JP2003277390A - アゼチジノン化合物の製造方法 - Google Patents
アゼチジノン化合物の製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、従来法の問題点を解消し、
所望の、１'−β位にメチル基を有するカルバペネム系
抗菌剤の合成中間体を温和な条件下で、短工程で収率良
く、且つ選択的に得る方法を提供することにある。 【解決手段】 本発明は、特定の金属化合物と塩基の存
在下で、下式 【化１】 （式中、Ｒ１は、水素原子又は水酸基の保護基、Ｌは脱
離基、Ｒ２は、水素原子又は低級アルキル基、Ｒ３は、
アルキル基、アラルキル基等、Ｘは、酸素原子又は硫黄
原子）で示される反応を行うことを特徴とする１'−β
配置を有するアゼチジノン化合物の製造方法に関する。
所望の、１'−β位にメチル基を有するカルバペネム系
抗菌剤の合成中間体を温和な条件下で、短工程で収率良
く、且つ選択的に得る方法を提供することにある。 【解決手段】 本発明は、特定の金属化合物と塩基の存
在下で、下式 【化１】 （式中、Ｒ１は、水素原子又は水酸基の保護基、Ｌは脱
離基、Ｒ２は、水素原子又は低級アルキル基、Ｒ３は、
アルキル基、アラルキル基等、Ｘは、酸素原子又は硫黄
原子）で示される反応を行うことを特徴とする１'−β
配置を有するアゼチジノン化合物の製造方法に関する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はカルバペネム系化合
物の重要な合成中間体であるアゼチジノン化合物の製造
方法に関する。
物の重要な合成中間体であるアゼチジノン化合物の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】抗菌物質として重要な１β−メチルカル
バペネム誘導体の製造に用いられる４位側鎖の１'位に
β−メチル基を有するアゼチジノン化合物の重要な合成
中間体である（３Ｓ,４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−ヒド
ロキシエチル］−４−［（Ｒ）−１−メチル−３−ジア
ゾ−３−置換オキシカルボニル−２−オキソ−プロピ
ル］−アゼチジン−２−オン［Ａ］
バペネム誘導体の製造に用いられる４位側鎖の１'位に
β−メチル基を有するアゼチジノン化合物の重要な合成
中間体である（３Ｓ,４Ｒ）−３−［（Ｒ）−１−ヒド
ロキシエチル］−４−［（Ｒ）−１−メチル−３−ジア
ゾ−３−置換オキシカルボニル−２−オキソ−プロピ
ル］−アゼチジン−２−オン［Ａ］
【化４】
［式中、Ｒは、アルキル基、置換基を有していてもよい
ベンジル基、置換基を有していてもよいアリール基を示
す。］の製造法としては、例えば、特開昭５７−１２３
１８２号公報に記載の下記反応スキーム１
ベンジル基、置換基を有していてもよいアリール基を示
す。］の製造法としては、例えば、特開昭５７−１２３
１８２号公報に記載の下記反応スキーム１
【化５】
で示される製造法、特開昭６４−２５７７９号公報に記
載の下記反応スキーム２
載の下記反応スキーム２
【化６】
で示される製造法、特開平６−３２１９４６号公報に記
載の下記反応スキーム３
載の下記反応スキーム３
【化７】
で示される製造法、並びに特開昭５８−１０３３５８号
公報、特開平６−１９９７８０号公報、特開昭６１−２
７５２８４号公報等に記載の下記反応スキーム４
公報、特開平６−１９９７８０号公報、特開昭６１−２
７５２８４号公報等に記載の下記反応スキーム４
【化８】
で示される製造法などが知られている。しかしながら、
これらの製造方法は、何れも、それぞれ以下のような問
題点を有しており、十分に満足の行くものとは言えなか
った。即ち、反応スキーム１〜反応スキーム３の方法で
は、高価な出発原料を用い、且つ工程数が多いため操作
が煩雑となり、収率の面のみならず価格の面でも決して
望ましいものではない。また、反応スキーム４の方法で
は、比較的短工程で製造しているが、不安定なシリルエ
ノールエーテルを使用しなければならないため、工業的
な方法とは言い難く、また、経済的な方法とも言い難
い。
これらの製造方法は、何れも、それぞれ以下のような問
題点を有しており、十分に満足の行くものとは言えなか
った。即ち、反応スキーム１〜反応スキーム３の方法で
は、高価な出発原料を用い、且つ工程数が多いため操作
が煩雑となり、収率の面のみならず価格の面でも決して
望ましいものではない。また、反応スキーム４の方法で
は、比較的短工程で製造しているが、不安定なシリルエ
ノールエーテルを使用しなければならないため、工業的
な方法とは言い難く、また、経済的な方法とも言い難
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した如き従来法の問題点を解消し、所望の、１'−β位
にメチル基を有するカルバペネム系抗菌剤の合成中間体
を温和な条件下で、短工程で収率良く、且つ選択的に得
る方法を提供することにある。
した如き従来法の問題点を解消し、所望の、１'−β位
にメチル基を有するカルバペネム系抗菌剤の合成中間体
を温和な条件下で、短工程で収率良く、且つ選択的に得
る方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
［２］
［２］
【化９】
（式中、Ｒ１は、水素原子又は水酸基の保護基を表し、
Ｌは脱離基を表す。）で示される化合物と、下記一般式
［３］
Ｌは脱離基を表す。）で示される化合物と、下記一般式
［３］
【化１０】
（式中、Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜４の低級アル
キル基を表し、Ｒ３は、炭素数１〜１２のアルキル基、
置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有して
いてもよい炭素数７〜１５のアラルキル基、又は置換基
を有していてもよい５〜８員環の脂環式基を表し、Ｘ
は、酸素原子又は硫黄原子を表す。）で示される化合物
を、下記一般式［４］ ＭＹｎ（Ｒ４）ｍ 〔４〕 （式中、Ｍは金属原子を表し、Ｙはハロゲン原子を表
し、Ｒ４は、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１
〜４の低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいフ
ェノキシ基、アルキルスルホニルジオキシ基、アリール
スルホニルジオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、
アリールスルホニルオキシ基、シクロペンタジエニル
基、又はペンタメチルシクロペンタジエニル基を表し、
ｎ及びｍは、０〜４の整数で、且つ、ｎ＋ｍは、Ｍの原
子価である。）で示される金属化合物、及び塩基の存在
下で反応させることを特徴とする、下記一般式［１］
キル基を表し、Ｒ３は、炭素数１〜１２のアルキル基、
置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有して
いてもよい炭素数７〜１５のアラルキル基、又は置換基
を有していてもよい５〜８員環の脂環式基を表し、Ｘ
は、酸素原子又は硫黄原子を表す。）で示される化合物
を、下記一般式［４］ ＭＹｎ（Ｒ４）ｍ 〔４〕 （式中、Ｍは金属原子を表し、Ｙはハロゲン原子を表
し、Ｒ４は、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１
〜４の低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいフ
ェノキシ基、アルキルスルホニルジオキシ基、アリール
スルホニルジオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、
アリールスルホニルオキシ基、シクロペンタジエニル
基、又はペンタメチルシクロペンタジエニル基を表し、
ｎ及びｍは、０〜４の整数で、且つ、ｎ＋ｍは、Ｍの原
子価である。）で示される金属化合物、及び塩基の存在
下で反応させることを特徴とする、下記一般式［１］
【化１１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＸは、前記と同じ。）で
示される化合物の製造方法に関する。
示される化合物の製造方法に関する。
【０００５】即ち、本発明者らは、前記目的を達成する
ために鋭意研究を重ねた結果、上記一般式［２］で示さ
れる化合物と上記一般式［３］で示されるジアゾ化合物
とを特定の金属化合物と塩基の存在下で反応させるだけ
で所望の１'−β配置を有するアゼチジノン化合物
［４］を選択的に且つ収率良く製造することが出来るこ
とを見出し、本発明を完成するに到った。本発明は、ジ
アゾ化合物をシリルエノールエーテルに変換することを
必要とせず、一般式［２］で示される化合物と一般式
［３］で示されるジアゾ化合物とを特定の金属化合物と
塩基の存在下で反応させるだけで所望の１'−β配置を
有するアゼチジノン化合物を温和な条件下で、短工程で
収率良く、且つ選択的に製造する方法を提供するもので
ある。
ために鋭意研究を重ねた結果、上記一般式［２］で示さ
れる化合物と上記一般式［３］で示されるジアゾ化合物
とを特定の金属化合物と塩基の存在下で反応させるだけ
で所望の１'−β配置を有するアゼチジノン化合物
［４］を選択的に且つ収率良く製造することが出来るこ
とを見出し、本発明を完成するに到った。本発明は、ジ
アゾ化合物をシリルエノールエーテルに変換することを
必要とせず、一般式［２］で示される化合物と一般式
［３］で示されるジアゾ化合物とを特定の金属化合物と
塩基の存在下で反応させるだけで所望の１'−β配置を
有するアゼチジノン化合物を温和な条件下で、短工程で
収率良く、且つ選択的に製造する方法を提供するもので
ある。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の製造法において用いられ
る、前記一般式［２］で示される化合物において、Ｒ１
で表される水酸基の保護基としては、例えばペプチド化
学やβ−ラクタム化合物の分野で通常用いられる水酸基
の保護基が全て挙げられる。
る、前記一般式［２］で示される化合物において、Ｒ１
で表される水酸基の保護基としては、例えばペプチド化
学やβ−ラクタム化合物の分野で通常用いられる水酸基
の保護基が全て挙げられる。
【０００７】即ち、例えば、トリメチルシリル基、トリ
エチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチル
イソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル
基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル
基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルヘキ
シルシリル基などのトリ−炭素数１〜６アルキルシリル
基、例えばジメチルクミルシリル基などのジ−炭素数１
〜６アルキル−炭素数６〜１８アリールシリル基、例え
ば、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジフェニル
メチルシリル基などのジ−炭素数６〜１８アリール−炭
素数１〜６アルキルシリル基、例えばトリフェニルシリ
ル基などのトリ−炭素数６〜１８アリールシリル基、例
えば、トリベンジルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリ
ル基などのトリ−炭素数７〜１９アラルキルシリル基等
のトリ置換シリル基；例えば、ベンジル基、４−メトキ
シベンジル基、２−ニトロベンジル基、４−ニトロベン
ジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基等
の炭素数１〜４アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エ
トキシ基等）やニトロ基等でその水素原子の１〜３個が
置換されていてもよい炭素数７〜１９のアラルキル基；
例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、２，２，２−ト
リクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリル
エトキシカルボニル基等の炭素数１〜４のアルコキシ基
（例えば、メトキシ基、エトキシ基等）やハロゲン原子
（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）或いはトリ
−炭素数１〜４アルキルシリル（例えば、トリメチルシ
リル基等）等でその水素原子の１〜３個が置換されてい
てもよい炭素数１〜６のアルキルオキシカルボニル基；
例えば、ベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベン
ジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル
基、３，４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル基等
の炭素数１〜４のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、
エトキシ基等）又はニトロ基でその水素原子の１〜３個
が置換されていてもよい炭素数７〜１０のアラルキルオ
キシカルボニル基；例えば、ビニルオキシカルボニル
基、アリルオキシカルボニル基等の炭素数２〜６のアル
ケニルオキシカルボニル基；例えば、ホルミル基、アセ
チル基、クロロアセチル基、ジクロロアセチル基、トリ
クロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、プロピオ
ニル基、ブチリル基、ベンゾイル基、４−トルオイル
基、４−アニソイル基、４−ニトロベンゾイル基等のハ
ロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）
やニトロ基等でその水素原子の１〜３個が置換されてい
てもよいアシル基；例えばテトラヒドロピラニル基、テ
トラヒドロフラニル基等の環状の保護基などが挙げられ
る。
エチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチル
イソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル
基、ジメチル（２，３−ジメチル−２−ブチル）シリル
基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルヘキ
シルシリル基などのトリ−炭素数１〜６アルキルシリル
基、例えばジメチルクミルシリル基などのジ−炭素数１
〜６アルキル−炭素数６〜１８アリールシリル基、例え
ば、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジフェニル
メチルシリル基などのジ−炭素数６〜１８アリール−炭
素数１〜６アルキルシリル基、例えばトリフェニルシリ
ル基などのトリ−炭素数６〜１８アリールシリル基、例
えば、トリベンジルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリ
ル基などのトリ−炭素数７〜１９アラルキルシリル基等
のトリ置換シリル基；例えば、ベンジル基、４−メトキ
シベンジル基、２−ニトロベンジル基、４−ニトロベン
ジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基等
の炭素数１〜４アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エ
トキシ基等）やニトロ基等でその水素原子の１〜３個が
置換されていてもよい炭素数７〜１９のアラルキル基；
例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、２，２，２−ト
リクロロエトキシカルボニル基、２−トリメチルシリル
エトキシカルボニル基等の炭素数１〜４のアルコキシ基
（例えば、メトキシ基、エトキシ基等）やハロゲン原子
（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）或いはトリ
−炭素数１〜４アルキルシリル（例えば、トリメチルシ
リル基等）等でその水素原子の１〜３個が置換されてい
てもよい炭素数１〜６のアルキルオキシカルボニル基；
例えば、ベンジルオキシカルボニル基、２−ニトロベン
ジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル
基、３，４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル基等
の炭素数１〜４のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、
エトキシ基等）又はニトロ基でその水素原子の１〜３個
が置換されていてもよい炭素数７〜１０のアラルキルオ
キシカルボニル基；例えば、ビニルオキシカルボニル
基、アリルオキシカルボニル基等の炭素数２〜６のアル
ケニルオキシカルボニル基；例えば、ホルミル基、アセ
チル基、クロロアセチル基、ジクロロアセチル基、トリ
クロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、プロピオ
ニル基、ブチリル基、ベンゾイル基、４−トルオイル
基、４−アニソイル基、４−ニトロベンゾイル基等のハ
ロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）
やニトロ基等でその水素原子の１〜３個が置換されてい
てもよいアシル基；例えばテトラヒドロピラニル基、テ
トラヒドロフラニル基等の環状の保護基などが挙げられ
る。
【０００８】これらの保護基の中で好ましいものとして
は、例えば炭素数７〜１９のアラルキルオキシカルボニ
ル基（例えば、ベンジルオキシカルボニル基、４−ニト
ロベンジルオキシカルボニル基等）、炭素数２〜６のア
ルケニルオキシカルボニル基（例えば、アリルオキシカ
ルボニル基等）、トリ−炭素数１〜６アルキルシリル基
等が挙げられ、より好ましいものとしては、ｔｅｒｔ−
ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
は、例えば炭素数７〜１９のアラルキルオキシカルボニ
ル基（例えば、ベンジルオキシカルボニル基、４−ニト
ロベンジルオキシカルボニル基等）、炭素数２〜６のア
ルケニルオキシカルボニル基（例えば、アリルオキシカ
ルボニル基等）、トリ−炭素数１〜６アルキルシリル基
等が挙げられ、より好ましいものとしては、ｔｅｒｔ−
ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
【０００９】また、Ｌで示される脱離基としては、例え
ば、アシルオキシ基（例えば、アルカノイルオキシ基、
アロイルオキシ基、アリールアルカノイルオキシ基、ア
ルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ
基、アルコキシカルボニルオキシ基、アラルコキシカル
ボニルオキシ基、アルコキシアルカノイルオキシ基、カ
ルバモイルオキシ基などが挙げられる。）、アルカノイ
ルチオ基、アロイルチオ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニ
ル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、
ハロゲン原子等が例示される。
ば、アシルオキシ基（例えば、アルカノイルオキシ基、
アロイルオキシ基、アリールアルカノイルオキシ基、ア
ルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ
基、アルコキシカルボニルオキシ基、アラルコキシカル
ボニルオキシ基、アルコキシアルカノイルオキシ基、カ
ルバモイルオキシ基などが挙げられる。）、アルカノイ
ルチオ基、アロイルチオ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニ
ル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、
ハロゲン原子等が例示される。
【００１０】Ｌがアルカノイルオキシ基の場合の具体例
としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチ
リルオキシ基、α−フルオロアセトキシ基、α−クロロ
アセトキシ基、α−ブロモアセトキシ基、α−ヨードア
セトキシ基、α, α−ジフルオロアセトキシ基、α, α
−ジクロロアセトキシ基、α−シアノアセトキシ基等
の、ハロゲン原子、シアノ基等の置換基が１〜３個置換
していてもよい直鎖のアルカノイルオキシ基、イソブチ
リルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基など
の分岐又は環状のアルカノイルオキシ基等を挙げること
ができる。Ｌがアロイルオキシ基の場合の具体例として
は、ベンゾイルオキシ基、１−ナフトイルオキシ基、２
−ナフトイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニ
コチノイルオキシ基、フルフロイルオキシ基等の単環又
は多環の、ヘテロ原子を有していてもよいアロイルオキ
シ基を挙げることができる。Ｌがアリールアルカノイル
オキシ基の場合の具体例としては、フェニルアセトキシ
基等を挙げることができる。Ｌがアルキルスルホニルオ
キシ基の場合の具体例としては、メタンスルホニルオキ
シ基、エタンスルホニルオキシ基、プロパンスルホニル
オキシ基、トリフロロメタンスルホニルオキシ基等を挙
げることができる。Ｌがアリールスルホニルオキシ基の
場合の具体例としては、ベンゼンスルホニルオキシ基、
ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等を挙げることができ
る。Ｌがアルコキシカルボニルオキシ基の場合の具体例
としては、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカル
ボニルオキシ基等を挙げることができる。Ｌがアラルコ
キシカルボニルオキシ基の場合の具体例としては、ベン
ジルオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができ
る。Ｌがアルコキシアルカノイルオキシ基の場合の具体
例としては、メトキシアセトキシ基、エトキシアセトキ
シ基等を挙げることができる。Ｌがカルバモイルオキシ
基の場合の具体例としては、Ｎ−メチルカルバモイルオ
キシ基、Ｎ−エチルカルバモイルオキシ基、Ｎ−フェニ
ルカルバモイルオキシ基等を挙げることができる。
としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチ
リルオキシ基、α−フルオロアセトキシ基、α−クロロ
アセトキシ基、α−ブロモアセトキシ基、α−ヨードア
セトキシ基、α, α−ジフルオロアセトキシ基、α, α
−ジクロロアセトキシ基、α−シアノアセトキシ基等
の、ハロゲン原子、シアノ基等の置換基が１〜３個置換
していてもよい直鎖のアルカノイルオキシ基、イソブチ
リルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基など
の分岐又は環状のアルカノイルオキシ基等を挙げること
ができる。Ｌがアロイルオキシ基の場合の具体例として
は、ベンゾイルオキシ基、１−ナフトイルオキシ基、２
−ナフトイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニ
コチノイルオキシ基、フルフロイルオキシ基等の単環又
は多環の、ヘテロ原子を有していてもよいアロイルオキ
シ基を挙げることができる。Ｌがアリールアルカノイル
オキシ基の場合の具体例としては、フェニルアセトキシ
基等を挙げることができる。Ｌがアルキルスルホニルオ
キシ基の場合の具体例としては、メタンスルホニルオキ
シ基、エタンスルホニルオキシ基、プロパンスルホニル
オキシ基、トリフロロメタンスルホニルオキシ基等を挙
げることができる。Ｌがアリールスルホニルオキシ基の
場合の具体例としては、ベンゼンスルホニルオキシ基、
ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等を挙げることができ
る。Ｌがアルコキシカルボニルオキシ基の場合の具体例
としては、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカル
ボニルオキシ基等を挙げることができる。Ｌがアラルコ
キシカルボニルオキシ基の場合の具体例としては、ベン
ジルオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができ
る。Ｌがアルコキシアルカノイルオキシ基の場合の具体
例としては、メトキシアセトキシ基、エトキシアセトキ
シ基等を挙げることができる。Ｌがカルバモイルオキシ
基の場合の具体例としては、Ｎ−メチルカルバモイルオ
キシ基、Ｎ−エチルカルバモイルオキシ基、Ｎ−フェニ
ルカルバモイルオキシ基等を挙げることができる。
【００１１】Ｌがアルカノイルチオ基の場合の具体例と
しては、アセチルチオ基、プロピオニルチオ基等を挙げ
ることができる。Ｌがアロイルチオ基の場合の具体例と
しては、ベンゾイルチオ基、ナフトイルチオ基等を挙げ
ることができる。Ｌがアルキルチオ基の場合の具体例と
しては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチ
オ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブ
チルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等を挙げることが
できる。Ｌがアリールチオ基の場合の具体例としては、
フェニルチオ基、ナフチルチオ基等を挙げることができ
る。Ｌがアルキルスルフィニル基の場合の具体例として
は、メタンスルフィニル基、エタンスルフィニル基、ｎ
−プロパンスルフィニル基、ｎ−ブタンスルフィニル基
等を挙げることができる。Ｌがアリールスルフィニル基
の場合の具体例としては、ベンゼンスルフィニル基、ｐ
−トルエンスルフィニル基等を挙げることができる。Ｌ
がアルキルスルホニル基の場合の具体例としては、メタ
ンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｎ−プロパンス
ルホニル基、ｎ−ブタンスルホニル基等を挙げることが
できる。Ｌがアリールスルホニル基の場合の具体例とし
ては、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル
基等を挙げることができる。Ｌがハロゲン原子の場合の
具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等を挙げ
ることができる。これらの脱離基の中で、特に好ましい
ものとしては、アセトキシ基等が挙げられる。
しては、アセチルチオ基、プロピオニルチオ基等を挙げ
ることができる。Ｌがアロイルチオ基の場合の具体例と
しては、ベンゾイルチオ基、ナフトイルチオ基等を挙げ
ることができる。Ｌがアルキルチオ基の場合の具体例と
しては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチ
オ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブ
チルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等を挙げることが
できる。Ｌがアリールチオ基の場合の具体例としては、
フェニルチオ基、ナフチルチオ基等を挙げることができ
る。Ｌがアルキルスルフィニル基の場合の具体例として
は、メタンスルフィニル基、エタンスルフィニル基、ｎ
−プロパンスルフィニル基、ｎ−ブタンスルフィニル基
等を挙げることができる。Ｌがアリールスルフィニル基
の場合の具体例としては、ベンゼンスルフィニル基、ｐ
−トルエンスルフィニル基等を挙げることができる。Ｌ
がアルキルスルホニル基の場合の具体例としては、メタ
ンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｎ−プロパンス
ルホニル基、ｎ−ブタンスルホニル基等を挙げることが
できる。Ｌがアリールスルホニル基の場合の具体例とし
ては、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル
基等を挙げることができる。Ｌがハロゲン原子の場合の
具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等を挙げ
ることができる。これらの脱離基の中で、特に好ましい
