JP2003284332A - 自励式回生回路 - Google Patents

自励式回生回路

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JP2003284332A
JP2003284332A JP2002085694A JP2002085694A JP2003284332A JP 2003284332 A JP2003284332 A JP 2003284332A JP 2002085694 A JP2002085694 A JP 2002085694A JP 2002085694 A JP2002085694 A JP 2002085694A JP 2003284332 A JP2003284332 A JP 2003284332A
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Nobuyuki Inoue
信之 井上
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Abstract

(57)【要約】 【課題】入力電圧にしたがって回生電流を帰還する自励
式の回生回路を提供する。また、回生電流が過大に大き
くなることが防止できる。 【解決手段】自励式の回生回路において、入力端子から
出力端子側に電流を回生する電流回生用トランジスタQ
51と、電流回生用トランジスタQ51のオン・オフを
制御し、入力端子の入力電圧Vinと所定の基準電圧Vref
とを比較し、当該入力電圧Vinが基準電圧Vrefを超える
時に導通して電流回生用トランジスタQ51を駆動する
駆動トランジスタQ52を有する回生制御回路とを有
し、入力電圧Vinのレベルに応じて電流を回生する。入
力電圧が所定の基準電圧を超える時に電流回生用トラン
ジスタを導通させることで、自励式の回生回路を提供す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁駆動装置やモ
ータなどのコイルを駆動する駆動回路において利用され
る自励式回生回路に関し、特に、過大な回生電流の発生
を抑えることができる自励式回生回路に関する。
【0002】
【従来の技術】プリンタの1つであるインパクトドット
プリンタは、電磁石の磁気吸引力によって印字ワイヤを
駆動し、プラテン上に配置された印刷媒体とインクリボ
ンに印字ワイヤを衝突させて印刷を行う。このような印
字ワイヤを駆動するためにプリンタヘッドに電磁駆動装
置が設けられ、かかる電磁駆動装置は、内蔵するコイル
に電流を流すことで印字ワイヤをプラテンに衝突させ、
その電流をオフにすることで印字ワイヤを元の状態に戻
す。インパクトドットプリンタは、複数の印字ワイヤそ
れぞれに対して、印字ワイヤを移動させるための電磁駆
動装置が設けられる。
【0003】従って、印字ワイヤをプラテンに衝突させ
るためには、電磁駆動装置のコイルに駆動電流を供給
し、元に戻すためには駆動電流をオフにする制御を行
う。その場合、コイルへの駆動電流をオフにする時に、
コイルに蓄積されたエネルギーを放出する必要がある
が、かかるエネルギーを無駄に放出すると、消費電力の
増大を招き、更にそれに伴って発生する熱を放熱するた
めの放熱板機構が必要になる。
【0004】図1は、上記の問題を解決するために、本
出願人が提案した回生回路を備えたヘッド駆動回路の図
である。このヘッド駆動回路は、例えば、特開平200
1−187465号公報に開示されている。電磁駆動装
置内のコイルLpに駆動電流を供給するトランジスタQ
1が設けられている。この駆動トランジスタQ1は、制
御回路10によりオン・オフ制御される。また、コイル
Lpには、駆動電源Vdが接続され、その駆動電源Vd
にはエネルギー回生用のコンデンサCdが接続されてい
る。
【0005】かかるコイル駆動回路に対して、エネルギ
ーを回生するための回生回路12が設けられている。回
生回路12は、コイルLpと駆動トランジスタQ1との
接続点n1に接続された整流素子である第1のダイオー
ドD1と、平滑コンデンサCinと、電流回生用トランジ
スタQ51と、その電流回生用トランジスタQ51を駆
動して回生を制御する回路14と、インダクタンスL5
1と、平滑コンデンサCoutと、整流素子としての第2の
ダイオードD2とを有する。回生制御回路14には、回
生回路12の入力電圧Vinを抵抗分割する抵抗R1とR
2の接続点が入力される。また、インダクタンスL51
には、電流回生用トランジスタQ51がオフの時にイン
ダクタンスL51のエネルギーを平滑コンデンサCoutに
還流させるためのダイオードD55が設けられる。
