JP2003247006A - 超硬質膜被覆部材及びその製造方法 - Google Patents
超硬質膜被覆部材及びその製造方法Info
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- JP2003247006A JP2003247006A JP2002043714A JP2002043714A JP2003247006A JP 2003247006 A JP2003247006 A JP 2003247006A JP 2002043714 A JP2002043714 A JP 2002043714A JP 2002043714 A JP2002043714 A JP 2002043714A JP 2003247006 A JP2003247006 A JP 2003247006A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基材に対して超硬質膜を強く安定して密着さ
せることができる超硬質膜被覆部材及びその製造方法を
提供する。 【解決手段】 平均粒径５μｍ以上２０μｍ以下のＷＣ
と結合相としてのＣｏとからなる超硬合金の基材表面に
ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素よりなる超硬質
膜が被覆され、前記基材表面に存在するＷＣ粒子の表面
には多数の凹凸が形成されてなる超硬質膜被覆部材とす
る。また、その製造方法として、平均粒径５μｍ以上２
０μｍ以下のＷＣと結合相としてのＣｏとからなる超硬
合金の基材を、壁材料に酸化アルミを主成分とした炉を
用いて９５０℃以上１１５０℃以下の温度の真空雰囲気
内で熱処理を行った後、前記熱処理を行った面に気相合
成法によりダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素より
なる超硬質膜を形成する。
せることができる超硬質膜被覆部材及びその製造方法を
提供する。 【解決手段】 平均粒径５μｍ以上２０μｍ以下のＷＣ
と結合相としてのＣｏとからなる超硬合金の基材表面に
ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素よりなる超硬質
膜が被覆され、前記基材表面に存在するＷＣ粒子の表面
には多数の凹凸が形成されてなる超硬質膜被覆部材とす
る。また、その製造方法として、平均粒径５μｍ以上２
０μｍ以下のＷＣと結合相としてのＣｏとからなる超硬
合金の基材を、壁材料に酸化アルミを主成分とした炉を
用いて９５０℃以上１１５０℃以下の温度の真空雰囲気
内で熱処理を行った後、前記熱処理を行った面に気相合
成法によりダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素より
なる超硬質膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、切削工具、耐摩耗
工具、金型、装飾部品等に用いられる超硬合金の基材表
面に形成された人工ダイヤモンドまたは人工ダイヤモン
ド状炭素からなる超硬質膜が基材と優れた密着性を有す
る被覆部材の製造方法に関する。
工具、金型、装飾部品等に用いられる超硬合金の基材表
面に形成された人工ダイヤモンドまたは人工ダイヤモン
ド状炭素からなる超硬質膜が基材と優れた密着性を有す
る被覆部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ダイヤモンドは硬さ、熱伝導
性、耐溶着性などの点で優れた性質を有しているので、
これらの優れた特徴を利用すべく、超硬合金やサ−メッ
トなどの基材の表面にダイヤモンドの被覆を行い、切削
工具や耐摩耗工具等に使用されている。これらの基材の
表面にダイヤモンドを形成させる方法としては、気相合
成法があるが、基材とダイヤモンドとの接着が十分でな
いために、使用中にダイヤモンドが剥がれるという問題
が起こる。
性、耐溶着性などの点で優れた性質を有しているので、
これらの優れた特徴を利用すべく、超硬合金やサ−メッ
トなどの基材の表面にダイヤモンドの被覆を行い、切削
工具や耐摩耗工具等に使用されている。これらの基材の
表面にダイヤモンドを形成させる方法としては、気相合
成法があるが、基材とダイヤモンドとの接着が十分でな
いために、使用中にダイヤモンドが剥がれるという問題
が起こる。
【０００３】例えば、超硬合金の基材にダイヤモンドを
形成する場合、超硬合金中に結合相としてＣｏなどの遷
移金属が含まれるため、ダイヤモンドが剥がれやすくな
る。これは、Ｃｏなどの遷移金属が超硬合金の界面にお
いてダイヤモンドではなく遊離炭素の生成を触媒作用に
より促進するためである。そのため、Ｃｏなどの影響を
低減する前処理を行わなければ、ダイヤモンドを形成さ
せることができたとしても、ダイヤモンドの密着性が満
足できるものは得られない。
形成する場合、超硬合金中に結合相としてＣｏなどの遷
移金属が含まれるため、ダイヤモンドが剥がれやすくな
る。これは、Ｃｏなどの遷移金属が超硬合金の界面にお
いてダイヤモンドではなく遊離炭素の生成を触媒作用に
より促進するためである。そのため、Ｃｏなどの影響を
低減する前処理を行わなければ、ダイヤモンドを形成さ
せることができたとしても、ダイヤモンドの密着性が満
足できるものは得られない。
【０００４】超硬合金にダイヤモンドの密着性を向上さ
せるための前処理技術としては、様々なものが提案され
ている。その一つは、超硬合金の基材を塩酸や硝酸など
でエッチングする方法である。これは、ダイヤモンドの
形成に悪影響を及ぼすＣｏを除去するという点では優れ
ている。しかし、エッチング量が少なければＣｏの除去
量が不足し、Ｃｏの影響を抑えることができないため密
着力は非常に弱くなってしまう。逆にエッチング量を多
くした場合、ダイヤモンドは基材に強固に密着するが、
基材とダイヤモンドの界面においてＣｏなどの結合相量
が０に近い相を形成してしまい、基材強度が低下して工
具寿命が非常に短くなるという問題が発生する。
せるための前処理技術としては、様々なものが提案され
ている。その一つは、超硬合金の基材を塩酸や硝酸など
でエッチングする方法である。これは、ダイヤモンドの
形成に悪影響を及ぼすＣｏを除去するという点では優れ
ている。しかし、エッチング量が少なければＣｏの除去
