JP2008071946A - 半導体発光素子アレイ - Google Patents
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Abstract
【課題】過電流を適切に防止することが可能な半導体発光素子アレイを提供すること。
【解決手段】基板1と、基板1に搭載されており、それぞれがn型半導体層、活性層、およびp型半導体層を有する複数の半導体発光素子2と、を備えた半導体発光素子アレイAであって、複数の半導体発光素子2に対して直列に接続されたPTCR素子3を備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】基板1と、基板1に搭載されており、それぞれがn型半導体層、活性層、およびp型半導体層を有する複数の半導体発光素子2と、を備えた半導体発光素子アレイAであって、複数の半導体発光素子2に対して直列に接続されたPTCR素子3を備えている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、LEDなど複数の半導体発光素子を有する半導体発光素子アレイに関する。
面発光可能な光源のひとつとして、半導体発光素子アレイが提案されている(たとえば、特許文献1)。図4は、従来の半導体発光素子アレイの一例を示している。同図に示された半導体発光素子アレイXは、基板91に複数の半導体発光素子92が搭載された構成とされている。基板91には、2つの電極93が形成されている。複数の半導体発光素子92は、2つの電極93間において、たがいに直列に接続されている。2つの電極93に直流電圧が印加されると、複数の半導体発光素子92が一斉に発光する。これにより、半導体発光素子アレイXは、面発光可能な光源として機能する。
しかしながら、複数の半導体発光素子92のいずれかにおいてショートが生じると、半導体発光素子アレイX全体に定格電流を大きく超える過電流が流れるおそれがある。このような過電流の対策としては、半導体発光素子アレイXが実装される回路側に過電流遮断手段を備えることが考えられる。半導体発光素子アレイXを適切に発光させつつ過電流を遮断するには、半導体発光素子アレイXに応じて、上記過電流遮断手段を個別に選定する必要があった。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、過電流を適切に防止することが可能な半導体発光素子アレイを提供することをその課題とする。
本発明によって提供される半導体発光素子アレイは、基板と、上記基板に搭載されており、それぞれがn型半導体層、活性層、およびp型半導体層を有する複数の半導体発光素子と、を備えた半導体発光素子アレイであって、上記複数の半導体発光素子に対して直列に接続された過電流遮断手段を備えていることを特徴としている。
このような構成によれば、上記複数の半導体発光素子に供給される電流は、すべて上記過電流遮断手段を流れる。このため、上記複数の半導体発光素子のいずれかがショートするなどにより過電流が生じても、この過電流を瞬時に遮断することができる。また、上記過電流遮断手段は、上記半導体発光素子アレイの構成要素として上記基板上に備えられている。このため、上記過電流遮断手段の仕様を、上記複数の半導体発光素子の数や個々の定格出力に合わせて適切に選定することができる。これは、本発明と異なり、上記半導体発光素子アレイが搭載される回路側に過電流遮断手段を備える場合とくらべて、上記半導体発光素子アレイに生じた過電流を遮断するのに有利である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記過電流遮断手段は、PTCR素子である。このような構成によれば、上記半導体発光素子に過電流が生じると、上記PTCR素子の温度がキュリー温度以上となることにより、過電流を瞬時に遮断することができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1および図2は、本発明に係る半導体発光素子アレイの一例を示している。本発明に係る半導体発光素子アレイAは、基板1、複数の半導体発光素子群2A、PTCR素子3、絶縁層4、配線5、および電極6を備えている。半導体発光素子アレイAは、直流または交流の電圧が印加されることにより、面発光可能なデバイスとして構成されている。
基板1は、たとえばサファイアからなり、複数の半導体発光素子群2A、PTCR素子3、絶縁層4、配線5、および電極6を支持している。本実施形態においては、基板1は、その厚さが300μm以下とされている。
複数の半導体発光素子群2Aは、基板1上にマトリクス上に配置されている。半導体発光素子群2Aは、1対の半導体発光素子2からなる。
図2に示すように、半導体発光素子2は、バッファ層21、n−GaN層22、活性層23、p−GaN層24、n側電極25、およびp側電極26を備えている。半導体発光素子2は、n側電極25およびp側電極26間に電圧が印加されると、図中上方に向けて光を出射するように構成されている。
バッファ層21は、たとえばAlGaNからなり、基板1とn−GaN層22との格子歪を緩和するためのものである。本実施形態においては、バッファ層21は、その厚さが3μm以下とされている。
n−GaN層22は、GaNにたとえばSiがドープされたn型半導体からなり、本発明で言うn型半導体層の一例である。本実施形態においては、n−Gan層22は、その厚さが2.5〜3.0μm程度の厚肉部分と、この厚肉部分よりも薄肉である薄肉部分とを有している。この薄肉部分には、n側電極25が形成されている。n側電極25は、たとえばTiおよびAlが積層されたものである。
活性層23は、たとえばInGaNを含むMQW(重量子井戸:Multiple Quantum Well)構造とされた層であり、電子と正孔とが再結合することにより発せられる光を増幅させるための層である。活性層23は、たとえば複数のInGaN層と複数のGaN層とが交互に積層されている。上記InGaN層は、Inの組成比がたとえば17%程度とされることにより、n−GaN層22よりもバンドギャップが小とされており、活性層23の井戸層を構成している。なお、n−GaN層22と活性層23との間には、格子歪を緩和することを目的として、InGaNおよびGaNが一原子毎に交互に積層された超格子層を形成してもよい。
p−GaN層24は、GaNにたとえばMgがドープされたp型半導体からなり、本発明で言うp型半導体層の一例である。本実施形態においては、活性層23とp−GaN層24とをあわせた厚さが、0.6μm程度とされている。p−GaN層24には、p側電極26が形成されている。p側電極26は、たとえばNiからなる。
図3に示すように、半導体発光素子群2Aに含まれる2つの半導体発光素子2は、一方のn側電極25と他方のp側電極26とが配線5によって接続されている。これにより、半導体発光素子群2Aに電圧が印加されると、その電圧の方向に応じて2つの半導体発光素子2のいずれかが発光する。また、図1に示すように複数の半導体発光素子群2Aは、互いに直列に配置されている。したがって、複数の半導体発光素子群2Aに電圧が印加されると、この電圧が直流または交流のいずれであっても、各半導体発光素子群2Aを構成する2つの半導体発光素子2のいずれか一方が発光することとなる。なお、図3は、理解の便宜上、基板1および絶縁層4を省略している。
PTCR(Positive Temperature Coefficient of Resistivity)素子3は、本発明で言う過電流遮断手段の一例である。PTCR素子3は、たとえばチタン酸バリウムを用いて形成されており、その温度がキュリー点を超えるとその抵抗値が顕著に高くなる性質を有している。PTCR素子3は、複数の半導体発光素子群2Aに対して直列に接続されている。PTCR素子3の形成は、たとえば基板1に複数の半導体発光素子群2Aを形成した後に、スパッタ法を用いて基板1の所望箇所にチタン酸バリウムの薄膜を形成することによって行う。
絶縁層4は、たとえばSiO2などの絶縁材料からなり、複数の半導体発光素子2を覆っている。絶縁層4には、複数の孔が設けられている。これらの孔からは、n側電極25およびp側電極26が露出している。
配線5は、たとえばAlまたはPtの薄膜からなり、複数の半導体発光素子2どうし、および複数の半導体発光素子群2Aどうしを導通させている。
電極6は、たとえばAuからなり、半導体発光素子アレイAに電力を供給するためのものである。電極6には、たとえば図外のワイヤがボンディングされる。
次に、半導体発光素子アレイAの作用について説明する。
本実施形態によれば、複数の半導体発光素子群2Aに供給される電流は、すべてPTCR素子3を流れる。この電流が定格電流を超える過電流となった場合は、PTCR素子3の温度がキュリー温度を超えることにより、PTCR素子3の抵抗値が顕著に大きくなる。これにより、PTCR素子3によって過電流を適切に遮断することができる。
PTCR素子3は、半導体発光素子アレイAの構成要素として備えられている。このため、PTCR素子3の定格抵抗値や、遮断可能な過電流の大きさなどを、半導体発光素子アレイAに備えられた複数の半導体発光素子Aの数や個々の定格出力に合わせて適切に選定することができる。これは、本発明と異なり、半導体発光素子アレイが搭載される回路側に過電流遮断手段を備える場合とくらべて、半導体発光素子アレイAに生じた過電流を遮断するのに有利である。
本発明に係る半導体発光素子アレイは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光素子アレイの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
本発明で言う過電流遮断手段は、PTCR素子に限定されず、たとえばAuからなる配線の一部を顕著に狭幅とすることにより構成されたヒューズなど、本発明に係る半導体発光素子アレイを適切に発光させる定格電流を大きく超える過電流を適切に遮断可能なものであればよい。複数の半導体発光素子は、上述した複数の半導体発光素子群を構成するものに限定されず、すべての複数の半導体発光素子が直列に接続された構成であってもよい。
A 半導体発光素子アレイ
1 基板
2 半導体発光素子
2A 半導体発光素子群
3 PTCR素子(過電流遮断手段)
4 絶縁層
5 配線
6 電極
21 バッファ層
22 n−GaN層(n型半導体層)
23 活性層
24 p−GaN層(p型半導体層)
25 n側電極
26 p側電極
1 基板
2 半導体発光素子
2A 半導体発光素子群
3 PTCR素子(過電流遮断手段)
4 絶縁層
5 配線
6 電極
21 バッファ層
22 n−GaN層(n型半導体層)
23 活性層
24 p−GaN層(p型半導体層)
25 n側電極
26 p側電極
Claims (2)
- 基板と、
上記基板に搭載されており、それぞれがn型半導体層、活性層、およびp型半導体層を有する複数の半導体発光素子と、
を備えた半導体発光素子アレイであって、
上記複数の半導体発光素子に対して直列に接続された過電流遮断手段を備えていることを特徴とする、半導体発光素子アレイ。 - 上記過電流遮断手段は、PTCR素子である、請求項1に記載の半導体発光素子アレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006249387A JP2008071946A (ja) | 2006-09-14 | 2006-09-14 | 半導体発光素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006249387A JP2008071946A (ja) | 2006-09-14 | 2006-09-14 | 半導体発光素子アレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008071946A true JP2008071946A (ja) | 2008-03-27 |
Family
ID=39293285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006249387A Pending JP2008071946A (ja) | 2006-09-14 | 2006-09-14 | 半導体発光素子アレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008071946A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100965243B1 (ko) | 2008-08-22 | 2010-06-22 | 서울옵토디바이스주식회사 | 교류용 발광 다이오드 |
JP2012518912A (ja) * | 2009-04-07 | 2012-08-16 | 海立▲爾▼股▲ふん▼有限公司 | 過負荷保護を有する交流発光ダイオード構造 |
DE102011114253A1 (de) * | 2011-09-26 | 2013-03-28 | e:lumix OptoSemi Industries Verwaltungs GmbH | Leuchtvorrichtung |
-
2006
- 2006-09-14 JP JP2006249387A patent/JP2008071946A/ja active Pending
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