JP2003188358A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003188358A5 JP2003188358A5 JP2002273448A JP2002273448A JP2003188358A5 JP 2003188358 A5 JP2003188358 A5 JP 2003188358A5 JP 2002273448 A JP2002273448 A JP 2002273448A JP 2002273448 A JP2002273448 A JP 2002273448A JP 2003188358 A5 JP2003188358 A5 JP 2003188358A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- storage device
- conductor
- information storage
- magnetic memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic Effects 0.000 claims 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 10
- 230000005294 ferromagnetic Effects 0.000 claims 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 3
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
Claims (25)
- 磁気メモリ素子であって、
異なる保磁力を有する第１および第２の強磁性層であって、各強磁性層が２つの向きのいずれかに向けられることができる磁化を有する、第１および第２の強磁性層と、及び
前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間のスペーサ層とを含む、磁気メモリ素子。 - 前記第１の層が前記第２の層より高い保磁力を有する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第１の層がデータ層であり、前記第２の層が基準層である、請求項２に記載の磁気メモリ素子。
- 前記データ層の保磁力が前記基準層の保磁力より大きい、請求項３に記載の磁気メモリ素子。
- 前記データ層および前記基準層が、異なる強磁性材料から形成される、請求項３に記載の磁気メモリ素子。
- 強磁性層が、いずれも磁気的に軟らかい、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 前記基準層が、磁気的に非常に軟らかい、請求項６に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第１の層上の第１の導体と、前記第１の導体上の絶縁体と、前記絶縁体上の第２の導体とをさらに含む、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第２の層に接触する第３の導体をさらに含み、前記第３の導体が前記第１の導体と直交する、請求項８に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第１の層に接触する第１の導体と、前記第２の層に接触する第２の導体とをさらに含み、前記第１の導体と前記第２の導体が直交する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 前記スペーサ層が絶縁性トンネル障壁である、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 磁気抵抗素子であって、
異なる保磁力を有するデータ層および基準層であって、そのデータ層および基準層のそれぞれの層が、２つの向きのいずれかに向けられることができる磁化を有する、データ層および基準層と、および
前記データ層と前記基準層との間のスペーサ層とを含む、磁気抵抗素子。 - 前記スペーサ層が絶縁性トンネル障壁である、請求項１２に記載の磁気抵抗素子。
- 前記スペーサ層が非磁性金属層である、請求項１２に記載の磁気抵抗素子。
- 前記データ層と前記基準層の双方が、磁気的に軟らかい、請求項１２に記載の磁気抵抗素子。
- 情報記憶装置であって、
メモリセルのアレイからなり、各メモリセルが、
第１および第２の強磁性層を含み、その第１および第２の強磁性層が、書込み操作中に第１と第２の向きとの間で切り替えられ得る磁化を有し、前記第２の層のみが、読出し操作中に第１と第２の向きとの間で切り替えられ得る、情報記憶装置。 - 第１の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第１のトレースと、
第２の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第２のトレースと、
前記第１および第２の方向がほぼ直交することと、および
前記第２の方向に同様に延在する複数の第３のトレースとをさらに含み、
前記第２および第３のトレースが絶縁体によって分離されている、請求項１６に記載の情報記憶装置。 - 書込み操作中に前記第１および第２のトレースに書込み電流を印加し、読出し操作中に前記第３のトレースに読出し電流を供給するための回路をさらに含む、請求項１７に記載の情報記憶装置。
- 前記回路が、書込み操作中に前記第３のトレースにも書込み電流を供給する、請求項１８に記載の情報記憶装置。
- 前記回路が、読出し操作中に前記第３のトレースに安定した読出し電流を供給する、請求項１８に記載の情報記憶装置。
- 選択されたメモリセルの抵抗状態を、メモリセルを流れるセンス電流の大きさに基づいて判定するためのセンス増幅器をさらに含む、請求項２０に記載の情報記憶装置。
- 前記回路が、読出し操作中に前記第３のトレースに両極性パルスを印加する、請求項１７に記載の情報記憶装置。
- 前記回路が、読出し操作中に接合抵抗の移行を判定するためのセンス増幅器をさらに含む、請求項１７に記載の情報記憶装置。
- 第１の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第１のトレースと、
第２の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第２のトレースと、
読出し操作中に、選択されたセルの両端に電圧を印加し、選択されたメモリセルに同時に電流を供給し、それにより第１および第２の電流が、読出し操作中に前記選択されたメモリセルに流れるようにするための回路と、および
前記選択されたメモリセルの抵抗状態を前記第１および第２の電流に基づいて判定するためのセンス増幅器とをさらに含む、請求項１７に記載の情報記憶装置。 - 前記第２の層の磁化の向きが、読出し操作中に前記第１、第２、および第３のトレースを流れる電流によって影響を受けない、請求項１７に記載の情報記憶装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/963,171 US6576969B2 (en) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | Magneto-resistive device having soft reference layer |
| US09/963171 | 2001-09-25 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188358A JP2003188358A (ja) | 2003-07-04 |
| JP2003188358A5 true JP2003188358A5 (ja) | 2005-04-28 |
| JP4226295B2 JP4226295B2 (ja) | 2009-02-18 |
Family
ID=25506840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002273448A Expired - Fee Related JP4226295B2 (ja) | 2001-09-25 | 2002-09-19 | 磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6576969B2 (ja) |
| EP (1) | EP1298669A3 (ja) |
| JP (1) | JP4226295B2 (ja) |
| KR (1) | KR100910571B1 (ja) |
| CN (1) | CN100350495C (ja) |
| TW (1) | TWI269429B (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002163809A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
| US6795281B2 (en) * | 2001-09-25 | 2004-09-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magneto-resistive device including soft synthetic ferrimagnet reference layer |
| US6936903B2 (en) * | 2001-09-25 | 2005-08-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magnetic memory cell having a soft reference layer |
| JP2003124445A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Nec Corp | 磁性記憶装置とその製造方法 |
| JP2003151262A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
| DE10158795B4 (de) * | 2001-11-30 | 2005-12-22 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive Speicherzelle mit dynamischer Referenzschicht |
| US6967350B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-11-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory structures |
| DE10214946B4 (de) * | 2002-04-04 | 2006-01-19 | "Stiftung Caesar" (Center Of Advanced European Studies And Research) | TMR-Sensor |
| US6850433B2 (en) * | 2002-07-15 | 2005-02-01 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Magnetic memory device and method |
| US6654278B1 (en) * | 2002-07-31 | 2003-11-25 | Motorola, Inc. | Magnetoresistance random access memory |
| JP3788964B2 (ja) | 2002-09-10 | 2006-06-21 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
| US6870758B2 (en) * | 2002-10-30 | 2005-03-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magnetic memory device and methods for making same |
| JP2004296000A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド、及びその製造方法 |
| KR100522943B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2005-10-25 | 학교법인고려중앙학원 | 소자 크기 변화에 무관하게 작고 안정한 바이어스 자기장을 갖는 자기 저항 구조 |
| US7193889B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-03-20 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Switching of MRAM devices having soft magnetic reference layers |
| US7102920B2 (en) * | 2004-03-23 | 2006-09-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Soft-reference three conductor magnetic memory storage device |
| US7211874B2 (en) * | 2004-04-06 | 2007-05-01 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic random access memory array with free layer locking mechanism |
| EP1705665B1 (en) * | 2005-03-24 | 2008-04-02 | Hitachi Ltd. | Conduction control device |
| KR100684893B1 (ko) * | 2005-03-28 | 2007-02-20 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 장치 및 그 제조방법 |
| US7457153B1 (en) | 2005-11-23 | 2008-11-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit memory devices having magnetic memory cells therein that utilize dual-ferromagnetic data layers |
| US7391641B2 (en) * | 2005-11-23 | 2008-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layered magnetic memory structures |
| KR100963132B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2010-06-15 | 한양대학교 산학협력단 | 멀티비트 강유전체 기억소자 |
| FR2966636B1 (fr) * | 2010-10-26 | 2012-12-14 | Centre Nat Rech Scient | Element magnetique inscriptible |
| US9741414B2 (en) * | 2013-09-24 | 2017-08-22 | National University Of Singapore | Spin orbit and spin transfer torque-based spintronics devices |
| JP2019087688A (ja) | 2017-11-09 | 2019-06-06 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| JP2020042882A (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | キオクシア株式会社 | 磁気メモリ |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5841611A (en) * | 1994-05-02 | 1998-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect type head, memory device, and amplifying device using the same |
| US5587943A (en) * | 1995-02-13 | 1996-12-24 | Integrated Microtransducer Electronics Corporation | Nonvolatile magnetoresistive memory with fully closed flux operation |
| US5585986A (en) * | 1995-05-15 | 1996-12-17 | International Business Machines Corporation | Digital magnetoresistive sensor based on the giant magnetoresistance effect |
| US5702831A (en) * | 1995-11-06 | 1997-12-30 | Motorola | Ferromagnetic GMR material |
| DE19704847A1 (de) | 1997-02-08 | 1998-08-13 | Egmo Ltd | Ventil |
| EP0875901B1 (en) * | 1997-04-28 | 2006-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic thin-film memory element utilizing GMR effect, and magnetic thin-film memory |
| JPH11176149A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁性メモリー |
| US6211559B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-04-03 | Motorola, Inc. | Symmetric magnetic tunnel device |
| JP4095200B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 巨大磁気抵抗効果を利用したメモリ素子 |
| US6023395A (en) * | 1998-05-29 | 2000-02-08 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor with in-stack biasing |
| US6034887A (en) * | 1998-08-05 | 2000-03-07 | International Business Machines Corporation | Non-volatile magnetic memory cell and devices |
| US6005800A (en) * | 1998-11-23 | 1999-12-21 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array with paired asymmetric memory cells for improved write margin |
| JP2000208831A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Sony Corp | 磁気抵抗素子及びこれを用いた磁気デバイス |
| US6469878B1 (en) * | 1999-02-11 | 2002-10-22 | Seagate Technology Llc | Data head and method using a single antiferromagnetic material to pin multiple magnetic layers with differing orientation |
| US6166948A (en) * | 1999-09-03 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array with magnetic tunnel junction memory cells having flux-closed free layers |
| JP2001101858A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁性メモリ |
| US6172904B1 (en) * | 2000-01-27 | 2001-01-09 | Hewlett-Packard Company | Magnetic memory cell with symmetric switching characteristics |
| US6538920B2 (en) * | 2001-04-02 | 2003-03-25 | Manish Sharma | Cladded read conductor for a pinned-on-the-fly soft reference layer |
-
2001
- 2001-09-25 US US09/963,171 patent/US6576969B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-07 TW TW091117787A patent/TWI269429B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-09-02 EP EP02256085A patent/EP1298669A3/en not_active Withdrawn
- 2002-09-19 JP JP2002273448A patent/JP4226295B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-24 CN CNB021323437A patent/CN100350495C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-24 KR KR1020020057732A patent/KR100910571B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-01-25 US US10/351,013 patent/US6891746B2/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003188358A5 (ja) | ||
| KR970009765B1 (ko) | 자성박막 메모리 및 그 기록 · 재생 방법 | |
| EP1320102B1 (en) | Magnetic random access memory and method of operating the same | |
| JP5598697B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ | |
| US6480411B1 (en) | Magnetoresistance effect type memory, and method and device for reproducing information from the memory | |
| US8514615B2 (en) | Structures and methods for a field-reset spin-torque MRAM | |
| US7869265B2 (en) | Magnetic random access memory and write method of the same | |
| JP2004104127A5 (ja) | ||
| TW200407885A (en) | MRAM with asymmetric cladded conductor | |
| US7366009B2 (en) | Separate write and read access architecture for a magnetic tunnel junction | |
| US7924593B2 (en) | Information storage devices and methods of operating the same | |
| TWI306610B (en) | Read operations on multi-bit memory cells in resistive cross point arrays | |
| TW200405333A (en) | Multi-bit magnetic memory device | |
| TW563127B (en) | MRAM device including offset conductors | |
| JP2007234208A (ja) | 磁気メモリ素子 | |
| TW200401290A (en) | A magnetic memory device and method | |
| KR20030027690A (ko) | 자기 메모리 장치 | |
| JPWO2009060749A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ | |
| JP2005526351A (ja) | 読み出し信号が最大で且つ電磁妨害を低減するｍｒａｍセルおよびアレイ構造 | |
| JP2003197875A (ja) | 磁気記憶装置 | |
| CN111223506B (zh) | 基于自旋轨道矩的mram存储单元及存储阵列 | |
| JP2003338610A (ja) | マグネティックｒａｍ | |
| US8659852B2 (en) | Write-once magentic junction memory array | |
| JP2003272374A5 (ja) | ||
| TW200304143A (en) | Synthetic ferrimagnet reference layer for a magnetic storage device |