【0006】上記の回生回路の動作について以下に説明
する。印字ワイヤを駆動するために、駆動トランジスタ
Q1を導通させて駆動電源Vdから駆動電流をコイルL
pに供給する。その後、駆動トランジスタQ1が非導通
になり駆動電流がオフにされると、コイルLpの逆起電
力によりノードn1には高い電圧が発生する。それに伴
い、ダイオードD1を介して回生回路の入力電圧Vinも
高電圧になる。回生制御回路14が電流回生用トランジ
スタQ51にベース電流を供給して導通させることで、
電流iがインダクタンスL51とダイオードD2を介し
て、駆動電源Vdに接続された回生用コンデンサCdに
還流される。トランジスタQ51がオフになった後は、
インダクタンスL51に蓄積されたエネルギーがダイオ
ードD55を介して平滑コンデンサCout側に還流する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記の特開平2001
−187465号公報には、回生制御回路14の具体的
な回路構成は示されていない。一般的には、かかる回生
制御回路14は、何らかのトリガ信号に応答してトラン
ジスタQ51をオン・オフ制御する集積回路が利用可能
である。しかし、そのような他励式の集積回路を利用す
ると、コスト増を招き好ましくない。
【0008】また、電流回生用トランジスタQ51が導
通した時に、電流iをインダクタンスL51を介して回
生するが、この回生電流iはインダクタンスL51を流
れるので、急激に増加し、大電流になることが予想され
る。そのため、電流回生用トランジスタQ51のトラン
ジスタサイズを大きなものにして、予想される大電流を
吸収することができるようにすることが必要になる。そ
のようなサイズの大きなトランジスタを採用すること
は、回生回路のサイズを大きくしてコンパクト化の弊害
になるばかりでなく、コスト増大を招くことになる。
【0009】そこで、本発明の目的は、自励式の回生回
路を提供することにある。更に、本発明の別の目的は、
回生電流を所定値に抑えることができる自励式の回生回
路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の一つの側面は、自励式の回生回路におい
て、入力端子から出力端子側に電流を回生する電流回生
用トランジスタと、前記電流回生用トランジスタのオン
・オフを制御し、前記入力端子の入力電圧と所定の基準
電圧とを比較し、当該入力電圧が基準電圧を超える時に
導通して前記電流回生用トランジスタを駆動する駆動ト
ランジスタを有する回生制御回路とを有し、入力電圧の
レベルに応じて電流を回生することを特徴とする。
【0011】上記の発明の側面によれば、入力電圧が所
定の基準電圧を超える時に電流回生用トランジスタを導
通させることで、自励式の回生回路を提供することがで
きる。
【0012】上記の発明の好ましい実施例では、更に、
前記電流回生用トランジスタが導通状態の時の回生電流
が所定値を越える時に導通して、当該回生電流を分岐す
る分岐用トランジスタを有する。この分岐用トランジス
タを設けることにより、電流回生用トランジスタに多大
な回生電流が流れることを防止することができる。
【0013】更に、上記の発明の別の好ましい実施例で
は、更に、前記電流回生用トランジスタが導通状態の時
の回生電流が所定値を越える時に導通して、当該回生用
トランジスタを非導通状態に制御する遮断用トランジス
タを有する。この遮断用トランジスタを設けることによ
り、電流回生用トランジスタに多大な回生電流が流れる
ことを防止することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態例を説明する。しかしながら、本発明の保護範
囲は、かかる実施の形態例に限定されるものではなく、
特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及
ぶものである。
【0015】図2は、第1の実施の形態における自励式
の回生回路を使用したヘッド駆動回路の図である。ま
た、図5は、その動作波形図である。図2の回生回路で
は、入力端子と出力端子との間にPNP型の電流回生用
トランジスタQ51と、インダクタンス素子L51とが
設けられている。また、入力端子Vinには入力側の平滑
コンデンサCinが、出力端子Voutには出力側の平滑コン
デンサCoutが設けられている。
【0016】更に、電流回生用トランジスタQ51を駆
動する駆動トランジスタQ52が、トランジスタQ51
のベースに接続されている。駆動トランジスタQ52の
エミッタには、ダイオードD60が接続され、グランド
GNDとの間には抵抗R89が設けられている。従って、
