5の線208である)場
合、そのピクセルはアーチファクトを示すことがあり、
制御はステップ170に渡る。
そのピクセルをラグ・ピクセル・アーチファクト・マッ
プに追加する。このラグ・ピクセル・アーチファクト・
マップは、過剰ピクセル・ラグγによってアーチファク
トを示すことがあるピクセルを特定している。例えば、
過剰ピクセル・ラグ208を示すピクセルをラグ・ピク
セル・アーチファクト・マップに追加する。
器22内のピクセルのすべてを処理し終えたか否かを判
定している。処理すべきピクセルが残っていれば、制御
はステップ162に渡り、ここで次のピクセルと領域が
特定される。ピクセルがすべて処理し終っていれば、制
御はステップ174に渡る。
ラグ・ピクセル・アーチファクト・マップを別の欠陥ピ
クセル・マップ(ステップ150の較正手順で作成され
ていることがあるマップなど)と組み合わせ、合成欠陥
ピクセル・マップを作成させる。あるピクセルが欠陥ピ
クセル・マップのうちの任意の1つによって欠陥である
と特定された場合、そのピクセルは合成欠陥ピクセル・
マップ上でも欠陥であると特定する。画像処理装置28
は、合成欠陥ピクセル・マップで特定されたピクセル
を、例えば画像内でそのピクセルをその近傍ピクセルの
平均値と置き換えることによって補正することができ
る。
め、図4に示すように過剰ピクセル・ラグγの計算を1
回で完了させるとある量の不確定度が導入されることが
ある。ノイズσは電子的ノイズ及び/または量子ノイズ
に由来することがある。より強力な過剰ピクセル・ラグ
γを得るために、図4の方法を複数回(例えば、5回)
反復することがある。この方法を反復することによっ
て、ノイズσを減少させ信頼度百分率F(α)を改善す
ることができる。さらに、サイズ及び形状が異なった画
像アーチファクトを受けやすいピクセルを特定するため
に、図4を異なるκの値を用いて反復することがある。
ある。検出器は、ステップ152の場合のように放射線
に曝露させることがあり、次いでステップ154を反復
することによって検出器を1〜N回読み取ることがあ
る。実施の一形態では、Nは5であるが、Nは2より大
きな任意の数とすることができる。次いで、ステップ1
60〜172の反復によって、第2から第Nまでの検出
器の各読み取りを検出器の第1の読み取りと比較する。
次いで、各ピクセルに関する検出器の第2から第Nまで
の各読み取りに対して計算した過剰ピクセル・ラグγを
平均することによってラグ・ピクセル・アーチファクト
・マップを作成することができる。別法として、そのラ
グ・ピクセル・アーチファクト・マップは、1回または
複数回の計算に関して過剰ピクセル・ラグγを示すピク
セルを特定することによって作成することができる。
線に複数回曝露させるように修正することがある。例え
ば、ステップ152〜158を複数回反復することがあ
り、また複数の画像を収集することがある。次いで、第
1と第2の画像、第2と第3の画像、第3と第4の画
像、以下同様の画像を用いながらステップ160〜17
2を反復することができる。上で検討したように、ラグ
・ピクセル・アーチファクト・マップは、画像の各組に
関して計算した過剰ピクセル・ラグγを平均すること、
あるいは、画像の任意の1組で過剰ピクセル・ラグγを
示すピクセルをすべて特定することによって作成するこ
とができる。
因するアーチファクトは放射線医を混乱させることがあ
り、また患者が追加的で不要なスキャンを受けることに
なりかねない。極端な場合には、アーチファクトによっ
て誤った診断を起こすことがある。ディジタルX線検出
器内で過剰なラグ量を受けているピクセルを特定するこ
とによって、技師や放射線医が画像を観察する前にアー
チファクトを補正することができる。したがって、過剰
ピクセル・ラグγに起因するアーチファクトのない画像
を評価することができる。
を参照しながら記載してきたが、本発明の範囲を逸脱す
ることなく様々な変更が可能であると共に、等価物によ
る代用が可能であることは当業者であれば理解するであ
ろう。さらに、多くの修正形態により、本発明の範囲を
逸脱することなく具体的な状況または材料を本発明の教
示に適応させることができる。したがって、開示した特
