JP2008079352A - Dc−dcコンバータ - Google Patents
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Abstract
【課題】損失低減を図ったDC−DCコンバータにおいて、使用するコンデンサおよびインダクタの個数を削減した回路構成のDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】DC−DCコンバータは、一次電源電圧V1からインダクタL1に蓄積された電磁エネルギを二次電源電圧V2へ放出するトランジスタQ2と、一端子が第1接続点Xに接続されるインダクタL2と、トランジスタQ2の導通に先立って導通し一端子がインダクタL2の他端子に接続されるトランジスタQ4と、一端子が第1接続点Xに接続されるコンデンサC4と、コンデンサC4の他端子とインダクタL2の他端子との間に接続され、インダクタ電流IL2の電流方向を順方向とする整流回路11と、インダクタL1からインダクタL2に蓄積された電磁エネルギを、二次電源電圧V2へ放出する経路を順方向として接続されるダイオードD8とを備えている。
【選択図】図1
【解決手段】DC−DCコンバータは、一次電源電圧V1からインダクタL1に蓄積された電磁エネルギを二次電源電圧V2へ放出するトランジスタQ2と、一端子が第1接続点Xに接続されるインダクタL2と、トランジスタQ2の導通に先立って導通し一端子がインダクタL2の他端子に接続されるトランジスタQ4と、一端子が第1接続点Xに接続されるコンデンサC4と、コンデンサC4の他端子とインダクタL2の他端子との間に接続され、インダクタ電流IL2の電流方向を順方向とする整流回路11と、インダクタL1からインダクタL2に蓄積された電磁エネルギを、二次電源電圧V2へ放出する経路を順方向として接続されるダイオードD8とを備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、DC−DCコンバータに関するものであり、特に、損失低減を図ったDC−DCコンバータに関するものである。
図20に示すように、非特許文献1に開示されているDC−DCコンバータ100は、低圧電源V101から昇圧して高圧電源V102に電力を供給することも、高圧電源V102から降圧して低圧電源V101に電力を供給することも可能な昇降圧DC−DCコンバータである。
低圧電源V101から昇圧して高圧電源V102に電力を供給する場合には、トランジスタQ102が導通されることで、低圧電源V101からの電流がインダクタL101に流れ込み、インダクタL101に電磁エネルギが蓄積される。その後、トランジスタQ102が非導通にされると、インダクタL101に蓄積された電磁エネルギは、ダイオードD101を介して高圧電源V102に電力として放出される。なお、トランジスタQ102が導通されるのに先立ち、トランジスタQ104が導通されて、インダクタL104およびトランジスタQ104を電流経路とする補助電流経路が形成される。これにより、トランジスタQ102のソフトスイッチングがなされる。そしてトランジスタQ104が非導通とされ補助電流経路が遮断されると、ダイオードD104が導通し、インダクタL104の電流によってコンデンサC104が充電される。
一方、高圧電源V102から降圧して低圧電源V101に電力を供給する場合には、トランジスタQ101が導通されることで、高圧電源V102からの電流がインダクタL101に流れ込み、インダクタL101に電磁エネルギが蓄積される。その後、トランジスタQ101が非導通にされると、インダクタL101に蓄積された電磁エネルギは、ダイオードD102を介して低圧電源V101に電力として放出される。なお、トランジスタQ101が導通されるのに先立ち、トランジスタQ103が導通されて、インダクタL103およびトランジスタQ103を電流経路とする補助電流経路が形成される。これにより、トランジスタQ101のソフトスイッチングがなされる。そしてトランジスタQ103が非導通とされ補助電流経路が遮断されると、ダイオードD103が導通し、インダクタL103の電流によってコンデンサC103が充電される。
なお、その他の関連技術として、特許文献1および特許文献2に開示されているDC−DCコンバータがある。
信学技報 EE2002−41 特開平7−241071
特開平7−241072
信学技報 EE2002−41
しかしながら、非特許文献1のDC−DCコンバータ100では、主インダクタであるインダクタL101に付随してコンデンサC103およびC104といった2つのコンデンサが必要とされる。このためDC−DCコンバータの回路規模の増大や、コスト増大や、信頼性の低下などが発生するため問題となる。またインダクタL101に付随してインダクタL103およびインダクタL104といった2つの補助インダクタが必要とされる。このため、インダクタ自体の面積およびインダクタの発熱を放熱する冷却フィンや冷却ファンなどの機器の面積がDC−DCコンバータの多くの部分を占めることとなり、DC−DCコンバータの小型化を図る場合に問題となる。
本発明は、前記背景技術の問題点に鑑みなされたものであり、損失低減を図ったDC−DCコンバータにおいて、使用するコンデンサの個数およびインダクタの個数を削減した回路構成のDC−DCコンバータを提供することを目的とする。
