JP2003016617A

JP2003016617A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2003016617A
Application number: JP2001198281A
Authority: JP
Inventors: Kazunari Motohashi; 一成本橋; Seiichi Onodera; 誠一小野寺
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-06-29
Filing date: 2001-06-29
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】高温多湿環境下に長期間保存した場合でも、
腐食を抑制することができる磁気記録媒体を提供するこ
と。【解決手段】磁気抵抗効果型磁気ヘッド若しくは巨大
磁気抵抗効果型磁気ヘッドに対し摺動状態で用いられる
磁気記録媒体において、非磁性支持体上に、磁性層を有
し、この磁性層の厚さをｔ（ｎｍ）及び透湿度をＷ（ｇ
／ｍ²・ｄａｙ）としたとき、下記式（１）が成立して
いる、磁気記録媒体。Ｗ≦０．２４×ｔ・・・（１）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、磁気テープ等の磁
気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ビデオテープレコーダー等の分野
においては、高画質化及び高記録密度化を図るため、直
接非磁性支持体上に、金属材料、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃ
ｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｏ系合金などの金属磁性材料を
真空薄膜形成技術を用いて被着させ、磁性層を形成して
なる、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体が提案されて
いる。このような磁気記録媒体としては、例えばハイバ
ンド８ｍｍビデオテープレコーダー、デジタルビデオテ
ープレコーダー用の蒸着テープなどが実用化されてい
る。

【０００３】金属薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力や角
形比に優れ、また、磁性層を極めて薄層に形成できるこ
とから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、記録減磁
や再生時の厚み損失が著しく小さい。また、塗布型の磁
気記録媒体と異なり、磁性層中に非磁性材料であるバイ
ンダーが混入されないので、強磁性金属微粒子の充填密
度を高めることができる等の種々の利点を有している。

【０００４】また、磁気テープ等の磁気記録媒体のテー
プストリーマーとしての需要が高まるに伴い、さらなる
磁気記録媒体の高記録密度化が要求されてきている。さ
らに、記録情報の再生を行う際に用いる磁気ヘッドとし
て、従来の誘導型ヘッドに代わり、磁気抵抗効果型磁気
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）が適用されるよ
うになってきている。ＭＲヘッドは、磁性層からの微小
な漏洩磁束を高感度に検出することができるので、記録
密度の向上を達成することができる。

【０００５】ＭＲヘッドは漏洩磁束に対する感度が飽和
する検知上限があり、ＭＲヘッドの設計以上に大きな漏
洩磁束を検出することができないため、磁気記録媒体の
磁性層の膜厚を薄層化することにより最適化することが
必要である。また、一般に磁気記録テープシステムは、
テープ磁化量の劣化が１５％以上である場合、劣化量が
大きすぎて充分な再生信号が得られなくなるため、テー
プ磁化量の劣化が１４％以内であることを想定してシス
テムが形成されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気記
録層の薄層化が進むと、磁気記録媒体を高温多湿の環境
下で長期間保存した際に、腐食による劣化の影響を受け
やすくなる問題点があった。

【０００７】上述した問題点は、磁気記録媒体に対する
再生ヘッドとして、ＭＲヘッドを使用するのに代わり、
より再生感度が高く、高周波用として高密度記録により
好適である巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＧＭ
Ｒヘッドと称する。）を適用した場合に、磁性層の膜厚
をさらに薄くする必要があるため、より深刻な問題とな
る。

【０００８】本発明は、上述したような問題点を解決す
るためになされたものであって、その目的は、高温多湿
環境下に長期間保存した場合でも、腐食を抑制すること
ができ、磁化劣化率を１４％以内とすることができる磁
気記録媒体を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記した
問題点を解決すべく、高温多湿環境下における磁気記録
媒体の腐食のメカニズムと、磁気記録媒体の物理特性と
の関係を詳細に調べた結果、磁気記録媒体の透湿度と腐
食量に密接な関係があることを見出した。磁化劣化率
は、同一量の磁化量が減少した場合、磁性層の膜厚に比
例し、また、磁化劣化率を既述したように１４％以内と
するために許容される透湿度も、磁性層の膜厚と比例関
係にあり、この比例関係について鋭意検討した結果、そ
の比例係数が０．２４であることを初めて知見した。

【００１０】即ち、本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド（以下、ＭＲヘッドと称する。）若しくは巨大磁気抵
抗効果型磁気ヘッド（以下、ＧＭＲヘッドと称する。）
に対し摺動状態で用いられる磁気記録媒体において、非
磁性支持体上に、磁性層を有し、この磁性層の厚さをｔ
（ｎｍ）及び透湿度をＷ（ｇ／ｍ²・ｄａｙ）としたと
き、下記式（１）が成立している、磁気記録媒体に係る
ものである。Ｗ≦０．２４×ｔ・・・（１）

【００１１】前記「摺動状態」とは、前記ＭＲヘッド若
しくは前記ＧＭＲヘッドのみが摺動している場合、本発
明の磁気記録媒体のみが前記ＭＲヘッド若しくは前記Ｇ
ＭＲヘッドに対して摺動している場合、又はこれらの両
方が摺動している場合を意味する。

【００１２】本発明によれば、前記透湿度Ｗが、０．２
４×ｔ以下と特定されているので、高温多湿環境下に長
期間保存した場合でも、腐食を大きく抑制することがで
き、その磁化劣化率を１４％以内とすることができる。
従って、例えば、テープストリーマー用途を始めとした
各種の磁気記録テープシステムを用いての高記録密度の
磁気記録媒体を提供することができる。

【００１３】また、本発明の磁気記録媒体は、上述した
ような顕著な改善効果（腐食の抑制等）を有しているの
で、前記ＭＲヘッド若しくは前記ＧＭＲヘッドのもつ特
有の性能（高再生感度等）にとって有利となり、前記Ｍ
Ｒヘッド若しくは前記ＧＭＲヘッドに対し好適に用いる
ことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に基づ
いて更に詳しく説明する。

【００１５】図１は、本発明に基づく磁気記録媒体１の
概略断面図である。

【００１６】図１に示すように、非磁性支持体２の一主
面上に、磁性層６２としての強磁性金属材料からなる金
属磁性薄膜が例えば真空蒸着法、イオンプレーティング
法又はスパッタリング法等の真空薄膜形成技術によって
形成されており、非磁性支持体２と磁性層６２との間に
は、必要に応じてコーティング層６１が設けられていて
もよい。そして、磁性層６２上に、保護膜６３が形成さ
れ、この保護膜６３上に潤滑剤層６４が形成されている
ことが好ましい。また、図示するように、必要に応じて
非磁性支持体２の磁性層６２を設けていない面側（裏
面）には、バックコート層６５を設けてもよい。

