JP2003247811A

JP2003247811A - 光学式膜厚監視方法および装置

Info

Publication number: JP2003247811A
Application number: JP2002049607A
Authority: JP
Inventors: Nobuyoshi Toyohara; 延好豊原; Takeshi Kawamata; 健川俣; Tadashi Watanabe; 正渡邊; Yorio Wada; 順雄和田; Kunihiko Uzawa; 邦彦鵜澤; Takeshi Deguchi; 武司出口
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2002-02-26
Filing date: 2002-02-26
Publication date: 2003-09-05
Anticipated expiration: 2022-02-26
Also published as: JP3865303B2

Abstract

(57)【要約】【課題】被成膜基板へ成膜される膜厚をモニタするモ
ニタ基板の温度を均一にして高精度な膜厚の制御を行
う。【解決手段】光学薄膜の光学的膜厚を監視するための
モニタ基板と、被成膜基板３１を加熱する加熱手段３
と、モニタ基板を連続的または間欠的に公転または自転
させる回転手段３４とを具備する。光学薄膜を被成膜基
板３１に成膜する以前に、加熱手段３とともに回転手段
３４を作動させてモニタ基板の温度を均一にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射防止膜や干渉
フィルター等の光学薄膜を作成する成膜装置に用いられ
る光学式膜厚監視方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】カメラ、顕微鏡等の光学機器に用いられ
る光学素子には、目的に応じて反射防止膜や干渉フィル
タのような光学薄膜が設けられている。これらの光学薄
膜は１層のみからなるものもあれば、１００層を超える
ものまで様々であるが、所望の光学特性を得るために
は、各層の膜厚を正確に制御することが重要である。こ
うした膜の作成には真空蒸着法やスパックリング法が用
いられるが、上述したように膜厚を制御するために何ら
かの手段で膜厚を監視するのが一般的である。

【０００３】膜厚を監視する方法としては、特公平６−
８９４５０号公報に記載されたものが知られている。こ
れによれば、回転可能なホルダーに設けられた複数のモ
ニタ基板の内、１個を成膜される領域に配置して真空蒸
着法により薄膜を形成し、薄膜が形成されたモニタ基板
を透過する光量の変化を測定することによって、製品に
形成される薄膜の膜厚を監視するものである。この方法
では、膜厚とともに成膜速度を同時に監視するため、製
品に薄膜を１層形成するごとにホルダーを回転させて、
別のモニタ基板を成膜される領域に配置するようにして
いる。

【０００４】また、特開平５−１０６０４０号公報に
は、１枚のモニタ基板に複数の監視位置を設け、モニタ
基板を回転させて監視位置を代えることにより、実サン
プル基板に形成される薄膜の各層ごとの膜厚を監視する
ことが開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】光学薄膜の屈折率は成
膜される材料によって決定されるが、必ずしも一義的に
は定まらず、成膜時の各種パラメータ、例えば蒸着速度
や基板温度によって変化することが知られている。これ
は、パラメータにより、形成される薄膜の密度や酸化度
などが変化するためである。

【０００６】そのため、蒸着速度や基板温度は成膜の
間、一定に保つのが常であり、このことは従来からも行
われている。しかし、従来技術のように複数のモニタ基
板を用いた場合、各モニタ基板から被成膜基板を加熱す
るためのヒータ等の加熱手段までの距離が異なるため、
各モニタ基板の温度が同一にはならない。従って、特定
のモニタ基板によって膜厚を正確に監視できたとして
も、温度の異なる別のモニタ基板で膜厚を監視した場合
には、被成膜基板に形成される薄膜の膜厚を正確に監視
することができない。すなわち、モニタ基板に温度差が
ある状況で膜厚を監視しても、膜厚の精度は出ないとい
うことになる。この不具合は、１枚のモニタ基板に複数
の監視位置を設ける場合も全く同様に起こるものであ
る。

