JP2003239075A - 眼鏡用ガラスの両面同時コーティングのための体積が最適化された反応炉 - Google Patents
眼鏡用ガラスの両面同時コーティングのための体積が最適化された反応炉Info
- Publication number
- JP2003239075A JP2003239075A JP2002355708A JP2002355708A JP2003239075A JP 2003239075 A JP2003239075 A JP 2003239075A JP 2002355708 A JP2002355708 A JP 2002355708A JP 2002355708 A JP2002355708 A JP 2002355708A JP 2003239075 A JP2003239075 A JP 2003239075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- substrate
- coating chamber
- gas supply
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Eyeglasses (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を均一にコーティングするための装置を
提供する。 【解決手段】 本発明は、マイクロ波を導入するための
第１の導波管、第１のガス供給導管、及びコーティング
室を真空引きするための第１の装置を有する第１の部分
装置と、マイクロ波を導入するための第２の導波管、第
２のガス供給導管、及びコーティング室を真空引きする
ための第２の装置を有する第２の部分装置とを備え、第
１及び第２の部分装置は、相互に進退自在とされ、この
進退運動によって、コーティング対象基板が設置される
コーティング室が開閉自在となる。本発明は、マイクロ
波を導入するための第１の導波管、第１のガス供給導
管、及びコーティング室を真空引きするための第１の装
置、ならびに、マイクロ波を導入するための第２の導波
管、第２のガス供給導管、及びコーティング室を真空引
きするための第２の装置が各々相互に同軸配置されるこ
とを特徴とする。
提供する。 【解決手段】 本発明は、マイクロ波を導入するための
第１の導波管、第１のガス供給導管、及びコーティング
室を真空引きするための第１の装置を有する第１の部分
装置と、マイクロ波を導入するための第２の導波管、第
２のガス供給導管、及びコーティング室を真空引きする
ための第２の装置を有する第２の部分装置とを備え、第
１及び第２の部分装置は、相互に進退自在とされ、この
進退運動によって、コーティング対象基板が設置される
コーティング室が開閉自在となる。本発明は、マイクロ
波を導入するための第１の導波管、第１のガス供給導
管、及びコーティング室を真空引きするための第１の装
置、ならびに、マイクロ波を導入するための第２の導波
管、第２のガス供給導管、及びコーティング室を真空引
きするための第２の装置が各々相互に同軸配置されるこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、眼鏡用ガラスの両
面同時コーティングのための、体積が最適化された反応
炉に関する。
面同時コーティングのための、体積が最適化された反応
炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板をコーティング（薄膜形成）するた
めのコーティング反応炉が知られている。斯かるコーテ
ィング反応炉は、底部、蓋部ならびに側壁部、該コーテ
ィング反応炉内部へのガス状媒体用供給導管、さらに反
応装置の内部にプラズマを発生させるのに必要なＨＦエ
ネルギーないしマイクロ波エネルギーを導入するための
高周波窓を有している。マイクロ波エネルギーとは、こ
の場合、主にパルス状のマイクロ波エネルギーのことで
ある。パルス化されたマイクロ波エネルギーを用いて基
板のコーティングを行なうための方法ならびに装置は、
例えば独国特許発明第３８３０２４９号明細書に開示さ
れている。
めのコーティング反応炉が知られている。斯かるコーテ
ィング反応炉は、底部、蓋部ならびに側壁部、該コーテ
ィング反応炉内部へのガス状媒体用供給導管、さらに反
応装置の内部にプラズマを発生させるのに必要なＨＦエ
ネルギーないしマイクロ波エネルギーを導入するための
高周波窓を有している。マイクロ波エネルギーとは、こ
の場合、主にパルス状のマイクロ波エネルギーのことで
ある。パルス化されたマイクロ波エネルギーを用いて基
板のコーティングを行なうための方法ならびに装置は、
例えば独国特許発明第３８３０２４９号明細書に開示さ
れている。
【０００３】独国特許出願公開第４４１４０８３１号明
細書より、対蹠点に相互に向かい合って対称的に配置さ
れた二つの供給源と、この両方の供給源の作用が及ぶ領
域間に基板が保持されるコーティング室とを用いて、低
圧プラズマによる気相成長によってプラスチック基板上
に薄膜を生成するための装置が知られている。
細書より、対蹠点に相互に向かい合って対称的に配置さ
れた二つの供給源と、この両方の供給源の作用が及ぶ領
域間に基板が保持されるコーティング室とを用いて、低
圧プラズマによる気相成長によってプラスチック基板上
に薄膜を生成するための装置が知られている。
【０００４】米国特許第６０１０７５５号明細書には、
磁気的メモリデバイス（magnetische Speichereinricht
ung）上に保護膜を被覆するためのコーティング装置が
開示されている。この装置では、真空チャンバ内にＥＣ
Ｒプラズマが点火され、このとき、このＥＣＲプラズマ
が対向する側から導入される。
磁気的メモリデバイス（magnetische Speichereinricht
ung）上に保護膜を被覆するためのコーティング装置が
開示されている。この装置では、真空チャンバ内にＥＣ
Ｒプラズマが点火され、このとき、このＥＣＲプラズマ
が対向する側から導入される。
【０００５】従来技術によるこれら全ての装置において
は、特に縁部に不均一な膜が析出形成され、被覆する基
板毎にコーティング条件が変わるために再現性に乏しい
ことに加えて、この種の反応炉の体積が比較的大きく、
その結果、ガス入れ替え時間および反応時間が比較的長
くなるという欠点があった。従来技術による装置のさら
なる欠点は、膜厚の変動を抑えることができないという
点にあった。
は、特に縁部に不均一な膜が析出形成され、被覆する基
板毎にコーティング条件が変わるために再現性に乏しい
ことに加えて、この種の反応炉の体積が比較的大きく、
その結果、ガス入れ替え時間および反応時間が比較的長
くなるという欠点があった。従来技術による装置のさら
なる欠点は、膜厚の変動を抑えることができないという
点にあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、上記の問題を起こさないような、基板をコーテ
ィングするための装置を提供することにある。
課題は、上記の問題を起こさないような、基板をコーテ
ィングするための装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
り、マイクロ波のエネルギーを導入するための導波管、
ガス供給導管、及びコーティング室を真空引きするため
の装置が相互に同軸配置されていることを特徴とする請
求項１に記載された装置によって解決される。同軸のマ
イクロ波結合部、ガス結合部、真空結合部を有する管式
反応炉の如き斯かる同軸構造によって、コーティングの
際の均一性の問題を回避することができる。さらに、こ
のような構成としたことによる長所は、装置が比較的小
さな反応炉体積で済ませられ、これにより、不必要に長
いガス交換時間やそれによる長い作業工程時間が解消さ
れるという点にある。
り、マイクロ波のエネルギーを導入するための導波管、
ガス供給導管、及びコーティング室を真空引きするため
の装置が相互に同軸配置されていることを特徴とする請
求項１に記載された装置によって解決される。同軸のマ
イクロ波結合部、ガス結合部、真空結合部を有する管式
反応炉の如き斯かる同軸構造によって、コーティングの
際の均一性の問題を回避することができる。さらに、こ
のような構成としたことによる長所は、装置が比較的小
さな反応炉体積で済ませられ、これにより、不必要に長
いガス交換時間やそれによる長い作業工程時間が解消さ
れるという点にある。
【０００８】基板をコーティングするための装置（本明
細書中、単に基板コーティング用装置と称する場合もあ
る）が、マイクロ波エネルギーを導入するための導波
管、ガス供給導管、及びコーティング室を真空引きする
ための装置をそれぞれ有する二つの部分装置から形成さ
れ、さらに、これら第１及び第２の部分装置が相互に進
退移動自在とされ、この移動によってコーティング室を
開けたり閉めたりできる場合には、コーティング対象の
基板をとりわけ容易にコーティング反応炉つまりはコー
ティング室にローディングないし搬入できるようにな
る。コーティング室そのものは、基板コーティング用装
置から取り外しできる装置とされ、好適には、ガスを供
給するための二つの接続部ならびにコーティング室を真
空引きするための接続部、そしてマイクロ波エネルギー
を導入するための高周波窓を備えている。上記二つの部
分装置が互いに引き離されると、コーティング室が取り
外され、基板コーティング用装置の外でローディングが
行なわれ、続いて基板コーティング用装置に挿入され、
その後、二つの部分装置が閉じられ、コーティング室が
真空引きされ、ガスならびにプレカーサーガスが導入さ
れ、コーティング装置の外で搬入された基板をコーティ
ングするためのコーティング室にプラズマが点火され
る。コーティング工程が終了したら、二つの部分装置は
再び互いに引き離され、コーティング室が取り出され、
コーティング反応炉のコーティング装置の外で搬出が行
なわれる。
細書中、単に基板コーティング用装置と称する場合もあ
る）が、マイクロ波エネルギーを導入するための導波
管、ガス供給導管、及びコーティング室を真空引きする
ための装置をそれぞれ有する二つの部分装置から形成さ
れ、さらに、これら第１及び第２の部分装置が相互に進
退移動自在とされ、この移動によってコーティング室を
開けたり閉めたりできる場合には、コーティング対象の
基板をとりわけ容易にコーティング反応炉つまりはコー
ティング室にローディングないし搬入できるようにな
る。コーティング室そのものは、基板コーティング用装
置から取り外しできる装置とされ、好適には、ガスを供
給するための二つの接続部ならびにコーティング室を真
空引きするための接続部、そしてマイクロ波エネルギー
を導入するための高周波窓を備えている。上記二つの部
分装置が互いに引き離されると、コーティング室が取り
外され、基板コーティング用装置の外でローディングが
行なわれ、続いて基板コーティング用装置に挿入され、
その後、二つの部分装置が閉じられ、コーティング室が
真空引きされ、ガスならびにプレカーサーガスが導入さ
れ、コーティング装置の外で搬入された基板をコーティ
ングするためのコーティング室にプラズマが点火され
る。コーティング工程が終了したら、二つの部分装置は
再び互いに引き離され、コーティング室が取り出され、
コーティング反応炉のコーティング装置の外で搬出が行
なわれる。
【０００９】このように交換自在なコーティング室は、
再現性を有するコーティング条件が、コーティング対象
の基板のそれぞれに対して整えられるという長所を有し
ている。
再現性を有するコーティング条件が、コーティング対象
の基板のそれぞれに対して整えられるという長所を有し
ている。
【００１０】かくして、上記のようなコーティング室の
場合、コーティング室の一部をなす高周波窓は、新たな
コーティングの前に取り替えが可能である。これによ
り、高周波窓がコーティングの度に一緒にコーティング
されてしまうために誘電率が変化したり、それと共にコ
ーティング毎のコーティング条件が変化したりするとい
った、従来技術におけるような事態を防止することがで
きる。本発明により、眼鏡ガラスのコーティング工程毎
にコーティング条件を再現可能に設定できるようにな
る。本発明に係るコーティング室は、使い捨て室（Einm
alraum）、すなわち、コーティングが終わる毎に廃棄さ
れるコーティング室として構成することができる。これ
とは異なり、コーティング毎にコーティング室を洗浄し
て、高周波窓に堆積しているコーティング層がコーティ
ングが終わる毎に取り除かれるように構成することもで
きる。
場合、コーティング室の一部をなす高周波窓は、新たな
コーティングの前に取り替えが可能である。これによ
り、高周波窓がコーティングの度に一緒にコーティング
されてしまうために誘電率が変化したり、それと共にコ
ーティング毎のコーティング条件が変化したりするとい
った、従来技術におけるような事態を防止することがで
きる。本発明により、眼鏡ガラスのコーティング工程毎
にコーティング条件を再現可能に設定できるようにな
る。本発明に係るコーティング室は、使い捨て室（Einm
alraum）、すなわち、コーティングが終わる毎に廃棄さ
れるコーティング室として構成することができる。これ
とは異なり、コーティング毎にコーティング室を洗浄し
て、高周波窓に堆積しているコーティング層がコーティ
ングが終わる毎に取り除かれるように構成することもで
きる。
【００１１】コーティング室が管状に形成され、その
際、第１及び第２のガス供給導管、ならびにコーティン
グ室を真空引きするための第１及び第２の装置が互いに
向き合うように配置され、しかも、管状のコーティング
室の場合に概ね管の軸線と同軸に配置されている場合が
特に好ましい。管状のコーティング室は、コーティング
室が回転対称な形であり、コーティング対象と同じよう
な対称性を有しているという長所を持っている。このた
め、とりわけ均一なコーティングが達成される。
際、第１及び第２のガス供給導管、ならびにコーティン
グ室を真空引きするための第１及び第２の装置が互いに
向き合うように配置され、しかも、管状のコーティング
室の場合に概ね管の軸線と同軸に配置されている場合が
特に好ましい。管状のコーティング室は、コーティング
室が回転対称な形であり、コーティング対象と同じよう
な対称性を有しているという長所を持っている。このた
め、とりわけ均一なコーティングが達成される。
【００１２】本発明はしかしながら、管状ないし回転対
称なコーティング室に制限されるものではなく、他の幾
何学的形状も可能である。
称なコーティング室に制限されるものではなく、他の幾
何学的形状も可能である。
【００１３】コーティング対象の基板として、基板の最
大直径ないし最長の縁部長さが１５ｃｍであるような平
らか又は弓形に丸みを帯びた基板が用いられることが好
ましい。通常、コーティング対象の基板は、眼鏡用の基
板（眼鏡基板）かあるいはレンズ用の基板（レンズ基
板）である。
大直径ないし最長の縁部長さが１５ｃｍであるような平
らか又は弓形に丸みを帯びた基板が用いられることが好
ましい。通常、コーティング対象の基板は、眼鏡用の基
板（眼鏡基板）かあるいはレンズ用の基板（レンズ基
板）である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に基づき具体的
に説明する。
に説明する。
【００１５】図１には、基板３をコーティングするため
の本発明に係る装置１（基板コーティング用装置）が示
されている。ここで、基板３は、本実施形態では、例え
ばレンズないし眼鏡の基板等の弓形に湾曲した基板３と
されている。この装置１は、管軸線Ａの方向に進退移動
することができる二つの部分装置３，５から構成されて
いる。
の本発明に係る装置１（基板コーティング用装置）が示
されている。ここで、基板３は、本実施形態では、例え
ばレンズないし眼鏡の基板等の弓形に湾曲した基板３と
されている。この装置１は、管軸線Ａの方向に進退移動
することができる二つの部分装置３，５から構成されて
いる。
【００１６】これら二つの部分装置３，５のそれぞれ
は、マイクロ波エネルギーすなわち高周波エネルギーを
導入するための開口部７．１，７．２を有する導波管６
を備えている。さらに、これらの二つの部分装置は、そ
れぞれ、管状の真空接続部９．１，９．２を備えてい
る。この真空接続部には、コーティング対象の基板３が
入れられるコーティング反応炉１０（コーティング室）
が接続される一方、コーティング室１０を真空引きする
ためのポンプも接続されている。このコーティング室を
真空引きするためのポンプは、ここでは図示されていな
い。管状の真空接続部の内部には、管の軸線に対して同
軸にそれぞれ一本のガス供給管１２．１が延びている。
は、マイクロ波エネルギーすなわち高周波エネルギーを
導入するための開口部７．１，７．２を有する導波管６
を備えている。さらに、これらの二つの部分装置は、そ
れぞれ、管状の真空接続部９．１，９．２を備えてい
る。この真空接続部には、コーティング対象の基板３が
入れられるコーティング反応炉１０（コーティング室）
が接続される一方、コーティング室１０を真空引きする
ためのポンプも接続されている。このコーティング室を
真空引きするためのポンプは、ここでは図示されていな
い。管状の真空接続部の内部には、管の軸線に対して同
軸にそれぞれ一本のガス供給管１２．１が延びている。
【００１７】コーティング室１０は、真空接続部９．
１，９．２と同じく概ね管状とされている。このコーテ
ィング室１０は、図１に示すように、部分装置を互いに
引き離した際の開口箇所１４を通して、コーティング装
置内に入れることができる。コーティング室１０は、真
空を維持するように、真空接続部９．１，９．２と真空
気密に接合する接続部９．３，９．４を備えている。同
じように、コーティング室１０は、該コーティング室１
０が挿入された際にガス供給導管１２．１，１２．２と
やはり真空気密に接合する二つのガス供給接続部１２．
３，１２．４（ガス供給導管と称する場合もある）を備
えている。
１，９．２と同じく概ね管状とされている。このコーテ
ィング室１０は、図１に示すように、部分装置を互いに
引き離した際の開口箇所１４を通して、コーティング装
置内に入れることができる。コーティング室１０は、真
空を維持するように、真空接続部９．１，９．２と真空
気密に接合する接続部９．３，９．４を備えている。同
じように、コーティング室１０は、該コーティング室１
０が挿入された際にガス供給導管１２．１，１２．２と
やはり真空気密に接合する二つのガス供給接続部１２．
３，１２．４（ガス供給導管と称する場合もある）を備
えている。
【００１８】マイクロ波のエネルギーは、例えば高周波
窓１６．１，１６．２を介してコーティング室１０に導
入される。
窓１６．１，１６．２を介してコーティング室１０に導
入される。
【００１９】本実施形態によるコーティング装置の長所
は、コーティング室が取り外せるという点にある。この
ため、例えば、一緒にコーティングされてしまった高周
波窓へのアクセスがコーティング工程の終了毎に可能に
なる。あるいは、コーティング対象の眼鏡ガラス毎に新
たなコーティング室を用いることもできる。このように
して、常に同じコーティング条件を保証することができ
る。
は、コーティング室が取り外せるという点にある。この
ため、例えば、一緒にコーティングされてしまった高周
波窓へのアクセスがコーティング工程の終了毎に可能に
なる。あるいは、コーティング対象の眼鏡ガラス毎に新
たなコーティング室を用いることもできる。このように
して、常に同じコーティング条件を保証することができ
る。
【００２０】図２には、本発明に係る装置が、ローディ
ングされた状態、すなわち、挿入されたコーティング室
を有した状態で示されている。図１におけるものと同じ
部材には、同じ符号を付す。図２より、部分装置３，５
の双方が同軸方向に動かされて一体に合わされると、コ
ーティング室１０の真空接続部９．３，９．４が第１及
び第２の部分装置の真空接続部９．１，９．２と真空気
密な接合を形成し、同じく、ガス供給導管１２．３，１
２．４（ガス供給接続部）がガス供給導管１２．１，１
２．２と真空気密な接合を形成することが分かる。図２
にはさらに、真空接続部に対するガス供給導管の同軸構
造ないし同軸配置も明確に示されている。図２から明ら
かに分かるように、ガス供給導管は、基板の向かい合っ
ている側に臨んで終端しているため、ガスが反応炉内に
おいて極めて均一にもたらされることが保証され、これ
によって、従来技術に比して基板のさらに一様なコーテ
ィングが確実になる。
ングされた状態、すなわち、挿入されたコーティング室
を有した状態で示されている。図１におけるものと同じ
部材には、同じ符号を付す。図２より、部分装置３，５
の双方が同軸方向に動かされて一体に合わされると、コ
ーティング室１０の真空接続部９．３，９．４が第１及
び第２の部分装置の真空接続部９．１，９．２と真空気
密な接合を形成し、同じく、ガス供給導管１２．３，１
２．４（ガス供給接続部）がガス供給導管１２．１，１
２．２と真空気密な接合を形成することが分かる。図２
にはさらに、真空接続部に対するガス供給導管の同軸構
造ないし同軸配置も明確に示されている。図２から明ら
かに分かるように、ガス供給導管は、基板の向かい合っ
ている側に臨んで終端しているため、ガスが反応炉内に
おいて極めて均一にもたらされることが保証され、これ
によって、従来技術に比して基板のさらに一様なコーテ
ィングが確実になる。
【００２１】マイクロ波エネルギーは、装置１の外に置
かれたマイクロ波発生源から、開口部７．１，７．２に
より導波管６を通して導入される。導波管６は、概ね管
状の真空接続部９．１，９．２に対して同軸かつコーテ
ィング室に対して同軸に設けられている。開口部７．
１，７．２を介してマイクロ波エネルギーが導入可能と
された導波管６は、コーティング反応炉とも称される管
状のコーティング室１０と同じく回転対称に、つまり例
えばコーティング室を取り囲む管のように構成すること
ができる。本発明の主旨を逸脱することなく他の構成も
可能である。導波管６を介してコーティング反応炉ない
しコーティング室に供給されたマイクロ波エネルギー
は、高周波窓１６．１，１６．２を介して、基板３が中
に存在しているコーティング室１０に導入される。コー
ティングは、独国特許発明第３８３０２４９号明細書に
開示されているように、主としてＰＩＣＶＤ法（Plasma
Impulse Chemical Vapor Deposition；プラズマインパ
ルス化学蒸着法）によって施される。この方法の場合、
先ず、ガス供給導管１２．１，１２．２，１２．３，１
２．４を介してコーティング反応炉１０内にガス雰囲気
のガスならびにプレカーサーガスを先ず入れる。その次
に、例えばＨＦエネルギーないしマイクロ波エネルギー
といった導入エネルギーによって、コーティング反応炉
１０の内部にプラズマを点火する。本実施形態において
は、導波管６を介して供給したマイクロ波エネルギーに
よってこのプラズマを点火する。導波管６を通して供給
したマイクロ波エネルギーを、電気窓１６．１，１６．
２（elektrische Fenster）を介して反応炉内部に導入
する。マイクロ波エネルギーとは、上述したように、パ
ルス化されたマイクロ波エネルギーである。パルス化さ
れたプラズマの利点は、プラスチック材料であることが
多いコーティング対象基板に対するはるかに低い熱負荷
にある。加えて、パルス化されたマイクロ波を放射して
プラズマを誘起すると、例えば米国特許第５７３６２０
７号明細書に開示されているように、交代層ないし勾配
層を有するコーティングが可能になる。反応炉のような
立体的な空洞体の内部に導かれたプレカーサーガスは、
例えば、ＨＭＤＳＮ（Hexamethyldisilazan；ヘキサメ
チルジシラザン）、ＨＭＤＳＯ（Hexamethyldisiloxan
e；ヘキサメチ ルジシロキサン）、又はＴｉＣｌ４を含
んでいる。ガス雰囲気として、Ｏ ２雰囲気、Ｎ２雰囲
気、Ｎ２＋ＮＨ３雰囲気を挙げることができる。パルス
化されたプラズマを用いて、例えばＳｉＯｘコーティン
グ、ＴｉＯｘコーティング、又はＳｉＯｘコーティング
ないしＳｉｘＮｙコーティング等のコーティングを、好
ましくは１０〜１００００ｎｍの範囲の厚さで全面的に
基板に設けることができる。本発明による装置によっ
て、ガスを充填すべき体積を最適にしながら基板をでき
るだけ均一にコーティングすることが初めて可能とな
る。
かれたマイクロ波発生源から、開口部７．１，７．２に
より導波管６を通して導入される。導波管６は、概ね管
状の真空接続部９．１，９．２に対して同軸かつコーテ
ィング室に対して同軸に設けられている。開口部７．
１，７．２を介してマイクロ波エネルギーが導入可能と
された導波管６は、コーティング反応炉とも称される管
状のコーティング室１０と同じく回転対称に、つまり例
えばコーティング室を取り囲む管のように構成すること
ができる。本発明の主旨を逸脱することなく他の構成も
可能である。導波管６を介してコーティング反応炉ない
しコーティング室に供給されたマイクロ波エネルギー
は、高周波窓１６．１，１６．２を介して、基板３が中
に存在しているコーティング室１０に導入される。コー
ティングは、独国特許発明第３８３０２４９号明細書に
開示されているように、主としてＰＩＣＶＤ法（Plasma
Impulse Chemical Vapor Deposition；プラズマインパ
ルス化学蒸着法）によって施される。この方法の場合、
先ず、ガス供給導管１２．１，１２．２，１２．３，１
２．４を介してコーティング反応炉１０内にガス雰囲気
のガスならびにプレカーサーガスを先ず入れる。その次
に、例えばＨＦエネルギーないしマイクロ波エネルギー
といった導入エネルギーによって、コーティング反応炉
１０の内部にプラズマを点火する。本実施形態において
は、導波管６を介して供給したマイクロ波エネルギーに
よってこのプラズマを点火する。導波管６を通して供給
したマイクロ波エネルギーを、電気窓１６．１，１６．
２（elektrische Fenster）を介して反応炉内部に導入
する。マイクロ波エネルギーとは、上述したように、パ
ルス化されたマイクロ波エネルギーである。パルス化さ
れたプラズマの利点は、プラスチック材料であることが
多いコーティング対象基板に対するはるかに低い熱負荷
にある。加えて、パルス化されたマイクロ波を放射して
プラズマを誘起すると、例えば米国特許第５７３６２０
７号明細書に開示されているように、交代層ないし勾配
層を有するコーティングが可能になる。反応炉のような
立体的な空洞体の内部に導かれたプレカーサーガスは、
例えば、ＨＭＤＳＮ（Hexamethyldisilazan；ヘキサメ
チルジシラザン）、ＨＭＤＳＯ（Hexamethyldisiloxan
e；ヘキサメチ ルジシロキサン）、又はＴｉＣｌ４を含
んでいる。ガス雰囲気として、Ｏ ２雰囲気、Ｎ２雰囲
気、Ｎ２＋ＮＨ３雰囲気を挙げることができる。パルス
化されたプラズマを用いて、例えばＳｉＯｘコーティン
グ、ＴｉＯｘコーティング、又はＳｉＯｘコーティング
ないしＳｉｘＮｙコーティング等のコーティングを、好
ましくは１０〜１００００ｎｍの範囲の厚さで全面的に
基板に設けることができる。本発明による装置によっ
て、ガスを充填すべき体積を最適にしながら基板をでき
るだけ均一にコーティングすることが初めて可能とな
る。
【図１】 本発明に係る装置を互いに引き離された状態
で示す図である。
で示す図である。
【図２】 基板をコーティングするためにローディング
された状態の図である。
された状態の図である。
Ａ・・・管の軸線（管軸線）
１・・・基板をコーティングするための装置（基板コー
ティング用装置） ３・・・基板 ３，５・・・部分装置（第１の部分装置、第２の部分装
置） ６・・・導波管（第１の導波管、第２の導波管） ７．１，７．２・・・開口部 ９．１，９．２・・・真空接続部（コーティング室を真
空引きするための第１の装置、コーティング室を真空引
きするための第２の装置） ９．３，９．４・・・接続部（コーティング室を真空引
きする第１及び第２の装置のための接続部） １０・・・コーティング室（コーティング反応炉） １２．１，１２．２・・・ガス供給導管（第１のガス供
給導管、第２のガス供給導管） １２．３，１２．４・・・ガス供給接続部（第１及び第
２のガス供給導管のための接続部） １６．１，１６．２・・・高周波窓（第１及び第２の導
波管からマイクロ波のエネルギーを導入するための高周
波窓）
ティング用装置） ３・・・基板 ３，５・・・部分装置（第１の部分装置、第２の部分装
置） ６・・・導波管（第１の導波管、第２の導波管） ７．１，７．２・・・開口部 ９．１，９．２・・・真空接続部（コーティング室を真
空引きするための第１の装置、コーティング室を真空引
きするための第２の装置） ９．３，９．４・・・接続部（コーティング室を真空引
きする第１及び第２の装置のための接続部） １０・・・コーティング室（コーティング反応炉） １２．１，１２．２・・・ガス供給導管（第１のガス供
給導管、第２のガス供給導管） １２．３，１２．４・・・ガス供給接続部（第１及び第
２のガス供給導管のための接続部） １６．１，１６．２・・・高周波窓（第１及び第２の導
波管からマイクロ波のエネルギーを導入するための高周
波窓）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2K009 BB02 BB11 DD04 DD09
4G059 AA11 AB19 AC30 EA04 EA05
EA12 EB02
4K030 BB11 CA06 EA06 FA01 JA03
Claims (9)
- 【請求項１】 基板をコーティングするための装置であ
って、 マイクロ波を導入するための第１の導波管、第１のガス
供給導管、及びコーティング室を真空引きするための第
１の装置を有する第１の部分装置と、 マイクロ波を導入するための第２の導波管、第２のガス
供給導管、及びコーティング室を真空引きするための第
２の装置を有する第２の部分装置とを備え、 前記第１の部分装置及び前記第２の部分装置は、相互に
進退移動自在とされ、この移動によって、コーティング
対象の基板が内部に設置される前記コーティング室が開
閉自在とされている装置において、 前記マイクロ波を導入するための第１の導波管、前記第
１のガス供給導管、及び前記コーティング室を真空引き
するための第１の装置、ならびに、前記マイクロ波を導
入するための第２の導波管、前記第２のガス供給導管、
及び前記コーティング室を真空引きするための第２の装
置は、それぞれ互いに同軸に配置されるとともに、前記
コーティング室は、この装置から取り出すことができか
つ挿入することができるように構成されていることを特
徴とする装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の装置において、 前記コーティング室は、それぞれ、前記第１及び第２の
ガス供給導管のための接続部、ならびに前記コーティン
グ室を真空引きする第１及び第２の装置のための接続
部、さらに、前記第１及び第２の導波管からマイクロ波
のエネルギーを導入するための高周波窓を備えているこ
とを特徴とする装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の装置に
おいて、 前記第１及び第２のガス供給導管が互いに向かい合わせ
に配置されているとともに、前記コーティング室を真空
引きするための第１及び第２の装置が互いに向かい合わ
せに配置されていることを特徴とする装置。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれか１項に
記載の装置において、 前記コーティング室内でコーティングされる基板は、平
らかあるいは弓形に丸みを帯びた基板であることを特徴
とする装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の装置において、 前記基板の直径ないし最大の縦の縁部の長さが１５ｃｍ
を超えないことを特徴とする装置。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれか１項に
記載の装置において、 コーティング対象の基板は、眼鏡ないしレンズの基板で
あることを特徴とする装置。 - 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれか１項に
記載の装置を用いて、 コーティング室に基板を入れ、 基板をコーティングするための装置内に前記コーティン
グ室を挿入し、 前記基板をコーティングするための装置の二つの部分装
置を閉じ、 前記コーティング室を真空引きし、 ガス供給導管を介して、ガス雰囲気のガスならびにプレ
カーサーガスを前記コーティング室に導くとともに、パ
ルス化されたマイクロ波のエネルギーを導入することで
プラズマを発生させて、前記基板の全面に均一にコーテ
ィングを行い、 このコーティング工程が終了した後、コーティング対象
の基板を取り出す基板の両面の均一なコーティングを行
なうための方法。 - 【請求項８】 眼鏡の基板をコーティングするために請
求項１から請求項６のいずれか１項に記載の装置を使用
する方法。 - 【請求項９】 レンズの基板をコーティングするために
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の装置を使
用する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10161469.1 | 2001-12-13 | ||
| DE10161469A DE10161469A1 (de) | 2001-12-13 | 2001-12-13 | Volumenoptimierter Reaktor zur beidseitig gleichzeitigen Beschichtung von Brillengläsern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003239075A true JP2003239075A (ja) | 2003-08-27 |
| JP3943010B2 JP3943010B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=7709199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002355708A Expired - Fee Related JP3943010B2 (ja) | 2001-12-13 | 2002-12-06 | 眼鏡用ガラスの両面同時コーティングのための体積が最適化された反応炉 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7533628B2 (ja) |
| EP (1) | EP1320118B1 (ja) |
| JP (1) | JP3943010B2 (ja) |
| AT (1) | ATE349771T1 (ja) |
| CA (1) | CA2414390A1 (ja) |
| DE (2) | DE10161469A1 (ja) |
| HK (1) | HK1056645A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004030344B4 (de) * | 2004-06-18 | 2012-12-06 | Carl Zeiss | Vorrichtung zum Beschichten optischer Gläser mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung (CVD) |
| EP1917842B1 (en) * | 2005-08-26 | 2015-03-11 | FUJIFILM Manufacturing Europe B.V. | Method and arrangement for generating and controlling a discharge plasma |
| JP2009538989A (ja) * | 2006-05-30 | 2009-11-12 | フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． | パルス化大気圧グロー放電を使用する堆積の方法及び装置 |
| EP2032738A1 (en) * | 2006-06-16 | 2009-03-11 | Fuji Film Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma |
| DE102006045704A1 (de) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Element und optoelektronisches Bauelement mit solch einem optischen Element |
| US8338307B2 (en) * | 2007-02-13 | 2012-12-25 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Substrate plasma treatment using magnetic mask device |
| US20100255625A1 (en) * | 2007-09-07 | 2010-10-07 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma |
| US20090159104A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Judy Huang | Method and apparatus for chamber cleaning by in-situ plasma excitation |
| US8702999B2 (en) * | 2008-02-01 | 2014-04-22 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate |
| JP5473946B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2014-04-16 | フジフィルム マニュファクチュアリング ヨーロッパ ビー．ヴィ． | Ｗｖｔｒバリア性を改善した多層スタック構造体の製造方法 |
| FI20115073A0 (fi) | 2011-01-26 | 2011-01-26 | Beneq Oy | Laitteisto, menetelmä ja reaktiokammio |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3830249A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Schott Glaswerke | Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate |
| EP0753082B1 (de) * | 1994-03-29 | 1999-07-07 | Schott Glas | Pcvd-verfahren und vorrichtung zur beschichtung von gewölbten substraten |
| DE4414083C2 (de) * | 1994-04-22 | 2000-01-20 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Herstellen dünner Schichten auf Kunststoff-Substraten und zum Ätzen solcher Substrate |
| DE4438359C2 (de) * | 1994-10-27 | 2001-10-04 | Schott Glas | Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung |
| JP3225855B2 (ja) * | 1996-06-06 | 2001-11-05 | 株式会社島津製作所 | 薄膜形成装置 |
| JP3944946B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2007-07-18 | 株式会社島津製作所 | 薄膜形成装置 |
-
2001
- 2001-12-13 DE DE10161469A patent/DE10161469A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-11-27 EP EP02026291A patent/EP1320118B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-27 AT AT02026291T patent/ATE349771T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-11-27 DE DE50209069T patent/DE50209069D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-06 JP JP2002355708A patent/JP3943010B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-09 CA CA002414390A patent/CA2414390A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-13 US US10/319,754 patent/US7533628B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-02 HK HK03108775A patent/HK1056645A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7533628B2 (en) | 2009-05-19 |