【００１７】本発明に基づく磁気記録媒体１は、前記透
湿度Ｗ（ｇ／ｍ²・ｄａｙ）が、０．２４×ｔ（但し、
ｔは磁性層厚であり、単位はｎｍである。）以下と特定
されているので、高温多湿環境下に長期間保存した場合
でも、腐食をより一層抑制することができ、その磁化劣
化率を１４％以内とすることができる。従って、例え
ば、テープストリーマー用途を始めとした各種の磁気記
録テープシステムを用いての高記録密度の磁気記録媒体
を提供することができる。

【００１８】前記ＭＲヘッドは、ノイズの影響を受け難
く、読み取り精度を向上することができるので、単位面
積中に大量のデータを書き込んでも正しく読み取ること
ができ、記録密度を高めることができる。即ち、前記Ｍ
Ｒヘッドは、再生感度がよく、例えば高周波用としての
高密度記録に好適である。

【００１９】また、前記ＧＭＲヘッドは、上述した前記
ＭＲヘッドに比べ、さらに再生感度が優れており、より
一層の高密度記録を達成することができる。

【００２０】そして、本発明に基づく磁気記録媒体は、
腐食の抑制等の顕著な改善効果を有しているので、前記
ＭＲヘッド若しくは前記ＧＭＲヘッドのもつ特有の性能
（高再生感度等）にとって有利となり、前記ＭＲヘッド
若しくは前記ＧＭＲヘッドに対し好適に用いることがで
きる。

【００２１】本発明に基づく磁気記録媒体は、下記
（ａ）〜（ｇ）の少なくとも１つによって前記式（１）
の条件が設定されていることが望ましい。（ａ）前記非磁性支持体の厚さ。（ｂ）前記非磁性支持体の材質。（ｃ）前記非磁性支持体と、前記磁性層との間に、中間
層を設けること。（ｄ）前記中間層の厚み。（ｅ）前記磁性層を真空薄膜形成技術で形成すること。（ｆ）前記真空薄膜形成技術による成膜時の成膜速度。（ｇ）前記磁性層の厚み。

【００２２】前記（ａ）に記載した前記非磁性支持体の
厚さとしては１〜９μｍが好ましく、より厚い非磁性支
持体を用いることにより、前記式（１）の条件をより好
適に満たすことができ、磁化劣化率をより低下させるこ
とができる。１μｍ未満の場合、前記非磁性支持体の機
械的強度が著しく低下することがあり、また、９μｍを
超えると、テープ等の磁気記録媒体自体の厚みが増し、
単位体積当たりの記録密度が低下することがある。

【００２３】前記（ｂ）に記載した前記非磁性支持体の
材質は、通常、この種の磁気記録媒体の基体として用い
られている公知の材料をいずれも適用することができ
る。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル
類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン
類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、
ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミ
ドイミド等のプラスチック等を挙げることができる。

【００２４】上述した材質のなかでも、前記ポリアミド
は透湿度が低いので、ポリアミド製の前記非磁性支持体
を用いることが特に好ましい。前記非磁性支持体とし
て、前記ポリアミドを使用すれば、例えば前記非磁性支
持体の厚さを比較的薄くした場合や前記磁性層の厚みを
薄くした場合でも、前記式（１）の条件を好適に満たす
ことができ、磁化劣化率をより低下させることができ
る。

【００２５】前記（ｃ）に記載したように、前記非磁性
支持体と、前記磁性層との間に、中間層を設けることに
よって、前記式（１）の条件を設定することも可能であ
る。この中間層を構成する材料としては、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｆｅ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍ
ｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｕなどの金属材料
の他、これらのうちの２種類以上を組み合わせた合金、
また、この金属材料と酸素や窒素との化合物、Ｓｉ
Ｏ₂、窒化ケイ素、ＩＴＯ（indium tin oxide）、Ｉｎ₂
Ｏ₃、ＺｒＯ等の化合物、ダイヤモンドライクカーボン
が挙げられる。

【００２６】前記中間層を設けることによって、本発明
に基づく磁気記録媒体の透湿度を抑制することができ、
耐食性の向上を図ることができると共に、前記非磁性支
持体と、前記磁性層との付着力の向上を図ることが可能
となる。

【００２７】また、前記中間層と前記磁性層の間には、
前記中間層の他に、更に異なる別の中間層を設けてもよ
く、この場合、前記磁性層の結晶粒子の微細化と配向性
の向上を図ることが可能となる。前記別の中間層を構成
する材料としては、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｃｕなどの金属材料の他、これらのうちの２
種類以上を組み合わせた合金、この金属材料と酸素や窒
素との化合物などが挙げられる。

【００２８】前記中間層及び前記別の中間層の形成方法
としては、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられ
る。

【００２９】また、前記（ｄ）に記載したように、前記
中間層の厚みを適宜調整することによって、前記式
（１）の条件を設定することができる。この場合、前記
中間層の厚みは２〜３０ｎｍであることが好ましく、厚
みを増すことにより、前記透湿度をより抑制することが
でき、磁化劣化率をより低下させることができる。２ｎ
ｍ未満の場合、透湿度を抑制する効果が充分に得られな
いことがあり、また、３０ｎｍを超えると、表面粗さが
劣化し、前記中間層上に形成する前記磁性層のＣ／Ｎ
（キャリア／ノイズ比）が低下することがある。

【００３０】前記（ｅ）に記載したように、前記磁性層
を真空薄膜形成技術で形成することが好ましく、また、
前記（ｆ）に記載したように、前記真空薄膜形成技術に
よる成膜時の成膜速度を適宜調整することによっても、
前記式（１）の条件を好適に設定することができ、磁化
劣化率をより低下させることが可能である。この場合、
前記成膜速度をより高速にすることによって、前記磁性
層を緻密な膜として形成することができるので、透湿度
をより低減することができ、前記式（１）の条件をより
一層好適に設定することができ、磁化劣化率のより一層
の低下を図ることができる。

【００３１】前記真空薄膜形成技術としては、真空下で
強磁性金属材料を加熱蒸発させ、前記非磁性支持体上に
付着させる真空蒸着法、強磁性金属材料の蒸発を放電中
で行うイオンプレーティング法及びアルゴンを主成分と
する雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイ
オンでターゲットの表面の原子をたたき出すスパッタ法
など、いわゆる物理的成膜法（ＰＶＤ法；Physical Vap
or Deposition）が挙げられる。

【００３２】前記真空蒸着法は、成膜性が良好で、生産
性が高く、操作も容易である。前記スパッタ法は、容易
に生産することが可能で、また成膜性も良好である。ま
た、前記イオンプレーティング法は、成膜における制御
が容易で、成膜性も良好である。

