JP2003242621A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
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- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノイズを抑え、GMRヘッドの飽和及び静電
気破壊を抑える。 【解決手段】 非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成さ
れてなり、 金属磁性薄膜の表面電気抵抗が1×103
Ω/sq.〜1×107Ω/sq.の範囲であり、残留
磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tが、4mA〜13m
Aの範囲であり、残留磁化量Mrが、160kA/m〜
360kA/mの範囲である。
気破壊を抑える。 【解決手段】 非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成さ
れてなり、 金属磁性薄膜の表面電気抵抗が1×103
Ω/sq.〜1×107Ω/sq.の範囲であり、残留
磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tが、4mA〜13m
Aの範囲であり、残留磁化量Mrが、160kA/m〜
360kA/mの範囲である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆる金属磁性
薄膜型の磁気記録媒体に関するものであり、特に巨大磁
気抵抗効果型再生ヘッドを用いたヘリカルスキャン磁気
記録システムに用いて好適な磁気記録媒体に関するもの
である。
薄膜型の磁気記録媒体に関するものであり、特に巨大磁
気抵抗効果型再生ヘッドを用いたヘリカルスキャン磁気
記録システムに用いて好適な磁気記録媒体に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ
エステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分
散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥することにより作製さ
れる、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く使用されて
いる。
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ
エステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分
散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥することにより作製さ
れる、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く使用されて
いる。
【0003】これに対して、高密度記録への要求の高ま
りとともに、Co−Ni、Co−Cr、Co等の金属磁
性材料をメッキや真空薄膜形成手段(真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等)によって非
磁性支持体上に直接被着した、いわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体が提案され、注目を集めている。
りとともに、Co−Ni、Co−Cr、Co等の金属磁
性材料をメッキや真空薄膜形成手段(真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等)によって非
磁性支持体上に直接被着した、いわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体が提案され、注目を集めている。
【0004】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄
くできるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さいこ
と、磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要が
ないため、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化を得
ることができる等、数々の利点を有している。
磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄
くできるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さいこ
と、磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要が
ないため、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化を得
ることができる等、数々の利点を有している。
【0005】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするため、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際
し、磁性層を斜方に蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案
され、高画質VTR用、デジタルVTR用の磁気テープ
として実用化されている。
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするため、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際
し、磁性層を斜方に蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案
され、高画質VTR用、デジタルVTR用の磁気テープ
として実用化されている。
【0006】さらに近年、扱う情報量の増加にともない
記録密度の向上が望まれ、インダクティブヘッド(誘導
型磁気ヘッド)よりも検出感度の高いMRヘッドへ移行
されつつあるが、さらに高記録密度化を達成するために
スピンバルブ素子から構成されるGMRヘッドの採用が
不可欠となっている。
記録密度の向上が望まれ、インダクティブヘッド(誘導
型磁気ヘッド)よりも検出感度の高いMRヘッドへ移行
されつつあるが、さらに高記録密度化を達成するために
スピンバルブ素子から構成されるGMRヘッドの採用が
不可欠となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、GMR
ヘッドは高感度であるため磁気記録媒体の低ノイズ化、
ヘッド飽和、ならびにESD(静電気破壊)の問題があ
る。従来のインダクティブヘッド用、MRヘッド用に設
計されたテープでは、媒体ノイズが大きく、残留磁化量
が大きいためにヘッド飽和が生じてしまう。さらに、テ
ープ表面の帯電によってGMRヘッドが静電気により破
壊される恐れがあった。
ヘッドは高感度であるため磁気記録媒体の低ノイズ化、
ヘッド飽和、ならびにESD(静電気破壊)の問題があ
る。従来のインダクティブヘッド用、MRヘッド用に設
計されたテープでは、媒体ノイズが大きく、残留磁化量
が大きいためにヘッド飽和が生じてしまう。さらに、テ
ープ表面の帯電によってGMRヘッドが静電気により破
壊される恐れがあった。
【0008】本発明はこのような従来の実情に鑑みて提
案されたものであり、ノイズを抑え、GMRヘッドの飽
和及び静電気破壊を抑えた磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