| US20030148041A1 (en) | 2003-08-07 |
| CA2414390A1 (en) | 2003-06-13 |
| DE50209069D1 (de) | 2007-02-08 |
| DE10161469A1 (de) | 2003-07-03 |
| ATE349771T1 (de) | 2007-01-15 |
| JP3943010B2 (ja) | 2007-07-11 |
| EP1320118A2 (de) | 2003-06-18 |
| HK1056645A1 (en) | 2004-02-20 |
| EP1320118B1 (de) | 2006-12-27 |
| EP1320118A3 (de) | 2005-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3070037B2 (ja) | 三次元物品にバリヤーフィルムを付着させる方法 | |
| CN105144849B (zh) | 环形等离子体处理装置 | |
| JP2003239075A (ja) | 眼鏡用ガラスの両面同時コーティングのための体積が最適化された反応炉 | |
| US4816113A (en) | Method of eliminating undesirable carbon product deposited on the inside of a reaction chamber | |
| JP2001517372A (ja) | 基板をマイクロ波プラズマで加熱する方法 | |
| EP2080817B1 (en) | Method and apparatus for chamber cleaning by in-situ plasma excitation | |
| JPH0773997A (ja) | プラズマｃｖｄ装置と該装置を用いたｃｖｄ処理方法及び該装置内の洗浄方法 | |
| JP2000054149A (ja) | 引っ掻き防止層と反射防止層系とを被着させるための方法および該方法を実施するための装置 | |
| JP2001110885A (ja) | 半導体処理装置および半導体処理方法 | |
| IE922255A1 (en) | Apparatus and process for diamond deposition by microwave¹plasma assisted cvpd | |
| TW201738927A (zh) | 具有塑形工件支架的環形電漿處理設備 | |
| JP2000309885A (ja) | 傾斜機能材料の製造方法 | |
| JPH06318579A (ja) | ドライクリーニング方法 | |
| JPH07130494A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3134386B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0590180A (ja) | プラズマｃｖｄ処理装置のドライクリーニング方法 | |
| JP2002275633A (ja) | 炭素薄膜の成膜装置 | |
| JPS62115708A (ja) | 処理装置 | |
| JPH0375373A (ja) | プラズマ処理装置の清浄化方法 | |
| JPS5833830A (ja) | プラズマ堆積装置 | |
| JP2000001784A (ja) | Ｃｖｄ容器のクリーニング方法 | |
| JPH02278208A (ja) | エネルギガイド | |
| JPH01247575A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH04136178A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2001044188A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20021210 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20031201 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050629 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050831 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20051025 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051025 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070306 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070404 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130413 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130413 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140413 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |