JP2005320568A - 薄膜形成装置及び膜厚監視方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 高精度な膜厚監視を実現することで、高精度な光学膜厚を有する光学素子を作製可能な薄膜形成装置及び膜厚監視方法を提供すること。
【解決手段】 薄膜形成装置１は、ガラス基板（製品基板）２及び複数のモニタ基板（膜厚監視用基板）（φ２２×１ｔ、Ｓ−ＢＳＬ７（株式会社オハラ製））に薄膜を形成する成膜装置１５と、薄膜形成中にモニタ基板を回転する回転ギア（回転機構）１６と、各モニタ基板に形成される薄膜を介して、ガラス基板２に形成される薄膜の膜厚を監視する膜厚監視機構１７とを備えている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、薄膜形成装置及び膜厚監視方法に関する。

カメラ、顕微鏡等の光学機器に用いられる光学素子には、目的に応じて反射防止膜や干渉フィルタのような光学薄膜が設けられている。これらの光学薄膜は１層のみからなるものもあれば、２００層を超えるものまで様々であるが、所望の光学特性を得るためには、各層の膜厚を正確に制御することが重要である。こうした薄膜の作製には真空蒸着法やスパッタリング法が用いられるが、上述したように膜厚を制御するために光学膜厚監視計にて膜厚を監視するのが一般的である。

薄膜の膜厚は公知のように光干渉を利用して計測可能で、膜厚の増加にともない光強度はｓｉｎ^２θのカーブを描く。このｓｉｎ^２θのカーブの１／２波長分が、光学薄膜の光学膜厚１／４λ（λは監視光の波長）に相当する。したがって、光学膜厚監視計の膜厚測定原理は、目的の光学膜厚ｎｄに対する光量変化を予めシミュレーションにより計算し、膜厚監視用基板に一定の面積を有する測定光を当てて、薄膜の光干渉により反射又は透過される光を光学膜厚監視計の受光部で取り込み、目的の光量を検知した時点で成膜を止めて膜厚を制御するものである。ここで、ｎは薄膜の屈折率、ｄは薄膜の物理膜厚であり、光学膜厚ｎｄはこれらの積で表される。薄膜の屈折率ｎは成膜材料の種類である程度決定されるが、成膜温度、成膜速度、導入ガスなどの成膜条件によって薄膜の屈折率ｎは変化する。

真空蒸着法で薄膜を作製する際に使用する真空蒸着装置は、真空チャンバの下部に成膜材料の蒸発源を一つ以上有し、これらの蒸発源から発した成膜材料が製品基板及び膜厚監視用基板に到達して成膜が行われる。この膜厚監視用基板は真空チャンバの上部中央に位置し、成膜材料の蒸発源は膜厚監視用基板の鉛直下方から前後若しくは左右にずれて配置されているのが一般的である。

この膜厚監視用基板を監視する装置として、成膜される領域に回転可能なホルダに設けられた複数の膜厚監視用基板のうちの１枚を配置して、真空蒸着法により薄膜を形成し、薄膜が形成された膜厚監視用基板を透過する光量の変化を測定することによって、製品基板に形成される薄膜の膜厚を監視する装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

この装置では、膜厚とともに成膜速度を同時に監視するため、製品基板に薄膜を１層形成する毎にホルダを回転させて、成膜される領域に別の膜厚監視用基板を配置するようにしている。
薄膜の高精度化が進み、数十から２００層を越える薄膜を製品基板上に形成するために膜厚監視用基板にて膜厚監視を行う際には、上述した複数の膜厚監視用基板のうち、１枚の膜厚監視用基板で数層分の膜厚を監視している。
特公平６−８９４５０号公報（第１図、第３図）

しかしながら、上記従来の膜厚監視方法においては、例えば、膜厚監視用基板の鉛直下方からずれた左方の蒸発源から発した成膜材料が膜厚監視用基板に到達する場合、膜厚監視用基板の膜厚は、蒸発源に近い左側が厚くなる。また、膜厚監視用基板の鉛直下方からずれた右方の蒸発源から発する場合は、この逆の現象となる。このような状態で薄膜を形成した場合、膜厚監視用基板に成膜された多層膜は、ホルダに設けられた開口部の範囲で薄膜の膜厚分布が発生する。

