JP2003297929A - 複数の過熱検出回路を有する回路装置 - Google Patents
複数の過熱検出回路を有する回路装置Info
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- JP2003297929A JP2003297929A JP2002095520A JP2002095520A JP2003297929A JP 2003297929 A JP2003297929 A JP 2003297929A JP 2002095520 A JP2002095520 A JP 2002095520A JP 2002095520 A JP2002095520 A JP 2002095520A JP 2003297929 A JP2003297929 A JP 2003297929A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 過熱検出回路が隣接する過熱検出回路の検出
対象からの熱伝達によって誤動作するのを防止すること
を目的とする。 【解決手段】 複数の過熱検出回路が互いに隣接して配
置されてなるドライバＩＣにおいて、それぞれの過熱検
出回路は、温度検出部１と、複数の抵抗２０〜２２の抵
抗分割により基準電圧を生成する基準電圧発生回路２
と、温度検出部１の出力電圧と基準電圧とを比較するコ
ンパレータ３と、複数の抵抗２０〜２２のうち少なくと
も１つの抵抗と並列接続され、制御信号によってオン、
オフするスイッチ回路４を備え、負荷のショート等によ
り温度上昇が急峻な場合に、過電流検出回路等からの制
御信号によってスイッチ回路４をオフさせ、基準電圧を
上昇させて、加熱検出温度を低下させるようにした。
対象からの熱伝達によって誤動作するのを防止すること
を目的とする。 【解決手段】 複数の過熱検出回路が互いに隣接して配
置されてなるドライバＩＣにおいて、それぞれの過熱検
出回路は、温度検出部１と、複数の抵抗２０〜２２の抵
抗分割により基準電圧を生成する基準電圧発生回路２
と、温度検出部１の出力電圧と基準電圧とを比較するコ
ンパレータ３と、複数の抵抗２０〜２２のうち少なくと
も１つの抵抗と並列接続され、制御信号によってオン、
オフするスイッチ回路４を備え、負荷のショート等によ
り温度上昇が急峻な場合に、過電流検出回路等からの制
御信号によってスイッチ回路４をオフさせ、基準電圧を
上昇させて、加熱検出温度を低下させるようにした。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の過熱検出回
路を有する回路装置に関し、例えば複数の過熱検出回路
を有するドライバＩＣ等の半導体集積回路に適用して好
適なものである。 【０００２】 【従来の技術】従来より、大電流の負荷を駆動する手段
としてドライバＩＣがある。この様なドライバＩＣに
は、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタで
構成された複数のブロックが同一チップ上に構成されて
おり、そのブロック毎に過熱検出部が設けられ、過熱検
出時にはそのブロックの機能を停止してドライバＩＣの
過熱破壊を防止するものがある。図５に、従来の過熱検
出回路の回路構成を示す。 【０００３】過熱検出回路は、温度検出部１、基準電圧
発生回路２およびコンパレータ３を有して構成される。
温度検出部１は順方向降下電圧ＶＦが負の温度特性をも
つ図示しない温度検出用ダイオードを有しており、その
順方向降下電圧ＶＦに応じた電圧が出力される。 【０００４】基準電圧発生回路２は、抵抗２０〜２２を
有し、この抵抗２０〜２２は電源電圧ＶＢを分圧してお
り、これによって生成される抵抗２０、２１間の中間電
圧を出力する。 【０００５】コンパレータ３は、温度検出部１の出力電
圧が非反転入力端子に入力され、基準電圧発生回路２の
抵抗２０、２１間の中間電圧（閾値電圧Ｖｔ）が反転入
力端子に入力され、閾値電圧Ｖｔに基づき温度検出部１
の出力電圧を判定する。 【０００６】上記した過熱検出回路において、温度検出
部１の図示しない温度検出用ダイオードはドライバＩＣ
内部の所定のブロック付近に配置される。この温度検出
用ダイオードの順方向降下電圧ＶＦは負の温度特性をも
っており、ドライバＩＣ内部の所定のブロックの温度上
昇に伴い、順方向降下電圧ＶＦが低下し、温度検出部１
の出力電圧が閾値電圧Ｖｔを下回ると、コンパレータ３
の出力が反転する。そして、図示しない制御回路はコン
パレータ３の出力が反転したことを受けて所定のブロッ
クの出力を停止する。なお、検出温度はコンパレータ３
の閾値電圧Ｖｔ、すなわち抵抗２０〜２２の分圧比によ
り決定される。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】過熱検出回路は、ドラ
イバＩＣ内部の所定のブロック毎に配置され過熱検出す
る。図６に、過熱検出回路ｂ１〜ｂ４がドライバＩＣ内
部に隣接して存在する例を示す。この過熱検出回路ｂ１
