JP2003232776A

JP2003232776A - 渦流探傷装置および渦流探傷方法

Info

Publication number: JP2003232776A
Application number: JP2002032970A
Authority: JP
Inventors: Hidefumi Matsukawa; 英文松川; Tatsuo Hiroshima; 龍夫廣島
Original assignee: Marktec Corp
Current assignee: Marktec Corp
Priority date: 2002-02-08
Filing date: 2002-02-08
Publication date: 2003-08-22

Abstract

(57)【要約】【課題】検出コイルに接続するブリッジが不要であ
り、非導電体皮膜を施されリフトオフの大きい探傷対象
物においても探傷が可能な渦流探傷装置を提供する。【解決手段】交流信号を入力する励磁コイル２ａの中
心軸及び傷信号を出力する検出コイル２ｂの中心軸を交
差して配置する渦流探傷用プローブ２と、交流信号の位
相をシフトして移相交流信号を出力する移相器６と、交
流信号を参照信号として傷信号の位相検波をすることに
より第１位相検波信号を出力する第１位相検波器７と、
移相交流信号を参照信号として傷信号の位相検波をする
ことにより第２位相検波信号を出力する第２位相検波器
８と、第１位相検波信号及び第２位相検波信号に基いて
傷信号の位相又は振幅を算出する演算器９を備えるもの
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電磁誘導を利用し
て金属材料の表面に生じた傷の検出をする渦流探傷装置
及び渦流探傷方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属の探傷対象物の表面に置いた励磁コ
イルに交流電流を与えて、探傷対象物表面に交流磁界を
加えることにより探傷対象物表面近傍に渦電流を発生さ
せ、探傷対象物表面の傷の存在、形状、寸法等による渦
電流の変化を検出コイルにより検出し、傷の存在、形
状、寸法等を知る渦流探傷方法が知られている。利用す
るコイルとしては環状ソレノイドが知られており、ソレ
ノイドコイルの内部に管、棒等を挿入して試験する貫通
コイル、あるいは、パンケーキ状のコイルを板、管等の
表面に上置して試験するプローブコイル等がある。渦流
探傷方法は、金属製の板、管、棒等の製造工程における
外表面検査や熱交換器等の共用中検査等において利用さ
れている。

【０００３】他方、橋梁や道路の床板、パイプライン、
石油・ガスタンク等の鋼構造物等における防錆塗装上か
らの探傷検査のニーズは、年々高まっているが、従来の
渦流探傷方法においては不可能と言われていた。理由
は、塗装膜等の被覆厚みが一定でないこと、通常屋外に
設置されていることから屋外での作業となり、プローブ
コイルと探傷対象物表面との距離（リフトオフ）を一定
に維持することが困難となることから、傷による信号と
同様なリフトオフによる信号が多く発生し、傷による信
号とリフトオフによる信号との弁別が困難であったから
である。

【０００４】図６は、従来の渦流探傷装置において用い
られる渦流探傷用プローブの概略構成を示す模式図であ
る。図において、１は探傷対象物であり、探傷対象物１
の上部に渦流探傷用プローブ２を構成する励磁コイル２
ａと検出コイル２ｂが一体的に配置される。励磁コイル
２ａと検出コイル２ｂは、ほぼ同径の円環状に形成され
ており、相互に平行に配置されている。検出コイル２ｂ
の探傷対象物１に対向する側、つまり励磁コイル２ａと
反対側の面が探傷面となる。探傷対象物１は、導電性を
有する材料、例えば金属であり、励磁コイル２ａにより
生じた磁束により渦電流が流れうる材料が検査対象とな
る。

【０００５】従来の探傷方法について説明する。探傷対
象物１に検出コイル２ｂの探傷面を適当な距離離間して
対向させ、探傷対象物１の表面に対し、励磁コイル２ａ
の中心軸がほぼ直交するように励磁コイル２ａ、検出コ
イル２ｂを配置し、励磁コイル２ａに交流電流を流す。
この結果、励磁コイル２ａの周囲には交流磁界が発生
し、この交流磁界により探傷対象物１の表面には渦電流
が誘起される。探傷対象物１に、傷が存在する場合、渦
電流は傷に沿って流れるので、傷が存在しない部分から
傷が存在する部分へ渦流探傷用プローブ２を移動させる
と、渦電流の流路が変化する。この渦電流の流路の変化
により、渦電流により生じている交流磁界の強さと方向
が変化する。この磁界は、検出コイル２ｂにおいて検出
されるので、交流磁界の強さと方向の変化は、検出コイ
ル２ｂの端子の出力（傷信号）の変化として現れる。従
って、検出コイル２ｂの端子における傷信号の振幅と位
相を測定し、その変化を求めれば、探傷対象物１におけ
る傷の有無、傷の状況等を知ることができる。

【０００６】このような、従来の渦流探傷用プローブ２
は、探傷対象物１の表面に適当な距離離間して配置する
だけでよく、種々の形状の探傷対象物１に対して適用が
可能であり、構造が簡単であり取り扱いも簡単であるこ
とから、多くの分野で利用されている。しかし、従来の
渦流探傷用プローブ２は、検出コイル２ｂからの傷信号
に、励磁コイル２ａと探傷対象物１との間隔（いわゆる
リフトオフ）による位相成分が含まれることから、リフ
トオフの変化がそのまま検出され、ノイズ成分となる。
このノイズ成分が存在することから、真の傷信号のみを
検出することが困難であり、傷の種類、深さ等傷の性状
解析に利用される位相解析の適用が困難であるという欠
点を有していた。

【０００７】また、従来の渦流探傷用プローブ２は、前
述の通り、橋梁や道路の床板、パイプライン、石油・ガ
スタンク等の鋼構造物等における防錆塗装上からの渦流
探傷において、塗装膜等の被覆厚みが一定でないこと等
から、渦流探傷用プローブ２と探傷対象物表面の距離
（リフトオフ）を一定にすることが困難であり、傷信号
と同様なリフトオフによる信号が多く発生し、傷信号と
リフトオフによる信号との弁別が困難であるという欠点
を有していた。

【０００８】図７は、従来の渦流探傷装置の例を示す概
略ブロック図である。このような渦流探傷装置は、例え
ば「鉄鋼製品の渦流探傷法」（社団法人日本鉄鋼協会発
行。第５２ページ、図３．１７）等に開示されている。
図において、渦流探傷用プローブ２は、検出コイルとな
る第１コイル２１と第２コイル２２により構成されてい
る。発振器２３は、基準となる交流信号を発生し、励磁
増幅器２４及び移相器２８に交流信号を出力する。発振
器２３が発生する交流信号は、周波数１０Ｈｚ乃至１０
ＭＨｚであり、この範囲において所定の周波数を発生す
る。励磁増幅器２４は、交流信号を励磁電流に変換し
て、励磁コイル（不図示）に供給する。第１コイル２１
と第２コイル２２は、ブリッジ２５に接続され、ブリッ
ジ２５を介して、検出した傷信号を検出増幅器２６へ出
力する。検出増幅器２６は、入力された傷信号を適当な
大きさに増幅し、傷信号として位相検波器２９に出力す
る。検出増幅器２６の出力である傷信号は、自動平衡器
２７にも入力され、傷信号の大きさに応じて自動的にブ
リッジの平衡（バランス）が取られるように構成され
る。移相器２８は、交流信号の位相を適宜シフトして移
相交流信号を出力し、参照信号として位相検波器２９へ
入力する。位相検波器２９は、参照信号に基いて入力さ
れた傷信号を位相検波し、直流信号化された位相検波信
号を出力する。位相検波信号は、傷の有無、傷の大き
さ、深さ等により変動することから、この位相検波信号
を観察することにより、傷の状態を検出することができ
る。

【０００９】渦流探傷装置におけるコイルインピーダン
スの変化は非常に小さいことから、検出コイル（２１、
２２）から得られる傷信号は極めて小さい。観察可能な
信号にするために大きく増幅する必要があるが、増幅手
段として通常使用される線形増幅回路においては増幅率
に一定の限界がある。従って、ダイナミックレンジの範
囲内でできるだけ傷信号に対する増幅率を上げるため
に、傷信号そのものとは無関係な不要な電圧を抑制し
て、検出増幅器２６へは傷信号の変化分のみを入力する
ことが必要であり、ブリッジ２５は、このための回路と
して利用される。つまり、ブリッジ２５は、２個の検出
コイル（２１、２２）の、バランスを取り、定常的に存
在する不要な電圧を除去して傷信号（変化分）そのもの
を出力するための回路である。このような、検出コイル
（２１、２２）のバランスを取るブリッジ２５は、従来
の渦流探傷装置においては、必須のものであり、このこ
とは、例えば、励磁方式が全く異なる渦流探傷プローブ
に関する公開特許公報である特開２００１−３４９８７
５号公報においても、ブリッジ回路として記載されてい
ることからも理解できる。

【００１０】従来の渦流探傷装置においては、このよう
なブリッジ（ブリッジ回路）を備えることから、探傷試
験の開始時、探傷試験条件の変更時、探傷対象物のロッ
ト変更時等探傷条件の変動があった場合には、先ずブリ
ッジバランスを取り、傷のない状態において傷信号の出
力が生じないように調整する作業が必要となる。

【００１１】また、実際の探傷においては、探傷対象物
を搬送用のローラコンベア等により高速で走行させるこ
とから、走行中の振動等により、探傷対象物１と渦流探
傷用プローブ２との間のリフトオフが変動し、その変動
による信号がバックグランド信号として傷信号に重畳さ
れる。通常、移相器２８と位相検波器２９は、傷信号に
おける位相を検出して、傷の深さ等傷に関する情報を得
るために調整するように設計されるが、このバックグラ
ンド信号によるノイズ除去のために用いられることが多
い。即ち、バックグランド信号によるノイズを除去する
ために、移相器２８における交流信号に対する位相シフ
ト量が制御されるのが実情である。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来の渦流探傷装置に
おいては、傷信号に対する増幅率を向上させるために、
検出コイルに接続するブリッジ（ブリッジ回路）が必要
であり、使用に際しては、必ずブリッジバランスを取る
必要があるという問題があった。また、リフトオフがバ
ックグランド信号として傷信号に重畳されることから、
非導電体皮膜（例えば、プラスチックフィルム、ペイン
ト等の有機皮膜等）を被覆された探傷対象物において
は、リフトオフの制御が困難であり、探傷をすることは
事実上不可能であった。

【００１３】本発明は斯かる事情に鑑みなされたもので
あり、その目的とするところは検出コイルに接続するブ
リッジが不要であり、また、リフトオフによる信号の発
生がなくリフトオフの影響を受けないことから、非導電
体皮膜を施された探傷対象物においても探傷が可能であ
り、リフトオフに応じた移相制御（位相推移制御）をす
る必要性のない簡便な構成からなる渦流探傷装置を提供
することにある。

【００１４】また、本発明の他の目的は、傷信号の位相
又は振幅を基準値と比較弁別する位相比較器又は電圧比
較器を備えることにより、探傷対象物における傷の状況
を容易確実に弁別把握することが可能な渦流探傷装置を
提供することにある。

【００１５】また、本発明の他の目的は、傷信号の位相
又は振幅の弁別結果を表示する表示器を備え、渦流探傷
プローブと表示器を一体化することにより、探傷結果の
把握が容易な視認性の高い渦流探傷装置を提供し、ま
た、渦流探傷プローブの走査時に渦流探傷プローブと同
一場所において同時に探傷結果を表示できる作業性の高
い渦流探傷装置を提供することにある。

【００１６】また、本発明の他の目的は、リフトオフ測
定器を備えることにより、リフトオフに応じた励磁電流
の供給が可能となり、リフトオフに応じた傷信号に対す
る増幅率の制御が可能となる渦流探傷装置を提供するこ
とにある。

【００１７】また、本発明の他の目的は、検出コイルに
接続するブリッジが不要であり、また、リフトオフによ
る信号の発生がなくリフトオフの影響を受けないことか
ら、非導電体皮膜を施された探傷対象物においても探傷
が可能であり、リフトオフに応じた移相制御（位相推移
制御）をする必要性のない簡単な方法の渦流探傷方法を
提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】第１発明に係る渦流探傷
装置は、交流信号を入力する励磁コイル及び傷信号を出
力する検出コイルを有する渦流探傷用プローブと、前記
交流信号の位相をシフトして移相交流信号を出力する移
相器と、前記交流信号を参照信号として前記傷信号の位
相検波をすることにより第１位相検波信号を出力する第
１位相検波器と、前記移相交流信号を参照信号として前
記傷信号の位相検波をすることにより第２位相検波信号
を出力する第２位相検波器とを備える渦流探傷装置にお
いて、前記検出コイルの中心軸は、前記励磁コイルの中
心軸と交差する方向に配置され、前記第１位相検波信号
及び第２位相検波信号に基いて、前記傷信号の位相又は
振幅を算出する演算器を備えることを特徴とする。

【００１９】第２発明に係る渦流探傷装置は、第１発明
において、前記検出コイルは、導体を多角形状に巻回
し、該多角形の一辺は、前記励磁コイル側に配置するこ
とを特徴とする。

【００２０】第３発明に係る渦流探傷装置は、第２発明
において、前記多角形は、前記一辺から離間する該一辺
と平行な方向での幅が該一辺より小さいことを特徴とす
る。

【００２１】第４発明に係る渦流探傷装置は、第１発明
乃至第３発明のいずれかにおいて、前記移相器は、前記
交流信号の位相を９０度シフトすることを特徴とする。

【００２２】第５発明に係る渦流探傷装置は、第１発明
乃至第４発明のいずれかにおいて、前記渦流探傷装置
は、前記算出された傷信号の位相を予め設定する基準値
と比較弁別する位相比較器をさらに備えることを特徴と
する。

【００２３】第６発明に係る渦流探傷装置は、第１発明
乃至第５発明のいずれかにおいて、前記渦流探傷装置
は、前記算出された傷信号の振幅を予め設定する基準値
と比較弁別する電圧比較器をさらに備えることを特徴と
する。

【００２４】第７発明に係る渦流探傷装置は、第５発明
又は第６発明において、前記渦流探傷装置は、前記位相
比較器又は電圧比較器による弁別結果を表示する表示器
をさらに備えることを特徴とする。

【００２５】第８発明に係る渦流探傷装置は、第７発明
において、前記表示器は、光学素子により構成されるこ
とを特徴とする。

【００２６】第９発明に係る渦流探傷装置は、第７発明
又は第８発明において、前記渦流探傷装置は、前記渦流
探傷用プローブ及び表示器を保持する走査用保持体をさ
らに備えることを特徴とする。

【００２７】第１０発明に係る渦流探傷装置は、第１発
明乃至第９発明のいずれかにおいて、前記渦流探傷装置
は、探傷対象物と前記渦流探傷用プローブとの距離を測
定するリフトオフ測定器をさらに備えることを特徴とす
る。

【００２８】第１１発明に係る渦流探傷装置は、第１０
発明において、前記渦流探傷装置は、前記リフトオフ測
定器の測定結果に基いて前記励磁コイルに入力する交流
信号の大きさを制御する励磁制御器をさらに備えること
を特徴とする。

【００２９】第１２発明に係る渦流探傷装置は、第１０
発明又は第１１発明において、前記渦流探傷装置は、前
記リフトオフ測定器の測定結果に基いて前記傷信号に対
する増幅率を制御する検出制御器をさらに備えることを
特徴とする。

【００３０】第１３発明に係る渦流探傷方法は、探傷対
象物の表面と交差する方向に中心軸を配置される励磁コ
イルと該励磁コイルの中心軸と交差する方向に中心軸を
配置される検出コイルを有する渦流探傷用プローブによ
り探傷対象物の表面を走査して探傷対象物の傷を検出す
る渦流探傷方法であって、前記励磁コイルに交流信号に
基く励磁電流を供給して探傷対象物に渦電流を発生さ
せ、前記検出コイルにより探傷対象物の傷に応じて発生
する傷信号を検出し、移相器により前記交流信号の位相
をシフトして移相交流信号を生成し、前記交流信号を参
照信号として第１位相検波器により前記傷信号の位相検
波をして第１位相検波信号を生成し、前記移相交流信号
を参照信号として第２位相検波器により前記傷信号の位
相検波をして第２位相検波信号を生成し、演算器により
前記第１位相検波信号及び第２位相検波信号について演
算をすることにより、前記傷信号の位相又は振幅を算出
することを特徴とする。

【００３１】第１４発明に係る渦流探傷方法は、第１３
発明において、前記渦流探傷方法は、さらに、リフトオ
フ測定器により前記探傷対象物と前記渦流探傷用プロー
ブとの距離を測定することを特徴とする。

【００３２】第１５発明に係る渦流探傷方法は、第１４
発明において、前記渦流探傷方法は、前記距離に応じて
前記励磁電流の大きさを制御することを特徴とする。

【００３３】第１６発明に係る渦流探傷方法は、第１４
発明又は第１５発明において、前記渦流探傷方法は、前
記距離に応じて前記傷信号に対する増幅率を制御するこ
とを特徴とする。

【００３４】第１７発明に係る渦流探傷方法は、第１４
発明乃至第１６発明のいずれかにおいて、前記探傷対象
物の表面を走査する前に、前記距離及び傷の深さについ
て標準値を有する標準試験片により動作確認をすること
を特徴とする。

【００３５】第１発明乃至第３発明においては、交流信
号に基く励磁電流が供給される励磁コイルと傷信号を検
出する検出コイルとを有する渦流探傷用プローブと、交
流信号を参照信号として傷信号の位相検波をすることに
より第１位相検波信号を出力する第１位相検波器と、交
流信号の位相をシフトした移相交流信号を参照信号とし
て傷信号の位相検波をすることにより第２位相検波信号
を出力する第２位相検波器とを備え、検出コイルの中心
軸を励磁コイルの中心軸と交差する方向に配置し、第１
位相検波信号及び第２位相検波信号に基いて傷信号の位
相又は振幅を算出することとしたので、検出コイルに接
続するブリッジが不要であり、また、リフトオフによる
信号の発生がなくリフトオフの影響を受けないことか
ら、非導電体皮膜を施された探傷対象物においても探傷
が可能であり、リフトオフに応じた移相制御（位相推移
制御）をする必要性のない簡便な構成からなる渦流探傷
装置を提供することが可能となる。

【００３６】第４発明においては、交流信号を参照信号
とする第１位相検波器に対し、第２位相検波器の参照信
号は交流信号の位相を９０度シフトした移相交流信号と
したので、傷信号ＤＳのベクトルの０度成分（Ｘ方向成
分）を第１位相検波器の出力とし、傷信号ＤＳのベクト
ルの９０度成分（Ｙ方向成分）を第２位相検波器の出力
として、容易確実に傷信号の位相、振幅を算出すること
ができる渦流探傷装置を提供することが可能となる。

【００３７】第５発明、第６発明においては、傷信号の
位相又は振幅を基準値と比較弁別する位相比較器又は電
圧比較器を備えることとしたので、探傷対象物における
傷の状況を容易確実に弁別把握することができる渦流探
傷装置を提供することが可能となる。

【００３８】第７発明乃至第９発明においては、位相比
較器又は電圧比較器における弁別結果を表示する表示器
を備え、渦流探傷プローブと表示器を一体化することと
したので、探傷結果の把握が容易な視認性の高い渦流探
傷装置を提供し、また、渦流探傷プローブの走査時に渦
流探傷プローブと同一場所において同時に探傷結果を表
示できる作業性の高い渦流探傷装置を提供することが可
能となる。

【００３９】第１０発明乃至第１２発明においては、リ
フトオフ測定器を備えることとしたので、リフトオフの
把握が容易にでき、リフトオフに応じて励磁電流を供給
し、また、リフトオフに応じて傷信号に対する増幅率を
制御できる渦流探傷装置を提供することが可能となる。

【００４０】第１３発明においては、交流信号に基く励
磁電流が供給される励磁コイルの中心軸と傷信号を検出
する検出コイルの中心軸とを相互に交差する方向に配置
する渦流探傷用プローブにより、探傷対象物の表面を走
査し、交流信号を参照信号として傷信号の位相検波をす
ることにより第１位相検波信号を生成し、交流信号の位
相をシフトした移相交流信号を参照信号として傷信号の
位相検波をすることにより第２位相検波信号を生成し、
第１位相検波信号及び第２位相検波信号に基いて傷信号
の位相又は振幅を算出することとしたので、検出コイル
に接続するブリッジが不要であり、また、リフトオフに
よる信号の発生がなくリフトオフの影響を受けないこと
から、非導電体皮膜を施された探傷対象物においても探
傷が可能であり、リフトオフに応じた移相制御（位相推
移制御）をする必要性のない簡単な方法の渦流探傷方法
を提供することが可能となる。

【００４１】第１４発明乃至第１６発明においては、リ
フトオフ測定器により、リフトオフを測定することとし
たので、リフトオフの把握が容易にでき、リフトオフに
応じて励磁電流を供給し、また、リフトオフに応じて傷
信号に対する増幅率を制御できる渦流探傷方法を提供す
ることが可能となる。

【００４２】第１７発明においては、探傷対象物の表面
を走査する前に、リフトオフ及び傷の深さについて標準
値を有する標準試験片により動作確認をすることとした
ので、リフトオフに応じた設定を事前に行うことがで
き、一層容易で正確な探傷ができる渦流探傷方法を提供
することが可能となる。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下本発明をその実施の形態を示
す図面に基づいて詳述する。＜実施の形態１＞図１は、本願発明に用いる渦流探傷用
プローブの原理説明図である。図２は、本願発明に用い
る渦流探傷用プローブの概略外形斜視図である。図１に
おいて、１は探傷対象物であり、その表面に対向して、
渦流探傷用プローブ２が間隔（リフトオフＤＬ）をおい
て配置される。渦流探傷用プローブ２は、励磁コイル２
ａと検出コイル２ｂにより構成され、励磁コイル２ａの
中心軸と検出コイル２ｂの中心軸とは相互に交差する方
向に配置される。励磁コイル２ａの中心軸は、探傷対象
物１の表面に対し交差する方向（通常は、ほぼ垂直方
向）になるように配置されるから、励磁コイル２ａの端
部が形成する励磁コイル端部面２ａｓは、探傷対象物１
の表面に対し、ほぼ平行となる。検出コイル２ｂの端部
が形成する検出コイル端部面２ｂｓは、励磁コイル端部
面２ａｓに対し交差する方向（通常は、ほぼ垂直方向）
に配置される。

【００４４】励磁コイル２ａに交流信号である励磁電流
が入力され供給されると、それに従い、図上矢印（下向
き）で示すように探傷対象物１の表面に対して交差する
方向に交流磁界が生じ、探傷対象物１の表面には渦電流
が生じる。傷の無い場合においては、渦電流による磁界
は、図上矢印（上向き）で示すように探傷対象物１の表
面に対して交差する方向に生じるから、検出コイル２ｂ
とは鎖交することがなく検出コイル２ｂにより傷信号が
検出されることはない。これに対し、傷のある場合にお
いては、渦電流による磁界は、図上矢印（左向き）で示
すように探傷対象物１の表面に対して平行な方向に生じ
るから、検出コイル２ｂと鎖交することになり検出コイ
ル２ｂにより傷信号として検出され、出力される。

【００４５】図２において、励磁コイル２ａは円環状で
あり、検出コイル２ｂは矩形の場合（ａ）と、三角形の
場合（ｂ）を示す。励磁コイル２ａは、例えば、外径１
８ｍｍ、内径１４ｍｍの円形ナイロンボビンに１００μ
ｍの被覆銅線を１５０回巻いたものである。矩形の検出
コイル２ｂは、例えば、一辺が１０ｍｍの矩形枠に７０
μｍの被覆銅線を１２０回巻いて、一辺が１４ｍｍの矩
形に仕上げたものであり、少なくとも一辺が励磁コイル
２ａの内径方向と一致するように励磁コイル２ａの内部
空間に嵌め込まれている。従って、検出コイル２ｂの少
なくとも一辺は、励磁コイル２ａが形成する端部面に平
行となるように構成される。三角形の検出コイル２ｂの
場合においても、矩形の場合と同様に、少なくとも一辺
が励磁コイル２ａの内径方向と一致するように励磁コイ
ル２ａの内部空間に嵌め込まれている。なお、励磁コイ
ル２ａは円環状としたが、これに限られるものではな
い。また、検出コイル２ｂは、矩形状、三角形状に限ら
ず、台形状、家型五角形等の多角形が可能である。

【００４６】また、励磁コイル２ａから離間した空間に
おいては、励磁コイル２ａにより発生した磁束が湾曲
し、検出コイル２ｂと鎖交する磁束を生じるようにな
り、この鎖交する磁束が検出コイル２ｂにより擬似の傷
信号として検出される。この擬似の傷信号は、リフトオ
フの変動により変動することから、最終的にはノイズと
して探傷の誤差を生じる原因となる。従って、多角形の
形状は、励磁コイル２ａから離間するに従って、その内
側の空間を小さくする形状が望ましい。つまり、励磁コ
イル２ａの内径方向と一致するように励磁コイル２ａの
内部空間に嵌め込まれている一辺から離間する空間にお
いて、該一辺と平行な方向における幅（図上矢符２ｂｄ
により示す）が、該一辺の長さより小さい多角形状の検
出コイル２ｂ（例えば、三角形、台形、家型五角形等）
とすることにより、励磁コイル２ａによる磁束との鎖交
を低減でき、リフトオフによるノイズを一層低減するこ
とができる。

【００４７】図３は、本願発明の実施の形態１に係る渦
流探傷装置のブロック図である。図において、１は探傷
対象物であり、探傷対象物金属部１ａ、探傷対象物被覆
部１ｂ、探傷対象物１に含まれる傷１ｃが模式的に示さ
れる。探傷対象物１の表面に対向して、励磁コイル２ａ
及び検出コイル２ｂからなる渦流探傷用プローブ２が配
置され、所定の速度により、探傷対象物１の表面を走査
され、探傷を行う。なお、励磁コイル２ａの中心軸が、
探傷対象物１の表面に対して交差する方向に配置される
こと等は、図１等において述べた通りであり、渦流探傷
用プローブ２についての詳細な説明は省略する。励磁コ
イル２ａには、交流信号が入力され、検出コイル２ｂか
らは傷信号ＳＳが出力される。

【００４８】発振器３は、信号処理の基準となる交流信
号を発生するものであり、例えば、発振周波数は１ｋＨ
ｚ〜２００ｋＨｚであり、出力電圧は約１Ｖである。な
お、発振器３は、渦流探傷装置本体の内部に内蔵して一
体化するのが望ましいが、必要に応じて外付けにするこ
とも可能である。発振器３による交流信号は、励磁増幅
器４により適宜電流増幅され、所定の電流値の励磁電流
が励磁コイル２ａに供給され、交流信号に応じて、励磁
コイル２ａによる探傷用の交流磁界が発生する。励磁増
幅器４の増幅率は、励磁コイル２ａにおいて必要となる
励磁電流の大きさを考慮して、適宜設定する。検出増幅
器５は、探傷対象物１に含まれる傷１ｃに応じて検出コ
イル２ｂにより検出され、検出コイル２ｂの端子から出
力される傷信号ＳＳを適宜増幅して、以降の信号処理が
可能なレベルにまで増幅した傷信号ＤＳを出力する。こ
こでは、検出増幅器５の増幅率は約２０倍とした。探傷
対象物１において傷１ｃの存在しない部分を渦流探傷用
プローブ２が走査した場合においては、検出コイル２ｂ
の端子からは、傷信号ＳＳが出力されることはない。従
って、本願発明においては、従来の渦流探傷装置におい
て必要であったブリッジ（ブリッジ回路）及びブリッジ
の平衡を取るための平衡器（バランス回路）は、必要が
なくなる。また、従来の渦流探傷装置において、リフト
オフにより生じていたノイズが生じることもない。つま
り、本願発明は、原理的に傷信号ＳＳにノイズが重畳し
ないノイズフリーであることから、検出増幅器５のダイ
ナミックレンジを大きく取ることが可能となる。また、
リフトオフが大きい状態での探傷が可能となり、非導電
体皮膜を施された探傷対象物に対する探傷が可能とな
る。

【００４９】移相器６は、発振器３による交流信号の位
相を適宜移相するものであり、ここでは、位相解析を簡
単にできる２チャンネル方式（Ｘ方向・Ｙ方向）とする
ため、交流信号の位相を９０度シフトした移相交流信号
を出力するものとする。本願発明においては、移相器６
は１つでよく、従来の２チャンネル方式において必要と
された２つの移相器（ノイズキャンセルしてＳＮ比を向
上させるための移相器とＸ方向・Ｙ方向の２チャンネル
形成用の９０度移相器）を備える必要はなくなる。第１
位相検波器７は、増幅された傷信号ＤＳに対して位相検
波を行うが、交流信号を参照信号（制御信号ともいう）
ＲＳＡとするので、第１位相検波信号Ｖｘとして傷信号
ＤＳのベクトルの０度成分（Ｘ方向成分）を出力する。
第２位相検波器８は、増幅された傷信号ＤＳに対して位
相検波を行うが、移相交流信号を参照信号（制御信号と
もいう）ＲＳＢとするので、第２位相検波信号Ｖｙとし
て傷信号ＤＳのベクトルの９０度成分（Ｙ方向成分）を
出力する。

【００５０】第１位相検波信号Ｖｘと第２位相検波信号
Ｖｙは、演算器９により適宜演算処理される。即ち、傷
信号の位相θが、θ＝ｔａｎ^-1（Ｖｙ／Ｖｘ）^1/2 とし
て算出され、傷信号の振幅Ｅが、Ｅ＝（Ｖｘ² ＋Ｖｙ
² ）^1/2 として算出される。傷信号の位相θは、傷の深
さに対して相関関係を持つことが知られているから、傷
信号の位相θを知ることにより、傷の深さを検出するこ
とができる。また、傷信号の振幅Ｅは、傷の長さ等に相
関関係を持つことが知られているから、傷信号の振幅Ｅ
を知ることにより、傷の有無その他、傷の状況を検出す
ることができる。なお、傷信号の振幅Ｅを求めずに、第
１位相検波信号Ｖｘ、第２位相検波信号Ｖｙ各々を単独
で評価して、より支配的な方の値を採用することにより
いずれか一方により傷の状況を検出することも可能であ
る。

【００５１】位相比較器１０は、演算器９により演算処
理して求められた傷信号の位相θを入力し、予め設定し
た基準値と比較して弁別する。例えば、基準値を１つ設
定した場合は、傷信号の位相θが基準値の上、下、いず
れに対応するかにより、傷レベルを「大」、「小」の２
つに弁別することができる。通常、傷信号の位相θは傷
の深さに対して相関関係を持つことから、傷の深さが
「深い」、「浅い」の２種類に区分することができる。
例えば、「深い」場合は、不良として対策し、「浅い」
場合は、要経過観察として対応すること等が可能とな
る。また、基準値を２つ設定した場合は、傷信号の位相
θが基準値の上、下、中間のいずれに対応するかによ
り、大、中、小の３つの傷レベルに弁別することができ
る。このように、位相比較器１０により、傷信号の位相
θを予め設定した基準値と比較して弁別することから、
探傷作業時の確認、判断が極めて確実、容易にできるよ
うになり、探傷作業の効率化が可能となる。なお、基準
値は、固定する必要はなく、適宜弁別レベルを変更可能
なように構成し、探傷対象物１の物性に応じて広範囲に
探傷ができるようにする。

【００５２】電圧比較器１１は、演算器９により演算処
理して求められた傷信号の振幅Ｅを入力し、予め設定し
た基準値と比較して弁別する。例えば、基準値を１つ設
定した場合は、傷信号の振幅Ｅが基準値の上、下、いず
れに対応するかにより、傷レベルを「大」、「小」の２
つに弁別することができる。このように、電圧比較器１
１により、傷信号の振幅Ｅを予め設定した基準値と比較
して弁別することから、探傷作業時の確認、判断が極め
て確実、容易にできるようになり、探傷作業の効率化が
可能となる。なお、基準値は、固定する必要はなく、適
宜弁別レベルを変更可能なように構成し、探傷対象物１
の物性に応じて広範囲に探傷ができるようにする。

【００５３】表示器１２は、位相比較器１０、電圧比較
器１１における弁別結果を表示するものであり、視認性
を高め、探傷作業の効率化を図るためには、自発光する
能動的な光学素子（例えば、発光ダイオード等）により
構成することが好ましい。しかし、これに限らず、液晶
表示素子等の受動的な光学素子を用いることも可能であ
る。例えば、３色（赤、黄、青）の発光ダイオードを用
いた場合には、傷の状況（例えば、深さ、長さ等）を３
色に対応させて表示すること（深い傷：赤。中程度の
傷：黄。浅い傷：青）等が可能となる。なお、表示器１
２は、位相比較器１０、電圧比較器１１における弁別結
果を表示するものであることから、小型化が容易であ
り、渦流探傷用プローブとの一体化が可能である。

【００５４】＜実施の形態２＞図４は、本願発明の実施
の形態２に係る渦流探傷装置のブロック図である。実施
の形態１と同一部分には同一符号を付して、詳細な説明
は省略する。実施の形態１と異なる点は、リフトオフ測
定器１３、励磁制御器１４、検出制御器１５が付加され
ていることである。リフトオフ測定器１３は、リフトオ
フＤＬを測定し、リフトオフ信号ＳＤＬを励磁制御器１
４、検出制御器１５に入力する。励磁制御器１４は、リ
フトオフ信号ＳＤＬを受けて、励磁増幅器４の増幅率を
制御する。検出制御器１５は、リフトオフ信号ＳＤＬを
受けて、検出増幅器５の増幅率を制御する。

【００５５】リフトオフ測定器１３は、励磁コイル２ａ
の外周に設けた約１０巻程度のリフトオフ測定用コイル
（不図示）により、探傷対象物１と渦流探傷用プローブ
２との間の距離、即ちリフトオフＤＬを測定し、リフト
オフ信号ＳＤＬを発生する。例えば、リフトオフＤＬが
小さい（０．３ｍｍ〜１ｍｍ）場合は、リフトオフ信号
ＳＤＬは「リフトオフＤＬは小」として励磁制御器１４
に入力され、励磁制御器１４は励磁増幅器４を制御して
励磁コイル２ａに供給される励磁電流を８０ｍＡに設定
制御する。これに対し、リフトオフＤＬが大きい（１ｍ
ｍ〜１０ｍｍ）場合は、リフトオフ信号ＳＤＬは「リフ
トオフＤＬは大」として励磁制御器１４に入力され、励
磁制御器１４は励磁増幅器４を制御して励磁コイル２ａ
に供給される励磁電流を１２０ｍＡに設定制御する。こ
のようにリフトオフＤＬの大小に応じて、励磁電流の大
小を制御可能とするので、リフトオフＤＬの大小による
発生磁界の変動を低減でき、リフトオフＤＬの大小によ
る傷信号の強度の変動を防止することができる。即ち、
探傷対象物被覆部１ｂの皮膜厚さの大小にかかわらず、
正確な探傷が可能な渦流探傷装置となる。なお、ここで
は、リフトオフＤＬを大小２つの場合に区分した設定型
を例に説明したが、リフトオフＤＬを連続的に測定し、
励磁電流を連続的に制御する構成としても良いことは言
うまでもない。

【００５６】検出制御器１５は、リフトオフＤＬの大小
に応じて傷信号ＳＳに対する検出増幅器５の増幅率を制
御する。リフトオフＤＬが大きい場合は、励磁制御器１
５は検出増幅器５の増幅率を例えば、２０倍とし、リフ
トオフＤＬが小きい場合は、励磁制御器１５は検出増幅
器５の増幅率を例えば、１０倍とすることにより、増幅
された傷信号ＤＳのレベルを信号処理に適した範囲内に
抑えることができる。なお、ここでは、検出増幅器５の
増幅率の制御について、設定型を例に説明したが、リフ
トオフＤＬを連続的に測定し、増幅率を連続的に制御す
る構成としても良いことは言うまでもない。励磁制御器
１４、検出制御器１５は、いずれか一方のみを動作させ
るようにしても良いし、同時に動作させるようにしても
良い。また、励磁コイル２ａへの励磁電流は固定し、リ
フトオフＤＬが小さくなった場合に、励磁コイル２ａへ
の励磁電流は変更することなく、検出増幅器５の増幅率
を低減するように切り替えて動作させることも可能であ
る。

【００５７】＜実施例＞図５は、本願発明に用いる渦流
探傷用プローブの実施例を示す説明図である。図におい
て、渦流探傷用プローブを走査するための走査用保持体
２ｍの先端には、探傷対象物１の表面に接触する回転可
能な接触子２ｍｃが設けられ、図上矢符で示すように移
動可能な構成とする。走査用保持体２ｍには、探傷対象
物１の表面に対向する側に渦流探傷用プローブ２が、外
部からの視認が可能な走査用保持体２ｍの表面側に表示
器１２が設けられる。表示器１２は、例えば発光ダイオ
ードのような視認性の高い光学素子１２ｄにより構成さ
れる。渦流探傷用プローブ２と表示器１２を近接して走
査用保持体２ｍに配置することにより、探傷時の視認性
を高め、作業性を向上することが可能となる。

【００５８】本願発明に係る渦流探傷装置においては、
リフトオフ（探傷対象物１と流探傷用プローブ２との距
離）に基く擬似の傷信号は生じないことから、探傷対象
物１の健全部においては、探傷による信号が出力されな
い（表示器に表示されない）ので、正常動作をしている
ことを確認する必要がある。このため、探傷対象物１の
表面を走査する前に、リフトオフ及び傷の深さについて
標準値を有する標準試験片により動作確認をする。

【００５９】具体的には、標準試験片（ウレタンで被覆
された鋼板）の健全部上に、渦流探傷用プローブ２を配
置し、表示器に探傷による信号が出力されないことを確
認し、各種のセットボタン（不図示）を設定し、励磁増
幅器４、励磁制御器１４の動作特性を確定し、励磁コイ
ル２ａへの励磁電流を設定する。また、併せて、検出増
幅器５、検出制御器１５の動作特性を確定し、傷信号Ｓ
Ｓ、傷信号ＤＳの検出が可能な状態に設定する。次に、
標準試験片の傷部上を渦流探傷用プローブ２により走査
して、傷信号ＳＳ、傷信号ＤＳが出力し、表示器１２に
表示されることを確認する。この際、必要に応じて位相
比較器１０、電圧比較器１１の基準値を設定し、表示レ
ベルの変更等の対応を行う。このように、被覆膜を有す
る標準試験片により、リフトオフに応じた設定を事前に
行うことにより、より容易正確な探傷が可能となる。

【００６０】設定終了後、探傷対象物１の表面上を渦流
探傷用プローブ２により走査して、探傷を実施する。従
来の探傷装置によれば、リフトオフノイズの大きいもの
が傷信号と同様に表示され、傷信号の発生がノイズを含
めると本願発明の数倍以上発生し、このようなリフトオ
フノイズと傷信号とは、簡単に弁別できないことから、
探傷に長時間を必要としていた。これに対し、本願発明
においては、傷が存在しない限り表示器に表示されるこ
とはないので、表示器１２に傷表示がされた場合にの
み、その箇所において、渦流探傷用プローブ２を更に精
密に走査し、詳細な探傷を行えば良く、容易正確に作業
性良く短時間に探傷を行うことができる。

【００６１】

【発明の効果】以上詳述したように、第１発明乃至第３
発明にあっては、検出コイルの中心軸を励磁コイルの中
心軸と交差する方向に配置し、第１位相検波信号及び第
２位相検波信号に基いて傷信号の位相又は振幅を算出す
ることとしたので、検出コイルに接続するブリッジが不
要であり、また、リフトオフによる信号の発生がなくリ
フトオフの影響を受けないことから、非導電体皮膜を施
された探傷対象物においても探傷が可能であり、リフト
オフに応じた移相制御（位相推移制御）をする必要性の
ない簡便な構成からなる渦流探傷装置を提供することが
可能となる。さらに、非導電体皮膜を施された探傷対象
物の非導電体皮膜を剥離することなく、表面の傷を探傷
することができることから、従来極めて困難であった鋼
構造物等の探傷を容易に実施できる。また、従来必要で
あったブリッジ調整用の平衡回路が不要となり、回路構
成が簡単になると共に、取り扱いが容易で、作業性の高
い渦流探傷装置を提供することが可能となる。

【００６２】第４発明にあっては、第１位相検波器の参
照信号と第２位相検波器の参照信号とは位相を９０度シ
フトしたので、傷信号ＤＳのベクトルの０度成分（Ｘ方
向成分）を第１位相検波器の出力とし、傷信号ＤＳのベ
クトルの９０度成分（Ｙ方向成分）を第２位相検波器の
出力として、容易確実に傷信号の位相、振幅を算出する
ことができる渦流探傷装置を提供することが可能とな
る。

【００６３】第５発明、第６発明にあっては、傷信号の
位相又は振幅を基準値と比較弁別する位相比較器又は電
圧比較器を備えることとしたので、探傷対象物における
傷の状況を容易確実に弁別把握することができる渦流探
傷装置を提供することが可能となる。

【００６４】第７発明乃至第９発明にあっては、位相比
較器又は電圧比較器における弁別結果を表示する表示器
を備え、渦流探傷プローブと表示器を一体化することと
したので、視認性の高い渦流探傷装置を提供し、渦流探
傷プローブの走査時に渦流探傷プローブと同一場所にお
いて同時に探傷結果を表示できる作業性の高い渦流探傷
装置を提供することが可能となる。

【００６５】第１０発明乃至第１２発明にあっては、リ
フトオフ測定器により、リフトオフの把握が容易にで
き、リフトオフに応じて励磁電流を供給し、また、リフ
トオフに応じて傷信号に対する増幅率を制御できる渦流
探傷装置を提供することが可能となる。

【００６６】第１３発明にあっては、交流信号に基く励
磁電流が供給される励磁コイルの中心軸と傷信号を検出
する検出コイルの中心軸とを相互に交差する方向に配置
する渦流探傷用プローブにより、探傷対象物の表面を走
査し、交流信号及び交流信号の位相をシフトした移相交
流信号を各々参照信号として第１位相検波信号及び第２
位相検波信号を生成し、第１位相検波信号及び第２位相
検波信号に基いて傷信号の位相又は振幅を算出すること
としたので、検出コイルに接続するブリッジが不要であ
り、また、リフトオフによる信号の発生がなくリフトオ
フの影響を受けないことから、非導電体皮膜を施された
探傷対象物においても探傷が可能であり、リフトオフに
応じた移相制御（位相推移制御）をする必要性のない簡
単な方法の渦流探傷方法を提供することが可能となる。

【００６７】第１４発明乃至第１６発明にあっては、リ
フトオフ測定器により、リフトオフを測定することとし
たので、リフトオフの把握が容易にでき、リフトオフに
応じて励磁電流を供給し、また、リフトオフに応じて傷
信号に対する増幅率を制御できる渦流探傷方法を提供す
ることが可能となる。

【００６８】第１７発明にあっては、探傷対象物の表面
を走査する前に、リフトオフ及び傷の深さについて標準
値を有する標準試験片により動作確認をすることとした
ので、リフトオフに応じた設定を事前に行うことがで
き、一層容易で正確な探傷ができる渦流探傷方法を提供
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明に用いる渦流探傷用プローブの原理説
明図である。

【図２】本願発明に用いる渦流探傷用プローブの概略外
形斜視図である。

【図３】本願発明の実施の形態１に係る渦流探傷装置の
ブロック図である。

【図４】本願発明の実施の形態２に係る渦流探傷装置の
ブロック図である。

【図５】本願発明に用いる渦流探傷用プローブの実施例
を示す説明図である。

【図６】従来の渦流探傷装置において用いられる渦流探
傷用プローブの概略構成を示す模式図である。

【図７】従来の渦流探傷装置の例を示す概略ブロック図
である。

【符号の説明】

１探傷対象物１ｃ傷２渦流探傷用プローブ２ａ励磁コイル２ｂ検出コイル２ｍ走査用保持体３発振器４励磁増幅器５検出増幅器６移相器７第１位相検波器８第２位相検波器９演算器１０位相比較器１１電圧比較器１２表示器１２ｄ光学素子１３リフトオフ測定器１４励磁制御器１５検出制御器ＳＳ傷信号ＤＳ傷信号ＲＳＡ参照信号（交流信号）ＲＳＢ参照信号（移相交流信号）Ｖｘ第１位相検波信号Ｖｙ第２位相検波信号 θ 傷信号の位相Ｅ傷信号の振幅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G053 AA11 AB21 BA19 BB11 BC02 BC07 BC14 CA03 CB10 CB16 CB25 CB28 CC04 CC07 DA01 DA10 DB06 DB19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】交流信号を入力する励磁コイル及び傷信
号を出力する検出コイルを有する渦流探傷用プローブ
と、前記交流信号の位相をシフトして移相交流信号を出
力する移相器と、前記交流信号を参照信号として前記傷
信号の位相検波をすることにより第１位相検波信号を出
力する第１位相検波器と、前記移相交流信号を参照信号
として前記傷信号の位相検波をすることにより第２位相
検波信号を出力する第２位相検波器とを備える渦流探傷
装置において、前記検出コイルの中心軸は、前記励磁コ
イルの中心軸と交差する方向に配置され、前記第１位相
検波信号及び第２位相検波信号に基いて、前記傷信号の
位相又は振幅を算出する演算器を備えることを特徴とす
る渦流探傷装置。
【請求項２】前記検出コイルは、導体を多角形状に巻
回し、該多角形の一辺は、前記励磁コイル側に配置する
ことを特徴とする請求項１に記載の渦流探傷装置。
【請求項３】前記多角形は、前記一辺から離間する該
一辺と平行な方向での幅が該一辺より小さいことを特徴
とする請求項２に記載の渦流探傷装置。
【請求項４】前記移相器は、前記交流信号の位相を９
０度シフトすることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに記載の渦流探傷装置。
【請求項５】前記渦流探傷装置は、前記算出された傷
信号の位相を予め設定する基準値と比較弁別する位相比
較器をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４の
いずれかに記載の渦流探傷装置。
【請求項６】前記渦流探傷装置は、前記算出された傷
信号の振幅を予め設定する基準値と比較弁別する電圧比
較器をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５の
いずれかに記載の渦流探傷装置。
【請求項７】前記渦流探傷装置は、前記位相比較器又
は電圧比較器による弁別結果を表示する表示器をさらに
備えることを特徴とする請求項５又は６に記載の渦流探
傷装置。
【請求項８】前記表示器は、光学素子により構成され
ることを特徴とする請求項７に記載の渦流探傷装置。
【請求項９】前記渦流探傷装置は、前記渦流探傷用プ
ローブ及び表示器を保持する走査用保持体をさらに備え
ることを特徴とする請求項７又は８に記載の渦流探傷装
置。
【請求項１０】前記渦流探傷装置は、探傷対象物と前
記渦流探傷用プローブとの距離を測定するリフトオフ測
定器をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至９の
いずれかに記載の渦流探傷装置。
【請求項１１】前記渦流探傷装置は、前記リフトオフ
測定器の測定結果に基いて前記励磁コイルに入力する交
流信号の大きさを制御する励磁制御器をさらに備えるこ
とを特徴とする請求項１０に記載の渦流探傷装置。
【請求項１２】前記渦流探傷装置は、前記リフトオフ
測定器の測定結果に基いて前記傷信号に対する増幅率を
制御する検出制御器をさらに備えることを特徴とする請
求項１０又は１１に記載の渦流探傷装置。
【請求項１３】探傷対象物の表面と交差する方向に中
心軸を配置される励磁コイルと該励磁コイルの中心軸と
交差する方向に中心軸を配置される検出コイルを有する
渦流探傷用プローブにより探傷対象物の表面を走査して
探傷対象物の傷を検出する渦流探傷方法であって、前記
励磁コイルに交流信号に基く励磁電流を供給して探傷対
象物に渦電流を発生させ、前記検出コイルにより探傷対
象物の傷に応じて発生する傷信号を検出し、移相器によ
り前記交流信号の位相をシフトして移相交流信号を生成
し、前記交流信号を参照信号として第１位相検波器によ
り前記傷信号の位相検波をして第１位相検波信号を生成
し、前記移相交流信号を参照信号として第２位相検波器
により前記傷信号の位相検波をして第２位相検波信号を
生成し、演算器により前記第１位相検波信号及び第２位
相検波信号について演算をすることにより、前記傷信号
の位相又は振幅を算出することを特徴とする渦流探傷方
法。
【請求項１４】前記渦流探傷方法は、さらに、リフト
オフ測定器により前記探傷対象物と前記渦流探傷用プロ
ーブとの距離を測定することを特徴とする請求項１３に
記載の渦流探傷方法。
【請求項１５】前記渦流探傷方法は、前記距離に応じ
て前記励磁電流の大きさを制御することを特徴とする請
求項１４に記載の渦流探傷方法。
【請求項１６】前記渦流探傷方法は、前記距離に応じ
て前記傷信号に対する増幅率を制御することを特徴とす
る請求項１４又は１５に記載の渦流探傷方法。
【請求項１７】前記探傷対象物の表面を走査する前
に、前記距離及び傷の深さについて標準値を有する標準
試験片により動作確認をすることを特徴とする請求項１
４乃至１６のいずれかに記載の渦流探傷方法。