ここで、膜厚分布の「膜厚」は光学膜厚を規定するｎｄのｄ（物理膜厚）に相当し、ｄの分布が膜厚監視用基板上で反射率分布又は透過率分布を与え、膜厚分布がある場合とない場合とで膜厚監視用基板上の各点での反射光量又は透過光量の総和に相違が生じる。したがって、膜厚監視用基板に光学膜厚分布が発生すると、目的の膜厚に相当する監視計受光部の光量を正確に把握できず、膜厚監視の精度を下げてしまう。

また、成膜中に製品基板や膜厚監視用基板に温度分布が生じた場合、膜厚監視用基板に到達した成膜材料の膜形成に影響を与えて膜厚監視用基板上で屈折率分布が発生する。この屈折率分布は、光学膜厚を規定するｎｄのｎ（屈折率）に相当し、ｎの分布が膜厚監視用基板上で反射率分布又は透過率分布を与えてしまい、温度分布がある場合とない場合とで膜厚監視用基板上の各点での反射光量又は透過光量の総和に相違が生じる。したがって、膜厚監視用基板に光学膜厚分布が発生すると、上述と同様に膜厚監視の精度を下げてしまう。

さらに、膜厚監視用基板で光学膜厚分布が存在する場合、膜厚を測定するために膜厚監視用基板に照射する測定光の光束を広げると、膜厚分布や屈折率分布の影響による反射率又は透過率の分布を含んだ光量を測定することになる。したがって、膜厚制御の精度を上げる場合には、測定光の光束をある程度絞らなければならない。しかしながら、単位面積当たりの光強度が同じ場合は、測定光の光束を絞ると光学膜厚監視計の受光部で取り込める光量が下がり、膜厚測定の感度が下がる。
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、高精度な膜厚監視を実現することで、高精度な光学膜厚を有する光学素子を作製可能な薄膜形成装置及び膜厚監視方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用する。
本発明に係る薄膜形成装置は、膜厚監視用基板に形成される薄膜を介して、製品基板に形成される薄膜の膜厚を監視する膜厚監視機構を有する薄膜形成装置であって、薄膜形成中に前記膜厚監視用基板を回転する回転機構を備えていることを特徴とする。

また、本発明に係る膜厚監視方法は、膜厚監視用基板に薄膜を形成して製品基板に形成される薄膜の膜厚を監視する膜厚監視方法であって、薄膜形成中に前記膜厚監視用基板を回転させることを特徴とする。
この薄膜形成装置及び膜厚監視方法は、薄膜形成中に膜厚監視用基板を回転することによって、膜厚監視中の膜厚監視用基板上で膜厚分布をなくすことができ、物理膜厚ｄの分布をなくすことができる。

また、本発明に係る薄膜形成装置は、前記薄膜形成装置であって、前記製品基板及び前記膜厚監視用基板を加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする。
また、本発明に係る膜厚監視方法は、前記膜厚監視方法であって、前記膜厚監視用基板の回転を、前記製品基板及び前記膜厚監視用基板を加熱しながら行うことを特徴とする。

この薄膜形成装置及び膜厚監視方法は、薄膜形成中に膜厚監視用基板を回転しながら加熱することができ、膜厚監視中の膜厚監視用基板及び製品基板を均等に加熱して温度分布をなくすことができ、屈折率ｎの分布をなくすことができる。

本発明によれば、光学膜厚ｎｄで決まる反射率及び透過率分布をなくすことができ、目的の膜厚に対する正確な光量測定が可能となる。また、膜厚監視用基板の膜厚監視領域を広げても、膜厚分布や屈折率分布の影響を受けない反射率又は透過率の光量を測定することができ、光学膜厚監視計の受光部に取り込むことができる光量を増して高精度な膜厚監視を実現でき、高精度な光学薄膜を有する光学素子を得ることができる。

本発明に係る第１の実施形態について、図１から図４を参照して説明する。
本実施形態に係る薄膜形成装置１は、図１に示すように、ガラス基板（製品基板）２及び複数のモニタ基板（膜厚監視用基板）（φ２２×１ｔ、Ｓ−ＢＳＬ７（株式会社オハラ製））３〜１２に薄膜を形成する成膜装置１５と、薄膜形成中にモニタ基板３〜１２のうちの選択された一つを回転する回転ギア（回転機構）１６と、各モニタ基板３〜１２の選択された一つに形成される薄膜を介して、ガラス基板２に形成される薄膜の膜厚を監視する膜厚監視機構１７とを備えている。