定の実施形態に本発明を限定しようという意図ではな
く、本発明は本特許請求の範囲の域内に入るすべての実
施形態を包含させようという意図である。
・システムの高レベル図である。
回路図である。
ラグを有する分布と過剰ピクセル・ラグを有する分布の
図である。
グを有するピクセルを特定し補正するための方法の図で
ある。
ラグの計算に使用するピクセル値の分布図である。
Claims (23)
- 【請求項1】 ディジタルX線検出器(22)におい
て、該ディジタルX線検出器(22)の出力から導出さ
れた画像内に画像アーチファクトを発生させるのに十分
な量の残留電荷を受けているピクセルを特定するための
方法であって、 ディジタルX線検出器(22)内のピクセルに保持させ
ておいた場合に画像アーチファクトを生じさせるような
残留電荷量を特定しているラグ・アーチファクトしきい
値(110)を取得するステップと、 ディジタルX線検出器(22)内のピクセルが受けるピ
クセル・ラグを決定するステップと、 ディジタルX線検出器(22)内で、前記ラグ・アーチ
ファクトしきい値(110)を超えるピクセル・ラグを
有するピクセルを特定するステップと、を含む方法。 - 【請求項2】 前記ピクセル・ラグは対応するピクセル
が保持する残留電荷量を表している、請求項1に記載の
方法。 - 【請求項3】 前記決定のステップが、選択したピクセ
ルを取り囲む選択したエリア内のピクセル群が受けるラ
グの量に基づいて中央値ピクセル・ラグ(202)を計
算するステップを含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項4】 前記決定のステップが、選択したピクセ
ルを取り囲むピクセル群に関する中央値ピクセル・ラグ
(202)を超えるラグ量を表すような選択したピクセ
ルに関する過剰ピクセル・ラグ(206)を計算するス
テップを含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項5】ディジタルX線検出器(22)を第1の放
射線レベルに曝露させるステップと、 ディジタルX線検出器(22)内で前記第1の放射線レ
ベルを表すピクセルから第1の信号組を取得するステッ
プと、 ディジタルX線検出器(22)を第2の放射線レベルに
曝露させるステップと、 ディジタルX線検出器(22)内で前記第2の放射線レ
ベルを表すピクセルから第2の信号組を取得するステッ
プであって、前記第1及び第2の放射線レベルに基づい
て前記ラグ・アーチファクトしきい値(110)が取得
されるような取得ステップと、をさらに含む請求項1に
記載の方法。 - 【請求項6】 前記第1の放射線レベルが高放射線レベ
ルであり、かつ前記第2の放射線レベルが低放射線レベ
ルである、請求項5に記載の方法。 - 【請求項7】 前記第1と第2の放射線レベルの比、並
びに現在のピクセルを取り囲むピクセルの平均値を利用
して、前記ピクセルの平均値を超えるラグ量を表すよう
な前記現在のピクセルに関する過剰ピクセル・ラグ(2
06)を計算するステップをさらに含む請求項5に記載
の方法。 - 【請求項8】 前記ラグ・アーチファクトしきい値(1
10)は、前記ピクセルが画像アーチファクトを示すこ
とがないような信頼度百分率を表している、請求項1に
記載の方法。 - 【請求項9】 前記ラグ・アーチファクトしきい値(1
10)を超える前記ピクセル・ラグを有すると特定され
た前記ピクセルに基づいてラグ・ピクセル・アーチファ
クト・マップを作成するステップをさらに含む請求項1
に記載の方法。 - 【請求項10】 前記取得のステップがさらに、画像ア
ーチファクトの特定に利用される認知検査により決定さ
れる認知値を取得するステップを含む、請求項1に記載
の方法。 - 【請求項11】 前記取得のステップがさらに、画像ア
ーチファクトの特定に利用される認知検査により決定さ
れる認知値を取得するステップであって、前記ラグ・ア
ーチファクトしきい値(110)は前記認知値と信頼度
百分率の差を表しているような取得ステップを含む、請
求項1に記載の方法。 - 【請求項12】 前記決定のステップがさらに、選択し
たピクセルを取り囲むピクセルからなる領域であって、
