JP2003282595A - 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接合型電界効果トランジスタの小型化の妨げ
となっていたチャネル溝の角部などにおける電界集中の
問題を解消する。 【解決手段】 接合型電界効果トランジスタは、略平行
な複数の直線状のチャネル溝１１と、１本ごとに交互に
設定されたソース拡散層２７およびドレイン拡散層２８
と、これら各々の上側に配置されたソース取出し電極３
１、ドレイン取出し電極３２と、絶縁層としての酸化膜
２１と、平面的に見たときにチャネル溝１１に交差する
ようにチャネル溝１１上方に配置され、ソース取出し電
極３１の各々と電気的に接続され、ドレイン取出し電極
３２の各々とは絶縁されたソースパッド電極２５と、同
様にドレイン取出し電極３２の各々と電気的に接続さ
れ、ソース取出し電極３１の各々とは絶縁されたドレイ
ンパッド電極２６とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接合型電界効果ト
ランジスタおよびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の接合型電界効果トランジスタ（ju
nction field-effect transistor：ＪＦＥＴ）の外観を
図２４に示す。ＳｉＣなどの材料からなる基板部１０９
の上面に島部１０８が島状に突出して形成されており、
この島部１０８の上面に接合型電界効果トランジスタが
構成されている。島部１０８だけを取出した平面図を図
２５に示す。島部１０８の上面は、略矩形状の中央部分
とその両端に張り出した部分とを有する。両端に張り出
した部分の上面には、導電体の膜が張られることによっ
てソースパッド電極１２５およびドレインパッド電極１
２６が設けられている。ソースパッド電極１２５および
ドレインパッド電極１２６から島部１０８の中央部分に
向けて、それぞれ櫛形電極が延在している。櫛形電極
は、導電体の膜であり、各パッド電極とは一体的に形成
されている。具体的には、ソースパッド電極１２５につ
ながる櫛形電極は、平行に延びる複数本のソース取出し
電極１３１を含んでいる。ドレインパッド電極１２６に
つながる櫛形電極は、平行に延びる複数本のドレイン取
出し電極１３２を含んでいる。ソース取出し電極１３１
とドレイン取出し電極１３２とは、図２５に示すように
互いに一方が他方の間に平行に入りこむようにして対向
している。さらに、ソース取出し電極１３１とドレイン
取出し電極１３２との間に生じる間隙を縫って蛇行する
ように、チャネル溝１１１が設けられている。チャネル
溝１１１は、島部１０８の一方の端面と反対側の端面と
を結ぶように設けられている。

【０００３】さらに、接合型電界効果トランジスタとし
ての構造を説明するために、図２５に示した範囲の中の
うちドレイン取出し電極１３２の先端付近の拡大斜視図
を図２６に示す。チャネル溝１１１によって隔てられた
凸部は、１本ずつ交互にソース拡散層１２７とドレイン
拡散層１２８とになっており、ソース取出し電極１３１
はソース拡散層１２７の上側に配置され、ドレイン取出
し電極１３２はドレイン拡散層１２８の上側に配置され
ている。チャネル溝１１１を挟んで、それぞれ取出し電
極を有するソース拡散層１２７とドレイン拡散層１２８
とが対向することによって接合型電界効果トランジスタ
として機能することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ソース拡散層１２７と
ドレイン拡散層１２８とは、互いにチャネル溝１１１に
よって電気的に隔離されている必要があるため、図２
５、図２６に示すように一方の櫛形電極の先端（図２６
の例ではドレイン取出し電極１３２の先端）に至っても
そこでチャネル溝１１１は途切れず、引き続き折り返し
て隣接する間隙に続いている。チャネル溝１１１が折り
返す部分には図２６に示すように角部１３０が生じる。

【０００５】接合型電界効果トランジスタの小型化を進
める上では高集積化が求められるが、そのためには、ソ
ース取出し電極１３１およびドレイン取出し電極１３２
の幅や、チャネル溝１１１を、それぞれ小型化すること
が必要となる。しかし、チャネル溝１１１をある程度以
上小型化した場合、角部１３０において電界集中が生じ
てしまうという問題がある。電界集中を回避できる角部
１３０の最小の曲率半径をＲとすると、図２７に示すよ
うにチャネル溝１１１が半径Ｒで半円形を描いてＵター
ンする形状のものが電界集中の問題を起こさずに使用で
きる最小の構造となる。すなわち、チャネル溝１１１間
ピッチＰの最小値は、曲率半径Ｒの２倍になり、これ以
上ピッチＰを小さくした場合、電界集中の問題に直面す
ることとなる。上述のように、従来の構造の接合型電界
効果トランジスタにおいては、小型化に限界があった。

【０００６】そこで、本発明では、チャネル溝の角部な
どにおける電界集中の問題がなく、小型化に有利な接合
型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に基づく接合型電界効果トランジスタは、第
１導電型不純物を含む半導体基材と、上記半導体基材の
上側に接して形成され、第２導電型不純物を含むチャネ
ル層と、上記チャネル層内に底面を有し、略平行な複数
の直線状のチャネル溝と、上記チャネル層の上側に上記
チャネル溝を挟んで互いに略平行な直線状に突出するよ
うにそれぞれ形成された線状突出部分であって、上記チ
ャネル層の第２導電型不純物の濃度より高い濃度で第２
導電型不純物をそれぞれ含み、１本ごとに交互に設定さ
れたソース領域層およびドレイン領域層と、上記ソース
領域層の上側に配置されたソース取出し電極と、上記ド
レイン領域層の上側に配置されたドレイン取出し電極
と、上記ソース領域層および上記ソース取出し電極を含
む部分と上記ドレイン領域層および上記ドレイン取出し
電極を含む部分との間を電気的に隔てるように上記チャ
ネル溝の内部および上側に配置された絶縁層と、平面的
に見たときに上記チャネル溝に交差するように上記チャ
ネル溝の上方に配置され、上記ソース取出し電極の各々
と電気的に接続され、上記ドレイン取出し電極の各々と
は絶縁されたソースパッド電極と、平面的に見たときに
上記チャネル溝に交差するように上記チャネル溝の上方
に配置され、上記ドレイン取出し電極の各々と電気的に
接続され、上記ソース取出し電極の各々とは絶縁された
ドレインパッド電極とを備える。この構成を採用するこ
とにより、ソースおよびドレインのパッド電極がチャネ
ル溝の上方においてチャネル溝に交差するように配置さ
れるので、チャネル溝はパッド電極の存在にかかわらず
延ばすことができるようになる。したがって、チャネル
溝の折り返し形状は不要となる。その結果、電界集中の
問題はなくなり、電界集中を回避できる最小半径にかか
わらず接合型電界効果トランジスタの小型化を進めるこ
とができる。

【０００８】上記発明において好ましくは、上記ソース
パッド電極は、平面的に見たときに上記ソース取出し電
極と少なくとも一部が重なり合い、重なり合う部分にお
いて上記ソース取出し電極と電気的に接続されている。
この構成を採用することにより、ソースパッド電極とソ
ース取出し電極とは、互いに重なり合う部分で電気的接
続を行なえばよいので、厚み方向に接続をするだけで済
み、接続が簡単になる。

【０００９】上記発明において好ましくは、上記ドレイ
ンパッド電極は、平面的に見たときに上記ドレイン取出
し電極と少なくとも一部が重なり合い、重なり合う部分
において上記ドレイン取出し電極と電気的に接続されて
いる。この構成を採用することにより、ドレインパッド
電極とドレイン取出し電極とは、互いに重なり合う部分
で電気的接続を行なえばよいので、厚み方向に接続をす
るだけで済み、接続が簡単になる。

【００１０】上記発明において好ましくは、上記ソース
取出し電極は、主にアルミニウムからなり、上記ソース
領域層に対して、金属層を介して接続されている。この
構成を採用することにより、ソース取出し電極はアルミ
ニウムからなるので、安価で加工しやすくなる。また、
ソース領域層とのアルミニウムのソース取出し電極との
間にニッケルなどの金属層が介在することによって接続
部分の電気抵抗を低減することができる。