〜ｂ４は、検出温度がそれぞれ１６０℃に設定されてお
り、過熱検出回路ｂ４が１６０℃以上で過熱検出（異常
動作）すると、過熱検出回路ｂ４のブロックの出力は停
止される。ところが、負荷のショート等により過熱検出
回路ｂ４のブロックの温度上昇が急峻な場合、隣接する
過熱検出回路ｂ１〜ｂ３は検出温度の精度ばらつきによ
り、過熱検出回路ｂ４のブロックからの熱伝達によって
過熱検出し、過熱検出回路ｂ１〜ｂ３のブロックの出力
が停止され誤動作してしまう。 【０００８】本発明は上記問題に鑑みたもので、過熱検
出回路が隣接する過熱検出回路の検出対象からの熱伝達
によって誤動作するのを防止することを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、各過熱検出回路は、複
数の抵抗（２０〜２２）の抵抗分割によって基準電圧を
生成する基準電圧発生手段（２）と、温度検出手段
（１）の出力電圧と基準電圧発生手段（２）によって生
成される基準電圧とを比較する比較手段（３）と、複数
の抵抗（２０〜２２）のうち少なくとも１つの抵抗と並
列接続され、制御信号によってオン、オフされ基準電圧
を可変させるスイッチング手段（４）とを備えている。 【００１０】このように、過熱検出回路が隣接して配置
されされても、制御信号によってスイッチング手段
（４）がオン、オフされ、基準電圧が変化するので過熱
検出回路が隣接する過熱検出回路からの熱伝達によって
誤動作することを防止できる。 【００１１】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。 【００１２】 【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を適用した過
熱検出回路の回路構成を図１に示す。なお、上記した従
来技術と同一部分には、同一符号を付して説明を省略
し、以下異なる部分についてのみ説明する。この第１実
施形態では、基準電圧発生回路２の抵抗２２と並列接続
されたスイッチ回路４を備えた点が異なる。 【００１３】このスイッチ回路４は、図示しない過電流
検出回路からの制御信号によりオン、オフするように構
成されている。ここで、抵抗２０〜２２の抵抗値をＲ２
０〜Ｒ２２とすると、スイッチ回路４がオンの場合、コ
ンパレータ３の反転入力端子に印加される閾値電圧Ｖｔ
は、Ｖｔ＝Ｒ２１×ＶＢ／（Ｒ２０＋Ｒ２１）で表され
る。また、スイッチ回路４がオフの場合、閾値電圧Ｖｔ
は、Ｖｔ＝（Ｒ２１＋Ｒ２２）×ＶＢ／（Ｒ２０＋Ｒ２
１＋Ｒ２２）で表される。このように、制御信号により
コンパレータ３の反転入力端子に印加される閾値電圧Ｖ
ｔを変化させ、過熱検出温度を可変させる。 【００１４】制御信号によりスイッチ回路４がオフされ
ると、コンパレータ３の反転入力端子に印加される閾値
電圧Ｖｔは上昇し、図示しない温度検出用ダイオードの
順方向降下電圧ＶＦは負の温度特性をもつので、過熱検
出温度は低下する。また、スイッチ回路４がオンされる
と、閾値電圧Ｖｔは低下し、過熱検出温度は上昇する。 【００１５】図２に、上記した過熱検出回路ａ１〜ａ４
が隣接した例を示す。この過熱検出回路ａ１〜ａ４の検
出温度は、スイッチ回路４がオンのとき１６０℃で、ス
イッチ回路４がオフのとき１５０℃である。急激な温度
上昇を伴わない通常時は、過熱検出回路ａ１〜ａ４のス
イッチ回路４はオンされ、それぞれ１６０℃で過熱検出
し、コンパレータ３の出力が反転する。そして、図示し
ない制御回路はコンパレータ３の出力が反転したことを
受けて負荷への電流供給を停止する。しかし、図示しな
い過熱検出回路ａ４のブロックの負荷がショートし、そ
のブロックの温度が急激に上昇する場合、図示しない過
電流検出回路は過電流を検出し、制御信号によりスイッ
チ回路４をオフする。そして、過熱検出回路ａ４は１５
０℃で過熱検出し、図示しない制御回路は負荷への電流
供給を停止する。このように、負荷がショートして過電
流が検出された場合、制御信号により過熱検出温度が１
６０℃から１５０℃に可変されるので、隣接する過熱検
出回路ａ２〜ａ４が過熱検出回路ａ１のブロックからの
熱伝達によって誤動作することを防止できる。 【００１６】なお、上記した過熱検出回路は、過電流検
出回路からの制御信号によりスイッチ回路４をオン、オ
フするような構成としているが、過電流検出回路に限ら
ず他の動作不具合を検出する回路からの制御信号であっ
てもよい。 【００１７】また、上記した過熱検出回路は、ドライバ
ＩＣ内部の所定のブロック付近に配置された例を用いて
示したが、ドライバＩＣに限ることなく任意のＩＣ、Ｌ
ＳＩであっても良く、また、同一チップ上に限ることな
く任意の場所に配置されてもよい。 【００１８】また、上記した過熱検出回路は、過電流検
出回路ａ４からの制御信号により検出温度を１６０℃か
ら１５０℃に低下させているが、過電流検出回路ａ４が
過熱検出した場合、他の過熱検出回路ａ２〜４の検出温
度を上昇させるようにしてもよい。 【００１９】また、システム要求やフェールセーフ要求