【００３３】前記（ｇ）に記載したように、前記磁性層
の厚みを適宜調整することによって、前記式（１）の条
件を設定することも可能である。例えば、前記非磁性支
持体の材質、厚み及び前記磁性層の成膜速度が同一の条
件下のもと、かつ前記中間層を設けなかった場合、前記
磁性層の厚みがより厚い磁気記録媒体のほうが、前記式
（１）の条件をより好適に満たすことができる。

【００３４】また、本発明に基づく磁気記録媒体は、前
記ＭＲヘッドや前記ＧＭＲヘッドを有する記録再生装置
に適用するものであって、ノイズの低減を図り、Ｃ／Ｎ
（キャリア／ノイズ比）の向上を図るために、前記磁性
層は極めて薄層に形成することが好ましく、特に５〜５
５ｎｍ以下に形成することが好ましい。５ｎｍ未満の場
合、例えば高感度の前記ＧＭＲヘッドを用いても充分に
再生出力を得られないことがあり、また、５５ｎｍを超
える場合、前記ＭＲヘッド若しくは前記ＧＭＲヘッドに
適用した際に、所望とする記録密度の向上が達成できな
いことがある。

【００３５】前記磁性層を形成する強磁性金属材料とし
ては、この種の磁気記録媒体の作製に通常用いられる従
来公知の金属材料又は合金をいずれも使用することがで
きる。例えば、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、Ｃｏ−Ｎｉ
系合金、Ｃｏ−Ｆｅ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金、
Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ
系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系
合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金等の材料、或い
は、これらの材料を酸素雰囲気中で成膜し、膜中に酸素
を含有させたもの、または、これらの材料に１種類若し
くは２種類以上のその他の元素を含有させたものが挙げ
られる。

【００３６】また、これらの強磁性材料と非固溶である
Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｒＯ₂などを同時成膜
することにより得られる、Ｃｏ−Ｐｔ−ＳｉＯ₂、Ｃｏ
−Ｐｔ−Ａｌ₂Ｏ₃などのグラニュラー材料によって前記
磁性層を形成してもよい。

【００３７】前記非磁性支持体の前記磁性層形成面側に
は、バインダー樹脂、フィラー及び界面活性剤を含有す
る塗料によりコーティング層を形成してもよく、これに
より表面に微細な凹凸を付加したり、機械的な強度を高
めたりすることができる。

【００３８】前記バインダー樹脂には、例えば水性ポリ
エステル樹脂、水性アクリル樹脂、水性ポリウレタン樹
脂などが挙げられる。

【００３９】前記フィラーの種類としては、耐熱性ポリ
マーからなる粒子、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム等が
挙げられる。

【００４０】前記コーティング層に含まれるフィラーの
平均粒径は５〜８０ｎｍ、前記フィラーによる表面突起
の密度は２００〜２０００万個／ｎｍ²程度とすること
が好ましく、これにより、本発明に基づく磁気記録媒体
はより良好な走行耐久性と電磁変換特性を有することが
できる。

【００４１】また、前記磁性層上には、より良好な走行
耐久性及び耐食性を確保するために、ダイヤモンドライ
クカーボンなどからなる保護膜が形成されていてもよ
い。

【００４２】前記保護膜は、例えば、プラズマＣＶＤ
（化学的成長気相法；Chemical VaporDeposition）連続
膜形成装置を用いて、ＣＶＤ法によって形成することが
できる。

【００４３】使用可能な炭素化合物としては、炭化水素
系、ケトン系、アルコール系など、従来公知の材料をい
ずれも使用することができる。また、プラズマ生成時に
は、炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、Ａ
ｒ、Ｈ₂等が導入されていてもよい。

【００４４】また、前記非磁性支持体上の前記磁性層が
設けられていない面側（裏面）には、磁気記録媒体の走
行性の向上や帯電防止及び転写防止等を目的として、バ
ックコート層を設けることができる。前記バックコート
層の厚みは０．３〜１．０μｍであることが好ましく、
前記バックコート層の形成は、例えば無機顔料等の固体
粒子を結合剤中に分散させ、該結合剤の種類に応じて選
定された有機溶剤と共に混練して調製されたバックコー
ト層用塗料を調製し、これを非磁性支持体の裏面に塗布
する。

【００４５】さらに、前記磁性層が設けられている面側
及び／又は前記磁性層が設けられていない面（裏面）側
の最表層を、潤滑剤や防錆剤によってコーティングする
ことが望ましい。

【００４６】なお、本発明に基づく磁気記録媒体は、前
記磁性層が単層であるものに限らず、複数の磁性層が積
層されたものであってもよく、また、接着性を向上させ
る目的で、接着層が形成された構成としてもよい。

【００４７】本発明に基づく磁気記録媒体は、前記ＭＲ
再生ヘッドを用いたヘリカルスキャン磁気記録システム
の例えば磁気テープとして好適である。

【００４８】この場合、前記ＭＲ再生ヘッドとしては、
ＭＲ素子をシールドで挟み込んだシールド型のＭＲヘッ
ドを用い、これを回転ドラムに搭載して記録再生装置を
構成する。

【００４９】本発明に基づく磁気記録媒体は、腐食の抑
制等の顕著な改善効果を有しているので、前記ＭＲヘッ
ドのもつ特有の性能（高再生感度等）にとって有利とな
り、前記ＭＲ再生ヘッドを用いたヘリカルスキャン磁気
記録システムと、本発明に基づく磁気記録媒体とを組み
合わせることにより、これまでにない高密度記録システ
ムを構築することができる。

【００５０】上記ヘリカルスキャン磁気記録システムの
磁気記録再生装置は、回転ドラムを用いて記録再生を行
うヘリカルスキャン方式の磁気記録再生装置であり、回
転ドラムに搭載された再生用磁気ヘッドとして、前記Ｍ
Ｒヘッドを使用する。

【００５１】この磁気記録再生装置に搭載される回転ド
ラム装置の一構成例を図２及び図３に示す。なお、図２
は回転ドラム装置３の概略を示す斜視図であり、図３は
回転ドラム装置３を含む磁気テープ送り機構１０の概略
を示す平面図である。

【００５２】図２に示すように、回転ドラム装置３は、
円筒状の固定ドラム４と、円筒状の回転ドラム５と、回
転ドラム５を回転駆動するモータ６と、回転ドラム５に
搭載された一対のインダクティブ型磁気ヘッド７ａ、７
ｂと、回転ドラム５に搭載された一対のＭＲヘッド８
ａ、８ｂとを備える。

【００５３】上記固定ドラム４は、回転することなく保
持されるドラムである。この固定ドラム４の側面には、
磁気テープＭの走行方向に沿ってリードガイド部９が形
成されている。後述するように、記録再生時に磁気テー
プＭは、このリードガイド部９に沿って走行する。そし
て、この固定ドラム４と中心軸が一致するように、回転
ドラム５が配されている。

【００５４】回転ドラム５は、磁気テープＭに対する記
録再生時に、モータ６によって所定の回転速度で回転駆
動されるドラムである。この回転ドラム５は、固定ドラ
ム４と略同径の円筒状に形成されてなり、固定ドラム４
と中心軸が一致するように配されている。そして、この
回転ドラム５の固定ドラム４に対向する側には、一対の
インダクティブ型磁気ヘッド７ａ、７ｂ及び一対のＭＲ
ヘッド８ａ、８ｂが搭載されている。

【００５５】インダクティブ型磁気ヘッド７ａ、７ｂ
は、一対の磁気コアが磁気ギャップを介して接合される
とともに、磁気コアにコイルが巻装されてなる記録用磁
気ヘッドであり、磁気テープＭに対して信号を記録する
際に使用される。そして、これらのインダクティブ型磁
気ヘッド７ａ、７ｂは、回転ドラム５の中心に対して互
いに成す角度が１８０°となり、それらの磁気ギャップ
部分が回転ドラム５の外周から突き出すように、回転ド
ラム５に搭載されている。なお、これらのインダクティ
ブ型磁気ヘッド７ａ、７ｂは、磁気テープＭに対してア
ジマス記録を行うように、アジマス角が互いに逆となる
ように設定されている。

【００５６】一方、ＭＲヘッド８ａ、８ｂは、磁気テー
プＭからの信号を検出する感磁素子としてＭＲ素子を備
えた再生用磁気ヘッドであり、磁気テープＭから信号を
再生する際に使用される。そして、これらのＭＲヘッド
８ａ、８ｂは、回転ドラム５の中心に対して互いに成す
角度が１８０°となり、磁気ギャップ部分が回転ドラム
の外周から突き出すように、回転ドラム５に搭載されて
いる。なお、これらのＭＲヘッド８ａ、８ｂは、磁気テ
ープＭに対してアジマス記録された信号を再生できるよ
うに、アジマス角が互いに逆となるように設定されてい
る。

【００５７】そして、磁気記録再生装置は、このような
回転ドラム装置３に磁気テープＭを摺動させて、磁気テ
ープＭに対する信号の記録や、磁気テープＭからの信号
の再生を行う。

【００５８】すなわち、記録再生時に磁気テープＭは、
図３に示すように、供給リール１１からガイドローラ１
２、１３を経て、回転ドラム装置３に巻き付くように送
られ、この回転ドラム装置３で記録再生がなされる。そ
して、回転ドラム装置３で記録再生がなされた磁気テー
プＭは、ガイドローラ１４、１５、キャプスタン１６、
ガイドローラ１７を経て、巻き取りロール１８へと送ら
れる。すなわち、磁気テープＭは、キャプスタンモータ
１９により回転駆動されるキャプスタン１６によって所
定の張力及び速度にて送られ、ガイドローラ１７を経て
巻き取りロール１８に巻き取られる。

【００５９】このとき、回転ドラム５は、図２中の矢印
Ａに示すように、モータ６によって回転駆動される。一
方、磁気テープＭは、固定ドラム４のリードガイド部９
に沿って、固定ドラム４及び回転ドラム５に対して斜め
に摺動するように送られる。すなわち、磁気テープＭ
は、テープ走行方向に沿って、図２中矢印Ｂに示すよう
にテープ入口側から固定ドラム４及び回転ドラム５に摺
接するようにリードガイド部９に沿って送られ、その
後、図２中矢印Ｃに示すようにテープ出口側へと送られ
る。

【００６０】次に、上記回転ドラム装置３の内部構造に
ついて、図４を参照して説明する。

【００６１】図４に示すように、固定ドラム４及び回転
ドラム５の中心には、回転軸２１が挿通されている。な
お、固定ドラム４、回転ドラム５及び回転軸２１は導通
材料からなり、これらは電気的に導通しており、固定ド
ラム４が設置されている。

【００６２】そして、固定ドラム４のスリーブの内側に
は、２つの軸受け２２、２３が設けられており、これに
より、固定ドラム４に対して回転軸２１が回転可能に支
持されている。すなわち、回転軸２１は、軸受け２２、
２３により、固定ドラム４に対して回転可能に支持され
ている。一方、回転ドラム５には、その内周部にフラン
ジ２４が形成されており、このフランジ２４が回転軸２
１の上端部に固定されている。これにより、回転ドラム
５は、回転軸２１の回転に伴って回転するようになされ
ている。

【００６３】また、回転ドラム装置３の内部には、固定
ドラム４と回転ドラム５との間で信号の伝送を行うため
に、非接触型の信号伝送装置であるロータリトランス２
５が配されている。このロータリトランス２５は、固定
ドラム４に取り付けられたステータコア２６と、回転ド
ラム５に取り付けられたロータコア２７とを有してい
る。

【００６４】ステータコア２６及びロータコア２７は、
フェライト等のような磁性材料が、回転軸２１を中心と
する円環状に形成されてなる。また、ステータコア２６
には、一対のインダクティブ型磁気ヘッド７ａ、７ｂに
対応した一対の信号伝送用リング２６ａ、２６ｂと、一
対のＭＲヘッド８ａ、８ｂに対応した信号伝送用リング
２６ｃと、一対のＭＲヘッド８ａ、８ｂの駆動に必要な
電力を供給するための電力伝送用リング２６ｄとが、同
心円状に配置されている。同様に、ロータコア２７に
も、一対のインダクティブ型磁気ヘッド７ａ、７ｂに対
応した一対の信号伝送用リング２７ａ、２７ｂと、一対
のＭＲヘッド８ａ、８ｂに対応した信号伝送用リング２
７ｃと、一対のＭＲヘッド８ａ、８ｂの駆動に必要な電
力を供給するための電力伝送用リング２７ｄとが、同心
円状に配置されている。

【００６５】これらのリング２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、
２６ｄ、２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄは、回転軸２
１を中心として円環状に巻回されたコイルからなり、ス
テータコア２６の各リング２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２
６ｄと、ロータコア２７の各リング２７ａ、２７ｂ、２
７ｃ、２７ｄとがそれぞれ対向するように配されてい
る。そして、このロータリトランス２５は、ステータコ
ア２６の各リング２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄと、
ロータコア２７の各リング２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２
７ｄとの間で、非接触にて信号や電力の伝送を行うよう
になっている。

【００６６】また、回転ドラム装置３には、回転ドラム
５を回転駆動させるモータ６が取り付けられている。こ
のモータ６は、回転部分であるロータ２８と、固定部分
であるステータ２９とを有している。ロータ２８は、回
転軸２１の下端部に取り付けられており、駆動用マグネ
ット３０を備えている。一方、ステータ２９は、固定ド
ラム４の下端部に取り付けられており、駆動用コイル３
１を備えている。そして、駆動用コイル３１に電流を供
給することにより、ロータ２８が回転駆動される。これ
により、ロータ２８に取り付けられている回転軸２１が
回転し、それに伴って、回転軸２１に固定されている回
転ドラム５が回転駆動されることとなる。

【００６７】つぎに、以上のような回転ドラム装置３に
よる記録再生について、この回転ドラム装置３並びにそ
の周辺回路についての回路構成の概略を示す図５を参照
して説明する。

【００６８】上記回転ドラム装置３を用いて磁気テープ
Ｍに信号を記録する際は、先ず、モータ６の駆動用コイ
ル３１に電流が供給され、これにより、回転ドラム５が
回転駆動される。そして、回転ドラム５が回転している
状態にて、図５に示すように、外部回路４０からの記録
信号が記録用アンプ４１に供給される。

【００６９】記録用アンプ４１は、外部回路４０からの
記録信号を増幅し、一方のインダクティブ型磁気ヘッド
５ａによって信号を記録するタイミングの時、当該イン
ダクティブ型磁気ヘッド５ａに対応したステータコア２
６の信号伝送用リング２６ａに記録信号を供給し、ま
た、他方のインダクティブ型磁気ヘッド５ｂによって信
号を記録するタイミングの時、当該インダクティブ型磁
気ヘッド５ｂに対応したステータコア２６の信号伝送用
リング２６ｂに記録信号を供給する。

【００７０】ここで、一対のインダクティブ型磁気ヘッ
ド７ａ、７ｂは、上述したように、回転ドラム５の中心
に対して互いに成す角度が１８０°となるように配され
ているので、これらのインダクティブ型磁気ヘッド７
ａ、７ｂは、１８０°の位相差を持って交互に記録する
こととなる。すなわち、記録用アンプ４１は、一方のイ
ンダクティブ型磁気ヘッド５ａに記録信号を供給するタ
イミングと、他方のインダクティブ型磁気ヘッド５ｂに
記録信号を供給するタイミングとを、１８０°の位相差
を持って交互に切り換える。

【００７１】そして、一方のインダクティブ型磁気ヘッ
ド５ａに対応したステータコア２６の信号伝送用リング
２６ａに供給された記録信号は、非接触にてロータコア
２７の信号伝送用リング２７ａに伝送される。そして、
ロータコア２７の信号伝送用リング２７ａに伝送された
記録信号は、インダクティブ型磁気ヘッド５ａに供給さ
れ、当該インダクティブ型磁気ヘッド５ａにより、磁気
テープＭに対して信号の記録がなされる。

【００７２】同様に、他方のインダクティブ型磁気ヘッ
ド５ｂに対応したステータコア２６の信号伝送用リング
２６ｂに供給された記録信号は、非接触にてロータコア
２７の信号伝送用リング２７ｂに伝送される。そして、
ロータコア２７の信号伝送用リング２７ｂに伝送された
記録信号は、インダクティブ型磁気ヘッド５ｂに供給さ
れ、当該インダクティブ型磁気ヘッド５ｂにより、磁気
テープＭに対して信号の記録がなされる。

【００７３】また、上記回転ドラム装置３を用いて磁気
テープＭからの信号を再生する際は、先ず、モータ６の
駆動用コイル３１に電流が供給され、これにより、回転
ドラム５が回転駆動される。そして、回転ドラム５が回
転している状態にて、図５に示すように、オシレータ４
２から高周波の電流がパワードライブ４３に供給され
る。

【００７４】オシレータ４２からの高周波の電流は、パ
ワードライブ４３によって所定の交流電流に変換された
上で、ステータコア２６の電力伝送用リング２６ｄに供
給される。そして、ステータコア２６の電力伝送用リン
グ２６ｄに供給された交流電流は、非接触にてロータコ
ア２７の電力伝送用リング２７ｄに伝送される。そし
て、ロータコア２７の電力伝送用リング２７ｄに伝送さ
れた交流電流は、整流器４４により整流されて直流電流
とされレギュレータ４５に供給され、当該直流電流はレ
ギュレータ４５により所定の電圧に設定される。

【００７５】そして、レギュレータ４５によって所定の
電圧に設定された電流は、一対のＭＲヘッド８ａ、８ｂ
にセンス電流として供給される。なお、一対のＭＲヘッ
ド８ａ、８ｂには、当該ＭＲヘッド８ａ、８ｂからの信
号を検出する再生用アンプ４６が接続されており、レギ
ュレータ４５からの電流は、この再生用アンプ４６にも
供給される。

【００７６】ここで、ＭＲヘッド８ａ、８ｂは、外部磁
界の大きさによって抵抗値が変化するＭＲ素子を備えて
いる。そして、ＭＲヘッド８ａ、８ｂは、磁気テープＭ
からの信号磁界により、ＭＲ素子の抵抗値が変化し、こ
れにより、センス電流に電圧変化が現れるようになされ
ている。

【００７７】そして、再生用アンプ４６は、この電圧変
化を検出し、当該電圧変化に応じた信号を再生信号とし
て出力する。なお、再生用アンプ４６は、一方のＭＲヘ
ッド６ａによって信号を再生するタイミングの時、当該
ＭＲヘッド６ａによって検出した再生信号を出力し、ま
た、他方のＭＲヘッド６ｂによって信号を再生するタイ
ミングの時、当該ＭＲヘッド６ｂによって検出した再生
信号を出力する。

【００７８】ここで、一対のＭＲヘッド８ａ、８ｂは、
上述したように、回転ドラム５の中心に対して互いに成
す角度が１８０°となるように配されているので、これ
らのＭＲヘッド８ａ、８ｂは、１８０°の位相差を持っ
て交互に再生することとなる。すなわち、再生用アンプ
４６は、一方のＭＲヘッド６ａからの再生信号を出力す
るタイミングと、他方のＭＲヘッド６ｂからの再生信号
を出力するタイミングとを、１８０°の位相差を持って
交互に切り換える。

【００７９】そして、再生用アンプ４６からの再生信号
は、ロータコア２７の信号伝送用リング２７ｃに供給さ
れ、この再生信号は、非接触にてステータコア２６の信
号伝送用リング２６ｃに伝送される。ステータコア２６
の信号伝送用リング２６ｃに伝送された再生信号は、再
生用アンプ４７によって増幅された上で、補正回路４８
に供給される。そして、再生信号は、補正回路４８によ
り所定の補正処理が施された後、外部回路４０へと出力
される。

【００８０】なお、図５に示したような回路構成とした
場合、一対のインダクティブ型磁気ヘッド７ａ、７ｂ、
一対のＭＲヘッド８ａ、８ｂ、整流器４４、レギュレー
タ４５及び再生用アンプ４６は、回転ドラム５に搭載さ
れ、回転ドラム５と共に回転する。一方、記録用アンプ
４１、オシレータ４２、パワードライブ４３、再生用ア
ンプ４７及び補正回路４８については、回転ドラム装置
３の固定部分に配するか、或いは、回転ドラム装置３と
は別に構成された外部回路とする。

【００８１】つぎに、上記回転ドラム５に搭載されるＭ
Ｒヘッド８ａ、８ｂについて、図６を参照して詳細に説
明する。なお、ＭＲヘッド６ａ及びＭＲヘッド６ｂは、
アジマス角が互いに逆となるように設定されている他
は、同一の構成を有している。そこで、以下の説明で
は、これらのＭＲヘッド８ａ、８ｂをまとめてＭＲヘッ
ド６と称する。

【００８２】ＭＲヘッド６は、回転ドラム５に搭載さ
れ、ヘリカルスキャン方式によって磁気テープＭからの
信号を、磁気抵抗効果を利用して検出する再生専用の磁
気ヘッドである。一般に、ＭＲヘッドは、電磁誘導を利
用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッドより
も感度が高く再生出力が大きいので、高密度記録に適し
ている。したがって、再生用磁気ヘッドとしてＭＲヘッ
ド６を用いることで、より高密度記録化を図ることがで
きる。

【００８３】そして、このＭＲヘッド６は、図６に示す
ように、Ｎｉ−Ｚｎ多結晶フェライト等のような軟磁性
材料からなる一対の磁気シールド５１、５２と、絶縁体
５３を介して一対の磁気シールド５１、５２によって挟
持された略矩形状のＭＲ素子部５４とを備える。なお、
ＭＲ素子部５４の両端からは、一対の端子が導出されて
おり、これらの端子を介して、ＭＲ端子部５４にセンス
電流を供給できるようになされている。

【００８４】ＭＲ素子部５４は、磁気抵抗効果を有する
ＭＲ素子と、ＳＡＬ（Soft Adjacent Layer）膜と、Ｍ
Ｒ素子とＳＡＬ膜との間に配された絶縁体膜とが積層さ
れてなる。ＭＲ素子は、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）
により、外部磁界の大きさによって抵抗値が変化するＮ
ｉ−Ｆｅ等のような軟磁性材料からなる。ＳＡＬ膜は、
いわゆるＳＡＬバイアス方式により、ＭＲ素子にバイア
ス磁界を印加するためのものであり、パーマロイ等のよ
うに低保磁力で高透磁率の磁性材料からなる。絶縁体膜
は、ＭＲ素子とＳＡＬ膜との間を絶縁し、電気的な分流
損を防ぐためのものであり、Ｔａ等のような絶縁材料か
らなる。

【００８５】このＭＲ素子部５４は、略矩形状に形成さ
れてなり、一側面が磁気テープ摺動面５５に露呈するよ
うに、一対の磁気シールド５１、５２によって絶縁体５
３を介して挟持されている。詳細には、このＭＲ素子部
５４は、短軸方向が磁気テープ摺動面５５に対して略垂
直となり、長軸方向が磁気テープ摺動方向に対して略直
交するように、一対の磁気シールド５１、５２によって
絶縁体５３を介して挟持されている。

【００８６】このＭＲヘッド６の磁気テープ摺動面５５
は、当該磁気テープ摺動面５５にＭＲ素子部５４の一側
面が露呈するように、磁気テープＭの摺動方向に沿って
円筒研磨されているとともに、磁気テープＭの摺動方向
に対して直交する方向に沿って円筒研磨されている。こ
れにより、このＭＲヘッド６は、ＭＲ素子部５４或いは
その近傍部分が最も突出するようになされている。この
ように、ＭＲ素子部５４或いはその近傍部分が最も突出
するようにすることにより、ＭＲ素子部５４の磁気テー
プＭに対する当たり特性を良好なものとすることができ
る。

【００８７】そして、以上のようなＭＲヘッド６を用い
て磁気テープＭからの信号を再生する際は、図７に示す
ように、磁気テープＭをＭＲ素子部５４に摺動させる。
なお、図７中の矢印は、磁気テープＭが磁化されている
様子を模式的に示している。

【００８８】そして、このように磁気テープＭをＭＲ素
子部５４に摺動させた状態で、ＭＲ素子部５４の両端に
接続された端子５４ａ、５４ｂを介して、ＭＲ素子部５
４にセンス電流を供給し、当該センス電流の電圧変化を
検出する。具体的には、ＭＲ素子部５４の一端に接続さ
れた端子５４ａから、所定の電圧Ｖｃを印加するととも
に、ＭＲ素子部５４の他端に接続された端子５４ｂを、
回転ドラム５に接続しておく。ここで、回転ドラム５は
回転軸２１を介して固定ドラム４に電気的に導通してお
り、また、固定ドラム４は接地されている。したがっ
て、ＭＲ素子部５４に接続された一方の端子５４ｂは、
回転ドラム５、回転軸２１及び固定ドラム４を介して接
地されている。

【００８９】そして、磁気テープＭを摺動させた状態で
ＭＲ素子部５４にセンス電流を供給すると、磁気テープ
Ｍからの磁界に応じて、ＭＲ素子部５４に形成されたＭ
Ｒ素子の抵抗値が変化し、その結果、センス電流に電圧
変化が生じる。そこで、このセンス電流の電圧変化を検
出することにより、磁気テープＭからの信号磁界が検出
され、磁気テープＭに記録されている信号が再生され
る。

【００９０】なお、用いるＭＲヘッド６において、ＭＲ
素子部５４に形成されるＭＲ素子は、磁気抵抗効果を示
す素子であればよく、例えば、複数の薄膜を積層するこ
とにより、より大きな磁気抵抗効果を得られるようにし
た、いわゆる巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）も使
用可能である。また、ＭＲ素子にバイアス磁界を印加す
る手法は、ＳＡＬバイアス方式でなくてもよく、例え
ば、永久磁石バイアス方式、シャント電流バイアス方
式、自己バイアス方式、交換バイアス方式、バーバーポ
ール方式、分割素子方式、サーボバイアス方式等、種々
の手法が適用可能である。なお、巨大磁気抵抗効果並び
に各種バイアス方式については、例えば、丸善株式会社
発行の「磁気抵抗ヘッド−基礎と応用− 林和彦訳」に
詳細に記載されている。

