JP2003245261A - 静磁場不均一分布測定方法、静磁場均一化方法、ｍｒデータ収集方法およびｍｒｉ装置 - Google Patents

静磁場不均一分布測定方法、静磁場均一化方法、ｍｒデータ収集方法およびｍｒｉ装置

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JP2003245261A JP2002046828A JP2002046828A JP2003245261A JP 2003245261 A JP2003245261 A JP 2003245261A JP 2002046828 A JP2002046828 A JP 2002046828A JP 2002046828 A JP2002046828 A JP 2002046828A JP 2003245261 A JP2003245261 A JP 2003245261A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】勾配パルスに起因する残留磁化の影響を十分に
低減する。 【解決手段】位相リワインド勾配の強度を位相エンコー
ド勾配の強度の半分または略半分とする。スライス・リ
ワインド勾配の強度を、スライス・エンコード勾配の強
度の半分または略半分とする。スライス選択勾配の強度
と等しい強度を持つキラー勾配をスライス軸に印加す
る。リードアウト勾配の強度と等しい強度を持つキラー
勾配をリードアウト勾配に続けて周波数軸に印加する。 【効果】勾配パルスに起因する残留磁化の影響による画
質劣化を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静磁場不均一分布
測定方法、静磁場均一化方法、ＭＲ（Magnetic Resonan
ce）データ収集方法およびＭＲＩ（Magnetic Resonance
Imaging）装置に関し、さらに詳しくは、勾配パルスに
起因する残留磁化の影響を十分に低減することが出来る
静磁場不均一測定方法、静磁場均一化方法、ＭＲデータ
収集方法およびＭＲＩ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に示す静磁場不均一分布測定シーケ
ンスＳＱＪが知られている。この静磁場不均一分布測定
シーケンスＳＱＪでは、ＲＦパルスＰ１とスライス選択
勾配Ｓs1を印加し、続いてスライス選択勾配Ｓs1と等し
い強さ（振幅）のスライス・リフェーズ勾配Ｓr1’を印
加し、位相エンコード勾配Ｐe1を印加し、リードアウト
勾配Ｒo1の強度と等しい強度の周波数デフェーズ勾配Ｆ
d1’を印加し、続いてリードアウト勾配Ｒo1を印加しな
がら第１のＭＲデータを収集し、その後、位相エンコー
ド勾配Ｐe1の強度と等しい強度の位相リワインド勾配Ｐ
r1’を印加し、さらにスライス選択勾配よりも大きい強
度のキラー勾配Ｓk1’を印加する。以上の第１のグラジ
エント・エコー・シーケンスに続いて、エコー時間をδ
tずらした第２のグラジエント・エコー・シーケンスに
より、第２のＭＲデータを収集する。そして、第１のＭ
Ｒデータと第２のＭＲデータの位相差を基に、静磁場の
不均一分布を測定する。
【０００３】また、特開２００１−５４５１０号公報に
は、ＭＲＩ装置における整磁板等の残留磁化が勾配パル
スの印加履歴に依存して変動することを抑制するための
次のような手段が開示されている。 （１）位相エンコード勾配の直後に、残留磁化低減パル
スを印加する。 （２）位相リワインド勾配の直後に、残留磁化低減パル
スを印加する。 （３）キラー勾配の直後に、残留磁化低減パルスを印加
する。 （４）スライス・リフェーズ勾配の強度（振幅）を、ス
ライス選択勾配の強度の約半分とする。 （５）周波数デフェーズ勾配の強度を調整する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図８は、図７に示す静
磁場不均一分布測定シーケンスＳＱＪにおける勾配パル
スに起因する残留磁化の影響を説明するための磁化特性
図である。なお、これは単なる概念説明であって、本発
明を限定するものではない。
【０００５】まず、スライス軸に印加する勾配パルスの
影響のみを模式的に考えると、静磁場強度Ｈｏに応じた
磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１のグラジエント・エ
コー・シーケンスにより、スライス選択勾配Ｓs1および
スライス・リフェーズ勾配Ｓr1’が印加されると、点ａ
から点ｂ，点ｃ，点ｅを経て点ｆに移動し、次いでキラ
ー勾配Ｓk1’が印加されると、点ｆから点ｂを経てメジ
ャーループに入り、点Ｂ’を経て点ｃ’に移動する。そ
して、第２のグラジエント・エコー・シーケンスでは、
点ｃ’を含む別のマイナーループで磁化が変動する。
【０００６】次に、位相軸に印加する勾配パルスの影響
のみを模式的に考えると、静磁場強度Ｈｏに応じた磁化
Ｂｏの点ａに在った時に、第１のグラジエント・エコー
・シーケンスにより、位相エンコード勾配Ｐe1が印加さ
れると、点ａから点ｂを経て点ｃに移動し、次いで位相
リワインド勾配Ｐr1’が印加されると、点ｃから点ｅを
経て点ｆに移動する。次に、第２のグラジエント・エコ
ー・シーケンスにより、位相エンコード勾配Ｐe2が印加
されると、点ｆから点ｂを経て点ｃに移動し、次いで位
相リワインド勾配Ｐr2’が印加されると、点ｃから点ｅ
を経て点ｆに移動する。
【０００７】次に、周波数軸に印加する勾配パルスの影
響のみを模式的に考えると、静磁場強度Ｈｏに応じた磁
化Ｂｏの点ａに在った時に、第１のグラジエント・エコ
ー・シーケンスにより、周波数デフェーズ勾配Ｆd1’お
よびリードアウト勾配Ｒo1が印加されると、点ａから点
ｅ，点ｆ，点ｂを経て点ｃに移動する。また、第２のグ
ラジエント・エコー・シーケンスでも同様に磁化が変動
する。
【０００８】以上のように、従来の静磁場不均一分布測
定シーケンスＳＱＪでは、勾配パルスにより磁化が変動
するため、静磁場の不均一分布を正確に測定できなくな
る問題点があった。この結果、正確なシミング（shimmi
ng）を行えなくなり、特に中低磁場（０.３〜０.５Ｔ）
