JP2003234454A5 - - Google Patents

Claims (26)

1. 磁気メモリデバイスであって、
   第１と第２の強磁性層であって、それぞれの強磁性層が２つの方向のいずれかに向けられることができる磁化を有し、前記第１の強磁性層が前記第２の強磁性層よりも高い保磁力を有する、第１と第２の強磁性層と、及び
   前記第２の強磁性層とともに閉じた磁束通路を形成するための構造体とを含む、磁気メモリデバイス。
2. 前記構造体が、強磁性材料で被覆された導体を含み、前記強磁性材料の一部が前記第２の強磁性層と磁気的に導通する、請求項１の磁気メモリデバイス。
3. 前記導体の１つの表面を除く全ての表面が被覆され、その被覆されていない表面が前記第２の強磁性層と直に接触する、請求項２の磁気メモリデバイス。
4. 前記強磁性材料の一部が磁気ギャップを画定し、その一部が前記第２の強磁性層と直に接触する、請求項２の磁気メモリデバイス。
5. 前記第１の層がデータ層であり、前記第２の層が基準層である、請求項１の磁気メモリデバイス。
6. 前記データ層と前記基準層が、異なる形状、異なる厚み、及び異なる強磁性材料のうち少なくとも１つで作成される、請求項５の磁気メモリデバイス。
7. 前記強磁性層の間に絶縁性トンネル障壁をさらに含む、請求項１の磁気メモリデバイス。
8. 前記強磁性層の間に非磁性金属層をさらに含む、請求項１の磁気メモリデバイス。
9. 請求項１の磁気メモリデバイスで読出し動作を行う方法であって、
   前記第２の層の磁化の向きを第１の方向に設定し、
   前記磁気メモリデバイスの抵抗状態を判定し、
   前記第２の層の磁化の向きを第２の方向に設定し、
   前記磁気メモリデバイスの抵抗状態を判定し、及び
   前記抵抗状態の変化を検査することを含む、方法。
10. 前記変化が、抵抗状態の移行の方向を判定することにより検査される、請求項９の方法。
11. 第１と第２の強磁性層を含む磁気トンネル接合と、及び
    前記強磁性層の１つとともに閉じた磁束通路を形成するための手段とを含む、デバイス。
12. 強磁性層を含む磁気メモリデバイスのための構造体であって、
    導体と、及び
    前記導体上にあり、前記強磁性層とともに閉じた磁束通路を形成する、強磁性クラッディングとからなる、構造体。
13. 前記導体の１つの表面を除く全ての表面が被覆され、その被覆されていない表面が前記強磁性層と直に接触する、請求項１２の構造体。
14. 前記強磁性クラッディングの一部が磁気ギャップを画定し、その一部が前記強磁性層と直に接触する、請求項１２の構造体。
15. 前記強磁性層が基準層であり、それにより前記強磁性クラッディングが前記磁気メモリデバイスの基準層とともに閉じた磁束通路を形成する、請求項１２の構造体。
16. データ記憶デバイスであって、
    磁気メモリセルのアレイであって、各メモリセルがデータ強磁性層と基準強磁性層とを含む、磁気メモリセルのアレイと、
    第１の方向に延在する複数の第１のトレースであって、それぞれの第１のトレースが一群のデータ層と接触する、複数の第１のトレースと、及び
    第２の方向に延在する複数の構造体であって、それぞれの構造体が一群の基準層とともに閉じた磁束通路を形成する、複数の構造体とを含む、データ記憶デバイス。
17. 前記強磁性層が、書込み動作中に第１の向きと第２の向きとの間で切り替えられることができる磁化を有し、読出し動作中に、前記基準層のみが前記第１の向きと前記第２の向きとの間で切り替えることができる、請求項１６のデータ記憶デバイス。
18. 前記第１の方向が、前記第２の方向と概ね直交する、請求項１６のデータ記憶デバイス。
19. 選択されたメモリセルの前記基準層の磁化の向きを第１の向きに設定し、前記選択されたメモリセルの抵抗状態を判定し、前記選択されたメモリセルの前記基準層の磁化の向きを第２の向きに設定し、前記選択されたメモリセルの抵抗状態を判定し、前記選択されたメモリセルの抵抗状態の変化を検査するための回路をさらに含む、請求項１６のデータ記憶デバイス。
20. 前記回路が、前記抵抗状態の移行の方向を判定することにより、前記変化を検査する、請求項１９のデータ記憶デバイス。
21. 前記回路が、前記選択されたメモリセルと交差する構造体に電位をかけ、前記選択されたメモリセルと交差しない構造体とトレースとのサブセットに等しい電位を供給することにより、前記選択されたメモリセルの前記抵抗状態を判定する、請求項１９のデータ記憶デバイス。
22. それぞれの構造体が、強磁性材料で被覆された導体を含み、前記強磁性材料の一部が、一群の基準層と磁気的に導通する、請求項１６のデータ記憶デバイス。
23. 各導体の１つの表面を除く全ての表面が被覆され、各導体の被覆されていない表面が一群の基準層と直に接触する、請求項２２のデータ記憶デバイス。
24. 前記強磁性材料の一部が各導体上で磁気ギャップを画定し、その一部が、一群の基準層と直に接触する、請求項２２のデータ記憶デバイス。
25. 誘電体層が、少なくとも１つの構造体をその対応する一群の基準層から電気的に絶縁し、導電性で、磁気的に非伝導性のセグメントが前記基準層の間に延在する、請求項２２のデータ記憶デバイス。
26. 請求項１６のデータ記憶デバイスの選択されたメモリセルを読出す方法であって、
    間隔をおいた第１と第２のパルスを前記選択されたメモリセルに印加するステップであって、前記第１と第２のパルスが反対の極性を有する、ステップと、及び
    前記選択されたメモリセルの抵抗状態の移行を検査するステップとを含む、方法。