ものとしては、アセトキシ基等が挙げられる。
【００１２】本発明の製造法において用いられる、前記
一般式［３］で示される化合物において、Ｒ２で表され
る炭素数１〜４の低級アルキル基の具体例としては、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。また、好まし
いＲ２としては、水素原子又はメチル基が挙げられ
る。。一般式［３］において、Ｒ３で示される炭素数１
〜１２のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシ
ル基等が挙げられる。Ｒ３で示される炭素数２〜５のア
ルケニル基の具体例としては、例えば、ビニル基、アリ
ル基、１−プロペニル基、イソプロペニル基、１−ブテ
ニル基、２−ブテニル基、２−メチルアリル基等が挙げ
られる。Ｒ３で示される置換基を有していてもよいフェ
ニル基の置換基としては、例えば炭素数１〜４の低級ア
ルキル基、炭素数１〜４の低級アルコキシ基、ニトロ
基、ハロゲン原子等が挙げられる。ここで置換基である
炭素数１〜４の低級アルキル基の具体例としては、例え
ばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。また、炭素数１〜
４の低級アルコキシ基の具体例としては、例えば、メト
キシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブト
キシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。更に、
ハロゲン原子の具体例としては、例えば、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
一般式［３］で示される化合物において、Ｒ２で表され
る炭素数１〜４の低級アルキル基の具体例としては、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。また、好まし
いＲ２としては、水素原子又はメチル基が挙げられ
る。。一般式［３］において、Ｒ３で示される炭素数１
〜１２のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシ
ル基等が挙げられる。Ｒ３で示される炭素数２〜５のア
ルケニル基の具体例としては、例えば、ビニル基、アリ
ル基、１−プロペニル基、イソプロペニル基、１−ブテ
ニル基、２−ブテニル基、２−メチルアリル基等が挙げ
られる。Ｒ３で示される置換基を有していてもよいフェ
ニル基の置換基としては、例えば炭素数１〜４の低級ア
ルキル基、炭素数１〜４の低級アルコキシ基、ニトロ
基、ハロゲン原子等が挙げられる。ここで置換基である
炭素数１〜４の低級アルキル基の具体例としては、例え
ばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。また、炭素数１〜
４の低級アルコキシ基の具体例としては、例えば、メト
キシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキ
シ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブト
キシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。更に、
ハロゲン原子の具体例としては、例えば、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００１３】Ｒ３で示される置換基を有していても炭素
数７〜１５のアラルキル基の置換基としては、例えば、
炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級ア
ルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
ここで置換基である炭素数１〜４の低級アルキル基の具
体例としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ
る。また、炭素数１〜４の低級アルコキシ基の具体例と
しては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブト
キシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等
が挙げられる。更に、ハロゲン原子の具体例としては、
例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
また、置換基を有していても炭素数７〜１５のアラルキ
ル基の具体例としては、ベンジル基、α-フェネチル
基、β-フェネチル基、α-フェニルプロピル基、β-フ
ェニルプロピル基、γ-フェニルプロピル基、ナフチル
メチル基等が挙げられる。Ｒ３で示される置換基を有し
ていてもよい５〜８員環の脂環式基の具体例としては、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基、シクロオクチル基等が挙げられる。また、置換基と
しては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの炭素数１〜４の低級アル
キル基等が挙げられる。これらの中で、特に好ましいＲ
３としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの炭素数
１〜４の低級アルキル基；ベンジル基、ｐ−ニトロベン
ジル基、ｐ−メトキシベンジル基などの置換基（ニトロ
基、メトキシ基等）を有していてもよい炭素数７〜１５
のアラルキル基；ビニル基、アリル基などの炭素数２〜
５のアルケニル基等を例示することができる。
数７〜１５のアラルキル基の置換基としては、例えば、
炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級ア
ルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
ここで置換基である炭素数１〜４の低級アルキル基の具
体例としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ
る。また、炭素数１〜４の低級アルコキシ基の具体例と
しては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブト
キシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等
が挙げられる。更に、ハロゲン原子の具体例としては、
例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
また、置換基を有していても炭素数７〜１５のアラルキ
ル基の具体例としては、ベンジル基、α-フェネチル
基、β-フェネチル基、α-フェニルプロピル基、β-フ
ェニルプロピル基、γ-フェニルプロピル基、ナフチル
メチル基等が挙げられる。Ｒ３で示される置換基を有し
ていてもよい５〜８員環の脂環式基の具体例としては、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基、シクロオクチル基等が挙げられる。また、置換基と
しては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの炭素数１〜４の低級アル
キル基等が挙げられる。これらの中で、特に好ましいＲ
３としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの炭素数
１〜４の低級アルキル基；ベンジル基、ｐ−ニトロベン
ジル基、ｐ−メトキシベンジル基などの置換基（ニトロ
基、メトキシ基等）を有していてもよい炭素数７〜１５
のアラルキル基；ビニル基、アリル基などの炭素数２〜
５のアルケニル基等を例示することができる。
【００１４】本発明の製造法において用いられる、前記
一般式［４］で示される金属化合物において、Ｍで表さ
れる金属原子としては、例えば有機合成化学、炭素−炭
素結合生成反応等において一般に用いられている金属原
子等が挙げられ、より具体的には、例えば、チタン、ジ
ルコニウムなどのＩＵＰＡＣによる周期律表第４族の金
属；ケイ素、スズなどのＩＵＰＡＣによる周期律表第１
４族の金属；ホウ素、アルニウムなどのＩＵＰＡＣによ
る周期律表第１３族の金属；スカンジウム、イットリウ
ム、ランタノイド（ランタン、セリウム、プラセオジ
ム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、ジスプロシ
ウム、エルピウム、イッテルビウム等）などの周期律表
第３族の金属；鉄、ルテニウムなどの周期律表第８族の
金属；亜鉛などの周期律表第１２族の金属等が挙げられ
る。
一般式［４］で示される金属化合物において、Ｍで表さ
れる金属原子としては、例えば有機合成化学、炭素−炭
素結合生成反応等において一般に用いられている金属原
子等が挙げられ、より具体的には、例えば、チタン、ジ
ルコニウムなどのＩＵＰＡＣによる周期律表第４族の金
属；ケイ素、スズなどのＩＵＰＡＣによる周期律表第１
４族の金属；ホウ素、アルニウムなどのＩＵＰＡＣによ
る周期律表第１３族の金属；スカンジウム、イットリウ
ム、ランタノイド（ランタン、セリウム、プラセオジ
ム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、ジスプロシ
ウム、エルピウム、イッテルビウム等）などの周期律表
第３族の金属；鉄、ルテニウムなどの周期律表第８族の
金属；亜鉛などの周期律表第１２族の金属等が挙げられ
る。
【００１５】一般式［４］において、Ｙで表されるハロ
ゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。一般式［４］にお
いて、Ｒ４で表される炭素数１〜４の低級アルキル基の
具体例としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げら
れ、また、炭素数１〜４の低級アルコキシ基の具体例と
しては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブト
キシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等
が挙げられる。また、Ｒ４で表される置換基を有してい
ても良いフェノキシ基の置換基としては、例えば、炭素
数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコ
キシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。ここで置換基で
ある炭素数１〜４の低級アルキル基の具体例としては、
例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、また、炭素数１
〜４の低級アルコキシ基の具体例としては、例えば、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブ
トキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられ、更に、
ハロゲン原子の具体例としては、例えば、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。Ｒ４で表されるアル
キルスルホニルジオキシ基の具体例としては、例えば、
メタンスルホニルジオキシ基，エタンスルホニルジオキ
シ基，トリフルオロメタンスルホニルジオキシ基等が挙
げられる。Ｒ４で表されるアリールスルホニルジオキシ
基の具体例としては、例えば、ベンゼンスルホニルジオ
キシ基，p-トルエンスルホニルジオキシ基等が挙げられ
る。Ｒ４で表されるアルキルスルホニルオキシ基の具体
例としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基，エタ
ンスルホニルオキシ基，トリフルオロメタンスルホニル
オキシ基等が挙げられる。Ｒ４で表されるアリールスル
ホニルオキシ基の具体例としては、例えば、ベンゼンス
ルホニルオキシ基，p-トルエンスルホニルオキシ基等が
挙げられる。
ゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。一般式［４］にお
いて、Ｒ４で表される炭素数１〜４の低級アルキル基の
具体例としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げら
れ、また、炭素数１〜４の低級アルコキシ基の具体例と
しては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブト
キシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等
が挙げられる。また、Ｒ４で表される置換基を有してい
ても良いフェノキシ基の置換基としては、例えば、炭素
数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコ
キシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。ここで置換基で
ある炭素数１〜４の低級アルキル基の具体例としては、
例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、また、炭素数１
〜４の低級アルコキシ基の具体例としては、例えば、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブ
トキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられ、更に、
ハロゲン原子の具体例としては、例えば、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。Ｒ４で表されるアル
キルスルホニルジオキシ基の具体例としては、例えば、
メタンスルホニルジオキシ基，エタンスルホニルジオキ
シ基，トリフルオロメタンスルホニルジオキシ基等が挙
げられる。Ｒ４で表されるアリールスルホニルジオキシ
基の具体例としては、例えば、ベンゼンスルホニルジオ
キシ基，p-トルエンスルホニルジオキシ基等が挙げられ
る。Ｒ４で表されるアルキルスルホニルオキシ基の具体
例としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基，エタ
ンスルホニルオキシ基，トリフルオロメタンスルホニル
オキシ基等が挙げられる。Ｒ４で表されるアリールスル
ホニルオキシ基の具体例としては、例えば、ベンゼンス
ルホニルオキシ基，p-トルエンスルホニルオキシ基等が
挙げられる。
【００１６】一般式［２］で示される化合物の製造方法
としては、特にこれらに限定されるものではないが、例
えば、J.Am.Chem.Soc.,Vol.112,pp.7820〜7822(1990)、
Tetrahedron Letters,Vol.32,pp.2145〜2148(1991)、Te
trahedron Letters,Vol.32,pp.5991〜5994(1991)等に記
載の方法或いはこれに準ずる方法等によって合成するこ
とができる。
としては、特にこれらに限定されるものではないが、例
えば、J.Am.Chem.Soc.,Vol.112,pp.7820〜7822(1990)、
Tetrahedron Letters,Vol.32,pp.2145〜2148(1991)、Te
trahedron Letters,Vol.32,pp.5991〜5994(1991)等に記
載の方法或いはこれに準ずる方法等によって合成するこ
とができる。
【００１７】一般式［２］で示される化合物の具体例と
しては、例えば、４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−
２−オン、４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチ
ルジフェニルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−
オン、４−アセトキシ−３−［１−トリエチルシリルオ
キシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−アセトキシ
−３−［１−トリメチルシリルオキシエチル］−アゼチ
ジン−２−オン、４−アセトキシ−３−［１−ジメチル
テキシルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オ
ン、４−アセトキシ−３−［１−ヒドロキシエチルエチ
ル］−アゼチジン−２−オン、４−α−クロロアセトキ
シ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル］−アゼチジン−２−オン、４−イソブチリルオ
キシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シエチル］−アゼチジン−２−オン、４−プロピオニル
オキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−ベンゾイル
オキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−p-トリルチ
オ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル］−アゼチジン−２−オン、４−フェニルチオ−
３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル］−アゼチジン−２−オン、４−p-トルエンスルフィ
ニルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−ベンゼ
ンスルフィニルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン、
４−p-トルエンスルホニルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−
２−オン、４−ベンゼンスルホニルオキシ−３−［１−
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル］−アゼ
チジン−２−オン、４−クロロ−３−［１−ｔｅｒｔ−
ブチルジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２
−オン、４−ブロモ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン、４
−ヨード−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル
オキシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−シアノ−
３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル］−アゼチジン−２−オン等を挙げることができる。
これらの化合物の中でより好ましいものとしては、例え
ば、４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オンや４
−α−クロロアセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン
等を挙げることが出来る。
しては、例えば、４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−
２−オン、４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチ
ルジフェニルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−
オン、４−アセトキシ−３−［１−トリエチルシリルオ
キシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−アセトキシ
−３−［１−トリメチルシリルオキシエチル］−アゼチ
ジン−２−オン、４−アセトキシ−３−［１−ジメチル
テキシルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オ
ン、４−アセトキシ−３−［１−ヒドロキシエチルエチ
ル］−アゼチジン−２−オン、４−α−クロロアセトキ
シ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル］−アゼチジン−２−オン、４−イソブチリルオ
キシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シエチル］−アゼチジン−２−オン、４−プロピオニル
オキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−ベンゾイル
オキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−p-トリルチ
オ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル］−アゼチジン−２−オン、４−フェニルチオ−
３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル］−アゼチジン−２−オン、４−p-トルエンスルフィ
ニルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−ベンゼ
ンスルフィニルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン、
４−p-トルエンスルホニルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−
２−オン、４−ベンゼンスルホニルオキシ−３−［１−
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル］−アゼ
チジン−２−オン、４−クロロ−３−［１−ｔｅｒｔ−
ブチルジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２
−オン、４−ブロモ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン、４
−ヨード−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル
オキシエチル］−アゼチジン−２−オン、４−シアノ−
３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル］−アゼチジン−２−オン等を挙げることができる。
これらの化合物の中でより好ましいものとしては、例え
ば、４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オンや４
−α−クロロアセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン
等を挙げることが出来る。
【００１８】一般式［３］で表されるジアゾ化合物の製
造方法としては、特にこれらに限定されるものではない
が、例えば、特開昭５８−１０３３５８号公報、特開昭
６１−２７５２８４号公報に記載の方法或いはこれに準
ずる方法等によって合成することができる。
造方法としては、特にこれらに限定されるものではない
が、例えば、特開昭５８−１０３３５８号公報、特開昭
６１−２７５２８４号公報に記載の方法或いはこれに準
ずる方法等によって合成することができる。
【００１９】一般式［３］で表されるジアゾ化合物の具
体例としては、例えば、 メチル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート メチル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート メチル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート エチル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート エチル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート エチル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート ｎ−プロピル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート ｎ−プロピル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート ｎ−プロピル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート イソプロピル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート イソプロピル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート イソプロピル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート ｎ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート ｎ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート ｎ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート ｔｅｒｔ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエー
ト ｔｅｒｔ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエ
ート ｔｅｒｔ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエ
ート ベンジル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート ベンジル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート ベンジル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート ｐ−ニトロベンジル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエ
ート ｐ−ニトロベンジル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノ
エート ｐ−ニトロベンジル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノ
エート ｐ−メトキシベンジル ２−ジアゾ−３−オキソブタノ
エート ｐ−メトキシベンジル ２−ジアゾ−３−オキソペンタ
ノエート ｐ−メトキシベンジル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサ
ノエート ビニル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート ビニル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート ビニル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート アリル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート アリル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート アリル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート 等を挙げることができる。これらのアゾ化合物の中でよ
り好ましいものとしては、例えば、ｔｅｒｔ−ブチル
２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート、ベンジル ２
−ジアゾ−３−オキソペンタノエート、ｐ−ニトロベン
ジル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエートアリル
２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート等を挙げること
が出来る。
体例としては、例えば、 メチル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート メチル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート メチル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート エチル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート エチル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート エチル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート ｎ−プロピル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート ｎ−プロピル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート ｎ−プロピル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート イソプロピル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート イソプロピル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート イソプロピル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート ｎ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート ｎ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート ｎ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート ｔｅｒｔ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエー
ト ｔｅｒｔ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエ
ート ｔｅｒｔ−ブチル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエ
ート ベンジル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート ベンジル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート ベンジル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート ｐ−ニトロベンジル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエ
ート ｐ−ニトロベンジル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノ
エート ｐ−ニトロベンジル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノ
エート ｐ−メトキシベンジル ２−ジアゾ−３−オキソブタノ
エート ｐ−メトキシベンジル ２−ジアゾ−３−オキソペンタ
ノエート ｐ−メトキシベンジル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサ
ノエート ビニル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート ビニル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート ビニル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート アリル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート アリル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート アリル ２−ジアゾ−３−オキソヘキサノエート 等を挙げることができる。これらのアゾ化合物の中でよ
り好ましいものとしては、例えば、ｔｅｒｔ−ブチル
２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート、ベンジル ２
−ジアゾ−３−オキソペンタノエート、ｐ−ニトロベン
ジル ２−ジアゾ−３−オキソペンタノエートアリル
２−ジアゾ−３−オキソペンタノエート等を挙げること
が出来る。
【００２０】本発明で用いられる一般式［４］で示され
る金属化合物は市販品をそのまま用いても良いし、必要
に応じてこれを精製して用いても良い。一般式［４］で
示される金属化合物の具体例としては、例えば、ＴｉＣ
ｌ４、ＴｉＣｌ３（ＯＣＨ３）、ＴｉＣｌ３（ＯＣ２Ｈ
５）、ＴｉＣｌ３（Ｏ−ｎ−Ｐｒ）、ＴｉＣｌ３（Ｏ−
ｉ−Ｐｒ）、ＴｉＣｌ３（ＯＢｕ）、ＴｉＣｌ３（Ｏ−
ｉ−Ｂｕ）、ＴｉＣｌ３（Ｏ−ｓｅｃ−Ｂｕ）、ＴｉＣ
ｌ３（Ｏ−ｔｅｒｔ-Ｂｕ）、ＴｉＣｌ２（ＯＭ
ｅ）２、ＴｉＣｌ２（ＯＥｔ）２、ＴｉＣｌ２（Ｏ−ｎ
−Ｐｒ）２、ＴｉＣｌ２（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）２、ＴｉＣｌ
２（ＯＢｕ）２、ＴｉＣｌ２（Ｏ−ｉ−Ｂｕ）２、Ｔｉ
Ｃｌ２（Ｏ−ｓｅｃ−Ｂｕ）２、ＴｉＣｌ２（Ｏ−ｔｅ
ｒｔ−Ｂｕ）２、Ｔｉ（Ｃｐ）２Ｃｌ２、Ｔｉ（Ｃ
ｐ＊）２Ｃｌ２、ＴｉＢｒ４、ＴｉＩ４等のチタン化合
物；ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２等の亜鉛化合
物；ＺｒＣｌ４、ＺｒＣｌ３（ＯＭｅ）、ＺｒＣｌ
３（ＯＥｔ）、ＺｒＣｌ３（Ｏ−ｎ−Ｐｒ）、ＺｒＣｌ
３（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）、ＺｒＣｌ３（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）、Ｚ
ｒＣｌ３（Ｏ−ｉ−Ｂｕ）、ＺｒＣｌ３（Ｏ−ｓｅｃ−
Ｂｕ）、ＺｒＣｌ３（Ｏ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ）、Ｚｒ（Ｃ
ｐ）２Ｃｌ２、Ｚｒ（Ｃｐ＊）２Ｃｌ２、ＺｒＢｒ４、
ＺｒＩ４等のジルコニウム化合物；ＡｌＣｌ３、Ａｌ
（ＯＭｅ） ３、Ａｌ（ＯＥｔ）３、Ａｌ（Ｏ−ｎ−Ｐ
ｒ）３、Ａｌ（Ｏ−ｉ−ＰＲ）３、ＡｌＣｌ２Ｍｅ、Ａ
ｌＣｌＭｅ２、ＡｌＭｅ３、ＡｌＣｌ２Ｅｔ、ＡｌＣｌ
Ｅｔ２、ＡｌＥｔ３、ＡｌＢｒ３、ＡｌＩ３等のアルミ
ニウム化合物；ＳｎＣｌ４、ＳｎＢｒ４、ＳｎＩ４、Ｓ
ｎ（ＯＳＯ２ＣＦ３）２等のスズ化合物；ＦｅＣｌ３、
ＦｅＢｒ３、ＦｅＩ３等の鉄化合物；（Ｃ２Ｈ５）２Ｏ
・ＢＦ３、（ＣＨ３）２ＢＯＳＯ２ＣＦ３、（Ｃ
２Ｈ５）２ＢＯＳＯ２ＣＦ３、（Ｐｒ）２ＢＯＳＯ２Ｃ
Ｆ３、（Ｂｕ）２ＢＯＳＯ２ＣＦ３等のホウ素化合物；
（ＣＨ３）３ＳｉＯＳＯ ２ＣＦ３、（ＣＨ３）３ＳｉＣ
ｌ等のケイ素化合物；ＳｃＦ３、ＳｃＣｌ３、ＳｃＢｒ
３、ＳｃＩ３、Ｓｃ（Ｏｉ−Ｐｒ）３、Ｓｃ（ＯＳＯ２
ＣＨ３）３等のスカンジウム化合物；ＹＦ３、ＹＣ
ｌ３、ＹＢｒ３、ＹＩ３、Ｙ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ） ３、Ｙ
（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のイットリウム化合物；ＬａＦ
３、ＬａＣｌ３、ＬａＢｒ３、ＬａＩ３、Ｌａ（Ｏｉ−
Ｐｒ）３、Ｌａ（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のランタン化合
物；ＣｅＦ３、ＣｅＣｌ３、ＣｅＢｒ３、ＣｅＩ３、Ｃ
ｅ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）３、Ｃｅ（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等の
セリウム化合物；ＰｒＦ３、ＰｒＣｌ３、ＰｒＢｒ３、
ＰｒＩ３、Ｐｒ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）３、Ｐｒ（ＯＳＯ２Ｃ
Ｈ３）３等のプラセオジム化合物；ＮｄＦ３、ＮｄＣｌ
３、ＮｄＢｒ３、ＮｄＩ３、Ｎｄ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）３、
Ｎｄ（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のネオジム化合物；ＳｍＦ
３、ＳｍＣｌ３、ＳｍＢｒ３、ＳｍＩ３、Ｓｍ（Ｏｉ−
Ｐｒ）３、Ｓｍ（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のサマリウム化
合物；ＧｄＦ３、ＧｄＣｌ３，、ＧｄＢｒ３、Ｇｄ
Ｉ３、Ｇｄ（Ｏｉ−Ｐｒ）３、Ｇｄ（ＯＳＯ２ＣＨ３）
３等のガドリニウム化合物；ＤｙＦ３、ＤｙＣｌ３、Ｄ
ｙＢｒ３、ＤｙＩ３、Ｄｙ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ） ３、Ｄｙ
（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のジスプロシウム化合物；Ｅｒ
Ｆ３、ＥｒＣｌ ３、ＥｒＢｒ３、ＥｒＩ３、Ｅｒ（Ｏ−
ｉ−Ｐｒ）３、Ｅｒ（ＯＳＯ２ＣＨ３） ３等のエルピウ
ム化合物；ＹｂＦ３、ＹｂＣｌ３、ＹｂＢｒ３、ＹｂＩ
３、Ｙｂ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）３、Ｙｂ（ＯＳＯ２ＣＨ３）
３等のイッテルビウム化合物等が挙げられる。なお、上
記においてＣｐは、シクロペンタジエニル基を、Ｃｐ＊
は、ペンタメチルシクロペンタジエニル基を表す。こ
れら金属化合物の中でより好ましいものとしては、Ｔｉ
Ｃｌ４（四塩化チタン）、ＺｎＣｌ２（二塩化亜鉛）、
ＺｒＣｌ４（四塩化ジルコニウム）、ＡｌＣｌ３（三塩
化アルミニウム）、ＳｎＣｌ４（四塩化スズ）、（Ｃ２
Ｈ５）２Ｏ・ＢＦ３（三フッ化ホウ素エーテラート）、
（ＣＨ３）３ＳｉＯＳＯ２ＣＦ３（トリメチルシリルト
リフラート）、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ（トリメチルシリ
ルクロライド）等を挙げることが出来る。これらの金属
化合物は、単独で用いても、また二種以上を適宜組合わ
せて用いてもよい。
る金属化合物は市販品をそのまま用いても良いし、必要
に応じてこれを精製して用いても良い。一般式［４］で
示される金属化合物の具体例としては、例えば、ＴｉＣ
ｌ４、ＴｉＣｌ３（ＯＣＨ３）、ＴｉＣｌ３（ＯＣ２Ｈ
５）、ＴｉＣｌ３（Ｏ−ｎ−Ｐｒ）、ＴｉＣｌ３（Ｏ−
ｉ−Ｐｒ）、ＴｉＣｌ３（ＯＢｕ）、ＴｉＣｌ３（Ｏ−
ｉ−Ｂｕ）、ＴｉＣｌ３（Ｏ−ｓｅｃ−Ｂｕ）、ＴｉＣ
ｌ３（Ｏ−ｔｅｒｔ-Ｂｕ）、ＴｉＣｌ２（ＯＭ
ｅ）２、ＴｉＣｌ２（ＯＥｔ）２、ＴｉＣｌ２（Ｏ−ｎ
−Ｐｒ）２、ＴｉＣｌ２（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）２、ＴｉＣｌ
２（ＯＢｕ）２、ＴｉＣｌ２（Ｏ−ｉ−Ｂｕ）２、Ｔｉ
Ｃｌ２（Ｏ−ｓｅｃ−Ｂｕ）２、ＴｉＣｌ２（Ｏ−ｔｅ
ｒｔ−Ｂｕ）２、Ｔｉ（Ｃｐ）２Ｃｌ２、Ｔｉ（Ｃ
ｐ＊）２Ｃｌ２、ＴｉＢｒ４、ＴｉＩ４等のチタン化合
物；ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２等の亜鉛化合
物；ＺｒＣｌ４、ＺｒＣｌ３（ＯＭｅ）、ＺｒＣｌ
３（ＯＥｔ）、ＺｒＣｌ３（Ｏ−ｎ−Ｐｒ）、ＺｒＣｌ
３（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）、ＺｒＣｌ３（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）、Ｚ
ｒＣｌ３（Ｏ−ｉ−Ｂｕ）、ＺｒＣｌ３（Ｏ−ｓｅｃ−
Ｂｕ）、ＺｒＣｌ３（Ｏ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ）、Ｚｒ（Ｃ
ｐ）２Ｃｌ２、Ｚｒ（Ｃｐ＊）２Ｃｌ２、ＺｒＢｒ４、
ＺｒＩ４等のジルコニウム化合物；ＡｌＣｌ３、Ａｌ
（ＯＭｅ） ３、Ａｌ（ＯＥｔ）３、Ａｌ（Ｏ−ｎ−Ｐ
ｒ）３、Ａｌ（Ｏ−ｉ−ＰＲ）３、ＡｌＣｌ２Ｍｅ、Ａ
ｌＣｌＭｅ２、ＡｌＭｅ３、ＡｌＣｌ２Ｅｔ、ＡｌＣｌ
Ｅｔ２、ＡｌＥｔ３、ＡｌＢｒ３、ＡｌＩ３等のアルミ
ニウム化合物；ＳｎＣｌ４、ＳｎＢｒ４、ＳｎＩ４、Ｓ
ｎ（ＯＳＯ２ＣＦ３）２等のスズ化合物；ＦｅＣｌ３、
ＦｅＢｒ３、ＦｅＩ３等の鉄化合物；（Ｃ２Ｈ５）２Ｏ
・ＢＦ３、（ＣＨ３）２ＢＯＳＯ２ＣＦ３、（Ｃ
２Ｈ５）２ＢＯＳＯ２ＣＦ３、（Ｐｒ）２ＢＯＳＯ２Ｃ
Ｆ３、（Ｂｕ）２ＢＯＳＯ２ＣＦ３等のホウ素化合物；
（ＣＨ３）３ＳｉＯＳＯ ２ＣＦ３、（ＣＨ３）３ＳｉＣ
ｌ等のケイ素化合物；ＳｃＦ３、ＳｃＣｌ３、ＳｃＢｒ
３、ＳｃＩ３、Ｓｃ（Ｏｉ−Ｐｒ）３、Ｓｃ（ＯＳＯ２
ＣＨ３）３等のスカンジウム化合物；ＹＦ３、ＹＣ
ｌ３、ＹＢｒ３、ＹＩ３、Ｙ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ） ３、Ｙ
（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のイットリウム化合物；ＬａＦ
３、ＬａＣｌ３、ＬａＢｒ３、ＬａＩ３、Ｌａ（Ｏｉ−
Ｐｒ）３、Ｌａ（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のランタン化合
物；ＣｅＦ３、ＣｅＣｌ３、ＣｅＢｒ３、ＣｅＩ３、Ｃ
ｅ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）３、Ｃｅ（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等の
セリウム化合物；ＰｒＦ３、ＰｒＣｌ３、ＰｒＢｒ３、
ＰｒＩ３、Ｐｒ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）３、Ｐｒ（ＯＳＯ２Ｃ
Ｈ３）３等のプラセオジム化合物；ＮｄＦ３、ＮｄＣｌ
３、ＮｄＢｒ３、ＮｄＩ３、Ｎｄ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）３、
Ｎｄ（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のネオジム化合物；ＳｍＦ
３、ＳｍＣｌ３、ＳｍＢｒ３、ＳｍＩ３、Ｓｍ（Ｏｉ−
Ｐｒ）３、Ｓｍ（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のサマリウム化
合物；ＧｄＦ３、ＧｄＣｌ３，、ＧｄＢｒ３、Ｇｄ
Ｉ３、Ｇｄ（Ｏｉ−Ｐｒ）３、Ｇｄ（ＯＳＯ２ＣＨ３）
３等のガドリニウム化合物；ＤｙＦ３、ＤｙＣｌ３、Ｄ
ｙＢｒ３、ＤｙＩ３、Ｄｙ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ） ３、Ｄｙ
（ＯＳＯ２ＣＨ３）３等のジスプロシウム化合物；Ｅｒ
Ｆ３、ＥｒＣｌ ３、ＥｒＢｒ３、ＥｒＩ３、Ｅｒ（Ｏ−
ｉ−Ｐｒ）３、Ｅｒ（ＯＳＯ２ＣＨ３） ３等のエルピウ
ム化合物；ＹｂＦ３、ＹｂＣｌ３、ＹｂＢｒ３、ＹｂＩ
３、Ｙｂ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）３、Ｙｂ（ＯＳＯ２ＣＨ３）
３等のイッテルビウム化合物等が挙げられる。なお、上
記においてＣｐは、シクロペンタジエニル基を、Ｃｐ＊
は、ペンタメチルシクロペンタジエニル基を表す。こ
れら金属化合物の中でより好ましいものとしては、Ｔｉ
Ｃｌ４（四塩化チタン）、ＺｎＣｌ２（二塩化亜鉛）、
ＺｒＣｌ４（四塩化ジルコニウム）、ＡｌＣｌ３（三塩
化アルミニウム）、ＳｎＣｌ４（四塩化スズ）、（Ｃ２
Ｈ５）２Ｏ・ＢＦ３（三フッ化ホウ素エーテラート）、
（ＣＨ３）３ＳｉＯＳＯ２ＣＦ３（トリメチルシリルト
リフラート）、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ（トリメチルシリ
ルクロライド）等を挙げることが出来る。これらの金属
化合物は、単独で用いても、また二種以上を適宜組合わ
せて用いてもよい。
【００２１】本発明の製造方法において用いられる塩基
としては、例えば、第１級アミン、第２級アミン、第３
級アミン、ピリジン類などが挙げられる。塩基が第１級
アミンの場合の具体例としては、例えば、エチルアミ
ン、プロピルアミン、ブチルアミン、アニリン、ベンジ
ルアミン等が挙げられる。塩基が第２級アミンの場合の
具体例としては、例えば、ジエチルアミン、ジｎ−プロ
ピルアミン、ジイソプロピルアミン、メチルイソプロピ
ルアミン、エチルイソプロピルアミン、ジｎ−ブチルア
ミン、ジイソブチルアミン，ジｓｅｃ−ブチルアミン，
ジｔｅｒｔ−ブチルアミン，Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−
エチルアニリン、ピロリジン、ピペリジン、モルフォリ
ン、ピペラジン、イミダゾール、ジベンジルアミン等が
挙げられる。塩基が第３級アミンの場合の具体例として
は、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリイソプロピルアミン、ジイソプロピルメ
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリｎ−ブ
チルアミン、トリベンジルアミン，Ｎ−メチルピペリジ
ン，Ｎ−エチルピペリジン，Ｎ−メチルモルフォリン，
Ｎ−エチルモルフォリン，１，５−ジアザビシクロ
［４．３．０］−５−ノネン，１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］−７−ウンデセン，１，４−ジアザビシ
クロ［２．２．２］オクタン，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ
メチルエチレンジアミン，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラメチ
ル１，３−プロパンジアミン，ジメチルアニリン、ジエ
チルアニリン等が挙げられる。塩基がピリジン類の場合
の具体例としては、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコ
リン、γ−ピコリン、２，６−ルチジン、２−エチルピ
リジン、３−エチルピリジン、４−エチルピリジン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン，キノリン、イソキノ
リン等が挙げられる。これら塩基の中でも、例えば、ト
リエチルアミン、トリｎ−ブチルアミン、ジイソプロピ
ルエチルアミン、Ｎ−メチルピペリジン，Ｎ−エチルピ
ペリジン，Ｎ−メチルモルフォリン，Ｎ−エチルモルフ
ォリン，１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−
ノネン，１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−
ウンデセン，１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オ
クタン，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン等は、汎用性
があり、反応の選択性及び収率も高いことからより好ま
しい。これらの塩基は単独で用いても、また二種以上適
宜組合わせて用いてもよい。本発明で用いられる塩基は
市販品をそのまま用いても良いし、必要に応じてこれを
精製して用いても良い。
としては、例えば、第１級アミン、第２級アミン、第３
級アミン、ピリジン類などが挙げられる。塩基が第１級
アミンの場合の具体例としては、例えば、エチルアミ
ン、プロピルアミン、ブチルアミン、アニリン、ベンジ
ルアミン等が挙げられる。塩基が第２級アミンの場合の
具体例としては、例えば、ジエチルアミン、ジｎ−プロ
ピルアミン、ジイソプロピルアミン、メチルイソプロピ
ルアミン、エチルイソプロピルアミン、ジｎ−ブチルア
ミン、ジイソブチルアミン，ジｓｅｃ−ブチルアミン，
ジｔｅｒｔ−ブチルアミン，Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−
エチルアニリン、ピロリジン、ピペリジン、モルフォリ
ン、ピペラジン、イミダゾール、ジベンジルアミン等が
挙げられる。塩基が第３級アミンの場合の具体例として
は、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリイソプロピルアミン、ジイソプロピルメ
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリｎ−ブ
チルアミン、トリベンジルアミン，Ｎ−メチルピペリジ
ン，Ｎ−エチルピペリジン，Ｎ−メチルモルフォリン，
Ｎ−エチルモルフォリン，１，５−ジアザビシクロ
［４．３．０］−５−ノネン，１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］−７−ウンデセン，１，４−ジアザビシ
クロ［２．２．２］オクタン，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ
メチルエチレンジアミン，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラメチ
ル１，３−プロパンジアミン，ジメチルアニリン、ジエ
チルアニリン等が挙げられる。塩基がピリジン類の場合
の具体例としては、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコ
リン、γ−ピコリン、２，６−ルチジン、２−エチルピ
リジン、３−エチルピリジン、４−エチルピリジン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン，キノリン、イソキノ
リン等が挙げられる。これら塩基の中でも、例えば、ト
リエチルアミン、トリｎ−ブチルアミン、ジイソプロピ
ルエチルアミン、Ｎ−メチルピペリジン，Ｎ−エチルピ
ペリジン，Ｎ−メチルモルフォリン，Ｎ−エチルモルフ
ォリン，１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−
ノネン，１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−
ウンデセン，１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オ
クタン，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン等は、汎用性
があり、反応の選択性及び収率も高いことからより好ま
しい。これらの塩基は単独で用いても、また二種以上適
宜組合わせて用いてもよい。本発明で用いられる塩基は
市販品をそのまま用いても良いし、必要に応じてこれを
精製して用いても良い。
【００２２】本発明の製造方法を実施するには、アルゴ
ンや窒素のような不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中で行
うのが望ましい。そのような条件下に、先ず、一般式
［３］で示されるジアゾ化合物と一般式［４］で示され
る金属化合物及び塩基とを反応させ、次いでこれに一般
式［２］で示される化合物を反応させることにより、一
般式［１］で示されるアゼチジノン化合物を製造するこ
とができる。
ンや窒素のような不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中で行
うのが望ましい。そのような条件下に、先ず、一般式
［３］で示されるジアゾ化合物と一般式［４］で示され
る金属化合物及び塩基とを反応させ、次いでこれに一般
式［２］で示される化合物を反応させることにより、一
般式［１］で示されるアゼチジノン化合物を製造するこ
とができる。
【００２３】反応に用いられる有機溶媒としては、反応
に関与しない不活性な溶媒であれば何れのものでも良
く、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化
水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンな
どの脂環式炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン、クロロホルム、ジブロモエタンなどのハロゲン
化炭化水素系溶媒、ベンゼン、クロロベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタン、１，３−ジオキソラン、１，４
−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、
プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒等
を挙げることができる。これらの溶媒は単独で用いて
も、また二種以上の混合溶媒として用いてもよい。 こ
れらの溶媒の中でより好ましいものとしては、、ハロゲ
ン化炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル
系溶媒などが挙げられ、その中でも、ジクロロメタン、
トルエン、キシレン，テトラヒドロフランなどが、汎用
性があり、反応の選択性及び収率が高いことからより好
ましい。これらの溶媒の使用量は、特に制限はないが、
一般式［２］で示される化合物に対して、通常約１〜５
０倍容量、好ましくは、約５〜２０倍容量の範囲であ
る。
に関与しない不活性な溶媒であれば何れのものでも良
く、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化
水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンな
どの脂環式炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン、クロロホルム、ジブロモエタンなどのハロゲン
化炭化水素系溶媒、ベンゼン、クロロベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタン、１，３−ジオキソラン、１，４
−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、
プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒等
を挙げることができる。これらの溶媒は単独で用いて
も、また二種以上の混合溶媒として用いてもよい。 こ
れらの溶媒の中でより好ましいものとしては、、ハロゲ
ン化炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル
系溶媒などが挙げられ、その中でも、ジクロロメタン、
トルエン、キシレン，テトラヒドロフランなどが、汎用
性があり、反応の選択性及び収率が高いことからより好
ましい。これらの溶媒の使用量は、特に制限はないが、
一般式［２］で示される化合物に対して、通常約１〜５
０倍容量、好ましくは、約５〜２０倍容量の範囲であ
る。
【００２４】反応温度は、通常約−７０〜１００℃程
度、好ましくは約−７０〜０℃程度の範囲が採用され、
前記の温度を保ちながら約５分〜５時間程度、好ましく
は約１０分〜３時間程度反応させることによって、反応
を円滑に行うことができる。本発明において、一般式
［２］で示される化合物に対する、一般式［３］で示さ
れるジアゾ化合物の使用量は、前者１モルに対し、後者
は約０．５〜５倍モル程度、好ましくは約０．７〜４倍
モル程度の範囲が採用される。本発明において、一般式
［２］で示される化合物に対する、一般式［４］で示さ
れる金属化合物の使用量は、前者１モルに対し、後者は
約０．５〜２．５倍モル程度、好ましくは約０．７〜２
倍モル程度の範囲が採用される。本発明において、一般
式［２］で示される化合物に対する塩基の使用量は、前
者１モルに対し、後者は約１〜８倍モル程度、好ましく
は約１．４〜４倍モル程度の範囲が採用される。上記反
応においてＲ２がメチル基等のアルキル基の場合、一般
式［３］で示されるジアゾ化合物と一般式［４］で示さ
れる金属化合物の種類や各種反応条件により、生成する
α−体とβ−体との割合は多少前後するが、目的とする
β−体の含有率は通常約８５％以上である。上記の反応
によって得られた反応液から、自体公知の後処理方法、
即ち、例えば溶媒抽出、転溶、晶出、再結晶、各種クロ
マトグラフィー等によって、所望のアゼチジノン化合物
を得ることができる。
度、好ましくは約−７０〜０℃程度の範囲が採用され、
前記の温度を保ちながら約５分〜５時間程度、好ましく
は約１０分〜３時間程度反応させることによって、反応
を円滑に行うことができる。本発明において、一般式