量が不足し、Ｃｏの影響を抑えることができないため密
着力は非常に弱くなってしまう。逆にエッチング量を多
くした場合、ダイヤモンドは基材に強固に密着するが、
基材とダイヤモンドの界面においてＣｏなどの結合相量
が０に近い相を形成してしまい、基材強度が低下して工
具寿命が非常に短くなるという問題が発生する。
【０００５】また、エッチングにより適切にＣｏを除去
しても密着力を向上させるには限界がある。超硬合金へ
ダイヤモンドの高い密着力を実現するためには２つの重
要な要素があり、第１に、前述のようにダイヤモンドの
形成を阻害するＣｏを何らかの形で適量除去すること、
第２に、超硬合金基材の表面を何らかの形で荒らすこと
である。この第２の要素はエッチングすることでは十分
に得られず、熱処理などを行う必要がある。熱処理を行
うと超硬合金表面に存在する硬質相であるＷＣを粒成長
させることができ、その結果ダイヤモンドが密着しやす
いよう密着面積の拡大、表面の粗面化という効果が得ら
れる。
しても密着力を向上させるには限界がある。超硬合金へ
ダイヤモンドの高い密着力を実現するためには２つの重
要な要素があり、第１に、前述のようにダイヤモンドの
形成を阻害するＣｏを何らかの形で適量除去すること、
第２に、超硬合金基材の表面を何らかの形で荒らすこと
である。この第２の要素はエッチングすることでは十分
に得られず、熱処理などを行う必要がある。熱処理を行
うと超硬合金表面に存在する硬質相であるＷＣを粒成長
させることができ、その結果ダイヤモンドが密着しやす
いよう密着面積の拡大、表面の粗面化という効果が得ら
れる。
【０００６】しかしながら、超硬合金の熱処理を行った
場合、結合相であるＣｏ中のＣの量が変化し、それによ
って異なった性質を呈する。一般の超硬合金は結合相が
健全領域にあり、これよりＣが少ないものは結合相中に
脱炭相（例えばＣｏ６Ｗ６Ｃ）を生じている。また、Ｃ
が多いものは結合相中に遊離炭素を生じている。これら
は、熱処理を行う際の処理雰囲気によりＣ量が変化し、
健全相領域から脱炭相領域になる（以下、これを脱炭処
理という）、または浸炭相領域になる（以下、これを浸
炭処理という）現象が現れる。熱処理を行い、上記３つ
の相のいずれかが存在していても超硬合金表面の硬質相
が粒成長し粗面化していれば、ダイヤモンドの密着力は
エッチング処理のみの場合に比べて向上する。
場合、結合相であるＣｏ中のＣの量が変化し、それによ
って異なった性質を呈する。一般の超硬合金は結合相が
健全領域にあり、これよりＣが少ないものは結合相中に
脱炭相（例えばＣｏ６Ｗ６Ｃ）を生じている。また、Ｃ
が多いものは結合相中に遊離炭素を生じている。これら
は、熱処理を行う際の処理雰囲気によりＣ量が変化し、
健全相領域から脱炭相領域になる（以下、これを脱炭処
理という）、または浸炭相領域になる（以下、これを浸
炭処理という）現象が現れる。熱処理を行い、上記３つ
の相のいずれかが存在していても超硬合金表面の硬質相
が粒成長し粗面化していれば、ダイヤモンドの密着力は
エッチング処理のみの場合に比べて向上する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】基材とダイヤモンドと
の密着力を向上させるための基材の表面処理に関するも
のとして、特開平１１−２１６６０２号公報に記載のも
のがある。これは、基材の熱処理を行ってＷＣ粒子を粗
大化させ、基材の脱Ｃｏ処理を行って、さらに熱処理に
より粗大化ＷＣ粒子の脱炭を行う。次に、電解エッチン
グにより粗大化ＷＣ粒子の表面部に凹凸面を形成するも
のであり、これらの処理後にダイヤモンド被覆層を形成
する。しかしながら、電解エッチングにより凹凸を形成
したとしても、その凹凸の状態や大きさによっては有効
に作用せず、ダイヤモンドの密着力が不十分となる問題
が発生していた。
の密着力を向上させるための基材の表面処理に関するも
のとして、特開平１１−２１６６０２号公報に記載のも
のがある。これは、基材の熱処理を行ってＷＣ粒子を粗
大化させ、基材の脱Ｃｏ処理を行って、さらに熱処理に
より粗大化ＷＣ粒子の脱炭を行う。次に、電解エッチン
グにより粗大化ＷＣ粒子の表面部に凹凸面を形成するも
のであり、これらの処理後にダイヤモンド被覆層を形成
する。しかしながら、電解エッチングにより凹凸を形成
したとしても、その凹凸の状態や大きさによっては有効
に作用せず、ダイヤモンドの密着力が不十分となる問題
が発生していた。
【０００８】以上のようなことから、本発明は、超硬合
金の基材に対してダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭
素からなる超硬質膜を安定して密着させることができ、
基材との密着力を向上させることができる超硬質膜被覆
部材及びその製造方法を提供するものである。
金の基材に対してダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭
素からなる超硬質膜を安定して密着させることができ、
基材との密着力を向上させることができる超硬質膜被覆
部材及びその製造方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上述の観点
から超硬質膜被覆層の超硬合金表面に対する密着性向上
を図るべく研究を行ったその結果、基材である超硬合金
のうちＷＣの平均粒径を５μｍ以上２０μｍ以下とした
上で、これらを壁材料に酸化アルミを主成分とした炉を
用いて９５０℃以上１１５０℃以下の温度の真空雰囲気
で熱処理することによりＷＣ粒子表面が極端に荒れるこ
とを見いだした。これに基づき、超硬質膜が優れた密着
力を有する被覆部材及びその製造方法を得るに至ったも
のである。
から超硬質膜被覆層の超硬合金表面に対する密着性向上
を図るべく研究を行ったその結果、基材である超硬合金
のうちＷＣの平均粒径を５μｍ以上２０μｍ以下とした
上で、これらを壁材料に酸化アルミを主成分とした炉を
用いて９５０℃以上１１５０℃以下の温度の真空雰囲気
で熱処理することによりＷＣ粒子表面が極端に荒れるこ
とを見いだした。これに基づき、超硬質膜が優れた密着
力を有する被覆部材及びその製造方法を得るに至ったも
のである。
【００１０】本発明の超硬質膜被覆部材の第１の特徴
は、平均粒径５μｍ以上２０μｍ以下のＷＣと結合相と
してのＣｏとからなる超硬合金の基材表面にダイヤモン
ドまたはダイヤモンド状炭素よりなる超硬質膜が被覆さ
