JP2003260588A - 濡れ広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末 - Google Patents
濡れ広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】濡れ広がりの少ないはんだペーストを製造する
ために使用するＡｕ−Ｓｎ合金粉末を提供する。 【解決手段】Ｓｎ：１５〜２５質量％、酸素：１００超
〜５００ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純
物からなる組成、並びに粒径：１０〜３５μmの粉末を
全体の３０％以上含みかつ粒径：４０μｍ以下の粉末が
全体の９０％以上を占めるレーザー散乱・解析法により
測定した平均粒径が１０〜３５μmの範囲内の粒度を有
する濡れ広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合
金粉末。
ために使用するＡｕ−Ｓｎ合金粉末を提供する。 【解決手段】Ｓｎ：１５〜２５質量％、酸素：１００超
〜５００ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純
物からなる組成、並びに粒径：１０〜３５μmの粉末を
全体の３０％以上含みかつ粒径：４０μｍ以下の粉末が
全体の９０％以上を占めるレーザー散乱・解析法により
測定した平均粒径が１０〜３５μmの範囲内の粒度を有
する濡れ広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合
金粉末。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、濡れ広がりの少ない
はんだペーストを製造するために使用するＡｕ−Ｓｎ合
金粉末に関するものである。
はんだペーストを製造するために使用するＡｕ−Ｓｎ合
金粉末に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト
は、ＧａＡｓ光素子、ＧａＡｓ高周波素子、熱電素子な
どの半導体素子と基板との接合や微細かつ高気密性が要
求されるＳＡＷフィルター、水晶発信子などの封止に使
用されている。このＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストに含
まれるＡｕ−Ｓｎ合金粉末は、Ｓｎ：１５〜２５質量％
を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成
を有することが知られている。
は、ＧａＡｓ光素子、ＧａＡｓ高周波素子、熱電素子な
どの半導体素子と基板との接合や微細かつ高気密性が要
求されるＳＡＷフィルター、水晶発信子などの封止に使
用されている。このＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストに含
まれるＡｕ−Ｓｎ合金粉末は、Ｓｎ：１５〜２５質量％
を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる組成
を有することが知られている。
【０００３】このＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストに使用
されるＡｕ−Ｓｎ合金粉末は、通常、Ａｕ−Ｓｎ合金を
溶解して溶湯を作製し、温度：３００〜４００℃に保持
し、この温度に保持された溶湯を自然落下させ、この自
然落下する溶湯に周囲から不活性ガスを噴射して落下す
る溶湯に高圧不活性ガスを衝突させるガスアトマイズ法
により製造する。このとき溶解るつぼノズル先端のガス
噴射ノズルに対する位置（ノズルキャップ）は一般に０
〜０．３ｍｍ未満である。かかる従来のガスアトマイズ
法により得られたＡｕ−Ｓｎ合金粉末は酸素：１００ｐ
ｐｍ以下を含有し、平均粒径：５０〜１００μmを有して
いる。このＡｕ−Ｓｎ合金粉末を２〜２０質量％のペー
スト化剤と混合してＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを製
造する。
されるＡｕ−Ｓｎ合金粉末は、通常、Ａｕ−Ｓｎ合金を
溶解して溶湯を作製し、温度：３００〜４００℃に保持
し、この温度に保持された溶湯を自然落下させ、この自
然落下する溶湯に周囲から不活性ガスを噴射して落下す
る溶湯に高圧不活性ガスを衝突させるガスアトマイズ法
により製造する。このとき溶解るつぼノズル先端のガス
噴射ノズルに対する位置（ノズルキャップ）は一般に０
〜０．３ｍｍ未満である。かかる従来のガスアトマイズ
法により得られたＡｕ−Ｓｎ合金粉末は酸素：１００ｐ
ｐｍ以下を含有し、平均粒径：５０〜１００μmを有して
いる。このＡｕ−Ｓｎ合金粉末を２〜２０質量％のペー
スト化剤と混合してＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを製
造する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、携帯電話など各
種電子機器の小型化および高機能化に伴って半導体素子
を一層狭い間隔で基板に接合する必要に迫られている。
ところが、従来のＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用い
て半導体素子を狭い間隔で基板にはんだ付けすると、従
来のＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストは濡れ広がり性に優
れているので、はんだ付けに際して溶融したＡｕ−Ｓｎ
合金はんだが基板表面に広がり、隣接する半導体素子と
短絡するなどして不具合の原因となることが分かってき
たのである。
種電子機器の小型化および高機能化に伴って半導体素子
を一層狭い間隔で基板に接合する必要に迫られている。
ところが、従来のＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用い
て半導体素子を狭い間隔で基板にはんだ付けすると、従
来のＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストは濡れ広がり性に優
れているので、はんだ付けに際して溶融したＡｕ−Ｓｎ
合金はんだが基板表面に広がり、隣接する半導体素子と
短絡するなどして不具合の原因となることが分かってき
たのである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
はんだ付けした時に、溶融したＡｕ−Ｓｎ合金はんだが
広がり過ぎないＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを作製す
べく研究を行った。その結果、 （ａ）従来のはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末より
も酸素含有量の多いＡｕ−Ｓｎ合金粉末を作製し、この
酸素含有量の多いＡｕ−Ｓｎ合金粉末をペースト化剤と
混合して得られたＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストは濡れ
広がりが小さくなる、 （ｂ）この従来のＡｕ−Ｓｎ合金粉末よりも酸素を多く
含有するＡｕ−Ｓｎ合金粉末は、粉末粒径の構成比を調
整することにより製造することができ、レーザー散乱・
解析法により測定した平均粒径が１０〜３５μｍの範囲
内の粒度を有するように粒度調整したガスアトマイズＡ
ｕ−Ｓｎ合金粉末は、酸素を１００超〜５００ｐｐｍ含
み、この粉末を２〜２０質量％のペースト化剤と混合し
て得られたＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストは、はんだ付
けした時に、溶融したＡｕ−Ｓｎ合金はんだが広がり過
ぎることがなく、したがって、狭い間隔で隣接する半導
体素子同士が短絡することがない、 （ｃ）前記平均粒径が１０〜３５μｍを有するＡｕ−Ｓ
ｎ合金粉末は、粒径：１０〜３５μｍの粉末を全体の３
０％以上含み、かつ粒径：４０μｍ以下の粉末が全体の
９０％以上を占めるように粒度分布した平均粒径：１０
〜３５μｍを有することが一層好ましい、という研究結
果が得られたのである。
はんだ付けした時に、溶融したＡｕ−Ｓｎ合金はんだが
広がり過ぎないＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを作製す
べく研究を行った。その結果、 （ａ）従来のはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末より
も酸素含有量の多いＡｕ−Ｓｎ合金粉末を作製し、この
酸素含有量の多いＡｕ−Ｓｎ合金粉末をペースト化剤と
混合して得られたＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストは濡れ
広がりが小さくなる、 （ｂ）この従来のＡｕ−Ｓｎ合金粉末よりも酸素を多く
含有するＡｕ−Ｓｎ合金粉末は、粉末粒径の構成比を調
整することにより製造することができ、レーザー散乱・
解析法により測定した平均粒径が１０〜３５μｍの範囲
内の粒度を有するように粒度調整したガスアトマイズＡ
ｕ−Ｓｎ合金粉末は、酸素を１００超〜５００ｐｐｍ含
み、この粉末を２〜２０質量％のペースト化剤と混合し
て得られたＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストは、はんだ付
けした時に、溶融したＡｕ−Ｓｎ合金はんだが広がり過
ぎることがなく、したがって、狭い間隔で隣接する半導
体素子同士が短絡することがない、 （ｃ）前記平均粒径が１０〜３５μｍを有するＡｕ−Ｓ
ｎ合金粉末は、粒径：１０〜３５μｍの粉末を全体の３
０％以上含み、かつ粒径：４０μｍ以下の粉末が全体の
９０％以上を占めるように粒度分布した平均粒径：１０
〜３５μｍを有することが一層好ましい、という研究結
果が得られたのである。
【０００６】この発明は、かかる研究結果にもとづいて
なされたものであって、（１）Ｓｎ：１５〜２５質量
％、酸素：１００超〜５００ｐｐｍを含有し、残りがＡ
ｕおよび不可避不純物からなる組成、並びにレーザー散
乱・解析法により測定した平均粒径が１０〜３５μｍの
範囲内の粒度を有するＡｕ−Ｓｎ合金粉末からなる濡れ
広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末、
（２）Ｓｎ：１５〜２５質量％、酸素：１００超〜５０
０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物から
なる組成、並びに粒径：１０〜３５μｍの粉末を全体の
３０％以上含みかつ粒径：４０μｍ以下の粉末が全体の
９０％以上を占めるレーザー散乱・解析法により測定し
た平均粒径が１０〜３５μｍの範囲内の粒度を有する濡
れ広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉
末、に特徴を有するものである。
なされたものであって、（１）Ｓｎ：１５〜２５質量
％、酸素：１００超〜５００ｐｐｍを含有し、残りがＡ
ｕおよび不可避不純物からなる組成、並びにレーザー散
乱・解析法により測定した平均粒径が１０〜３５μｍの
範囲内の粒度を有するＡｕ−Ｓｎ合金粉末からなる濡れ
広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末、
（２）Ｓｎ：１５〜２５質量％、酸素：１００超〜５０
０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物から
なる組成、並びに粒径：１０〜３５μｍの粉末を全体の
３０％以上含みかつ粒径：４０μｍ以下の粉末が全体の
９０％以上を占めるレーザー散乱・解析法により測定し
た平均粒径が１０〜３５μｍの範囲内の粒度を有する濡
れ広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉
末、に特徴を有するものである。
【０００７】Ｓｎ：１５〜２５質量％を含有し、残りが
Ａｕおよび不可避不純物からなる組成を有するＡｕ−Ｓ
ｎ合金は、Ａｕ−Ｓｎはんだ合金として最も広く用いら
れており、その成分組成も既に知られているので、その
成分組成範囲の限定理由の説明は省略する。この発明の
はんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末を平均粒径：１０
〜３５μｍに限定したのは、Ａｕ−Ｓｎ合金粉末のレー
ザー散乱・解析法により測定した平均粒径が１０μm未
満ではＡｕ−Ｓｎ合金粉末に含まれる酸素量が５００ｐ
ｐｍを越えるようになり、酸素を５００ｐｐｍを越えて
含むＡｕ−Ｓｎ合金粉末を用いて作製したＡｕ−Ｓｎ合
金はんだペーストは溶融したＡｕ−Ｓｎ合金はんだの濡
れ性が悪くなるので好ましくない。 一方、Ａｕ−Ｓｎ合金粉末のレーザー散乱・解析法によ
り測定した平均粒径が３５μmを越えると、粒径が大きく
なってＡｕ−Ｓｎ合金粉末の酸素含有量が１００ｐｐｍ
以下となり、かかる酸素含有量の少ないＡｕ−Ｓｎ合金
粉末を含むＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いてはん
だ付けすると、溶融したＡｕ−Ｓｎ合金はんだが広がり
すぎて、互いに近接して組み込まれた半導体素子が短絡
するようになるので好ましくない。 したがって、この発明のペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末
の平均粒径は１０〜３５μｍに定めた。この発明の平均
粒径：１０〜３５μｍを有するペースト用Ａｕ−Ｓｎ合
金粉末は、粒径：１０〜３５μｍの粉末を全体の３０％
以上含み、かつ粒径：４０μｍ以下の粉末が全体の９０
％以上を占めるように粒度分布していることが一層好ま
しい。
Ａｕおよび不可避不純物からなる組成を有するＡｕ−Ｓ
ｎ合金は、Ａｕ−Ｓｎはんだ合金として最も広く用いら
れており、その成分組成も既に知られているので、その
成分組成範囲の限定理由の説明は省略する。この発明の
はんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末を平均粒径：１０
〜３５μｍに限定したのは、Ａｕ−Ｓｎ合金粉末のレー
ザー散乱・解析法により測定した平均粒径が１０μm未
満ではＡｕ−Ｓｎ合金粉末に含まれる酸素量が５００ｐ
ｐｍを越えるようになり、酸素を５００ｐｐｍを越えて
含むＡｕ−Ｓｎ合金粉末を用いて作製したＡｕ−Ｓｎ合
金はんだペーストは溶融したＡｕ−Ｓｎ合金はんだの濡
れ性が悪くなるので好ましくない。 一方、Ａｕ−Ｓｎ合金粉末のレーザー散乱・解析法によ
り測定した平均粒径が３５μmを越えると、粒径が大きく
なってＡｕ−Ｓｎ合金粉末の酸素含有量が１００ｐｐｍ
以下となり、かかる酸素含有量の少ないＡｕ−Ｓｎ合金
粉末を含むＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いてはん
だ付けすると、溶融したＡｕ−Ｓｎ合金はんだが広がり
すぎて、互いに近接して組み込まれた半導体素子が短絡
するようになるので好ましくない。 したがって、この発明のペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末
の平均粒径は１０〜３５μｍに定めた。この発明の平均
粒径：１０〜３５μｍを有するペースト用Ａｕ−Ｓｎ合
金粉末は、粒径：１０〜３５μｍの粉末を全体の３０％
以上含み、かつ粒径：４０μｍ以下の粉末が全体の９０
％以上を占めるように粒度分布していることが一層好ま
しい。
【０００８】この発明の濡れ広がりの少ないはんだペー
スト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末を製造するには、Ｓｎ：１５
〜２５質量％を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物
からなる組成を有するＡｕ−Ｓｎ合金を溶解して温度：
４００〜７５０℃に保持し、この温度に保持された溶湯
を噴射して製造する。このときノズルギャップは０．３
〜０．５ｍｍとする。このガスアトマイズ条件は従来の
ガスアトマイズと比べて高温でかつ大きなノズルギャッ
プで噴射させる点で相違する。
スト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末を製造するには、Ｓｎ：１５
〜２５質量％を含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物
からなる組成を有するＡｕ−Ｓｎ合金を溶解して温度：
４００〜７５０℃に保持し、この温度に保持された溶湯
を噴射して製造する。このときノズルギャップは０．３
〜０．５ｍｍとする。このガスアトマイズ条件は従来の
ガスアトマイズと比べて高温でかつ大きなノズルギャッ
プで噴射させる点で相違する。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施例
表１に示される成分組成を有するＡｕ−Ｓｎ合金を高周
波溶解炉により溶解し、得られた溶湯を４５０℃に保持
しながら、高周波溶解炉の底部に設けられたノズルから
溶湯を落下させ、同時にノズルの周囲に設けられたガス
ノズルからＡｒガスを落下する溶湯に向かって噴射させ
ることによりガスアトマイズ粉末を作製した。このとき
ノズルギャップは０．４２ｍｍとした。このようにして
得られたガスアトマイズ粉末を篩でふるうことにより表
１に示される酸素含有量および平均粒径を有する本発明
Ａｕ−Ｓｎ合金粉末１〜５を作製した。
波溶解炉により溶解し、得られた溶湯を４５０℃に保持
しながら、高周波溶解炉の底部に設けられたノズルから
溶湯を落下させ、同時にノズルの周囲に設けられたガス
ノズルからＡｒガスを落下する溶湯に向かって噴射させ
ることによりガスアトマイズ粉末を作製した。このとき
ノズルギャップは０．４２ｍｍとした。このようにして
得られたガスアトマイズ粉末を篩でふるうことにより表
１に示される酸素含有量および平均粒径を有する本発明
Ａｕ−Ｓｎ合金粉末１〜５を作製した。
【００１０】従来例
実施例で得られた溶湯を３３０℃に保持しながら、高周
波溶解炉の底部に設けられたノズルから溶湯を自然落下
させ、同時にノズルの周囲に設けられたガスノズルから
落下する溶湯に向かってＡｒガスを噴射させることによ
りガスアトマイズ粉末を作製した。このときノズルギャ
ップは０．２３ｍｍとした。このようにして得られたガ
スアトマイズ粉末を篩でふるうことにより表１に示され
る酸素含有量、平均粒径および粒度分布を有する従来Ａ
ｕ−Ｓｎ合金粉末１〜５を作製した。
波溶解炉の底部に設けられたノズルから溶湯を自然落下
させ、同時にノズルの周囲に設けられたガスノズルから
落下する溶湯に向かってＡｒガスを噴射させることによ
りガスアトマイズ粉末を作製した。このときノズルギャ
ップは０．２３ｍｍとした。このようにして得られたガ
スアトマイズ粉末を篩でふるうことにより表１に示され
る酸素含有量、平均粒径および粒度分布を有する従来Ａ
ｕ−Ｓｎ合金粉末１〜５を作製した。
【００１１】このようにして得られた本発明Ａｕ−Ｓｎ
合金粉末１〜５および従来Ａｕ−Ｓｎ合金粉末１〜５を
それぞれロジン系ワックス：７質量％に混合してはんだ
ペーストを作製し、このはんだペーストを注射器に充填
し、これを用いて下記の試験を行なった。
合金粉末１〜５および従来Ａｕ−Ｓｎ合金粉末１〜５を
それぞれロジン系ワックス：７質量％に混合してはんだ
ペーストを作製し、このはんだペーストを注射器に充填
し、これを用いて下記の試験を行なった。
【００１２】濡れ広がり試験
縦：２０ｍｍ、横：２０ｍｍ、厚さ：０．１ｍｍの寸法
を有するＣｕ板を用意し、このＣｕ板の表面にＮｉ：４
２％，残部Ａｕおよび不可避不純物からなる合金をメッ
キすることにより基板を作製した。 さらに、縦：１ｍｍ、横：１ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍの
寸法を有するＳｉ板にＴｉ：０．１μｍ／Ｎｉ：１μｍ
／Ａｕ：０．５μｍの３層からなる複合被膜をスパッタ
リングにより形成して素子代替材を作製した。
を有するＣｕ板を用意し、このＣｕ板の表面にＮｉ：４
２％，残部Ａｕおよび不可避不純物からなる合金をメッ
キすることにより基板を作製した。 さらに、縦：１ｍｍ、横：１ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍの
寸法を有するＳｉ板にＴｉ：０．１μｍ／Ｎｉ：１μｍ
／Ａｕ：０．５μｍの３層からなる複合被膜をスパッタ
リングにより形成して素子代替材を作製した。
【００１３】先の１ｍｇのはんだペーストの上に、先に
用意したＮｉ−Ａｕ合金メッキした素子代替材を載せ、
窒素ガス雰囲気中、温度：３３０〜５００℃（液相線+
５０〜６０℃の温度）、１５秒間保持して加熱し冷却す
ることにより形成したはんだ付け接合部を素子代替材の
上から観察し、素子代替材の端部からはみ出して基板の
上に広がったＮｉ−Ａｕ合金はんだの素子代替材の端部
からの最も広く広がった距離を測定し、その結果を表１
に示した。
用意したＮｉ−Ａｕ合金メッキした素子代替材を載せ、
窒素ガス雰囲気中、温度：３３０〜５００℃（液相線+
５０〜６０℃の温度）、１５秒間保持して加熱し冷却す
ることにより形成したはんだ付け接合部を素子代替材の
上から観察し、素子代替材の端部からはみ出して基板の
上に広がったＮｉ−Ａｕ合金はんだの素子代替材の端部
からの最も広く広がった距離を測定し、その結果を表１
に示した。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１に示される結果から、本発明Ａｕ−Ｓ
ｎ合金粉末１〜５を含むはんだペーストは、従来Ａｕ−
Ｓｎ合金粉末１〜５を含むはんだペーストに比べて濡れ
広がり性が小さいことがわかる。
ｎ合金粉末１〜５を含むはんだペーストは、従来Ａｕ−
Ｓｎ合金粉末１〜５を含むはんだペーストに比べて濡れ
広がり性が小さいことがわかる。
【００１６】
【発明の効果】上述のように、この発明のはんだペース
ト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末は、従来のはんだペーストに比