成膜装置１５は、図示しない排気手段により内部を高真空にすることができる真空チャンバ１８を備えており、真空チャンバ１８内の上部にはドーム２０が配されている。ドーム２０の中心位置と肩位置には、それぞれ開口２０Ａ、２０Ｂが穿設されている。開口２０Ａには、ガラス基板２が配された基板ホルダ２１が挿入されている。ドーム２０の上部には、ガラス基板２を加熱するためのヒータ（加熱手段）２２が配されている。

真空チャンバ１８内の図１において右側下部には、成膜材料２３（ＳｉＯ_２、株式会社オプトロン製）と、成膜材料２３を加熱するための電子銃２５とが配されており、これらの上方にはシャッター２６が配されている。また、図１において左側下部には、成膜材料２７（ＴｉＯ_２、株式会社オハラ製）と、成膜材料２７を加熱するための電子銃２８とが配されており、これらの上方にはシャッター３０が配されている。

真空チャンバ１８の外側上部には回転モータ３１が配されており、回転モータ３１にはドーム回転軸３２の一端が接続されている。ドーム回転軸３２の他端には駆動ギア３３が接続され、ドーム２０の開口２０Ｂと同心位置に配されたリング状の回転ギア１６と係合されている。
回転ギア１６には、開口２０Ｂと同心位置に図示しない中心孔が設けられており、この回転ギア１６の下面には、成膜中に膜厚監視を行うモニタ基板３〜１２が個別に収容された後述するモニタケース３６の何れか一つを保持するための、後述する監視モニタ基板ホルダ４２が、前記中心孔の同軸上に配されている。

膜厚監視機構１７は、モニタ基板３〜１２を個別に収容するモニタケース３６と、複数のモニタケース３６を保持する保持プレート３８と、保持プレート３８を上下駆動させるとともに回転駆動させる駆動機構４０と、各モニタ基板３〜１２に成膜された膜厚を測定する膜厚監視計４１と、成膜中に膜厚監視を行うモニタ基板３〜１２を個別に収容するモニタケース３６の何れか一つを保持可能な監視モニタ基板ホルダ４２とを備えている。
モニタケース３６は、図２に示すように、一端にフランジ４３Ａが形成された筒状の外枠４３と、外枠４３内に嵌合された中枠４５とを備えており、各モニタ基板３〜１２は、それぞれのモニタケース３６の他端に中枠４５によって押付けられた状態で収容されている。

保持プレート３８は、図３に示すように、円板形状とされており、モニタ基板３〜１２がそれぞれ収容されたモニタケース３６をフランジ４３Ａで保持する複数の開口３８Ａが同心円上に等間隔に配されている。
駆動機構４０は、真空チャンバ１８の上方に固定されたモニタ用モータ４６と、モニタ用モータ４６の駆動軸４７に接続されたモータギア４８と、一端が保持プレート３８の中心に固定して設けられ、他端が真空チャンバ１８の上面を貫通して配され、モータギア４８と係合されるギア５０が他端側に配された回転軸５１とを備えている。
ギア５０の配設位置よりも他端側の回転軸５１には、モニタ基板３〜１２に対応したそれぞれの位置に孔が開口されたセンサプレート５２が接続されている。この孔はセンサ支持板５３に固定されたフォトセンサ５５が光学的に読取可能とされている。
回転軸５１の他端は、昇降装置５６に接続された昇降シリンダ５７と回転自在に接続されている。

膜厚監視計４１は、真空チャンバ１８の外部上面中央部に配設されており、直下に配されたモニタ基板に測定光を照射し、反射された反射光の光量変化から当該モニタ基板に成膜された薄膜の膜厚を光学的に測定する。
真空チャンバ１８内のドーム２０の上方には、保持プレート３８に対向して略同径の円板状の遮蔽板５８が配設されており、遮蔽板５８には開口２０Ｂに相当する位置に、モニタケース３６が通過可能な開口５８Ａが設けられている。

次に、本実施形態に係る薄膜形成装置１及び膜厚監視方法について説明する。
まず、成膜準備作業を行う。
すなわち、ガラス基板２を成膜面が成膜材料２３、２７に対向するように基板ホルダ２１に下向きに配する。そして、真空チャンバ１８を開放してドーム２０の開口２０Ａに基板ホルダ２１を挿入する。
続いて、モニタ基板３〜１２をそれぞれ配したモニタケース３６をモニタ基板が成膜材料２３、２７に対向するように保持プレート３８の開口３８Ａに挿入する。このとき、保持プレート３８は回転軸５１とともに昇降シリンダ５７によって持上げられて、図４に示す位置に上昇される。
そして、真空チャンバ１８を密閉し、図示しない排気手段により真空チャンバ１８内の排気を開始するとともに、ヒータ２２を駆動してガラス基板２を３００℃になるように加熱制御する。同時に、回転モータ３１を駆動してドーム２０を回転数１０ｒｐｍで定速回転させる。