【０００７】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、モニ
タ基板の温度を均一にすることにより、高精度な膜厚の
監視および制御が可能な光学式膜厚監視方法および装置
を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明の光学式膜厚監視方法は、基板に形
成される光学薄膜の光学的膜厚を監視する光学式膜厚監
視方法において、光学薄膜を被成膜基板に成膜する以前
に、加熱手段により前記被成膜基板を加熱するととも
に、光学的膜厚を監視するための複数のモニタ基板を特
定の軸の回りに連続的または間欠的に公転させることを
特徴とする。

【０００９】請求項１の発明によれば、被成膜基板の加
熱時に、複数のモニタ基板を特定の軸の回りに連続的ま
たは間欠的に公転させることにより、光学薄膜を被成膜
基板に成膜する以前にモニタ基板の温度を均一にするこ
とができる。

【００１０】請求項２の発明の光学式膜厚監視方法は、
基板に形成される光学薄膜の光学的膜厚を監視する光学
式膜厚監視方法において、光学薄膜を被成膜基板に成膜
する以前に、加熱手段により前記被成膜基板を加熱する
とともに、光学的膜厚を監視するための単一のモニタ基
板を連続的または間欠的に自転させることを特徴とす
る。

【００１１】請求項２の発明によれば、被成膜基板の加
熱時に、単一のモニタ基板を連続的または間欠的に自転
させることにより、光学薄膜を被成膜基板に成膜する以
前にモニタ基板の温度を均一にすることができる。

【００１２】請求項３の発明の光学式膜厚監視装置は、
基板に形成される光学薄膜の光学的膜厚を監視する光学
式膜厚監視装置において、光学薄膜の光学的膜厚を監視
するためのモニタ基板と、被成膜基板を加熱する加熱手
段と、前記モニタ基板を連続的または間欠的に公転また
は自転させる回転手段とを具備しており、光学薄膜を前
記被成膜基板に成膜する以前に、前記加熱手段とともに
前記回転手段を作動させることを特徴とする。

【００１３】請求項３の発明によれば、光学薄膜を被成
膜基板に成膜する以前に、被成膜基板を加熱する加熱手
段とモニタ基板を連続的または間欠的に公転または自転
させる回転手段を作動させることにより、モニタ基板の
温度を均一にすることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の光
学式膜厚監視方法および装置の実施の形態について説明
する。

【００１５】［実施の形態１］図１は本発明の実施の形
態１における光学式膜厚監視装置を備えた真空蒸着装置
の正面からの断面図であり、図２は複数のモニタ基板を
保持する保持プレート３３の上面図である。

【００１６】真空蒸着装置は、成膜装置と光学式膜厚監
視装置とから大きく構成されている。成膜装置は、図示
しない排気手段により内部を高真空にすることができる
チャンバー１と、チャンバー１の内部に配置された種々
の装置からなっている。

【００１７】チャンバー１内部の上部には、ドーム４２
が配置されており、ドーム４２の中心と肩に当たる位置
には、それそれ開口４２Ａおよび開口４２Ｂが穿設され
ている。ドーム４２の中心位置には、開口４２Ａと同心
にリング状のギア７が固定されており、チャンバー１の
外部に設けられた回転モータ４および回転軸５、ギア６
を介して回転可能に支持されている。開口４２Ｂは、被
成膜基板であるガラス基板３１をセットした基板ホルダ
ー３２を挿入するためのものである。また、チャンバー
１の上部コーナーにはガラス基板３１を加熱するための
加熱手段としてのヒータ３が設けられている。

【００１８】チャンバー１内部の下方には、成膜材料１
３を加熱するための電子銃１５が配置され、その上部に
は開閉可能なシャッタ１７が配置されている。また、こ
れらと左右対称な位置に、成膜材料１４を加熱するため
の電子銃１６と開閉可能なシャッタ１８が配置されてい
る。

【００１９】光学式膜厚監視装置は、複数のモニタ基板
を個別に収容するモニタケース２、複数のモニタケース
２を保持する保持プレート３３（図２参照）、モニタ基
板に成膜された膜厚を測定する膜厚監視計１９および保
持プレート３３を上下または回転させる駆動機構から構
成されている。

【００２０】モニタ基板２１は図３に示すように、モニ
タケース２の外枠２０Ａの内部に落とし込まれ、外枠２
０Ａに挿入される中枠２０Ｂによって押し付けられた状
態で収容される。モニタ基板２２〜３０も同様にしてそ
れぞれ別のモニタケース２に収容される。

【００２１】保持プレート３３は円盤形状となってお
り、その同心円上に等間隔に１０個の開口が設けられて
いる。それぞれの開口は、モニタ基板２１〜３０を収容
したモニタケース２を保持可能になっている。

【００２２】保持プレート３３の中心に設けられた回転
軸３８は、チャンバー１の上面を貫通して外部に突出し
ている。回転軸３８には、回転ギア３９とその上部にセ
ンサプレート４０が同軸に固定されている。回転ギア３
９は、チャンバー１の上面に固定されたモータ３５の駆
動ギア３６に螺合しており、モータ３５の駆動により回
転ギア３９が回転し、回転軸３８を介して保持プレート
３３が回転するようになっている。

【００２３】膜厚監視計１９はチャンバー１の外部上面
中央部に設置されており、直下に位置するモニタ基板に
成膜された膜厚を、反射率の変化から光学的に測定する
ものである。

【００２４】センサプレート４０は昇降シリンダ３４の
昇降軸３７に回転可能に支持されている。センサプレー
ト４０にはモニタ基板２１〜３０に対応したそれぞれの
位置に孔が開口されており、この孔をセンサ支持板４４
に固定されたフォトセンサ４１が光学的に読み取るよう
になっている。

【００２５】ドーム４２の上部には、保持プレート３３
に対向して略同径の円盤状の遮蔽板４３が設置されてお
り、遮蔽板４３には開口４２Ａに当たる位置に、モニタ
ケース２が通過することのできる開口４３Ａが設けられ
ている。

【００２６】次に、この実施の形態による膜厚監視方法
について説明する。被成膜基板であるガラス基板３１
を、成膜面が下向きになるように基板ホルダー３２にセ
ットする。チャンバー１を開放し、ドーム４２の開口４
２Ｂに基板ホルダー３２を挿入する。次に、モニタ基板
２１〜３０をセットした１０個のモニタケース２を、モ
ニタ基板２１〜３０が下側になるように保持プレート３
３に挿入する。このときにおいては、保持プレート３３
は昇降シリンダ３４の駆動により、図４に示す上昇位置
にある。

【００２７】次に、チャンバー１を密閉し、図示しない
排気手段によりチャンバー１内の排気を開始するととも
に、ヒータ３を駆動させてガラス基板３１を２５０℃に
なるように加熱制御する。同時に、モータ４を駆動して
ドーム４２を回転数３ｒｐｍで定速回転させるととも
に、モータ３５を駆動して保持プレート３３を回転数３
ｒｐｍで定速回転させる。

【００２８】図８は、加熱開始からのガラス基板３１お
よびモニタ基板の温度変化を示すが、ガラス基板３１の
温度は加熱開始後２０分で安定し、モニタ基板２１、２
３、２５、２７、２９の温度は、さらに２０分経過後
（加熱開始後４０分）に、いずれも２７０℃±２．５℃
で安定する。チャンバー１内の真空度が２．６×１０⁻
^３Ｐａ以上になり、すべてのモニタ基板の温度が均一安
定化した時点で成膜の準備を開始する。

【００２９】フォトセンサ４１がモニタ基板２１に対応
するセンサプレート４０の孔を検知したときに、モータ
３５の駆動を中止して保持プレート３３の回転を停止さ
せる。このとき、モニタ基板２１を収容したモニタケー
ス２が遮蔽板４３の開口４３Ａの直上に位置する。

【００３０】昇降シリンダ３４を駆動して保持プレート
３３を下降させると、モニタ基板２１を収容したモニタ
ケース２のみが、遮蔽板４３の開口４３Ａおよびギア７
の中心孔を通過する。この通過により、モニタ基板２１
がドーム４２の開口４２Ａ上の成膜位置に位置する。一
方、モニタ基板２２〜３０を収容した他の９個のモニタ
ケース２は、遮蔽板４３上に留まる。

【００３１】成膜の開始に先立って、モータ４を駆動し
てドーム４２の回転速度を３ｒｐｍから１５ｒｐｍに上
昇させる。電子銃１６の電流値を上昇させて成膜材料１
４を加熱し、シャッタ１８を開放してガラス基板３１お
よびモニタ基板２１に対し成膜材料１４の成膜を行う。
この成膜では、膜厚監視計１９によりモニタ基板２１上
の膜厚を測定し、所定の膜厚に達した時点で、シャッタ
１８を閉じるとともに電子銃１６の電流値を下げる。

【００３２】次に、電子銃１５の電流値を上昇させて成
膜材料１３を加熱し、シャッタ１７を開放してガラス基
板３１およびモニタ基板２１に成膜材料１３の成膜を行
う。膜厚監視計１９によりモニタ基板２１上の膜厚を判
定し、所定の膜厚に達したとき、シャッタ１７を閉じる
とともに電子銃１５の電流値を下げる。

【００３３】以下同様にして、成膜材料１４，１３を交
互にガラス基板３１およびモニタ基板２１に成膜する。
適当な層数を成膜したところで、モニタ基板２１をモニ
タ基板２２に交換し、成膜を続行し目標とする多層膜を
得る。

【００３４】このような実施の形態によれば、成膜作業
開始前にすでに複数のモニタ基板の温度が均一で且つ安
定化しているため、モニタ基板を交換しても膜厚監視の
精度が低下することがなく、その結果、ガラス基板に成
膜された膜厚を極めて高精度に制御することが可能とな
る。なお、本実施の形態では１０個のモニタ基板を使用
したが、モニタ基板の個数はこれに限ったものではな
い。

【００３５】［比較例１］この比較例では、実施の形態
１の構成において、ヒータ３を駆動させてガラス基板３
１を２５０℃になるように加熱制御する際、モニタ基板
２１を監視位置に位置させたまま、保持プレート３３を
回転させることなく成膜を行った。その他の作動は、実
施の形態１と同様である。

【００３６】加熱開始からのガラス基板３１およびモニ
タ基板の温度変化を図９に示す。ガラス基板３１の温度
は加熱開始後２０分で安定するが、モニタ基板２１、２
３、２５、２７、２９の温度は、さらに３０分経過した
後（加熱開始後５０分）でも安定することなく、１８６
℃〜２７０℃でばらついている。このような状況下で成
膜を行っても、モニタ基板を交換すると正確な膜厚監視
ができないため、ガラス基板に成膜された膜厚の精度は
低いものになる。

【００３７】［実施の形態２］この実施の形態２の構成
は実施の形態１と同様であるため、詳細な説明は省略す
る。

【００３８】この実施の形態では、実施の形態１におい
て、ヒータ３を駆動させてガラス基板３１を２５０℃に
なるように加熱制御する際に、保持プレート３３を３ｒ
ｐｍで定速回転させる代わりに、間欠回転させている。
具体的には、モータ３５を駆動して保持プレート３３を
モニタ基板３個分回転させた後、その位置で２０秒保持
し、またモニタ基板３個分回転させるという作動を繰り
返す。

【００３９】加熱開始からのガラス基板３１およびモニ
タ基板の温度変化を図１０に示すが、ガラス基板３１の
温度は加熱開始後２０分で安定し、モニタ基板２１、２
３、２５、２７、２９の温度は、いずれもさらに１０分
経過後（加熱開始後３０分）に２７０℃±２．５℃で安
定している。

【００４０】この実施の形態によれば、実施の形態１と
同様の効果を奏するとともに、実施の形態１に比べ短時
間でモニタ基板の温度が均一、且つ安定化するため、加
熱開始から成膜作業開始までの時間を節約できる効果を
有している。［実施の形態３］図５は実施の形態３の光学式膜厚監視
装置を備えた真空蒸着装置の正面からの断面図であり、
図６、図７はそれぞれモニタ基板を保持するモニタケー
スの断面図及び平面図である。