中央値ピクセル・ラグ(202)の計算に利用される領
域を特定するステップを含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項13】 前記検出器(22)が受けるノイズ
(114)を表すノイズ値であって、前記ピクセルに関
する過剰ピクセル・ラグ(206)の計算に利用される
ノイズ値を特定するステップをさらに含む請求項1に記
載の方法。 - 【請求項14】選択したピクセルを取り囲むピクセルか
らなる領域を特定するステップと、 前記ピクセルからなる領域に対応するピクセル値を利用
して、過剰ピクセル・ラグ(206)の計算に利用され
るような中央値ピクセル・ラグ(202)を計算するス
テップと、をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 【請求項15】ディジタルX線検出器(22)の放射線
に対する曝露と信号の組の読み取りとを反復することに
より少なくとも2組の信号を収集するステップと、 前記少なくとも2組の信号に基づいて過剰ピクセル・ラ
グ(206)を計算するステップと、 をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 【請求項16】 ディジタルX線検出器(22)に関す
るラグ・ピクセル・アーチファクト・マップを計算する
ための方法であって、 ディジタルX線検出器(22)を放射線に曝露させるス
テップと、 少なくとも2組のピクセル値を取得するように前記ディ
ジタルX線検出器(22)を連続して読み取るステップ
と、 ディジタルX線検出器(22)内のピクセルに保持させ
ておいた場合に画像アーチファクトを生じさせるような
残留電荷量を特定しているラグ・アーチファクトしきい
値(204)を取得するステップと、 ディジタルX線検出器(22)内の少なくとも1つのピ
クセルに関する過剰ピクセル・ラグ(206)を計算す
るステップと、 前記過剰ピクセル・ラグ(206)が前記ラグ・アーチ
ファクトしきい値(110)を超えた場合に、前記過剰
ピクセル・ラグ(206)に対応した前記少なくとも1
つのピクセルをラグ・ピクセル・アーチファクト・マッ
プに追加するステップと、を含む方法。 - 【請求項17】 前記取得のステップがさらに、画像ア
ーチファクトの特定に利用される認知検査により決定さ
れる認知値を特定するステップを含む、請求項16に記
載の方法。 - 【請求項18】 前記ラグ・アーチファクトしきい値
(110)は、前記少なくとも1つのピクセルが画像ア
ーチファクトを示すことがないような信頼度百分率を表
している、請求項16に記載の方法。 - 【請求項19】 前記計算のステップがさらに、 第1組のピクセル値内で第1のピクセルを特定するステ
ップと、 第2組のピクセル値内で前記第1のピクセルに対応する
第2のピクセルを特定するステップであって、前記第1
及び第2のピクセルは前記過剰ピクセル・ラグ(20
6)の計算に利用されるような特定ステップと、を含
む、請求項16に記載の方法。 - 【請求項20】 第2のピクセルを特定する前記ステッ
プがさらに、第3組のピクセル値内で前記第1のピクセ
ルに対応する第3のピクセルを特定するステップであっ
て、前記第1及び第3のピクセルは前記過剰ピクセル・
ラグ(206)の計算に利用されるような特定ステップ
を含む、請求項19に記載の方法。 - 【請求項21】 第2組のピクセル値が第1組のピクセ
ル値の収集後200ms以内に収集されている、請求項
16に記載の方法。 - 【請求項22】前記検出器(22)が受けるノイズ(1
14)により決定されるノイズ値を特定するステップ
と、 前記放射線に対応する放射線レベルを特定し、前記ノイ
ズ値及び前記放射線レベルを利用して前記過剰ピクセル
・ラグ(206)を計算するステップと、をさらに含む
請求項16に記載の方法。 - 【請求項23】 前記取得のステップがさらに、認知検
査により決定される少なくとも1つの認知値を利用して
少なくとも1つの前記ラグ・アーチファクトしきい値
(204)を計算するステップを含む、請求項16に記
載の方法。
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