トランジスタQ52とダイオードD60とで電流スイッ
チが構成され、ダイオードD60のアノード側には基準
電圧Vrefが接続されている。従って、トランジスタQ5
2のベースノードn2が基準電圧Vrefを越えると、駆動
トランジスタQ52が導通して電流回生用トランジスタ
Q51にベース電流を供給して、導通制御する。逆に、
ベースノードn2が基準電圧Vrefより低くなると、駆動
トランジスタQ52は非導通になり、ベース電流の供給
を停止する。
【0017】ベースノードn2は、入力端子Vinとグラ
ンド間に設けられたツェナーダイオードZD51と抵抗
R88、R87からなる回路の抵抗R88,R89の接
続点に接続され、入力電圧Vinからツェナーダイオード
ZD51の逆方向電圧だけ低い電圧を、両抵抗R89,
R87で抵抗分割した電圧が、ベースノードn2に印加
される。また、ベースノードn2は、帰還抵抗R95を
介してノードn4に接続されている。
【0018】この回生回路の動作は次の通りである。ま
ず、印字ワイヤを駆動するために駆動トランジスタQ1
が導通されて、コイルLpに駆動電流が供給される。そ
の後、駆動トランジスタQ1がオフになると、コイルL
p内に蓄積されたエネルギーにより、ノードn1の電圧
が上昇し、それに伴って回生回路12の入力電圧Vinも
上昇する。この入力電圧Vinの上昇に応じて、ノードn
2の電圧も上昇し、ノードn3の基準電圧Vrefを越える
と、トランジスタQ52が導通し、電流回生用トランジ
スタQ51が導通し、回生電流If1がトランジスタQ
51を介して流れ、帰還ダイオードD2を介して、回生
コンデンサCdに帰還される。
【0019】図5は、かかる回生電流If1が発生した
時の波形図である。入力電圧Vinの上昇に応答して制御
トランジスタQ52が導通して電流回生用トランジスタ
Q51を導通させ、回生電流If1が発生する。この回
生電流の発生に対してインダクタンスL51の逆起電力
作用により、ノードn4が急激に上昇し、帰還抵抗R9
5を介してノードn2の電圧が引き上げられ、制御トラ
ンジスタQ52はより深く導通して、電流回生用トラン
ジスタQ51をより深く導通させる。
【0020】回生電流がインダクタンスL51を介して
回生コンデンサCdに帰還されると、入力電圧Vinが低
下し、所定のレベルに低下すると駆動トランジスタQ5
2がオフして、電流回生用トランジスタQ51もオフと
なり、回生電流If1はなくなる。回生電流がなくなる
と、インダクタンスL51の逆起電力作用により、貯え
られたエネルギーが、ダイオードD55を介して出力側
の平滑コンデンサCoutに還流され、ノードn4は、グラ
ンドからダイオードD55の順方向電圧だけ低いクラン
プレベルまで低下する。このノードn4の低下が、帰還
抵抗R95を介してノードn2に伝えられ、制御トラン
ジスタQ52がより深くオフし、電流回生用トランジス
タQ51を確実にオフにする。その後、入力電圧Vin
は、駆動トランジスタQ1のオフ動作により再度上昇す
る。
【0021】以上のように、コイルLpを駆動する制御
トランジスタQ1がオンからオフになるたびに、回生回
路により回生電流が回生用コンデンサCdに帰還される
ので、コイルLpに貯えられたエネルギーを有効に利用
することができる。
【0022】このように、制御トランジスタQ52とダ
イオードD60と基準電圧Vrefとで構成される回生制御
回路により、入力電圧Vinが所定の基準電圧を超えたと
きに、電流回生用トランジスタQ51が導通するように
制御され、基準電圧より低下すると非導通に制御され
る。従って、回生回路12は自励式で動作可能であり、
電流回生用トランジスタに他励式の制御回路を設けるよ
りも、コストを下げることができる。
【0023】上記第1の実施の形態では、電流回生用ト
ランジスタQ51の導通が、入力電圧Vinの電圧リップ
ルにより制御される。つまり、入力電圧Vinが一定にな
るように電流回生用トランジスタQ51がオン・オフ制
御され、入力側のエネルギーを回生している。従って、
入力電圧Vinのリップルの傾きに依存して電流回生用ト
ランジスタQ51の導通期間が決まる。この電流回生用
トランジスタQ51の導通期間が長くなると、回生電流
If1が過剰に大きくなり、トランジスタQ51を破壊
に至らしめることが予想される。このような破壊を回避
するためには、電流回生用トランジスタQ51を大きな
サイズのものにすることが必要になり、コスト高を招く
ことになる。
【0024】図3は、第2の実施の形態における自励式
の回生回路を使用したヘッド駆動回路の図である。ま
た、この回生回路の動作は、図5に破線で示される。図