【００１１】上記発明において好ましくは、上記ドレイ
ン取出し電極は、主にアルミニウムからなり、上記ドレ
イン領域層に対して、金属層を介して接続されている。
この構成を採用することにより、ドレイン取出し電極は
アルミニウムからなるので、安価で加工しやすくなる。
また、ドレイン領域層とのアルミニウムのドレイン取出
し電極との間にニッケルなどの金属層が介在することに
よって接続部分の電気抵抗を低減することができる。

【００１２】上記発明において好ましくは、上記ソース
パッド電極および上記ドレインパッド電極のうち少なく
とも一方のパッド電極は２つ以上あり、上記チャネル溝
の長手方向において上記一方のパッド電極が他方のパッ
ド電極を挟むように配置されている。この構成を採用す
ることにより、ソースパッド電極とドレインパッド電極
とが対向する組合せを少ない面積で２ヶ所以上設けるこ
とが可能となる。したがって、一部が不良品であっても
良品の部分を選択して使用することができるので、製品
自体の歩留りを上げることができる。

【００１３】上記目的を達成するため、本発明に基づく
接合型電界効果トランジスタの製造方法は、平面的な線
状パターンを形成するために、材料層の上側にレジスト
層を配置して、上記レジスト層の上方にマスクパターン
を配置する工程と、上記マスクパターンをマスクとして
上記レジスト層を露光してレジストパターンを形成する
工程と、上記レジストパターンをマスクとして上記材料
層をエッチングする工程とを含み、上記マスクパターン
は、上記線状パターンのネガ型のパターンである。この
方法を採用することにより、線状パターンがトランジス
タにおけるチャネル溝に隔てられて配置されるべき拡散
層である場合には、マスクパターンの上下に異物が混入
し、露光時に異物の影が転写されたとしても、異物の影
は線状パターン同士を短絡させる部分ではなく線状パタ
ーンを断線させる部分となるので、トランジスタの動作
は行なうことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】（実施の形態１） （製造方法）図１〜図１１を参照して、本発明に基づく
実施の形態１における接合型電界効果トランジスタの製
造方法について説明する。

【００１５】まず、公知の技術により、図１に示すよう
に、ＳｉＣ基板を用いて基板部９の上面に島部８が突出
し、かつ、島部８の上面には平行に複数のチャネル溝１
１が形成された構造を製造する。島部８の上面において
チャネル溝１１によって隔てられた高い部分は凸部１２
となる。断面図を図２に示す。基板部９は、Ｎ⁺基板１
と、その上側に形成されたＰ⁺エピタキシャルゲート層
２とを備えている。Ｐ⁺エピタキシャルゲート層２はそ
のまま上に続き、島部８の一部となっている。島部８
は、下から順に、Ｐ⁺エピタキシャルゲート層２、Ｎ^-チ
ャネル層３、Ｎ⁺拡散層４となっている。島部８の上面
は、チャネル溝１１と凸部１２が交互に繰り返す形状と
なっており、チャネル溝１１は、島部８の上面からＮ^-
チャネル層３の途中まで達する深さとなっている。した
がって、Ｎ⁺拡散層４は各凸部１２ごとに分離された形
となっている。

【００１６】図３に、島部８の一部の平面図を示す。こ
の図では、島部８の表面形状を代表して２本の凸部１２
を表示している。図３のＩＶ−ＩＶ線に関する矢視断面
図を図４に示す。次に、熱酸化、ＣＶＤ、スパッタ、蒸
着、薬剤塗布などのうちいずれかの方法により、この上
面を覆うようにＳｉＯ₂による絶縁膜２１を形成する。
絶縁膜２１に覆われた状態の平面図を図５に示す。図５
のＶＩ−ＶＩ線に関する矢視断面図を図６に示す。図７
に示すように、上面を覆う絶縁膜２１のうち、Ｎ⁺拡散
層４の上方に相当する領域内にＮ⁺拡散層４が露出する
ように線状の開口部２２を形成し、その底面に露出した
Ｎ⁺拡散層４を覆うように、蒸着、スパッタなどの方法
により、Ｎｉ膜２３を形成する。図７のＶＩＩＩ−ＶＩ
ＩＩ線に関する矢視断面図を図８に示す。

【００１７】図７に示す２点鎖線は、のちにソースパッ
ド電極２５およびドレインパッド電極２６（図１０また
は図１２参照）が配置される予定の領域を示す。図７に
おいて、左の２点鎖線はソースパッド電極の予定領域の
右端を意味し、右の２点鎖線はドレインパッド電極の予
定領域の左端を意味する。Ｎｉ膜２３は、両パッド電極
が覆わない中央の部分に主に配置されるが、一端が、一
方のパッド電極の予定領域に入りこむように配置され
る。Ｎｉ膜２３は、１本ごとに、ソースパッド電極の予
定領域とドレインパッド電極の予定領域とに交互に入り
こむように配置される。そのため、Ｎｉ膜２３の配置
は、図７のような平面図で見たときに交互に左右にずれ
た千鳥状となっている。Ｎｉ膜２３は、Ｎ⁺拡散層４
と、この後形成するＡｌ層による電極との間の良好な導
通を確保するためのものなので、薄くてもよい。この
後、熱処理を施して、Ｎｉ膜２３とその下側に接するＮ
⁺拡散層４との接触抵抗を低減する。

【００１８】次に、図９に示すように、Ｎｉ膜２３の上
側に、蒸着、スパッタなどの方法により、Ａｌ層２４を
形成する。

【００１９】図１０に示すように、Ａｌ層２４を形成す
るのと同時にソースパッド電極２５とドレインパッド電
極２６とを形成する。Ｎｉ膜２３の上側に形成されたＡ
ｌ層２４はソースパッド電極２５およびドレインパッド
電極２６の予定領域内にそれぞれ交互に入りこむように
形成されていたので、ソースパッド電極２５とドレイン
パッド電極２６とを各予定領域に形成することによって
Ａｌ層２４は、ソースパッド電極２５とドレインパッド
電極２６とに対して交互に電気的に接続されることとな
る。こうして、Ａｌ層２４のうち、ソースパッド電極２
５に接続されるものはソース取出し電極３１の役割を果
たすこととなり、ドレインパッド電極２６に接続される
ものはドレイン取出し電極３２の役割を果たすこととな
る。これに伴い、Ｎ⁺拡散層４のうち、ソース取出し電
極３１が設けられたものは、ソース拡散層２７の役割を
果たすこととなり、ドレイン取出し電極３２が設けられ
たものは、ドレイン拡散層２８の役割を果たすこととな
る。したがって、平行に複数本並んでいたＮ⁺拡散層４
は、１本ごとに交互にソース拡散層２７とドレイン拡散
層２８とが並んだ形になる。こうして接合型電界効果ト
ランジスタを得ることができた。

【００２０】（構成）本発明に基づく実施の形態１にお
ける接合型電界効果トランジスタの構成については、上
述の製造方法の説明の中でも明らかにされているが、以
下、構成についてより詳しく説明する。図１０のＸＩ−
ＸＩ線に関する矢視断面図を図１１に示す。図１１は、
ドレイン拡散層２８の中心で切断した場合の断面図であ
るので、ドレイン拡散層２８とその上側にＮｉ膜２３を
介して接続されたドレイン取出し電極３２が見えてい
る。ドレイン取出し電極３２は、ドレインパッド電極２
６に電気的に接続されている。チャネル溝１１の底面１
１ａは、ドレイン拡散層２８の下面より低い位置にあ
る。仮に切断面をずらしてソース拡散層２７の中心で切
断した場合には、ドレインパッド電極２６に接続された
ドレイン取出し電極３２の代わりに、ソースパッド電極
２５に接続されたソース取出し電極３１が見えることと
なる。

【００２１】ここで、接合型電界効果トランジスタ全体
の平面図を示すと図１２のようになる。基板部９の中に
略矩形状の島部８が突出しており、その上面にソースパ
ッド電極２５とドレインパッド電極２６とが配置されて
いる。ソースパッド電極２５からは複数のソース取出し
電極３１が平行に延びて櫛形電極を構成し、ドレインパ
ッド電極２６からは複数のドレイン取出し電極３２が平
行に延びて櫛形電極を構成する。ソース取出し電極３１
とドレイン取出し電極３２とは、互いに間隙に入りこむ
ようにして対向している。チャネル溝１１は、上側から
は絶縁膜２１に覆われて直接は見えないが、ソース取出
し電極３１とドレイン取出し電極３２とに挟まれる各間
隙の領域において、絶縁膜２１の内部に隠れるようにし
て延びている。チャネル溝１１は、図２５、図２６に示
したような蛇行した形状ではなく、それぞれ直線状で、
図１１に底面１１ａを示したことから読み取れるように
島部８の両端に突き抜けた形状となっている。

【００２２】（作用・効果）本実施の形態では、チャネ
ル溝１１がＵターンを繰り返すものでなく、両端に突き
抜ける直線状のもののみとなっているので、チャネル溝
１１に角部が生じることはない。したがって、従来のよ
うな電界集中が発生するおそれはなく、加工精度が許す
範囲でチャネル溝を含めて構造を自由に小型化すること
ができる。

【００２３】なお、上述の例では、絶縁膜２１に覆われ
たＮ⁺拡散層４を長手方向に見たときに一部の区間のみ
にＮｉ膜２３を形成し、そのままＮｉ膜２３の上側にＡ
ｌ層２４を形成しているが、Ｎｉ膜２３はＮ⁺拡散層４
の全長に渡って形成することとしてもよい。この場合、
Ｎｉ膜２３の上面のうち、Ａｌ層２４を接続する部分以
外は絶縁膜２１などで覆うこととする。Ａｌ層２４の配
置は、図１０に示したものと同じである。したがって、
接合型電界効果トランジスタの全体の外観は図１２に示
すものと変わらない。

【００２４】さらに、たとえば、ソースパッド電極およ
びドレインパッド電極の少なくとも一方を複数配置する
こととしてもよい。複数とすることで、一例として、ソ
ースパッド電極２５を１枚のままドレインパッド電極を
２枚とした例を図１３に示す。この場合、合計３枚のパ
ッド電極は一直線上に並び、ドレインパッド電極２６
ａ，２６ｂがソースパッド電極２５を挟みこむように配
置されている。ソースパッド電極２５からはドレインパ
ッド電極２６ａ，２６ｂの各々に向かう向きに、すなわ
ち、左右両側に向かってソース取出し電極３１が延びて
いる。ドレインパッド電極２６ａ，２６ｂの各々から
は、ソース取出し電極３１の隙間に入りこむようにドレ
インパッド電極３２が延びている。チャネル溝１１は、
ソース取出し電極３１とドレイン取出し電極３２とに挟
まれる各間隙を通って島部８の両端に一直線に突き抜け
るように、延びている。なお、図１３に示した例に限ら
ず、ソースパッド電極およびドレインパッド電極の双方
を複数としてもよい。

【００２５】なお、本実施の形態では、基板、チャネル
層、拡散層が有する導電型である第１導電型をＰ型と
し、ゲート層が有する導電型である第２導電型をＮ型と
したが、必要に応じてＰ型とＮ型とを逆にして用いても
よい。

【００２６】（実施の形態２） （製造方法）実施の形態１で説明した接合型電界効果ト
ランジスタの製造方法においては、図１４に示すように
ＳｉＣなどの基材４１の上面に、所望のピッチで平行に
チャネル溝１１を形成し、チャネル溝１１と凸部１２と
が繰り返す形状とする工程が必要となる。基材４１と
は、Ｎ⁺拡散層４やＮ^-チャネル層３といった種類の区別
を問わず、何らかの材料であることを意味する。このチ
ャネル溝１１の形成には、一般に、図１５、図１６に示
す方法がとられていた。すなわち、図１５に示すよう
に、基材４１の上面にレジスト膜４２を形成し、マスク
パターン４３を介して光を照射し、レジスト膜４２を露
光させる。このとき用いるマスクパターン４３はいわゆ
るポジ型、すなわち、基材４１を除去すべき領域では光
を透過し、基材を残すべき領域では光を遮るタイプのも
のである。なお、レジスト膜４２は基材４１の上面に直
接形成するのではなく、基材４１の上面にまずアルミニ
ウムなどの金属層（図示省略）を形成してその上にレジ
スト膜４２を形成することとしてもよい。

【００２７】現像することによって露光した部分のレジ
ストが除去され、図１６に示すようなレジストパターン
４５が得られる。基材４１とレジスト膜４２との間に金
属層を形成している場合は、金属層もパターニングされ
る。このレジストパターン４５をマスクとしてエッチン
グを行ない、レジストパターン４５を除去することによ
って、図１４に示す構造が得られる。

【００２８】しかし、マスクパターン４３を用いて露光
を行なう際に、図１７に示すように、レジスト膜４２と
マスクパターン４３との間に異物４６が混入する場合が
ある。この場合、本来光がレジスト膜４２に達するべき
領域の一部において光がレジスト膜４２に達しないこと
になる。そのため、最終的に得られる構造は、図１４に
示す構造にはならず、図１８に示すものになる。これを
斜視図で示すと、図１９のようになる。すなわち、凸部
１２同士が局所的につながった短絡部４７ができてしま
う。凸部１２は、本来、１本おきに交互にソース拡散層
とドレイン拡散層とをそれぞれ含むべきものであるの
で、隣接する凸部同士は電気的に独立していなければな
らない。しかし、このような短絡部４７があると、隣接
する凸部同士であるソース拡散層およびドレイン拡散層
が直接接続されたことになり、オフ状態のないトランジ
スタとなる。したがって、トランジスタとしては全く使
用できないものとなる。

【００２９】これは、チャネル溝１１の形成工程だけで
なく、Ａｌ層２４を形成する工程においても同様に問題
となる。Ａｌ層２４も１本おきに交互にソース取出し電
極とドレイン取出し電極としてそれぞれ機能するもので
あって、短絡することが許されないからである。

【００３０】そこで、本実施の形態では、ポジ型のマス
クパターン４３の代わりに、図２０に示すようにネガ型
のマスクパターン４４を用いる。すなわち、マスクパタ
ーン４４は、基材４１を除去すべき領域では光を遮り、
基材を残すべき領域では光を透過するタイプのものであ
る。レジスト膜４２の種類も、元々定着していたものの
うち露光した部分が現像時に流出するタイプのものでは
なく、元々定着していなかったもののうち露光した部分
が定着して流出しなくなるタイプのものを用いる。現像
することによって露光しなかった部分のレジストが除去
され、図１６に示すようなレジストパターン４５が得ら
れる。あとは、ポジ型のマスクパターン４３の場合と同
じようにして、図１４に示す構造を得ることができる。

【００３１】接合型電界効果トランジスタの製造方法と
しての他の工程については、実施の形態１と同様であ
る。

【００３２】（作用・効果）このように、ネガ型のマス
クパターン４４を用いた場合、図２１に示すようにレジ
スト膜４２とマスクパターン４４との間に異物４６が混
入したとすると、最終的に得られる構造は図２２に示す
ようになる。すなわち、図２３に示すように、凸部１２
の一部に分断部４８ができてしまう。この場合、電流が
流れるべき凸部１２の途中が分断部４８によって断線す
ることとなるが、トランジスタの一部分のみ電流が流れ
ないだけであるので、多少電流値は低下するものの、ト
ランジスタとしての動作は行なうことができる。

【００３３】この考え方は、チャネル溝１１の形成工程
だけでなく、Ａｌ層２４の形成工程にも適用可能であ
る。さらに、これ以外にも、断線よりも短絡をより避け
るべきであるパターン構造であれば、他の形成工程にお
いても適用可能である。

【００３４】なお、今回開示した上記実施の形態はすべ
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、ソースおよびドレイン
のパッド電極がチャネル溝の上方においてチャネル溝に
交差するように配置されるので、チャネル溝はパッド電
極の存在にかかわらず延ばすことができるようになる。
したがって、チャネル溝の折り返し形状は不要となる。
その結果、電界集中の問題はなくなり、電界集中を回避
できる最小半径にかかわらず接合型電界効果トランジス
タの小型化を進めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に基づく実施の形態１における接合型
電界効果トランジスタの製造方法に用いる基板の斜視図
である。

【図２】 本発明に基づく実施の形態１における接合型
電界効果トランジスタの製造方法に用いる基板の断面図
である。

【図３】 本発明に基づく実施の形態１における接合型
電界効果トランジスタの製造方法の第１の工程の説明図
である。

【図４】 図３のＩＶ−ＩＶ線に関する矢視断面図であ
る。

【図５】 本発明に基づく実施の形態１における接合型
電界効果トランジスタの製造方法の第２の工程の説明図
である。

【図６】 図５のＶＩ−ＶＩ線に関する矢視断面図であ
る。

【図７】 本発明に基づく実施の形態１における接合型
電界効果トランジスタの製造方法の第３の工程の説明図
である。

【図８】 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に関する矢視断
面図である。

【図９】 本発明に基づく実施の形態１における接合型
電界効果トランジスタの製造方法の第４の工程の説明図
である。

【図１０】 本発明に基づく実施の形態１における接合
型電界効果トランジスタの製造方法の第５の工程の説明
図である。

【図１１】 図１０のＸＩ−ＸＩ線に関する矢視断面図
である。

【図１２】 本発明に基づく実施の形態１における接合
型電界効果トランジスタの平面図である。

【図１３】 本発明に基づく実施の形態１における接合
型電界効果トランジスタの他の例の平面図である。

【図１４】 本発明に基づく実施の形態２において背景
説明に用いた第１の説明図である。

【図１５】 本発明に基づく実施の形態２において背景
説明に用いた第２の説明図である。

【図１６】 本発明に基づく実施の形態２において背景
説明に用いた第３の説明図である。

【図１７】 本発明に基づく実施の形態２において背景
説明に用いた第４の説明図である。

【図１８】 本発明に基づく実施の形態２において背景
説明に用いた第５の説明図である。

【図１９】 本発明に基づく実施の形態２において背景
説明に用いた第６の説明図である。

【図２０】 本発明に基づく実施の形態２における接合
型電界効果トランジスタの製造方法の第１の説明図であ
る。

【図２１】 本発明に基づく実施の形態２における接合
型電界効果トランジスタの製造方法の第２の説明図であ
る。

【図２２】 本発明に基づく実施の形態２における接合
型電界効果トランジスタの製造方法の第３の説明図であ
る。

【図２３】 本発明に基づく実施の形態２における接合
型電界効果トランジスタの製造方法の第４の説明図であ
る。

【図２４】 従来技術に基づく接合型電界効果トランジ
スタの斜視図である。

【図２５】 従来技術に基づく接合型電界効果トランジ
スタの平面図である。

【図２６】 従来技術に基づく接合型電界効果トランジ
スタの一部分の拡大斜視図である。

【図２７】 従来技術に基づく接合型電界効果トランジ
スタの一部分の拡大平面図である。

【符号の説明】

１ Ｎ⁺基板、２ Ｐ⁺エピタキシャルゲート層、３ Ｎ
^-チャネル層、４ Ｎ⁺拡散層、８，１０８ 島部、９，
１０９ 基板部、１１，１１１ チャネル溝、１１ａ
（チャネル溝の）底面、１２ 凸部、２１ 絶縁膜、２
２ （酸化膜の）開口部、２３ Ｎｉ膜、２４ Ａｌ
層、２５，１２５ ソースパッド電極、２６，２６ａ，
２６ｂ，１２６ ドレインパッド電極、２７，１２７
ソース拡散層、２８，１２８ ドレイン拡散層、３１，
１３１ ソース取出し電極、３２，１３２ ドレイン取
出し電極、４１ 基材、４２ レジスト膜、４３ （ポ
ジ型の）マスクパターン、４４ （ネガ型の）マスクパ
ターン、４５ レジストパターン、４６ 異物、４７
短絡部、４８ 分断部、１３０ 角部。

フロントページの続き (72)発明者 初川 聡 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 (72)発明者 藤川 一洋 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 (72)発明者 星野 孝志 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 Ｆターム(参考） 5F102 FA01 GB01 GC10 GD04 GJ02 GV03 HC01 HC16

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電型不純物を含む半導体基材と、 前記半導体基材の上側に接して形成され、第２導電型不
   純物を含むチャネル層と、 前記チャネル層内に底面を有し、略平行な複数の直線状
   のチャネル溝と、 前記チャネル層の上側に前記チャネル溝を挟んで互いに
   略平行な直線状に突出するようにそれぞれ形成された線
   状突出部分であって、前記チャネル層の第２導電型不純
   物の濃度より高い濃度で第２導電型不純物をそれぞれ含
   み、１本ごとに交互に設定されたソース領域層およびド
   レイン領域層と、 前記ソース領域層の上側に配置されたソース取出し電極
   と、 前記ドレイン領域層の上側に配置されたドレイン取出し
   電極と、 前記ソース領域層および前記ソース取出し電極を含む部
   分と前記ドレイン領域層および前記ドレイン取出し電極
   を含む部分との間を電気的に隔てるように前記チャネル
   溝の内部および上側に配置された絶縁層と、 平面的に見たときに前記チャネル溝に交差するように前
   記チャネル溝の上方に配置され、前記ソース取出し電極
   の各々と電気的に接続され、前記ドレイン取出し電極の
   各々とは絶縁されたソースパッド電極と、 平面的に見たときに前記チャネル溝に交差するように前
   記チャネル溝の上方に配置され、前記ドレイン取出し電
   極の各々と電気的に接続され、前記ソース取出し電極の
   各々とは絶縁されたドレインパッド電極とを備える接合
   型電界効果トランジスタ。
2. 【請求項２】 前記ソースパッド電極は、平面的に見た
   ときに前記ソース取出し電極と少なくとも一部が重なり
   合い、重なり合う部分において前記ソース取出し電極と
   電気的に接続されている、請求項１に記載の接合型電界
   効果トランジスタ。
3. 【請求項３】 前記ドレインパッド電極は、平面的に見
   たときに前記ドレイン取出し電極と少なくとも一部が重
   なり合い、重なり合う部分において前記ドレイン取出し
   電極と電気的に接続されている、請求項１または２に記
   載の接合型電界効果トランジスタ。
4. 【請求項４】 前記ソース取出し電極は、主にアルミニ
   ウムからなり、前記ソース領域層に対して、金属層を介
   して接続されている、請求項１から３のいずれかに記載
   の接合型電界効果トランジスタ。
5. 【請求項５】 前記ドレイン取出し電極は、主にアルミ
   ニウムからなり、前記ドレイン領域層に対して、金属層
   を介して接続されている、請求項１から４のいずれかに
   記載の接合型電界効果トランジスタ。
6. 【請求項６】 前記ソースパッド電極および前記ドレイ
   ンパッド電極のうち少なくとも一方のパッド電極は２つ
   以上あり、前記チャネル溝の長手方向において前記一方
   のパッド電極が他方のパッド電極を挟むように配置され
   ている、請求項１から５のいずれかに記載の接合型電界
   効果トランジスタ。
7. 【請求項７】 平面的な線状パターンを形成するため
   に、材料層の上側にレジスト層を配置して、前記レジス
   ト層の上方にマスクパターンを配置する工程と、 前記マスクパターンをマスクとして前記レジスト層を露
   光してレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記材料層をエッ
   チングする工程とを含み、 前記マスクパターンは、前記線状パターンのネガ型のパ
   ターンである、接合型電界効果トランジスタの製造方
   法。