JP2003248131A - 光・電気複合基板の製造方法及び光・電気複合基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 立体回路基板に適用することができる上に光
回路と電気回路の相対位置を高精度に保つことができる
ものとする。 【解決手段】 基板１の表面に導電性部材からなる電気
回路部３と、光透過性部材からなる光導波路部２とを設
けた光・電気複合基板の製造方法である。型６を用いた
圧縮成形または射出成形で所要の立体形状である基板１
を形成する。次いで該基板１の表面に電気回路部３と光
導波路部２とを形成する。成形された基板１に対して電
気回路部３と光導波路部２とを形成するために、立体回
路基板に対応することができるのはもちろんのこと、電
気回路部３と光導波路部２との相互位置精度を高く保つ
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板の表面に導電性
部材からなる電気回路部と、光透過性部材からなる光導
波路部とを設けた光・電気複合基板の製造方法及び光・
電気複合基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】このような光・電気複合基板の製造方法
として、特開２００１−１５８８９には支持基板上に作
成した光配線層を他の仮基板上に接着させた後、電気配
線基板に接着させ、その後、仮基板を剥離することが開
示されている。また、特開２００１−２３５６４４に
は、ベースフィルム上に電気回路パターンと接着剤層と
を順次形成して転写フィルムとし、この転写フィルムを
金型内にセットした状態で基板を成形するとともに基板
上に電気回路パターンを転写し、その後、基板上に形成
してある溝にコア材料を充填硬化させることで光導波路
部を形成することが開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前者の場合、光回路と
電気回路とを異なる基板上に夫々作成した後、電気回路
基板上に光回路の光配線層を接着するために、光回路と
電気回路の相対位置精度を高くすることが困難であり、
また光・電気複合基板を立体回路基板として作成したい
場合に適用することはできない。

【０００４】後者の場合、立体回路基板に適用すること
はできるものの、基板の成形時に転写フィルムに大きな
圧力がかかることから、転写フィルム上の電気回路が破
損してしまったり、位置ずれを起こして光回路と電気回
路との相対位置を保つことができなくなったりする。

【０００５】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
であって、その目的とするところは立体回路基板に適用
することができる上に光回路と電気回路の相対位置を高
精度に保つことができる光・電気複合基板の製造方法及
び光・電気複合基板を提供するにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】しかして本発明に係る光
・電気複合基板の製造方法は、基板の表面に導電性部材
からなる電気回路部と、光透過性部材からなる光導波路
部とを設けた光・電気複合基板の製造方法であって、型
を用いた圧縮成形または射出成形で所要の立体形状であ
る基板を形成し、次いで該基板の表面に電気回路部と光
導波路部とを形成することに特徴を有している。成形さ
れた基板に対して電気回路部と光導波路部とを形成する
ために、立体回路基板に対応することができるのはもち
ろんのこと、電気回路部と光導波路部との相互位置精度
を高く保つことができる。

【０００７】基板に対する電気回路部の形成は、基板の
表面にメッキ下地層を形成し、次いで基板の表面に形成
すべき電気回路部の回路部と非回路部との境界領域にレ
ーザ等の電磁波を照射してメッキ下地層の一部を除去
し、この後、上記回路部のメッキ下地層上にメッキを施
して電気回路部とするのが好ましい。

【０００８】また、基板の成形用の型としては、基材に
感光性レジストを塗布した後、形成すべき光導波路と同
じパターンの凹溝を基材表面に露光・現像処理で作成し
てマスター型とし、該マスター型に対する電鋳による反
転転写で少なくとも一部を形成したものを用いるのが好
ましい。

【０００９】光導波路部の形成については、基板表面に
光導波路部とする凹溝の形成用の凸部を備えた型を用い
て基板を形成した後、上記凸部部分が平面となっている
他の型内に基板を配置して基板の上記凹溝にコア材料を
充填硬化させて光導波路部を形成したり、基板表面に光
導波路部とする凹溝の形成用の凸部を備えた型を用いて
基板を形成した後、上記凹溝の深さにほぼ等しい距離だ
け型を開いてこの状態で上記凹溝にコア材料を充填硬化
させることで光導波路部を形成したりするとよい。