案されたものであり、ノイズを抑え、GMRヘッドの飽
和及び静電気破壊を抑えた磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成されてなり、
当該金属磁性薄膜の表面電気抵抗が1×103Ω/s
q.〜1×107Ω/sq.の範囲であり、残留磁化量
Mrと膜厚tとの積Mr・tが、4mA〜13mAの範
囲であり、残留磁化量Mrが、160kA/m〜360
kA/mの範囲であることを特徴とする。
は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成されてなり、
当該金属磁性薄膜の表面電気抵抗が1×103Ω/s
q.〜1×107Ω/sq.の範囲であり、残留磁化量
Mrと膜厚tとの積Mr・tが、4mA〜13mAの範
囲であり、残留磁化量Mrが、160kA/m〜360
kA/mの範囲であることを特徴とする。
【0010】上述したような本発明に係る磁気記録媒体
では、表面電気抵抗が上記範囲に規定されているので、
金属磁性薄膜表面の帯電又は電流の流れが抑えられる。
また、この磁気記録媒体では、残留磁化量Mrと膜厚t
との積Mr・tが上記範囲に規定されているので、再生
波形の歪みがなく、再生出力が大きくなる。また、この
磁気記録媒体では、残留磁化量Mrが上記のように規定
されているので、ノイズが減少し、充分な再生出力を有
するものとなる。
では、表面電気抵抗が上記範囲に規定されているので、
金属磁性薄膜表面の帯電又は電流の流れが抑えられる。
また、この磁気記録媒体では、残留磁化量Mrと膜厚t
との積Mr・tが上記範囲に規定されているので、再生
波形の歪みがなく、再生出力が大きくなる。また、この
磁気記録媒体では、残留磁化量Mrが上記のように規定
されているので、ノイズが減少し、充分な再生出力を有
するものとなる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した磁気記録
媒体を実施の形態について図面を参照しながら詳細に説
明ずる。
媒体を実施の形態について図面を参照しながら詳細に説
明ずる。
【0012】本発明に係る磁気記録媒体1は、図1に示
すように、テープ状の非磁性支持体2上に金属磁性薄膜
からなる磁性層3を有する。
すように、テープ状の非磁性支持体2上に金属磁性薄膜
からなる磁性層3を有する。
【0013】非磁性支持体2としては、例えば、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタ
レート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリオ
レフイン類、セルローストリアセテート、セルロースダ
イアセテート等のセルロース誘導体、ポリアミド、アラ
ミド樹脂、ポリカーボネート等のプラスチック等が挙げ
られる。非磁性支持体は、単層構造であっても多層構造
であってもよい。また、例えば、非磁性支持体の表面に
は、コロナ放電処理等の表面処理が施されていてもよい
し、易接着層等の有機物層が形成されていてもよい。
チレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタ
レート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリオ
レフイン類、セルローストリアセテート、セルロースダ
イアセテート等のセルロース誘導体、ポリアミド、アラ
ミド樹脂、ポリカーボネート等のプラスチック等が挙げ
られる。非磁性支持体は、単層構造であっても多層構造
であってもよい。また、例えば、非磁性支持体の表面に
は、コロナ放電処理等の表面処理が施されていてもよい
し、易接着層等の有機物層が形成されていてもよい。
【0014】また、磁性層3は、真空蒸着法、スパッタ
リング法、CVD(Chemical VaperDeposition)法、イ
オンプレーティング法等、従来公知の手法を用いて金属
磁性薄膜を被着させて形成される。中でも、金属磁性薄
膜としては、真空蒸着法により成膜されたものが好まし
い。金属磁性薄膜の厚さはラインスピードを変化される
ことにより制御することが可能であり、残留磁化量は蒸
着中の酸素導入量を変化させることにより制御すること
が可能である.例えば、15〜40nmといった膜厚の
金属磁性薄膜を確実に成膜することができる。
リング法、CVD(Chemical VaperDeposition)法、イ
オンプレーティング法等、従来公知の手法を用いて金属
磁性薄膜を被着させて形成される。中でも、金属磁性薄
膜としては、真空蒸着法により成膜されたものが好まし
い。金属磁性薄膜の厚さはラインスピードを変化される
ことにより制御することが可能であり、残留磁化量は蒸
着中の酸素導入量を変化させることにより制御すること
が可能である.例えば、15〜40nmといった膜厚の
金属磁性薄膜を確実に成膜することができる。
【0015】また、磁性層3の金属磁性薄膜は、例え
ば、Cr下地層上に成膜されてもよい。下地層として
は、Crの他に、CrTi、CrMo、CrV等が使用
される。
ば、Cr下地層上に成膜されてもよい。下地層として
は、Crの他に、CrTi、CrMo、CrV等が使用
される。
【0016】ここで、本発明の磁気記録媒体1では、残
留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tが、4mA〜13
mAの範囲とされている。磁気記録媒体1のMr・tが
13mAよりも大きすぎると、GMRヘッドが飽和し
て、MR抵抗変化が線形な領域を外れ、再生波形が歪ん
でしまう。また、Mr・tが4mAよりも小さすぎる
と、再生出力が小さくなり良好なSN比(信号/ノイズ
比)を得ることが出来なくなってしまう。従って、Mr
・tを、4mA〜13mAの範囲に規定することで、再
生波形の歪みがなく、再生出力が大きく良好なSN比を
有するものとなる。
留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tが、4mA〜13
mAの範囲とされている。磁気記録媒体1のMr・tが
13mAよりも大きすぎると、GMRヘッドが飽和し
て、MR抵抗変化が線形な領域を外れ、再生波形が歪ん
でしまう。また、Mr・tが4mAよりも小さすぎる
と、再生出力が小さくなり良好なSN比(信号/ノイズ
比)を得ることが出来なくなってしまう。従って、Mr
・tを、4mA〜13mAの範囲に規定することで、再
生波形の歪みがなく、再生出力が大きく良好なSN比を
有するものとなる。
【0017】これらMrとtについては、蒸着時の酸素
導入量と非磁性支持体の送りスピードなどの条件によっ
て制御することが可能である。すなわち、蒸着時の酸素
導入量を少なくすれば、Mrは大きくなり、酸素導入量
を多くすれば、Mrは小さくなる。また、蒸着時の非磁
性支持体の送りスピードを遅くすればtは厚くなり、送
りスピードを遅くすればtは薄くなる。また、磁性層形
成後の表面酸化処理によってもMrを調整することがで
きる。
導入量と非磁性支持体の送りスピードなどの条件によっ
て制御することが可能である。すなわち、蒸着時の酸素
導入量を少なくすれば、Mrは大きくなり、酸素導入量
を多くすれば、Mrは小さくなる。また、蒸着時の非磁
性支持体の送りスピードを遅くすればtは厚くなり、送
りスピードを遅くすればtは薄くなる。また、磁性層形
成後の表面酸化処理によってもMrを調整することがで
きる。
【0018】そして、このときの残留磁化量Mrは、1
60kA/m〜360kA/mの範囲であることが好ま
しい。Mrが360kA/mよりも大きすぎると、磁性
粒子の分離が出来ず、磁気的相互作用によりノイズが増
大してしまう。また、Mrが160kA/mよりも小さ
すぎると、Co粒子の酸化が進行し、充分な再生出力を
得ることが出来ない。従って、Mrを160kA/m〜
360kA/mの範囲に規定することで、ノイズを減少
させ、充分な再生出力を付与することができる。そし
て、Mrは200kA/m〜340kA/mの範囲であ
ることがより好ましい。
60kA/m〜360kA/mの範囲であることが好ま
しい。Mrが360kA/mよりも大きすぎると、磁性
粒子の分離が出来ず、磁気的相互作用によりノイズが増
大してしまう。また、Mrが160kA/mよりも小さ
すぎると、Co粒子の酸化が進行し、充分な再生出力を
得ることが出来ない。従って、Mrを160kA/m〜
360kA/mの範囲に規定することで、ノイズを減少
させ、充分な再生出力を付与することができる。そし
て、Mrは200kA/m〜340kA/mの範囲であ
ることがより好ましい。
【0019】また、本発明の磁気記録媒体1において、
表面電気抵抗は、1×103Ω/sq.〜1×107Ω
/sq.の範囲であることが好ましい。表面電気抵抗が
1×107Ω/sq.よりも大きすぎると、磁気テープ
走行中などにテープ表面に大きな電荷が帯電し、GMR
ヘッドと接触した際にESD破壊(静電破壊)の原因と
なってしまう。また、表面電気抵抗が1×103Ω/s
q.よりも小さすぎると、媒体表面に電荷が流れやすく
なり、GMRヘッドと接触したときにヘッドに電流が急
激に流れ、ESD破壊の原因となってしまう。従って、
表面電気抵抗を1×103Ω/sq.〜1×107Ω/
sq.の範囲に規定することで、金属磁性薄膜表面の帯
電又は電流の流れを抑えて、GMRヘッドの静電破壊を
防止することができる。
表面電気抵抗は、1×103Ω/sq.〜1×107Ω
/sq.の範囲であることが好ましい。表面電気抵抗が
1×107Ω/sq.よりも大きすぎると、磁気テープ
走行中などにテープ表面に大きな電荷が帯電し、GMR
ヘッドと接触した際にESD破壊(静電破壊)の原因と
なってしまう。また、表面電気抵抗が1×103Ω/s
q.よりも小さすぎると、媒体表面に電荷が流れやすく
なり、GMRヘッドと接触したときにヘッドに電流が急
激に流れ、ESD破壊の原因となってしまう。従って、
表面電気抵抗を1×103Ω/sq.〜1×107Ω/
sq.の範囲に規定することで、金属磁性薄膜表面の帯
電又は電流の流れを抑えて、GMRヘッドの静電破壊を
防止することができる。
【0020】この表面電気抵抗は、例えば、金属磁性薄
膜上に形成されるダイヤモンドライクカーボン(DL
C)保護膜の厚みなどを制御することによって調整する
ことができる。
膜上に形成されるダイヤモンドライクカーボン(DL
C)保護膜の厚みなどを制御することによって調整する
ことができる。
【0021】そして、金属磁性薄膜の厚みtは、15n
m〜40nmの範囲であることが好ましい。tを上記の
ように規定することで、本発明における磁気記録媒体1
のMr・t、Mr、表面電気抵抗を上記範囲に調整する
ことが可能となる。
m〜40nmの範囲であることが好ましい。tを上記の
ように規定することで、本発明における磁気記録媒体1
のMr・t、Mr、表面電気抵抗を上記範囲に調整する
ことが可能となる。
【0022】さらに、本発明の磁気記録媒体1におい
て、面内方向での保磁力Hcは、100kA/m〜16
0kA/mの範囲であることが好ましい。保磁力が10
0kA/mよりも小さいと、低ノイズ化、高SN比を実
現することができない。また、保磁力が160kA/m
を超えると、充分な記録が出来なくなり、再生出力が低
下してしまう。従って、面内方向での保磁力を100k
A/m〜160kA/mの範囲に規定することで、低ノ
イズ化、高SN比を実現し、高い再生出力を有するもの
となる。
て、面内方向での保磁力Hcは、100kA/m〜16
0kA/mの範囲であることが好ましい。保磁力が10
0kA/mよりも小さいと、低ノイズ化、高SN比を実
現することができない。また、保磁力が160kA/m
を超えると、充分な記録が出来なくなり、再生出力が低
下してしまう。従って、面内方向での保磁力を100k
A/m〜160kA/mの範囲に規定することで、低ノ
イズ化、高SN比を実現し、高い再生出力を有するもの
となる。
【0023】なお、本発明に係る磁気記録媒体1におい
ては、磁性層表面に保護層が形成されていてもよいが、
この材料としては、通常の金属磁性薄膜用の保護膜とし
て使用されるものであれば、如何なるものであってもよ
い。例示するならば、ダイヤモンドライクカーボン(D
LC)や、CrO2、Al2O3、BN、Co酸化物、
MgO、SiO2、Si3O4、SiNx、SiC、S
iNx−SiO2、ZrO2、TiO2、TiC等が挙
げられる。これらの単層膜であってもよいし、多層膜あ
るいは複合膜であってもよい。
ては、磁性層表面に保護層が形成されていてもよいが、
この材料としては、通常の金属磁性薄膜用の保護膜とし
て使用されるものであれば、如何なるものであってもよ
い。例示するならば、ダイヤモンドライクカーボン(D
LC)や、CrO2、Al2O3、BN、Co酸化物、
MgO、SiO2、Si3O4、SiNx、SiC、S
iNx−SiO2、ZrO2、TiO2、TiC等が挙
げられる。これらの単層膜であってもよいし、多層膜あ
るいは複合膜であってもよい。
【0024】もちろん磁気記録媒体1の構成はこれに限
定されるものではなく、必要に応じて非磁性支持体上に
下塗層が形成されたり、非磁性支持体における金属磁性
薄膜が成膜された面とは反対側の面にバックコート層を
設けたり、金属磁性薄膜または保護膜表面に潤滑剤や防
錆剤等よりなるトップコート層を形成したりしてもよ
い。さらに、磁気記録媒体1としては、複数の磁性層を
積層したものであってもよい。さらにまた、磁気記録媒
体1としては、垂直異方性或いは面内ランダム配向性を
有するディスク状であってもよい。
定されるものではなく、必要に応じて非磁性支持体上に
下塗層が形成されたり、非磁性支持体における金属磁性
薄膜が成膜された面とは反対側の面にバックコート層を
設けたり、金属磁性薄膜または保護膜表面に潤滑剤や防
錆剤等よりなるトップコート層を形成したりしてもよ
い。さらに、磁気記録媒体1としては、複数の磁性層を
積層したものであってもよい。さらにまた、磁気記録媒
体1としては、垂直異方性或いは面内ランダム配向性を
有するディスク状であってもよい。
【0025】以上のように構成される本発明の磁気記録
媒体1は、残留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tが、
4mA〜13mAの範囲に規定されているので、再生波
形の歪みがなく、再生出力が大きく良好なSN比を有す
るものとなる。また、この磁気記録媒体1では、Mrが
160kA/m〜360kA/mの範囲に規定されてい
るので、ノイズを減少させ、充分な再生出力を有するも
のとなる。また、この磁気記録媒体1では、磁性金属薄
膜の表面電気抵抗が1×103Ω/sq.〜1×107
Ω/sq.の範囲に規定されていることで、金属磁性薄
膜表面の帯電又は電流の流れを抑えて、GMRヘッドの
静電破壊を防止することができる。
媒体1は、残留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tが、
4mA〜13mAの範囲に規定されているので、再生波
形の歪みがなく、再生出力が大きく良好なSN比を有す
るものとなる。また、この磁気記録媒体1では、Mrが
160kA/m〜360kA/mの範囲に規定されてい
るので、ノイズを減少させ、充分な再生出力を有するも
のとなる。また、この磁気記録媒体1では、磁性金属薄
膜の表面電気抵抗が1×103Ω/sq.〜1×107
Ω/sq.の範囲に規定されていることで、金属磁性薄
膜表面の帯電又は電流の流れを抑えて、GMRヘッドの
静電破壊を防止することができる。
【0026】これにより、本発明の磁気記録媒体1は、
ノイズが抑えられ、高い再生出力及び良好なSN比を有
するとともに、高感度GMRヘッドで再生した場合のヘ
ッドの飽和及び静電気破壊が防止されるので、高感度G
MRヘッドでの再生に適した優れた磁気記録媒体とな
る。
ノイズが抑えられ、高い再生出力及び良好なSN比を有
するとともに、高感度GMRヘッドで再生した場合のヘ
ッドの飽和及び静電気破壊が防止されるので、高感度G
MRヘッドでの再生に適した優れた磁気記録媒体とな
る。
【0027】そして、このような磁気記録媒体1は、G
MR再生ヘッドを用いたヘリカルスキャン磁気記録シス
テムの磁気テープとして特に好適である。磁気記録媒体
1をスピンバルブ素子から構成されるGMRヘッドを搭
載したヘリカルスキャンシステムを用いることにより、
GMRヘッドを飽和させずに、低ノイズ化、高SN比を
得ることができる。さらにGMRヘッドをESD破壊
(静電破壊)させずに磁気テープを走行させることがで
きる。
MR再生ヘッドを用いたヘリカルスキャン磁気記録シス
テムの磁気テープとして特に好適である。磁気記録媒体
1をスピンバルブ素子から構成されるGMRヘッドを搭
載したヘリカルスキャンシステムを用いることにより、
GMRヘッドを飽和させずに、低ノイズ化、高SN比を
得ることができる。さらにGMRヘッドをESD破壊
(静電破壊)させずに磁気テープを走行させることがで
きる。
【0028】この場合、GMR再生ヘッドとしては、G
MR素子をシールドで挟み込んだシールド型のGMRヘ
ッドを用い、これを回転ドラムに搭載して記録再生装置
を構成することが好ましい。GMR再生ヘッドを用いた
ヘリカルスキャン磁気記録システムと本発明の磁気記録
媒体1とを組み合わせることにより、これまでにない高
密度記録システムを構築することができる。
MR素子をシールドで挟み込んだシールド型のGMRヘ
ッドを用い、これを回転ドラムに搭載して記録再生装置
を構成することが好ましい。GMR再生ヘッドを用いた
ヘリカルスキャン磁気記録システムと本発明の磁気記録
媒体1とを組み合わせることにより、これまでにない高
密度記録システムを構築することができる。
【0029】上記ヘリカルスキャン磁気記録システムの
磁気記録再生装置は、回転ドラムを用いて記録再生を行
うヘリカルスキャン方式の磁気記録再生装置であり、回
転ドラムに搭載された再生用磁気ヘッドとして、MRヘ
ッドを使用する。
磁気記録再生装置は、回転ドラムを用いて記録再生を行
うヘリカルスキャン方式の磁気記録再生装置であり、回
転ドラムに搭載された再生用磁気ヘッドとして、MRヘ
ッドを使用する。
【0030】この磁気記録再生装置に搭載される回転ド
ラム装置の一構成例を図2及び図3に示す。なお、図2
は回転ドラム装置3の概略を示す斜視図であり、図3は
回転ドラム装置3を含む磁気テープ送り機構10の概略
を示す平面図である。
ラム装置の一構成例を図2及び図3に示す。なお、図2
は回転ドラム装置3の概略を示す斜視図であり、図3は
回転ドラム装置3を含む磁気テープ送り機構10の概略
を示す平面図である。
【0031】図2に示すように、回転ドラム装置3は、
円筒状の固定ドラム4と、円筒状の回転ドラム5と、回
転ドラム5を回転駆動するモータ6と、回転ドラム5に
搭載された一対のインダクティブ型磁気ヘッド7a,7
bと、回転ドラム5に搭載された一対のGMRヘッド8
a,8bとを備える。
円筒状の固定ドラム4と、円筒状の回転ドラム5と、回
転ドラム5を回転駆動するモータ6と、回転ドラム5に
搭載された一対のインダクティブ型磁気ヘッド7a,7
bと、回転ドラム5に搭載された一対のGMRヘッド8
a,8bとを備える。
【0032】上記固定ドラム4は、回転することなく保
持されるドラムである。この固定ドラム4の側面には、
磁気テープMの走行方向に沿ってリードガイド部9が形
成されている。後述するように、記録再生時に磁気テー
プMは、このリードガイド部9に沿って走行する。そし
て、この固定ドラム4と中心軸が一致するように、回転
ドラム5が配されている。
持されるドラムである。この固定ドラム4の側面には、
磁気テープMの走行方向に沿ってリードガイド部9が形
成されている。後述するように、記録再生時に磁気テー
プMは、このリードガイド部9に沿って走行する。そし
て、この固定ドラム4と中心軸が一致するように、回転
ドラム5が配されている。
【0033】回転ドラム5は、磁気テープMに対する記
録再生時に、モータ6によって所定の回転速度で回転駆
動されるドラムである。この回転ドラム5は、固定ドラ
ム4と略同径の円筒状に形成されてなり、固定ドラム4
と中心軸が一致するように配されている。そして、この
回転ドラム5の固定ドラム4に対向する側には、一対の
インダクティブ型磁気ヘッド7a,7b及び一対のGM
Rヘッド8a,8bが搭載されている。
録再生時に、モータ6によって所定の回転速度で回転駆
動されるドラムである。この回転ドラム5は、固定ドラ
ム4と略同径の円筒状に形成されてなり、固定ドラム4
と中心軸が一致するように配されている。そして、この
回転ドラム5の固定ドラム4に対向する側には、一対の
インダクティブ型磁気ヘッド7a,7b及び一対のGM
Rヘッド8a,8bが搭載されている。
【0034】インダクティブ型磁気ヘッド7a,7b
は、一対の磁気コアが磁気ギャップを介して接合される
とともに、磁気コアにコイルが巻装されてなる記録用磁
気ヘッドであり、磁気テープMに対して信号を記録する
際に使用される。そして、これらのインダクティブ型磁
気ヘッド7a,7bは、回転ドラム5の中心に対して互
いに成す角度が180°となり、それらの磁気ギャップ
部分が回転ドラム5の外周から突き出すように、回転ド
ラム5に搭載されている。なお、これらのインダクティ
ブ型磁気ヘッド7a,7bは、磁気テープMに対してア
ジマス記録を行うように、アジマス角が互いに逆となる
ように設定されている。
は、一対の磁気コアが磁気ギャップを介して接合される
とともに、磁気コアにコイルが巻装されてなる記録用磁
気ヘッドであり、磁気テープMに対して信号を記録する
際に使用される。そして、これらのインダクティブ型磁
気ヘッド7a,7bは、回転ドラム5の中心に対して互
いに成す角度が180°となり、それらの磁気ギャップ
部分が回転ドラム5の外周から突き出すように、回転ド
ラム5に搭載されている。なお、これらのインダクティ
ブ型磁気ヘッド7a,7bは、磁気テープMに対してア
ジマス記録を行うように、アジマス角が互いに逆となる
ように設定されている。
【0035】一方、GMRヘッド8a,8bは、磁気テ
ープMからの信号を検出する感磁素子としてスピンバル
ブ素子を備えた再生用磁気ヘッドであり、磁気テープM
から信号を再生する際に使用される。そして、これらの
GMRヘッド8a,8bは、回転ドラム5の中心に対し
て互いに成す角度が180°となり、磁気ギャップ部分
が回転ドラムの外周から突き出すように、回転ドラム5
に搭載されている。なお、これらのGMRヘッド8a,
8bは、磁気テープMに対してアジマス記録された信号
を再生できるように、アジマス角が互いに逆となるよう
に設定されている。
ープMからの信号を検出する感磁素子としてスピンバル
ブ素子を備えた再生用磁気ヘッドであり、磁気テープM
から信号を再生する際に使用される。そして、これらの
GMRヘッド8a,8bは、回転ドラム5の中心に対し
て互いに成す角度が180°となり、磁気ギャップ部分
が回転ドラムの外周から突き出すように、回転ドラム5
に搭載されている。なお、これらのGMRヘッド8a,
8bは、磁気テープMに対してアジマス記録された信号
を再生できるように、アジマス角が互いに逆となるよう
に設定されている。
【0036】そして、磁気記録再生装置は、このような
回転ドラム装置3に磁気テープMを摺動させて、磁気テ
ープMに対する信号の記録や、磁気テープMからの信号
の再生を行う。
回転ドラム装置3に磁気テープMを摺動させて、磁気テ
ープMに対する信号の記録や、磁気テープMからの信号
の再生を行う。
【0037】すなわち、記録再生時に磁気テープMは、
図3に示すように、供給リール11からガイドローラ1
2,13を経て、回転ドラム装置3に巻き付くように送
られ、この回転ドラム装置3で記録再生がなされる。そ
して、回転ドラム装置3で記録再生がなされた磁気テー
プMは、ガイドローラ14,15、キャプスタン16、
ガイドローラ17を経て、巻き取りロール18へと送ら
れる。すなわち、磁気テープMは、キャプスタンモータ
19により回転駆動されるキャプスタン16によって所
定の張力及び速度にて送られ、ガイドローラ17を経て
巻き取りロール18に巻き取られる。
図3に示すように、供給リール11からガイドローラ1
2,13を経て、回転ドラム装置3に巻き付くように送
られ、この回転ドラム装置3で記録再生がなされる。そ
して、回転ドラム装置3で記録再生がなされた磁気テー
プMは、ガイドローラ14,15、キャプスタン16、
ガイドローラ17を経て、巻き取りロール18へと送ら
れる。すなわち、磁気テープMは、キャプスタンモータ
19により回転駆動されるキャプスタン16によって所
定の張力及び速度にて送られ、ガイドローラ17を経て
巻き取りロール18に巻き取られる。
【0038】このとき、回転ドラム5は、図2中の矢印
Aに示すように、モータ6によって回転駆動される。一
方、磁気テープMは、固定ドラム4のリードガイド部9
に沿って、固定ドラム4及び回転ドラム5に対して斜め
に摺動するように送られる。すなわち、磁気テープM
は、テープ走行方向に沿って、図2中矢印Bに示すよう
にテープ入口側から固定ドラム4及び回転ドラム5に摺
接するようにリードガイド部9に沿って送られ、その
後、図2中矢印Cに示すようにテープ出口側へと送られ
る。
Aに示すように、モータ6によって回転駆動される。一
方、磁気テープMは、固定ドラム4のリードガイド部9
に沿って、固定ドラム4及び回転ドラム5に対して斜め
に摺動するように送られる。すなわち、磁気テープM
は、テープ走行方向に沿って、図2中矢印Bに示すよう
にテープ入口側から固定ドラム4及び回転ドラム5に摺
接するようにリードガイド部9に沿って送られ、その
後、図2中矢印Cに示すようにテープ出口側へと送られ
る。
【0039】つぎに、上記回転ドラム3に搭載されるG
MRヘッド8a,8bについて、図5を参照して詳細に
説明する。なお、GMRヘッド8a及びGMRヘッド8
bは、アジマス角が互いに逆となるように設定されてい
る他は、同一の構成を有している。そこで、以下の説明
では、これらのGMRヘッド8a,8bをまとめてGM
Rヘッド8と称する。
MRヘッド8a,8bについて、図5を参照して詳細に
説明する。なお、GMRヘッド8a及びGMRヘッド8
bは、アジマス角が互いに逆となるように設定されてい
る他は、同一の構成を有している。そこで、以下の説明
では、これらのGMRヘッド8a,8bをまとめてGM
Rヘッド8と称する。
【0040】GMRヘッド8は、回転ドラム3に搭載さ
れ、ヘリカルスキャン方式によって磁気テープMからの
信号を、巨大磁気抵抗効果を利用して検出する再生専用
の磁気ヘッドである。一般に、GMRヘッド8は、電磁
誘導を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘ
ッドや異方性磁気抵抗効果型磁気ヘッドよりも感度が高
く再生出力が大きいので、高密度記録に適している。し
たがって、再生用磁気ヘッドとしてGMRヘッド8を用
いることで、より高密度記録化を図ることができる。
れ、ヘリカルスキャン方式によって磁気テープMからの
信号を、巨大磁気抵抗効果を利用して検出する再生専用
の磁気ヘッドである。一般に、GMRヘッド8は、電磁
誘導を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘ
ッドや異方性磁気抵抗効果型磁気ヘッドよりも感度が高
く再生出力が大きいので、高密度記録に適している。し
たがって、再生用磁気ヘッドとしてGMRヘッド8を用
いることで、より高密度記録化を図ることができる。
【0041】そして、このGMRヘッド8は、図4に示
すように、Ni−Zn多結晶フェライト等のような軟磁
性材料からなる一対の磁気シールド51,52と、絶縁
体53を介して一対の磁気シールド51,52によって
挟持された略矩形状のGMR素子部54とを備える。な
お、GMR素子部54の両端からは、一対の端子が導出
されており、これらの端子を介して、MR素子部54に
センス電流を供給できるようになされている。
すように、Ni−Zn多結晶フェライト等のような軟磁
性材料からなる一対の磁気シールド51,52と、絶縁
体53を介して一対の磁気シールド51,52によって
挟持された略矩形状のGMR素子部54とを備える。な
お、GMR素子部54の両端からは、一対の端子が導出
されており、これらの端子を介して、MR素子部54に
センス電流を供給できるようになされている。
【0042】GMR素子部54は、外部磁界に対して磁
化方向を変化させる磁化自由層と、固定磁化を有する磁
化固定層とが非磁性層を介して積層されてなるスピンバ
ルブ素子を有している。また、このスピンバルブ素子に
おいては、磁化固定層の磁化を固定する反強磁性層が当
該磁化固定層上に積層されている。
化方向を変化させる磁化自由層と、固定磁化を有する磁
化固定層とが非磁性層を介して積層されてなるスピンバ
ルブ素子を有している。また、このスピンバルブ素子に
おいては、磁化固定層の磁化を固定する反強磁性層が当
該磁化固定層上に積層されている。
【0043】このGMR素子部54は、略矩形状に形成
されてなり、一側面が磁気テープ摺動面55に露呈する
ように、一対の磁気シールド51,52によって絶縁体
53を介して挟持されている。詳細には、このGMR素
子部54は、短軸方向が磁気テープ摺動面55に対して
略垂直となり、長軸方向が磁気テープ摺動方向に対して
略直交するように、一対の磁気シールド51,52によ
って絶縁体53を介して挟持されている。
されてなり、一側面が磁気テープ摺動面55に露呈する
ように、一対の磁気シールド51,52によって絶縁体
53を介して挟持されている。詳細には、このGMR素
子部54は、短軸方向が磁気テープ摺動面55に対して
略垂直となり、長軸方向が磁気テープ摺動方向に対して
略直交するように、一対の磁気シールド51,52によ
って絶縁体53を介して挟持されている。
【0044】このGMRヘッド8の磁気テープ摺動面5
5は、当該磁気テープ摺動面55にGMR素子部54の
一側面が露呈するように、磁気テープMの摺動方向に沿
って円筒研磨されているとともに、磁気テープMの摺動
方向に対して直交する方向に沿って円筒研磨されてい
る。これにより、このGMRヘッド8は、GMR素子部
54或いはその近傍部分が最も突出するようになされて
いる。このように、GMR素子部54或いはその近傍部
分が最も突出するようにすることにより、GMR素子部
54の磁気テープMに対する当たり特性を良好なものと
することができる。
5は、当該磁気テープ摺動面55にGMR素子部54の
一側面が露呈するように、磁気テープMの摺動方向に沿
って円筒研磨されているとともに、磁気テープMの摺動
方向に対して直交する方向に沿って円筒研磨されてい
る。これにより、このGMRヘッド8は、GMR素子部
54或いはその近傍部分が最も突出するようになされて
いる。このように、GMR素子部54或いはその近傍部
分が最も突出するようにすることにより、GMR素子部
54の磁気テープMに対する当たり特性を良好なものと
することができる。
【0045】そして、以上のようなGMRヘッド8を用
いて磁気テープMからの信号を再生する際は、図5に示
すように、磁気テープMをGMR素子部54に摺動させ
る。なお、図5中の矢印は、磁気テープMが磁化されて
いる様子を模式的に示している。
いて磁気テープMからの信号を再生する際は、図5に示
すように、磁気テープMをGMR素子部54に摺動させ
る。なお、図5中の矢印は、磁気テープMが磁化されて
いる様子を模式的に示している。
【0046】そして、このように磁気テープMをGMR
素子部54に摺動させた状態で、GMR素子部54の両
端に接続された端子54a,54bを介して、GMR素
子部54にセンス電流を供給し、当該センス電流の電圧
変化を検出する。
素子部54に摺動させた状態で、GMR素子部54の両
端に接続された端子54a,54bを介して、GMR素
子部54にセンス電流を供給し、当該センス電流の電圧
変化を検出する。
【0047】すなわち、磁気テープMを摺動させた状態
でGMR素子部54にセンス電流を供給すると、磁気テ
ープMからの磁界に応じて、磁化自由層の磁化方向が変
化し、磁化固定層の磁化方向と磁化自由層の磁化方向と
がなす相対角度が変化する。このとき、GMR素子部5
4に供給されたセンス電流は、磁化固定層の磁化方向と
磁化自由層の磁化方向とがなす相対角度に依存して抵抗
値が変化することとなる。このため、GMR素子部54
に供給するセンス電流の電流値を一定にすることによ
り、スピンバルブ素子における抵抗値が変化すると、セ
ンス電流に電圧変化を生ずることとなる。そこで、この
センス電流の電圧変化を検出することにより、磁気テー
プMからの信号磁界が検出され、磁気テープMに記録さ
れている信号が再生される。
でGMR素子部54にセンス電流を供給すると、磁気テ
ープMからの磁界に応じて、磁化自由層の磁化方向が変
化し、磁化固定層の磁化方向と磁化自由層の磁化方向と
がなす相対角度が変化する。このとき、GMR素子部5
4に供給されたセンス電流は、磁化固定層の磁化方向と
磁化自由層の磁化方向とがなす相対角度に依存して抵抗
値が変化することとなる。このため、GMR素子部54
に供給するセンス電流の電流値を一定にすることによ
り、スピンバルブ素子における抵抗値が変化すると、セ
ンス電流に電圧変化を生ずることとなる。そこで、この
センス電流の電圧変化を検出することにより、磁気テー
プMからの信号磁界が検出され、磁気テープMに記録さ
れている信号が再生される。
【0048】そして、本発明を適用した磁気テープM
は、残留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tが、4mA
〜13mAの範囲に規定されており、再生波形の歪みが
なく、再生出力が大きく良好なSN比を有するものであ
る。また、この磁気テープMは、Mrが160kA/m
〜360kA/mの範囲に規定されており、ノイズを減
少させ、充分な再生出力を有するものである。また、こ
の磁気テープは、磁性金属薄膜の表面電気抵抗が1×1
03Ω/sq.〜1×107Ω/sq.の範囲に規定さ
れており、金属磁性薄膜表面の帯電又は電流の流れが抑
えられ、GMRヘッドの静電破壊が防止される。
は、残留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tが、4mA
〜13mAの範囲に規定されており、再生波形の歪みが
なく、再生出力が大きく良好なSN比を有するものであ
る。また、この磁気テープMは、Mrが160kA/m
〜360kA/mの範囲に規定されており、ノイズを減
少させ、充分な再生出力を有するものである。また、こ
の磁気テープは、磁性金属薄膜の表面電気抵抗が1×1
03Ω/sq.〜1×107Ω/sq.の範囲に規定さ
れており、金属磁性薄膜表面の帯電又は電流の流れが抑
えられ、GMRヘッドの静電破壊が防止される。
【0049】すなわち、この磁気テープMは、ノイズが
抑えられ、高い再生出力及び良好なSN比を有するとと
もに、高感度GMRヘッドで再生した場合のヘッドの飽
和及び静電気破壊が防止されているので、高感度GMR
ヘッドでの再生に適した優れた磁気記録媒体である。
抑えられ、高い再生出力及び良好なSN比を有するとと
もに、高感度GMRヘッドで再生した場合のヘッドの飽
和及び静電気破壊が防止されているので、高感度GMR
ヘッドでの再生に適した優れた磁気記録媒体である。
【0050】
【実施例】つぎに、本発明の効果を確認すべく行った実
施例について説明する。なお、以下に示す例では、具体
的な物質名、数値等を挙げて説明しているが、本発明は
これらに限定されるものではないことは言うまでもな
い。
施例について説明する。なお、以下に示す例では、具体
的な物質名、数値等を挙げて説明しているが、本発明は
これらに限定されるものではないことは言うまでもな
い。
【0051】〜残留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・t
についての実験〜 〈実施例1〉先ず、厚さ10μm、幅150mmのポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用意し、この表面に
アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスを1
000万個/mm2なる密度となるように塗布して下塗
層を形成した。
についての実験〜 〈実施例1〉先ず、厚さ10μm、幅150mmのポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用意し、この表面に
アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスを1
000万個/mm2なる密度となるように塗布して下塗
層を形成した。
【0052】続いて、この上にCo-O系の金属磁性薄膜を
真空蒸着法により成膜した。成膜条件を以下に示す。
真空蒸着法により成膜した。成膜条件を以下に示す。
【0053】
成膜条件
蒸着時真空度:7×10−2Pa
インゴット:Co
入射角度:45°〜90°
導入ガス:酸素ガス
この真空蒸着法により35nmの膜厚となるように、Co
-O系の金属磁性薄膜を形成した。金属磁性薄膜形成後、
上述のようにして形成された磁性層上にスパッタあるい
はCVD法によりカーボン膜を厚さ約10nmに形成し
た。その後、そして、非磁性支持体における磁性層が形
成された面とは反対側の面に、カーボンとウレタン樹脂
からなるバックコート層を0.6μmなる厚さに形成す
るとともに、カーボン膜表面にパーフルオロポリエーテ
ルよりなる潤滑剤を塗布し、。その後、8mm幅に裁断
して、大気中、常温にて所定期間保持することにより磁
性層表面の酸化を行い、磁気テープを完成した。
-O系の金属磁性薄膜を形成した。金属磁性薄膜形成後、
上述のようにして形成された磁性層上にスパッタあるい
はCVD法によりカーボン膜を厚さ約10nmに形成し
た。その後、そして、非磁性支持体における磁性層が形
成された面とは反対側の面に、カーボンとウレタン樹脂
からなるバックコート層を0.6μmなる厚さに形成す
るとともに、カーボン膜表面にパーフルオロポリエーテ
ルよりなる潤滑剤を塗布し、。その後、8mm幅に裁断
して、大気中、常温にて所定期間保持することにより磁
性層表面の酸化を行い、磁気テープを完成した。
【0054】このようにして得られた磁気テープの残留
磁化量Mrは285mA/mであり、金属磁性薄膜の膜
厚tは35nmであり、それらの積Mr・tは、10m
Aであった。
磁化量Mrは285mA/mであり、金属磁性薄膜の膜
厚tは35nmであり、それらの積Mr・tは、10m
Aであった。
【0055】〈実施例2〜実施例5、比較例1,比較例
2〉金属磁性薄膜の蒸着時における酸素導入量ならびに
金属磁性薄膜形成後の、大気中での保持時間を調整する
ことにより残留磁化量Mrを調整し、積Mr・tを表1
に示したように変えたこと以外は、実施例1と同様にし
て磁気テープを作製した。
2〉金属磁性薄膜の蒸着時における酸素導入量ならびに
金属磁性薄膜形成後の、大気中での保持時間を調整する
ことにより残留磁化量Mrを調整し、積Mr・tを表1
に示したように変えたこと以外は、実施例1と同様にし
て磁気テープを作製した。
【0056】以上のようにして作製された磁気テープに
対して、電磁変換特性の測定を行った。具体的には、8
mmVTRを改造したものを用い、各サンプルテープに
