JP2003243708A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光半導体層にバイアス印加するための電極
を支持基板の同一面側にて形成した構造の半導体発光素
子にて、発光強度を向上させ、パワーロスを防止する。 【解決手段】 支持基板１上に第１導電型の第１コンタ
クト層２が積層されている。第１コンタクト層２上に
は、第１導電型クラッド３１と第２導電型クラッド３２
の境界に発光接合部３３が形成された発光半導体層３が
積層されている。発光半導体層３上には、第２導電型の
第２コンタクト層４が積層されている。第１コンタクト
層２には、その表面の露出領域２１が発光半導体層３と
隣接形成され、この露出領域２１には発光半導体層３に
対向する略一文字状の第１の電極５が形成されている。
第２コンタクト層４上には、第１の電極５に対して遠い
位置から近づく方向に略等間隔に複数本離間して延在さ
せ、それらの先端と第１の電極５との距離を略等しくし
た棒状電極片６１を有する第２の電極６が形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子に関
し、詳しくは特に発光接合部を有する半導体層および該
半導体層のｎ型領域とｐ型領域にバイアス印加するため
の電極をそれぞれ支持基板の同一面側において形成した
構造を有する半導体発光素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、例えば特開平９−３６４２２
号や特開平８−２２８０４８号、特開平１０−９３１３
８号などに示されるように、支持基板の同一面側におい
てｎ型領域とｐ型領域を積層して発光接合部を有する半
導体層を形成し、これにバイアス印加するための電極を
支持基板の同一面側に形成した構造を有する半導体発光
素子が知られている。

【０００３】これら従来例に係る半導体発光素子は、サ
ファイア基板を支持基板としてその上にバッファ層を介
してｎ型コンタクト層が積層され、さらに発光接合層
（活性層）を有する発光半導体層、ｐ型コンタクト層が
順次積層された層構造を有している。前記発光半導体層
は、３族窒化物半導体よりなるｎ型クラッド層とｐ型ク
ラッド層が下位と上位に配されておりこれらの境界に発
光接合部が形成されている。また、前記ｎ型コンタクト
層上において前記ｐ型コンタクト層および発光半導体層
の一部をエッチングにより前記ｎ型コンタクト層が露出
するまで除去することで、前記ｎ型コンタクト層が露出
した領域が前記発光半導体層の積層領域に隣接して形成
されている。前記ｎ型コンタクト層の露出領域には平面
視において一文字状の電極が前記発光半導体層と間隔を
あけて対向するよう形成されており、一方、前記ｐ型コ
ンタクト層においても一文字状の電極が前記露出領域の
前記電極と平行となるよう形成されている。そして、前
記発光半導体層に順方向バイアスを印加（前記ｐ型コン
タクト層の電極にプラス電圧を印加）することにより、
前記ｐ型コンタクト層にそれぞれ設けた電極から前記ｎ
型コンタクト層の露出部に設けた電極に向かって電流が
流れ、前記発光半導体層中の発光接合層にてホールと電
子が結合し発光する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な従来の半導体発光素子においては、前記電極間に順方
向バイアスを印加したときに前記発光半導体層中を流れ
る電流は、前記発光半導体層中において抵抗が比較的小
さくなる領域を主として流れる傾向がある。すなわち、
前記発光半導体層中の抵抗は電流が発光半導体層中を流
れる距離が短くなるほど小さくなるため、電流は前記ｐ
型コンタクト層の電極と前記ｎ型コンタクト層の露出部
に設けた電極との間の領域を主として流れる。そのた
め、前述の通り、従来の半導体発光素子では支持基板の
同一面側においてｐ型コンタクト層の電極と前記ｎ型コ
ンタクト層の電極を互いに平行な一文字状にしているが
故に、前記発光半導体層中の発光接合層のうち電流が流
れて実質的に強く発光する領域は前記両電極の間に介在
する部分に片寄ってしまい、前記発光接合層全体を発光
領域として使えず発光強度は全体として小さくなってし
まうという問題がある。

【０００５】この問題を緩和するため、従来構成の半導
体発光素子においてｐ型コンタクト層の電極の位置を前
記ｎ型コンタクト層の電極から遠い位置になるよう配置
すれば発光領域として使える発光接合層の大きさは広が
るが、その反面、前記発光半導体層中を電流が流れる距
離も大きくなって抵抗値が大きくなりパワーロスにつな
がるという問題を生じるものであった。

【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、発光接合部を有する半導体層および
該半導体層のｎ型領域とｐ型領域にバイアス印加するた
めの電極をそれぞれ支持基板の同一面側において形成し
た構造であっても、発光強度を向上させ、しかもパワー
ロスを防止することができる半導体発光素子を提供する
ことにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は、上記目的を達成するために以下の構成を備えてい
る。すなわち、本発明の半導体発光素子は、支持基板を
備え、この支持基板上に第１導電型の第１コンタクト層
が積層されている。この第１コンタクト層上には、第１
導電型クラッドと第２導電型クラッドが夫々下位と上位
に配されてそれらの境界に発光接合部が形成された発光
半導体層が積層されている。この発光半導体層上には、
第２導電型の第２コンタクト層が積層されている。前記
第１コンタクト層にあっては、その表面が露出する領域
が前記発光半導体層と隣接形成されおり、この第１コン
タクト層の露出領域には前記発光半導体層に対向するよ
うに略一文字状に形成された第１の電極が形成されてい
る。前記第２コンタクト層上においては、前記第１の電
極に対して遠い位置から近づく方向に略等間隔に複数本
離間して延在させ、それらの先端と前記第１の電極との
距離を略等しくした棒状電極片を有する第２の電極が形
成されている。

【０００８】なお前記第１導電型ならびに第２導電型
は、ｎ型あるいはｐ型の何れかの導電型を対極的に意味
するものでって、例えば一方がｎ型であれば他方はｐ型
となる。また、前記第１コンタクト層の露出領域につい
ては、前記第１の電極が直接形成されておれば、必ずし
も最終的に大気中に直接露出した状態で存在しなくとも
よく、例えば前記第１の電極が形成された後に当該半導
体発光素子の発光を阻害せず且つ素子の物理的或いは化
学的特性に影響を及ぼさない材料で表面被覆されていて
もよい。

【０００９】本発明にあっては、順方向バイアスを印加
したとき、前記第２の電極の棒状電極片と前記第１の電
極との間において前記発光半導体層内を流れる電流の経
路が形成されることになるが、このとき前記複数の棒状
電極片は各々等間隔で離間しており且つそれらの各先端
は一文字状の前記第１の電極と略等距離となっているの
で、各棒状電極片と前記第１の電極との間で特定個所に
片寄ることなく略均一に電流経路が形成される。また、
前記棒状電極片は、前記第１の電極に対して遠い位置か
ら近づく方向に延在しているので、前記第２コンタクト
層上において第２の電極を位置を第１の電極から遠い位
置に配置しなくとも、発光の著しい電極周辺長を長くし
て前記発光接合層において発光に寄与する領域を拡大す
ることができる。その結果、本発明の半導体発光素子で
は全体として発光効率を向上させることが出来、しかも
パワーロスを来すこともない。

【００１０】本発明の半導体発光素子では、前記第２の
電極において両側の最外部に位置する２本の棒状電極片
が、それぞれ前記第１の電極の両端位置に対応するよう
配置されていると好ましい。この場合、前記第２の電極
と前記第１の電極とが対向している長さが大きくなるの
で、発光効率をより向上させることができる。

【００１１】また、本発明の半導体発光素子では、前記
棒状電極片の幅は、先端部に向かうに従って狭小してい
ると好ましい。この場合、前記第１の電極に対して第２
の電極の等電位面は電極のパターン形状、すなわち先端
部に向かうに従って幅が狭小する前記棒状電極片の形状
のように分布する。このとき電流は等電位面に対して直
交する電気力線に平行に流れるので、第１及び第２の電
極間を流れる電流は、前記棒状電極片の幅が先端側に向
かって狭小している事によって、前記第１の電極との距
離が最も近くなる前記棒状電極片の先端だけに集中せ
ず、隣り合う前記棒状電極片同士の側辺と側辺の間にも
電流が流れることになり、その結果、発光効率をより向
上させることができる。

【００１２】また、本発明の半導体発光素子では、前記
コンタクト層上において複数の前記露出領域が、前記発
光半導体層を挟むよう形成されているようにしても良
い。この場合、前記発光半導体層を挟むよう形成した前
記露出領域の各々に第１の電極を形成しておき、前述の
如き第１および第２の電極の対向関係を実現しておけ
ば、前記発光半導体層はこれを挟む双方向から発光領域
を拡大できるため、発光効率をより向上させることがで
きる。