れ、前記基材表面に存在するＷＣ粒子の表面には多数の
凹凸が形成されてなることである。基材表面のＷＣ粒子
表面に多数の凹部が形成されているので凹部にも被覆層
が形成され、基材と被覆層との密着力が向上する。ここ
で基材のＷＣ粒の平均粒径を５μｍ以上としたのは、こ
れより小さいと基材表面のＷＣ粒子に凹凸を形成しにく
くなるためであり、２０μｍ以下としたのは、これより
大きいと本発明部材に切れ刃などを加工しにくくなるた
めである。
は、平均粒径５μｍ以上２０μｍ以下のＷＣと結合相と
してのＣｏとからなる超硬合金の基材表面にダイヤモン
ドまたはダイヤモンド状炭素よりなる超硬質膜が被覆さ
れ、前記基材表面に存在するＷＣ粒子の表面には多数の
凹凸が形成されてなることである。基材表面のＷＣ粒子
表面に多数の凹部が形成されているので凹部にも被覆層
が形成され、基材と被覆層との密着力が向上する。ここ
で基材のＷＣ粒の平均粒径を５μｍ以上としたのは、こ
れより小さいと基材表面のＷＣ粒子に凹凸を形成しにく
くなるためであり、２０μｍ以下としたのは、これより
大きいと本発明部材に切れ刃などを加工しにくくなるた
めである。
【００１１】本発明の被覆部材の第２の特徴は、前記多
数の凹凸は針状または柱状としたことである。ＷＣ粒子
の表面から内部にかけて亀裂を形成させて針状または柱
状の凹凸とすることで、超硬質膜との密着性が向上す
る。
数の凹凸は針状または柱状としたことである。ＷＣ粒子
の表面から内部にかけて亀裂を形成させて針状または柱
状の凹凸とすることで、超硬質膜との密着性が向上す
る。
【００１２】本発明の被覆部材の第３の特徴は、前記多
数の凹凸を形成する層の厚みを１μｍ以上２０μｍ以下
としたことである。１μｍ以上としたのは、これより薄
いと被覆層の密着力が向上しにくくなるためであり、２
０μｍ以下としたのはこれより厚いと基材強度の低下が
著しくなり、被覆層を有効に保持しなくなるためであ
る。
数の凹凸を形成する層の厚みを１μｍ以上２０μｍ以下
としたことである。１μｍ以上としたのは、これより薄
いと被覆層の密着力が向上しにくくなるためであり、２
０μｍ以下としたのはこれより厚いと基材強度の低下が
著しくなり、被覆層を有効に保持しなくなるためであ
る。
【００１３】本発明の被覆部材の第４の特徴は、前記超
硬質膜の膜厚を、１〜２０μｍとしたことである。
硬質膜の膜厚を、１〜２０μｍとしたことである。
【００１４】また、本発明のダイヤモンドまたはダイヤ
モンド状炭素よりなる超硬質膜被覆部材の製造方法の第
１の特徴は、平均粒径５μｍ以上２０μｍ以下のＷＣと
結合相としてのＣｏとからなる超硬合金の基材を、壁材
料に酸化アルミを主成分とした炉を用いて９５０℃以上
１１５０℃以下の温度の真空雰囲気内で熱処理を行った
後、前記熱処理を行った面に気相合成法によりダイヤモ
ンドまたはダイヤモンド状炭素よりなる超硬質膜を形成
することである。
モンド状炭素よりなる超硬質膜被覆部材の製造方法の第
１の特徴は、平均粒径５μｍ以上２０μｍ以下のＷＣと
結合相としてのＣｏとからなる超硬合金の基材を、壁材
料に酸化アルミを主成分とした炉を用いて９５０℃以上
１１５０℃以下の温度の真空雰囲気内で熱処理を行った
後、前記熱処理を行った面に気相合成法によりダイヤモ
ンドまたはダイヤモンド状炭素よりなる超硬質膜を形成
することである。
【００１５】通常、上記の様な雰囲気で熱処理を行う
と、超硬合金は健全相から脱炭反応を呈し粒成長を起こ
す。ところが、本発明の如くＷＣの粒径、温度条件及び
炉の壁材料を特定することにより、通常とは比べものに
はならないほど超硬合金の表面を荒らすことができる。
すなわち、前述の熱処理を行うことにより基材表面のＷ
Ｃ粒子には多数の亀裂が発生し、この状態で粒成長が起
こって針状または柱状の層が形成される。このメカニズ
ムは明確ではないが、次の様に推察される。
と、超硬合金は健全相から脱炭反応を呈し粒成長を起こ
す。ところが、本発明の如くＷＣの粒径、温度条件及び
炉の壁材料を特定することにより、通常とは比べものに
はならないほど超硬合金の表面を荒らすことができる。
すなわち、前述の熱処理を行うことにより基材表面のＷ
Ｃ粒子には多数の亀裂が発生し、この状態で粒成長が起
こって針状または柱状の層が形成される。このメカニズ
ムは明確ではないが、次の様に推察される。
【００１６】壁面に酸化アルミを主成分とした材料を用
いた炉で９５０℃から１１５０℃の温度の真空雰囲気で
熱処理すると、非常に激しい脱炭が起こる。また、一般
的に超硬合金中のＷＣの粒径は、Ｃｏ中に溶けているＣ
量が多いほど大きいが、ＷＣの粒径が大きい超硬合金を
前述の条件で熱処理すると、基材から急激にＣを奪って
いくため大規模で特異な粒成長が起こる。通常の熱処理
による粒成長の場合は、ＷＣはその初期の大きさをある
程度維持した状態で成長するが、本発明の場合、５μｍ
以上の大きなＷＣ粒子に多数の亀裂が発生して凹凸が形
成され、その凸部がそれぞれ独立して成長し、針状また
は柱状になると考えられる。つまり基材の内部と表面で
は全く違った組織に変えることができる。この傾向は、
超硬中のＷＣが大きく熱処理温度が高いほど強くなる。
いた炉で９５０℃から１１５０℃の温度の真空雰囲気で
熱処理すると、非常に激しい脱炭が起こる。また、一般
的に超硬合金中のＷＣの粒径は、Ｃｏ中に溶けているＣ
量が多いほど大きいが、ＷＣの粒径が大きい超硬合金を
前述の条件で熱処理すると、基材から急激にＣを奪って
いくため大規模で特異な粒成長が起こる。通常の熱処理
による粒成長の場合は、ＷＣはその初期の大きさをある
程度維持した状態で成長するが、本発明の場合、５μｍ
以上の大きなＷＣ粒子に多数の亀裂が発生して凹凸が形
成され、その凸部がそれぞれ独立して成長し、針状また
は柱状になると考えられる。つまり基材の内部と表面で
は全く違った組織に変えることができる。この傾向は、
超硬中のＷＣが大きく熱処理温度が高いほど強くなる。
【００１７】一般的には、脱炭処理をした基材にダイヤ
モンドを被覆すると脱炭相が分解してＣｏを生じ、この
Ｃｏが影響して被覆する面に多量の煤が発生する。特に
工具など複雑形状のものに対してこの傾向が強く、その
結果、基材とダイヤモンドの界面が不安定になる。よっ
て、上記のように基材を脱炭させることは本来良くない
現象であるが、本発明の製造方法の場合は基材の表面が
針状または柱状結晶となるため非常に大きなアンカー効
果が得られ、これにより超硬質膜は安定した密着力を得
ることができる。なお、９５０℃以上とするのは急激な
脱炭を起こし基材表面のＷＣ粒子に亀裂を発生させるの
に必要な温度であり、１１５０℃以下としたのは、これ
より高いとＷＣの粒成長が著しくなって超硬合金の持つ
基材強度が損なわれ、切削工具、耐摩耗工具、金型や装
飾品等として使用できなくなるためである。使用する炉
は、壁面の材料が純酸化アルミや酸化アルミとＳｉＯ２
からなる材料のものを使用するのが好ましい。また、炉
内の真空度は１×１０−２Ｔｏｒｒ以下とするのが好ま
しい。これ以上であると、脱炭が激しすぎて基材の強度
が失われるためである。
モンドを被覆すると脱炭相が分解してＣｏを生じ、この
Ｃｏが影響して被覆する面に多量の煤が発生する。特に
工具など複雑形状のものに対してこの傾向が強く、その
結果、基材とダイヤモンドの界面が不安定になる。よっ
て、上記のように基材を脱炭させることは本来良くない
現象であるが、本発明の製造方法の場合は基材の表面が
針状または柱状結晶となるため非常に大きなアンカー効
果が得られ、これにより超硬質膜は安定した密着力を得
ることができる。なお、９５０℃以上とするのは急激な
脱炭を起こし基材表面のＷＣ粒子に亀裂を発生させるの
に必要な温度であり、１１５０℃以下としたのは、これ
より高いとＷＣの粒成長が著しくなって超硬合金の持つ
基材強度が損なわれ、切削工具、耐摩耗工具、金型や装
飾品等として使用できなくなるためである。使用する炉
は、壁面の材料が純酸化アルミや酸化アルミとＳｉＯ２
からなる材料のものを使用するのが好ましい。また、炉
内の真空度は１×１０−２Ｔｏｒｒ以下とするのが好ま
しい。これ以上であると、脱炭が激しすぎて基材の強度
が失われるためである。
【００１８】本発明の製造方法の第２の特徴は、前記熱
処理の後、前記基材を浸炭性雰囲気内で再浸炭を行い、
前記基材表面に気相合成法により超硬質膜を形成するこ
とである。こうすることにより、最初の熱処理で生じた
脱炭相が無くなり、超硬質膜の密着力がさらに向上す
る。浸炭方法としては基材を水素とメタンの混合ガス雰
囲気のＣＶＤ装置にて熱処理をすることにより得られ
る。但し、この場合基材表面にダイヤモンドが生成しや
すい状態にあり、ダイヤモンドを被覆する時に成長して
異常粗大粒の原因になってしまう可能性がある。よっ
て、真空炉に水素とメタンの混合ガスを入れた状態で熱
処理をするのが望ましい。
処理の後、前記基材を浸炭性雰囲気内で再浸炭を行い、
前記基材表面に気相合成法により超硬質膜を形成するこ
とである。こうすることにより、最初の熱処理で生じた
脱炭相が無くなり、超硬質膜の密着力がさらに向上す
る。浸炭方法としては基材を水素とメタンの混合ガス雰
囲気のＣＶＤ装置にて熱処理をすることにより得られ
る。但し、この場合基材表面にダイヤモンドが生成しや
すい状態にあり、ダイヤモンドを被覆する時に成長して
異常粗大粒の原因になってしまう可能性がある。よっ
て、真空炉に水素とメタンの混合ガスを入れた状態で熱
処理をするのが望ましい。
【００１９】本発明の製造方法の第３の特徴は、前記超
硬質膜を形成する前に前記基材を酸処理、イオンボンバ
ード、またはサンドブラストのいずれかを行うことであ
る。
硬質膜を形成する前に前記基材を酸処理、イオンボンバ
ード、またはサンドブラストのいずれかを行うことであ
る。
【００２０】上述のように壁材料に酸化アルミを主成分
とした炉による熱処理は、ＣＶＤ装置による熱処理とは
異なり、基材表面のＣｏの選択的エッチング効果が少な
いため、酸処理、イオンボンバード、サンドブラスト、
ＣＶＤ装置を用いて７００℃以上１０５０℃以下で再度
熱処理を行う等の処理を行い、基材表面のＣｏを除去し
た方が超硬質膜の被覆速度は速くなる。
とした炉による熱処理は、ＣＶＤ装置による熱処理とは
異なり、基材表面のＣｏの選択的エッチング効果が少な
いため、酸処理、イオンボンバード、サンドブラスト、
ＣＶＤ装置を用いて７００℃以上１０５０℃以下で再度
熱処理を行う等の処理を行い、基材表面のＣｏを除去し
た方が超硬質膜の被覆速度は速くなる。
【００２１】なお、本発明の基材である超硬合金はＷＣ
−Ｃｏ合金であり、ＴｉＣ、ＶＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、Ｃ
ｒ３Ｃ２等の炭化物は極力含まれない方が好ましい。そ
の理由はこれらの炭化物は非化学的量論物質であり脱炭
反応時にＣｏ中のＣ量を調整するため急激な脱炭が起こ
りにくくなり、本発明の意図とする基材表面の粗面化す
なわちＷＣ粒子表面に亀裂が入るのを阻害するためであ
る。
−Ｃｏ合金であり、ＴｉＣ、ＶＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、Ｃ
ｒ３Ｃ２等の炭化物は極力含まれない方が好ましい。そ
の理由はこれらの炭化物は非化学的量論物質であり脱炭
反応時にＣｏ中のＣ量を調整するため急激な脱炭が起こ
りにくくなり、本発明の意図とする基材表面の粗面化す
なわちＷＣ粒子表面に亀裂が入るのを阻害するためであ
る。
【００２２】本発明の超硬質膜を被覆する方法として
は、熱フィラメントＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法、ＲＦプラズマＣＶＤ法、ＥＡ−ＣＶＤ法、誘磁場
マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＲＦ熱プラズマＣＶＤ
法、ＤＣプラズマＣＶＤ法、ＤＣア−クＣＶＤ法、ＤＣ
プラズマジェットＣＶＤ法、燃焼法などがあるが、生産
性の点から熱フィラメントＣＶＤ法で行うのが好まし
い。
は、熱フィラメントＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法、ＲＦプラズマＣＶＤ法、ＥＡ−ＣＶＤ法、誘磁場
マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＲＦ熱プラズマＣＶＤ
法、ＤＣプラズマＣＶＤ法、ＤＣア−クＣＶＤ法、ＤＣ
プラズマジェットＣＶＤ法、燃焼法などがあるが、生産
性の点から熱フィラメントＣＶＤ法で行うのが好まし
い。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の超硬質膜被覆部材及びそ
