JP2003297999A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2003297999A JP2002096281A JP2002096281A JP2003297999A JP 2003297999 A JP2003297999 A JP 2003297999A JP 2002096281 A JP2002096281 A JP 2002096281A JP 2002096281 A JP2002096281 A JP 2002096281A JP 2003297999 A JP2003297999 A JP 2003297999A
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Hiroaki Hosokawa
広陽 細川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】、リードフレームを用いたICパッケージにお
いて、ハンダや導電性ペーストを用いてチップ部品を実
装した際の問題点を解決する。 【解決手段】リードフレームのダイパッド2aにICチ
ップ1が搭載され、ICチップ1がリードフレームのイ
ンナーリード2bに金属ワイヤー3で接続されている半
導体装置において、チップ部品4を、インナーリード2
bに形成された金属バンプ9を介してインナーリード2
bに接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、リードフレームの
ダイパッドに半導体素子が搭載され、該半導体素子が該
リードフレームのインナーリードにボンディングワイヤ
ーで接続されている半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、携帯電子機器の発展により、小型
/高密度実装技術を使用した、モジュール製品の要求が
強くなってきている。これに対応するため、有機基板や
セラミック基板、その他多層ハイブリッド基板等のモジ
ュール用基板を用い、ICチップや、チップコンデンサ
などのチップ部品等を混載したモジュール製品が開発さ
れているが、これらモジュール用基板は、ICチップを
搭載するための一般的なリードフレームに比べ高価であ
る。このため、携帯機器向けのICパッケージに関して
は、モジュール製品の利用は小型化の面では有効である
が、コストの面ではモジュール用基板の影響で必ずしも
満足のいくものではなかった。
【0003】これに対応するため、モジュール用基板と
して、安価なリードフレームを用いたICパッケージが
従来より提案されている。この場合、リードフレームへ
のチップ部品の実装には、一般的にハンダ又は導電性ペ
ーストが用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リード
フレームにチップ部品をハンダや導電性ペーストを用い
て実装した場合、それらが濡れ広がり過ぎると隣接する
端子間にショートが発生したり、インナーリード上にワ
イヤーボンディング領域を確保することが困難であると
いう問題があった。特に、ハンダの場合には、それ自体
の濡れ広がりだけでなく、フラックスの濡れ広がりも無
視できず、インナーリード上にワイヤーボンディング領
域を確保することがなお一層困難であるという問題があ
った。更に、ハンダや導電性ペーストの溶融時の表面張
力により、接続部にボイドが発生したり、チップ部品の
片側が持ち上がって、インナーリードからチップ部品の
片側の接続端子が物理的に離れて断線してしまうという
問題があった。また、超小型チップ部品では、ハンダ又
は導電性ペーストの印刷/塗布位置精度の確保が難し
く、塗布量のバラツキを防止することも困難であった。
【0005】また、ハンダによるインナーリード上への
チップ部品の実装の場合、マウント工程は、周囲のAu
ワイヤーに邪魔されないように、ICチップのワイヤー
ボンディング前が望ましいが、チップ部品のリフロー実
装温度が220〜230℃であり、ICチップのワイヤ
ーボンディング温度が250〜290℃のため、ICチ
ップのワイヤーボンディング時に、既にリフロー実装が
完了したチップ部品を固着させているハンダが溶融し、
位置ズレを生ずるおそれがあった。
【0006】また、導電性ペーストによるインナーリー
ド上へのチップ部品の実装の場合には、導電性ペースト
の電気的抵抗がモジュールの電気的特性に影響を及ぼす
可能性があった。
【0007】本発明の目的は、以上の従来の技術の課題
を解決することであり、リードフレームを用いたICパ
ッケージの従来の問題点、即ち、ハンダや導電性ペース
トの濡れ広がりに起因するショートの発生やワイヤーボ
ンディング領域の確保の困難性の問題、ハンダや導電性
ペーストの表面張力に起因するチップ部品の浮き上がり
やボイドの発生の問題、ハンダ又は導電性ペーストの印
刷/塗布位置精度や塗布量のバラツキの問題、リフロー
工程でのチップ部品の位置ズレの問題、導電性ペースト
の電気的抵抗の問題を解決しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者は、インナーリ
ードにチップ部品を実装する際に、金属バンプを介して
接続することにより、上述の課題を解決できることを見
出し、本発明を完成させた。
【0009】即ち、本発明は、リードフレームのダイパ
ッドにICチップが搭載され、該ICチップが該リード
フレームのインナーリードにボンディングワイヤーで接
続されている半導体装置において、更にチップ部品が、
該インナーリードに形成された金属バンプを介して該イ
ンナーリードに接続されていることを特徴とする半導体
装置を提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施態様の例を図
面を参照しながら説明する。
【0011】図1(内部構造図(a)、断面構造図
(b)及びA−A断面図(c))の態様の半導体装置
は、ICチップ1をリードフレームダイパッド2a上に
Agペースト等の導電性ペーストを用いて搭載してお
り、そのICチップ1は、AuやAlなどの金属ワイヤ
ー3等で周辺のインナーリード2bにワイヤーボンディ
ングされているものである。そして、更に同一パッケー
ジ内に1個または複数のチップ部品4を内蔵している。
内蔵するチップ部品4としては、一般的な基板実装用の
チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗等の
受動素子が挙げられる。
【0012】図1の態様の半導体装置においては、チッ
プ部品4を、導電性ペーストやハンダを使わずに、金属
バンプ9を使用してインナーリード2bに接続する。ま
た、インナーリード2bのバンプ形成面は、銀メッキ7
等の金属メッキを施しておくことが好ましい。このよう
に、チップ部品4をインナーリード2bに金属バンプ9
を介して接続することにより、ハンダや導電性ペースト
の濡れ広がりに起因するショートの発生やワイヤーボン
ディング領域の確保の困難性の問題を解消し、また、ハ
ンダや導電性ペーストの表面張力に起因するチップ部品
4の浮き上がりやボイドの発生の問題も解消できる。ま
た、金属バンプ9としてAuスタッドバンプを利用すれ
ば、従来の既存設備で良好な位置精度と均一サイズで形
成することができ、工程管理が容易であり、しかもIC
チップ1のワイヤーボンディングの際の加熱にも位置ズ
レを生せず、また、接合部が合金化するので、導電性ペ
ーストに比べて接合強度、実装信頼性、電気特性の点で
優れている。
【0013】なお、金属バンプ9を用いてチップ部品4
をインナーリード2bに実装する場合、好ましくは熱圧
着接合または超音波接合により行うことができる。
【0014】内蔵するチップ部品4を実装したインナー
リード2b上には、更に金属ワイヤー3による接合が可
能となるようにすることが好ましい。
【0015】最終的には、ICチップ1のリードフレー
ムダイパッド2aへの実装、チップ部品4のインナーリ
ード2bへの実装後、絶縁性樹脂5でパッケージ全体を
封止することが好ましい。
【0016】インナーリード2b上のチップ部品4の実
装用の金属バンプ9としては、前述したようにAuスタ
ッドバンプ等のバンプ形成の工程プロセスが簡単なもの
が好ましい。Auスタッドバンプの場合は、通常のIC
チップ用のワイヤーボンダーがそのまま活用できる利点
がある。
【0017】インナーリード2b上に形成する金属バン
プ9の形成位置は、チップ部品4の端子メッキ8に相対
する部分に位置するようにし、インナーリード2b、チ
ップ部品4の端子メッキ8の概略中心になるようにす
る。
【0018】形成するバンプ数はチップ部品4の端子メ
ッキ8とインナーリード2b、バンプ径サイズに応じ
て、複数個形成してもよい。
【0019】チップ部品4が実装されるインナーリード
2bには、更に他の電気的接続を確保するために、金属
ワイヤー3をボンディングできるエリアを設けておき、
ICチップ1とチップ部品4との電気的接続を行う。こ
の時、チップ部品4とインナーリード2bの接続を、金
属バンプ9ではなく導電性ペーストやハンダで行うと、
それぞれペーストの濡れ広がりによる端子間ショート
や、ハンダフラックス成分の染み出しによる、金属ワイ
ヤー3の付かず不良が発生することになるので好ましく
ない。
【0020】図1の実施態様においては、ノンリード型
パッケージに本発明を採用した例を示したが、パッケー
ジ種類は他でもよく、表面実装型、リード挿入型、イン
ターポーザ基板タイプなどどんなパッケージでもよい。
【0021】また、チップ部品4のインナーリード2b
