JP2003283168A - 表面実装型電子部品 - Google Patents
表面実装型電子部品Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Regulation Of General Use Transformers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で熱抵抗が小さい表面実装型電子部品を
提供する。 【解決手段】 本発明の表面実装型電子部品１０は、回
路基板１と、該回路基板１の上面に搭載する発熱性が大
きい電子部品素子３と、前記回路基板１の下面に形成し
マザーボードと接合する複数の端子電極６と、前記回路
基板１の上面を覆うシールドケース２とから成り、シー
ルドケース２の内面と前記発熱量が大きい電子部品素子
３とを接合するとともに、回路基板１の上面とシールド
ケース２の内面との間に金属支持体４が接合されている
構成である。
提供する。 【解決手段】 本発明の表面実装型電子部品１０は、回
路基板１と、該回路基板１の上面に搭載する発熱性が大
きい電子部品素子３と、前記回路基板１の下面に形成し
マザーボードと接合する複数の端子電極６と、前記回路
基板１の上面を覆うシールドケース２とから成り、シー
ルドケース２の内面と前記発熱量が大きい電子部品素子
３とを接合するとともに、回路基板１の上面とシールド
ケース２の内面との間に金属支持体４が接合されている
構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品素子を搭
載した表面実装型電子部品に関する。
載した表面実装型電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の表面実装型電子部品について、図
５に示すような構造が提案されている。この表面実装型
電子部品５０は、発熱性が大きい電子部品素子５３が、
回路基板５１上に実装され、回路基板５１の上面を覆う
金属製のシールドケース５２の内面と接合している。こ
のような構造にすることで、回路基板５１とシールドケ
ース５２を固定すると共に、発熱性が大きい電子部品素
子５３は熱をシールドケース５２に伝熱することで熱抵
抗を下げていた。
５に示すような構造が提案されている。この表面実装型
電子部品５０は、発熱性が大きい電子部品素子５３が、
回路基板５１上に実装され、回路基板５１の上面を覆う
金属製のシールドケース５２の内面と接合している。こ
のような構造にすることで、回路基板５１とシールドケ
ース５２を固定すると共に、発熱性が大きい電子部品素
子５３は熱をシールドケース５２に伝熱することで熱抵
抗を下げていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、シールドケ
ース５２の厚みが部品の高さ制限の等により充分に取れ
ない場合があり、このような場合、シールドケース５２
の熱容量が足りないので、熱抵抗を充分に下げることが
できない。
ース５２の厚みが部品の高さ制限の等により充分に取れ
ない場合があり、このような場合、シールドケース５２
の熱容量が足りないので、熱抵抗を充分に下げることが
できない。
【０００４】また、発熱性が大きい電子部品素子５３の
接合面積が小さいときは、シールドケース５２との接着
面積が小さくなり、接合力が不十分となり、回路基板５
１からシールドケース５２が外れてしまうという問題が
あった。その為、シールドケース５２はキャップ部から
回路基板５１の側面に対向するように延出した脚部と回
路基板５１の側面に形成した端面電極とを半田５９で接
合して接合力を高めていた。
接合面積が小さいときは、シールドケース５２との接着
面積が小さくなり、接合力が不十分となり、回路基板５
１からシールドケース５２が外れてしまうという問題が
あった。その為、シールドケース５２はキャップ部から
回路基板５１の側面に対向するように延出した脚部と回
路基板５１の側面に形成した端面電極とを半田５９で接
合して接合力を高めていた。
【０００５】しかしながらこの方法では、シールドケー
ス５２を接合して固定するために回路基板５１の側面に
端面電極が必要であり、端面電極を形成するためには、
回路基板５１の側面に端面スルーホール等を形成しなく
てはならず、表面実装型電子部品５０を小型にすること