【００４１】真空蒸着装置は、成膜装置と光学式膜厚監
視装置とから大きく構成されている。成膜装置は、図示
しない排気手段により内部を高真空にすることが可能な
チャンバー１と、その内部に配置された種々の装置から
なっている。

【００４２】チャンバー１内部の上方には、ドーム４２
が配置されており、ドーム４２の中心と肩に当たる位置
には、それぞれ開口４２Ａと開口４２Ｂが穿設されてい
る。ドーム４２の中心位置には開口４２Ａと同心にリン
グ状のギア７が固定されており、ドーム４２はチャンバ
ー１の外部に設けられた回転モータ４、回転軸５及びギ
ア６を介して回転可能に支持されている。

【００４３】開口４２Ｂは、被成膜基板であるガラス基
板３１をセットした基板ホルダー３２を挿入するための
ものである。また、チャンバー１の上部コーナーにはガ
ラス基板３１を加熱するための加熱手段としてのヒータ
３が設けられている。

【００４４】チャンバー１内部の下方には、成膜材料１
３を加熱するための電子銃１５が配置され、その上部に
は開閉可能なシャッタ１７が配置されている。また、こ
れらと左右対称な位置には、成膜材料１４を加熱するた
めの電子銃１６と開閉可能なシャッタ１８とが配置され
ている。

【００４５】光学式膜厚監視装置は、モニタ基板６９を
収容するモニタケース６１、モニタ基板６９に成膜され
た膜厚を測定する膜厚監視計１９およびモニタケース６
１を回転させる駆動機構から構成されている。

【００４６】モニタケース６１は、直径（φ）５０ｍｍ
のモニタ基板６９と、モニタ基板６９を収容し外周部が
ギア６５Ａとなっているケース６５と、ボルトによりモ
ニタ基板６９をケース６５に固定するためのリング形状
の押え蓋６８とを有している。モニタ基板６９には、図
７に示すように同心円上に等間隔に６箇所の監視エリア
５１〜５６が設定されている。この監視エリア５１〜５
６は直径（φ）１０ｍｍとなっている。

【００４７】チャンバー１の外部に設けられた支持板７
０に固定されたモータ６２の駆動軸６３は、チャンバー
１の上面を貫通し、その貫通端に固定された駆動ギア６
４がモニタケース６１の外周のギア６５Ａと係合してい
る。従って、モータ６２の駆動により駆動軸６３、駆動
ギア６４を介してモニタケース６１が回転するようにな
っている。

【００４８】膜厚監視計１９はチャンバー１の外部上面
の中央部に設置されており、直下に位置するモニタ基板
６９の監視エリア５１〜５６に成膜された膜厚を、反射
率の変化から光学的に測定する。

【００４９】駆動軸６３にはセンサプレート６７が同軸
に固定されている。センサプレート６７にはモニタ基板
６９の監視エリア５１〜５６に対応したそれぞれの位置
に孔が開口しており、この孔を支持板７０に固定された
フォトセンサ６６が光学的に読み取るようになってい
る。

【００５０】モニタケース６１の直下には、モニタ基板
６９の監視エリア５１〜５６に対応した位置に直径
（φ）１２ｍｍの孔５７を有するマスクカバー６０が固
定されている。

【００５１】この実施の形態における膜厚監視方法につ
いて説明すると、被成膜基板であるガラス基板３１を、
成膜面が下向きになるように基板ホルダー３２にセット
する。チャンバー１を開放し、ドーム４２の開口４２Ｂ
に基板ホルダー３２を挿入する。次に、ケース６５にモ
ニタ基板６９をセットし、押え蓋６８を被せてボルトで
固定する。

【００５２】チャンバー１を密閉し、図示しない排気手
段によりチャンバー１内の排気を開始するとともに、ヒ
ータ３を駆動させてガラス基板３１を２５０℃になるよ
うに加熱制御する。同時に、モータ４を駆動してドーム
４２を３ｒｐｍの回転数で定速回転させるとともに、モ
ータ６２を駆動してモニタケース６１を３ｒｐｍの回転
数で定速回転させる。

【００５３】図１１は加熱開始からのガラス基板３１お
よびモニタ基板６９の監視エリアの温度変化を示し、ガ
ラス基板３１の温度は加熱開始後２０分で安定し、モニ
タ基板６９における監視エリア５１、５３、５５の温度
は、さらに２５分経過後（加熱開始後４５分）に、いず
れも２４０℃±１．５℃で安定する。実施の形態１に比
べて温度の立ち上がりが遅く、安定時の温度が低いの
は、ヒータ３からモニタ基板６９までの距離が実施の形
態１よりも遠いことによる。チャンバー１内の真空度が
２．６×１０^−３ｐａ以上になり、すべての監視エリア
の温度が均一且つ安定化した時点で成膜の準備を開始す
る。

【００５４】フォトセンサ６６が監視エリア５１に対応
するセンサプレート６７の孔を検知したときに、モータ
６２の駆動を中止してモニタケース６１の回転を停止さ
せる。このとき、モニタ基板６９の監視エリア５１がマ
スクカバー６０の孔５７の直上に位置するようになる。

【００５５】成膜作業の開始に先立って、モータ４を駆
動してドーム４２の回転速度を３ｒｐｍから１５ｒｐｍ
に上昇させる。電子銃１６の電流値を上昇させて成膜材
料１４を加熱し、シャッタ１８を開放してガラス基板３
１およびモニタ基板６９の監視エリア５１に成膜材料１
４の成膜を行う。成膜に際しては、膜厚監視計１９によ
り監視エリア５１上の膜厚を測定し、所定の膜厚に達し
た時点でシャッタ１８を閉じるとともに電子統１６の電
流値を下げる。

【００５６】次に、電子銃１５の電流値を上昇させて成
膜材料１３を加熱し、シャッタ１７を開放してガラス基
板３１および監視エリア５１に成膜材料１３の成膜を行
う。この成膜に際しても、膜厚監視計１９により監視エ
リア５１上の膜厚を測定し、所定の膜厚に達したらシャ
ッタ１７を閉じるとともに電子銃１５の電流値を下げ
る。以下同様にして、成膜材料１４，１３を交互にガラ
ス基板３１および監視エリア５１に成膜する。

【００５７】適当な層数成膜したところで、モータ６２
を駆動して次の監視エリア５２をマスクカバー６０の孔
５７の直上に位置させ、成膜を続行し目標とする多層膜
を得る。

【００５８】このような実施の形態によれば、実施の形
態１と同様の効果を奏するとともに、モニタ基板が１枚
で足りるため、成膜前の準備が容易であり、また装置全
体の構成を簡略化することができる。なお、この実施の
形態では６箇所の監視エリアを設定したが、監視エリア
の数はこれに限ったものではない。

【００５９】［比較例２］比較例２では、実施の形態３
の構成において、ヒータ３を駆動させてガラス基板３１
を２５０℃になるように加熱制御する際、監視エリア５
１を監視位置に位置させたまま、モニタケース６１を回
転させることなく成膜を行った。その他の作動は実施の
形態３と同様である。

【００６０】図１２は加熱開始からのガラス基板３１お
よび監視エリアの温度変化を示す。ガラス基板３１の温
度は加熱開始後２０分で安定するが、監視エリア５１、
５３、５５の温度は、さらに４０分経過した後（加熱開
始後６０分）でも安定せず、１９７℃〜２３４℃でばら
ついている。このような状況で成膜を行っても、モニタ
基板を交換すると正確な膜厚監視ができないため、ガラ
ス基板に成膜された膜厚の精度は低いものになる。

【００６１】［実施の形態４］実施の形態４の構成は実
施の形態２と同様であり、詳細な説明は省略する。この
実施の形態４では、実施の形態２において、ヒータ３を
駆動させてガラス基板３１を２５０℃になるように加熱
制御する際に、モニタケース６１を３ｒｐｍで定速回転
させる代わりに、間欠回転させている。具体的には、モ
ータ６２を駆動してモニタケース６１を監視エリア５箇
所分回転させた後、その位置で２０秒保持し、また監視
エリア５箇所分回転させる作動を繰り返す。

【００６２】図１３は、この実施の形態における加熱開
始からのガラス基板３１および監視エリアの温度変化を
示し、ガラス基板３１の温度は加熱開始後２０分で安定
し、監視エリア５１、５３、５５の温度は、さらに１５
分経過後（加熱開始後３５分）、いずれも２４０℃±
１．５℃で安定している。

【００６３】この実施の形態４よれば、実施の形態３と
同様の効果を奏するとともに、実施の形態３に比べ短時
間でモニタ基板の温度が均一且つ安定化するため、加熱
開始から成膜作業開始までの時間を節約することが可能
となる。

【００６４】

【発明の効果】本発明によれば、複数のモニタ基板を連
続的または間欠的に公転させることにより、モニタ基板
の温度を均一にすることが可能になるため、高精度な膜
厚の監視および制御が可能となる。また、本発明によれ
ば、単一のモニタ基板を連続的または間欠的に自転させ
ることにより、モニタ基板の温度を均一にすることが可
能となるため、高精度な膜厚の監視および制御が可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いる真空蒸着装置の正面からの断面
図である。

【図２】図１の装置に用いる保持プレートの平面図であ
る。

【図３】図１の装置に用いるモニタケースの断面図であ
る。

【図４】保持プレートが上昇した状態を示す図１に対応
した断面図である。

【図５】本発明に用いる別の真空蒸着装置の正面からの
断面図である。

【図６】図５の装置に用いるモニタケースの断面図であ
る。

【図７】図５の装置に用いるモニタケースの平面図であ
る。

【図８】実施の形態１の温度上昇を示す特性図である。

【図９】比較例１の温度上昇を示す特性図である。

【図１０】実施の形態２の温度上昇を示す特性図であ
る。

【図１１】実施の形態３の温度上昇を示す特性図であ
る。

【図１２】比較例２の温度上昇を示す特性図である。

【図１３】実施の形態４の温度上昇を示す特性図であ
る。

【符号の説明】

２モニタケース３ヒータ１３１４成膜材料２１モニタ基板３１ガラス基板（被成膜基板）３３保持プレート４４フォトセンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者渡邊正東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内 (72)発明者和田順雄東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内 (72)発明者鵜澤邦彦東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内 (72)発明者出口武司東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内Ｆターム(参考） 2F065 AA30 BB23 CC21 NN20 PP13 4K029 AA09 BC07 BD00 CA01 DA08 DB14 DB21 EA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に形成される光学薄膜の光学的膜厚
を監視する光学式膜厚監視方法において、光学薄膜を被
成膜基板に成膜する以前に、加熱手段により前記被成膜
基板を加熱するとともに、光学的膜厚を監視するための
複数のモニタ基板を特定の軸の回りに連続的または間欠
的に公転させることを特徴とする光学式膜厚監視方法。
【請求項２】基板に形成される光学薄膜の光学的膜厚
を監視する光学式膜厚監視方法において、光学薄膜を被
成膜基板に成膜する以前に、加熱手投により前記被成膜
基板を加熱するとともに、光学的膜厚を監視するための
単一のモニタ基板を連続的または間欠的に自転させるこ
とを特徴とする光学式膜厚監視方法。
【請求項３】基板に形成される光学薄膜の光学的膜厚
を監視する光学式膜厚監視装置において、光学薄膜の光
学的膜厚を監視するためのモニタ基板と、被成膜基板を
加熱する加熱手段と、前記モニタ基板を連続的または間
欠的に公転または自転させる回転手段とを具備してお
り、光学薄膜を前記被成膜基板に成膜する以前に、前記
加熱手段とともに前記回転手段を作動させることを特徴
とする光学式膜厚監視装置。