等により、抵抗２０〜２２の抵抗値を適切な値に設定
し、検出温度を任意に設定することが可能である。 【００２０】また、車両においてワイヤーが車両ボデー
等に振動接触したような場合に発生する間欠ショート
（レアショート）を検出してスイッチ回路４をオン、オ
フしてもよい。 【００２１】また、基準電圧発生回路２の抵抗の数とそ
の抵抗と並列接続されたスイッチ回路４の数を追加し
て、複数の制御信号により多数の検出温度を設定するよ
うにしてもよい。 【００２２】なお、上記実施形態では、スイッチング手
段としてスイッチ回路４を示したが、図３、６に示すよ
うにバイポーラトランジスタまたは電界効果トランジス
タで構成されてもよく、この他にフォトカプラ、リレー
等、要するに、制御信号によりスイッチングするもので
あればよい。
路を有する回路装置に関し、例えば複数の過熱検出回路
を有するドライバＩＣ等の半導体集積回路に適用して好
適なものである。 【０００２】 【従来の技術】従来より、大電流の負荷を駆動する手段
としてドライバＩＣがある。この様なドライバＩＣに
は、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタで
構成された複数のブロックが同一チップ上に構成されて
おり、そのブロック毎に過熱検出部が設けられ、過熱検
出時にはそのブロックの機能を停止してドライバＩＣの
過熱破壊を防止するものがある。図５に、従来の過熱検
出回路の回路構成を示す。 【０００３】過熱検出回路は、温度検出部１、基準電圧
発生回路２およびコンパレータ３を有して構成される。
温度検出部１は順方向降下電圧ＶＦが負の温度特性をも
つ図示しない温度検出用ダイオードを有しており、その
順方向降下電圧ＶＦに応じた電圧が出力される。 【０００４】基準電圧発生回路２は、抵抗２０〜２２を
有し、この抵抗２０〜２２は電源電圧ＶＢを分圧してお
り、これによって生成される抵抗２０、２１間の中間電
圧を出力する。 【０００５】コンパレータ３は、温度検出部１の出力電
圧が非反転入力端子に入力され、基準電圧発生回路２の
抵抗２０、２１間の中間電圧（閾値電圧Ｖｔ）が反転入
力端子に入力され、閾値電圧Ｖｔに基づき温度検出部１
の出力電圧を判定する。 【０００６】上記した過熱検出回路において、温度検出
部１の図示しない温度検出用ダイオードはドライバＩＣ
内部の所定のブロック付近に配置される。この温度検出
用ダイオードの順方向降下電圧ＶＦは負の温度特性をも
っており、ドライバＩＣ内部の所定のブロックの温度上
昇に伴い、順方向降下電圧ＶＦが低下し、温度検出部１
の出力電圧が閾値電圧Ｖｔを下回ると、コンパレータ３
の出力が反転する。そして、図示しない制御回路はコン
パレータ３の出力が反転したことを受けて所定のブロッ
クの出力を停止する。なお、検出温度はコンパレータ３
の閾値電圧Ｖｔ、すなわち抵抗２０〜２２の分圧比によ
り決定される。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】過熱検出回路は、ドラ
イバＩＣ内部の所定のブロック毎に配置され過熱検出す
る。図６に、過熱検出回路ｂ１〜ｂ４がドライバＩＣ内
部に隣接して存在する例を示す。この過熱検出回路ｂ１
〜ｂ４は、検出温度がそれぞれ１６０℃に設定されてお
り、過熱検出回路ｂ４が１６０℃以上で過熱検出（異常
動作）すると、過熱検出回路ｂ４のブロックの出力は停
止される。ところが、負荷のショート等により過熱検出
回路ｂ４のブロックの温度上昇が急峻な場合、隣接する
過熱検出回路ｂ１〜ｂ３は検出温度の精度ばらつきによ
り、過熱検出回路ｂ４のブロックからの熱伝達によって
過熱検出し、過熱検出回路ｂ１〜ｂ３のブロックの出力
が停止され誤動作してしまう。 【０００８】本発明は上記問題に鑑みたもので、過熱検
出回路が隣接する過熱検出回路の検出対象からの熱伝達
によって誤動作するのを防止することを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、各過熱検出回路は、複
数の抵抗（２０〜２２）の抵抗分割によって基準電圧を
生成する基準電圧発生手段（２）と、温度検出手段
（１）の出力電圧と基準電圧発生手段（２）によって生
成される基準電圧とを比較する比較手段（３）と、複数
の抵抗（２０〜２２）のうち少なくとも１つの抵抗と並
列接続され、制御信号によってオン、オフされ基準電圧
を可変させるスイッチング手段（４）とを備えている。 【００１０】このように、過熱検出回路が隣接して配置
されされても、制御信号によってスイッチング手段
（４）がオン、オフされ、基準電圧が変化するので過熱
検出回路が隣接する過熱検出回路からの熱伝達によって
誤動作することを防止できる。 【００１１】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。 【００１２】 【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を適用した過