のＭＲＩ装置でＣＨＥＳＳ（CHEmical Shift Selective
imaging）法などのように水と脂肪の共鳴周波数差を利
用した撮像法を行う際に、画質の著しい劣化を招くこと
があった。
【０００９】上記問題点を解決するために、本発明の発
明者は、特開２００１−５４５１０号公報に開示された
手段の適用を研究したが、それだけでは静磁場の不均一
分布を十分正確に測定できまでに至らなかった。そこ
で、さらに研究した結果、勾配パルスの印加履歴に依存
して残留磁化が変動することを抑制するための新規な手
段を見出し、本発明を完成した。
【００１０】すなわち、本発明の目的は、勾配パルスに
起因する残留磁化の影響を十分に低減することが出来る
静磁場不均一測定方法、静磁場均一化方法、ＭＲデータ
収集方法およびＭＲＩ装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、スライス軸に印加するキラー勾配の強度をスライス
選択勾配の強度と等しくし、スライス・リフェーズ勾配
の強度をスライス選択勾配の強度の半分または略半分と
し、位相リワインド勾配の強度を位相エンコード勾配の
強度の半分または略半分とし、周波数デフェーズ勾配の
強度をリードアウト勾配の強度の２倍または略２倍とし
た第１のグラジエント・エコー・シーケンスにより収束
させたエコーから第１のＭＲデータを収集し、前記グラ
ジエント・エコー・シーケンスよりエコー時間をδtず
らした第２のグラジエント・エコー・シーケンスにより
収束させたエコーから第２のＭＲデータを収集し、前記
ＭＲデータ間の位相差を基に静磁場の不均一分布を測定
することを特徴とする静磁場不均一分布測定方法を提供
する。
【００１２】従来、スライス軸に印加するキラー勾配の
強度は、スライス選択勾配の強度よりも大きかった。従
って、キラー勾配による残留磁化の変動も大きかった。
このため、上述の特開２００１−５４５１０号公報に
て、キラー勾配の直後に残留磁化低減パルスを印加する
ことが提案されていた。これに対して、上記第１の観点
による静磁場不均一分布測定方法では、スライス軸に印
加するキラー勾配の強度をスライス選択勾配の強度と等
しくした。従って、キラー勾配による残留磁化の変動
は、キラー勾配の後に印加されるスライス選択勾配によ
る残留磁化の変動の範囲内となり、次に述べるスライス
選択勾配による残留磁化の変動を抑制する手段で足るこ
ととなる。このため、キラー勾配の直後に残留磁化低減
パルスを印加する必要がなくなる。また、上記第１の観
点による静磁場不均一分布測定方法では、スライス・リ
フェーズ勾配の強度をスライス選択勾配の強度の半分ま
たは略半分とした。これにより、特開２００１−５４５
１０号公報でも開示されているように、スライス選択勾
配による残留磁化の変動を抑制することが出来る。すな
わち、スライス軸に印加される勾配パルスによる残留磁
化の影響を低減することが出来る。
【００１３】次に、位相軸については、上述の特開２０
０１−５４５１０号公報にて、位相エンコード勾配の直
後に残留磁化低減パルスを印加することが提案されてい
た。これに対して、上記第１の観点による静磁場不均一
分布測定方法では、位相リワインド勾配の強度を位相エ
ンコード勾配の強度の半分または略半分とした。これに
より、図３を参照して後で説明するように、位相軸に印
加される勾配パルスによる残留磁化の影響を低減するこ
とが出来る。
【００１４】次に、周波数軸については、周波数デフェ
ーズ勾配の強度をリードアウト勾配の強度の２倍または
略２倍とした。これにより、特開２００１−５４５１０
号公報でも開示されているように、周波数軸に印加され
る勾配パルスによる残留磁化の影響を低減することが出
来る。
【００１５】結局のところ、上記第１の観点による静磁
場不均一分布測定方法では、すべての勾配軸に印加され
る勾配パルスによる残留磁化の影響を低減することが出
来るので、静磁場の不均一分布を十分正確に測定できる
ようになる。
【００１６】第２の観点では、本発明は、スライス・リ
フェーズ勾配の強度をスライス選択勾配の強度の半分ま
たは略半分とし、スライス・リワインド勾配の強度をス
ライス・エンコード勾配の強度の半分または略半分と
し、位相リワインド勾配の強度を位相エンコード勾配の
強度の半分または略半分とし、周波数デフェーズ勾配の
強度をリードアウト勾配の強度の２倍または略２倍と
し、周波数軸に印加するキラー勾配の強度をリードアウ
ト勾配の強度と等しくし且つキラー勾配をリードアウト
勾配に続けて印加するようにした第１のグラジエント・
エコー・シーケンスにより収束させたエコーから第１の
ＭＲデータを収集し、前記グラジエント・エコー・シー
ケンスよりエコー時間をδtずらした第２のグラジエン
ト・エコー・シーケンスにより収束させたエコーから第
２のＭＲデータを収集し、前記ＭＲデータ間の位相差を
基に静磁場の不均一分布を測定することを特徴とする静
磁場不均一分布測定方法を提供する。上記第２の観点に
よる静磁場不均一分布測定方法では、３Ｄ撮像のために
印加するスライス・エンコード勾配の半分または略半分
の強度のスライス・リワインド勾配を印加する。これに
より、図３を参照して後で説明するように、スライス・
エンコード勾配およびスライス・リワインド勾配による
残留磁化の影響を低減することが出来る。また、キラー
勾配を周波数軸に印加するが、その強度をリードアウト
勾配の強度と等しくし且つキラー勾配をリードアウト勾
配に続けて印加するようにした。従って、キラー勾配に
よる残留磁化の変動は、リードアウト勾配による残留磁
化と一体とみなせる。ここで、周波数デフェーズ勾配の
強度をリードアウト勾配の強度の２倍または略２倍とし
ているため、特開２００１−５４５１０号公報でも開示
されているように、周波数軸に印加される勾配パルスに
よる残留磁化の影響を低減できる。その他は、上記第１
の観点による静磁場不均一分布測定方法と同様である。
結局のところ、上記第２の観点による静磁場不均一分布
測定方法では、３Ｄの場合でも、すべての勾配軸に印加
される勾配パルスによる残留磁化の影響を低減すること
が出来るので、静磁場の不均一分布を十分正確に測定で
きるようになる。
【００１７】第３の観点では、本発明は、スライス・リ
フェーズ勾配の強度をスライス選択勾配の強度の半分ま
たは略半分とし、位相リワインド勾配の強度を位相エン
コード勾配の強度の半分または略半分とし、周波数デフ
ェーズ勾配の強度をリードアウト勾配の強度の２倍また
は略２倍とし、周波数軸に印加するキラー勾配の強度を
リードアウト勾配の強度と等しくし且つキラー勾配をリ
ードアウト勾配に続けて印加するようにした第１のグラ
ジエント・エコー・シーケンスにより収束させたエコー
から第１のＭＲデータを収集し、前記グラジエント・エ
コー・シーケンスよりエコー時間をδtずらした第２の
グラジエント・エコー・シーケンスにより収束させたエ
コーから第２のＭＲデータを収集し、前記ＭＲデータ間
の位相差を基に静磁場の不均一分布を測定することを特
徴とする静磁場不均一分布測定方法を提供する。上記第
３の観点による静磁場不均一分布測定方法では、キラー
勾配を周波数軸に印加するが、その強度をリードアウト
勾配の強度と等しくし且つキラー勾配をリードアウト勾
配に続けて印加するようにした。従って、キラー勾配に
よる残留磁化の変動は、リードアウト勾配による残留磁
化と一体とみなせる。ここで、周波数デフェーズ勾配の
強度をリードアウト勾配の強度の２倍または略２倍とし
ているため、特開２００１−５４５１０号公報でも開示
されているように、周波数軸に印加される勾配パルスに
よる残留磁化の影響を低減できる。その他は、上記第１
の観点による静磁場不均一分布測定方法と同様である。
結局のところ、上記第３の観点による静磁場不均一分布
測定方法では、すべての勾配軸に印加される勾配パルス
による残留磁化の影響を低減することが出来るので、静
磁場の不均一分布を十分正確に測定できるようになる。
【００１８】第４の観点では、本発明は、シミングを行
うためのＭＲデータを上記構成の静磁場不均一分布測定
方法によって収集することを特徴とする静磁場均一化方
法を提供する。上記第４の観点による静磁場不均一分布
測定方法では、ＭＲデータを十分正確に測定できるた
め、正確なシミングを行うことができ、特に中低磁場の
ＭＲＩ装置でＣＨＥＳＳ法などのように水と脂肪の共鳴
周波数差を利用した撮像法を行う際に画質を向上でき
る。
【００１９】第５の観点では、本発明は、位相リワイン
ド勾配の強度を位相エンコード勾配の強度の半分または
略半分とすることを特徴とするＭＲデータ収集方法を提
供する。上記第５の観点によるＭＲデータ収集方法で
は、位相リワインド勾配の強度を位相エンコード勾配の
強度の半分または略半分とした。これにより、図３を参
照して後で説明するように、位相軸に印加される勾配パ
ルスによる残留磁化の影響を低減することが出来る。
【００２０】第６の観点では、本発明は、スライス・リ
ワインド勾配の強度をスライス・エンコード勾配の強度
の半分または略半分とすることを特徴とするＭＲデータ
収集方法を提供する。上記第６の観点によるＭＲデータ
収集方法では、３Ｄ撮像のために印加するスライス・エ
ンコード勾配の半分または略半分の強度のスライス・リ
ワインド勾配を印加する。これにより、図３を参照して
後で説明するように、スライス・エンコード勾配および
スライス・リワインド勾配による残留磁化の影響を低減
することが出来る。
【００２１】第７の観点では、本発明は、スライス選択
勾配の強度と等しい強度を持つキラー勾配をスライス軸
に印加することを特徴とするＭＲデータ収集方法を提供
する。上記第７の観点によるＭＲデータ収集方法では、
スライス軸に印加するキラー勾配の強度をスライス選択
勾配の強度と等しくした。従って、キラー勾配による残
留磁化の変動は、キラー勾配の後に印加されるスライス
選択勾配による残留磁化の変動の範囲内となり、キラー
勾配に起因する残留磁化の変動への対策を特別に行う必
要がなくなる。
【００２２】第８の観点では、本発明は、リードアウト
勾配の強度と等しい強度を持つキラー勾配をリードアウ
ト勾配に続けて周波数軸に印加することを特徴とするＭ
Ｒデータ収集方法を提供する。上記第８の観点によるＭ
Ｒデータ収集方法では、キラー勾配を周波数軸に印加す
るが、その強度をリードアウト勾配の強度と等しくし且
つキラー勾配をリードアウト勾配に続けて印加するよう
にした。従って、キラー勾配による残留磁化の変動は、
リードアウト勾配による残留磁化と一体とみなせるた
め、キラー勾配に起因する残留磁化の変動への対策を特
別に行う必要がなくなる。
【００２３】第９の観点では、本発明は、ＲＦパルス送
信手段と、勾配パルス印加手段と、ＭＲ信号受信手段
と、前記各手段を制御することにより、スライス軸に印
加するキラー勾配の強度をスライス選択勾配の強度と等
しくし、スライス・リフェーズ勾配の強度をスライス選
択勾配の強度の半分または略半分とし、位相リワインド
勾配の強度を位相エンコード勾配の強度の半分または略
半分とし、周波数デフェーズ勾配の強度をリードアウト
勾配の強度の２倍または略２倍とした第１のグラジエン
ト・エコー・シーケンスによって収束させたエコーから
第１のＭＲデータを収集する第１のＭＲデータ収集手段
と、前記グラジエント・エコー・シーケンスよりエコー
時間をδtずらした第２のグラジエント・エコー・シー
ケンスによって収束させたエコーから第２のＭＲデータ
を収集する第２のＭＲデータ収集手段とを具備したこと
を特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第９の観点に
よるＭＲＩ装置では、上記第１の観点による静磁場不均
一分布測定方法を好適に実施できる。
【００２４】第１０の観点では、本発明は、ＲＦパルス
送信手段と、勾配パルス印加手段と、ＭＲ信号受信手段
と、前記各手段を制御することにより、スライス・リフ
ェーズ勾配の強度をスライス選択勾配の強度の半分また
は略半分とし、スライス・リワインド勾配の強度をスラ
イス・エンコード勾配の強度の半分または略半分とし、
位相リワインド勾配の強度を位相エンコード勾配の強度
の半分または略半分とし、周波数デフェーズ勾配の強度
をリードアウト勾配の強度の２倍または略２倍とし、周
波数軸に印加するキラー勾配の強度をリードアウト勾配
の強度と等しくし且つキラー勾配をリードアウト勾配に
続けて印加するようにした第１のグラジエント・エコー