3の回生回路は、図2の回生回路に、回生電流を一部分
岐するための分岐用トランジスタQ57と、回生電流I
f2が所定値を越える時に分岐用トランジスタQ57を
導通させるための抵抗R90とを追加した構成を有す
る。それ以外は、図2と同じである。
【0025】図2の回生回路では、電流回生用トランジ
スタQ51の導通を、入力電圧Vinのリップルに依存し
て制御している。従って、リップルの傾きが緩やかにな
ると、電流回生用トランジスタQ51の導通期間が長く
なり、それに伴い、回生電流が高くなりすぎるという問
題がある。図3の回生回路では、分岐用トランジスタQ
57を設けているので、回生電流If2が所定値以上に
なると、抵抗R90に分岐用トランジスタQ57のベー
ス・エミッタ間電圧以上の電圧が発生し、分岐用トラン
ジスタQ57が導通し、回生電流If2の一部を、トラ
ンジスタQ57、トランジスタQ52、抵抗R89を介
してグランドに分岐する。この分岐用トランジスタQ5
7は、回生電流If2が大きくなると導通し、回生電流
If2が小さくなると非導通になるので、回生電流If
2は所定のレベルにクランプされるようバランスする。
即ち、図5の破線に示す通りである。
【0026】このように、第2の実施の形態では、電流
回生用トランジスタQ51は、入力電圧Vinのリップル
に依存して導通・非導通制御されるが、その導通期間中
の回生電流If2が所定のレベルにクランプされる。従
って、電流回生用トランジスタQ51のサイズを所定の
サイズ以下にすることができ、コストダウンを図ること
ができる。
【0027】図4は、第3の実施の形態例における自励
式の回生回路を使用したヘッド駆動回路の図である。図
4の回生回路は、図2の回生回路に加えて、電流回生用
トランジスタQ51が導通状態の時の回生電流If3が
所定値を越える時に導通して、電流回生用トランジスタ
Q51を非導通状態に制御する遮断用トランジスタQ5
3と、その遮断用トランジスタQ53を制御するための
回路として、抵抗R90、R92とキャパシタC62と
ダイオードD59とを有する。それ以外の構成は、図2
の回生回路と同じである。
【0028】図4の回生回路も、電流回生用トランジス
タQ51の導通期間が長くなって回生電流If3が大き
くなりすぎることを防止するものであり、駆動トランジ
スタQ52が導通して電流回生用トランジスタQ51を
導通状態に制御しようとする期間において、回生電流が
所定値を越えると遮断トランジスタQ5が導通して、電
流回生用トランジスタQ51のベース・エミッタ間を短
絡し、同トランジスタを非導通状態にする。所定期間の
間電流回生用トランジスタQ51を非導通状態に維持し
た後、再度、導通状態に戻す。従って、この実施例で
は、電流回生用トランジスタQ51が間欠的に導通を繰
り返す。つまり、回生電流If3は、図5に一点鎖線で
示される通りである。
【0029】上記遮断用トランジスタQ53の動作を詳
細に説明する。コイルLpへの駆動電流がオフになる
と、その逆起電力によりノードn1の電圧が上昇し、回
生回路の入力電圧Vinが上昇する。それに伴い、ノード
n2も上昇して基準電圧Vrefに達すると、制御トランジ
スタQ52が導通状態に遷移し、電流回生トランジスタ
Q51を導通状態にする。これに伴い、ノードn4の電
圧が上昇することで、帰還抵抗R95を介してノードn
2が上昇し、駆動トランジスタQ52がより深くオン
し、電流回生用トランジスタQ51もより深くオンす
る。
【0030】しかし、回生電流If3が所定値を越える
レベルになると、電流回生用トランジスタQ51のエミ
ッタ・コレクタ間電圧が十分に大きくなり、入力端子Vi
nとノードn4との間の電圧差が大きくなる。それに伴
い、遮断用トランジスタQ53のエミッタ・ベース、抵
抗R90を介して、キャパシタC62を充電する充電電
流が発生し、遮断用トランジスタQ53を導通させる。
この遮断用トランジスタQ53の導通により、電流回生
用トランジスタQ51のエミッタ・ベース間が短絡さ
れ、非導通状態になる。
【0031】上記の遮断用トランジスタQ53が導通す
る期間は、抵抗R90とキャパシタC62の時定数に依
存する。キャパシタC62への充電が完了すると、遮断
用トランジスタQ53は非導通になり、電流回生用トラ
ンジスタQ51が再度導通状態になる。それに伴い、キ
ャパシタC62から放電電流がダイオードD59からト
ランジスタQ51を介して流れる。
【0032】以上の通り、制御トランジスタQ52が導
通状態になって電流回生用トランジスタQ51を導通状
態に制御している期間において、遮断用トランジスタQ
53が間欠的に電流回生用トランジスタQ51をオン・
オフ制御するので、電流回生用トランジスタQ51が深