が困難であった。
ス５２を接合して固定するために回路基板５１の側面に
端面電極が必要であり、端面電極を形成するためには、
回路基板５１の側面に端面スルーホール等を形成しなく
てはならず、表面実装型電子部品５０を小型にすること
が困難であった。
【０００６】本発明は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的は、回路基板上に搭載する発熱性が
大きい電子部品素子とシールドケースとを接合する表面
実装型電子部品において、小型の接合面積の電子部品素
子を用いてもシールドと充分な接合強度が得られ、か
つ、熱抵抗が小さい表面実装型電子部品を提供するもの
である。
のであり、その目的は、回路基板上に搭載する発熱性が
大きい電子部品素子とシールドケースとを接合する表面
実装型電子部品において、小型の接合面積の電子部品素
子を用いてもシールドと充分な接合強度が得られ、か
つ、熱抵抗が小さい表面実装型電子部品を提供するもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明では、回路基板と、該回路基板の上面に搭載
する発熱性が大きい電子部品素子と、前記回路基板の下
面に形成しマザーボードと接合する複数の端子電極と、
前記回路基板の上面を覆うシールドケースとから成る表
面実装型電子部品において、前記シールドケースの内面
と前記発熱量が大きい電子部品素子とを接合するととも
に、前記回路基板の上面と前記シールドケースの内面と
の間に金属支持体が接合されていることを特徴とする。
めに本発明では、回路基板と、該回路基板の上面に搭載
する発熱性が大きい電子部品素子と、前記回路基板の下
面に形成しマザーボードと接合する複数の端子電極と、
前記回路基板の上面を覆うシールドケースとから成る表
面実装型電子部品において、前記シールドケースの内面
と前記発熱量が大きい電子部品素子とを接合するととも
に、前記回路基板の上面と前記シールドケースの内面と
の間に金属支持体が接合されていることを特徴とする。
【０００８】また、前記発熱性が大きい電子部品素子は
前記回路基板の上面にフェイスダウンボンディングによ
り搭載して成ることを特徴とする。
前記回路基板の上面にフェイスダウンボンディングによ
り搭載して成ることを特徴とする。
【０００９】さらに、前記回路基板の上面又は下面に、
熱により電気特性が変動する電子部品素子を搭載して成
ることを特徴とする。
熱により電気特性が変動する電子部品素子を搭載して成
ることを特徴とする。
【作用】本発明の構成によれば、発熱性が大きい電子部
品素子は回路基板の上面を覆うシールドケースの内面と
接合しているので、発生した熱はシールドケースに伝熱
される。そして、シールドケースは回路基板の上面と接
続する金属支持体と接続しているので、シールドケース
の熱の一部は金属支持体に伝熱される。従って、熱の伝
導経路が分散されて伝熱経路が長くなるため、発熱性が
大きい電子部品素子から発生した熱はシールドケースに
吸熱されやすく発熱性が大きい電子部品素子の熱抵抗が
小さくなり、その結果、表面実装型電子部品の温度上昇
を抑えることができる。
品素子は回路基板の上面を覆うシールドケースの内面と
接合しているので、発生した熱はシールドケースに伝熱
される。そして、シールドケースは回路基板の上面と接
続する金属支持体と接続しているので、シールドケース
の熱の一部は金属支持体に伝熱される。従って、熱の伝
導経路が分散されて伝熱経路が長くなるため、発熱性が
大きい電子部品素子から発生した熱はシールドケースに
吸熱されやすく発熱性が大きい電子部品素子の熱抵抗が
小さくなり、その結果、表面実装型電子部品の温度上昇
を抑えることができる。
【００１０】また、発熱性が大きい電子部品素子から基
板に伝わる熱量は少ないので、熱により電気特性が変動
する電子部品素子を同じ回路基板上に実装することが可
能である。
板に伝わる熱量は少ないので、熱により電気特性が変動
する電子部品素子を同じ回路基板上に実装することが可
能である。
【００１１】また、シールドケースは発熱性が大きい電
子部品素子と金属支持体とで固定されているので、回路
基板とシールドケースの接合強度が充分に取れ、かつ、
固定位置が複数になることで接合が安定する。
子部品素子と金属支持体とで固定されているので、回路
基板とシールドケースの接合強度が充分に取れ、かつ、
固定位置が複数になることで接合が安定する。
【００１２】また、発熱性が大きい電子部品素子をフェ
イスダウンボンディングにより回路基板に搭載する構成
においては、部品外部からの衝撃等によってバンプにか
かる応力が金属支持体に分散されるので、電気的に断線
しにくくなり、バンプを回路基板に固定するためのアン
ダーフィル樹脂を入れなくてすみ、製造コストを抑える
ことができる。
イスダウンボンディングにより回路基板に搭載する構成
においては、部品外部からの衝撃等によってバンプにか
かる応力が金属支持体に分散されるので、電気的に断線
しにくくなり、バンプを回路基板に固定するためのアン
ダーフィル樹脂を入れなくてすみ、製造コストを抑える
ことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の表面実装型電子部
品を図面に基づいて詳説する。
品を図面に基づいて詳説する。
【００１４】図１は本発明の表面実装型電子部品の外観
斜視図であり、図２は本発明の表面実装型電子部品の断
面図である。表面実装型電子部品１０は、回路基板１に
発熱性の大きい電子部品素子３、チップ部品５がそれぞ
れ搭載されシールドケース２で回路基板１の上面を覆っ
ている。
斜視図であり、図２は本発明の表面実装型電子部品の断
面図である。表面実装型電子部品１０は、回路基板１に
発熱性の大きい電子部品素子３、チップ部品５がそれぞ
れ搭載されシールドケース２で回路基板１の上面を覆っ
ている。
【００１５】回路基板１は、絶縁層を積層して成るセラ
ミック多層基板であり、不図示であるが所望の配線を内
蔵することで実装密度を高めることができる。内蔵する
配線には主としてタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍ
ｏ）などが使われてきたが、最近では低温焼成セラミッ
クスが出現し銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）などの低インピー
ダンス材料も使われている。回路基板１の下面には複数
の端子電極６が形成され、マザーボードと半田を介して
接合される。また、端子電極６の表面には防錆や半田濡
れ性を考慮してメッキ処理される。このようなメッキ処
理は金（Ａｕ）メッキが一般的であり、例えば、金（Ａ
ｕ）メッキの下にニッケル（Ｎｉ）などの中間メッキを
形成することが望ましい。
ミック多層基板であり、不図示であるが所望の配線を内
蔵することで実装密度を高めることができる。内蔵する
配線には主としてタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍ
ｏ）などが使われてきたが、最近では低温焼成セラミッ
クスが出現し銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）などの低インピー
ダンス材料も使われている。回路基板１の下面には複数
の端子電極６が形成され、マザーボードと半田を介して
接合される。また、端子電極６の表面には防錆や半田濡
れ性を考慮してメッキ処理される。このようなメッキ処
理は金（Ａｕ）メッキが一般的であり、例えば、金（Ａ
ｕ）メッキの下にニッケル（Ｎｉ）などの中間メッキを
形成することが望ましい。
【００１６】電子部品素子３は、発熱性の大きいＩＣな
どの半導体素子であり、材料はＳｉＯ2やＧａＡｓなど
の基板にアルミニウム（Ａｌ）などの配線が形成され、
例えば電気信号の増幅に用いられるパワーアンプは複数
のトランジスタで構成されており、大量の熱が増幅回路
から発生する。電子部品素子３の下面はバンプ２３によ
って、回路基板２の上面に形成された配線パターン（不
図示）にフェイスダウンボンディングされている。ま
た、電子部品素子１と回路基板２との間にアンダーフィ
ル樹脂２４を形成して接合力を強化している。
どの半導体素子であり、材料はＳｉＯ2やＧａＡｓなど
の基板にアルミニウム（Ａｌ）などの配線が形成され、
例えば電気信号の増幅に用いられるパワーアンプは複数
のトランジスタで構成されており、大量の熱が増幅回路
から発生する。電子部品素子３の下面はバンプ２３によ
って、回路基板２の上面に形成された配線パターン（不
図示）にフェイスダウンボンディングされている。ま
た、電子部品素子１と回路基板２との間にアンダーフィ
ル樹脂２４を形成して接合力を強化している。
【００１７】チップ部品５は、例えばダイオード、コン
デンサ、抵抗等の発熱性が小さく、特に気密封止などを
必要としない部品であり、半田等により回路基板１上面
に形成され配線パターン（不図示）と接合する。
デンサ、抵抗等の発熱性が小さく、特に気密封止などを
必要としない部品であり、半田等により回路基板１上面
に形成され配線パターン（不図示）と接合する。
【００１８】金属支持体４は、回路基板１の上面に搭
載、接合する。接合には半田等が使われるので、半田濡
れ性が良好にするために、表面をはんだメッキまたはＳ
ｎメッキを施した物を用いる。金属支持体４の材料に
は、鉄（Ｆｅ）、洋白またはりん青銅を用いる。形状
は、上面に平面部のある円柱型が使いやすいが、角柱型
でもかまわない。そして、回路基板１の上面に搭載した
ときの高さが電子部品素子３と同じ高さになるように設
計されている。電子部品素子３を回路基板１に搭載する
のは、回路基板１に直接樹脂で接合しても良いが、回路
基板１の上面に電極パッド（不図示）を配設しておいて
半田等により接合する方法を用いれば他のチップ部品５
等と同じ工程で処理できるので工程を増やさなくてす
む。また、この電極パッドは独立したパターンであって
も良いが、図に示すように、回路基板１に内蔵したビア
ホール導体９と接続されても良い。ビアホール導体９が
グランド電位に接続されている場合（不図示）には、こ
れにより、シールドケース２のグランドを強化すること
ができシールド性を高めることができる。
載、接合する。接合には半田等が使われるので、半田濡
れ性が良好にするために、表面をはんだメッキまたはＳ
ｎメッキを施した物を用いる。金属支持体４の材料に
は、鉄（Ｆｅ）、洋白またはりん青銅を用いる。形状
は、上面に平面部のある円柱型が使いやすいが、角柱型
でもかまわない。そして、回路基板１の上面に搭載した
ときの高さが電子部品素子３と同じ高さになるように設
計されている。電子部品素子３を回路基板１に搭載する
のは、回路基板１に直接樹脂で接合しても良いが、回路
基板１の上面に電極パッド（不図示）を配設しておいて
半田等により接合する方法を用いれば他のチップ部品５
等と同じ工程で処理できるので工程を増やさなくてす
む。また、この電極パッドは独立したパターンであって
も良いが、図に示すように、回路基板１に内蔵したビア
ホール導体９と接続されても良い。ビアホール導体９が
グランド電位に接続されている場合（不図示）には、こ
れにより、シールドケース２のグランドを強化すること
ができシールド性を高めることができる。
【００１９】シールドケース２は、図に示すように断面
が凹状に形成され回路基板１の上面を覆うように構成さ
れている。このシールドケース２は表面実装型電子部品
１０を物理的に保護するだけでなく、電磁波を遮蔽する
作用が求められる。電磁波を遮蔽するため金属材料であ
るが、鉄（Ｆｅ）、洋白、りん青銅等のバネ性のある材
料が使われる。また、シールドケース２の内側には金属
支持体４と接合するので、半田濡れのためにスズ（Ｓ
ｎ）メッキなどが形成されている。なお、シールドケー
ス２は断面凹状に形成したが、これに限定されることな
く平板状のものでも構わない。
が凹状に形成され回路基板１の上面を覆うように構成さ
れている。このシールドケース２は表面実装型電子部品
１０を物理的に保護するだけでなく、電磁波を遮蔽する
作用が求められる。電磁波を遮蔽するため金属材料であ
るが、鉄（Ｆｅ）、洋白、りん青銅等のバネ性のある材
料が使われる。また、シールドケース２の内側には金属
支持体４と接合するので、半田濡れのためにスズ（Ｓ
ｎ）メッキなどが形成されている。なお、シールドケー
ス２は断面凹状に形成したが、これに限定されることな
く平板状のものでも構わない。
【００２０】また、シールドケース２の接合に関して
は、電子部品素子３の上面と金属支持体４の上面が、シ
ールドケース２の内面と接合する。接合する材料には半
田等を用いるが、回路基板１の上面に搭載した部品と接
合する半田よりも低温で溶融するものであれば、先の工
程で搭載したチップ部品等を接合している半田が再溶融
して部品の位置ずれ等が発生しなくなる。
は、電子部品素子３の上面と金属支持体４の上面が、シ
ールドケース２の内面と接合する。接合する材料には半
田等を用いるが、回路基板１の上面に搭載した部品と接
合する半田よりも低温で溶融するものであれば、先の工
程で搭載したチップ部品等を接合している半田が再溶融
して部品の位置ずれ等が発生しなくなる。
【００２１】本発明の特徴的なところは、回路基板１に
搭載した電子部品素子３の上面と金属支持体４の上面
が、シールドケース２の内面と接合していることであ
る。
搭載した電子部品素子３の上面と金属支持体４の上面
が、シールドケース２の内面と接合していることであ
る。
【００２２】シールドケース２の固定を、電子部品素子
３だけでなく、金属支持体４も使用するので、例えば電
子部品素子３を1つしか搭載しない場合でも安定して回
路基板１にシールドケース２を固定させることが出来
る。従って、従来のように回路基板１の側面と固定する
必要が無くなり、端面電極等を形成しなくてすむ。端面
電極等を形成しない回路基板１は、安価であり、小型に
することができる。そして、表面実装型電子部品１０は
小型になり、端面電極が形成されていないランドグリッ
ドアレイ構造になるので、マザーボードの実装占有面積
も小さくすることが出来る。
３だけでなく、金属支持体４も使用するので、例えば電
子部品素子３を1つしか搭載しない場合でも安定して回
路基板１にシールドケース２を固定させることが出来
る。従って、従来のように回路基板１の側面と固定する
必要が無くなり、端面電極等を形成しなくてすむ。端面
電極等を形成しない回路基板１は、安価であり、小型に
することができる。そして、表面実装型電子部品１０は
小型になり、端面電極が形成されていないランドグリッ
ドアレイ構造になるので、マザーボードの実装占有面積
も小さくすることが出来る。
【００２３】また、シールドケース２は、りん青銅等の
金属材料であるため回路基板１よりもはるかに熱伝導性
が良い。例えば、代表的なセラミック基板材料である熱
伝導率が、アルミナ多層基板では２０Ｗ／ｍＫ以下であ
るのに対し、りん青銅は５０Ｗ／ｍＫ以上であるので、
電子部品素子３より発生した熱は、回路基板１よりもシ
ールドケース２の方に主に伝熱する。更に、シールドケ
ース２全体に素早く伝熱するので、シールドケース２自
体の温度は上がりにくい。
金属材料であるため回路基板１よりもはるかに熱伝導性
が良い。例えば、代表的なセラミック基板材料である熱
伝導率が、アルミナ多層基板では２０Ｗ／ｍＫ以下であ
るのに対し、りん青銅は５０Ｗ／ｍＫ以上であるので、
電子部品素子３より発生した熱は、回路基板１よりもシ
ールドケース２の方に主に伝熱する。更に、シールドケ
ース２全体に素早く伝熱するので、シールドケース２自
体の温度は上がりにくい。
【００２４】更に、本発明のシールドケース２は金属支
持体４と接合しており、金属支持体４もシールドケース
２と同様にりん青銅等の金属材料であるため、熱が金属
支持体４にも伝わりやすい。
持体４と接合しており、金属支持体４もシールドケース
２と同様にりん青銅等の金属材料であるため、熱が金属
支持体４にも伝わりやすい。
【００２５】更に、回路基板１のビアホール導体９に接
続されていれば、金属支持体４からビアホール導体９に
熱が伝わるので、シールドケース２の温度上昇を抑える
のにより有利である。また、これ以外にも、シールドケ
ース２全体にいきわたった熱は、空気中に放熱される。
続されていれば、金属支持体４からビアホール導体９に
熱が伝わるので、シールドケース２の温度上昇を抑える
のにより有利である。また、これ以外にも、シールドケ
ース２全体にいきわたった熱は、空気中に放熱される。
【００２６】以上のような理由から、本発明のシールド
ケース２は、従来のものに比べて熱容量が大きく温度上
昇しにくいものとなっている。従って、電子部品素子３
は、発生した熱が温度の上がりにくいシールドケースに
効率よく伝熱されるので、温度が上がりにくくなり、熱
抵抗が小さくなる。
ケース２は、従来のものに比べて熱容量が大きく温度上
昇しにくいものとなっている。従って、電子部品素子３
は、発生した熱が温度の上がりにくいシールドケースに
効率よく伝熱されるので、温度が上がりにくくなり、熱
抵抗が小さくなる。
【００２７】他の例では、電子部品素子３の搭載に関し
て、ワイヤーボンディングよりも部品を小型化が可能で