［２］で示される化合物に対する、一般式［３］で示さ
れるジアゾ化合物の使用量は、前者１モルに対し、後者
は約０．５〜５倍モル程度、好ましくは約０．７〜４倍
モル程度の範囲が採用される。本発明において、一般式
［２］で示される化合物に対する、一般式［４］で示さ
れる金属化合物の使用量は、前者１モルに対し、後者は
約０．５〜２．５倍モル程度、好ましくは約０．７〜２
倍モル程度の範囲が採用される。本発明において、一般
式［２］で示される化合物に対する塩基の使用量は、前
者１モルに対し、後者は約１〜８倍モル程度、好ましく
は約１．４〜４倍モル程度の範囲が採用される。上記反
応においてＲ２がメチル基等のアルキル基の場合、一般
式［３］で示されるジアゾ化合物と一般式［４］で示さ
れる金属化合物の種類や各種反応条件により、生成する
α−体とβ−体との割合は多少前後するが、目的とする
β−体の含有率は通常約８５％以上である。上記の反応
によって得られた反応液から、自体公知の後処理方法、
即ち、例えば溶媒抽出、転溶、晶出、再結晶、各種クロ
マトグラフィー等によって、所望のアゼチジノン化合物
を得ることができる。
【００２５】本発明の製造方法により得られる一般式
［１］で示されるアゼチジノン化合物から、公知の製造
方法を用いて、一般式［Ｂ］
［１］で示されるアゼチジノン化合物から、公知の製造
方法を用いて、一般式［Ｂ］
【化１２】
（式中、Ｒ'はアシル基を示し、Ｒ３は前記と同じ。）
で示されるカルバペネム類に容易に導くことができる。
で示されるカルバペネム類に容易に導くことができる。
【００２６】
【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明をより詳細に
説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定され
るものではない。なお、各実施例中の略号は以下の通り
である。 ＴＢＤＭＳＯ：ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
基 ＯＡｃ：アセトキシ基、ＰＮＢ：ｐ−ニトロベンジル基
説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定され
るものではない。なお、各実施例中の略号は以下の通り
である。 ＴＢＤＭＳＯ：ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
基 ＯＡｃ：アセトキシ基、ＰＮＢ：ｐ−ニトロベンジル基
【００２７】実施例１ (3S,4R)-3-[(R)-1-tert-ブチル
ジメチルシリルオキシエチル]-4-[(R)-1-メチル-3-ジア
ゾ-3-p-ニトロベンジルオキシカルボニル-2-オキソ-プ
ロピル]-アゼチジン-2-オンの製造
ジメチルシリルオキシエチル]-4-[(R)-1-メチル-3-ジア
ゾ-3-p-ニトロベンジルオキシカルボニル-2-オキソ-プ
ロピル]-アゼチジン-2-オンの製造
【化１３】
窒素雰囲気下において、ｐ−ニトロベンジル ２−ジア
ゾ−３−オキソブタノエート２．２２ｇ（８．０ｍｍｏ
ｌ）の塩化メチレン溶液（１５ｍＬ）を−４０℃に冷却
し、四塩化チタン０．３９ｍＬ（３．５５ｍｍｏｌ）を
加え、−４０℃で３０分間撹拌した後、トリブチルアミ
ン１．８１ｍＬ（７．５７ｍｍｏｌ）を加え、更に−４
０℃で３０分間撹拌した。次いで、この反応液に(3R,4
R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-tert-ブチルジメチルシリル
オキシエチル]-アゼチジン-2-オン５７４ｍｇ（２．０
ｍｍｏｌ）の塩化メチレン溶液（５ｍＬ）を滴下し、更
に−４０℃にて１時間撹拌した。反応混合物を１０％炭
酸水素ナトリウム水溶液に注入して反応を停止し、有機
層を分取してこれを水洗した。高速液体クロマトグラフ
ィーにて分析した結果、β：α＝９５：５であった。得
られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶
媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し
て、β−メチル誘導体（標記化合物）７５７ｍｇを得た
（収率７５％）。この化合物の物性値は、特開昭６１−
２７５２８４号に記載の物性値と一致した。
ゾ−３−オキソブタノエート２．２２ｇ（８．０ｍｍｏ
ｌ）の塩化メチレン溶液（１５ｍＬ）を−４０℃に冷却
し、四塩化チタン０．３９ｍＬ（３．５５ｍｍｏｌ）を
加え、−４０℃で３０分間撹拌した後、トリブチルアミ
ン１．８１ｍＬ（７．５７ｍｍｏｌ）を加え、更に−４
０℃で３０分間撹拌した。次いで、この反応液に(3R,4
R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-tert-ブチルジメチルシリル
オキシエチル]-アゼチジン-2-オン５７４ｍｇ（２．０
ｍｍｏｌ）の塩化メチレン溶液（５ｍＬ）を滴下し、更
に−４０℃にて１時間撹拌した。反応混合物を１０％炭
酸水素ナトリウム水溶液に注入して反応を停止し、有機
層を分取してこれを水洗した。高速液体クロマトグラフ
ィーにて分析した結果、β：α＝９５：５であった。得
られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶
媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し
て、β−メチル誘導体（標記化合物）７５７ｍｇを得た
（収率７５％）。この化合物の物性値は、特開昭６１−
２７５２８４号に記載の物性値と一致した。
【００２８】実施例２ (3S,4R)-3-[(R)-1-tert-ブチル
ジメチルシリルオキシエチル]-4-[(R)-1-メチル-3-ジア
ゾ-3-p-ニトロベンジルオキシカルボニル-2-オキソ-プ
ロピル]-アゼチジン-2-オンの製造 窒素雰囲気下において、ｐ−ニトロベンジル ２−ジア
ゾ−３−オキソブタノエート１．６６ｇ（６．０ｍｍｏ
ｌ）の塩化メチレン溶液（２０ｍＬ）を−４０℃に冷却
し、四塩化チタン０．６６ｍＬ（６．０ｍｍｏｌ）を加
え、−４０℃で３０分間撹拌した後、ｎ−エチルピペリ
ジン１．６５ｍＬ（１２．０ｍｍｏｌ）を加え、更に−
４０℃で３０分間撹拌した。次いで、この反応液に(3R,
4R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-tert-ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル]-アゼチジン-2-オン１．７２ｇ（６．
０ｍｍｏｌ）の塩化メチレン溶液（５ｍＬ）を滴下し、
更に−４０℃にて１時間撹拌した。反応混合物に１モル
塩酸１０ｍLを加えて，反応を停止し、有機層を分取し
てこれを水洗した。高速液体クロマトグラフィーにて分
析した結果、β：α＝９８：２であった。得られた有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去
し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製して、β−
メチル誘導体（標記化合物）２．０９ｇを得た（収率６
９％）。
ジメチルシリルオキシエチル]-4-[(R)-1-メチル-3-ジア
ゾ-3-p-ニトロベンジルオキシカルボニル-2-オキソ-プ
ロピル]-アゼチジン-2-オンの製造 窒素雰囲気下において、ｐ−ニトロベンジル ２−ジア
ゾ−３−オキソブタノエート１．６６ｇ（６．０ｍｍｏ
ｌ）の塩化メチレン溶液（２０ｍＬ）を−４０℃に冷却
し、四塩化チタン０．６６ｍＬ（６．０ｍｍｏｌ）を加
え、−４０℃で３０分間撹拌した後、ｎ−エチルピペリ
ジン１．６５ｍＬ（１２．０ｍｍｏｌ）を加え、更に−
４０℃で３０分間撹拌した。次いで、この反応液に(3R,
4R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-tert-ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル]-アゼチジン-2-オン１．７２ｇ（６．
０ｍｍｏｌ）の塩化メチレン溶液（５ｍＬ）を滴下し、
更に−４０℃にて１時間撹拌した。反応混合物に１モル
塩酸１０ｍLを加えて，反応を停止し、有機層を分取し
てこれを水洗した。高速液体クロマトグラフィーにて分
析した結果、β：α＝９８：２であった。得られた有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去
し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製して、β−
メチル誘導体（標記化合物）２．０９ｇを得た（収率６
９％）。
【００２９】実施例３、４
実施例１において、四塩化チタンの代わりに下記表１に
示した各種金属化合物を用い、それ以外は実施例１と同
様にして反応及び後処理を行ない、実施例１と同じアゼ
チジノン化合物をそれぞれ下記の収率及び生成比で得
た。結果を表１にまとめて示す。
示した各種金属化合物を用い、それ以外は実施例１と同
様にして反応及び後処理を行ない、実施例１と同じアゼ
チジノン化合物をそれぞれ下記の収率及び生成比で得
た。結果を表１にまとめて示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】実施例５
実施例１において、金属化合物として四塩化チタンとト
リメチルシリルクロリドを使用し、それ以外は実施例１
と同様にして反応及び後処理を行ない、実施例１と同じ
アゼチジノン化合物を収率６８％、β−体：α−体（生
成比）＝９５：５で得た。
リメチルシリルクロリドを使用し、それ以外は実施例１
と同様にして反応及び後処理を行ない、実施例１と同じ
アゼチジノン化合物を収率６８％、β−体：α−体（生
成比）＝９５：５で得た。
【００３２】実施例６
実施例１において、反応温度−４０℃を５℃にし、塩基
としてトリブチルアミンの代わりにトリエチルアミンを
使用し、それ以外は実施例１と同様にして反応及び後処
理を行ない、実施例１と同じアゼチジノン化合物を収率
６９％、β−体：α−体（生成比）＝９５：５で得た。
としてトリブチルアミンの代わりにトリエチルアミンを
使用し、それ以外は実施例１と同様にして反応及び後処
理を行ない、実施例１と同じアゼチジノン化合物を収率
６９％、β−体：α−体（生成比）＝９５：５で得た。
【００３３】比較例１
実施例１において、塩基を全く使用せず、それ以外は実
施例１と全く同様にして反応を行なったところ目的物は
全く得られなかった。
施例１と全く同様にして反応を行なったところ目的物は
全く得られなかった。
【００３４】実施例７〜９
実施例１において塩化メチレンの代わりに下記表２に示
した各種反応溶媒を用い、それ以外は実施例１と同様に
して反応及び後処理を行ない、実施例１と同じアゼチジ
ノン化合物をそれぞれ下記の収率及び生成比で得た。結
果を表２にまとめて示す。
した各種反応溶媒を用い、それ以外は実施例１と同様に
して反応及び後処理を行ない、実施例１と同じアゼチジ
ノン化合物をそれぞれ下記の収率及び生成比で得た。結
果を表２にまとめて示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】実施例１０〜１３
【化１４】
実施例１において、アゾ化合物として、ｐ−ニトロベン
ジル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート（上記化学
式において、Ｒ＝ｐ−ニトロベンジル基の化合物）のｐ
−ニトロベンジル基を下記表３に示した各種置換基に置
き換えた化合物を使用し、それ以外は実施例１と同様に
して反応及び後処理を行ない、種々のアゼチジノン化合
物について、β−メチル体を高選択的に得た。結果を表
３にまとめて示す。
ジル ２−ジアゾ−３−オキソブタノエート（上記化学
式において、Ｒ＝ｐ−ニトロベンジル基の化合物）のｐ
−ニトロベンジル基を下記表３に示した各種置換基に置
き換えた化合物を使用し、それ以外は実施例１と同様に
して反応及び後処理を行ない、種々のアゼチジノン化合
物について、β−メチル体を高選択的に得た。結果を表
３にまとめて示す。
【００３７】
【表３】
【００３８】参考例１ (1R,5R,6S)-p-ニトロベンジル-
2-ジフェニルホスホリルオキシ-6-[(R)-1-ヒドロキシエ
チル]-1-メチル-カルバペネム-3-カルボキシレートの製
造
2-ジフェニルホスホリルオキシ-6-[(R)-1-ヒドロキシエ
チル]-1-メチル-カルバペネム-3-カルボキシレートの製
造
【化１５】
窒素気流下において、(3S,4R)-3-[(R)-1-tert-ブチルジ
メチルシリルオキシエチル]-4-[(R)-1-メチル-3-ジアゾ
-3-p-ニトロベンジルオキシカルボニル-2-オキソ-プロ
ピル]-アゼチジン-2-オン１４９．７ｇ（３１４ｍｍｏ
ｌ）をメタノール７５０ｍＬに溶解させた後、２モル塩
酸水４４．５ｍＬを加え、室温で２２．５時間撹拌し
た。酢酸エチル１．１Ｌを加えて撹拌した後、、有機層
を分取し、これを水洗した。得られた有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去して脱シリル体
１０７．６ｇを得た。得られた脱シリル体１０７．６ｇ
を酢酸エチル１．１Ｌに溶解し、ロジウムオクタノエー
ト（Ｒｈ２（Ｏｃｔ）４）０．６５ｇを加えて、５０℃
で２．５時間反応させた。溶媒を留去し、得られた残渣
をアセトニトリル５５０ｍＬに溶解し、−１０℃まで冷
却した後、ジフェニルクロロホスフェート７７．８ｇ、
ジイソプロピルエチルアミン３９．２ｇを順次加え、−
１０℃で３時間撹拌した。溶媒を留去し、得られた残渣
を酢酸エチル２．２Ｌに溶解した。得られた有機層を水
洗した後、溶媒を留去し、ヘプタンを加えて晶出させ
た。結晶を濾取し、乾燥して、標記化合物１３７．９ｇ
を得た。この化合物の物性値は、Heterocycles,Vol.21,
pp.29-40(1984)及び特開平６−３２１９４６号に記載の
当該化合物の物性値と一致した。
メチルシリルオキシエチル]-4-[(R)-1-メチル-3-ジアゾ
-3-p-ニトロベンジルオキシカルボニル-2-オキソ-プロ
ピル]-アゼチジン-2-オン１４９．７ｇ（３１４ｍｍｏ
ｌ）をメタノール７５０ｍＬに溶解させた後、２モル塩
酸水４４．５ｍＬを加え、室温で２２．５時間撹拌し
た。酢酸エチル１．１Ｌを加えて撹拌した後、、有機層