その解決手段は、一端子が低圧電源端子に接続されてなる第1インダクタの他端子に接続され、投入電流により第1インダクタに電磁エネルギを蓄積する際に導通する第1スイッチング素子を備える非絶縁型DC−DCコンバータであって、第1インダクタと第1スイッチング素子との第1接続点に一端子が接続され、低圧電源端子と高圧電源端子のうち一方から第1インダクタに蓄積された電磁エネルギを低圧電源端子と高圧電源端子のうち他方へ放出する第2スイッチング素子と、一端子が第1接続点に接続される第2インダクタと、第1スイッチング素子の導通に先立って導通し、一端子が第2インダクタの他端子に接続される第3スイッチング素子と、一端子が第1接続点に接続されるコンデンサと、コンデンサの他端子と第2インダクタの他端子との間に接続され、第2インダクタに流れる電流方向を順方向とする整流回路と、第1インダクタと高圧電源端子のうち一方から第2インダクタに蓄積された電磁エネルギを、第1インダクタと高圧電源端子のうち他方へ放出する経路を順方向として接続される整流素子とを備えることを特徴とするDC−DCコンバータである。
本発明のDC−DCコンバータでは、第1スイッチング素子の導通による投入電流により、低圧電源端子と高圧電源端子のうち一方から第1インダクタに電磁エネルギが蓄積され、蓄積された電磁エネルギは低圧電源端子と高圧電源端子のうち他方へ放出される。このとき、第1スイッチング素子と第2スイッチング素子とが共に導通する期間がないように、共に非導通となる期間が設けられている。
第1スイッチング素子の導通において、その導通に先立ち、第3スイッチング素子が導通することにより、投入電流に比して大きな電流を流す補助電流経路が形成される。これにより第1スイッチング素子の電流経路端子間の印加電圧が僅少となるため、第1スイッチング素子は、電流経路端子間の電圧差が僅少な状態で導通される。
また整流回路は、第2インダクタとコンデンサとの間に、第2インダクタに流れる電流方向を順方向として接続されている。よって、第3スイッチング素子を非導通として補助電流経路が遮断されると、整流回路が導通し、第2インダクタの電流は整流回路を介してコンデンサに対し充電を開始する。そしてコンデンサの他端子の電位が高電圧電源の電位を上回るか基準端子の電位を下回ると、整流素子が導通し、インダクタL2に蓄えられた磁気エネルギの一部が高圧電源または第1インダクタに戻される。すなわち、補助電流経路を介して第1インダクタと高圧電源のうち一方から第2インダクタに蓄積された磁気エネルギのうち一部は、整流素子を介して、第1インダクタと高圧電源のうち他方へ戻される。
以上より本発明では、スイッチング損失を低減したDC−DCコンバータを、コンデンサ一つおよび第2インダクタ一つで構成することができる。
また、第1スイッチング素子および第3スイッチング素子の一端子は基準端子に接続され、高圧電源端子には低圧電源端子の電圧に対して昇圧された電圧が供給されることを特徴とする請求項1に記載のDC−DCコンバータとするとよい。
本発明のDC−DCコンバータでは、第1スイッチング素子および第3スイッチング素子の一端子が基準端子に接続されれば、高圧電源端子には、低圧電源端子の電圧に対して昇圧された電圧が供給される。これにより、スイッチング損失の低減された昇圧コンバータを構成することができる。
また、第1スイッチング素子および第3スイッチング素子の一端子は高圧電源端子に接続され、低圧電源端子には高圧電源端子の電圧に対して降圧された電圧が供給されることを特徴とする請求項1に記載のDC−DCコンバータとするとよい。
本発明のDC−DCコンバータでは、第1スイッチング素子および第3スイッチング素子の一端子が高圧電源端子に接続されれば、低圧電源端子には、高圧電源端子の電圧に対して降圧された電圧が供給される。これにより、スイッチング損失の低減された降圧コンバータを構成することができる。
また、低圧電源端子に一端子が接続される主インダクタと、高圧電源端子と基準端子との間に直列に接続される上方スイッチング素子および下方スイッチンング素子とを備え、上方および下方スイッチング素子の第1接続点に主インダクタの他端子が接続されてなるDC−DCコンバータであって、一端子が、第1接続点に接続される補助インダクタと、DC−DCコンバータが降圧動作を行う場合において、上方スイッチング素子の導通に先立って導通し、一端子が補助インダクタの他端子に接続され他端子が高圧電源端子に接続される第1補助スイッチング素子と、DC−DCコンバータが昇圧動作を行う場合において、下方スイッチング素子の導通に先立って導通し、一端子が補助インダクタの他端子に接続され他端子が基準端子に接続される第2補助スイッチング素子と、一端子が第1接続点に接続されるコンデンサと、コンデンサの他端子と補助インダクタの他端子との間に接続され、DC−DCコンバータが降圧動作を行う場合には補助インダクタの他端子から第1接続点に向う方向を順方向とし、DC−DCコンバータが昇圧動作を行う場合には第1接続点から補助インダクタの他端子に向う方向を順方向とする整流回路と、基準端子からコンデンサの他端子に向う経路を順方向として、基準端子とコンデンサの他端子との間に接続される第1ダイオードと、コンデンサの他端子から高圧電源端子に向う経路を順方向として、コンデンサの他端子と高圧電源端子との間に接続される第2ダイオードとを備えることを特徴とするDC−DCコンバータとするとよい。
本発明のDC−DCコンバータは、昇圧動作と降圧動作との両方の動作が可能とされる。まず、降圧動作が行われる場合を説明する。この場合、整流回路は、補助インダクタの他端子から第1接続点に向う方向が順方向とされる。そして、上方スイッチング素子の導通により高圧電源端子から主インダクタに投入電流が流れ磁気エネルギが蓄積され、蓄積された磁気エネルギは、下方スイッチング素子の導通に伴い低圧電源端子に放出される。
上方スイッチング素子の導通において、その導通に先立ち、第1補助スイッチング素子が導通することにより、投入電流に比して大きな電流を流す補助電流経路が補助インダクタを介して形成される。このとき補助インダクタには、補助インダクタの他端子から第1接続点に向う方向の電流が流れる。これにより上方スイッチング素子は、電流経路端子間の電圧差が僅少な状態で導通される。
そして第1補助スイッチング素子を非導通として補助電流経路が遮断されると、整流回路が導通し、補助インダクタの電流は整流回路を介してコンデンサに対し充電を開始するため、コンデンサの他端子側の端子電圧が下降し始める。これにより補助インダクタから放出されるエネルギが、整流回路を介してコンデンサに蓄積される。そしてコンデンサの他端子の電位が基準端子の電位を下回ると、第1ダイオードが導通し、補助インダクタに蓄えられた磁気エネルギの一部が主インダクタに戻される。
次に、昇圧動作が行われる場合を説明する。この場合、整流回路は、第1接続点から補助インダクタの他端子に向う方向が順方向とされる。そして、下方スイッチング素子の導通により、低圧電源端子から主インダクタに投入電流が流れ磁気エネルギが蓄積され、蓄積された磁気エネルギは、上方スイッチング素子の導通に伴い高圧電源端子に放出される。
下方スイッチング素子の導通において、その導通に先立ち、第2補助スイッチング素子が導通することにより、投入電流に比して大きな電流を流す補助電流経路が補助インダクタを介して形成される。このとき補助インダクタには、第1接続点から補助インダクタの他端子に向う方向の電流が流れる。これにより、下方スイッチング素子は、電流経路端子間の電圧差が僅少な状態で導通される。
そして、第2補助スイッチング素子を非導通として補助電流経路が遮断されると、整流回路が導通し、補助インダクタの電流は整流回路を介してコンデンサに対し充電を開始するため、コンデンサの他端子側の端子電圧が上昇し始める。これにより補助インダクタから放出されるエネルギが、整流回路を介してコンデンサに蓄積される。そしてコンデンサの他端子の電位が高圧電源の電位を上回ると、第2ダイオードが導通し、補助インダクタに蓄えられた磁気エネルギの一部が高圧電源に戻される。
以上より本発明に係るDC−DCコンバータでは、補助電流経路が遮断されると、補助インダクタを流れる補助インダクタ電流によりコンデンサが充電される。このとき補助インダクタ電流は、整流回路で整流された上でコンデンサに流入する。ここで補助インダクタ電流の向きは、昇圧動作を行う場合と降圧動作を行う場合とで反転するが、本発明に係るDC−DCコンバータでは、補助インダクタンスを流れる電流の向きに応じて整流回路の整流方向を切り替えることができる。すると昇圧動作の場合と降圧動作の場合とのそれぞれに対応して整流素子とコンデンサとを2つづつ備える必要がなくなり、昇圧動作の場合と降圧動作の場合とで1つのコンデンサを共用することが可能となる。これにより、スイッチング損失を低減した昇降圧型のDC−DCコンバータをコンデンサ1つで構成することができるため、DC−DCコンバータの回路規模を小さくすることや、部品点数減少によるコスト削減や、信頼性向上などを図ることが可能となる。また補助インダクタも一つで済むため、これによってもDC−DCコンバータの回路規模の縮小化等を図ることができる。
また請求項4に記載のDC−DCコンバータにおいて、整流回路は、第1接続点から補助インダクタの他端子に向う方向を順方向とする逆並列ダイオードを備える第1整流スイッチング素子と、補助インダクタの他端子から第1接続点に向う方向を順方向とする逆並列ダイオードを備え、第1整流スイッチング素子と直列接続される第2整流スイッチング素子とを備え、DC−DCコンバータが降圧動作を行う場合には、少なくとも補助インダクタに蓄積された電磁エネルギが放出される期間において第1整流スイッチング素子が導通状態とされ、DC−DCコンバータが昇圧動作を行う場合には、少なくとも補助インダクタに蓄積された電磁エネルギが放出される期間において第2整流スイッチング素子が導通状態とされることを特徴とする。
第1整流スイッチング素子が導通状態とされると、整流回路は、補助インダクタの他端子から第1接続点に向う方向を順方向とするダイオードと等価になる。また第2整流スイッチング素子が導通状態とされると、整流回路は、第1接続点から補助インダクタの他端子に向う方向を順方向とするダイオードと等価になる。よって、第4および第2整流スイッチング素子により、整流回路の整流方向を切り替えることが可能となる。
DC−DCコンバータが降圧動作を行う場合には、補助インダクタ電流の向きは、補助インダクタの他端子から第1接続点に向う方向である。よってこの場合には、第1整流スイッチング素子を導通状態とすることで、補助インダクタ電流の向きと整流回路の整流方向とを同一方向にすることができる。そして少なくとも補助インダクタに蓄積された電磁エネルギが放出される期間において第1整流スイッチング素子を導通状態とすれば、補助インダクタから放出されるエネルギを整流回路を介してコンデンサに蓄積することができる。同様にしてDC−DCコンバータが昇圧動作を行う場合には、補助インダクタ電流の向きは、第1接続点から補助インダクタの他端子に向う方向である。よって、少なくとも補助インダクタに蓄積された電磁エネルギが放出される期間において第2整流スイッチング素子を導通状態とすれば、補助インダクタから放出されるエネルギを整流回路を介してコンデンサに蓄積することができる。
本発明により、損失低減を図ったDC−DCコンバータにおいて、使用するコンデンサの個数およびインダクタの個数を削減した回路構成のDC−DCコンバータを提供することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態のDC−DCコンバータ1を図1〜図19を参照しつつ詳細に説明する。図1は、本実施形態のDC−DCコンバータ1の回路図である。昇降圧コンバータに、発明部分である補助回路部10を付加した回路構成を有している。昇降圧コンバータは、一次電源電圧V1を昇圧して二次電源に供給すると共に、二次電源電圧V2を降圧して一次電源に供給する機能を有している。図1に示す昇降圧コンバータは、一次電源電圧V1と二次電源電圧V2との間で基準端子Gが共通に接続された、いわゆる非絶縁型のDC−DCコンバータである。以下、一次電源電圧V1の低電圧側の端子を一次電源端子T1とし、二次電源電圧V2の高電圧側の端子を二次電源端子T2とする。
