JP2003232893A - 放射線画像変換パネル及びその製造方法 - Google Patents
放射線画像変換パネル及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光強度に優れ、且つ、高鮮鋭性を示す放射
線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法
を提供する。 【解決手段】 支持体上に、少なくとも輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光
体層が柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体を有し、且
つ、該柱状結晶構造が下記一般式（１）を満たす柱状結
晶径比を示すことを特徴とする放射線画像変換パネル。 一般式（１） １．０≦Ｄ２／Ｄ１≦３．０
線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法
を提供する。 【解決手段】 支持体上に、少なくとも輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光
体層が柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体を有し、且
つ、該柱状結晶構造が下記一般式（１）を満たす柱状結
晶径比を示すことを特徴とする放射線画像変換パネル。 一般式（１） １．０≦Ｄ２／Ｄ１≦３．０
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線画像変換パ
ネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
ネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、輝尽性蛍光体を利用した放射線像
変換パネルにより放射線像を画像化する方法が用いられ
るようになってきた。
変換パネルにより放射線像を画像化する方法が用いられ
るようになってきた。
【０００３】これは例えば米国特許第３，８５９，５２
７号及び特開昭５５−１２１４４号等に開示された様に
支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線像変換パネ
ルを使用するものである。この放射線像変換パネルの輝
尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線をあてて被写体
各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを輝尽
性蛍光体層に蓄積させて潜像（蓄積像）を形成し、この
輝尽性蛍光体層を輝尽励起光（レーザ光が用いられる）
で走査することによって各部に蓄積された放射線エネル
ギーを放射させて光に変換し、この光の強弱を読みとっ
て画像を得る。この画像はＣＲＴ等各種のディスプレイ
上に再生してもよいし、又ハードコピーとして再生して
もよい。
７号及び特開昭５５−１２１４４号等に開示された様に
支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線像変換パネ
ルを使用するものである。この放射線像変換パネルの輝
尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線をあてて被写体
各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを輝尽
性蛍光体層に蓄積させて潜像（蓄積像）を形成し、この
輝尽性蛍光体層を輝尽励起光（レーザ光が用いられる）
で走査することによって各部に蓄積された放射線エネル
ギーを放射させて光に変換し、この光の強弱を読みとっ
て画像を得る。この画像はＣＲＴ等各種のディスプレイ
上に再生してもよいし、又ハードコピーとして再生して
もよい。
【０００４】この放射線像変換方法に用いられる放射線
像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率及び
光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、高鮮鋭性で
あることが要求される。
像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率及び
光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、高鮮鋭性で
あることが要求される。
【０００５】通常、放射線感度を高くするには輝尽性蛍
光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりす
ぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため
発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。
光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりす
ぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため
発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。
【０００６】又鮮鋭性については、輝尽性蛍光体層を薄
層化するほど向上するが、薄すぎると感度の現象が大き
くなる。
層化するほど向上するが、薄すぎると感度の現象が大き
くなる。
【０００７】又粒状性についても画像の粒状性は放射線
量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）或いは放射線像変
換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構造モトル）
等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層の層厚が薄
くなると輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子数が減
少してモトルが増加したり、構造的乱れが顕在化して構
造モトルが増加したりして画質の低下を生ずる。従って
画像の粒状性を向上させるためには輝尽性蛍光体層の層
厚が厚い必要があった。
量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）或いは放射線像変
換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構造モトル）
等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層の層厚が薄
くなると輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子数が減
少してモトルが増加したり、構造的乱れが顕在化して構
造モトルが増加したりして画質の低下を生ずる。従って
画像の粒状性を向上させるためには輝尽性蛍光体層の層
厚が厚い必要があった。
【０００８】この様に様々な要因から放射線像変換パネ
ルを用いた放射線像変換方法の画質及び感度は決定され
る。これらの感度や画質に関する複数の因子を調整して
感度、画質を改良するため、これまで様々な検討がされ
てきた。
ルを用いた放射線像変換方法の画質及び感度は決定され
る。これらの感度や画質に関する複数の因子を調整して
感度、画質を改良するため、これまで様々な検討がされ
てきた。
【０００９】それらの内放射線画像の鮮鋭性改善の為の
手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状その
ものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試み
がされている。
手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状その
ものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試み
がされている。
【００１０】これらの試みの１つとして、例えば特開昭
６１−１４２４９７号等において行われている様な、微
細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆
積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍
光体層を用いる方法がある。
６１−１４２４９７号等において行われている様な、微
細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆
積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍
光体層を用いる方法がある。
【００１１】又、特開昭６１−１４２５００号に記載の
ように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光
体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショッ
ク処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する
放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２
−３９７３７号に記載されたような、支持体の面に形成
された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ
擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法、更に
は、特開昭６２−１１０２００号に記載のように、支持
体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形
成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設け
る方法等も提案されている。
ように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光
体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショッ
ク処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する
放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２
−３９７３７号に記載されたような、支持体の面に形成
された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ
擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法、更に
は、特開昭６２−１１０２００号に記載のように、支持
体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形
成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設け
る方法等も提案されている。
【００１２】最近では、特開昭６２−１５７６００号に
記載のように、支持体上に輝尽性蛍光体層を気相堆積法
を用いての作製時、輝尽性蛍光体成分の蒸気流の流線と
支持体面との交角を特定の範囲に調節しながら、輝尽性
蛍光体層を所定の厚みに形成する方法が開示され、ま
た、特許第２８９９８１２号には、気相堆積法によって
支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもっ
た細長い柱状結晶が形成された輝尽性蛍光体層を有する
放射線像変換パネルが提案されている。
記載のように、支持体上に輝尽性蛍光体層を気相堆積法