熱検出回路の回路構成を図１に示す。なお、上記した従
来技術と同一部分には、同一符号を付して説明を省略
し、以下異なる部分についてのみ説明する。この第１実
施形態では、基準電圧発生回路２の抵抗２２と並列接続
されたスイッチ回路４を備えた点が異なる。 【００１３】このスイッチ回路４は、図示しない過電流
検出回路からの制御信号によりオン、オフするように構
成されている。ここで、抵抗２０〜２２の抵抗値をＲ２
０〜Ｒ２２とすると、スイッチ回路４がオンの場合、コ
ンパレータ３の反転入力端子に印加される閾値電圧Ｖｔ
は、Ｖｔ＝Ｒ２１×ＶＢ／（Ｒ２０＋Ｒ２１）で表され
る。また、スイッチ回路４がオフの場合、閾値電圧Ｖｔ
は、Ｖｔ＝（Ｒ２１＋Ｒ２２）×ＶＢ／（Ｒ２０＋Ｒ２
１＋Ｒ２２）で表される。このように、制御信号により
コンパレータ３の反転入力端子に印加される閾値電圧Ｖ
ｔを変化させ、過熱検出温度を可変させる。 【００１４】制御信号によりスイッチ回路４がオフされ
ると、コンパレータ３の反転入力端子に印加される閾値
電圧Ｖｔは上昇し、図示しない温度検出用ダイオードの
順方向降下電圧ＶＦは負の温度特性をもつので、過熱検
出温度は低下する。また、スイッチ回路４がオンされる
と、閾値電圧Ｖｔは低下し、過熱検出温度は上昇する。 【００１５】図２に、上記した過熱検出回路ａ１〜ａ４
が隣接した例を示す。この過熱検出回路ａ１〜ａ４の検
出温度は、スイッチ回路４がオンのとき１６０℃で、ス
イッチ回路４がオフのとき１５０℃である。急激な温度
上昇を伴わない通常時は、過熱検出回路ａ１〜ａ４のス
イッチ回路４はオンされ、それぞれ１６０℃で過熱検出
し、コンパレータ３の出力が反転する。そして、図示し
ない制御回路はコンパレータ３の出力が反転したことを
受けて負荷への電流供給を停止する。しかし、図示しな
い過熱検出回路ａ４のブロックの負荷がショートし、そ
のブロックの温度が急激に上昇する場合、図示しない過
電流検出回路は過電流を検出し、制御信号によりスイッ
チ回路４をオフする。そして、過熱検出回路ａ４は１５
０℃で過熱検出し、図示しない制御回路は負荷への電流
供給を停止する。このように、負荷がショートして過電
流が検出された場合、制御信号により過熱検出温度が１
６０℃から１５０℃に可変されるので、隣接する過熱検
出回路ａ２〜ａ４が過熱検出回路ａ１のブロックからの
熱伝達によって誤動作することを防止できる。 【００１６】なお、上記した過熱検出回路は、過電流検
出回路からの制御信号によりスイッチ回路４をオン、オ
フするような構成としているが、過電流検出回路に限ら
ず他の動作不具合を検出する回路からの制御信号であっ
てもよい。 【００１７】また、上記した過熱検出回路は、ドライバ
ＩＣ内部の所定のブロック付近に配置された例を用いて
示したが、ドライバＩＣに限ることなく任意のＩＣ、Ｌ
ＳＩであっても良く、また、同一チップ上に限ることな
く任意の場所に配置されてもよい。 【００１８】また、上記した過熱検出回路は、過電流検
出回路ａ４からの制御信号により検出温度を１６０℃か
ら１５０℃に低下させているが、過電流検出回路ａ４が
過熱検出した場合、他の過熱検出回路ａ２〜４の検出温
度を上昇させるようにしてもよい。 【００１９】また、システム要求やフェールセーフ要求
等により、抵抗２０〜２２の抵抗値を適切な値に設定
し、検出温度を任意に設定することが可能である。 【００２０】また、車両においてワイヤーが車両ボデー
等に振動接触したような場合に発生する間欠ショート
（レアショート）を検出してスイッチ回路４をオン、オ
フしてもよい。 【００２１】また、基準電圧発生回路２の抵抗の数とそ
の抵抗と並列接続されたスイッチ回路４の数を追加し
て、複数の制御信号により多数の検出温度を設定するよ
うにしてもよい。 【００２２】なお、上記実施形態では、スイッチング手
段としてスイッチ回路４を示したが、図３、６に示すよ
うにバイポーラトランジスタまたは電界効果トランジス
タで構成されてもよく、この他にフォトカプラ、リレー
等、要するに、制御信号によりスイッチングするもので
あればよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における過熱検出回路の
回路構成を示す図である。 【図２】本実施形態の過熱検出回路ａ１〜ａ４が隣接し
た例を示す図である。 【図３】スイッチ回路４をバイポーラトランジスタで構
成した例を示す図である。 【図４】スイッチ回路４を電界効果トランジスタで構成
した例を示す図である。 【図５】従来の過熱検出回路の回路構成の一例を示す図
である。 【図６】従来の技術の過熱検出回路ｂ１〜ｂ４が隣接し
た例を示す図である。 【符号の説明】 １・・・温度検出部、２・・・基準電圧発生回路、３・・・コン
パレータ、４・・・スイッチ回路、２０〜２２・・・抵抗。
回路構成を示す図である。 【図２】本実施形態の過熱検出回路ａ１〜ａ４が隣接し
た例を示す図である。 【図３】スイッチ回路４をバイポーラトランジスタで構