・シーケンスによって収束させたエコーから第１のＭＲ
データを収集する第１のＭＲデータ収集手段と、前記グ
ラジエント・エコー・シーケンスよりエコー時間をδt
ずらした第２のグラジエント・エコー・シーケンスによ
って収束させたエコーから第２のＭＲデータを収集する
第２のＭＲデータ収集手段とを具備したことを特徴とす
るＭＲＩ装置を提供する。上記第１０の観点によるＭＲ
Ｉ装置では、上記第２の観点による静磁場不均一分布測
定方法を好適に実施できる。
【００２５】第１１の観点では、本発明は、ＲＦパルス
送信手段と、勾配パルス印加手段と、ＭＲ信号受信手段
と、前記各手段を制御することにより、スライス・リフ
ェーズ勾配の強度をスライス選択勾配の強度の半分また
は略半分とし、位相リワインド勾配の強度を位相エンコ
ード勾配の強度の半分または略半分とし、周波数デフェ
ーズ勾配の強度をリードアウト勾配の強度の２倍または
略２倍とし、周波数軸に印加するキラー勾配の強度をリ
ードアウト勾配の強度と等しくし且つキラー勾配をリー
ドアウト勾配に続けて印加するようにした第１のグラジ
エント・エコー・シーケンスによって収束させたエコー
から第１のＭＲデータを収集する第１のＭＲデータ収集
手段と、前記グラジエント・エコー・シーケンスよりエ
コー時間をδtずらした第２のグラジエント・エコー・
シーケンスによって収束させたエコーから第２のＭＲデ
ータを収集する第２のＭＲデータ収集手段とを具備した
ことを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第１１の
観点によるＭＲＩ装置では、上記第３の観点による静磁
場不均一分布測定方法を好適に実施できる。
【００２６】第１２の観点では、本発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、前記第１のＭＲデータと前記第２
のＭＲデータの位相差を基に静磁場の不均一分布を測定
する静磁場不均一分布測定手段を具備したことを特徴と
するＭＲＩ装置を提供する。上記第１２の観点によるＭ
ＲＩ装置では、上記第１〜第３の観点による静磁場不均
一分布測定方法を好適に実施できる。
【００２７】第１３の観点では、本発明は、ＲＦパルス
送信手段と、勾配パルス印加手段と、ＭＲ信号受信手段
とを具備したＭＲＩ装置であって、前記勾配パルス印加
手段は、位相リワインド勾配の強度を位相エンコード勾
配の強度の半分または略半分とすることを特徴とするＭ
ＲＩ装置を提供する。上記第１３の観点によるＭＲＩ装
置では、上記第５の観点によるＭＲデータ収集方法を好
適に実施できる。
【００２８】第１４の観点では、本発明は、ＲＦパルス
送信手段と、勾配パルス印加手段と、ＭＲ信号受信手段
とを具備したＭＲＩ装置であって、前記勾配パルス印加
手段は、スライス・リワインド勾配の強度をスライス・
エンコード勾配の強度の半分または略半分とすることを
特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第１４の観点に
よるＭＲＩ装置では、上記第６の観点によるＭＲデータ
収集方法を好適に実施できる。
【００２９】第１５の観点では、本発明は、ＲＦパルス
送信手段と、勾配パルス印加手段と、ＭＲ信号受信手段
とを具備したＭＲＩ装置であって、前記勾配パルス印加
手段は、スライス選択勾配の強度と等しい強度を持つキ
ラー勾配をスライス軸に印加することを特徴とするＭＲ
Ｉ装置を提供する。上記第１５の観点によるＭＲＩ装置
では、上記第７の観点によるＭＲデータ収集方法を好適
に実施できる。
【００３０】第１６の観点では、本発明は、ＲＦパルス
送信手段と、勾配パルス印加手段と、ＭＲ信号受信手段
とを具備したＭＲＩ装置であって、前記勾配パルス印加
手段は、リードアウト勾配の強度と等しい強度を持つキ
ラー勾配をリードアウト勾配に続けて周波数軸に印加す
ることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第１６
の観点によるＭＲＩ装置では、上記第８の観点によるＭ
Ｒデータ収集方法を好適に実施できる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図に示す実施形態により本
発明をさらに詳しく説明する。なお、これにより本発明
が限定されるものではない。
【００３２】−第１の実施形態− 図１は、本発明の第１の実施形態のＭＲＩ装置のブロッ
ク図である。このＭＲＩ装置１００において、マグネッ
トアセンブリ１は、内部に被検体を挿入するための空間
部分（孔）を有し、この空間部分を取りまくようにし
て、被検体に一定強度Ｈｏの静磁場を印加する永久磁石
１ｐと、スライス軸，位相軸，周波数軸に勾配パルスを
印加するための勾配磁場コイル１ｇと、被検体内の原子
核のスピンを励起するためのＲＦパルスを与える送信コ
イル１ｔと、被検体からのＭＲ信号を検出する受信コイ
ル１ｒとが配置されている。勾配磁場コイル１ｇ，送信
コイル１ｔおよび受信コイル１ｒは、それぞれ勾配磁場
駆動回路３，ＲＦ電力増幅器４および前置増幅器５に接
続されている。なお、上記のような永久磁石型マグネッ
トでなく、超伝導型マグネットや常伝導型マグネットで
あってもよい。
【００３３】シーケンス記憶回路８は、計算機７からの
指令に従い、記憶しているパルスシーケンスに基づいて
勾配磁場駆動回路３を操作し、前記マグネットアセンブ
リ１の勾配磁場コイル１ｇから勾配パルスを印加すると
共に、ゲート変調回路９を操作し、ＲＦ発振回路１０の
搬送波出力信号を所定タイミング・所定包絡線形状のパ
ルス状信号に変調し、それをＲＦパルスとしてＲＦ電力
増幅器４に加え、ＲＦ電力増幅器４でパワー増幅した
後、前記マグネットアセンブリ１の送信コイル１ｔに印
加し、所望のスライス領域を選択励起する。
【００３４】前置増幅器５は、マグネットアセンブリ１
の受信コイル１ｒで検出された被検体からのＭＲ信号を
増幅し、位相検波器１２に入力する。位相検波器１２
は、ＲＦ発振回路１０の搬送波出力信号を参照信号と
し、前置増幅器５からのＭＲ信号を位相検波して、Ａ／
Ｄ変換器１１に与える。Ａ／Ｄ変換器１１は、位相検波
後のアナログ信号をディジタル信号に変換して、計算機