を用いての作製時、輝尽性蛍光体成分の蒸気流の流線と
支持体面との交角を特定の範囲に調節しながら、輝尽性
蛍光体層を所定の厚みに形成する方法が開示され、ま
た、特許第２８９９８１２号には、気相堆積法によって
支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもっ
た細長い柱状結晶が形成された輝尽性蛍光体層を有する
放射線像変換パネルが提案されている。
【００１３】これらの蛍光体層の形状をコントロールす
る試みにおいては、蛍光体層を柱状結晶構造にすること
により、画質向上を目途としている。特に、柱状にする
ことにより、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向への拡
散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反射を
繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができるた
め、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させるこ
とができるという特徴があるとされている。
る試みにおいては、蛍光体層を柱状結晶構造にすること
により、画質向上を目途としている。特に、柱状にする
ことにより、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向への拡
散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反射を
繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができるた
め、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させるこ
とができるという特徴があるとされている。
【００１４】しかしながら、上記記載の気相成長（堆
積）により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変
換パネルにおいても、より一層の高画質化が求められて
いる。
積）により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変
換パネルにおいても、より一層の高画質化が求められて
いる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
強度に優れ、且つ、高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネ
ル及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること
である。
強度に優れ、且つ、高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネ
ル及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること
である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、下
記の構成１〜１５により達成された。
記の構成１〜１５により達成された。
【００１７】１．支持体上に、少なくとも輝尽性蛍光体
層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍
光体層が柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体を有し、且
つ、該柱状結晶構造が前記一般式（１）を満たす柱状結
晶径比を示すことを特徴とする放射線画像変換パネル。
層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍
光体層が柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体を有し、且
つ、該柱状結晶構造が前記一般式（１）を満たす柱状結
晶径比を示すことを特徴とする放射線画像変換パネル。
【００１８】２．前記柱状結晶径比が前記一般式（２）
を満たすことを特徴とする前記１に記載の放射線画像変
換パネル。
を満たすことを特徴とする前記１に記載の放射線画像変
換パネル。
【００１９】３．輝尽性蛍光体層が、前記一般式（３）
で表される組成を有する輝尽性蛍光体を含有することを
特徴とする前記１に記載の放射線画像変換パネル。
で表される組成を有する輝尽性蛍光体を含有することを
特徴とする前記１に記載の放射線画像変換パネル。
【００２０】４．前記一般式（３）のＭIは、Ｋ、Ｒｂ
およびＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であることを特徴とする前記３に記載の放射線画像変換
パネル。
およびＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であることを特徴とする前記３に記載の放射線画像変換
パネル。
【００２１】５．前記一般式（３）のＸは、Ｂｒまたは
Ｉであることを特徴とする前記３または４に記載の放射
線画像変換パネル。
Ｉであることを特徴とする前記３または４に記載の放射
線画像変換パネル。
【００２２】６．前記一般式（３）のＭIIは、Ｂｅ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選ばれる少なく
とも一種の二価金属であることを特徴とする前記３〜５
のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選ばれる少なく
とも一種の二価金属であることを特徴とする前記３〜５
のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２３】７．前記一般式（３）のＭIIIは、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａおよび
Ｉｎから選ばれる少なくとも一種の三価金属であること
を特徴とする前記３〜６のいずれか１項に記載の放射線
画像変換パネル。
ａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａおよび
Ｉｎから選ばれる少なくとも一種の三価金属であること
を特徴とする前記３〜６のいずれか１項に記載の放射線
画像変換パネル。
【００２４】８．前記一般式（３）のｂが、０≦ｂ≦１
０-2であることを特徴とする前記３〜７のいずれか１項
に記載の放射線画像変換パネル。
０-2であることを特徴とする前記３〜７のいずれか１項
に記載の放射線画像変換パネル。
【００２５】９．前記一般式（３）のＡが、Ｅｕ、Ｃ
ｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選択される少な
くとも１種の金属であることを特徴とする前記３〜８の
いずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
ｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選択される少な
くとも１種の金属であることを特徴とする前記３〜８の
いずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２６】１０．前記一般式（３）で表される組成を
有する輝尽性蛍光体が前記一般式（４）で表される輝尽
性蛍光体であることを特徴とする前記３〜９のいずれか
１項に記載の放射線画像変換パネル。
有する輝尽性蛍光体が前記一般式（４）で表される輝尽
性蛍光体であることを特徴とする前記３〜９のいずれか
１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２７】１１．前記１〜１０のいずれか１項に記載
の放射線画像変換パネルを製造するに当たり、輝尽性蛍
光体層が気相堆積法により形成される工程を有すること
を特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
の放射線画像変換パネルを製造するに当たり、輝尽性蛍
光体層が気相堆積法により形成される工程を有すること
を特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２８】１２．輝尽性蛍光体層を形成しようとする
支持体面の法線方向に対して、輝尽性蛍光体または該輝
尽性蛍光体の原料を特定の入射角で入射させることによ
り、前記支持体面の法線方向に対して特定の傾きを有
し、且つ、独立した柱状結晶から構成される輝尽性蛍光
体層を形成することを特徴とする前記１１に記載の放射
線画像変換パネルの製造方法。
支持体面の法線方向に対して、輝尽性蛍光体または該輝
尽性蛍光体の原料を特定の入射角で入射させることによ
り、前記支持体面の法線方向に対して特定の傾きを有
し、且つ、独立した柱状結晶から構成される輝尽性蛍光
体層を形成することを特徴とする前記１１に記載の放射
線画像変換パネルの製造方法。
【００２９】１３．入射角を、０°〜８０°の範囲に調
整することを特徴とする前記１２に記載の放射線画像変
換パネルの製造方法。
整することを特徴とする前記１２に記載の放射線画像変
換パネルの製造方法。
【００３０】１４．入射角を、０°〜７０°の範囲に調
整することを特徴とする前記１２に記載の放射線画像変
換パネルの製造方法。
整することを特徴とする前記１２に記載の放射線画像変
換パネルの製造方法。
【００３１】１５．前記１１〜１４のいずれか１項に記
載の放射線画像変換パネルの製造方法を用いて製造され
たことを特徴とする放射線画像変換パネル。
載の放射線画像変換パネルの製造方法を用いて製造され
たことを特徴とする放射線画像変換パネル。
【００３２】以下、本発明を詳細に説明する。本発明者
等は、上記記載の問題点を種々検討した結果、請求項１
に記載のように、支持体上に、少なくとも輝尽性蛍光体
層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍
光体層が柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体を有し、且
つ、該柱状結晶構造が前記一般式（１）を満たすように
調整することが必須要件であり、前記要件を満たすこと
により、発光強度に優れ、且つ、高鮮鋭性を示す放射線
画像変換パネルを得ることが出来る。
等は、上記記載の問題点を種々検討した結果、請求項１
に記載のように、支持体上に、少なくとも輝尽性蛍光体
層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍
光体層が柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体を有し、且
つ、該柱状結晶構造が前記一般式（１）を満たすように
調整することが必須要件であり、前記要件を満たすこと
により、発光強度に優れ、且つ、高鮮鋭性を示す放射線
画像変換パネルを得ることが出来る。
【００３３】《輝尽性蛍光体層》本発明に係る輝尽性蛍
光体層について説明する。
光体層について説明する。
【００３４】本発明に係る輝尽性蛍光体層に用いられる
輝尽性蛍光体としては、前記一般式（３）、前記一般式
（４）で表される組成を有するアルカリハライド型輝尽
性蛍光体が好ましく、特に好ましく用いられるのは、前
記一般式（４）で表される組成を有する輝尽性蛍光体で
ある。
輝尽性蛍光体としては、前記一般式（３）、前記一般式
（４）で表される組成を有するアルカリハライド型輝尽
性蛍光体が好ましく、特に好ましく用いられるのは、前
記一般式（４）で表される組成を有する輝尽性蛍光体で
ある。
【００３５】中でも、ＣｓＸ：Ｅｕ（ここで、Ｘはハロ
ゲンを表す）組成を有する輝尽性蛍光体はＸ線吸収が大
きく、高感度化が可能であり、柱状結晶を精密に制御し
て形成することにより、高感度、高鮮鋭性を両立するこ
とが出来た。
ゲンを表す）組成を有する輝尽性蛍光体はＸ線吸収が大
きく、高感度化が可能であり、柱状結晶を精密に制御し
て形成することにより、高感度、高鮮鋭性を両立するこ
とが出来た。
【００３６】前記一般式（３）、（４）等、上記の輝尽
性蛍光体は、特公平７−８４５８９号、同７−７４３３
４号、同７−８４５９１号、同５−０１４７５号等に記
載の材料を蛍光体製造の為に用いることが出来る。
性蛍光体は、特公平７−８４５８９号、同７−７４３３
４号、同７−８４５９１号、同５−０１４７５号等に記
載の材料を蛍光体製造の為に用いることが出来る。
【００３７】本発明に係る輝尽性蛍光体層は、柱状結晶
構造を有するが、前記柱状結晶は各々が独立し、ある間
隔を隔てて結晶成長した結晶構造を有することが好まし
い、ここで、各々の結晶がある間隙をおいて独立に柱状
結晶構造を持つように成長させる方法は、例えば、特許
第２８９９８１２号に記載された方法を参照することが
出来る。また、本発明に記載の効果を得るためには、本
発明に係る柱状結晶構造は、前記一般式（１）で表され
る柱状結晶径比（Ｄ２／Ｄ１）を満たすことが必須要件
であり、好ましくは、前記一般式（２）で表される柱状
結晶径比（Ｄ２／Ｄ１）を満たすものである。
構造を有するが、前記柱状結晶は各々が独立し、ある間
隔を隔てて結晶成長した結晶構造を有することが好まし
い、ここで、各々の結晶がある間隙をおいて独立に柱状
結晶構造を持つように成長させる方法は、例えば、特許
第２８９９８１２号に記載された方法を参照することが
出来る。また、本発明に記載の効果を得るためには、本
発明に係る柱状結晶構造は、前記一般式（１）で表され
る柱状結晶径比（Ｄ２／Ｄ１）を満たすことが必須要件
であり、好ましくは、前記一般式（２）で表される柱状
結晶径比（Ｄ２／Ｄ１）を満たすものである。
【００３８】上記のような柱状結晶構造を有し、且つ、
特定の柱状結晶径比（Ｄ２／Ｄ１）を有する輝尽性蛍光
体層の作製には、気相堆積法が好ましい。
特定の柱状結晶径比（Ｄ２／Ｄ１）を有する輝尽性蛍光
体層の作製には、気相堆積法が好ましい。
【００３９】（気相堆積法による輝尽性蛍光体層の作
製）輝尽性蛍光体を気相成長（気相堆積法）させ、柱状
結晶に成長させる方法としては蒸着法、スパッタ法及び
ＣＶＤ法等が好ましく用いられる。
製）輝尽性蛍光体を気相成長（気相堆積法）させ、柱状
結晶に成長させる方法としては蒸着法、スパッタ法及び
ＣＶＤ法等が好ましく用いられる。
【００４０】気相堆積法とは、支持体上に特定の入射角
で輝尽性蛍光体の蒸気または該原料を供給し、結晶を気
相成長（気相堆積法と呼ぶ）させる方法によって独立し
た細長い柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体層を得るこ
とが出きる。また、蒸着時の輝尽性蛍光体の蒸気流の入
射角に対し約半分の成長角で柱状結晶を結晶成長させる
ことができる。
で輝尽性蛍光体の蒸気または該原料を供給し、結晶を気
相成長（気相堆積法と呼ぶ）させる方法によって独立し
た細長い柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体層を得るこ
とが出きる。また、蒸着時の輝尽性蛍光体の蒸気流の入
射角に対し約半分の成長角で柱状結晶を結晶成長させる
ことができる。
【００４１】輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料の蒸
気流を支持体面に対しある入射角をつけて供給する方法
には、支持体を蒸発源を仕込んだ坩堝に対し互いに傾斜
させる配置を取る、或いは、支持体と坩堝を互いに平行
に設置し、蒸発源を仕込んだ坩堝の蒸発面からスリット
等により斜め成分のみ支持体上に蒸着させる様規制する
等の方法をとることができる。
気流を支持体面に対しある入射角をつけて供給する方法
には、支持体を蒸発源を仕込んだ坩堝に対し互いに傾斜
させる配置を取る、或いは、支持体と坩堝を互いに平行
に設置し、蒸発源を仕込んだ坩堝の蒸発面からスリット
等により斜め成分のみ支持体上に蒸着させる様規制する
等の方法をとることができる。
【００４２】これらの場合において、支持体と坩堝との
最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね
１０ｃｍ〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。
最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね
１０ｃｍ〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。
【００４３】前記柱状結晶の太さは支持体温度、真空
度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制
御することによって所望の太さの柱状結晶を作製するこ
とが可能である。支持体温度については、温度が低くな
るほど細くなる傾向にあるが、低すぎると柱状状態の維
持が困難となる。好ましい支持体の温度としては、１０
０〜３００℃であり、より好ましくは１５０〜２７０℃
である。蒸気流の入射角度については、０°以上の場合
において蒸気流の入射角度が大きいほど細くなり、好ま
しい入射角度は３０〜８０°であり、より好ましくは３
０〜７０°である。真空度については、入射角度が０°
以上の場合は高真空ほど細くなり、好ましい真空度は
０．００１３Ｐａ以下である。入射角度が０°の場合は
低真空領域において真空度が低くなるほど細くなり、好
ましい真空度は０．１３Ｐａ以上である。また、蒸着中
に支持体温度、真空度、蒸気流入射角度を適宜変更する
ことによって、柱状結晶径比（Ｄ２／Ｄ１）をより最適
に制御することが可能である。
度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制
御することによって所望の太さの柱状結晶を作製するこ
とが可能である。支持体温度については、温度が低くな
るほど細くなる傾向にあるが、低すぎると柱状状態の維
持が困難となる。好ましい支持体の温度としては、１０
０〜３００℃であり、より好ましくは１５０〜２７０℃
である。蒸気流の入射角度については、０°以上の場合
において蒸気流の入射角度が大きいほど細くなり、好ま
しい入射角度は３０〜８０°であり、より好ましくは３
０〜７０°である。真空度については、入射角度が０°
以上の場合は高真空ほど細くなり、好ましい真空度は
０．００１３Ｐａ以下である。入射角度が０°の場合は
低真空領域において真空度が低くなるほど細くなり、好
ましい真空度は０．１３Ｐａ以上である。また、蒸着中
に支持体温度、真空度、蒸気流入射角度を適宜変更する
ことによって、柱状結晶径比（Ｄ２／Ｄ１）をより最適
に制御することが可能である。
【００４４】これらの柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層
において変調伝達関数（ＭＴＦ）をよくするためには、
柱状結晶の大きさ（柱状結晶を支持体と平行な面から観
察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平
均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野
中に含む顕微鏡写真から計算する）は１μｍ〜５０μｍ
程度がよく、更に好ましくは、１μｍ〜３０μｍであ
る。即ち、柱状結晶が１μｍより細い場合は、柱状結晶
により輝尽励起光が散乱される為にＭＴＦが低下する
し、柱状結晶が５０μｍ以上の場合も輝尽励起光の指向
性が低下し、ＭＴＦは低下する。
において変調伝達関数（ＭＴＦ）をよくするためには、
柱状結晶の大きさ（柱状結晶を支持体と平行な面から観
察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平
均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野
中に含む顕微鏡写真から計算する）は１μｍ〜５０μｍ
程度がよく、更に好ましくは、１μｍ〜３０μｍであ
る。即ち、柱状結晶が１μｍより細い場合は、柱状結晶
により輝尽励起光が散乱される為にＭＴＦが低下する
し、柱状結晶が５０μｍ以上の場合も輝尽励起光の指向
性が低下し、ＭＴＦは低下する。
【００４５】又各柱状結晶間の間隙の大きさは３０μｍ
以下がよく、更に好ましくは５μｍ以下がよい。即ち、
間隙が３０μｍを越える場合は蛍光体層中の蛍光体の充
填率が低くなり、感度が低下してしまう。
以下がよく、更に好ましくは５μｍ以下がよい。即ち、
間隙が３０μｍを越える場合は蛍光体層中の蛍光体の充
填率が低くなり、感度が低下してしまう。
【００４６】又、前記輝尽性蛍光体の斜め柱状結晶の成
長角は０°より大きく、９０°より小であれば特に問わ
ないが、１０〜７０°がよく、好ましくは２０°〜５５
°である。成長角を１０〜７０°にするには、入射角を
２０〜８０°にすればよく２０〜５５°にするには入射
角を４０〜７０°にすればよい。成長角が大きいと支持
体に対して柱状結晶が倒れすぎ、膜が脆くなる。
長角は０°より大きく、９０°より小であれば特に問わ
ないが、１０〜７０°がよく、好ましくは２０°〜５５
°である。成長角を１０〜７０°にするには、入射角を
２０〜８０°にすればよく２０〜５５°にするには入射
角を４０〜７０°にすればよい。成長角が大きいと支持
体に対して柱状結晶が倒れすぎ、膜が脆くなる。
【００４７】ここで、本発明に係る、柱状結晶構造を有
する輝尽性蛍光体層を図１を用いて説明する。
する輝尽性蛍光体層を図１を用いて説明する。
【００４８】図１は、本発明に係る、柱状結晶構造を有
する輝尽性蛍光体層の模式図である。図１（ａ）は、支
持体上に柱状結晶１が直立状に形成された場合であり、
Ｔは柱状結晶１の長さ、０．１Ｔは、支持体上から柱状
結晶１の長さＴの１／１０だけ離れている部位を表す。
Ｄ２は、柱状結晶１の最表面での柱状結晶１の大きさ
（柱の太さを表す）であり、Ｄ１は、支持体から上記
０．１Ｔの距離だけ離れた部位での柱状結晶１の太さを
表す。
する輝尽性蛍光体層の模式図である。図１（ａ）は、支
持体上に柱状結晶１が直立状に形成された場合であり、
Ｔは柱状結晶１の長さ、０．１Ｔは、支持体上から柱状
結晶１の長さＴの１／１０だけ離れている部位を表す。
Ｄ２は、柱状結晶１の最表面での柱状結晶１の大きさ
（柱の太さを表す）であり、Ｄ１は、支持体から上記
０．１Ｔの距離だけ離れた部位での柱状結晶１の太さを
表す。
【００４９】図１（ａ）のような直立状に柱状結晶が成
長する場合の輝尽性蛍光体原料の蒸気流の支持体面への
入射角は０度である。
長する場合の輝尽性蛍光体原料の蒸気流の支持体面への
入射角は０度である。
【００５０】図１（ｂ）は、図１（ａ）とは異なり、支
持体上に斜め方向に、柱状結晶１の成長角θを有するよ
うに成長した場合の一例を表している。図１（ｂ）で
は、支持体面に接している柱状結晶面の中点２ａ〜柱状
結晶１の最表面の中点２ｂを結ぶ直線２を引き、前記直
線２に対し中点２ａから０．１Ｔ離れた部位のところで
直角に交わる結晶部位の太さをＤ１とし、同様に最表面
において、前記直線２に対し中点２ｂと直角に交わる結
晶部位の太さをＤ２とする。
持体上に斜め方向に、柱状結晶１の成長角θを有するよ
うに成長した場合の一例を表している。図１（ｂ）で
は、支持体面に接している柱状結晶面の中点２ａ〜柱状
結晶１の最表面の中点２ｂを結ぶ直線２を引き、前記直
線２に対し中点２ａから０．１Ｔ離れた部位のところで
直角に交わる結晶部位の太さをＤ１とし、同様に最表面
において、前記直線２に対し中点２ｂと直角に交わる結
晶部位の太さをＤ２とする。
【００５１】図１（ｂ）では、輝尽性蛍光体原料の蒸気
流の入射角度として、例えば、４０度に設定した場合、
柱状結晶１の成長角θの角度は、蒸気流の入射角度の約
半分の２０度になる。
流の入射角度として、例えば、４０度に設定した場合、
柱状結晶１の成長角θの角度は、蒸気流の入射角度の約
半分の２０度になる。
【００５２】（蒸着法）蒸着法は支持体を蒸着装置内に
設置したのち、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐ
ａ程度の真空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも
１つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で
加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚み
に斜め堆積させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽
性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に
分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。ま
た、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器或いはエレクト
ロンビームを用いて蒸着を行うことも可能である。また
蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱
器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着し、支持体上
で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍
光体層を形成することも可能である。更に蒸着法におい
ては、蒸着時に必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱
してもよい。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱
処理してもよい。
設置したのち、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐ
ａ程度の真空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも
１つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で
加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚み
に斜め堆積させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽
性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に
分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。ま
た、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器或いはエレクト
ロンビームを用いて蒸着を行うことも可能である。また
蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱
器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着し、支持体上
で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍
光体層を形成することも可能である。更に蒸着法におい
ては、蒸着時に必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱
してもよい。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱
処理してもよい。
【００５３】（スパッタ法）スパッタ法は前記蒸着法と
同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後、装置内を
一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度と
し、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活
性ガスを装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度
のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲット
として、斜めにスパッタリングすることにより支持体表
面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに斜めに堆積させる。こ
のスパッタ工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽
性蛍光体層を形成することも可能であるし、それぞれを
用いて同時或いは順次、前記ターゲットをスパッタリン
グして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。ま
た、スパッタ法では、複数の輝尽性蛍光体原料をターゲ
ットとして用い、これを同時或いは順次スパッタリング
して、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成する
事も可能であるし、必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導
入して反応性スパッタを行ってもよい。更に、スパッタ
法においては、スパッタ時必要に応じて被蒸着物を冷却
或いは加熱してもよい。また、スパッタ終了後に輝尽性
蛍光体層を加熱処理してもよい。
同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後、装置内を
一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度と
し、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活
性ガスを装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度
のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲット
として、斜めにスパッタリングすることにより支持体表
面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに斜めに堆積させる。こ
のスパッタ工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽
性蛍光体層を形成することも可能であるし、それぞれを
用いて同時或いは順次、前記ターゲットをスパッタリン
グして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。ま
た、スパッタ法では、複数の輝尽性蛍光体原料をターゲ
ットとして用い、これを同時或いは順次スパッタリング
して、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成する
事も可能であるし、必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導
入して反応性スパッタを行ってもよい。更に、スパッタ
法においては、スパッタ時必要に応じて被蒸着物を冷却
或いは加熱してもよい。また、スパッタ終了後に輝尽性
蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００５４】（ＣＶＤ法）ＣＶＤ法は、目的とする輝尽
性蛍光体或いは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化
合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することに
より、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を
得るものであり、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法
線方向に対して特定の傾きをもって独立した細長い柱状
結晶に気相成長させることが可能である。
性蛍光体或いは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化
合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することに
より、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を
得るものであり、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法
線方向に対して特定の傾きをもって独立した細長い柱状
結晶に気相成長させることが可能である。
【００５５】（輝尽性蛍光体層の膜厚）これらの方法に
より形成した輝尽性蛍光体層の膜厚は目的とする放射線
像変換パネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種
類等によって異なるが、１０μｍ〜１０００μｍの範囲
が好ましく、更に好ましくは、２０μｍ〜８００μｍの
範囲である。
より形成した輝尽性蛍光体層の膜厚は目的とする放射線
像変換パネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種
類等によって異なるが、１０μｍ〜１０００μｍの範囲
が好ましく、更に好ましくは、２０μｍ〜８００μｍの
範囲である。
【００５６】また、上記記載の気相堆積法を用いて輝尽
性蛍光体層の作製時、蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均
一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形
して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うこと
が好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法
は電子銃により発した電子ビームの走査により行われる
が、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。
性蛍光体層の作製時、蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均
一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形
して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うこと
が好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法
は電子銃により発した電子ビームの走査により行われる
が、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。
【００５７】また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体であ
る必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであっ
てもよい。
る必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであっ
てもよい。
【００５８】また、賦活剤は母体（ｂａｓｉｃ ｓｕｂ
ｓｔａｎｃｅ）に対して賦活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）
を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着し
た後、あとから賦活剤をドープしてもよい。例えば、母
体であるＲｂＢｒのみを蒸着した後、例えば賦活剤であ
るＴｌをドープしてもよい。即ち、結晶が独立している
ため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成
長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからであ
る。
ｓｔａｎｃｅ）に対して賦活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）
を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着し
た後、あとから賦活剤をドープしてもよい。例えば、母
体であるＲｂＢｒのみを蒸着した後、例えば賦活剤であ
るＴｌをドープしてもよい。即ち、結晶が独立している
ため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成
長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからであ
る。
【００５９】ドーピングは形成された蛍光体の母体層中
にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によ
って行うことが出来る。
にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によ
って行うことが出来る。
【００６０】この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍
光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れ
ており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽
性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすること
ができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱
が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れ
ており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽
性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすること
ができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱
が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【００６１】又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を
充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となる。又高光
吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。
これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体
層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全
に防止できる。
充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となる。又高光
吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。
これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体
層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全
に防止できる。
【００６２】高光反射率の物質とは、輝尽励起光（５０
０〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反
射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシ
ウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び
緑色から赤色領域の色材を用いることができる。
０〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反
射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシ
ウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び
緑色から赤色領域の色材を用いることができる。
【００６３】白色顔料は輝尽発光も反射することができ
る。白色顔料として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル
型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳ
Ｏ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢ
ａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣ
ｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、Ｃａ
ＣＯ 3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポ
ン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性
珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどが挙げ
られる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大
きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽
発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの
感度を顕著に向上させうる。
る。白色顔料として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル
型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳ
Ｏ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢ
ａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣ
ｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、Ｃａ
ＣＯ 3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポ
ン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性
珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどが挙げ
られる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大
きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽
発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの
感度を顕著に向上させうる。
【００６４】又、高光吸収率の物質としては、例えば、
カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び
青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発光も
吸収する。
カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び
青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発光も
吸収する。
【００６５】又、色材は、有機若しくは無機系色材のい
ずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファースト
ブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルー
Ｎ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナ
ショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学
製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キ
トンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブ
ルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ
（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業
製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学
製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライ
オノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。
又カラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７
４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３
１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７
６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２
５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４
０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金
属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コ
バルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ
2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。
ずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファースト
ブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルー
Ｎ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナ
ショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学
製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キ
トンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブ
ルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ
（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業
製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学
製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライ
オノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。
又カラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７
４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３
１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７
６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２
５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４
０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金
属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コ
バルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ
2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。
【００６６】また、本発明では本発明の放射線画像変換
パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、例えば、特
開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａＳＯ4：
Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号に記
載のＭｇＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−
８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ4：Ａｘで表さ
れる蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されてい
るＮａ2ＳＯ4、ＣａＳＯ4及びＢａＳＯ4等にＭｎ、Ｄｙ
及びＴｂの中少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭
５２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、
ＭｇＳＯ4及びＣａＦ2等の蛍光体、特開昭５３−３９２
７７号に記載されているＬｉ2Ｂ4Ｏ7：Ｃｕ，Ａｇ等の
蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬ
ｉ2Ｏ・（Ｂｅ2Ｏ2）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国
特許第３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：
Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，
Ｓｍ及び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体が
挙げられる。又、特開昭５５−１２１４２号に記載され
ているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘ
Ａｌ2Ｏ3：Ｅｕで挙げられるアルミン酸バリウム蛍光
体、及び、一般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ2：Ａで表さ
れるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。
パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、例えば、特
開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａＳＯ4：
Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号に記
載のＭｇＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−
８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ4：Ａｘで表さ
れる蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されてい
るＮａ2ＳＯ4、ＣａＳＯ4及びＢａＳＯ4等にＭｎ、Ｄｙ
及びＴｂの中少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭
５２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、
ＭｇＳＯ4及びＣａＦ2等の蛍光体、特開昭５３−３９２
７７号に記載されているＬｉ2Ｂ4Ｏ7：Ｃｕ，Ａｇ等の
蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬ
ｉ2Ｏ・（Ｂｅ2Ｏ2）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国
特許第３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：
Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，
Ｓｍ及び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体が
挙げられる。又、特開昭５５−１２１４２号に記載され
ているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘ
Ａｌ2Ｏ3：Ｅｕで挙げられるアルミン酸バリウム蛍光
体、及び、一般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ2：Ａで表さ
れるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。
【００６７】又、特開昭５５−１２１４３号に記載され
ている一般式が（Ｂａ1-x-yＭｇxＣａy）Ｆx：Ｅｕ2+で
表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎＯ
Ｘ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号
に記載されている一般式が（Ｂａ1-xＭ（II）x）Ｆx：
ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記
載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表され
る蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されてい
る一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土
類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一般式Ｚ
ｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Ｘで表
される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されて
いる下記いずれかの一般式 ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ ｘＭ3（ＰＯ4）2：ｙＡ で表される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載
されている下記いずれかの一般式 ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ，ｙＳｍ で表される蛍光体、特開昭６１−７２０８７号に記載さ
れている下記一般式 Ｍ（Ｉ）Ｘ・ａＭ（II）Ｘ′2・ｂＭ（III）Ｘ″3：ｃ
Ａ で表されるアルカリハライド蛍光体、及び特開昭６１−
２２８４００号に記載されている一般式Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘ
Ｂｉで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等
が挙げられる。
ている一般式が（Ｂａ1-x-yＭｇxＣａy）Ｆx：Ｅｕ2+で
表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎＯ
Ｘ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号
に記載されている一般式が（Ｂａ1-xＭ（II）x）Ｆx：
ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記
載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表され
る蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されてい
る一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土
類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一般式Ｚ
ｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Ｘで表
される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されて
いる下記いずれかの一般式 ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ ｘＭ3（ＰＯ4）2：ｙＡ で表される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載
されている下記いずれかの一般式 ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ，ｙＳｍ で表される蛍光体、特開昭６１−７２０８７号に記載さ
れている下記一般式 Ｍ（Ｉ）Ｘ・ａＭ（II）Ｘ′2・ｂＭ（III）Ｘ″3：ｃ
Ａ で表されるアルカリハライド蛍光体、及び特開昭６１−
２２８４００号に記載されている一般式Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘ
Ｂｉで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等
が挙げられる。
【００６８】特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、
スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成
させやすく好ましい。
スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成
させやすく好ましい。
【００６９】又、前述のように、アルカリハライド蛍光
体の中でもＣｓＢｒ系蛍光体が高輝度、高画質である点
で好ましい。
体の中でもＣｓＢｒ系蛍光体が高輝度、高画質である点
で好ましい。
【００７０】《支持体》本発明に係る支持体について説
明する。
明する。
【００７１】支持体としては、各種高分子材料、ガラ
ス、セラミックス、金属等が用いられ、例えば、石英、
ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス、結晶化ガラスなど
の板ガラス、あるいはアルミナ、窒化珪素等のセラミッ
クス、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフ
ィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフ
ィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート
あるいは親水性微粒子の被覆層を有する金属シートが好
ましい。これら支持体の表面は滑面であってもよいし、
輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面
としてもよい。また、本発明においては、支持体と輝尽
性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて
支持体の表面に予め接着層を設けてもよい。
ス、セラミックス、金属等が用いられ、例えば、石英、
ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス、結晶化ガラスなど
の板ガラス、あるいはアルミナ、窒化珪素等のセラミッ
クス、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフ
ィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフ
ィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート
あるいは親水性微粒子の被覆層を有する金属シートが好
ましい。これら支持体の表面は滑面であってもよいし、
輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面
としてもよい。また、本発明においては、支持体と輝尽
性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて
支持体の表面に予め接着層を設けてもよい。
【００７２】（支持体の膜厚）これら支持体の厚みは用
いる支持体の材質等によって異なるが、一般的には８０
μｍ〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更
に好ましいのは８０μｍ〜１０００μｍである。
いる支持体の材質等によって異なるが、一般的には８０
μｍ〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更
に好ましいのは８０μｍ〜１０００μｍである。
【００７３】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれらに限定されない。
発明はこれらに限定されない。
【００７４】実施例１
《放射線画像変換パネル１の作製》：比較例
以下に記載の方法に従って、蒸着型蛍光体層を有する放
射線画像変換パネル１を作製した。
射線画像変換パネル１を作製した。
【００７５】（支持体１の作製）厚さ５００μｍ厚の透
明結晶化ガラス上の下記のようにして光反射層を設け、
支持体１を作製した。
明結晶化ガラス上の下記のようにして光反射層を設け、
支持体１を作製した。
【００７６】（光反射層の形成）フルウチ化学社製酸化
チタンとフルウチ化学社製酸化ジルコニウムとを、４０
０ｎｍでの反射率が８５％、６６０ｎｍでの反射率が２
０％となるように、蒸着装置を用いて支持体表面に膜形
成を行った。
チタンとフルウチ化学社製酸化ジルコニウムとを、４０
０ｎｍでの反射率が８５％、６６０ｎｍでの反射率が２
０％となるように、蒸着装置を用いて支持体表面に膜形
成を行った。
【００７７】（輝尽性蛍光体プレート１の作製）上記作
製した支持体１を２４０℃加温し、真空チャンバー中に
窒素ガスを導入し、真空度を０．２７Ｐａとした後、支
持体の一方の面に、公知の蒸着装置を用いて、ＣｓＢ
ｒ：０．００１Ｅｕからなるアルカリハライド蛍光体を
支持体表面の法線方向に対して０°の入射角度で、アル
ミニウム製のスリットを用いて、支持体とスリット（蒸
着源）の距離を６０ｃｍとして、支持体と平行な方向に
支持体を搬送しながら蒸着を行って、３００μｍ厚の柱
状構造を有する蛍光体層を形成した。
製した支持体１を２４０℃加温し、真空チャンバー中に
窒素ガスを導入し、真空度を０．２７Ｐａとした後、支
持体の一方の面に、公知の蒸着装置を用いて、ＣｓＢ
ｒ：０．００１Ｅｕからなるアルカリハライド蛍光体を
支持体表面の法線方向に対して０°の入射角度で、アル
ミニウム製のスリットを用いて、支持体とスリット（蒸
着源）の距離を６０ｃｍとして、支持体と平行な方向に
支持体を搬送しながら蒸着を行って、３００μｍ厚の柱
状構造を有する蛍光体層を形成した。
【００７８】上記形成した蛍光体層のヘイズ率を、ＡＳ
ＴＭＤ−１００３に記載の方法により測定した結果、蛍
光体層のヘイズ率は５０％であった。
ＴＭＤ−１００３に記載の方法により測定した結果、蛍
光体層のヘイズ率は５０％であった。
【００７９】上記で作製した輝尽性蛍光体プレート１を
用いて放射線画像変換パネル１を作製した。詳しくは、
輝尽性蛍光体層を有するガラス状の側縁部にスペーサを
介して、各輝尽性蛍光体層と保護層として用いるガラス
との間に、低屈折率層として空気層が１００μｍの厚み
になるように、ガラス製の保護層を設けた。なお、スペ
ーサとしてはガラスセラミックス製で、支持体及び保護
層ガラスの間に輝尽性蛍光体層及び低屈折率層（空気
層）が所定の厚みとなるように厚みを調整したものを用
い、ガラス支持体及びガラス製の保護層の側縁部は、エ
ポキシ系接着剤を用いて接着し、放射線画像変換パネル
１を作製した。
用いて放射線画像変換パネル１を作製した。詳しくは、
輝尽性蛍光体層を有するガラス状の側縁部にスペーサを
介して、各輝尽性蛍光体層と保護層として用いるガラス
との間に、低屈折率層として空気層が１００μｍの厚み
になるように、ガラス製の保護層を設けた。なお、スペ
ーサとしてはガラスセラミックス製で、支持体及び保護
層ガラスの間に輝尽性蛍光体層及び低屈折率層（空気
層）が所定の厚みとなるように厚みを調整したものを用
い、ガラス支持体及びガラス製の保護層の側縁部は、エ
ポキシ系接着剤を用いて接着し、放射線画像変換パネル
１を作製した。
【００８０】《放射線画像変換パネル２、３の作製》：
比較例 放射線画像変換パネル１の作製において、表１に記載の
ように蒸着条件を変更した以外は同様にして放射線画像
変換パネル２、３を各々作製した。
比較例 放射線画像変換パネル１の作製において、表１に記載の
ように蒸着条件を変更した以外は同様にして放射線画像
変換パネル２、３を各々作製した。
【００８１】《放射線画像変換パネル４〜９の作製》：
本発明 放射線画像変換パネル１の作製において、表１に記載の
ように蒸着条件を変更した以外は同様にして放射線画像
変換パネル４〜９を各々作製した。
本発明 放射線画像変換パネル１の作製において、表１に記載の
ように蒸着条件を変更した以外は同様にして放射線画像
変換パネル４〜９を各々作製した。
【００８２】尚、表１に記載の蒸着条件において、支持
体の温度、真空度、入射角度の変更のタイミングは、支
持体上に形成された柱状結晶の長さが図１（ａ）、
（ｂ）に記載の予め設定している柱状結晶の長さＴの約
５０％（±５％）に成長した時点で行った。また、変更
の時点（タイミングともいう）は、予め結晶成長の速度
を電子顕微鏡等を用いた経過観察により得られた実験デ
ータを基に決定した。
体の温度、真空度、入射角度の変更のタイミングは、支
持体上に形成された柱状結晶の長さが図１（ａ）、
（ｂ）に記載の予め設定している柱状結晶の長さＴの約
５０％（±５％）に成長した時点で行った。また、変更
の時点（タイミングともいう）は、予め結晶成長の速度
を電子顕微鏡等を用いた経過観察により得られた実験デ
ータを基に決定した。
【００８３】得られた放射線画像変換パネル１〜９の各
々について、発光輝度と鮮鋭性を評価した。
々について、発光輝度と鮮鋭性を評価した。
【００８４】《鮮鋭性評価》鮮鋭性については、変調伝
達関数（ＭＴＦ）を求め評価した。
達関数（ＭＴＦ）を求め評価した。
【００８５】各放射線画像変換パネルにＣＴＦチャート
を貼りつけた後、８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体
までの距離；１．５ｍ）照射した後、蛍光体層Ａを有す
る面側から半導体レーザ光（６９０ｎｍ、パネル上での
パワー４０ｍＷ）を照射して、直径１００μｍφの半導
体レーザ光でＣＴＦチャートを走査し、読みとって求め
た。表１の記載の値は、０．５ｌｐ／ｍｍにおける放射
線画像変換パネル１のＭＴＦ値を１．００とし、各パネ
ルについて相対値で求めたものである。
を貼りつけた後、８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体
までの距離；１．５ｍ）照射した後、蛍光体層Ａを有す
る面側から半導体レーザ光（６９０ｎｍ、パネル上での
パワー４０ｍＷ）を照射して、直径１００μｍφの半導
体レーザ光でＣＴＦチャートを走査し、読みとって求め
た。表１の記載の値は、０．５ｌｐ／ｍｍにおける放射
線画像変換パネル１のＭＴＦ値を１．００とし、各パネ
ルについて相対値で求めたものである。
【００８６】《輝度（感度）評価》放射線画像変換パネ
ル１〜９の各々について、以下のようにして輝度測定を
行った。
ル１〜９の各々について、以下のようにして輝度測定を
行った。
【００８７】輝度の測定は、各放射線画像変換パネルに
ついて、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を蛍光体シート支持体
の裏面側から照射した後、パネルをＨｅ−Ｎｅレーザー
光（６３３ｎｍ）で操作して励起し、蛍光体層から放射
される輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍
管）で受光して、その強度を測定して、これを輝度と定
義し、放射線画像変換パネル４の輝度を１．００とし
た、相対値で表示した。
ついて、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を蛍光体シート支持体
の裏面側から照射した後、パネルをＨｅ−Ｎｅレーザー
光（６３３ｎｍ）で操作して励起し、蛍光体層から放射
される輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍
管）で受光して、その強度を測定して、これを輝度と定
義し、放射線画像変換パネル４の輝度を１．００とし
た、相対値で表示した。
【００８８】得られた結果を表１に示す。
【００８９】
【表１】
【００９０】表１から、比較に比べて、本発明の試料
は、発光輝度、鮮鋭性共に優れていることが明らかであ
る。
は、発光輝度、鮮鋭性共に優れていることが明らかであ
る。
【００９１】
【発明の効果】本発明により、発光強度に優れ、且つ、
高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネル及び放射線画像変
換パネルの製造方法を提供することが出来た。
高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネル及び放射線画像変
換パネルの製造方法を提供することが出来た。
【図面の簡単な説明】
【図１】柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体層の一態様
を示す模式図である。
を示す模式図である。
１ 柱状結晶
２ 直線
２ａ、２ｂ 中点
Ｄ１、Ｄ２ 柱状結晶の太さ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２３Ｃ 16/30 Ｃ２３Ｃ 16/30
Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｂ
Ｆターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC03 DD02 DD11
DD12 EE02 EE03
4G076 AA02 AA18 AB18 BA03 BA04
BF05 BF08 CA10 DA11 DA30
4H001 CA02 CA08 XA03 XA04 XA09
XA11 XA12 XA13 XA17 XA19
XA20 XA21 XA28 XA30 XA31
XA35 XA37 XA38 XA39 XA48
XA49 XA53 XA55 XA56 XA57
XA58 XA59 XA60 XA61 XA62
XA63 XA64 XA65 XA66 XA67
XA68 XA69 XA70 XA71 YA11
YA12 YA29 YA31 YA39 YA47
YA49 YA55 YA58 YA59 YA60
YA62 YA63 YA64 YA65 YA66
YA67 YA68 YA69 YA70 YA71
YA81
4K029 AA09 AA24 BA41 BA42 BB08
BC07 BD00 BD03 CA01 CA05
CA06 CA15
4K030 AA11 BA14 BA21 BA35 BA53
CA06 FA01 FA10 LA01 LA18
Claims (15)
- 【請求項１】 支持体上に、少なくとも輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光
体層が柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体を有し、且
つ、該柱状結晶構造が下記一般式（１）を満たす柱状結
晶径比を示すことを特徴とする放射線画像変換パネル。 一般式（１） １．０≦Ｄ２／Ｄ１≦３．０ 〔式中、Ｄ２は支持体上に形成された輝尽性蛍光体層表
面での第１の柱状結晶径を表し、Ｄ１は輝尽性蛍光体層
の膜厚をＴとした時、支持体表面から輝尽性蛍光体層表
面に向かって０．１Ｔの距離にある第２の柱状結晶径を
表す。〕 - 【請求項２】 前記柱状結晶径比が下記一般式（２）を
満たすことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変
換パネル。 一般式（２） １．３≦Ｄ２／Ｄ１≦３．０ - 【請求項３】 輝尽性蛍光体層が、下記一般式（３）で
表される組成を有する輝尽性蛍光体を含有することを特
徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル。 一般式（３） ＭIＸ・ａＭIIＸ′2・ｂＭIIIＸ″3：ｅＡ 〔式中、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、ＭIIはＢ
ｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、ＣｄおよびＮｉか
らなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
り、ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選ばれる少
なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ′およびＸ″は
Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なく
とも一種のハロゲンである。ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇ
ａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙ
ｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、
Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の
金属である。ａ、ｂ、ｅは、各々０≦ａ＜０．５、０≦
ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕 - 【請求項４】 前記一般式（３）のＭIは、Ｋ、Ｒｂお
よびＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属で
あることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像変換
パネル。 - 【請求項５】 前記一般式（３）のＸは、ＢｒまたはＩ
であることを特徴とする請求項３または４に記載の放射
線画像変換パネル。 - 【請求項６】 前記一般式（３）のＭIIは、Ｂｅ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選ばれる少なく
とも一種の二価金属であることを特徴とする請求項３〜
５のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。 - 【請求項７】 前記一般式（３）のＭIIIは、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａおよび
Ｉｎから選ばれる少なくとも一種の三価金属であること
を特徴とする請求項３〜６のいずれか１項に記載の放射
線画像変換パネル。 - 【請求項８】 前記一般式（３）のｂが、０≦ｂ≦１０
-2であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項
に記載の放射線画像変換パネル。 - 【請求項９】 前記一般式（３）のＡが、Ｅｕ、Ｃｓ、
Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選択される少なくと
も１種の金属であることを特徴とする請求項３〜８のい
ずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。 - 【請求項１０】 前記一般式（３）で表される組成を有
する輝尽性蛍光体が下記一般式（４）で表される輝尽性
蛍光体であることを特徴とする請求項３〜９のいずれか
１項に記載の放射線画像変換パネル。 一般式（４） ＣｓＸ：ｙＡ 〔式中、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを表し、Ａは、Ｅｕ、
Ｓｍ、Ｉｎ、Ｔｌ、ＧａまたはＣｅを表す。ｙは、１×
１０-7〜１×１０-2までの数値を表す。〕 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか１項に記載
の放射線画像変換パネルを製造するに当たり、輝尽性蛍
光体層が気相堆積法により形成される工程を有すること
を特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 - 【請求項１２】 輝尽性蛍光体層を形成しようとする支
持体面の法線方向に対して、輝尽性蛍光体または該輝尽
性蛍光体の原料を特定の入射角で入射させることによ
り、前記支持体面の法線方向に対して特定の傾きを有
し、且つ、独立した柱状結晶から構成される輝尽性蛍光
体層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の放
射線画像変換パネルの製造方法。 - 【請求項１３】 入射角を、０°〜８０°の範囲に調整
することを特徴とする請求項１２に記載の放射線画像変
換パネルの製造方法。 - 【請求項１４】 入射角を、０°〜７０°の範囲に調整
することを特徴とする請求項１２に記載の放射線画像変
換パネルの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１１〜１４のいずれか１項に記
載の放射線画像変換パネルの製造方法を用いて製造され
たことを特徴とする放射線画像変換パネル。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2002035196A JP2003232893A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
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| DE10305338A DE10305338A1 (de) | 2002-02-13 | 2003-02-10 | Strahlungsbildumwandlungsplatte |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002035196A JP2003232893A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=27606573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002035196A Pending JP2003232893A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2003232893A (ja) |
| DE (1) | DE10305338A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004233343A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
| WO2008126740A1 (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 放射線像変換パネル |
| WO2008126758A1 (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | シンチレータプレート |
| WO2010032503A1 (ja) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線変換パネル |
| JP2014232083A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像変換パネル、および放射線画像検出器 |
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|---|---|---|---|---|
| EP1424702B1 (en) * | 2002-11-27 | 2011-11-16 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Radiographic image conversion panel, method for manufacturing the same, method for forming phosphor particle, method for forming photostimulable phosphor precursor, phosphor precursor and photostimulable phosphor |
| JP2006105596A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
| EP1889893B1 (en) * | 2006-08-17 | 2013-03-27 | Agfa HealthCare NV | Method of manufacturing a radiation image storage panel |
| EP1890299A1 (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-20 | Agfa HealthCare NV | Method of manufacturing a radiation image storage panel |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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