JP2003188358A5 - - Google Patents
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Claims (25)
- 磁気メモリ素子であって、
異なる保磁力を有する第１および第２の強磁性層であって、各強磁性層が２つの向きのいずれかに向けられることができる磁化を有する、第１および第２の強磁性層と、及び
前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間のスペーサ層とを含む、磁気メモリ素子。 - 前記第１の層が前記第２の層より高い保磁力を有する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第１の層がデータ層であり、前記第２の層が基準層である、請求項２に記載の磁気メモリ素子。
- 前記データ層の保磁力が前記基準層の保磁力より大きい、請求項３に記載の磁気メモリ素子。
- 前記データ層および前記基準層が、異なる強磁性材料から形成される、請求項３に記載の磁気メモリ素子。
- 強磁性層が、いずれも磁気的に軟らかい、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 前記基準層が、磁気的に非常に軟らかい、請求項６に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第１の層上の第１の導体と、前記第１の導体上の絶縁体と、前記絶縁体上の第２の導体とをさらに含む、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第２の層に接触する第３の導体をさらに含み、前記第３の導体が前記第１の導体と直交する、請求項８に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第１の層に接触する第１の導体と、前記第２の層に接触する第２の導体とをさらに含み、前記第１の導体と前記第２の導体が直交する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 前記スペーサ層が絶縁性トンネル障壁である、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
- 磁気抵抗素子であって、
異なる保磁力を有するデータ層および基準層であって、そのデータ層および基準層のそれぞれの層が、２つの向きのいずれかに向けられることができる磁化を有する、データ層および基準層と、および
前記データ層と前記基準層との間のスペーサ層とを含む、磁気抵抗素子。 - 前記スペーサ層が絶縁性トンネル障壁である、請求項１２に記載の磁気抵抗素子。
- 前記スペーサ層が非磁性金属層である、請求項１２に記載の磁気抵抗素子。
- 前記データ層と前記基準層の双方が、磁気的に軟らかい、請求項１２に記載の磁気抵抗素子。
- 情報記憶装置であって、
メモリセルのアレイからなり、各メモリセルが、
第１および第２の強磁性層を含み、その第１および第２の強磁性層が、書込み操作中に第１と第２の向きとの間で切り替えられ得る磁化を有し、前記第２の層のみが、読出し操作中に第１と第２の向きとの間で切り替えられ得る、情報記憶装置。 - 第１の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第１のトレースと、
第２の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第２のトレースと、
前記第１および第２の方向がほぼ直交することと、および
前記第２の方向に同様に延在する複数の第３のトレースとをさらに含み、
前記第２および第３のトレースが絶縁体によって分離されている、請求項１６に記載の情報記憶装置。 - 書込み操作中に前記第１および第２のトレースに書込み電流を印加し、読出し操作中に前記第３のトレースに読出し電流を供給するための回路をさらに含む、請求項１７に記載の情報記憶装置。
- 前記回路が、書込み操作中に前記第３のトレースにも書込み電流を供給する、請求項１８に記載の情報記憶装置。
- 前記回路が、読出し操作中に前記第３のトレースに安定した読出し電流を供給する、請求項１８に記載の情報記憶装置。
- 選択されたメモリセルの抵抗状態を、メモリセルを流れるセンス電流の大きさに基づいて判定するためのセンス増幅器をさらに含む、請求項２０に記載の情報記憶装置。
- 前記回路が、読出し操作中に前記第３のトレースに両極性パルスを印加する、請求項１７に記載の情報記憶装置。
- 前記回路が、読出し操作中に接合抵抗の移行を判定するためのセンス増幅器をさらに含む、請求項１７に記載の情報記憶装置。
- 第１の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第１のトレースと、
第２の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第２のトレースと、
読出し操作中に、選択されたセルの両端に電圧を印加し、選択されたメモリセルに同時に電流を供給し、それにより第１および第２の電流が、読出し操作中に前記選択されたメモリセルに流れるようにするための回路と、および
前記選択されたメモリセルの抵抗状態を前記第１および第２の電流に基づいて判定するためのセンス増幅器とをさらに含む、請求項１７に記載の情報記憶装置。 - 前記第２の層の磁化の向きが、読出し操作中に前記第１、第２、および第３のトレースを流れる電流によって影響を受けない、請求項１７に記載の情報記憶装置。
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