トランジスタQ1,Q2は、トランジスタQ1のエミッタ端子とトランジスタQ2のコレクタ端子とが第1接続点Xで接続されると共に、トランジスタQ1のコレクタ端子が二次電源端子T2に、トランジスタQ2のエミッタ端子が基準端子Gに接続され、二次電源端子T2と基準端子Gとの間に直列に接続されている。なお、トランジスタQ1,Q2のベース端子は、図示しないコントローラにより排他的に導通制御される。
また、トランジスタQ1,Q2には、エミッタ端子からコレクタ端子に向って順方向に逆並列ダイオードDQ1,DQ2が接続されている。第1接続点Xと一次電源端子T1との間には、インダクタL1が接続されている。また、一次電源端子T1および二次電源端子T2と基準端子Gとの間には、一次電源電圧V1および二次電源電圧V2に並列にコンデンサC11およびC12が接続されている。
一次電源電圧V1を二次電源電圧V2に昇圧する昇圧コンバータとして動作する場合は、トランジスタQ2の導通によりインダクタL1に蓄積された電磁エネルギを、トランジスタQ1および逆並列ダイオードDQ1を介して二次電源電圧V2に供給することにより行なわれる。また、二次電源電圧V2を一次電源電圧V1に降圧する降圧コンバータとして動作する場合は、トランジスタQ1の導通によりインダクタL1に蓄積された電磁エネルギを、トランジスタQ2および逆並列ダイオードDQ2を介して一次電源電圧V1に供給することにより行なわれる。
ここで、コンデンサC11,C12は、平滑用のコンデンサである。また、トランジスタQ1,Q2は、IGBT、MOS、バイポーラ等のトランジスタを使用することができる。この場合、逆並列ダイオードDQ1,DQ2は、各トランジスタQ1,Q2に内蔵されている場合のほか、別途ダイオード素子を接続することもできる。
補助回路部10は、一端子が第1接続点Xに接続されるインダクタL2と、二次電源端子T2および基準端子Gの間に直列に接続されるトランジスタQ3,Q4とを備えている。インダクタL2の他端子は、トランジスタQ3およびトランジスタQ4の接続点に接続される。なお、各トランジスタQ3,Q4の両端には逆接続ダイオードDQ3,DQ4が接続されている。
第1接続点Xには、コンデンサC4の一端子が接続される。コンデンサC4の他端子には、ノードN1を介してトランジスタQ5のコレクタ端子が接続される。またインダクタL2の他端子には、トランジスタQ6のコレクタ端子が接続される。トランジスタQ5とQ6とは、互いにエミッタ端子で直列に接続される。トランジスタQ5は逆並列ダイオードDQ5を備え、トランジスタQ6は逆並列ダイオードDQ6を備える。トランジスタQ5およびQ6、逆並列ダイオードDQ5およびDQ6によって、整流回路11が構成される。また、基準端子Gと二次電源端子T2との間に、ダイオードD7およびD8が備えられる。ダイオードD7とD8とは、基準端子Gから二次電源端子T2へ向かう方向を順方向として、ノードN1で互いに直列接続される。また、コンデンサC1がトランジスタQ1に並列接続され、コンデンサC2がトランジスタQ2に並列接続される。
補助回路部10では、インダクタL2およびトランジスタQ4を介して第2補助電流経路が形成され、トランジスタQ3およびインダクタL2を介して第1補助電流経路が形成される。
次いで、図2〜図19を参照して、DC−DCコンバータ1の昇降圧動作について説明する。まず、図2〜図10を参照して、DC−DCコンバータ1の昇圧動作について説明する。図2にタイミングチャートを、図3〜図10に各動作における回路の動作状態を示す。以下の説明では、回路上の動作状態(図3〜図10)を適宜参照しつつ、昇圧動作のタイミングチャート(図2)を説明する。
なお、図2において、ゲート電圧VGQ1〜VGQ6は、トランジスタQ1〜Q6のベース端子に印加される電圧である。また、インダクタ電流IL1,IL2は、一次電源電圧V1から第1接続点X、第1接続点XからトランジスタQ3およびトランジスタQ4の接続点に向う電流を正方向とするインダクタL1,L2に流れる電流、第1接続点電圧VXは第1接続点Xの電圧を示す。また、VC4はコンデンサC4の電圧、ダイオード電流ID8はダイオードD8に流れる電流を示す。
図2中(1)、(2)および図3、図4は、インダクタL1からの電磁エネルギの放出期間である。図2中(1)の期間では、トランジスタQ1のゲート端子に印加されるゲート電圧VGQ1がハイレベルであり、トランジスタQ1が導通している。導通したトランジスタQ1は逆並列ダイオードDQ1と共に、インダクタL1から二次電源端子T2に向ってインダクタ電流IL1を流している。これにより、インダクタL1に蓄えられた電磁エネルギが二次電源端子T2に放出されて、昇圧された二次電源電圧V2が供給されることとなる。
このとき、第1接続点Xの第1接続点電圧VXは二次電源電圧V2に略等しい電圧となり、インダクタL1の端子間に二次電源電圧V2と一次電源電圧V1との差電圧が、第1接続点Xから一次電源電圧V1に向う方向(この方向を負方向とする。)に印加され、インダクタL1には所定の負の時間傾きを有するインダクタ電流IL1が流れる。なお、ゲート電圧VGQ1がハイレベルに遷移し、トランジスタQ1が導通状態に遷移する際にはコンデンサC1は放電状態となっているため、トランジスタQ1の導通状態へのスイッチングは、コレクタ・エミッタ間に僅少の電圧が印加された状態で行なわれることとなる。これにより、いわゆるゼロボルトスイッチングがなされトランジスタQ1の導通状態へのスイッチング損失を低減させることができる。また、その後、トランジスタQ1が非導通状態に遷移する際には、第1接続点Xの電位が二次電源電圧V2と略等しい電圧になっているため、この場合のスイッチングも、コレクタ・エミッタ間に僅少の電圧が印加された状態でなされる。すなわち、ゼロボルトスイッチングがなされることとなる。