【００９１】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
い。

【００９２】実施例１非磁性支持体として、厚さ６．３μｍ、幅１５０ｍｍの
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意
した。

【００９３】まず、非磁性支持体上の磁気記録層を形成
する面側に、厚み５ｎｍのコーティング層を形成した。
コーティング層は、アクリルエステルを主成分とする水
溶性ラッテクスに、直径が１０ｎｍのシリカ粒子を攪拌
し、密度が１×１０⁷個／ｍｍ²程度となるように塗布し
て形成した。

【００９４】次に、磁気記録層を蒸着装置を用いて形成
した。原料である金属磁性材料をＣｏとし、酸素ガス導
入管から酸素を６．０×１０^-4ｍ³／ｍｉｎ導入し、電
子銃から電子線を照射して加熱し、反応性真空蒸着によ
り、Ｃｏ−ＣｏＯ系磁性層を５０ｎｍの膜厚にて形成し
た。このとき、シャッターによって、Ｃｏ蒸着粒子の最
小入射角度を４５°、最大入射角度を９０°に調整し、
磁性層を成膜する際の蒸着速度を１５００ｎｍ・ｍ／ｍ
ｉｎとした。

【００９５】次いで、磁性層上に、ダイヤモンドライク
カーボンからなる保護膜を形成した。ダイヤモンドライ
クカーボンからなる保護膜は、プラズマＣＶＤ法によっ
て膜厚が９ｎｍになるように形成した。

【００９６】次に、ダイヤモンドライクカーボンからな
る保護膜上に、パーフルオロポリエーテルを厚み２ｎｍ
となるように塗布し、潤滑剤層を形成した。また、磁性
層を形成した面側とは反対側の面側（裏面）に、走行耐
久性を得るためにカーボンとウレタン樹脂からなるバッ
クコート層を０．５μｍの膜厚に形成した。

【００９７】最後に、原反を８ｍｍ幅に裁断し、サンプ
ルテープを得た。これを実施例１のサンプルテープとす
る。

【００９８】実施例２Ｃｏ−ＣｏＯ系磁性層の膜厚を３０ｎｍとし、磁性層を
成膜する際の蒸着速度を３０００ｎｍ・ｍ／ｍｉｎにし
た以外は、実施例１と同様にして実施例２のサンプルテ
ープを作製した。

【００９９】実施例３非磁性支持体として厚さ４．４μｍのポリアミドフィル
ムを用い、Ｃｏ−ＣｏＯ系磁性層の膜厚を３０ｎｍとし
た以外は、実施例１と同様にして実施例３のサンプルテ
ープを作製した。

【０１００】実施例４非磁性支持体上に、ＳｉＯ₂をターゲットとするスパッ
タリング法によって、膜厚が１０ｎｍの中間層を形成
し、その後、Ｃｏ−ＣｏＯ系磁性層の膜厚を２０ｎｍと
なるように成膜した以外は、実施例１と同様にして実施
例４のサンプルテープを作製した。

【０１０１】実施例５厚みが４．４μｍの非磁性支持体を用い、磁性層を成膜
する際に、蒸着速度を３０００ｎｍ・ｍ／ｍｉｎとし、
磁性層の厚みを３０ｎｍとした以外は、実施例１と同様
にして実施例５のサンプルテープを作製した。

【０１０２】実施例６磁性層の厚みを５５ｎｍとしたこと以外は、実施例１と
同様にして実施例６のサンプルテープを作製した。

【０１０３】比較例１Ｃｏ−ＣｏＯ系磁性層の膜厚を３０ｎｍとした以外は、
実施例１と同様にして比較例１のサンプルテープを作製
した。

【０１０４】比較例２Ｃｏ−ＣｏＯ系磁性層の膜厚を２０ｎｍとした以外は、
実施例１と同様にして比較例２のサンプルテープを作製
した。

【０１０５】比較例３非磁性支持体の厚みを４．４μｍとしたこと以外は、実
施例１と同様にして比較例３のサンプルテープを作製し
た。

【０１０６】比較例４中間層の厚みを２ｎｍとしたこと以外は、実施例４と同
様にして比較例４のサンプルテープを作製した。

【０１０７】比較例５磁性層の厚みを１０ｎｍとしたこと以外は、実施例３と
同様にして比較例５のサンプルテープを作製した。

【０１０８】比較例６磁性層を成膜する際の蒸着速度を１５００ｎｍ・ｍ／ｍ
ｉｎとしたこと以外は、実施例５と同様にして比較例６
のサンプルテープを作製した。

【０１０９】上記のようにして作製した各サンプルテー
プについて、以下に示す方法を用いて透湿度及び磁化劣
化率の評価を行った。

【０１１０】透湿度は、透湿度テスターＬ８０−４００
０（Lyssy社製）によって高湿層、即ち１００％ＲＨ密
封層内の水分が、磁気記録媒体を低湿層、即ち１０％Ｒ
Ｈの密封層へ移動するようになされ、磁気記録媒体の単
位面積に１日あたりに移動する水分量を換算した値を測
定した。

【０１１１】磁化劣化率は、温度６５℃、湿度９０％Ｒ
Ｈ（相対湿度）の環境下にて６日間放置して、放置前の
Ｍ_s0（飽和磁化）と、放置後のＭ_s1とを測定し、下記式
（２）を用いて算出した。磁化劣化率（％）＝｛（Ｍ_s0−Ｍ_s1）／Ｍ_s0｝×１００・・・（２）

【０１１２】評価結果を下記表１及び図３に示し、制御
条件を下記表２にまとめて示す。

【０１１３】

【表１】

【０１１４】

【表２】＊この表中、「−」は条件が同一であることを意味す
る。

【０１１５】上記表１及び図３より明らかなように、本
発明に基づく磁気記録媒体は、前記透湿度Ｗが、０．２
４×ｔ（但し、ｔは磁性層厚であり、単位はｎｍであ
る。）以下と特定されているので、高温多湿環境下に長
期間保存した場合でも、腐食を大きく抑制することがで
き、その磁化劣化率を１４％以内とすることができた。
この効果は、透湿度Ｗを０．２４×ｔより０．８ｇ／ｍ
²・ｄａｙ以上小さくしたときに著しいことが分かる。

【０１１６】また、上記表１及び上記表２より明らかな
ように、上述した特定範囲を実現するためには、下記
（ａ）〜（ｇ）の少なくとも１つを満たしていることが
望ましい。（ａ）前記非磁性支持体の厚さ。（ｂ）前記非磁性支持体の材質。（ｃ）前記非磁性支持体と、前記磁性層との間に、中間
層を設けること。（ｄ）前記中間層の厚み。（ｅ）前記磁性層を真空薄膜形成技術で形成すること。（ｆ）前記真空薄膜形成技術による成膜時の成膜速度。（ｇ）前記磁性層の厚み。