べて素子代替材の端部からの最も広く広がった距離が小
さいところから濡れ広がり性が少なく、したがって狭い
間隔で配列された半導体素子を短絡することなくはんだ
付けすることができ、半導体装置の不良品発生率も減少
してコストを低減することができ、産業上優れた効果を
もたらすものである。
ト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末は、従来のはんだペーストに比
べて素子代替材の端部からの最も広く広がった距離が小
さいところから濡れ広がり性が少なく、したがって狭い
間隔で配列された半導体素子を短絡することなくはんだ
付けすることができ、半導体装置の不良品発生率も減少
してコストを低減することができ、産業上優れた効果を
もたらすものである。
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フロントページの続き
(72)発明者 佐々木 勇人
兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱マ
テリアル株式会社三田工場内
Claims (2)
- 【請求項１】Ｓｎ：１５〜２５質量％、酸素：１００超
〜５００ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純
物からなる組成、並びにレーザー散乱・解析法により測
定した平均粒径が１０〜３５μｍの範囲内の粒度を有す
るＡｕ−Ｓｎ合金粉末からなることを特徴とする濡れ広
がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末。 - 【請求項２】前記平均粒径が１０〜３５μｍの範囲内の
粒度を有するＡｕ−Ｓｎ合金粉末は、粒径：１０〜３５
μｍの粉末を全体の３０％以上含み、かつ粒径：４０μ
ｍ以下の粉末が全体の９０％以上を占めることを特徴と
する請求項１記載の濡れ広がりの少ないはんだペースト
用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002063099A JP2003260588A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 濡れ広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002063099A JP2003260588A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 濡れ広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003260588A true JP2003260588A (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=28670742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002063099A Pending JP2003260588A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 濡れ広がりの少ないはんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003260588A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006007288A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Mitsubishi Materials Corp | はんだペースト用Ａｕ−Ｓｎ合金粉末 |
| WO2007057982A1 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Mitsubishi Materials Corporation | 大きなボイドを内蔵することのないＡｕ－Ｓｎ合金バンプおよびその製造方法 |
| JP2007173768A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Mitsubishi Materials Corp | Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いた基板と素子の接合方法 |
| JP2008010545A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Mitsubishi Materials Corp | Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いて素子の接合面全面を基板に接合する方法 |
| JP2016097420A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | 三菱マテリアル株式会社 | Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の製造方法、及びＡｕ−Ｓｎ合金はんだ層 |
-
2002
- 2002-03-08 JP JP2002063099A patent/JP2003260588A/ja active Pending
Cited By (12)
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