ある点からフェイスダウンボンディングを用いる方法が
最近特に用いられており、このような構造の本発明にお
ける例を図３に示す。電子部品素子３は、バンプ３８に
より電気的に接続して、一般的にはアンダーフィル樹脂
等により、接合を強化している。
て、ワイヤーボンディングよりも部品を小型化が可能で
ある点からフェイスダウンボンディングを用いる方法が
最近特に用いられており、このような構造の本発明にお
ける例を図３に示す。電子部品素子３は、バンプ３８に
より電気的に接続して、一般的にはアンダーフィル樹脂
等により、接合を強化している。
【００２８】また、本発明では、アンダーフィル樹脂に
限定されず、フェイスダウンボンディングにおいて、例
えば落下衝撃などで外部からの応力が発生した場合で
も、金属支持体３４にも応力が分散されるので、バンプ
３８への応力が大きすぎて断線するという危険が少な
い。従って本発明ではアンダーフィル樹脂を用いなくて
も良い。しかしながら、さらに接合強度を向上させるた
めに用いても良い。
限定されず、フェイスダウンボンディングにおいて、例
えば落下衝撃などで外部からの応力が発生した場合で
も、金属支持体３４にも応力が分散されるので、バンプ
３８への応力が大きすぎて断線するという危険が少な
い。従って本発明ではアンダーフィル樹脂を用いなくて
も良い。しかしながら、さらに接合強度を向上させるた
めに用いても良い。
【００２９】また他の例では、熱により特性が変化しや
すい電子部品素子を搭載した表面実装型電子部品の例を
図４に示す。電子部品素子７２は回路基板４１に形成さ
れたキャビティ７１に収納されている。図ではフェイス
ダウンボンディングにより搭載している。例えば、Ｌｉ
ＴａＯ3等を材料とした弾性表面波素子は、温度変化に
より周波数特性が変化しやすく、水蒸気等により周波数
特性が変動するという問題があるので気密封止する必要
がある。
すい電子部品素子を搭載した表面実装型電子部品の例を
図４に示す。電子部品素子７２は回路基板４１に形成さ
れたキャビティ７１に収納されている。図ではフェイス
ダウンボンディングにより搭載している。例えば、Ｌｉ
ＴａＯ3等を材料とした弾性表面波素子は、温度変化に
より周波数特性が変化しやすく、水蒸気等により周波数
特性が変動するという問題があるので気密封止する必要
がある。
【００３０】本発明の構成では、発熱性が大きい電子部
品素子から発生した熱はシールドケースに吸熱されやす
いので回路基板４１の温度は上昇しにくくなっているの
で、キャビティ７１に収納された電子部品素子７２にも
熱は伝わりにくい。従って、電子部品素子７２は、温度
が上昇しにくくなる構造になっているので、特性が変化
しにくい。また、弾性表面波素子の他に、水晶振動子を
含む他の圧電素子を搭載する場合においても、本発明の
構造であれば温度による特性の変化が少ない。
品素子から発生した熱はシールドケースに吸熱されやす
いので回路基板４１の温度は上昇しにくくなっているの
で、キャビティ７１に収納された電子部品素子７２にも
熱は伝わりにくい。従って、電子部品素子７２は、温度
が上昇しにくくなる構造になっているので、特性が変化
しにくい。また、弾性表面波素子の他に、水晶振動子を
含む他の圧電素子を搭載する場合においても、本発明の
構造であれば温度による特性の変化が少ない。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明の表面実装型電子部
品は、回路基板の上面とシールドケースの内面とを、電
子部品素子と金属支持体とで接合しているので、小型で
熱抵抗が小さい表面実装型電子部品を提供することがで
きる。
品は、回路基板の上面とシールドケースの内面とを、電
子部品素子と金属支持体とで接合しているので、小型で
熱抵抗が小さい表面実装型電子部品を提供することがで
きる。
【図１】本発明の表面実装型電子部品の外観斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の表面実装型電子部品の断面図である。
【図３】本発明の表面実装型電子部品の他の例の断面図
である。
である。
【図４】本発明の表面実装型電子部品の他の例の断面図
である。
である。
【図５】従来の表面実装型電子部品の断面図である。
１０・・・・・・・・表面実装型電子部品
１、３１・・・・・・回路基板