図2中(2)および図4において、トランジスタQ1が非導通にされた後、トランジスタQ4のゲート端子にハイレベルのゲート電圧VGQ4が印加される。これにより、第1接続点Xから、インダクタL2およびトランジスタQ4を介して基準端子Gへの第2補助電流経路が形成され、インダクタL2に正のインダクタ電流IL2が流れ始める。なお、トランジスタQ4が導通に遷移する瞬間には、インダクタ電流IL2はほとんど流れない。これにより、トランジスタQ4は、コレクタ・エミッタ間にほとんど電流が流れない状態でスイッチングされる、いわゆるゼロカレントスイッチングがなされることとなる。
また、トランジスタQ6のゲート端子にハイレベルのゲート電圧VGQ6が印加され、トランジスタQ6が導通状態とされる。するとトランジスタQ6と逆並列ダイオードDQ5とを通る経路が形成されるため、整流回路11は、第1接続点XからインダクタL2の他端子に向う方向を順方向とするダイオードと等価になる。これにより、整流回路11の整流方向が、正のインダクタ電流IL2の向きと同一となるように切り替えられる。
図2中(3)〜(7)および図5〜図9は、インダクタL1への電磁エネルギの蓄積期間である。図2中(3)および図5において、インダクタ電流IL2がインダクタ電流IL1を上回ると、コンデンサC1が充電され、コンデンサC2が放電される。これにより、第1接続点電圧VXの電位は二次電源電圧V2から基準端子Gの電圧の方向に変化する。
トランジスタQ2を導通するタイミングを図2中(4)および図6に示す。前述のコンデンサC1の充電およびコンデンサC2の放電が完了すると、インダクタ電流IL2は減少に転じる。インダクタ電流IL2がIL1に比して大きい期間においては、逆並列ダイオードDQ2を介してインダクタ電流IL2が補給されるが、インダクタ電流IL2がインダクタ電流IL1を下回った後のインダクタ電流IL1の電流経路を確保する必要がある。そこで、インダクタ電流IL2がインダクタ電流IL1に比して大きい期間にトランジスタQ2の導通タイミングを設定する。このとき、トランジスタQ2のコレクタ・エミッタ間に僅少の電圧(逆並列ダイオードDQ2の順方向電圧)が印加された状態でスイッチングがなされる。すなわち、ゼロボルトスイッチングがなされることとなる。トランジスタQ2が導通することにより、インダクタL1およびトランジスタQ2を介する電流経路が形成され、インダクタ電流IL1は正の電流傾きを有して増加していく。
図2中(5)および図7において、トランジスタQ2が導通に遷移した後、トランジスタQ4のゲート端子にローレベルのゲート電圧VGQ4が印加される。これにより、トランジスタQ4が非導通状態にスイッチングされる。これによりインダクタ電流IL2は、整流回路11のトランジスタQ6と逆並列ダイオードDQ5とを通る経路でコンデンサC4に対し充電を開始し、コンデンサC4の電圧VC4が上昇し始める。
図2中(6)および図8において、インダクタ電流IL2により、コンデンサC4が充電されて、コンデンサC4の電圧VC4が上昇すると共にインダクタ電流IL2の電流が減少する。また、コンデンサC4の充電に伴いコンデンサC4の他端子の電位が二次電源電圧V2を上回るとダイオードD8が導通し、インダクタL2に蓄えられた磁気エネルギの一部が二次電源電圧V2に戻される。図2中(7)および図9において、インダクタL2に蓄積された磁気エネルギが全て放出されると、インダクタ電流IL2が0となり、ダイオードD8が非導通となる。
図2中(8)および図10において、インダクタ電流IL2が0となった後、トランジスタQ2およびトランジスタQ6のベース端子にローレベルのゲート電圧VGQ2およびゲート電圧VGQ6を印加する。これにより、トランジスタQ2およびトランジスタQ6が非導通にスイッチングされる。インダクタL1に蓄えられた磁気エネルギは、コンデンサC1、コンデンサC2およびコンデンサC4に向って放出される。すなわち、インダクタ電流IL1が流れることにより、コンデンサC2が充電され、コンデンサC1およびコンデンサC4が放電される。この各コンデンサC1,C2,C4に対する充放電により、トランジスタQ2の非導通へのスイッチングは、トランジスタQ2に電圧がほとんど印加されない状態で行なわれるためゼロボルトスイッチングとなる。また、インダクタ電流IL2が0の状態でトランジスタQ6の非導通へのスイッチングがなされるため、トランジスタQ6のスイッチングはゼロカレントスイッチングとなる。この磁気エネルギの放出に伴い、第1接続点電圧VXの電圧は基準端子Gの電圧から二次電源電圧V2に向って上昇する。
以後、図2中(1)および図3に戻り、上記の動作が繰返されることにより、昇圧動作が行なわれる。
次いで、図11〜図19を参照して、DC−DCコンバータ1の降圧動作について説明する。図11にタイミングチャートを、図12〜図19に各動作における回路の動作状態を示す。以下の説明では回路状の動作状態(図12〜図19)を適宜参照しつつ、降圧動作のタイミングチャート(図11)を説明する。なお、VC4はコンデンサC4の電圧、ダイオード電流ID7はダイオードD7に流れる電流を示す。
図11中(11)、(12)および図12、図13は、インダクタL1からの電磁エネルギの放出期間である。図11中(11)の期間では、トランジスタQ2のゲート端子に印加されるゲート電圧VGQ2がハイレベルであり、トランジスタQ2が導通している。導通したトランジスタQ2は逆並列ダイオードDQ2と共に、インダクタL1から一次電源端子T1に向ってインダクタ電流IL1を流している。これにより、インダクタL1に蓄えられた電磁エネルギがT1に放出されて、降圧された一次電源電圧V1が供給されることとなる。
このとき、第1接続点Xの第1接続点電圧VXは基準端子Gの電圧に略等しい電圧(略0V)となり、インダクタL1の端子間に一次電源電圧V1が、第1接続点Xから一次電源電圧V1に向う方向に印加され、インダクタL1には所定の正の時間傾きを有するインダクタ電流IL1が流れる。なお、ゲート電圧VGQ2がハイレベルに遷移し、トランジスタQ2の導通状態へのスイッチングは、コレクタ・エミッタ間に僅少の電圧が印加された状態で行なわれることとなる。これにより、ゼロボルトスイッチングがなされトランジスタQ2の導通状態へのスイッチング損失を低減させることができる。また、その後、トランジスタQ2が非導通状態に遷移する際には、第1接続点Xの電位が略0Vになっているため、この場合のスイッチングも、コレクタ・エミッタ間に僅少の電圧が印加された状態でなされる。すなわち、ゼロボルトスイッチングがなされることとなる。
図11中(12)および図13において、トランジスタQ2が非導通にされた後、トランジスタQ3のゲート端子にハイレベルのゲート電圧VGQ3が印加される。これにより、二次電源端子T2からトランジスタQ3およびインダクタL2を介して第1接続点Xへの第1補助電流経路が形成され、インダクタL2に負のインダクタ電流IL2が流れ始める。なお、トランジスタQ3が導通に遷移する瞬間には、インダクタ電流IL2はほとんど流れない。これにより、トランジスタQ3は、コレクタ・エミッタ間にほとんど電流が流れない状態でスイッチングされる、ゼロカレントスイッチングがなされることとなる。
また、トランジスタQ5のゲート端子にハイレベルのゲート電圧VGQ5が印加され、トランジスタQ5が導通状態とされる。するとトランジスタQ5と逆並列ダイオードDQ6とを通る経路が形成されるため、整流回路11は、インダクタL2の他端子から第1接続点Xに向う方向を順方向とするダイオードと等価になる。これにより、整流回路11の整流方向が、負のインダクタ電流IL2の向きと同一となるように切り替えられる。
図11中(13)〜(17)および図14〜図18は、インダクタL1への電磁エネルギの蓄積期間である。図11中(13)および図14において、インダクタ電流IL2がインダクタ電流IL1を下回ると、コンデンサC1が放電され、コンデンサC2が充電される。これにより、第1接続点電圧VXの電位は基準端子Gの電圧から二次電源電圧V2の方向に変化する。
トランジスタQ1を導通するタイミングを図11中(14)および図15に示す。前述のコンデンサC1の放電およびコンデンサC2の充電が完了すると、インダクタ電流IL2の絶対値は減少に転じる。インダクタ電流IL2がIL1に比して小さい期間においては、逆並列ダイオードDQ1を介してインダクタ電流IL2が補給されるが、インダクタ電流IL2がインダクタ電流IL1を上回った後のインダクタ電流IL1の電流経路を確保する必要がある。そこで、インダクタ電流IL2がインダクタ電流IL1に比して小さい期間にトランジスタQ1の導通タイミングを設定する。このとき、トランジスタQ1のコレクタ・エミッタ間に僅少の電圧(逆並列ダイオードDQ1の順方向バイアス電圧)が印加された状態でスイッチングがなされる。すなわち、ゼロボルトスイッチングがなされることとなる。トランジスタQ1が導通することにより、インダクタL1およびトランジスタQ1を介する電流経路が形成され、インダクタ電流IL1は負の電流傾きを有して減少していく。
図11中(15)および図16において、トランジスタQ1が導通に遷移した後、トランジスタQ3のゲート端子にローレベルのゲート電圧VGQ3が印加される。これにより、トランジスタQ3が非導通状態にスイッチングされる。これによりインダクタ電流IL2は、整流回路11のトランジスタQ5と逆並列ダイオードDQ6とを通る経路でコンデンサC4に対し充電を開始し、コンデンサC4の電圧VC4が下降し始める。
図11中(16)および図17において、インダクタ電流IL2により、コンデンサC4が充電されて、コンデンサC4の電圧VC4が下降(コンデンサC4が負の向きに充電)すると共にインダクタ電流IL2の電流の絶対値が減少する。また、コンデンサC4の充電に伴いコンデンサC4の他端子の電位が、基準端子Gの電圧を下回るとダイオードD7が導通し、インダクタL2に蓄えられた磁気エネルギの一部がインダクタL1に戻される。図11中(17)および図18において、インダクタL2に蓄積された磁気エネルギが全て放出されると、インダクタ電流IL2が0となり、ダイオードD7が非導通となる。
図11中(18)および図19において、インダクタ電流IL2が0となった後、トランジスタQ1およびトランジスタQ5のベース端子にローレベルのゲート電圧VGQ1およびゲート電圧VGQ5を印加する。これにより、トランジスタQ1およびトランジスタQ5が非導通にスイッチングされる。インダクタL1に蓄えられた磁気エネルギは、コンデンサC1、コンデンサC2およびコンデンサC4に向って放出される。すなわち、インダクタ電流IL1が流れることにより、コンデンサC1が充電され、コンデンサC2およびコンデンサC4が放電される。この各コンデンサC1,C2,C4に対する充放電により、トランジスタQ1の非導通へのスイッチングは、トランジスタQ1に電圧がほとんど印加されない状態で行なわれるためゼロボルトスイッチングとなる。また、インダクタ電流IL2が0の状態でトランジスタQ5の非導通へのスイッチングがなされるため、トランジスタQ5のスイッチングはゼロカレントスイッチングとなる。この磁気エネルギの放出に伴い、第1接続点電圧VXの電圧は二次電源電圧V2から基準端子Gの電圧に向って下降する。
以後、図11中(11)および図12に戻り、上記の動作が繰返されることにより、降圧動作が行なわれる。
以上説明したとおり、本実施形態のDC−DCコンバータ1では、トランジスタQ3またはQ4が非導通状態とされ補助電流経路が遮断されると、インダクタ電流IL2によりコンデンサC4が充電される。このときインダクタ電流IL2は、整流回路11で整流された上でコンデンサC4に流入するが、インダクタ電流IL2の向きは、昇圧動作を行う場合と降圧動作を行う場合とで反転する。しかし本発明に係るDC−DCコンバータ1では、DC−DCコンバータ1の動作が昇圧動作であるか降圧動作であるかに応じて整流回路11の整流方向を切り替えることにより、インダクタ電流IL2の向きと整流回路11の整流方向とを同一方向にすることができる。すると昇圧動作の場合と降圧動作の場合とのそれぞれに対応して、整流素子とコンデンサとを2つづつ備える必要がなくなり、両動作間で1つのコンデンサC4を共用することが可能となる。これにより、スイッチング損失を低減した昇降圧型のDC−DCコンバータをコンデンサC4の1つで構成することができる。よって、2つのコンデンサC103およびC104を備える非特許文献1のDC−DCコンバータ100に比して、回路規模を小さくすることや、部品点数減少によるコスト削減や、信頼性向上などを図ることが可能となる。
また本実施形態のDC−DCコンバータ1では、補助インダクタであるインダクタL2一つで、損失低減を図り、昇圧動作および降圧動作を行うコンバータを構成することが出来る。これにより、2つの補助インダクタを備える非特許文献1のDC−DCコンバータ100に比して、補助インダクタ自体の面積および補助インダクタの発熱を放熱する冷却フィンや冷却ファンなどの機器の面積を小さくすることができ、DC−DCコンバータの小型化を容易に図ることができる。
また本実施形態のDC−DCコンバータ1では、昇圧時におけるゲート電圧VGQ1〜VGQ6の波形(図2)と、降圧時におけるゲート電圧VGQ1〜VGQ6の波形(図11)とが同一とされる。これにより、昇圧時と降圧時とでゲート電圧VGQ1〜VGQ6の制御を変える必要がないため、DC−DCコンバータ1の制御の簡易化を図ることが可能である。
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは言うまでもない。トランジスタQ5およびQ6は、図2および図11のタイミングチャートに示す波形でスイッチング制御されるとしたが、この形態に限られない。本発明のポイントは、昇圧動作時と降圧動作時とで整流回路11の整流方向を切り替えることにより、コンデンサC4を両動作間で共用することにある。よって昇圧動作時においては、ゲート電圧VGQ6をハイレベルに固定し、ゲート電圧VGQ5をローレベルに固定する形態であってもよい。このとき整流回路11は、第1接続点XからインダクタL2の他端子に向う方向を順方向とするダイオードと等価になる。また降圧動作時においては、ゲート電圧VGQ5をハイレベルに固定し、ゲート電圧VGQ6をローレベルに固定する形態であってもよい。このとき整流回路11は、インダクタL2の他端子から第1接続点Xに向う方向を順方向とするダイオードと等価になる。これによりトランジスタQ5およびQ6のスイッチング動作が減るため、DC−DCコンバータ1全体としてのスイッチングロスをさらに減少させることができる。
また本実施形態においては、本発明を昇降圧コンバータに使用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、昇圧コンバータや降圧コンバータについても同様に適用することができる。
なお、一次電源端子T1は低圧電源端子の一例、二次電源端子T2は高圧電源端子の一例、インダクタL1は第1インダクタの一例、インダクタL2は第2インダクタの一例、トランジスタQ1またはQ2は第1スイッチング素子の一例、トランジスタQ2またはQ1は第2スイッチング素子の一例、トランジスタQ3またはQ4は第3スイッチング素子の一例、トランジスタQ5は第1整流スイッチング素子の一例、トランジスタQ6は第2整流スイッチング素子の一例、ダイオードD7またはD8は整流素子の一例、コンデンサC4はコンデンサの一例である。また、インダクタL1は主インダクタの一例、インダクタL2は補助インダクタの一例、トランジスタQ1は上方スイッチング素子の一例、トランジスタQ2は下方スイッチング素子の一例、トランジスタQ3は第1補助スイッチング素子の一例、トランジスタQ4は第2補助スイッチング素子の一例、ダイオードD7は第1ダイオードの一例、ダイオードD8は第2ダイオードの一例である。
1 DC−DCコンバータ
10 補助回路部
11 整流回路
C1、C2、C4、C11,C12 コンデンサ
DQ1〜DQ6 逆並列ダイオード
D7,D8 ダイオード
G 基準端子
L1、L2 インダクタ
Q1〜Q6 トランジスタ
T1 一次電源端子
T2 二次電源端子
V1 一次電源電圧
V2 二次電源電圧
X 第1接続点
N1 ノード
10 補助回路部
11 整流回路
C1、C2、C4、C11,C12 コンデンサ
DQ1〜DQ6 逆並列ダイオード
D7,D8 ダイオード
G 基準端子
L1、L2 インダクタ
Q1〜Q6 トランジスタ
T1 一次電源端子
T2 二次電源端子
V1 一次電源電圧
V2 二次電源電圧
X 第1接続点
N1 ノード
Claims (5)
- 一端子が低圧電源端子に接続されてなる第1インダクタの他端子に接続され、投入電流により前記第1インダクタに電磁エネルギを蓄積する際に導通する第1スイッチング素子を備える非絶縁型DC−DCコンバータであって、
前記第1インダクタと前記第1スイッチング素子との第1接続点に一端子が接続され、前記低圧電源端子と高圧電源端子のうち一方から前記第1インダクタに蓄積された電磁エネルギを前記低圧電源端子と前記高圧電源端子のうち他方へ放出する第2スイッチング素子と、
一端子が前記第1接続点に接続される第2インダクタと、
前記第1スイッチング素子の導通に先立って導通し、一端子が前記第2インダクタの他端子に接続される第3スイッチング素子と、
一端子が前記第1接続点に接続されるコンデンサと、
前記コンデンサの他端子と前記第2インダクタの他端子との間に接続され、前記第2インダクタに流れる電流方向を順方向とする整流回路と、
前記第1インダクタと前記高圧電源端子のうち一方から前記第2インダクタに蓄積された電磁エネルギを、前記第1インダクタと前記高圧電源端子のうち他方へ放出する経路を順方向として接続される整流素子と
を備えることを特徴とするDC−DCコンバータ。 - 前記第1スイッチング素子および前記第3スイッチング素子の一端子は基準端子に接続され、
前記高圧電源端子には前記低圧電源端子の電圧に対して昇圧された電圧が供給されることを特徴とする請求項1に記載のDC−DCコンバータ。 - 前記第1スイッチング素子および前記第3スイッチング素子の一端子は前記高圧電源端子に接続され、
前記低圧電源端子には前記高圧電源端子の電圧に対して降圧された電圧が供給されることを特徴とする請求項1に記載のDC−DCコンバータ。 - 低圧電源端子に一端子が接続される主インダクタと、高圧電源端子と基準端子との間に直列に接続される上方スイッチング素子および下方スイッチンング素子とを備え、前記上方および下方スイッチング素子の第1接続点に前記主インダクタの他端子が接続されてなるDC−DCコンバータであって、
一端子が、前記第1接続点に接続される補助インダクタと、
前記DC−DCコンバータが降圧動作を行う場合において、前記上方スイッチング素子の導通に先立って導通し、一端子が前記補助インダクタの他端子に接続され他端子が前記高圧電源端子に接続される第1補助スイッチング素子と、
前記DC−DCコンバータが昇圧動作を行う場合において、前記下方スイッチング素子の導通に先立って導通し、一端子が前記補助インダクタの他端子に接続され他端子が前記基準端子に接続される第2補助スイッチング素子と、
一端子が前記第1接続点に接続されるコンデンサと、
前記コンデンサの他端子と前記補助インダクタの他端子との間に接続され、
前記DC−DCコンバータが前記降圧動作を行う場合には前記補助インダクタの他端子から前記第1接続点に向う方向を順方向とし、
前記DC−DCコンバータが前記昇圧動作を行う場合には前記第1接続点から前記補助インダクタの他端子に向う方向を順方向とする整流回路と、
前記基準端子から前記コンデンサの他端子に向う経路を順方向として、前記基準端子と前記コンデンサの他端子との間に接続される第1ダイオードと、
前記コンデンサの他端子から前記高圧電源端子に向う経路を順方向として、前記コンデンサの他端子と前記高圧電源端子との間に接続される第2ダイオードと
を備えることを特徴とするDC−DCコンバータ。 - 前記整流回路は、
前記第1接続点から前記補助インダクタの他端子に向う方向を順方向とする逆並列ダイオードを備える第1整流スイッチング素子と、
前記補助インダクタの他端子から前記第1接続点に向う方向を順方向とする逆並列ダイオードを備え、前記第1整流スイッチング素子と直列接続される第2整流スイッチング素子とを備え、
前記DC−DCコンバータが前記降圧動作を行う場合には、少なくとも前記補助インダクタに蓄積された電磁エネルギが放出される期間において前記第1整流スイッチング素子が導通状態とされ、
前記DC−DCコンバータが前記昇圧動作を行う場合には、少なくとも前記補助インダクタに蓄積された電磁エネルギが放出される期間において前記第2整流スイッチング素子が導通状態とされることを特徴とする請求項4に記載のDC−DCコンバータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006251970A JP2008079352A (ja) | 2006-09-18 | 2006-09-18 | Dc−dcコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006251970A JP2008079352A (ja) | 2006-09-18 | 2006-09-18 | Dc−dcコンバータ |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2008079352A true JP2008079352A (ja) | 2008-04-03 |
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JP2006251970A Withdrawn JP2008079352A (ja) | 2006-09-18 | 2006-09-18 | Dc−dcコンバータ |
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-
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- 2006-09-18 JP JP2006251970A patent/JP2008079352A/ja not_active Withdrawn
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