を分取し、これを水洗した。得られた有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去して脱シリル体
１０７．６ｇを得た。得られた脱シリル体１０７．６ｇ
を酢酸エチル１．１Ｌに溶解し、ロジウムオクタノエー
ト（Ｒｈ２（Ｏｃｔ）４）０．６５ｇを加えて、５０℃
で２．５時間反応させた。溶媒を留去し、得られた残渣
をアセトニトリル５５０ｍＬに溶解し、−１０℃まで冷
却した後、ジフェニルクロロホスフェート７７．８ｇ、
ジイソプロピルエチルアミン３９．２ｇを順次加え、−
１０℃で３時間撹拌した。溶媒を留去し、得られた残渣
を酢酸エチル２．２Ｌに溶解した。得られた有機層を水
洗した後、溶媒を留去し、ヘプタンを加えて晶出させ
た。結晶を濾取し、乾燥して、標記化合物１３７．９ｇ
を得た。この化合物の物性値は、Heterocycles,Vol.21,
pp.29-40(1984)及び特開平６−３２１９４６号に記載の
当該化合物の物性値と一致した。
【００３９】
【発明の効果】本発明は、抗菌物質として有用なカルバ
ペネム系抗生物質の製造に好適に用いられる１β−メチ
ルカルバペネム誘導体を工業的に製造するための重要な
合成中間体であるアゼチジノン化合物を、温和な条件下
で、短工程で収率良く、且つ選択的に製造する方法を提
供するものである点に顕著な効果を奏する。
ペネム系抗生物質の製造に好適に用いられる１β−メチ
ルカルバペネム誘導体を工業的に製造するための重要な
合成中間体であるアゼチジノン化合物を、温和な条件下
で、短工程で収率良く、且つ選択的に製造する方法を提
供するものである点に顕著な効果を奏する。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 諸井 隆
神奈川県平塚市西八幡一丁目４番11号 高
砂香料工業株式会社総合研究所内
Ｆターム(参考） 4H039 CA19 CD10
4H049 VN01 VP01 VQ60 VR23 VR41
VU08 VU36
Claims (14)
- 【請求項１】 下記一般式［２］ 【化１】 （式中、Ｒ１は、水素原子又は水酸基の保護基を表し、
Ｌは脱離基を表す。）で示される化合物と、下記一般式
［３］ 【化２】 （式中、Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜４の低級アル
キル基を表し、Ｒ３は、炭素数１〜１２のアルキル基、
炭素数２〜５のアルケニル基、置換基を有していてもよ
いフェニル基、置換基を有していてもよい炭素数７〜１
５のアラルキル基、又は置換基を有していてもよい５〜
８員環の脂環式基を表し、Ｘは、酸素原子又は硫黄原子
を表す。）で示される化合物を、下記一般式［４］ ＭＹｎ（Ｒ４）ｍ 〔４〕 （式中、Ｍは金属原子を表し、Ｙはハロゲン原子を表
し、Ｒ４は、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１
〜４の低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいフ
ェノキシ基、アルキルスルホニルジオキシ基、アリール
スルホニルジオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、
アリールスルホニルオキシ基、シクロペンタジエニル
基、又はペンタメチルシクロペンタジエニル基を表し、
ｎ及びｍは、０〜４の整数で、且つ、ｎ＋ｍは、Ｍの原
子価である。）で示される金属化合物、及び塩基の存在
下で反応させることを特徴とする、下記一般式［１］ 【化３】 （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＸは、前記と同じ。）で
示される化合物の製造方法。 - 【請求項２】 一般式［４］において、Ｍで示される金
属原子が、周期律表第４族の金属原子である、請求項１
に記載の製造方法。 - 【請求項３】 周期律表第４族の金属原子が、チタン又
はジルコニウムである、請求項２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 一般式［４］において、Ｍで示される金
属原子が、周期律表第１４族の金属原子である、請求項
１に記載の製造方法。 - 【請求項５】 周期律表第１４族の金属原子が、ケイ素
又はスズである、請求項４に記載の製造方法。 - 【請求項６】 一般式［４］において、Ｍで示される金
属原子が、周期律表第１３族の金属原子である、請求項
１に記載の製造方法。 - 【請求項７】 周期律表第１３族の金属原子が、ホウ素
又はアルミニウムである、請求項６に記載の製造方法。 - 【請求項８】 一般式［４］において、Ｍで示される金
属原子が、周期律表第３族の金属原子である、請求項１
に記載の製造方法。 - 【請求項９】 周期律表第３族の金属原子が、スカンジ
ウム、イットリウム又はランタノイドである、請求項８
に記載の製造方法。 - 【請求項１０】 一般式［４］において、Ｍで示される
金属原子が、周期律表第８族の金属原子である、請求項
１に記載の製造方法。 - 【請求項１１】 周期律表第８族の金属原子が、鉄、又
はルテニウムである、請求項１０に記載の製造方法。 - 【請求項１２】 一般式［４］において、Ｍで示される
金属原子が、周期律表第１２族の金属原子である、請求
項１に記載の製造方法。 - 【請求項１３】 周期律表第１２族の金属原子が亜鉛で
ある、請求項１２に記載の製造方法。 - 【請求項１４】 塩基が、第１級アミン、第２級アミ
ン、第３級アミン又は／及びピリジン類である、請求項
１〜１３の何れかに記載の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002082560A JP2003277390A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | アゼチジノン化合物の製造方法 |
| KR10-2004-7008611A KR20040095198A (ko) | 2002-03-25 | 2003-02-17 | 아제티디논 화합물의 제조방법 |
| CNB03801808XA CN1277819C (zh) | 2002-03-25 | 2003-02-17 | 氮杂环丁酮化合物的制备方法 |
| AU2003211227A AU2003211227A1 (en) | 2002-03-25 | 2003-02-17 | Process for producing azetidinone compounds |
| PCT/JP2003/001615 WO2003080571A1 (fr) | 2002-03-25 | 2003-02-17 | Procede de production de composes azetidinone |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002082560A JP2003277390A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | アゼチジノン化合物の製造方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2003277390A true JP2003277390A (ja) | 2003-10-02 |
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ID=28449147
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002082560A Pending JP2003277390A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | アゼチジノン化合物の製造方法 |
Country Status (5)
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|---|---|
| JP (1) | JP2003277390A (ja) |
| KR (1) | KR20040095198A (ja) |
| CN (1) | CN1277819C (ja) |
| AU (1) | AU2003211227A1 (ja) |
| WO (1) | WO2003080571A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011048583A1 (en) | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Ranbaxy Laboratories Limited | Process for the preparation of carbapenem compounds |
| US8841444B2 (en) | 2008-07-30 | 2014-09-23 | Ranbaxy Laboratories Limited | Process for the preparation of carbapenem compounds |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101891665B (zh) * | 2009-05-22 | 2013-02-06 | 上海医药工业研究院 | (3s,4s)-4-乙酰基-3-((r)-1-羟基乙基)-2-氮杂环丁酮及其制备方法 |
| CN102936217A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-20 | 浙江新东港药业股份有限公司 | 一种培南中间体的制备方法 |
| CN103553995A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-02-05 | 凯莱英医药集团（天津）股份有限公司 | 一种制备培南类抗生素中间体的方法 |
| WO2015070394A1 (zh) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | 凯莱英医药集团（天津）股份有限公司 | 一种制备培南类抗生素中间体的方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3509769A1 (de) * | 1985-03-19 | 1986-09-25 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von carbapenemzwischenprodukten |
| DE3617626A1 (de) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Bayer Ag | Substituierte 6-hydroxymethyl-carbapenem-antibiotika, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
| NZ234411A (en) * | 1989-07-18 | 1991-05-28 | Merck & Co Inc | Preparation of 2-diazo-3-silyloxy-3-butenoate esters |
| GB9124850D0 (en) * | 1991-11-22 | 1992-01-15 | Harding Paul F | Assembly comprising clip device |
| JP3787819B2 (ja) * | 1994-07-14 | 2006-06-21 | 日本曹達株式会社 | アゼチジノン化合物及びその製造方法 |
| CA2328219A1 (en) * | 1998-04-16 | 1999-10-21 | Merck & Co., Inc. | Titanium catalyzed preparation of carbapenem intermediates |
| JP4294124B2 (ja) * | 1998-06-23 | 2009-07-08 | 日本曹達株式会社 | アゼチジノン誘導体の製造方法 |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002082560A patent/JP2003277390A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-17 WO PCT/JP2003/001615 patent/WO2003080571A1/ja active Application Filing
- 2003-02-17 AU AU2003211227A patent/AU2003211227A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-17 CN CNB03801808XA patent/CN1277819C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-17 KR KR10-2004-7008611A patent/KR20040095198A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8841444B2 (en) | 2008-07-30 | 2014-09-23 | Ranbaxy Laboratories Limited | Process for the preparation of carbapenem compounds |
| WO2011048583A1 (en) | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Ranbaxy Laboratories Limited | Process for the preparation of carbapenem compounds |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1610663A (zh) | 2005-04-27 |
| CN1277819C (zh) | 2006-10-04 |
| KR20040095198A (ko) | 2004-11-12 |
| AU2003211227A1 (en) | 2003-10-08 |
| WO2003080571A1 (fr) | 2003-10-02 |
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