２、３２・・・・・・シールドケース
３、３３・・・・・・発熱性の大きい電子部品素子
４、３４・・・・・・金属支持体
５、３５・・・・・・チップ部品
６、３６・・・・・・端子電極
９・・・・・・・・・ビアホール導体
２３、７４・・・・・バンプ
２４・・・・・・・・アンダーフィル樹脂
７１・・・・・・・・キャビティ
７２・・・・・・・・熱により特性が変動する電子部品
７３・・・・・・・・蓋体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 25/18
Claims (3)
- 【請求項１】 回路基板と、該回路基板の上面に搭載す
る発熱性が大きい電子部品素子と、前記回路基板の下面
に形成しマザーボードと接合する複数の端子電極と、前
記回路基板の上面を覆うシールドケースとから成る表面
実装型電子部品において、 前記シールドケースの内面と前記発熱量が大きい電子部
品素子とを接合するとともに、前記回路基板の上面と前
記シールドケースの内面との間に金属支持体が接合され
ていることを特徴とする表面実装型電子部品。 - 【請求項２】前記発熱性が大きい電子部品素子は前記回
路基板の上面にフェイスダウンボンディングにより搭載
して成ることを特徴とする請求項１記載の表面実装型電
子部品。 - 【請求項３】前記回路基板の上面又は下面に、熱により
電気特性が変動する電子部品素子を搭載して成る請求項
１又は２記載の表面実装型部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002089852A JP2003283168A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 表面実装型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002089852A JP2003283168A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 表面実装型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003283168A true JP2003283168A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29235323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002089852A Withdrawn JP2003283168A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 表面実装型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003283168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10757845B2 (en) | 2016-09-21 | 2020-08-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency component provided with a shield case |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002089852A patent/JP2003283168A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10757845B2 (en) | 2016-09-21 | 2020-08-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency component provided with a shield case |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050118 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20070206 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |