JP2003298129A - 超電導部材 - Google Patents
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Abstract
と金属線材または酸化物超電導線材を接続した部材にお
いて、超電導特性の劣化や熱サイクルによる接続の劣化
を防止し、かつ接続抵抗を小さくする。 【解決手段】 酸化物基材(1)上に設けられた酸化物
超電導薄膜(2)と、酸化物超電導薄膜(2)上に設け
られた、Au層(6)とAg層(7)とを積層した電極
と、酸化物超電導薄膜(2)に対して接続される線材
(5)と、電極と線材(5)との間を接続する、In、
InAg合金、SnまたはSnAg合金を含む半田
(4)とを有する超電導部材。
Description
を用いた限流素子、限流ヒューズ、電流リード、永久電
流スイッチ、線材を複数接続した超電導部材に関する。
媒として安価な液体窒素を利用できるため、超電導ケー
ブルや限流器などの電力応用を目指した開発が積極的に
進められている。その中でも、酸化物超電導体と格子定
数の近い酸化物単結晶基材上に設けられた酸化物超電導
薄膜は結晶配向が単結晶的にそろっているため、106
A/cm2オーダーの高い臨界電流密度を持つという特
徴がある。これにより、高い臨界電流を得るために必要
な膜厚を薄くでき、常電導状態に転移した際の単位長さ
当りの発生抵抗を大きくすることできる。そのため、近
年、酸化物単結晶基材上に設けられた酸化物超電導薄膜
は、超電導状態から常電導状態への転移(クエンチ)と
いう抵抗の急激な増加を利用して電力系統の事故電流を
抑制する限流素子などの電流制御用超電導素子への応用
が注目を集めている。
いため、実用レベルの限流素子においては3〜5m2程
度の大面積の超電導薄膜が使用されると想定される。し
かしながら、現在、酸化物基材の大きさや超電導薄膜を
作製する成膜装置の大きさにより、超電導薄膜1枚の大
きさは10〜20cmφ程度に制限されている。そのた
め、多数の超電導薄膜を直列および並列接続させること
が必要である。このような接続の際にはまず、接続によ
り超電導特性の劣化を生じないことが重要である。ま
た、通常通電時のロスを小さくするために、接続により
生じる抵抗が小さいことが要求される。さらに、クエン
チ時においてはジュール熱により急激に加熱され、その
後、超電導状態への復帰時に液体窒素温度まで冷却され
るという熱サイクルを繰り返し経験するため、熱サイク
ルにより接続の劣化がないことも重要である。
材やBi系Agシース線材、Y系およびBi系バルク超
電導体の接続には主にPbSn合金の半田が用いられて
いた。しかし、PbSn合金半田を酸化物基材上の酸化
物超電導薄膜と線材との接続に適用した場合には、酸化
物超電導薄膜上に設けられたAgやAuなどの貴金属電
極と反応し、超電導特性を劣化させるという難点があっ
た。また、Pbは有害であり、環境保護の観点からも好
ましくない。ここで、本明細書において「半田」とは加
熱し溶融させて接続したい材料の一部と反応させること
により電気的な接続を得ることができる低融点金属の総
称として用いている。
Ag電極にInを圧着することや(特開平11−204
845)、Inを半田に用いて酸化物超電導薄膜のAg
電極にリードを接続することも試みられている(特開平
5−251761)。
薄膜上のAg電極にInを圧着する方法を追試したとこ
ろ、接続の剥離がしばしば観測され、接続抵抗が大きく
なるという問題があった。
る、すなわちInを溶融させて酸化物超電導薄膜上のA
g電極と金属線材とを接続する方法を追試したところ、
接続抵抗が大きい場合や超電導特性が劣化する場合が観
測されたり、接続後、時間の経過とともに超電導特性が
劣化するという問題が発生した。これは、InがAg電
極と反応し、さらには酸化物超電導薄膜まで拡散して反
応したためであると推定される。すなわち、Inは酸化
されやすいため、酸化物超電導薄膜の酸素を剥奪して酸
化物超電導薄膜の一部が非超電導体に変換される結果、
超電導特性が劣化したり、接続抵抗が大きくなったと推
定される。
酸化物超電導薄膜上のAu電極と金属線材などとの接続
を試みたところ、超電導特性の劣化は観測されない反
面、接続抵抗が大きかったり、熱サイクルを繰り返した
後に接続抵抗が大きくなってしまうという問題が発生し
た。これは、Auに対するInのぬれ性が悪く、良好な
接続が得られにくいため、接続抵抗が大きくなったと推
定される。
た酸化物超電導薄膜と金属線材または酸化物超電導線材
とを接続した超電導部材において、超電導特性の劣化や
熱サイクルによる接続の劣化を防止し、かつ低い接続抵
抗を実現することにある。
電導部材は、酸化物基材上に設けられた酸化物超電導薄
膜と;前記酸化物超電導薄膜上に設けられた、Au、A
gまたはAgAu合金を含む電極と;前記酸化物超電導
薄膜に対して接続される金属線材または酸化物超電導線
材と;前記電極と前記線材との間を接続する、Agの添
加量が0.5重量%〜10重量%であるInAg合金ま
たはSnAg合金を含む半田とを有する。
化物基材上に設けられた酸化物超電導薄膜と;酸化物超
電導薄膜上に設けられた、Au層とAg層とを積層した
電極と;前記酸化物超電導薄膜に対して接続される金属
線材または酸化物超電導線材と;前記電極と前記線材と
の間を接続する、In、InAg合金、SnまたはSn
Ag合金を含む半田とを有する。
る。本発明の一実施形態に係る超電導部材は、酸化物基
材上に設けられた酸化物超電導薄膜上に、Au、Agま
たはAgAu合金を含む電極を形成し、この電極と金属
線材または酸化物超電導線材とを、Agの添加量が0.
5重量%〜10重量%であるInAg合金またはSnA
g合金を含む半田で接続したものである。
gAu合金などの貴金属を含む電極を形成すると、酸化
物超電導薄膜と貴金属電極との接触抵抗が小さいため、
金属線材などと接続したときに接続抵抗を小さくでき
る。
する半田としてInAg合金を用いた場合、半田に予め
Agが添加されているため、電極との反応が少なく、I
nが酸化物超電導薄膜と直接反応するのを防止できる。
このため、超電導特性の劣化を防止できる。また、電極
と酸化物超電導薄膜の界面に非超電導層が生成されない
ため接続抵抗を小さくできる。
制するためには、半田として用いるInAg合金中のA
g添加量を少なくとも0.5重量%以上にする。一方、
InAg合金中のAg添加量が10重量%を超えると、
接続抵抗が増加する。これは以下のような理由によると
推定される。すなわち、InAg合金中のAg添加量が
3重量%以上になると添加量とともに融点が徐々に高く
なる傾向がある。このためAg添加量が高いInAg合
金では、溶融時の高温下でInが空気中の酸素と反応し
て酸化インジウムなどの高抵抗体が生成され、その結果
として、接続抵抗が大きくなると推定される。したがっ
て、InAg合金中のAg添加量は0.5重量%〜10
重量%が好ましく、1重量%〜5重量%がより好まし
い。
る半田としてInAg合金を用いた場合、Inを用いた
場合に比べて接続抵抗が小さくなることを見出した。こ
れはInよりもInAg合金の方がAu電極に対するぬ
れ性が高く、良好な接続が得られたためと推定される。
に用いる場合を例に挙げて説明したが、SnAg合金を
半田に用いた場合にも上記と同様な効果を得るために
は、Ag添加量は0.5重量%〜10重量%が好まし
く、1重量%〜5重量%がより好ましい。
は、酸化物基材上に設けられた酸化物超電導薄膜上に、
Au層とAg層とを積層した電極を形成し、この電極と
金属線材または酸化物超電導線材とを、In、InAg
合金、SnまたはSnAg合金を含む半田で接続したも
のである。半田として用いられるIn、InAg合金、
SnまたはSnAg合金はAgと反応しやすく、Auと
反応しにくいという性質を有する。
積層した電極を用いた場合には、Ag層を設けないAu
層のみの電極と比較して、接続抵抗を一桁程度小さくで
きることを見出した。これはAg層を設けたことにより
InやSnのぬれ性が改善し、良好な接続が得られたた
めと推定される。また、接続後にも超電導特性の劣化は
観測されなかった。これは、AuがAgに比べInやS
nと反応しにくいため、Au電極が酸化物超電導薄膜へ
の半田の拡散に対するバリアとして働いたためと推定さ
れる。ここで、Auの薄膜成長において、膜厚が薄い場
合には島状の成長が生じ、膜厚が厚くなると島同士が接
続し層状となることが知られている。したがってAu層
をバリアとして機能させるためには、Au層の厚さは層
状成長に移行している50nm以上であることが好まし
い。一方、Auと酸化物超電導薄膜および酸化物基材と
の熱膨張係数が異なることに起因する剥離を抑制するた
めにはAu層の膜厚の上限は10μm以下が好ましい。
より好ましいAu層の膜厚の範囲は、100nm〜1μ
mである。
Ag層は少なくとも500nm以上の厚さを有すること
が好ましい。一方、Ag層が厚くなりすぎるとAg層自
身が剥離しやすくなるため、厚くても30μm以下が好
ましい。より好ましいAg層の膜厚の範囲は、1μm〜
10μmである。
物超電導体は特に限定されないが、例えば、下記の一般
式で示される酸化物超電導体が挙げられる。
a、SrおよびCaからなる群より選択される少なくと
も1種の元素であり、xは0.02≦x≦0.08を満
足する数である)REBa2Cu3O7-δ(式中、REは
Y、Sc、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、H
o、Er、Tm、Yb、Luなどの希土類元素から選択
される少なくとも一種の元素であり、δは酸素欠損を表
し、通常1以下の数である) Bi2Sr2Ca1Cu2O8+d Bi2Sr2Ca2Cu3O10+d Bi2Sr2Ca3Cu4O12+d Tl2Ba2Ca1Cu2O7+d Tl2Ba2Ca2Cu3O10+d Tl2Ba2Ca2Cu3O9+d (上記各式中、dは酸素欠損の微量な変動を表す。な
お、BiおよびTlの一部はPbで、Sr、Ca、Ba
の一部はRE元素で置換可能である)。
形成方法としては、例えば蒸着法、スパッタ法、レーザ
ー蒸着法、CVD法、MOD法、LPE法などの各種薄
膜および厚膜形成法を適用することが可能である。本発
明の実施形態において、AgやAuなどの貴金属電極の
形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、溶射法などの
各種薄膜形成法が適用可能である。貴金属電極と超電導
薄膜との接触抵抗を小さくするためには超電導薄膜形成
後に空気中に曝すことなく引き続いて電極を作製するこ
とが好ましい。超電導薄膜形成後に成膜装置から取り出
し空気中に曝した場合、超電導薄膜表面に炭酸ガスや水
分などが付着し、表面近傍の超電導特性が劣化すること
がある。炭酸ガスや水分などが付着した面に電極を作製
すると、電極と超電導薄膜との接触抵抗が大きくなった
り、超電導特性が大幅に劣化してしまうおそれがある。
このような炭酸ガスや水分などを除去するためには、電
極作製直前に酸素雰囲気中で熱処理を行うことが効果的
である。この熱処理温度は200℃から600℃の範囲
であることが好ましく、400℃から550℃であるこ
とがより好ましい。熱処理は電気炉中で行ってもよい
し、電極作製用の成膜装置内で行ってもよい。また、超
電導薄膜の酸素量を補充するために熱処理の雰囲気ガス
として酸素を用いることが好ましいが、真空中において
も炭酸ガスや水分などを除去する効果が得られる。さら
に、電極作製後に酸素雰囲気中で、熱処理を行うことが
接触抵抗の低減に効果的である。この熱処理の温度は3
50℃から600℃の範囲であることが好ましく、40
0℃から550℃であることがより好ましい。
法としては一般的な半田ごてを使用する方法を用いるこ
とができる。また、温度制御されたホットプレートなど
を適用して半田付けすると、広い面積を均一に接続する
ことが可能である。また、接続の際、接続部に冶具など
により圧力を加えることにより、半田層を薄くすること
が可能である。半田層は接続抵抗を小さくするためには
できるだけ薄い方がよく、その厚さは300μm以下が
好ましく、100μm以下がより好ましい。また、半田
層は酸化物超電導薄膜および酸化物基材と金属線材また
は酸化物超電導線材との熱膨張係数の違いによる歪を緩
和させる働きも担うため、少なくとも10μm以上の厚
さが好ましい。接続の際にInの酸化を抑制するために
は窒素雰囲気などの非酸化雰囲気中で接続を行うことが
好ましく、グローブボックス中で接続してもよい。な
お、本発明の実施形態において用いられるInAg合金
またはSnAg合金の半田には、融点の低減のためにB
i、Cu、Sbなどの元素を微量に添加してもよい。ま
た、半田が直接、超電導薄膜に触れないよう、貴金属電
極の面積は接続面の面積より大きいことが好ましい。半
田の染み出しを考慮すると、貴金属電極の面積は接続面
の周囲10μm以上の幅で大きいことが好ましい。電極
の大きさに特に上限はないが、クエンチ時に超電導素子
が発生する抵抗を大きくするためには、電極を不必要に
大きくしないことが好ましい。
に説明する。
係る超伝導部材の斜視図であり、図2は図1に示される
超電導部材の接続部の横断面図である。まず、酸化物基
材1として10mm幅×120mm長×1mm厚のサフ
ァイアを用意し、レーザー蒸着法を用いて、CeO2バ
ッファ層を約40nmの厚さで成膜した後、YBa2C
u3O7-δで表される酸化物超電導薄膜2を約300n
mの厚さで成膜した。なお、サファイア基材をホルダー
により保持する必要があるため、基材端部から0.5m
mの領域には超電導薄膜は成長させていない。その後、
メタルマスクを用いて長手方向の両端10mm×10m
mにスパッタ法により2μm厚のAg電極3を成膜し、
電気炉を用いて酸素雰囲気中の熱処理を行った。次に、
この超電導薄膜を140〜220℃に加熱し、Ag電極
部にInAg半田の粒と電流リード5を重ねて置き、半
田が溶融した後、電流リード5上に重石をのせて圧力を
加え、その状態で冷却して半田4を固化させた。
重量%、3重量%、または10重量%である3種のIn
Ag半田のうちいずれかを用いた。また、接続部の抵抗
のみを測定するため、電流リード5として液体窒素中で
超電導状態を示すBi系Agシース線材を用いた。接続
面におけるBi系Agシース線材の大きさは5mm幅×
8mm長であり、Ag電極の大きさは10mm×10m
mと前者の寸法より大きくした。光学顕微鏡を用いた接
続状態の観察により、半田が接続面よりしみ出している
部分があるものの、Ag電極の大きさより小さいことを
確認した。
4端子法により臨界電流密度と接続抵抗を測定した。ま
た、熱サイクルの影響を調べるため、測定後に室温まで
昇温し、再び液体窒素で冷却して測定を行うという繰り
返し試験も行った。さらに、大電流を通電し酸化物超電
導薄膜をクエンチさせ限流動作の影響も調べた。その結
果、臨界電流密度は2×106A/cm2〜3×106A
/cm2、接続抵抗は2×10-8Ωcm2〜8×10-8Ω
cm2という良好な値を示し、繰り返し試験後および限
流動作後に、臨界電流密度と接続抵抗が変化しないこと
を確認した。
Sn半田の場合には繰り返し試験後に接続抵抗の増加が
見られたが、本実施例においては繰り返し試験後にも接
続抵抗の増加は観測されなかった。これはInAgが液
体窒素温度においても軟らかいため、酸化物とBi系A
gシース線材との熱膨張係数の違いによる歪を緩和する
役目を果たしていると推定される。なお、Ag添加量が
3重量%であるInAg合金を用いた場合に接続抵抗が
最も小さいことを見出した。さらに、1ヶ月後に同様な
測定を行い、臨界電流密度や接続抵抗の値に経時変化が
ないことを確認した。
り、酸化物超電導薄膜上に形成したAg電極とBi系A
gシース線材とを、半田としてAg添加量が0.5重量
%、3重量%または10重量%である3種のSnAg合
金のいずれかを用いて接続した。接続の際、試料を22
0〜300℃に加熱した。
し臨界電流密度と接続抵抗を評価し結果、臨界電流密度
は1.5×106A/cm2〜2×106A/cm2、接続
抵抗は5×10-8Ωcm2〜15×10-8Ωcm2という
良好な値を示した。本実施例では、実施例1のようにI
nAg合金を用いた場合に比べて臨界電流密度が低かっ
た。これは、SnAg合金の融点が220〜300℃で
あり、InAg合金の融点140〜200℃に比べて高
いため、超電導薄膜の酸素が抜けやすくなり、臨界温度
が低下したためと推定される。
に、合金上の酸化物基材上に作製されたYBa2Cu3O
7-δで表される酸化物超電導薄膜線材同士の接続を行っ
た。まず、圧延加工を施した約100μm厚のNi合金
上に蒸着法により1μm厚のCeO2酸化物層を設けた
基材8に、レーザー蒸着法により1μm厚のYBa2C
u3O7-δで表される酸化物超電導薄膜2を作製した。
CeO2酸化物層はNi合金と酸化物超電導体との反応
を防止するとともに、Ni合金と酸化物超電導体の格子
定数の違いを緩和させる役目も担っている。次に、スパ
ッタ法により10μm厚のAg層7を酸化物超電導薄膜
の全面を覆うように成膜して酸化物超電導薄膜線材を構
成した。同様な製造方法で2本の酸化物超電導線材を作
製した。そして、図3に示すようにそれぞれの線材のA
g層7を向かい合わせ160℃に加熱し、半田4として
InAg合金を用いて接続した。
し、接続部の接続抵抗と臨界電流密度を4端子法により
測定したところ、接続抵抗は5×10-8Acm2と小さ
い値を示し、臨界電流密度は1×106A/cm2と大き
な値を示した。また、熱サイクルを繰り返した後にも接
続抵抗と臨界電流密度の変化はなかった。
に係る超伝導部材の斜視図であり、図5は図4に示され
る超電導部材の接続部の横断面図である。実施例1と同
様に酸化物基材1としてサファイアを用い、レーザー蒸
着法により約40nm厚のCeO2バッファ層および約
300nm厚のYBa2Cu3O7-δ超電導薄膜2を順次
成膜した。次に、基板温度を室温まで冷却した後、空気
中に曝すことなく蒸着法により超電導薄膜全面に約30
0nm厚のAu膜を成膜した。このAu膜上にフォトレ
ジストを形成してパターニングを行い、長手方向の両端
10mm×10mmのみに電極としてのAu層7を残
し、その他の領域のAuをエッチングした。次に、Au
層6上に約2μm厚のAg層7をスパッタ法により成膜
した。このAg層6の面積は8mm×9mmとAu層7
より若干小さくした。この超電導薄膜2を160℃に加
熱し、Ag層6上にInまたはInAg半田の粒と電流
リード5となるBi系Agシース線材を重ねて置き、半
田が溶融した後に重石をのせて圧力を加えた。この状態
で冷却して半田4を固化させた。
%である純In、またはAg添加量が0.5重量%、3
重量%もしくは10重量%であるInAg合金の4種の
うちいずれかの半田を用いた。なお、半田4の厚さは約
50μmであった。
端子法により臨界電流密度と接続抵抗を測定した。ま
た、測定後に室温まで昇温し、再び液体窒素温度まで冷
却して測定を行うという繰り返し試験や、大電流を通電
しクエンチさせる限流試験も行った。その結果、臨界電
流密度は2×106A/cm2〜3×106A/cm2とい
う良好な値を示し、繰り返し試験後や限流試験後にも変
化がないことや、1ヶ月後にも変化がないことを確認し
た。
得られた。Ag添加量が0重量%すなわち純In(純度
99.99%)の半田を用いた場合、後述の比較例3で
示したAg層がない場合に比べて小さいものの、接続抵
抗は2×10-7Ωcm2と若干大きい値であった。一
方、Ag添加量が0.5重量%〜10重量%であるIn
Ag合金の半田を用いた場合、接続抵抗は2×10-8Ω
cm2〜5×10-8Ωcm2という良好な値を示した。ま
た、繰り返し試験後や限流試験後にも、接続抵抗値が変
化しないこと、1ヶ月後に同様な測定を行っても経時変
化がないことを確認した。
酸化物超電導薄膜2を作製し、約300nm厚のAu層
6と約2μmのAg層7とを積層した電極を設け、Sn
またはSnAg合金の半田を用いて接続した。本実施例
においては、Ag添加量が0重量%である純Sn、また
はAg添加量が0.5重量%、3重量%もしくは10重
量%であるSnAg合金の4種のうちいずれかの半田を
用いた。
端子法により臨界電流密度と接続抵抗を測定した。臨界
電流密度は1.5×106A/cm2〜2×106A/c
m2という値を示した。Ag添加量が0重量%すなわち
純Sn(純度99.99%)の半田を用いた場合、接続
抵抗は4×10-7Ωcm2と若干大きい値であった。A
g添加量が0.5重量%〜10重量%であるSnAg合
金の半田を用いた場合、接続抵抗は5×10-8Ωcm2
〜1.5×10-7Ωcm2という値を示した。
て作製した酸化物超電導薄膜上の約2μm厚のAg電極
とBi系Agシース線材とを、PbSn半田を用いて接
続した。この超電導部材を液体窒素中で冷却し、臨界電
流密度を測定しようとしたところ、超電導状態になって
いないことがわかった。これは、PbがAg電極と反応
し、超電導薄膜まで拡散し反応して非超電導層が生成さ
れたためであると推定される。そこで、Ag電極の厚さ
を約10μmと厚くしたが、接続後の臨界電流密度は1
03A/cm2台と小さな値であった。また、液体窒素中
の冷却と室温までの昇温を繰り返し行ったところ、接続
抵抗が増加したうえ、一部で剥離してしまう部分もあっ
た。これは、PbSn合金が硬いため熱歪を緩和するこ
とができなかったためと推定される。
て作製した酸化物超電導薄膜上の2μm厚のAg電極と
Bi系Agシース線材とを、In(純度99.99%)
を半田として用いて接続した。接続の際の加熱温度は1
60℃とし、同一条件で5個の試料を作製した。次に、
これらの試料を液体窒素中で冷却し、臨界電流密度と接
続抵抗を測定したところ、臨界電流密度が1×104A
/cm2〜2×104A/cm2と低い値を示し、接続抵
抗は5×10-7Ωcm2〜1×10-6Ωcm2と大きい値
を示した。これはInと電極材であるAgとが反応し、
超電導薄膜へInが拡散してしまったことが原因と推定
される。Inは酸化されやすいため超電導体の酸素を剥
奪し非超電導層が生成され、その結果として臨界電流密
度が低くなったと推定される。
した試料を5個作製し、同様な測定を行った。その結
果、3個の試料は臨界電流密度が1×106A/cm2以
上の値を示したが、2個の試料は104〜105A/cm
2と低い値を示した。また、接続抵抗は5×10-8Ωc
m2〜1×10-6Ωcm2とばらつきが大きかった。さら
に、1ヶ月後に同様な測定を行ったところ、臨界電流密
度が低下していた。
作製した超電導薄膜上に設けられた厚さ約300nmの
Au電極とBi系Agシース線材とを、Inを半田とし
て用いて接続した。同一条件で5個の試料を作製した。
これらの試料を液体窒素中で冷却し、臨界電流密度と接
続抵抗を測定したところ、臨界電流密度は2×106A
/cm2〜3×106A/cm2と高い値を示したが、接
続抵抗が1×10-7Ωcm2〜1×10-6Ωcm2と大き
い値を示した。また、液体窒素温度と室温までの熱サイ
クルを繰り返した後、同様な測定を行ったところ、臨界
電流密度に変化はなかったが、接続抵抗が大きくなるこ
とが分かった。
のみを測定するために酸化物超電導薄膜にBi系Agシ
ース線材を接続した場合を例に挙げて主として説明した
が、合金基材上に成膜された超電導薄膜線材を接続する
場合や、Cu合金やAg合金などの一般的な金属線材を
接続する場合においても同じく効果が得られる。また、
酸化物超電導薄膜同士、合金基材上に設けられた酸化物
超電導線材同士、Bi系Agシース線材同士といった同
種の接続においても同じく効果があることはいうまでも
ない。
化物基材上に設けられた酸化物超電導薄膜と金属線材ま
たは酸化物超電導線材とを接続した超電導部材におい
て、超電導特性の劣化や熱サイクルによる接続の劣化を
防止し、かつ低い接続抵抗を実現できる。
Claims (2)
- 【請求項1】酸化物基材上に設けられた酸化物超電導薄
膜と、前記酸化物超電導薄膜上に設けられた、Au、A
gまたはAgAu合金を含む電極と、前記酸化物超電導
薄膜に対して接続される金属線材または酸化物超電導線
材と、前記電極と前記線材との間を接続する、Agの添
加量が0.5重量%〜10重量%であるInAg合金ま
たはSnAg合金を含む半田とを有することを特徴とす
る超電導部材。 - 【請求項2】酸化物基材上に設けられた酸化物超電導薄
膜と、酸化物超電導薄膜上に設けられた、Au層とAg
層とを積層した電極と、前記酸化物超電導薄膜に対して
接続される金属線材または酸化物超電導線材と、前記電
極と前記線材との間を接続する、In、InAg合金、
SnまたはSnAg合金を含む半田とを有することを特
徴とする超電導部材。
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