上への接続は、超音波発信器を備えた公知のマウンター
を用いて、超音波をかけながら加圧し、必要に応じて加
熱することにより行うことができる。
【0022】図2(内部構造図(a)、断面構造図
(b)及びB−B断面図(c))は、縦型のチップ部品
4を実装した態様の半導体装置を示している。この態様
においては、チップ部品4の端子のインナーリード2b
への電気的接続は、一方を金属バンプ9、他方を通常の
金属ワイヤー3で行っている。これにより、チップ部品
4のサイズとインナーリード2bとのピッチが合わない
場合でも、問題なく電気的な接続が可能になるという効
果が得られる。
【0023】図3(正面図(a)、上面図(b)及び側
面図(c))は、チップ部品4の接続状態の別の態様を
示したものである。この態様では、金属バンプ9を複数
(図では2個)設け、金属バンプ9の形成位置をチップ
部品4の端子メッキ8の底面部の概略中央ではなく、側
面にシフトさせ、接続によって変形した金属バンプ9が
チップ部品4の端子メッキ8の側面部まで回り込むよう
に配置した例である。これにより、チップ部品4のイン
ナーリード2bに対する接続強度を向上させることがで
きる。
【0024】
【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、チップ部
品をインナーリードに金属バンプを介して接続するの
で、ハンダや導電性ペーストの濡れ広がりに起因するシ
ョートの発生やワイヤーボンディング領域の確保の困難
性の問題を解消し、また、ハンダや導電性ペーストの表
面張力に起因するチップ部品の浮き上がりやボイドの発
生の問題も解消できる。また、金属バンプとしてAuス
タッドバンプを利用すれば、従来の既存設備で良好な位
置精度と均一サイズで形成することができ、また、IC
チップのワイヤーボンディングの際の加熱にも位置ズレ
を生ぜず、また、接合部が合金化するので、導電性ペー
ストに比べて接合強度、実装信頼性、電気特性の点で優
れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施態様の内部構造図(a)、断面構
造図(b)及びA−A断面図である。
【図2】本発明の別の実施態様の内部構造図(a)、断
面構造図(b)及びB−B断面図である。
【図3】本発明の別の実施態様におけるチップ部品の正
面図(a)、上面図(b)及び側面図(c)である。
【符号の説明】
1 ICチップ、2a リードフレームダイパッド、2
b インナーリード、3金属ワイヤー、4 チップ部
品、5 絶縁性樹脂、6 導電性ペースト、7Agメッ
キ、8 端子メッキ、9 金属バンプ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームのダイパッドにICチッ
    プが搭載され、該ICチップが該リードフレームのイン
    ナーリードにボンディングワイヤーで接続されている半
    導体装置において、更にチップ部品が、該インナーリー
    ドに形成された金属バンプを介して該インナーリードに
    接続されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 該チップ部品が、該インナーリードに、
    金属バンプに加えてボンディングワイヤーで接続されて
    いる請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 該チップ部品が、受動素子である請求項
    1記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 該ICチップ及び該チップ部品が、絶縁
    性樹脂で封止されている請求項1記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 該インナーリードに形成される金属バン
    プの形成位置を、接続によって変形した金属バンプが該
    チップ部品の端子メッキ側面部まで回り込むように、該
    チップ部品の端子メッキ底面部の概略中央部から側面方
    向にシフトさせた請求項1記載の半導体装置。
JP2002096281A 2002-03-29 2002-03-29 半導体装置 Pending JP2003297999A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024075398A1 (ja) * 2022-10-06 2024-04-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 カメラモジュール、および、撮像装置

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