７に入力する。
【００３５】計算機７は、Ａ／Ｄ変換器１１からデータ
を読み込み、画像再構成演算を行い、所望のスライス領
域のイメージを生成する。このイメージは、表示装置６
にて表示される。また、計算機７は、操作卓１３から入
力された情報を受け取るなどの全体的な制御を受け持
つ。
【００３６】図２は、第１の実施形態にかかる静磁場不
均一分布測定シーケンスＳＱ１を示すパルスシーケンス
図である。この静磁場不均一分布測定シーケンスＳＱ１
では、ＲＦパルスＰ１とスライス選択勾配Ｓs1を印加
し、続いてスライス選択勾配Ｓs1の半分または略半分の
強度のスライス・リフェーズ勾配Ｓr1を印加し、位相エ
ンコード勾配Ｐe1を印加し、リードアウト勾配Ｒo1の２
倍または略２倍の強度の周波数デフェーズ勾配Ｆd1を印
加し、続いてリードアウト勾配Ｒo1を印加しながら第１
のＭＲデータを収集し、その後、位相エンコード勾配Ｐ
e1の半分または略半分の強度の位相リワインド勾配Ｐr1
を印加し、さらにスライス選択勾配Ｓs1と等しい強度の
キラー勾配Ｓk1を印加する。以上の第１のグラジエント
・エコー・シーケンスに続いて、エコー時間をδtずら
した第２のグラジエント・エコー・シーケンスにより、
第２のＭＲデータを収集する。
【００３７】そして、第１のＭＲデータと第２のＭＲデ
ータの位相差を基に、静磁場の不均一分布を測定する。
また、この静磁場不均一分布を正すように、シミングを
行う。
【００３８】図３，図４は、図２に示す静磁場不均一分
布測定シーケンスＳＱ１における勾配パルスに起因する
残留磁化を説明するための磁化特性図である。なお、こ
れは単なる概念説明であって、本発明を限定するもので
はない。
【００３９】まず、スライス軸に印加する勾配パルスの
影響のみを模式的に考えると、図３に示すように、静磁
場強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１
のグラジエント・エコー・シーケンスにより、スライス
選択勾配Ｓs1およびスライス・リフェーズ勾配Ｓr1が印
加されると、点ａから点ｂ，点ｃ，点ｄを経て点ａに移
動する。つまり、静磁場強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点
ａに戻る。次いでキラー勾配Ｓk1が印加されると、点ａ
から点ｂを経て点ｃに移動し、続いて第２のグラジエン
ト・エコー・シーケンスでは、スライス選択勾配Ｓs2お
よびスライス・リフェーズ勾配Ｓr2が印加されると、点
ｃから点ｂ，点ｃ，点ｄを経て点ａに移動する。つま
り、静磁場強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに戻る。こ
のように、ＭＲデータ収集時には、常に静磁場強度Ｈｏ
に応じた磁化Ｂｏになる。
【００４０】次に、位相軸に印加する勾配パルスの影響
のみを模式的に考えると、図３に示すように、静磁場強
度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１のグ
ラジエント・エコー・シーケンスにより、位相エンコー
ド勾配Ｐe1が印加されると、点ａから点ｂを経て点ｃに
移動し、次いで位相リワインド勾配Ｐr1が印加される
と、点ｃから点ｄを経て点ａに戻る。ここで、位相エン
コード勾配Ｐe1からＭＲデータ収集時までの時間は短い
ため、点ｃの残留磁化による影響は無視できる。一方、
位相リワインド勾配Ｐr1から第２のグラジエント・エコ
ー・シーケンスでのＭＲデータ収集時までの時間は長い
ため、その間の残留磁化による影響は無視できないが、
位相リワインド勾配Ｐr1の後は静磁場強度Ｈｏに応じた
磁化Ｂｏに戻っているため、残留磁化による影響はなく
なる。
【００４１】次に、周波数軸に印加する勾配パルスの影
響のみを模式的に考えると、図４に示すように、静磁場
強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１の
グラジエント・エコー・シーケンスにより、周波数デフ
ェーズ勾配Ｆd1およびリードアウト勾配Ｒo1が印加され
ると、点ａから点ｅ，点ｆ，点ｇを経て点ａに戻る。
【００４２】以上のように、第１の実施形態の静磁場不
均一分布測定シーケンスＳＱ１によれば、勾配パルスに
よる残留磁化の影響が抑制されるため、静磁場不均一分
布を十分正確に測定できる。この結果、正確なシミング
を行えるようになる。
【００４３】−第２の実施形態− 図５は、第２の実施形態にかかる静磁場不均一分布測定
シーケンスＳＱ２を示すパルスシーケンス図である。こ
の静磁場不均一分布測定シーケンスＳＱ２では、ＲＦパ
ルスＰ１とスライス選択勾配Ｓs1を印加し、続いてスラ
イス選択勾配Ｓs1の半分または略半分の強度のスライス
・リフェーズ勾配Ｓr1を印加し、スライス・エンコード
勾配Ｓe1を印加し、位相エンコード勾配Ｐe1を印加し、
リードアウト勾配Ｒo1の２倍または略２倍の強度の周波
数デフェーズ勾配Ｆd1を印加し、続いてリードアウト勾
配Ｒo1を印加しながら第１のＭＲデータを収集し、その
後、スライス・エンコード勾配Ｓe1の半分または略半分
の強度のスライス・リワインド勾配Ｓr1を印加し、位相
エンコード勾配Ｐe1の半分または略半分の強度の位相リ
ワインド勾配Ｐr1を印加し、さらにリードアウト勾配Ｒ
o1と等しい強度のキラー勾配Ｆk1をリードアウト勾配Ｒ
o1に続けて周波数軸に印加する。以上の第１のグラジエ
ント・エコー・シーケンスに続いて、エコー時間をδt
ずらした第２のグラジエント・エコー・シーケンスによ
り、第２のＭＲデータを収集する。
【００４４】そして、第１のＭＲデータと第２のＭＲデ
ータの位相差を基に、静磁場の不均一分布を測定する。
また、この静磁場不均一分布を正すように、シミングを
行う。
【００４５】さて、スライス軸に印加する勾配パルスの
影響のみを模式的に考えると、図３に示すように、静磁
場強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１
のグラジエント・エコー・シーケンスにより、スライス
選択勾配Ｓs1およびスライス・リフェーズ勾配Ｓr1が印
加されると、点ａから点ｂ，点ｃ，点ｄを経て点ａに移
動する。つまり、静磁場強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点
ａに戻る。次いでスライス・エンコード勾配Ｓe1（仮に
スライス選択勾配Ｓs1と等しい強さとする）が印加され
ると、点ａから点ｂを経て点ｃに移動し、次いでスライ
ス・リワインド勾配Ｓr1が印加されると、点ｃから点ｄ
を経て点ａに戻る。ここで、スライス・エンコード勾配
Ｓe1からＭＲデータ収集時までの時間は短いため、点ｃ
の残留磁化による影響は無視できる。一方、スライス・
リワインド勾配Ｓr1から第２のグラジエント・エコー・
シーケンスでのＭＲデータ収集時までの時間は長いた
め、その間の残留磁化による影響は無視できないが、ス
ライス・リワインド勾配Ｓr1の後は静磁場強度Ｈｏに応
じた磁化Ｂｏに戻っているため、残留磁化による影響は
なくなる。
【００４６】次に、位相軸に印加する勾配パルスの影響
のみを模式的に考えると、図３に示すように、静磁場強
度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１のグ
ラジエント・エコー・シーケンスにより、位相エンコー
ド勾配Ｐe1が印加されると、点ａから点ｂを経て点ｃに
移動し、次いで位相リワインド勾配Ｐr1が印加される
と、点ｃから点ｄを経て点ａに移動する。ここで、位相
エンコード勾配Ｐe1からＭＲデータ収集時までの時間は
短いため、点ｃの残留磁化による影響は無視できる。一
方、位相リワインド勾配Ｐr1から第２のグラジエント・
エコー・シーケンスでのＭＲデータ収集時までの時間は
長いため、その間の残留磁化による影響は無視できない
が、位相リワインド勾配Ｐr1の後は静磁場強度Ｈｏに応
じた磁化Ｂｏに戻っているため、残留磁化による影響は
なくなる。
【００４７】次に、周波数軸に印加する勾配パルスの影
響のみを模式的に考えると、図４に示すように、静磁場
強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１の
グラジエント・エコー・シーケンスにより、周波数デフ
ェーズ勾配Ｆd1、リードアウト勾配Ｒo1およびキラー勾
配Ｆk1が印加されると、点ａから点ｅ，点ｆ，点ｇを経
て点ａに戻る。すなわち、静磁場強度Ｈｏに応じた磁化
Ｂｏに戻っているため、残留磁化による影響はなくな
る。
【００４８】以上のように、第２の実施形態の静磁場不
均一分布測定シーケンスＳＱ２によれば、３Ｄにおいて
も、勾配パルスによる残留磁化の影響が抑制されるた
め、静磁場不均一分布を十分正確に測定できる。この結
果、正確なシミングを行えるようになる。
【００４９】−第３の実施形態− 図６は、第３の実施形態にかかる静磁場不均一分布測定
シーケンスＳＱ３を示すパルスシーケンス図である。こ
の静磁場不均一分布測定シーケンスＳＱ３では、ＲＦパ
ルスＰ１とスライス選択勾配Ｓs1を印加し、続いてスラ
イス選択勾配Ｓs1の半分または略半分の強度のスライス
・リフェーズ勾配Ｓr1を印加し、位相エンコード勾配Ｐ
e1を印加し、リードアウト勾配Ｒo1の２倍または略２倍
の強度の周波数デフェーズ勾配Ｆd1を印加し、続いてリ
ードアウト勾配Ｒo1を印加しながら第１のＭＲデータを
収集し、その後、位相エンコード勾配Ｐe1の半分または
略半分の強度の位相リワインド勾配Ｐr1を印加し、さら
にリードアウト勾配Ｒo1と等しい強度のキラー勾配Ｆk1
をリードアウト勾配Ｒo1に続けて周波数軸に印加する。
以上の第１のグラジエント・エコー・シーケンスに続い
て、エコー時間をδtずらした第２のグラジエント・エ
コー・シーケンスにより、第２のＭＲデータを収集す
る。
【００５０】そして、第１のＭＲデータと第２のＭＲデ
ータの位相差を基に、静磁場の不均一分布を測定する。
また、この静磁場不均一分布を正すように、シミングを
行う。
【００５１】さて、スライス軸に印加する勾配パルスの
影響のみを模式的に考えると、図３に示すように、静磁
場強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１
のグラジエント・エコー・シーケンスにより、スライス
選択勾配Ｓs1およびスライス・リフェーズ勾配Ｓr1が印
加されると、点ａから点ｂ，点ｃ，点ｄを経て点ａに移
動する。つまり、静磁場強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点
ａに戻る。すなわち、静磁場強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏ
に戻っているため、残留磁化による影響はなくなる。
【００５２】次に、位相軸に印加する勾配パルスの影響
のみを模式的に考えると、図３に示すように、静磁場強
度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１のグ
ラジエント・エコー・シーケンスにより、位相エンコー
ド勾配Ｐe1が印加されると、点ａから点ｂを経て点ｃに
移動し、次いで位相リワインド勾配Ｐr1が印加される
と、点ｃから点ｄを経て点ａに移動する。ここで、位相
エンコード勾配Ｐe1からＭＲデータ収集時までの時間は
短いため、点ｃの残留磁化による影響は無視できる。一
方、位相リワインド勾配Ｐr1から第２のグラジエント・
エコー・シーケンスでのＭＲデータ収集時までの時間は
長いため、その間の残留磁化による影響は無視できない
が、位相リワインド勾配Ｐr1の後は静磁場強度Ｈｏに応
じた磁化Ｂｏに戻っているため、残留磁化による影響は
なくなる。
【００５３】次に、周波数軸に印加する勾配パルスの影
響のみを模式的に考えると、図４に示すように、静磁場
強度Ｈｏに応じた磁化Ｂｏの点ａに在った時に、第１の
グラジエント・エコー・シーケンスにより、周波数デフ
ェーズ勾配Ｆd1、リードアウト勾配Ｒo1およびキラー勾
配Ｆk1が印加されると、点ａから点ｅ，点ｆ，点ｇを経
て点ａに戻る。すなわち、静磁場強度Ｈｏに応じた磁化
Ｂｏに戻っているため、残留磁化による影響はなくな
る。
【００５４】以上のように、第３の実施形態の静磁場不
均一分布測定シーケンスＳＱ３によれば、勾配パルスに
よる残留磁化の影響が抑制されるため、静磁場不均一分
布を十分正確に測定できる。この結果、正確なシミング
を行えるようになる。
【００５５】−他の実施形態− 上記説明では本発明を静磁場不均一分布測定方法に適用
したが、ＭＲデータを収集するパルスシーケンス一般に
本発明を適用可能である。すなわち、次の少なくとも１
つを適用することにより、勾配パルスによる残留磁化の
影響を抑制することが出来る。 （１）位相リワインド勾配の強度を、位相エンコード勾
配の強度の半分または略半分とする。 （２）スライス・リワインド勾配の強度を、スライス・
エンコード勾配の強度の半分または略半分とする。 （３）スライス選択勾配の強度と等しい強度を持つキラ
ー勾配をスライス軸に印加する。 （４）リードアウト勾配の強度と等しい強度を持つキラ
ー勾配をリードアウト勾配に続けて周波数軸に印加す
る。
【００５６】
【発明の効果】本発明の静磁場不均一分布測定方法、静
磁場均一化方法、ＭＲデータ収集方法およびＭＲＩ装置
によれば、勾配パルスに起因する残留磁化の影響を十分
に低減することが出来る。この結果、正確なシミングを
行えるようになり、特に中低磁場のＭＲＩ装置でＣＨＥ
ＳＳ法などのように水と脂肪の共鳴周波数差を利用した
撮像法を行う際に画質を向上することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係るＭＲＩ装置を示すブロッ
ク図である。
【図２】第１の実施形態に係る静磁場不均一分布測定シ
ーケンスのパルスシーケンス図である。
【図３】第１の実施形態に係る静磁場不均一分布測定シ
ーケンスにおけるスライス軸および位相軸の勾配パルス
に起因する残留磁化を説明するための磁化特性図であ
る。
【図４】第１の実施形態に係る静磁場不均一分布測定シ
ーケンスにおける周波数軸の勾配パルスに起因する残留
磁化を説明するための磁化特性図である。
【図５】第２の実施形態に係る静磁場不均一分布測定シ
ーケンスのパルスシーケンス図である。
【図６】第３の実施形態に係る静磁場不均一分布測定シ
ーケンスのパルスシーケンス図である。
【図７】従来の静磁場不均一分布測定シーケンスのパル
スシーケンス図である。
【図８】従来の静磁場不均一分布測定シーケンスにおけ
る勾配パルスに起因する残留磁化を説明するための磁化
特性図である。
【符号の説明】
１００ ＭＲＩ装置 １ マグネットアセンブリ １ｇ 勾配磁場コイル １ｔ 送信コイル １ｐ 永久磁石 ７ 計算機 ８ シーケンス記憶回路 Ｓs1 スライス選択勾配 Ｓr1 スライス・リフェーズ勾配 Ｓk1，Ｆk1 キラー勾配 Ｐe1 位相エンコード勾配 Ｐr1 位相リワインド勾配 Ｆd1 周波数デフェーズ勾配 Ｒo1 リードアウト勾配
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅野 健二 東京都日野市旭ケ丘４丁目７番地の127 ジーイー横河メディカルシステム株式会社 内 (72)発明者 小杉 進 東京都日野市旭ケ丘４丁目７番地の127 ジーイー横河メディカルシステム株式会社 内 Ｆターム(参考） 4C096 AA20 AB32 AD02 AD06 AD09 BA06 CA05 CA07 CA16 CA18 CA29

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スライス軸に印加するキラー勾配の強度
    をスライス選択勾配の強度と等しくし、スライス・リフ
    ェーズ勾配の強度をスライス選択勾配の強度の半分また
    は略半分とし、位相リワインド勾配の強度を位相エンコ
    ード勾配の強度の半分または略半分とし、周波数デフェ
    ーズ勾配の強度をリードアウト勾配の強度の２倍または
    略２倍とした第１のグラジエント・エコー・シーケンス
    により収束させたエコーから第１のＭＲデータを収集
    し、前記グラジエント・エコー・シーケンスよりエコー
    時間をδtずらした第２のグラジエント・エコー・シー
    ケンスにより収束させたエコーから第２のＭＲデータを
    収集し、前記ＭＲデータ間の位相差を基に静磁場の不均
    一分布を測定することを特徴とする静磁場不均一分布測
    定方法。
  2. 【請求項２】 スライス・リフェーズ勾配の強度をスラ
    イス選択勾配の強度の半分または略半分とし、スライス
    ・リワインド勾配の強度をスライス・エンコード勾配の
    強度の半分または略半分とし、位相リワインド勾配の強
    度を位相エンコード勾配の強度の半分または略半分と
    し、周波数デフェーズ勾配の強度をリードアウト勾配の
    強度の２倍または略２倍とし、周波数軸に印加するキラ
    ー勾配の強度をリードアウト勾配の強度と等しくし且つ
    キラー勾配をリードアウト勾配に続けて印加するように
    した第１のグラジエント・エコー・シーケンスにより収
    束させたエコーから第１のＭＲデータを収集し、前記グ
    ラジエント・エコー・シーケンスよりエコー時間をδt
    ずらした第２のグラジエント・エコー・シーケンスによ
    り収束させたエコーから第２のＭＲデータを収集し、前
    記ＭＲデータ間の位相差を基に静磁場の不均一分布を測
    定することを特徴とする静磁場不均一分布測定方法。
  3. 【請求項３】 スライス・リフェーズ勾配の強度をスラ
    イス選択勾配の強度の半分または略半分とし、位相リワ
    インド勾配の強度を位相エンコード勾配の強度の半分ま
    たは略半分とし、周波数デフェーズ勾配の強度をリード
    アウト勾配の強度の２倍または略２倍とし、周波数軸に
    印加するキラー勾配の強度をリードアウト勾配の強度と
    等しくし且つキラー勾配をリードアウト勾配に続けて印
    加するようにした第１のグラジエント・エコー・シーケ
    ンスにより収束させたエコーから第１のＭＲデータを収
    集し、前記グラジエント・エコー・シーケンスよりエコ
    ー時間をδtずらした第２のグラジエント・エコー・シ
    ーケンスにより収束させたエコーから第２のＭＲデータ
    を収集し、前記ＭＲデータ間の位相差を基に静磁場の不
    均一分布を測定することを特徴とする静磁場不均一分布
    測定方法。
  4. 【請求項４】 シミングを行うためのＭＲデータを請求
    項１から請求項３のいずれかに記載の静磁場不均一分布
    測定方法によって収集することを特徴とする静磁場均一
    化方法。
  5. 【請求項５】 位相リワインド勾配の強度を位相エンコ
    ード勾配の強度の半分または略半分とすることを特徴と
    するＭＲデータ収集方法。
  6. 【請求項６】 スライス・リワインド勾配の強度をスラ
    イス・エンコード勾配の強度の半分または略半分とする
    ことを特徴とするＭＲデータ収集方法。
  7. 【請求項７】 スライス選択勾配の強度と等しい強度を
    持つキラー勾配をスライス軸に印加することを特徴とす
    るＭＲデータ収集方法。
  8. 【請求項８】 リードアウト勾配の強度と等しい強度を
    持つキラー勾配をリードアウト勾配に続けて周波数軸に
    印加することを特徴とするＭＲデータ収集方法。
  9. 【請求項９】 ＲＦパルス送信手段と、勾配パルス印加
    手段と、ＭＲ信号受信手段と、前記各手段を制御するこ
    とにより、スライス軸に印加するキラー勾配の強度をス
    ライス選択勾配の強度と等しくし、スライス・リフェー
    ズ勾配の強度をスライス選択勾配の強度の半分または略
    半分とし、位相リワインド勾配の強度を位相エンコード
    勾配の強度の半分または略半分とし、周波数デフェーズ
    勾配の強度をリードアウト勾配の強度の２倍または略２
    倍とした第１のグラジエント・エコー・シーケンスによ
    って収束させたエコーから第１のＭＲデータを収集する
    第１のＭＲデータ収集手段と、前記グラジエント・エコ
    ー・シーケンスよりエコー時間をδtずらした第２のグ
    ラジエント・エコー・シーケンスによって収束させたエ
    コーから第２のＭＲデータを収集する第２のＭＲデータ
    収集手段とを具備したことを特徴とするＭＲＩ装置。
  10. 【請求項１０】 ＲＦパルス送信手段と、勾配パルス印
    加手段と、ＭＲ信号受信手段と、前記各手段を制御する
    ことにより、スライス・リフェーズ勾配の強度をスライ
    ス選択勾配の強度の半分または略半分とし、スライス・
    リワインド勾配の強度をスライス・エンコード勾配の強
    度の半分または略半分とし、位相リワインド勾配の強度
    を位相エンコード勾配の強度の半分または略半分とし、
    周波数デフェーズ勾配の強度をリードアウト勾配の強度
    の２倍または略２倍とし、周波数軸に印加するキラー勾
    配の強度をリードアウト勾配の強度と等しくし且つキラ
    ー勾配をリードアウト勾配に続けて印加するようにした
    第１のグラジエント・エコー・シーケンスによって収束
    させたエコーから第１のＭＲデータを収集する第１のＭ
    Ｒデータ収集手段と、前記グラジエント・エコー・シー
    ケンスよりエコー時間をδtずらした第２のグラジエン
    ト・エコー・シーケンスによって収束させたエコーから
    第２のＭＲデータを収集する第２のＭＲデータ収集手段
    とを具備したことを特徴とするＭＲＩ装置。
  11. 【請求項１１】 ＲＦパルス送信手段と、勾配パルス印
    加手段と、ＭＲ信号受信手段と、前記各手段を制御する
    ことにより、スライス・リフェーズ勾配の強度をスライ
    ス選択勾配の強度の半分または略半分とし、位相リワイ
    ンド勾配の強度を位相エンコード勾配の強度の半分また
    は略半分とし、周波数デフェーズ勾配の強度をリードア
    ウト勾配の強度の２倍または略２倍とし、周波数軸に印
    加するキラー勾配の強度をリードアウト勾配の強度と等
    しくし且つキラー勾配をリードアウト勾配に続けて印加
    するようにした第１のグラジエント・エコー・シーケン
    スによって収束させたエコーから第１のＭＲデータを収
    集する第１のＭＲデータ収集手段と、前記グラジエント
    ・エコー・シーケンスよりエコー時間をδtずらした第
    ２のグラジエント・エコー・シーケンスによって収束さ
    せたエコーから第２のＭＲデータを収集する第２のＭＲ
    データ収集手段とを具備したことを特徴とするＭＲＩ装
    置。
  12. 【請求項１２】 請求項９から請求項１１のいずれかに
    記載のＭＲＩ装置において、前記第１のＭＲデータと前
    記第２のＭＲデータの位相差を基に静磁場の不均一分布
    を測定する静磁場不均一分布測定手段を具備したことを
    特徴とするＭＲＩ装置。
  13. 【請求項１３】 ＲＦパルス送信手段と、勾配パルス印
    加手段と、ＭＲ信号受信手段とを具備したＭＲＩ装置で
    あって、前記勾配パルス印加手段は、位相リワインド勾
    配の強度を位相エンコード勾配の強度の半分または略半
    分とすることを特徴とするＭＲＩ装置。
  14. 【請求項１４】 ＲＦパルス送信手段と、勾配パルス印
    加手段と、ＭＲ信号受信手段とを具備したＭＲＩ装置で
    あって、前記勾配パルス印加手段は、スライス・リワイ
    ンド勾配の強度をスライス・エンコード勾配の強度の半
    分または略半分とすることを特徴とするＭＲＩ装置。
  15. 【請求項１５】 ＲＦパルス送信手段と、勾配パルス印
    加手段と、ＭＲ信号受信手段とを具備したＭＲＩ装置で
    あって、前記勾配パルス印加手段は、スライス選択勾配
    の強度と等しい強度を持つキラー勾配をスライス軸に印
    加することを特徴とするＭＲＩ装置。
  16. 【請求項１６】 ＲＦパルス送信手段と、勾配パルス印
    加手段と、ＭＲ信号受信手段とを具備したＭＲＩ装置で
    あって、前記勾配パルス印加手段は、リードアウト勾配
    の強度と等しい強度を持つキラー勾配をリードアウト勾
    配に続けて周波数軸に印加することを特徴とするＭＲＩ
    装置。
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