くオンする期間が制限され、回生電流If3が大きくな
りすぎることが防止される。
【0033】図6は、別の自励式回生回路を示す図であ
る。図2,3,4に示した回生回路は、駆動トランジス
タQ52と電流スイッチを構成するダイオードのアノー
ド端子に、基準電圧Vrefを直接接続している。しかし、
基準電圧を発生する回路の構成によっては、生成される
基準電圧にリップルが発生する場合がある。そこで、図
6の回生回路では、制御トランジスタQ52とそのエミ
ッタに共通接続されるトランジスタQ54とで、電流ス
イッチを構成し、トランジスタQ54のベースに、基準
電圧VrefとツェナーダイオードZD52と抵抗R96と
で生成される基準ノードn3を接続する。この構成にす
ることにより、基準電圧Vrefにリップルが発生しても、
ノードn3の電圧レベルは、ツェナーダイオードZD5
2の逆方向電圧に安定するので、制御トランジスタQ5
2のオン・オフ精度を高くすることができる。
【0034】図6のトランジスタQ54、抵抗R96、
ツェナーダイオードZD52、および基準電圧Vrefから
なる構成は、図2、図3、図4のいずれの回生回路にも
適用可能である。
【0035】上記の実施の形態では、自励式の回生回路
をインパクトドットプリンタのワイヤ駆動回路に利用し
た例で説明した。しかしながら、上記の回生回路は、他
の駆動回路にも適用することができる。例えば、コイル
を内蔵するモータの駆動回路などにも適用可能である。
【0036】
【発明の効果】以上、本発明によれば、入力電圧にした
がって回生電流を帰還する自励式の回生回路を提供する
ことができる。また、回生電流が過大に大きくなること
が防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の回生回路を備えたヘッド駆動回路の図で
ある。
【図2】第1の実施の形態における自励式の回生回路を
使用したヘッド駆動回路の図である。
【図3】第2の実施の形態例における自励式の回生回路
を使用したヘッド駆動回路の図である。
【図4】第3の実施の形態例における自励式の回生回路
を使用したヘッド駆動回路の図である。
【図5】自励式の回生回路の動作波形を示す図である。
【図6】別の自励式回生回路を示す図である。
【符号の説明】
Q51 電流回生用トランジスタ Q52 駆動トランジスタ Vin 入力電圧、入力端子 Vout 出力電圧、出力端子 Q57 分岐用トランジスタ Q53 遮断用トランジスタ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】自励式の回生回路において、 入力端子から出力端子側に電流を回生する電流回生用ト
    ランジスタと、 前記電流回生用トランジスタのオン・オフを制御し、前
    記入力端子の入力電圧と所定の基準電圧とを比較し、当
    該入力電圧が前記基準電圧を超える時に導通して前記電
    流回生用トランジスタを駆動する駆動トランジスタを有
    する回生制御回路とを有し、 前記入力電圧のレベルに応じて電流を回生することを特
    徴とすることを特徴とする自励式回生回路。
  2. 【請求項2】請求項1において、 更に、前記電流回生用トランジスタが導通状態の時の回
    生電流が所定値を越える時に導通して、当該回生電流を
    分岐する分岐用トランジスタを有することを特徴とする
    自励式回生回路。
  3. 【請求項3】請求項2において、 前記分岐用トランジスタは、エミッタとコレクタが、前
    記電流回生用トランジスタのエミッタ・ベース間に接続
    され、更に、前記分岐用トランジスタのエミッタとベー
    スが、前記電流回生用トランジスタの回生電流経路上に
    設けた抵抗の両側に接続されていることを特徴とする自
    励式回生回路。
  4. 【請求項4】請求項1において、 更に、前記電流回生用トランジスタが導通状態の時の回
    生電流が所定値を越える時に導通して、当該回生用トラ
    ンジスタを非導通状態に制御する遮断用トランジスタを
    有することを特徴とする自励式回生回路。
  5. 【請求項5】請求項4において、 前記電流回生用トランジスタが導通した時に、前記遮断
    用トランジスタに所定期間ベース電流を供給するベース
    電流供給回路を有することを特徴とする自励式回生回
    路。
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Cited By (5)

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