記録波長0.5μmにて情報信号を記録した後、シール
ド型GMRヘッドにより再生出力、ノイズレベル、エラ
ーレートの測定を行った。
対して、電磁変換特性の測定を行った。具体的には、8
mmVTRを改造したものを用い、各サンプルテープに
記録波長0.5μmにて情報信号を記録した後、シール
ド型GMRヘッドにより再生出力、ノイズレベル、エラ
ーレートの測定を行った。
【0057】ここで、シールド型GMRヘッドとして
は、NiFeからなるフリー層及びピン層、PtMnか
らなる反強磁性層、Cuからなる非磁性層を有して抵抗
変化率が約5%であるスピンバルブ素子を備えたものを
使用した。
は、NiFeからなるフリー層及びピン層、PtMnか
らなる反強磁性層、Cuからなる非磁性層を有して抵抗
変化率が約5%であるスピンバルブ素子を備えたものを
使用した。
【0058】そして、これら実施例1〜実施例5、比較
例1,比較例2の磁気テープに関して、再生出力、ノイ
ズレベル、C/Nを測定し、さらに、金属磁性薄膜の表
面抵抗及びGMRヘッドの静電破壊について測定、評価
した。その結果を表1に示す。
例1,比較例2の磁気テープに関して、再生出力、ノイ
ズレベル、C/Nを測定し、さらに、金属磁性薄膜の表
面抵抗及びGMRヘッドの静電破壊について測定、評価
した。その結果を表1に示す。
【0059】静電破壊の評価については、テープ走行時
に静電破壊が起こらなかった場合を○とし、静電破壊が
起った場合を×とした。
に静電破壊が起こらなかった場合を○とし、静電破壊が
起った場合を×とした。
【0060】
【表1】
【0061】表1から明らかなように、Mr・tが4m
Aよりも小さい比較例1では、再生出力が小さくなり良
好なSN比が得られていない。また、Mr・tが13m
Aよりも大きい比較例2では、GMRヘッドが飽和して
しまい、再生出力に歪みが生じてしまっている。一方、
Mr・tを、4mA〜13mAの範囲とした実施例1〜
実施例5では、歪みが無く高い再生出力が得られ、良好
なSN比が得られていることがわかる。
Aよりも小さい比較例1では、再生出力が小さくなり良
好なSN比が得られていない。また、Mr・tが13m
Aよりも大きい比較例2では、GMRヘッドが飽和して
しまい、再生出力に歪みが生じてしまっている。一方、
Mr・tを、4mA〜13mAの範囲とした実施例1〜
実施例5では、歪みが無く高い再生出力が得られ、良好
なSN比が得られていることがわかる。
【0062】また、金属磁性薄膜の表面電気抵抗につい
てみてみると、表面電気抵抗が1×107Ω/sq.よ
りも大きい比較例1や、表面電気抵抗が1×103Ω/
sq.よりも小さい比較例2では、ヘッドの静電破壊が
起きてしまっているのに対して、表面電気抵抗が1×1
03Ω/sq.〜1×107Ω/sq.の範囲である実
施例1〜実施例5では、金属磁性薄膜表面の帯電又は電
流の流れが抑えられて、ヘッドの静電破壊が防止されて
いることがわかる。
てみてみると、表面電気抵抗が1×107Ω/sq.よ
りも大きい比較例1や、表面電気抵抗が1×103Ω/
sq.よりも小さい比較例2では、ヘッドの静電破壊が
起きてしまっているのに対して、表面電気抵抗が1×1
03Ω/sq.〜1×107Ω/sq.の範囲である実
施例1〜実施例5では、金属磁性薄膜表面の帯電又は電
流の流れが抑えられて、ヘッドの静電破壊が防止されて
いることがわかる。
【0063】〜残留磁化量Mrについての実験〜
〈実施例6〜実施例10、比較例3,比較例4〉金属磁
性薄膜形成後の大気中での保持時間を調整することによ
り、残留磁化量Mrを表2に示したように変えたこと以
外は、実施例1と同様にして磁気テープを作製した。
性薄膜形成後の大気中での保持時間を調整することによ
り、残留磁化量Mrを表2に示したように変えたこと以
外は、実施例1と同様にして磁気テープを作製した。
【0064】そして、これら実施例6〜実施例10、比
較例3,比較例4の磁気テープに関して、上述した方法
により、再生出力、ノイズレベル、C/Nを測定した。
その結果を表2に示す。
較例3,比較例4の磁気テープに関して、上述した方法
により、再生出力、ノイズレベル、C/Nを測定した。
その結果を表2に示す。
【0065】
【表2】
【0066】表2から明らかなように、Mrが160k
A/mよりも小さい比較例3では、充分な再生出力が得
られていない。また、Mrが360kA/mよりも大き
い比較例4では、ノイズが増大してしまっている。これ
に対し、Mrは、160kA/m〜360kA/mの範
囲である実施例6〜実施例10では、ノイズが抑えられ
ており、充分な再生出力を有するものとなっている。そ
の中でも、Mrが200kA/m〜340kA/mの範
囲である実施例7〜実施例9では特に良好な特性が得ら
れていることがわかる。
A/mよりも小さい比較例3では、充分な再生出力が得
られていない。また、Mrが360kA/mよりも大き
い比較例4では、ノイズが増大してしまっている。これ
に対し、Mrは、160kA/m〜360kA/mの範
囲である実施例6〜実施例10では、ノイズが抑えられ
ており、充分な再生出力を有するものとなっている。そ
の中でも、Mrが200kA/m〜340kA/mの範
囲である実施例7〜実施例9では特に良好な特性が得ら
れていることがわかる。
【0067】〜面内保磁力Hcについての実験〜
〈実施例11〜実施例14、比較例5,比較例6〉金属
磁性薄膜の蒸着時の酸素導入量ならびに金属磁性薄膜作
製後の大気中での保持時間とそれらの組合せを調整する
ことにより、面内保磁力Hcを表3に示したように変え
たこと以外は、実施例1と同様にして磁気テープを作製
した。
磁性薄膜の蒸着時の酸素導入量ならびに金属磁性薄膜作
製後の大気中での保持時間とそれらの組合せを調整する
ことにより、面内保磁力Hcを表3に示したように変え
たこと以外は、実施例1と同様にして磁気テープを作製
した。
【0068】そして、これら実施例11〜実施例14、
比較例5,比較例6の磁気テープに関して、上述した方
法により、再生出力、イズレベル、C/Nを測定した。
その結果を表3に示す。
比較例5,比較例6の磁気テープに関して、上述した方
法により、再生出力、イズレベル、C/Nを測定した。
その結果を表3に示す。
【0069】
【表3】
【0070】表3から明らかなように、保磁力が100
kA/mよりも小さい比較例5では、ノイズが大きいほ
か、充分高いSN比も得られていない。また、保磁力が
160kA/mよりも大きい比較例5では、再生出力が
低下してしまっている。これに対し、面内保磁力が10
0kA/m〜160kA/mの範囲である実施例11〜
実施例14では、ノイズが抑えられて、高SN比、高い
再生出力を有するものとなっていることがわかる。
kA/mよりも小さい比較例5では、ノイズが大きいほ
か、充分高いSN比も得られていない。また、保磁力が
160kA/mよりも大きい比較例5では、再生出力が
低下してしまっている。これに対し、面内保磁力が10
0kA/m〜160kA/mの範囲である実施例11〜
実施例14では、ノイズが抑えられて、高SN比、高い
再生出力を有するものとなっていることがわかる。
【0071】
【発明の効果】本発明では、磁気記録媒体において、残
留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tを、4mA〜13
mAの範囲に規定しているので、再生波形の歪みがな
く、再生出力が大きく良好なSN比を有するものとな
る。また、本発明では、Mrを160kA/m〜360
kA/mの範囲に規定しているので、ノイズを減少さ
せ、充分な再生出力を有するものとなる。また、本発明
では、磁性金属薄膜の表面電気抵抗を1×103Ω/s
q.〜1×107Ω/sq.の範囲に規定しているの
で、金属磁性薄膜表面の帯電又は電流の流れを抑えて、
GMRヘッドの静電破壊を防止することができる。
留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tを、4mA〜13
mAの範囲に規定しているので、再生波形の歪みがな
く、再生出力が大きく良好なSN比を有するものとな
る。また、本発明では、Mrを160kA/m〜360
kA/mの範囲に規定しているので、ノイズを減少さ
せ、充分な再生出力を有するものとなる。また、本発明
では、磁性金属薄膜の表面電気抵抗を1×103Ω/s
q.〜1×107Ω/sq.の範囲に規定しているの
で、金属磁性薄膜表面の帯電又は電流の流れを抑えて、
GMRヘッドの静電破壊を防止することができる。
【0072】これにより、本発明では、ノイズが抑えら
れ、高い再生出力及び良好なSN比を有するとともに、
高感度GMRヘッドで再生した場合のヘッドの飽和及び
静電気破壊が防止されるので、高感度GMRヘッドでの
再生に適した優れた磁気記録媒体を実現することができ
る。
れ、高い再生出力及び良好なSN比を有するとともに、
高感度GMRヘッドで再生した場合のヘッドの飽和及び
静電気破壊が防止されるので、高感度GMRヘッドでの
再生に適した優れた磁気記録媒体を実現することができ
る。
【図1】本発明の磁気記録媒体の一構成例を示す断面図
である。
である。
【図2】回転ドラム装置の概略を示す斜視図である。
【図3】回転ドラム装置を含む磁気テープ送り機構の概
略を示す平面図である。
略を示す平面図である。
【図4】GMRヘッドの構成例を一部切り欠いて示す斜
視図である。
視図である。
【図5】磁気テープをGMR素子部に摺動させている様
子を模式的に示す斜視図である。
子を模式的に示す斜視図である。
1 磁気記録媒体、 2 非磁性支持体、 3磁性層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 早田 裕
東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ
ー株式会社内
Fターム(参考) 5D006 BB02 BB03 BB07
Claims (6)
- 【請求項1】 非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成
されてなり、 当該金属磁性薄膜の表面電気抵抗が1×103Ω/s
q.〜1×107Ω/sq.の範囲であり、 残留磁化量Mrと膜厚tとの積Mr・tが、4mA〜1
3mAの範囲であり、 残留磁化量Mrが、160kA/m〜360kA/mの
範囲であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 残留磁化量Mrが、200kA/m〜3
40kA/mの範囲であることを特徴とする請求項1記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】 上記金属磁性薄膜の厚みが、15nm〜
40nmの範囲であることを特徴とする請求項1記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項4】 面内方向での保磁力が、100kA/m
〜160kA/mの範囲であることを特徴とする請求項
1記載の磁気記録媒体。 - 【請求項5】 スピンバルブ素子から構成される巨大磁
気抵抗効果型再生ヘッドを用いた磁気記録システムに用
いられることを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項6】 スピンバルブ素子から構成される巨大磁
気抵抗効果型再生ヘッドを用いたヘリカルスキャン磁気
記録システムに用いられることを特徴とする請求項1記
載の磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
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---|---|---|---|
JP2002040488A JP2003242621A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 磁気記録媒体 |
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US11/209,378 US20050282039A1 (en) | 2002-02-18 | 2005-08-23 | Recording and reproducing apparatus having magnetic recording medium possessing a specific range of surface resistivity for GMR head |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002040488A JP2003242621A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=27781220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country | Link |
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KR19980063655A (ko) * | 1996-12-02 | 1998-10-07 | 이데이노부유키 | 자기기록매체, 자기기록재생장치 및 몰딩디스크용 메탈몰드의제조방법 |
US5993956A (en) * | 1997-04-22 | 1999-11-30 | Carnegie Mellon University | Manganese containing layer for magnetic recording media |
US6037052A (en) * | 1997-07-09 | 2000-03-14 | Carnegie Mellon University | Magnetic thin film ferrite having a ferrite underlayer |
JPH11203664A (ja) * | 1998-01-06 | 1999-07-30 | Sony Corp | 磁気記録再生装置及び磁気テープ |
US20020105752A1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-08-08 | Yutaka Soda | Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing device |
JP2003006833A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気テープ |
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JP2003085724A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
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-
2002
- 2002-02-18 JP JP2002040488A patent/JP2003242621A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-18 US US10/368,730 patent/US20040214045A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-08-23 US US11/209,378 patent/US20050282039A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
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