の製造方法を実施例により具体的に説明する。
の製造方法を実施例により具体的に説明する。
【００２４】
【実施例】（実施例１）基材として平均粒径２０μｍの
ＷＣに５％Ｃｏの超硬合金製ＴＡチップ（ＳＰＧＮ０９
０３０８型）を準備し、壁材料に純酸化アルミを使用し
た炉内にセットした。炉内は１×１０−２Ｔｏｒｒの真
空雰囲気で、雰囲気温度を９５０℃で１０時間保持し
て、熱処理を行い基材表面のＷＣ粒子を成長させたとこ
ろ、表面のＷＣ粒子には多数の亀裂が発生して凹凸がで
き、針状及び柱状結晶になった。この基材を熱フィラメ
ントＣＶＤ装置にセットし、フィラメント温度を２０８
０℃、基材温度を７６０℃、雰囲気は１×１０−２Ｔｏ
ｒｒの真空雰囲気にして膜厚が２０μｍになるようダイ
ヤモンドを被覆し、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作
した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層
の厚みは２０μｍであった。
ＷＣに５％Ｃｏの超硬合金製ＴＡチップ（ＳＰＧＮ０９
０３０８型）を準備し、壁材料に純酸化アルミを使用し
た炉内にセットした。炉内は１×１０−２Ｔｏｒｒの真
空雰囲気で、雰囲気温度を９５０℃で１０時間保持し
て、熱処理を行い基材表面のＷＣ粒子を成長させたとこ
ろ、表面のＷＣ粒子には多数の亀裂が発生して凹凸がで
き、針状及び柱状結晶になった。この基材を熱フィラメ
ントＣＶＤ装置にセットし、フィラメント温度を２０８
０℃、基材温度を７６０℃、雰囲気は１×１０−２Ｔｏ
ｒｒの真空雰囲気にして膜厚が２０μｍになるようダイ
ヤモンドを被覆し、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作
した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層
の厚みは２０μｍであった。
【００２５】（実施例２）基材として平均粒径５μｍの
ＷＣに５％Ｃｏの超硬合金製ＴＡチップ（ＳＰＧＮ０９
０３０８型）を準備し、壁材料に純酸化アルミを使用し
た炉内にセットした。炉内は１×１０−２Ｔｏｒｒの真
空雰囲気で、雰囲気温度を９５０℃で１０時間保持し
て、熱処理を行い基材表面のＷＣ粒子を成長させたとこ
ろ、表面のＷＣ粒子には多数の亀裂が発生して凹凸がで
き、針状及び柱状結晶になった。この基材を熱フィラメ
ントＣＶＤ装置にセットし、フィラメント温度を２０８
０℃、基材温度を７６０℃、雰囲気は１×１０−２Ｔｏ
ｒｒの真空雰囲気にして膜厚が２０μｍになるようダイ
ヤモンドを被覆し、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作
した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層
の厚みは５μｍであった。
ＷＣに５％Ｃｏの超硬合金製ＴＡチップ（ＳＰＧＮ０９
０３０８型）を準備し、壁材料に純酸化アルミを使用し
た炉内にセットした。炉内は１×１０−２Ｔｏｒｒの真
空雰囲気で、雰囲気温度を９５０℃で１０時間保持し
て、熱処理を行い基材表面のＷＣ粒子を成長させたとこ
ろ、表面のＷＣ粒子には多数の亀裂が発生して凹凸がで
き、針状及び柱状結晶になった。この基材を熱フィラメ
ントＣＶＤ装置にセットし、フィラメント温度を２０８
０℃、基材温度を７６０℃、雰囲気は１×１０−２Ｔｏ
ｒｒの真空雰囲気にして膜厚が２０μｍになるようダイ
ヤモンドを被覆し、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作
した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層
の厚みは５μｍであった。
【００２６】（実施例３）実施例２の炉内の温度を１１
００℃にし、その他の条件は同じにしてダイヤモンド被
覆ＴＡチップを製作した。基材表面のＷＣ粒子全体に亀
裂が入り凹凸が発生した。表面に凹凸を形成している層
の厚みは１０μｍであった。
００℃にし、その他の条件は同じにしてダイヤモンド被
覆ＴＡチップを製作した。基材表面のＷＣ粒子全体に亀
裂が入り凹凸が発生した。表面に凹凸を形成している層
の厚みは１０μｍであった。
【００２７】（実施例４）実施例２の炉内の温度を１１
５０℃にし、その他の条件は同じにしてダイヤモンド被
覆ＴＡチップを製作した。基材表面のＷＣ粒子全体に亀
裂が入り凹凸が発生した。表面に凹凸を形成している層
の厚みは１２μｍであった。
５０℃にし、その他の条件は同じにしてダイヤモンド被
覆ＴＡチップを製作した。基材表面のＷＣ粒子全体に亀
裂が入り凹凸が発生した。表面に凹凸を形成している層
の厚みは１２μｍであった。
【００２８】（実施例５）実施例２の熱処理を行った
後、基材をカーボン壁の炉内にセットし水素封入の雰囲
気で、雰囲気温度を９５０℃で１時間保持して浸炭処理
を行った。この基材を熱フィラメントＣＶＤ装置にセッ
トし、フィラメント温度を２０８０℃、基材温度を７６
０℃にして膜厚が２０μｍになるようダイヤモンドを被
覆して、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作した。基材
表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の厚みは５
μｍであった。
後、基材をカーボン壁の炉内にセットし水素封入の雰囲
気で、雰囲気温度を９５０℃で１時間保持して浸炭処理
を行った。この基材を熱フィラメントＣＶＤ装置にセッ
トし、フィラメント温度を２０８０℃、基材温度を７６
０℃にして膜厚が２０μｍになるようダイヤモンドを被
覆して、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作した。基材
表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の厚みは５
μｍであった。
【００２９】（実施例６）実施例５の浸炭処理を行った
後、基材を酸に浸漬して表面のＣｏを減少させ、この基
材を熱フィラメントＣＶＤ装置にセットし、フィラメン
ト温度を２０８０℃、基材温度を７６０℃にして膜厚が
２０μｍになるようダイヤモンドを被覆して、ダイヤモ
ンド被覆ＴＡチップを製作した。基材表面のＷＣ粒子表