その後、ドーム２０の回転を一度停止し、モニタ用モータ４６を駆動して保持プレート３８を回転させる。フォトセンサ５５が最初にモニタを行うモニタ基板３に対応するセンサプレート５２の孔を検知したときに、モニタ用モータ４６の駆動を中止して保持プレート３８の回転を停止する。このとき、モニタ基板３を収容したモニタケース３６が遮蔽板５８の開口５８Ａの直上位置に配される。

昇降シリンダ５７を駆動して保持プレート３８を下降させると、モニタ基板３を収容したモニタケース３６のみが遮蔽板５８の開口５８Ａ及び回転ギア１６の図示しない中心孔を通過する。この通過によってモニタ基板３が回転ギア１６に固定された監視モニタ基板ホルダ４２に保持され、ドーム２０の開口２０Ｂ上の成膜位置に配される。一方、モニタ基板４〜１２を収容した他のモニタケース３６は遮蔽板５８上に留まる。

次に、成膜作業を行う。
回転モータ３１を再び駆動してドーム２０を回転数２０ｒｐｍで定速回転させる。このとき、回転ギア１６に固定された監視モニタ基板ホルダ４２がドーム２０と同じ回転数２０ｒｐｍで回転する。そして、電子銃２８の電流値を上昇して成膜材料２７を加熱し、シャッター３０を開放してガラス基板２及びモニタ基板３に対して成膜材料２７の成膜を行う。
同時に、膜厚監視計４１からモニタ基板３に測定光を照射して、モニタ基板３上の膜厚を測定し、所定の膜厚に達したときにシャッター３０を閉じて電子銃２８の電流値を下げる。

次の層でモニタ基板３をモニタ基板４に交換する場合は、保持プレート３８を上昇してモニタ基板３〜１２を収容した全てのモニタケース３６を持上げ、上述と同様にモニタ用モータ４６を駆動して回転軸５１を介して保持プレート３８を回転し、モニタ基板４が開口２０Ｂの直上に位置したところで保持プレート３８の回転を停止する。そして、再び保持プレート３８を下降してモニタ基板４を収容するモニタケース３６のみを、遮蔽板５８の開口５８Ａ及び回転ギア１６の図示しない中心孔を通過させ、回転ギア１６に固定された監視モニタ基板ホルダ４２に保持させる。

モニタ基板３からモニタ基板４への交換が終了した際、再び、ドーム２０を上述のように回転して、今度は電子銃２５の電流値を上昇して成膜材料２３を加熱し、シャッター２６を開放してガラス基板２及びモニタ基板４に成膜材料２３の成膜を行う。
そして、膜厚監視計４１によってモニタ基板４の膜厚測定を行い、所定の膜厚に達したときにシャッター２６を閉じるとともに電子銃２５の電流値を下げる。
こうして、モニタ基板３〜１２を交換しながら成膜材料２３、２７を交互に蒸発させて、ガラス基板２及びモニタ基板３〜１２に成膜を行い、目標とする多層膜を形成する。
なお、１枚のモニタ基板に積層する薄膜は１層に限らず、１枚に数層分を積層して膜厚監視を行ってもよい。

この薄膜形成装置１及び膜厚監視方法によれば、監視モニタ基板ホルダ４２に収容されたモニタ基板が、成膜中に回転ギア１６の回転にともなって回転するので、監視モニタ基板ホルダ４２の鉛直下方から左右にずれた位置に配された成膜材料２３、２７からの左右交互の成膜に対して、モニタ基板の成膜面内での膜厚分布を削減できる。また、ヒータ２２によって回転するドーム２０を加熱するので、モニタ基板上の温度分布を削減できる。

したがって、成膜されたモニタ基板３〜１２の開口部分の全てを膜厚監視に使用することができ、モニタ基板に照射する測定光の光束を広げることができる。この結果、膜厚監視計４１の受光面積を広げることができ、単位面積当たりの光強度を従来と同じにしてもより広い面積でより多くの測定光を受光することができ、膜厚監視計４１の感度を向上させて膜厚測定の精度を向上することができる。

次に、第２の実施形態について図５及び図６を参照しながら説明する。
なお、上述した第１の実施形態と同様の構成要素には同一符号を付すとともに説明を省略する。
第２の実施形態と第１の実施形態との異なる点は、本実施形態に係る薄膜形成装置６０の膜厚監視機構６１が、使用前の複数のモニタ基板６２を真空チャンバ１８内で保持する円筒状に立設された使用前モニタ基板ホルダ６３と、回転ギア１６の上部の膜厚監視位置でモニタ基板６２を保持する監視モニタ基板ホルダ６４と、使用後の複数のモニタ基板６２を真空チャンバ１８内で保持する円筒状に立設された使用後モニタ基板ホルダ６５と、各基板モニタホルダ６３、６４、６５間でモニタ基板６２を入れ替える基板輸送機構６６とを備えているとした点である。

基板輸送機構６６は、回転ギア１６上で回転する円板状の回転子６７と、一端が回転子６７の中心に接続され、ドーム回転軸３２と平行に立設された軸６８と、軸６８の他端に軸６８と回転自在に接続されて一端側の回転子６７を軸６８に沿って上下方向に昇降させる昇降シリンダ５７と、図示しないモータと、このモータの回転運動を軸６８に伝達して回転子６７を回転させるギア７０とを備えている。

回転子６７には、モニタ基板６２を着脱自在に引掛けて保持可能な掛かり部が設けられた三つの孔６７Ａが設けられている（図６）。
基板輸送機構６６は、昇降シリンダ５７とモータの駆動によって回転子６７を上下運動及び回転運動させることによって、使用前のモニタ基板６２を使用前モニタ基板ホルダ６３から取り出し、監視モニタ基板ホルダ６４に保持させ、使用後モニタ基板ホルダ６５に収容する動作を行う。

次に、本実施形態に係る膜厚形成装置６０及び膜厚監視方法について説明する。
まず、第１の実施形態と同様に、成膜準備作業を行う。
すなわち、ガラス基板２を基板ホルダ２１に下向きに配し、真空チャンバ１８を開放してドーム２０の開口２０Ａに基板ホルダ２１を挿入する。
続いて、モニタ基板６２が収容された使用前モニタ基板ホルダ６３と使用後モニタ基板ホルダ６５とを、それぞれ真空チャンバ１８内に挿入して取り付ける。

真空チャンバ１８を密閉し、第１の実施形態と同様に真空チャンバ１８内を排気するとともに、ヒータ２２を駆動してガラス基板２を加熱し、ドーム２０を定速回転させる。
そして、成膜作業を行う。このとき、使用前モニタ基板ホルダ６３及び使用後モニタ基板ホルダ６５によって未使用のモニタ基板と使用済みのモニタ基板を、回転子６７の回転に伴って監視モニタ基板ホルダ６４との間で順次１枚ずつ送り出したり戻したりして第１の実施形態と同様に膜厚監視を行う。
この膜厚形成装置６０及び膜厚監視方法によれば、第１の実施形態と同様の作用・効果を得ることができ、膜厚監視計としての感度を向上することができる。

なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、薄膜形成を真空蒸着法によって行っているが、イオンプレーティング法、イオンアシスト法、スパッタリング法等であっても構わない。また、膜厚監視計４１は反射式膜厚監視計に限らず、透過式膜厚監視計であっても構わない。さらに、成膜材料は、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２に限らず、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｙ_２Ｏ_３、Ｐｒ_６Ｏ_１１、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｌａ_２Ｏ_３、チタン酸ランタン、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｅＦ_３、ＬａＦ_３、ＭｇＯ、ＭｇＦ_２の何れか、又は、これらの混合物であっても構わない。

第１の実施形態に係る膜厚形成装置１及び膜厚監視方法による成膜実施例を説明する。
成膜材料２７にて１層分の成膜を行って回転を止めた後のモニタ基板３の膜厚分布を図７に示す。モニタ基板３の回転軸に対し、モニタ基板３を止めた位置における成膜材料２３側と成膜材料２７側とで膜厚分布に差がないことがわかった。
また、図８に示すように、モニタ基板３の成膜面内でモニタ基板３の回転中心Ｏを通り、成膜材料２３側をＸの増加方向、成膜材料２７側をＸの減少方向になるＸ軸を設定し、Ｘ＝−９ｍｍから９ｍｍまで３ｍｍ刻みでＸ軸上に７つの反射率測定点（監視波長＝５００ｎｍ）を設定する。Ｘ＝０での膜厚を８０ｎｍとすると、図９に示すように、全ての測定点で膜厚が８０ｎｍであった。また、Ｘ＝０での温度を３００℃とすると、図１０に示すように、全ての測定点で温度が３００℃であった。この場合、各測定点での反射率は、何れも表１に示すように、２３．３５％であった。