【０１１７】実施例１と比較例３から明らかなように、
非磁性支持体の材質、磁性層の蒸着速度及び磁性層の厚
みを同一条件に設定し、かつ中間層を設けなかった場
合、比較例３のサンプルテープは非磁性支持体の厚さが
４．４μｍのものを用い、その磁化劣化率が２８％と大
幅に１４％を超えたのに対し、実施例１のサンプルテー
プは、非磁性支持体の厚さが６．３μｍであり、より厚
いものを用いたので、前記式（１）の条件がより好適に
満たされ、磁化劣化率を１４％以下とすることができ
た。

【０１１８】実施例３と比較例６から明らかなように、
非磁性支持体の厚み、磁性層の蒸着速度及び磁性層の厚
みを同一条件に設定し、かつ中間層を設けなかった場
合、比較例６のサンプルテープは、非磁性支持体として
ポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、その磁化
劣化率が２５％と大幅に１４％を超えたのに対し、実施
例３のサンプルテープは、非磁性支持体として、より透
湿度の低いポリアミドフィルムを用いたので、前記式
（１）の条件がより好適に満たされ、磁化劣化率を１４
％以下とすることができた。

【０１１９】実施例４と比較例２から明らかなように、
非磁性支持体の材質及び厚み、磁性層の蒸着速度及び磁
性層の厚みを同一条件に設定した場合、比較例２のサン
プルテープは中間層を有しておらず、その磁化劣化率が
２２％と大幅に１４％を超えたのに対し、実施例４のサ
ンプルテープは、中間層としてのＳｉＯ₂膜を１０ｎｍ
の厚さで設けたので、前記式（１）の条件がより好適に
満たされ、磁化劣化率を１４％以下とすることができ
た。

【０１２０】また、実施例４と比較例４から明らかなよ
うに、非磁性支持体の材質及び厚み、磁性層の蒸着速度
及び磁性層の厚みを同一条件に設定し、かつ中間層とし
てＳｉＯ₂膜を設けた場合、比較例４のサンプルテープ
は中間層の厚みが２ｎｍであり、その磁化劣化率が１６
％であったのに対し、実施例４のサンプルテープは、中
間層としてのＳｉＯ₂膜を１０ｎｍの厚さで設けたの
で、前記式（１）の条件がより好適に満たされ、磁化劣
化率を１４％以下とすることができた。

【０１２１】実施例２と比較例１から明らかなように、
非磁性支持体の材質、厚み及び磁性層の厚みを同一条件
に設定し、かつ中間層を設けなかった場合、比較例１の
サンプルテープは磁性層を成膜する際の蒸着速度を１５
００ｇ／ｍ²・ｄａｙとし、その磁化劣化率が１５％で
あったのに対し、実施例２のサンプルテープは、磁性層
を成膜する際の蒸着速度を３０００ｇ／ｍ²・ｄａｙ
と、より一層高速にしたので、磁性層をより緻密な膜と
して形成することができ、前記式（１）の条件がより好
適に満たされ、磁化劣化率を７％と低減することができ
た。

【０１２２】実施例１と比較例１から明らかなように、
非磁性支持体の材質、厚み及び磁性層を成膜する際の蒸
着速度を同一条件に設定し、かつ中間層を設けなかった
場合、比較例１のサンプルテープは磁性層の厚みが３０
ｎｍであり、その磁化劣化率が１５％であったのに対
し、実施例１のサンプルテープは、磁性層の厚みを５０
ｎｍと、より厚くしたので、前記式（１）の条件がより
好適に満たされ、磁化劣化率を１４％以下とすることが
できた。

【０１２３】

【発明の作用効果】本発明によれば、前記透湿度Ｗが、
０．２４×ｔ以下と特定されているので、高温多湿環境
下に長期間保存した場合でも、腐食を抑制することがで
き、その磁化劣化率を１４％以内とすることができる。
従って、例えば、テープストリーマー用途を始めとした
各種の磁気記録テープシステムを用いての高記録密度の
磁気記録媒体を提供することができる。

【０１２４】また、本発明に基づく磁気記録媒体は、上
述したような顕著な改善効果（腐食の抑制等）を有して
いるので、前記ＭＲヘッド若しくは前記ＧＭＲヘッドの
もつ特有の性能（高再生感度等）にとって有利となり、
前記ＭＲヘッド若しくは前記ＧＭＲヘッドに対し好適に
用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づく磁気記録媒体の概略断面図であ
る。

【図２】本発明の実施の形態による磁気記録再生装置に
搭載される回転ドラム装置の概略斜視図である。

【図３】同、回転ドラム装置を含む磁気テープ送り機構
の概略平面図である。

【図４】同、回転ドラム装置の内部構造の概略断面図で
ある。

【図５】同、回転ドラム装置並びに周辺回路についての
回路構成の概略図である。

【図６】同、回転ドラム装置に搭載されるＭＲヘッド
（磁気抵抗効果型再生ヘッド）の概略斜視図である。

【図７】同、ＭＲヘッドによる磁気テープを磁化すると
きの模式図である。

【図８】本発明の実施例による０．２４×ｔの値と透湿
度との差分と、磁化劣化率の関係を示す図である。

【符号の説明】

１…磁気記録媒体、２…非磁性支持体、３…回転ドラム
装置、４…固定ドラム、５…回転ドラム、６…モータ、
７ａ、７ｂ…インダクティブ型磁気ヘッド、８ａ、８ｂ
…ＭＲヘッド、６１…コーティング層、６２…磁性層、
６３…保護膜、６４…潤滑剤層、６５…バックコート層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果型磁気ヘッド若しくは巨大
磁気抵抗効果型磁気ヘッドに対し摺動状態で用いられる
磁気記録媒体において、非磁性支持体上に、磁性層を有
し、この磁性層の厚さをｔ（ｎｍ）及び透湿度をＷ（ｇ
／ｍ²・ｄａｙ）としたとき、下記式（１）が成立して
いる、磁気記録媒体。Ｗ≦０．２４×ｔ・・・（１）
【請求項２】下記（ａ）〜（ｇ）の少なくとも１つに
よって前記式（１）の条件が設定されている、請求項１
に記載した磁気記録媒体。（ａ）前記非磁性支持体の厚さ。（ｂ）前記非磁性支持体の材質。（ｃ）前記非磁性支持体と、前記磁性層との間に、中間
層を設けること。（ｄ）前記中間層の厚み。（ｅ）前記磁性層を真空薄膜形成技術で形成すること。（ｆ）前記真空薄膜形成技術による成膜時の成膜速度。（ｇ）前記磁性層の厚み。