面に凹凸を形成している層の厚みは５μｍであった。
後、基材を酸に浸漬して表面のＣｏを減少させ、この基
材を熱フィラメントＣＶＤ装置にセットし、フィラメン
ト温度を２０８０℃、基材温度を７６０℃にして膜厚が
２０μｍになるようダイヤモンドを被覆して、ダイヤモ
ンド被覆ＴＡチップを製作した。基材表面のＷＣ粒子表
面に凹凸を形成している層の厚みは５μｍであった。
【００３０】（実施例７）実施例５の浸炭処理を行った
後、基材表面をＡｒイオンボンバードを行って表面のＣ
ｏを減少させ、この基材を熱フィラメントＣＶＤ装置に
セットし、フィラメント温度を２０８０℃、基材温度を
７６０℃にして膜厚が２０μｍになるようダイヤモンド
を被覆して、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作した。
基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の厚み
は５μｍであった。
後、基材表面をＡｒイオンボンバードを行って表面のＣ
ｏを減少させ、この基材を熱フィラメントＣＶＤ装置に
セットし、フィラメント温度を２０８０℃、基材温度を
７６０℃にして膜厚が２０μｍになるようダイヤモンド
を被覆して、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作した。
基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の厚み
は５μｍであった。
【００３１】（実施例８）実施例５の浸炭処理を行った
後、基材表面にサンドブラストを当てて表面のＣｏを減
少させ、この基材を熱フィラメントＣＶＤ装置にセット
し、フィラメント温度を２０８０℃、基材温度を７６０
℃にして膜厚が２０μｍになるようダイヤモンドを被覆
して、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作した。基材表
面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の厚みは３μ
ｍであった。
後、基材表面にサンドブラストを当てて表面のＣｏを減
少させ、この基材を熱フィラメントＣＶＤ装置にセット
し、フィラメント温度を２０８０℃、基材温度を７６０
℃にして膜厚が２０μｍになるようダイヤモンドを被覆
して、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作した。基材表
面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の厚みは３μ
ｍであった。
【００３２】（実施例９）基材として平均粒径５μｍの
ＷＣに５％Ｃｏの超硬合金製ＴＡチップ（ＳＰＧＮ０９
０３０８型）を準備し、壁材料に純酸化アルミを使用し
た炉内にセットした。炉内は１×１０−２Ｔｏｒｒの真
空雰囲気で、雰囲気温度を９５０℃で３時間保持して、
熱処理を行い基材表面のＷＣ粒子を成長させたところ、
表面のＷＣ粒子には多数の亀裂が発生して凹凸ができ、
針状及び柱状結晶になった。この基材を熱フィラメント
ＣＶＤ装置にセットし、フィラメント温度を２０８０
℃、基材温度を７６０℃、雰囲気は１×１０−２Ｔｏｒ
ｒの真空雰囲気にして膜厚が２０μｍになるようダイヤ
モンドを被覆し、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作し
た。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の
厚みは１μｍであった。
ＷＣに５％Ｃｏの超硬合金製ＴＡチップ（ＳＰＧＮ０９
０３０８型）を準備し、壁材料に純酸化アルミを使用し
た炉内にセットした。炉内は１×１０−２Ｔｏｒｒの真
空雰囲気で、雰囲気温度を９５０℃で３時間保持して、
熱処理を行い基材表面のＷＣ粒子を成長させたところ、
表面のＷＣ粒子には多数の亀裂が発生して凹凸ができ、
針状及び柱状結晶になった。この基材を熱フィラメント
ＣＶＤ装置にセットし、フィラメント温度を２０８０
℃、基材温度を７６０℃、雰囲気は１×１０−２Ｔｏｒ
ｒの真空雰囲気にして膜厚が２０μｍになるようダイヤ
モンドを被覆し、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作し
た。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の
厚みは１μｍであった。
【００３３】（比較例１）基材として平均粒径３μｍの
ＷＣに５％Ｃｏの超硬合金製ＴＡチップ（ＳＰＧＮ０９
０３０８型）を準備し、壁材料に純酸化アルミを使用し
た炉内にセットした。炉内は１×１０−２Ｔｏｒｒの真
空雰囲気で、雰囲気温度を９５０℃で１０時間保持し
て、熱処理を行い基材表面のＷＣ粒子を成長させたが、
表面のＷＣ粒子にはほとんど亀裂が発生せず、小さい凹
凸ができただけであった。この基材を熱フィラメントＣ
ＶＤ装置にセットし、フィラメント温度を２０８０℃、
基材温度を７６０℃、雰囲気は１×１０−２Ｔｏｒｒの
真空雰囲気にして膜厚が２０μｍになるようダイヤモン
ドを被覆し、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作した。
基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の厚み
は０．３μｍであった。
ＷＣに５％Ｃｏの超硬合金製ＴＡチップ（ＳＰＧＮ０９
０３０８型）を準備し、壁材料に純酸化アルミを使用し
た炉内にセットした。炉内は１×１０−２Ｔｏｒｒの真
空雰囲気で、雰囲気温度を９５０℃で１０時間保持し
て、熱処理を行い基材表面のＷＣ粒子を成長させたが、
表面のＷＣ粒子にはほとんど亀裂が発生せず、小さい凹
凸ができただけであった。この基材を熱フィラメントＣ
ＶＤ装置にセットし、フィラメント温度を２０８０℃、
基材温度を７６０℃、雰囲気は１×１０−２Ｔｏｒｒの
真空雰囲気にして膜厚が２０μｍになるようダイヤモン
ドを被覆し、ダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作した。
基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層の厚み
は０．３μｍであった。
【００３４】（比較例２）基材は比較例１と同じものを
準備し、比較例１の炉内の温度を１１００℃にし、その
他の条件は同じにしてダイヤモンド被覆ＴＡチップを製
作した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している
層の厚みは０．４μｍであった。
準備し、比較例１の炉内の温度を１１００℃にし、その
他の条件は同じにしてダイヤモンド被覆ＴＡチップを製
作した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している
層の厚みは０．４μｍであった。
【００３５】（比較例３）基材は比較例１と同じものを
準備し、比較例１の炉内の温度を１１５０℃にし、その
他の条件は同じにしてダイヤモンド被覆ＴＡチップを製
作した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している
層の厚みは０．４μｍであった。
準備し、比較例１の炉内の温度を１１５０℃にし、その
他の条件は同じにしてダイヤモンド被覆ＴＡチップを製
作した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している
層の厚みは０．４μｍであった。
【００３６】（比較例４）基材は実施例２と同じものを
準備し、実施例２の炉内の温度を９００℃にし、その他
の条件は同じにしてダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作
した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層
の厚みは０．４μｍであった。
準備し、実施例２の炉内の温度を９００℃にし、その他
の条件は同じにしてダイヤモンド被覆ＴＡチップを製作
した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している層
の厚みは０．４μｍであった。
【００３７】（比較例５）基材は実施例２と同じものを
準備し、実施例２の炉内の温度を１１８０℃にし、その
他の条件は同じにしてダイヤモンド被覆ＴＡチップを製
作した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している
層の厚みは２０μｍであった。
準備し、実施例２の炉内の温度を１１８０℃にし、その
他の条件は同じにしてダイヤモンド被覆ＴＡチップを製
作した。基材表面のＷＣ粒子表面に凹凸を形成している
層の厚みは２０μｍであった。
【００３８】以上のようにして製作したＴＡチップを使
って切削試験を行った。被削材はハイシリコンアルミ
（Ａｌ−１８％Ｓｉ）を使用し、切削条件は、Ｖ＝８０
０ｍ／ｍｉｎ、Ｆ＝０．１ｍｍ／ｒｅｖ、切込量はｄ＝
０．５ｍｍとし、切削液（水性エマルジョン）を使用し
て行った。なお、切削長さは３０００ｍとし、この時の
逃げ面摩耗の状況とダイヤモンド膜の剥離状況の有無を
確認した。
って切削試験を行った。被削材はハイシリコンアルミ
（Ａｌ−１８％Ｓｉ）を使用し、切削条件は、Ｖ＝８０
０ｍ／ｍｉｎ、Ｆ＝０．１ｍｍ／ｒｅｖ、切込量はｄ＝
０．５ｍｍとし、切削液（水性エマルジョン）を使用し
て行った。なお、切削長さは３０００ｍとし、この時の
逃げ面摩耗の状況とダイヤモンド膜の剥離状況の有無を
確認した。
【００３９】以上の切削試験を行った結果、実施例１〜
９のいずれのものも３０００ｍの切削ができ、ダイヤモ
ンド膜の剥離は見られなかった。また、摩耗量も少な
く、基材が露出することもなかった。これに対し、比較
例１は１８００ｍでダイヤモンド膜が剥離、比較例２は
２２００ｍで剥離、比較例３は２３００ｍで剥離、比較
例４は１５００ｍで剥離した。比較例５は３０００ｍで
剥離はなかったが、ダイヤモンド膜の摩耗量が多かっ
た。
９のいずれのものも３０００ｍの切削ができ、ダイヤモ
ンド膜の剥離は見られなかった。また、摩耗量も少な
く、基材が露出することもなかった。これに対し、比較
例１は１８００ｍでダイヤモンド膜が剥離、比較例２は
２２００ｍで剥離、比較例３は２３００ｍで剥離、比較
例４は１５００ｍで剥離した。比較例５は３０００ｍで
剥離はなかったが、ダイヤモンド膜の摩耗量が多かっ
た。
【００４０】以上の結果から分かるように、本発明の製
造方法により基材の前処理を行い、ダイヤモンド被覆を
行ったものは、基材表面のＷＣ粒子表面に柱状や針状の
凹凸が多数形成され、アンカー効果によりダイヤモンド
膜の密着力が高く、剥がれにくいことが分かった。
造方法により基材の前処理を行い、ダイヤモンド被覆を
行ったものは、基材表面のＷＣ粒子表面に柱状や針状の
凹凸が多数形成され、アンカー効果によりダイヤモンド
膜の密着力が高く、剥がれにくいことが分かった。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の超硬質膜
被覆部材は基材表面に存在するＷＣ粒子の表面に多数の
凹凸が形成されているので、超硬質膜の密着力が高く剥
がれにくい。また、本発明の超硬質膜被覆部材の製造方
法によれば、基材表面に存在するＷＣ粒子の表面に多数
の亀裂を発生させて成長させるので、多数の凹凸を容易
に形成することができ、超硬質膜の密着力が高く剥がれ
にくい被覆部材を容易に製造することができる。
被覆部材は基材表面に存在するＷＣ粒子の表面に多数の
凹凸が形成されているので、超硬質膜の密着力が高く剥
がれにくい。また、本発明の超硬質膜被覆部材の製造方
法によれば、基材表面に存在するＷＣ粒子の表面に多数
の亀裂を発生させて成長させるので、多数の凹凸を容易
に形成することができ、超硬質膜の密着力が高く剥がれ
にくい被覆部材を容易に製造することができる。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｂ２３Ｂ 27/14 Ｂ２３Ｂ 27/14 Ａ
Ｂ２３Ｃ 5/16 Ｂ２３Ｃ 5/16
Ｂ２３Ｐ 15/28 Ｂ２３Ｐ 15/28 Ａ
Claims (7)
- 【請求項１】 平均粒径５μｍ以上２０μｍ以下のＷＣ
と結合相としてのＣｏとからなる超硬合金の基材表面に
ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素よりなる超硬質
膜が被覆され、前記基材表面に存在するＷＣ粒子の表面
には多数の凹凸が形成されてなることを特徴とする超硬
質膜被覆部材。 - 【請求項２】 前記多数の凹凸は針状または柱状である
ことを特徴とする請求項１記載の超硬質膜被覆部材。 - 【請求項３】 前記多数の凹凸を形成する層の厚みは１
μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１
または２記載の超硬質膜被覆部材。 - 【請求項４】 前記超硬質膜の膜厚は、１〜２０μｍで
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
超硬質膜被覆部材。 - 【請求項５】 平均粒径５μｍ以上２０μｍ以下のＷＣ
と結合相としてのＣｏとからなる超硬合金の基材を、壁
材料に酸化アルミを主成分とした炉を用いて９５０℃以
上１１５０℃以下の温度の真空雰囲気内で熱処理を行っ
た後、前記熱処理を行った面に気相合成法によりダイヤ
モンドまたはダイヤモンド状炭素よりなる超硬質膜を形
成することを特徴とする超硬質膜被覆部材の製造方法。 - 【請求項６】 前記熱処理の後、前記基材を浸炭性雰囲
気内で再浸炭を行い、前記基材表面に気相合成法により
超硬質膜を形成することを特徴とする請求項５記載の製
造方法。 - 【請求項７】 前記超硬質膜を形成する前に前記基材を
酸処理、イオンボンバード、またはサンドブラストのい
ずれかを行うことを特徴とする請求項５または６記載の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043714A JP2003247006A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 超硬質膜被覆部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043714A JP2003247006A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 超硬質膜被覆部材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003247006A true JP2003247006A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=28659018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002043714A Pending JP2003247006A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 超硬質膜被覆部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003247006A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005011902A1 (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-10 | A.L.M.T.Corp. | ダイヤモンド膜被覆工具およびその製造方法 |
| JP2009012084A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Okuma Corp | 切削加工方法 |
| WO2010068168A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-17 | Seco Tools Ab | Method of making cutting tool inserts with high demands on dimensional accuracy |
| JP2013159493A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Olympus Corp | 光学素子成形用型、光学素子の製造方法、および光学素子成形用型の製造方法 |
| CN106544641A (zh) * | 2016-10-21 | 2017-03-29 | 上海交通大学 | 制备硬质合金基体金刚石涂层的喷砂预处理方法 |
| CN109207998A (zh) * | 2017-07-05 | 2019-01-15 | 深圳先进技术研究院 | 硬质合金器件及其制备方法 |
-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002043714A patent/JP2003247006A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| US7883775B2 (en) | 2003-07-31 | 2011-02-08 | A.L.M.T. Corp. | Diamond film coated tool and process for producing the same |
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| US8360698B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-01-29 | Okuma Corporation | Cutting method |
| WO2010068168A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-17 | Seco Tools Ab | Method of making cutting tool inserts with high demands on dimensional accuracy |
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| CN106544641B (zh) * | 2016-10-21 | 2019-08-23 | 上海交通大学 | 制备硬质合金基体金刚石涂层的预处理方法 |
| CN109207998A (zh) * | 2017-07-05 | 2019-01-15 | 深圳先进技术研究院 | 硬质合金器件及其制备方法 |
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