（比較例）
膜厚監視中のモニタ基板を回転させる機構がない場合の成膜例を比較例とした。
成膜材料２７にて上記実施例１と同じ条件で１層分の成膜を行った後のモニタ基板の膜厚分布を図１１に示す。
一般に、真空蒸着法で成膜した薄膜の膜厚は、成膜材料の蒸発源から近いほど膜厚が厚くなる。したがって、図１１に示すように、モニタ基板の成膜材料２７に近いところにおいて膜厚が最も厚くなり、成膜材料２７に遠いところにおいて膜厚が最も薄くなっていた。成膜材料２３からの成膜についても同様で、この場合は、成膜材料２７からの膜厚分布と逆になる。

図８に示す状態において、実施例１と同様に反射率測定点（監視波長＝５００ｎｍ）を設定する。図１２に示すように、Ｘ＝０における膜厚を８０ｎｍとしたとき、Ｘが３ｍｍ増加するにつれて膜厚Ｙが１ｎｍ減少する場合、各測定点における反射率は、表１に示すように、２１．２２％から２５．３５％と変化する。全測定点での反射率の和は、実施例１では１６３．５％であるが、本比較例では１６３．３％となって０．２％の差があった。

同様に、Ｘ＝０における温度を３００℃とした場合、図１３に示すように、Ｘが３ｍｍ増加するにつれて温度Ｚが２℃減少するとともに、屈折率ｎが０．０１減少し、Ｘが３ｍｍ減少するにつれて温度Ｚが２℃増加するとともに、屈折率ｎが０．０１増加し、各測定点における反射率は、表２に示すように、２３．３１％から２３．３８％と変化した。そして、全測定点における反射率の和は、実施例１の場合の１６３．５％に対し、１６３．６％となって、０．１％の違いが生じた。
何れの場合も、この差が高精度な膜厚監視に影響を与える。

本発明の第１の実施形態に係る薄膜形成装置を示す正面断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る薄膜形成装置のモニタケースを示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る薄膜形成装置の保持プレートを示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る薄膜形成装置の作動状態を示す正面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る薄膜形成装置を示す正面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る薄膜形成装置の回転ギアを示す下部正面図である。 本発明の第１の実施形態に係るモニタ基板上の膜厚分布を示すグラフである。 本発明の実施例におけるモニタ基板上の反射率測定点及び温度計測点を示す図である。 本発明の実施例におけるモニタ基板上の膜厚分布を示すグラフである。 本発明の実施例におけるモニタ基板上の温度分布を示すグラフである。 本発明の比較例におけるモニタ基板上の膜厚分布を示すグラフである。 本発明の比較例におけるモニタ基板上の膜厚分布を示すグラフである。 本発明の比較例におけるモニタ基板上の温度分布を示すグラフである。

符号の説明

１ 薄膜形成装置
２ ガラス基板（製品基板）
３〜１２ モニタ基板（膜厚監視用基板）
１６ 回転ギア（回転機構）
１７ 膜厚監視機構
２２ ヒータ（加熱手段）

Claims (4)

1. 膜厚監視用基板に形成される薄膜を介して、製品基板に形成される薄膜の膜厚を監視する膜厚監視機構を有する薄膜形成装置であって、
   薄膜形成中に前記膜厚監視用基板を回転する回転機構を備えていることを特徴とする薄膜形成装置。
2. 前記製品基板及び前記膜厚監視用基板を加熱する加熱手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
3. 膜厚監視用基板に薄膜を形成して製品基板に形成される薄膜の膜厚を監視する膜厚監視方法であって、
   薄膜形成中に前記膜厚監視用基板を回転させることを特徴とする膜厚監視方法。
4. 前記膜厚監視用基板の回転を、前記製品基板及び前記膜厚監視用基板を加熱しながら行うことを特徴とする請求項３に記載の膜厚監視方法。
   
   
   

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