【００１０】基板成形時に光導波路部以外の他の光回路
部品の位置決め用の位置決め部を基板表面に同時に形成
したり、基板成形時に光導波路部と電気回路部とを区画
する凹凸を基板表面に同時に形成したりするのも好まし
い。

【００１１】また、基板として貫通孔を備えたものを用
いるとともに、該貫通孔の内面に電気回路部の一部と光
導波路部の一部のうちの少なくとも一方を形成するよう
にしてもよく、この場合、基板の貫通孔に対面する面が
傾斜面となっている型内に基板を配置して型と基板との
間にコア材料を充填硬化させることで光導波路を形成す
るとよい。

【００１２】光導波路部とする凹溝を備えた基板を成形
した後、凹溝にコア材料よりも屈折率の小さい材料を成
膜し、次いでコア材料を凹溝内に充填硬化させ、その
後、コア材料よりも屈折率の小さい材料で硬化したコア
材料の露出表面を被覆して光導波路部を形成するように
してもよい。基板に対する電気回路部の形成に際してメ
ッキ下地層を形成する場合、光導波路部とする凹溝を備
えた基板を成形した後、基板の表面に凹溝表面を含めて
メッキ下地層を形成し、その後、上記凹溝にコア材料を
充填硬化させて光導波路部を形成してもよい。

【００１３】光導波路部とする凹溝を備えた基板を成形
した後、電気回路部を形成し、その後上記凹溝にコア材
料を充填硬化させて光導波路部を形成してもよいもので
ある。

【００１４】光導波路部とする凹溝を備えた基板を成形
した後、電気回路部を形成するにあたり、基板上の凹溝
の位置を測定し、該測定結果に基づいて基板上の電気回
路部の位置を定めて形成するのが望ましい。

【００１５】そして本発明に係る光・電気複合基板は、
上記の製造方法で製造したことに特徴を有するものであ
り、また、基板の表面に導電性部材からなる電気回路部
と、光透過性部材からなる光導波路部とを設けた光・電
気複合基板において、基板は圧縮成形または射出成形で
形成されたもので光導波路部とする凹溝と光導波路部以
外の光回路部品の位置決め用の凹凸部とをその表面に備
えた立体形状のものであり、電気回路部は基板表面に形
成されるとともに電磁波照射で所要パターンとされたメ
ッキ下地層へのメッキにて形成され、光導波路部は上記
凹溝内へのコア材料の充填硬化で形成されていることに
他の特徴を有している。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下本発明を実施の形態の一例に
基づいて詳述すると、図１は本発明に係る光・電気複合
基板の製造方法の一例を示すもので、本発明において
は、まず絶縁体である基板１の成形を行う。図１(a)は
立体回路基板となっている基板１の成形用の下型６１と
上型６２とからなる金型６を、図１(b)は該金型６によ
って成形した基板１を示している。成形方法としては射
出成形、ホットエンボス成形のいずれでもよいが、この
成形時に基板１における光導波路部を設ける部分には凹
溝１１を形成しておく。また、基板１の材料としては、
光導波路部におけるクラッド材料（コア材料よりも屈折
率の小さい材料）を用いるのが好ましい。

【００１７】そして上記基板１に対して図１(c)に示す
ように、コア材料２０を液滴やスピンコート、ロールコ
ートなどによって凹溝１１に注入するとともに凹溝１１
からはみ出したコア材料２０を除去し、光硬化もしくは
熱硬化させる。コア材料２０の充填前にコア材料２０よ
り屈折率の小さいシートを凹溝１１内に圧着させてお
き、その後、コア材料２０を充填硬化させるようにして
もよい。この場合、基板１をクラッド材料で形成してい
なくてもよい。

【００１８】コア材料２０の充填硬化で光導波路部２を
形成したならば、次いで電気回路部の形成のために、ま
ず図１(d)に示すように、基板１の表面にスパッタや蒸
着、化学めっきなどによって、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ等から
なる導電性被膜であるメッキ下地層３０を成膜する。こ
のメッキ下地層３０は薄すぎると後工程の電気めっきに
際して析出がなされず、厚すぎると次工程でのレーザー
によるパターニングが困難となることから、０．１〜１
０μｍ程度の厚みとするのが好ましい。

【００１９】その後、図１(e)に示すように、該基板１
上に形成すべき電気回路部の回路部と非回路部との境界
領域にレーザ等の電磁波を照射してメッキ下地層３０の
一部を除去するパターニングを行う。

【００２０】このパターニングが完了すれば、図１(f)
に示すように、電気回路部の回路部となる部分に対して
Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ等の電気メッキを行って、電気回路部
３を作成する。この時、非回路部には電流を流さないた
めに、非回路部はメッキ下地層２０にメッキがなされる
ことはない。

【００２１】このように電気メッキを行ったならば、続
いてエッチング液によるエッチングやプラズマ等による
ドライエッチングによって、図１(g)に示すように非回
路部に残っているメッキ下地層２０を除去する。

【００２２】エッチングが完了すれば、必要や用途に応
じて電気回路部３に金メッキや半田メッキ等の表面処理
を行う。

【００２３】凹溝１１へのコア材料２０の充填に際して
は、図２に示すように、凹溝１１の成形のための突条６
３を備えている上型６２に代えて、凹溝１１に対応する
部分が平滑な平面となっている上型６４を用意してお
き、下型６１と上型６２とで基板１を成形した後、下型
６１と上型６４との間にコア材料２０を充填するように
してもよい。光導波路部２を射出成形あるいはホットエ
ンボス成形の二次成形で形成するわけである。上型６４
として平滑な平面を備えたものを用いるのは、光導波路
部２での光伝送損失を低減させるためである。また、コ
ア材料２０を気泡無く凹溝１１に充填するために、真空
中で二次成形を行うようにしてもよい。二次成形後、基
板１の一次成形面上に図２(c)に示すようにコア材料２
０がはみ出して付着することがあるが、この厚みは１μ
ｍ以下となるようにしておく。これ以上の厚みがある
と、光伝送損失が大きくなる。なお、このように二次成
形する場合、凹溝１１は基板１における傾斜面にあって
もよい。

【００２４】また、図３に示すように、基板１を下型６
１と上型６２とで成形した後、凹溝１１の深さ相当分Δ
Ｔだけ金型６を開き、この状態で凹溝１１内にコア材料
１２の充填を行うようにしてもよい。コア材料１２の充
填硬化時の金型接触面は凹溝１１成形時の凹溝１１底面
の接触面と同じであることから、コア材料１２の上面側
はコア材料１２の下面側と同程度の平滑面に仕上げるこ
とができる。

【００２５】上記の例では基板１に対して先に光導波路
部２を形成したが、電気回路部３を先に形成してもよ
い。図４はこの場合の一例であって、金型６で成形した
基板１の表面に上記の場合と同様の方法で電気回路部３
を形成し、その後、図４(h)に示すように、凹溝１１に
コア材料１２を充填硬化させて光導波路部２を形成して
いる。また、ここでは電磁波照射によるパターニングに
際して、まず基板１上の凹溝１１の位置をカメラ等の非
接触式計測装置Ｃを用いて測定し、この測定結果に基づ
いてレーザー照射位置を決定することで、凹溝１１（光
導波路部２）と電気回路部３との相対位置精度をより高
精度に保つことができるようにしている。

【００２６】このほか、図５に示すように、基板１に対
して電気回路部３の形成のためのメッキ下地層３０を形
成した後、コア材料１２の凹溝１１への充填硬化を行う
ようにしてもよく、さらには充填硬化させたコア材料１
２の表面を図６に示すようにさらにメッキ下地層３０で
被覆するようにしてもよい。メッキ下地層３０がコア材
料２０の外面にあることから、コア材料２０から漏れ出
る光をメッキ下地層３０による反射でコア材料２０内に
戻すことができるものであり、従って基板１をクラッド
材料で形成しなくても光伝達損失を抑制することができ
るとともに、基板１をクラッド材料で形成した場合に問
題となる成形性や電気配線との密着力の問題を解消する
ことができる。なお、この場合のメッキ下地層３０は、
光導波路部２で伝送する光の波長に対して高い反射率を
有する金属材料で形成するのが好ましいのはもちろんで
ある。

【００２７】また、このようにメッキ下地層３０で光を
反射させる場合、図７に示すように、光導波路部２での
光の２分岐２ａや光路の９０°変更２ｂを凹溝１１壁面
の４５°斜面に形成したメッキ下地層３０で行わせるこ
ともできる。図中の７は基板１上に実装されて光導波路
部２と光学的に接続されるとともに電気回路部３に電気
的に接続される光電気素子である。なお、この場合のメ
ッキ下地層３０には、ニッケルやアルミニウム等の高反
射率であるとともに後工程のソフトエッチング工程で不
要部分のエッチング除去が可能なものが好ましい。

【００２８】さらには、基板１としてはクラッド材料で
形成する必要がなくなるために、メッキ下地層３０との
密着力が高いものを選択するにあたっての自由度が高く
なるものであり、また、電気回路部３だけでなく、光導
波路部２の立体回路化も可能となる。

【００２９】ところで、基板１には光導波路部２の形成
のための凹溝１１のほか、図８(a)や図８(b)に示すよう
に、光導波路部２と電気回路部３との間に位置して両者
を区画する凹凸１５を一体に設けておくのが好ましい。
凹溝１１へコア材料２０を充填する時、あるいはコア材
料を硬化させる過程でコア材料２０が電気回路部３の一
部へ接触することで滲み上がるブリードによって、電気
回路部３上にコア材料２０が付着して電子部品実装や電
子部品との電気的接続が不完全となってしまうことがあ
るが、上記凹凸１５を設けておくと、コア材料２０は凹
凸１５に溜まったりせき止められたりするために電気回
路部３にコア材料２０が付着することがなくなり、上記
問題の発生を避けることができる。

【００３０】さらには、基板１には上記のような凹凸１
５のほか、光ファイバー５や上記光電気素子７といった
部品の位置決め用の位置決め部１６を基板１に一体に形
成しておくとよい。図９に光電気素子（フォトダイオー
ド）７のための位置決め部１６を凹所として形成した場
合を、図１０に光導波路２に光学的に接続される光ファ
イバー５のための位置決め部１６を溝として形成したも
のを示す。基板１がこれら部品のための位置決め部１６
を有していることから、光導波路部２が基板１に形成し
た凹溝１１に形成されるものにおける光導波路部２と上
記部品との位置合わせを的確に且つ高精度に行うことが
できるものであり、たとえば光導波路部２と光ファイバ
ー５との位置合わせ精度を１μｍ以下に保つことができ
る。また、基板１の成型時に位置決め部１６を形成して
しまうことから、後加工で位置決め部１６を形成する場
合に比して、位置決め部１６の形成のための加工工程を
必要としなくなる。

【００３１】図１１に他例を示す。これは絶縁体である
基板１に貫通孔１７を設けておき、該貫通孔１７内に導
電性被膜（メッキ下地層３０）を被覆しした後、コア材
料２０を充填硬化させて垂直方向光導波路２’を形成す
るとともに、基板１の下面側に設けた光導波路２から垂
直方向光導波路２’に光を導くために、光導波路２，
２’が交叉する貫通孔１７直下の部分に光反射部（図示
例ではＶ字形溝）２２を形成したものである。もちろ
ん、貫通孔１７を電気回路部３におけるスルーホールと
して利用してもよい。基板１の複数の面に電気回路部３
と光導波路部２とを形成することができることになり、
このために回路の高密度化が可能となる。

【００３２】貫通孔１７内に垂直方向光導波路２’を形
成する場合は、光伝送損失を少なくするために表面粗さ
を小さくする必要があるが、この点からすれば、貫通孔
１７は基板１の成形後にドリルやレーザーや放電加工に
よって形成するよりも、基板１の成形時に表面粗さを小
さくした金型６で同時に成形してしまうことが好まし
い。

【００３３】上記光反射部２２は、図１２に示すよう
に、コア材料２０の注入後、回折格子を形成する凹凸形
状の型６ａまたは４５°の傾斜面を有している型６ｂの
凹凸形状部や傾斜面を貫通孔１７直下に位置させた状態
で固定し、この状態でコア材料２０を硬化させることで
形成することができる。別部品として装着するもので光
を反射させるのではないために、高精度な位置合わせを
必要としない。

【００３４】また、光伝送損失の低減や回折格子の保
護、あるいは４５°反射面の保護のために、上記型６
ａ，６ｂと同形状で且つコア材料２０よりも屈折率の小
さいシートをコア材料２０に接着固定するようにしても
よい。

【００３５】図１３に他例を示す。これは基板１におけ
る光導波路部２とするための凹溝１１を備えた表面にク
ラッド材料２１ａを成膜した後、コア材料２０の充填硬
化を行い、その後、さらにクラッド材料２１ｂを成膜し
てコア材料２０の外周をクラッド材料２１ａ，２１ｂで
被覆したものを示している。光導波路部２での光伝送損
失を小さくすることができる。また、クラッド材料２１
ｂは、基板１とコア材料２０との接着層としての役目も
果たす。クラッド材料２１ａ，２１ｂはスピンコータ、
スプレー、蒸着重合等の方法で成膜することができる
が、ピンホールが無く、膜厚が均一となる成膜を行うも
のとする。この場合、図１３(b)に示すように、光導波
路部２上にも電気回路部３を形成することができるため
に回路の高密度化を図ることができる。

【００３６】光導波路部２の形成のための凹溝１１を備
えた基板１の成形に用いる金型６は、凹溝１１の表面粗
さを小さくすることが光伝送損失を小さくするのに必要
となる。特に断面寸法が１０μｍ程度のシングルモード
光導波路部２は断面寸法精度が±２μｍ以下、表面粗さ
Ｒａが５０ｎｍ以下となっていることが好ましい。

【００３７】これらの点から凹溝１１の成形のための突
条６３は次のようにして形成することが望ましい。すな
わち、図１４に示すように、基材６５に感光性レジスト
６６を塗布した後、パターンマスク６７を被せて紫外線
やＸ線による露光とこれに続く現像とを行って凹溝１１
となる部分のレジスト６６を除去してレジスト構造体で
あるマスター型６８を作成する。そして、このマスター
型６８に対する電鋳による反転転写で少なくとも突条６
３を形成した素材型６９を作成し、該素材型６９から前
記上型６２を切り出すのである。光ファイバー５や光電
気素子７のための位置決め部１６を形成するための部分
も上記と同様の方法で形成した型を用いれば、光導波路
部２と光ファイバー５や光電気素子７との相対位置精度
をきわめて高くすることができ、光コネクト部における
光損失を小さくすることができる。

【００３８】このようにして作成した上型６２を用いて
基板１を成形した場合、光導波路部２の断面形状の寸法
精度を±２μｍ以下、表面粗さＲａを５０ｎｍ以下とす
ることができた。

【００３９】

【発明の効果】以上のように本発明においては、基板の
表面に導電性部材からなる電気回路部と、光透過性部材
からなる光導波路部とを設けた光・電気複合基板の製造
方法であって、型を用いた圧縮成形または射出成形で所
要の立体形状である基板を形成し、次いで該基板の表面
に電気回路部と光導波路部とを形成することから、立体
回路基板に対応することができるのはもちろんのこと、
予め形成した電気回路部や光導波路部を基板に積層する
ものではないことから、電気回路部あるいは光導波路部
が位置ずれを起こしたりすることもなく、電気回路部と
光導波路部との相互位置精度を高く保つことができ、不
良の少ない立体的な光・電気複合基板を得ることができ
る。

【００４０】基板に対する電気回路部の形成にあたって
は、基板の表面にメッキ下地層を形成し、次いで基板の
表面に形成すべき電気回路部の回路部と非回路部との境
界領域にレーザ等の電磁波を照射してメッキ下地層の一
部を除去し、この後、上記回路部のメッキ下地層上にメ
ッキを施して電気回路部とすると、基板の表面形状や光
導波路とする部分の位置を計測したデータを基に電気回
路部のレーザ等によるパターニングを行うことができる
ものであり、このために基板が小型の立体回路基板であ
ろうと光導波路部と電気回路部との相対位置を高精度に
保つことができる。

【００４１】また、基板の成形用の型としては、基材に
感光性レジストを塗布した後、形成すべき光導波路と同
じパターンの凹溝を基材表面に露光・現像処理で作成し
てマスター型とし、該マスター型に対する電鋳による反
転転写で少なくとも一部を形成したものを用いるのが好
ましい。基板における光導波路の形成部分の表面粗さを
小さくすることができるために、光導波路部での光伝送
損失を小さくすることができる。

【００４２】光導波路部の形成については、基板表面に
光導波路部とする凹溝の形成用の凸部を備えた型を用い
て基板を形成した後、上記凸部部分が平面となっている
他の型内に基板を配置して基板の上記凹溝にコア材料を
充填硬化させて光導波路部を形成すると、凹凸形状を有
する基板表面への光導波路部のための凹溝の形成を簡便
に行うことができる。また、この場合、基板の傾斜面と
なっているところに光導波路部を形成することもでき
る。

【００４３】基板表面に光導波路部とする凹溝の形成用
の凸部を備えた型を用いて基板を形成した後、上記凹溝
の深さにほぼ等しい距離だけ型を開いてこの状態で上記
凹溝にコア材料を充填硬化させることで光導波路部を形
成してもよく、この場合は基板の成形に引き続いてコア
材料の充填硬化を行わせることができるために、作成時
間を短縮することができる。また、コア材料の表面粗さ
を小さくして光伝送損失を小さくすることも容易とな
る。

【００４４】基板成形時に光導波路部以外の他の光回路
部品の位置決め用の位置決め部を基板表面に同時に形成
すれば、光回路部品と光導波路部との相対位置精度を高
く保つことができる上に、光回路部品の実装時の位置決
め調整が不要となる。

【００４５】基板成形時に光導波路部と電気回路部とを
区画する凹凸を基板表面に同時に形成すると、コア材料
が電気回路部側に付着してしまうことを防ぐことができ
る。

【００４６】また、基板として貫通孔を備えたものを用
いるとともに、該貫通孔の内面に電気回路部の一部と光
導波路部の一部のうちの少なくとも一方を形成するなら
ば、基板の複数の面に電気回路部と光導波路部とを形成
することができ、回路の高密度化及び基板の小型化が可
能となる。

【００４７】そして、貫通孔を設けてコア材料を充填す
る場合、基板の貫通孔に対面する面が傾斜面となってい
る型内に基板を配置して型と基板との間にコア材料を充
填硬化させることで光導波路を形成すると、貫通孔内の
光導波路部への光の伝送のための構造を簡単に得ること
ができる。

【００４８】光導波路部とする凹溝を備えた基板を成形
した後、凹溝にコア材料よりも屈折率の小さい材料を成
膜し、次いでコア材料を凹溝内に充填硬化させ、その
後、コア材料よりも屈折率の小さい材料で硬化したコア
材料の露出表面を被覆して光導波路部を形成する場合、
光伝送損失を小さくすることができるのはもちろん、光
導波路部上に電気回路部を形成することもできて、回路
の高密度化が可能となる。

【００４９】さらに基板に対する電気回路部の形成に際
してメッキ下地層を形成する場合、光導波路部とする凹
溝を備えた基板を成形した後、基板の表面に凹溝表面を
含めてメッキ下地層を形成し、その後、上記凹溝にコア
材料を充填硬化させて光導波路部を形成すると、メッキ
下地層を光反射面として利用することができるために、
光導波路部からの光漏れによる損失を少なくすることが
できるほか、光導波路部での光分岐や光路を曲げるこ
と、光導波路の立体回路化などにも対応することができ
る。

【００５０】光導波路部とする凹溝を備えた基板を成形
した後、電気回路部を形成し、その後上記凹溝にコア材
料を充填硬化させて光導波路部を形成してもよい。この
場合、光導波路部が電気回路部の形成工程に際して高濃
度の酸やアルカリ液中に曝されることがないので、光導
波路部の屈折率の変化や表面粗さの変化などが生じず、
安定した性能のものを得ることができる。光導波路部と
する凹溝を備えた基板を成形した後、電気回路部を形成
するにあたり、基板上の凹溝の位置を測定し、該測定結
果に基づいて基板上の電気回路部の位置を定めて形成す
ることで、光導波路部と電気回路部との相対位置精度を
きわめて高いものとすることができる。

【００５１】そして本発明に係る光・電気複合基板は、
上記の製造方法で製造したことに特徴を有することか
ら、電気回路部と光導波路部との相互位置精度が高い上
に立体回路となっているために小型高密度のものとする
ことができる。

【００５２】また、基板の表面に導電性部材からなる電
気回路部と、光透過性部材からなる光導波路部とを設け
た光・電気複合基板において、基板は圧縮成形または射
出成形で形成されたもので光導波路部とする凹溝と光導
波路部以外の光回路部品の位置決め用の凹凸部とをその
表面に備えた立体形状のものであり、電気回路部は基板
表面に形成されるとともに電磁波照射で所要パターンと
されたメッキ下地層へのメッキにて形成され、光導波路
部は上記凹溝内へのコア材料の充填硬化で形成されてい
るものでは、凹溝を基準にして電磁波照射がなされるこ
とで光導波路部と電気回路部とが高精度に位置合わせさ
れたものを得ることができ、小型高密度である上に形状
の自由度も高いものを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(a)〜(g)は本発明の実施の形態の一例を示す説
明図である。

【図２】(a)(b)は同上の基板と上型の断面図、(c)はコ
ア材料のはみ出しを示す断面図である。

【図３】同上のコア材料の充填の他例の説明図である。

【図４】(a)〜(h)は別の例の説明図である。

【図５】(a)(b)は更に他の例におけるコア材料の充填を
示す斜視図である。

【図６】(a)(b)は異なる例におけるコア材料の充填を示
す斜視図である。

【図７】他の例の基板を示しており、(a)は平面図、(b)
は正面図である。

【図８】(a)(b)は夫々更に他の例の断面図である。

【図９】(a)は別の例の斜視図、(b)は断面図である。

【図１０】(a)はさらに別の例の斜視図、(b)(c)は断面
図である。

【図１１】異なる例を示しており、(a)は断面図、(b)は
拡大断面図である。

【図１２】(a)(b)は夫々他の例の断面図である。

【図１３】(a)(b)は更に他の例の断面図である。

【図１４】成形用の型の製造法の説明図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 光導波路部 ３ 電気回路部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平田 雅也 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KB09 MA05 PA28 QA05 5E338 BB19 BB28 BB80 EE32 EE33 5E343 DD21 ER23 GG08 GG11

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面に導電性部材からなる電気回
   路部と、光透過性部材からなる光導波路部とを設けた光
   ・電気複合基板の製造方法であって、型を用いた圧縮成
   形または射出成形で所要の立体形状である基板を形成
   し、次いで該基板の表面に電気回路部と光導波路部とを
   形成することを特徴とする光・電気複合基板の製造方
   法。
2. 【請求項２】 基板の表面にメッキ下地層を形成し、次
   いで基板の表面に形成すべき電気回路部の回路部と非回
   路部との境界領域にレーザ等の電磁波を照射してメッキ
   下地層の一部を除去し、この後、上記回路部のメッキ下
   地層上にメッキを施して電気回路部を形成することを特
   徴とする請求項１記載の光・電気複合基板の製造方法。
3. 【請求項３】 基材に感光性レジストを塗布した後、形
   成すべき光導波路と同じパターンの凹溝を基材表面に露
   光・現像処理で作成してマスター型とし、該マスター型
   に対する電鋳による反転転写で少なくとも一部を形成し
   た型を成形用の型として用いることを特徴とする請求項
   １または２記載の光・電気複合基板の製造方法。
4. 【請求項４】 基板表面に光導波路部とする凹溝の形成
   用の凸部を備えた型を用いて基板を形成した後、上記凸
   部部分が平面となっている他の型内に基板を配置して基
   板の上記凹溝にコア材料を充填硬化させることで光導波
   路部を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれ
   かの項に記載の光・電気複合基板の製造方法。
5. 【請求項５】 基板表面に光導波路部とする凹溝の形成
   用の凸部を備えた型を用いて基板を形成した後、上記凹
   溝の深さにほぼ等しい距離だけ型を開いてこの状態で上
   記凹溝にコア材料を充填硬化させることで光導波路部を
   形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項
   に記載の光・電気複合基板の製造方法。
6. 【請求項６】 基板成形時に光導波路部以外の他の光回
   路部品の位置決め用の位置決め部を基板表面に同時に形
   成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかの項に
   記載の光・電気複合基板の製造方法。
7. 【請求項７】 基板成形時に光導波路部と電気回路部と
   を区画する凹凸を基板表面に同時に形成することを特徴
   とする請求項１〜６のいずれかの項に記載の光・電気複
   合基板の製造方法。
8. 【請求項８】 基板として貫通孔を備えたものを用いる
   とともに、該貫通孔の内面に電気回路部の一部と光導波
   路部の一部のうちの少なくとも一方を形成することを特
   徴とする請求項１〜７のいずれかの項に記載の光・電気
   複合基板の製造方法。
9. 【請求項９】 基板の貫通孔に対面する面が傾斜面とな
   っている型内に基板を配置して型と基板との間にコア材
   料を充填硬化させることで光導波路を形成することを特
   徴とする請求項８記載の光・電気複合基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 光導波路部とする凹溝を備えた基板を
    成形した後、凹溝にコア材料よりも屈折率の小さい材料
    を成膜し、次いでコア材料を凹溝内に充填硬化させ、そ
    の後、コア材料よりも屈折率の小さい材料で硬化したコ
    ア材料の露出表面を被覆して光導波路部を形成すること
    を特徴とする請求項１〜７のいずれかの項に記載の光・
    電気複合基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 光導波路部とする凹溝を備えた基板を
    成形した後、基板の表面に凹溝表面を含めてメッキ下地
    層を形成し、その後、上記凹溝にコア材料を充填硬化さ
    せて光導波路部を形成することを特徴とする請求項２記
    載の光・電気複合基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 光導波路部とする凹溝を備えた基板を
    成形した後、電気回路部を形成し、その後上記凹溝にコ
    ア材料を充填硬化させて光導波路部を形成することを特
    徴とする請求項１〜７のいずれかの項に記載の光・電気
    複合基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 光導波路部とする凹溝を備えた基板を
    成形した後、電気回路部を形成するにあたり、基板上の
    凹溝の位置を測定し、該測定結果に基づいて基板上の電
    気回路部の位置を定めて形成することを特徴とする請請
    求項１〜１２のいずれかの項に記載の光・電気複合基板
    の製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれかの項に記載
    の製造方法で製造したことを特徴とする光・電気複合基
    板。
15. 【請求項１５】 基板の表面に導電性部材からなる電気
    回路部と、光透過性部材からなる光導波路部とを設けた
    光・電気複合基板であって、基板は圧縮成形または射出
    成形で形成されたもので光導波路部とする凹溝と光導波
    路部以外の光回路部品の位置決め用の凹凸部とをその表
    面に備えた立体形状のものであり、電気回路部は基板表
    面に形成されるとともに電磁波照射で所要パターンとさ
    れたメッキ下地層へのメッキにて形成され、光導波路部
    は上記凹溝内へのコア材料の充填硬化で形成されている
    ことを特徴とする光・電気複合基板。