成した例を示す図である。 【図４】スイッチ回路４を電界効果トランジスタで構成
した例を示す図である。 【図５】従来の過熱検出回路の回路構成の一例を示す図
である。 【図６】従来の技術の過熱検出回路ｂ１〜ｂ４が隣接し
た例を示す図である。 【符号の説明】 １・・・温度検出部、２・・・基準電圧発生回路、３・・・コン
パレータ、４・・・スイッチ回路、２０〜２２・・・抵抗。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F038 AV13 AZ08 BB05 BH19 EZ20
5J055 AX15 BX45 DX27 EY01 EY17
EY21 EZ00 EZ09 FX06 FX12
FX17 FX35 FX36 GX01
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 複数の過熱検出回路が互いに隣接して配
置されてなる回路装置において、 前記複数の過熱検出回路のそれぞれは、 温度変化に応じて出力電圧が変化する温度検出手段
（１）と、 複数の抵抗（２０〜２２）の抵抗分割によって基準電圧
を生成する基準電圧発生手段（２）と、 前記温度検出手段（１）の出力電圧と前記基準電圧発生
手段（２）によって生成される基準電圧とを比較する比
較手段（３）と、 前記複数の抵抗（２０〜２２）のうち少なくとも１つの
抵抗と並列接続され、制御信号によってオン、オフされ
前記基準電圧を可変させるスイッチング手段（４）とを
備えていることを特徴とする、複数の過熱検出回路を有
する回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002095520A JP3818197B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 複数の過熱検出回路を有する回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002095520A JP3818197B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 複数の過熱検出回路を有する回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297929A true JP2003297929A (ja) | 2003-10-17 |
| JP3818197B2 JP3818197B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=29387244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002095520A Expired - Fee Related JP3818197B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 複数の過熱検出回路を有する回路装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3818197B2 (ja) |
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
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| US7106127B2 (en) | 2002-08-09 | 2006-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Temperature sensor and method for detecting trip temperature of a temperature sensor |
| US7315792B2 (en) | 2004-06-14 | 2008-01-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Temperature detector providing multiple detected temperature points using single branch and method of detecting shifted temperature |
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| KR20210062915A (ko) * | 2019-11-22 | 2021-06-01 | 현대오트론 주식회사 | 부하 전류 모니터링 장치 및 방법 |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002095520A patent/JP3818197B2/ja not_active Expired - Fee Related
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