【００１３】さらにこの場合、前記コンタクト層上にお
いて複数の前記露出領域と複数の前記発光半導体層とが
交互となるよう配置されていてもよい。このようにする
ことで、前述の如き第１および第２の電極の対向関係を
同一素子内において繰り返し実現することができ、発光
効率をより向上させることができる。

【００１４】また、本発明の半導体発光素子では、前記
第１の電極は、一文字状の代わりに複数のブロックに分
割された形状に形成され、且つこれら各ブロックは隣り
合った前記棒状電極片の先端の中間位置と対向するよう
配置されていてもよい。この場合、前記第１の電極の各
ブロックは、互いに隣り合う前記棒状電極片の各先端と
の距離が等しくなり、前記第２の電極における各棒状電
極片と第１の電極の間の電流をより均一化させることが
できる。

【００１５】また、本発明では、前記棒状電極片の先端
部は丸みが付与されていると好ましい。すなわち、電流
は角に集中しやすい傾向にあるので、先端部に丸みをつ
けることでこの電流集中を防止でき、電流のより均一化
が図れる。

【００１６】本発明は、前記支持基板がサファイア基板
であって、前記第１コンタクト層はバッファ層を介して
前記支持基板上に形成され、前記発光半導体層は３族窒
化物半導体により形成されている半導体発光素子におい
て適用すると特に有用である。すなわち、このような材
料構成の半導体発光素子では、通常、発光半導体層にバ
イアス印加するための電極をそれぞれ支持基板の同一面
側において形成した構造をとるため、本発明の効果がよ
り顕著に現れるからである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳しく説明する。

【００１８】図１は本発明の一実施形態に係る半導体発
光素子を示す斜視図であり、図２は図１に示した半導体
発行素子の平面図である。

【００１９】該実施形態に係る半導体発光素子は、絶縁
性のサファイア基板が支持基板１として用いられてお
り、この支持基板１上にはバッファ層７を介してｎ型Ｇ
ａＮよりなる第１コンタクト層２が積層形成されてい
る。バッファ層７はサファイア基板とｎ型ＧａＮとの格
子不整合を緩和するために設けられるもので、例えばＧ
ａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ等より形成される。

【００２０】ｎ型コンタクト層２の上には発光接合部３
３を有する発光半導体層３が積層形成されている。この
発光半導体層３は、３族窒化物半導体を用いて形成され
たものであって、下位にｎ型クラッド層３１、上位にｐ
型クラッド層３２を有しており、発光接合部３３はこれ
らクラッド層３１、３３の境界に形成されている。これ
らｎ型クラッド層３１、発光接合部３３、ｐ型クラッド
層３２は、例えばｎ型ＡｌＧａＮ、ｎ型ＩｎＧａＮ、ｐ
型ＡｌＧａＮを順次積層することで形成することができ
る。発光接合部３３をｎ型ＩｎＧａＮで形成する場合、
この発光接合部３３における発光色は、Ｉｎの組成比を
適宜調整したり、或いはＳｉ、Ｇｅ、Ｓ等のｎ型不純物
やＺｎ、Ｍｇ等のｐ型不純物を適宜ドープすることによ
り紫外〜赤色の範囲で所望の色に調節可能である。発光
半導体層３の上にはｐ型ＧａＮよりなる第２コンタクト
層２が積層形成されている。

【００２１】本実施形態において、第１コンタクト層２
上は、前述の如く発光半導体層３が積層されている領域
の隣に、第１コンタクト層２の表面が露出した領域２１
が形成されている。この露出領域２１は、例えば第１コ
ンタクト層２の全面に発光半導体層３および第２コンタ
クト層２を積層形成した後、これら発光半導体層３およ
び第２コンタクト層２のうち露出領域２１に相当する部
位に積層されている部分を第１コンタクト層２が露出す
るまでエッチング除去することで形成するとよい。なお
本実施形態において、第１コンタクト層２上で発光半導
体層３が積層されている領域と露出領域２１とは長辺に
て隣接する長方形となっている。なお、図２中の符号Ａ
は発光半導体層３およびｐ型コンタクト層４と露出領域
２１との境界を示している。

【００２２】露出領域２１の上には一文字状の第１の電
極５が形成されている。この第１の電極５は、境界Ａに
て立ち上がる発光半導体層３の側壁面に対し間隔をあけ
て対向し、その長手方向が境界Ａに沿って平行に延在し
ている。

【００２３】一方、ｐ型コンタクト層４の上には、第２
の電極６が形成されている。この第２の電極６は、第１
の電極５に対して直交する方向に延在する３本の棒状電
極片６１を等間隔に離間して平行に有しており、これら
３本の棒状電極片６１が第１の電極５から遠い位置の端
部にて一文字状の電極連結部６２にて接続された、いわ
ゆるクシ歯形状に形成されている。電極連結部６２から
第１の電極５に近づく方向に突出する３本の棒状電極片
６１の先端部は、第１伝導型電極との距離が略等しくな
っている。なお、図示しないが、この棒状電極片６１の
先端部は丸みを付与することもできる。この場合、電流
は角に集中しやすい傾向にあるので、先端部に丸みをつ
けることでこの電流集中を防止でき、電流のより均一化
が図れる。

【００２４】第１の電極５および第２の電極６は、上記
形状となるよう所定のマスクを用いて形成することがで
きるものであって、電極材料としては例えばＮｉ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｔｉ等の金属を使用するとよい。

【００２５】本実施形態の半導体発光素子において、順
方向バイアスすなわちｐ型である第２コンタクト層に形
成した第２の電極６にプラス電圧を印加すると、発光半
導体層３中の発光接合部３３にてホールと電子が結合し
発光する。このとき、３本の棒状電極片６１と第１の電
極５との間において発光半導体層３内を流れる電流の経
路が形成されることになるが、３本の棒状電極片６１は
各々等間隔で離間し且つそれらの各先端は第１の電極５
と等距離となっていることから、電流は各棒状電極片６
１に対して均一に流れることになる。また、棒状電極片
６１は、第１の電極５に対し直行方向に延在しているの
で、発光の著しい電極周辺長を長くして発光接合層３３
において発光に寄与する領域を第１の電極５から遠い領
域まで拡大することができ、発光素子全体として発光効
率を向上させることができる。しかも、棒状電極片６１
の先端は第１の電極５に近い位置に存在するため、抵抗
値は比較的小さくて済み、パワーロスを来すこともな
い。

【００２６】図３は他の実施形態に係る半導体発光素子
を示す平面図である。この実施形態では、棒状電極片６
１を４本とし、また最も外側に位置する２本の棒状電極
片６１がそれぞれ第１の電極５の両端位置に対応するよ
う配置した点で、図１に示した前述の実施形態とは異な
っている。

【００２７】この実施形態では、第１の電極５に対して
第２の電極６が対向している長さが最も大きく、すなわ
ち全ての棒状電極片６１が第１の電極５の長さいっぱい
の範囲で配置されることになるので、第１の電極５の長
さ分を余すことなく発光接合層３３を通る電流源に利用
でき、発光効率をより向上させることができる。

【００２８】図４は更に他の実施形態に係る半導体発光
素子を示す平面図である。この実施形態では、棒状電極
片６１が、先端部に向かうに従って幅が狭小している形
状となっている点で、図３に示した前述の実施形態とは
異なっている。

【００２９】本実施形態では、棒状電極片６１が先端側
に向かって幅が狭小していることから、棒状電極片６１
の側辺は第１の電極５に対し直交方向ではなく斜めにな
っている。第２の電極の等電位面は電極のパターン形状
のように分布することから、棒状電極片６１では先端部
と同様に側辺部にも等電位面が分布する。バイアス印加
したとき、第２の電極での電流の流れは等電位面に対し
て直交する電気力線に平行に流れるので、第１の電極５
との距離が最も近くなる棒状電極片６１の先端だけに集
中せず、隣り合う棒状電極片６１、６１同士の側辺と側
辺の間にも電流が流れることになる。その結果、発光効
率をより向上させることができる。

【００３０】図５は更に他の実施形態に係る半導体発光
素子を示す平面図である。この実施形態では、コンタク
ト層２上において発光半導体層３を挟むように２つの露
出領域２１が形成されており、２つの露出領域２１には
それぞれ一文字状の第１の電極５が形成され、またコン
タクト層２上の第２の電極６において各棒状電極片６１
はコンタクト層２の略中央にて電極連結部６２にて連結
されており、この電極連結部６２から左右両側に向かっ
て突出する各棒状電極片６１はいずれも先端側に向かっ
て幅が狭小している点で、図４に示した前述の実施形態
とは異なっている。

【００３１】本実施形態では、発光半導体層３を２つの
露出領域２１で挟む構成としていることで、前述の実施
形態で述べた如き第１の電極５と第２の電極６の対向関
係を発光半導体層３の左右両側で実現しており、発光半
導体層３の左右双方向から発光領域を拡大できるため、
発光効率をより向上させることができる。

【００３２】図６は更に他の実施形態に係る半導体発光
素子を示す平面図である。この実施形態では、コンタク
ト層２上において露出領域２１を３箇所、発光半導体層
３を２箇所として、これらが交互となるよう配置されて
いる点で、図５に示した前述の実施形態とは異なってい
る。

【００３３】本実施形態では、図５で示した実施形態で
述べた如き発光半導体層３での発光構造を同一素子内に
おいて複数箇所で実現しており、発光効率をより向上さ
せることができる。

【００３４】図７は更に他の実施形態に係る半導体発光
素子を示す平面図である。この実施形態では、第１の電
極５が一文字状の代わりに複数のブロック５１に分割さ
れた形状に形成されている点で、図４に示した前述の実
施形態とは異なっている。各ブロック５１は隣り合った
前記棒状電極片の先端の中間位置と対向するよう配置さ
れている。なお図示しないが、各ブロック５１は同電位
となるよう接続されている。

【００３５】本実施形態では、第１の電極５の各ブロッ
ク５１は、互いに隣り合う棒状電極片６１の各先端との
距離が等しくなっているため、第２の電極６における各
棒状電極片６１と第１の電極５の間の電流をより均一化
させることができる。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る半
導体発光素子にあっては、第２の電極が有する複数の棒
状電極片は各々等間隔で離間しており且つそれらの各先
端は一文字状の第１の電極と略等距離となっているの
で、順方向バイアスを印加したとき、各棒状電極片と前
記第１の電極との間で特定個所に片寄ることなく略均一
に電流経路が形成される。また前記棒状電極片は、前記
第１の電極に対して遠い位置から近づく方向に延在して
いるので、前記第２コンタクト層上において第２の電極
を位置を第１電極から遠い位置に配置しなくとも、発光
の著しい電極周辺長を長くして前記発光接合層において
発光に寄与する領域を拡大することができる。その結
果、本発明の半導体発光素子では全体として発光効率を
向上させることが出来、しかもパワーロスを来すことも
ない、という効果を奏する。

【００３７】請求項２に係る半導体発光素子にあって
は、請求項１の発明において、前記第２の電極において
両側の最外部に位置する２本の棒状電極片が、それぞれ
前記第１の電極の両端位置に対応するよう配置されてい
るので、前記第２の電極と前記第１の電極とが対向して
いる長さが大きくなり、発光効率をより向上させること
ができる。

【００３８】請求項３に係る半導体発光素子にあって
は、請求項１又は２の発明において、前記棒状電極片の
幅は、先端部に向かうに従って狭小しているので、前記
第１の電極との距離が最も近くなる前記棒状電極片の先
端だけに集中せず、隣り合う前記棒状電極片同士の側辺
と側辺の間にも電流が流れることになり、その結果、発
光効率をより向上させることができる。

【００３９】請求項４に係る半導体発光素子にあって
は、請求項１乃至３のいずれかの発明において、前記コ
ンタクト層上において複数の前記露出領域が、前記発光
半導体層を挟むよう形成されているので、前記発光半導
体層を挟む双方向から発光領域を拡大でき、発光効率を
より向上させることができる。

【００４０】請求項５に係る半導体発光素子にあって
は、請求項４の発明において、前記コンタクト層上にお
いて複数の前記露出領域と複数の前記発光半導体層とが
交互となるよう配置されているので、同一素子内におい
て複数の前記発光半導体層にて発光領域を拡大でき、発
光効率をより向上させることができる。

【００４１】請求項６に係る半導体発光素子にあって
は、請求項１ないし請求項５のいずれかの発明におい
て、前記第１の電極は、一文字状の代わりに複数のブロ
ックに分割された形状に形成され、且つこれら各ブロッ
クは隣り合った前記棒状電極片の先端の中間位置と対向
するよう配置されているので、前記各ブロックは、互い
に隣り合う前記棒状電極片の各先端との距離が等しくな
り、前記第２の電極における各棒状電極片と第１の電極
の間の電流をより均一化させることができる。

【００４２】請求項７に係る半導体発光素子にあって
は、請求項１ないし請求項６のいずれかの発明におい
て、前記棒状電極片の先端部は丸みが付与されているの
で、先端部に角が無くなりこの角への電流集中を防止で
き、電流のより均一化を図ることができる。

【００４３】請求項８に係る半導体発光素子にあって
は、請求項１ないし請求項７のいずれかの発明におい
て、前記支持基板がサファイア基板であって、前記第１
コンタクト層はバッファ層を介して前記支持基板上に形
成され、前記発光半導体層は３族窒化物半導体により形
成されている構成とすることで、本発明の効果はより顕
著なものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子を示
す斜視図である。

【図２】同上実施形態の半導体発光素子の平面図であ
る。

【図３】本発明の他の実施形態に係る半導体発光素子の
平面図である。

【図４】本発明のさらに他の実施形態に係る半導体発光
素子の平面図である。

【図５】本発明のさらに他の実施形態に係る半導体発光
素子の平面図である。

【図６】本発明のさらに他の実施形態に係る半導体発光
素子の平面図である。

【図７】本発明のさらに他の実施形態に係る半導体発光
素子の平面図である。

【符号の説明】

１ 支持基板 ２ 第１コンタクト層 ２１ 露出領域 ３ 発光半導体層 ３１ ｎ型クラッド（第１導電型クラッド） ３２ 発光接合部 ３３ ｐ型クラッド（第２導電型クラッド） ４ 第２コンタクト層 ５ 第１の電極 ６ 第２の電極 ６１ 棒状電極片

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 葛原 一功 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 早崎 嘉城 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 長浜 英雄 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 AA04 BB02 BB05 BB09 BB14 CC01 FF11 GG04 HH20 5F041 AA03 AA05 AA08 CA04 CA40 CA46 CA93

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持基板と、この支持基板上に積層され
   た第１導電型の第１コンタクト層と、 この第１コンタクト層上に積層され、第１導電型クラッ
   ドと第２導電型クラッドが夫々下位と上位に配されてそ
   れらの境界に発光接合部が形成された発光半導体層と、 この発光半導体層上に積層された第２導電型の第２コン
   タクト層と、 前記第１コンタクト層の表面が露出する領域が前記発光
   半導体層と隣接形成されて、この第１コンタクト層の露
   出領域に前記発光半導体層に対向するように略一文字状
   に形成された第１の電極と、 前記第２コンタクト層上において、前記第１の電極に対
   して遠い位置から近づく方向に略等間隔に複数本離間し
   て延在させ、それらの先端と前記第１の電極との距離を
   略等しくした棒状電極片を有する第２の電極と、 を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
2. 【請求項２】 前記第２の電極において両側の最外部に
   位置する２本の棒状電極片は、それぞれ前記第１の電極
   の両端位置に対応するよう配置されていることを特徴と
   する請求項１記載の半導体発光素子。
3. 【請求項３】 前記棒状電極片の幅は、先端部に向かう
   に従って狭小していることを特徴とする請求項１又は２
   記載の半導体発光素子。
4. 【請求項４】 前記コンタクト層上において複数の前記
   露出領域が、前記発光半導体層を挟むよう形成されてい
   ることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半
   導体発光素子。
5. 【請求項５】 前記コンタクト層上において複数の前記
   露出領域と複数の前記発光半導体層とが交互となるよう
   配置されていることを特徴とする請求項４記載の半導体
   発光素子。
6. 【請求項６】 前記第１の電極は、一文字状の代わりに
   複数のブロックに分割された形状に形成され、且つこれ
   ら各ブロックは隣り合った前記棒状電極片の先端の中間
   位置と対向するよう配置されていることを特徴とする請
   求項１乃至５のいずれかに記載の半導体発光素子。
7. 【請求項７】 前記棒状電極片の先端部は丸みが付与さ
   れていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに
   記載の半導体発光素子。
8. 【請求項８】 前記支持基板がサファイア基板であっ
   て、前記第１コンタクト層はバッファ層を介して前記支
   持基板上に形成され、前記発光半導体層は３族窒化物半
   導体により形成されていることを特徴とする請求項１乃
   至７のいずれかに記載の半導体発光素子。