JP2003229359A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002338768A JP2003229359A (ja) | 2001-11-29 | 2002-11-22 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001365302 | 2001-11-29 | ||
| JP2001-365302 | 2001-11-29 | ||
| JP2002338768A JP2003229359A (ja) | 2001-11-29 | 2002-11-22 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229359A JP2003229359A (ja) | 2003-08-15 |
| JP2003229359A5 true JP2003229359A5 (ko) | 2007-02-15 |
Family
ID=27759500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002338768A Withdrawn JP2003229359A (ja) | 2001-11-29 | 2002-11-22 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003229359A (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4660103B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2011-03-30 | 三菱電機株式会社 | レーザ熱処理方法 |
| WO2006022196A1 (en) | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP5352040B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2013-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4481347B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2010-06-16 | シャープ株式会社 | 多結晶半導体膜の形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス製造装置 |
| KR20130044124A (ko) * | 2010-05-10 | 2013-05-02 | 파나소닉 액정 디스플레이 주식회사 | 결정성 반도체막의 제조 방법, 결정성 반도체막을 갖는 기판, 박막 트랜지스터 |
| WO2013051221A1 (ja) * | 2011-10-03 | 2013-04-11 | パナソニック株式会社 | 薄膜素子、薄膜素子アレイ及び薄膜素子の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242717A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-13 | Hitachi Ltd | エネルギービーム照射方法 |
| JP3431041B2 (ja) * | 1993-11-12 | 2003-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JPH07307304A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体デバイスのレーザー処理方法 |
| JP3195157B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-08-06 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JPH07302907A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | A G Technol Kk | アクティブマトリクス表示素子およびその製造方法 |
| JP3727034B2 (ja) * | 1995-01-13 | 2005-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザー照射装置 |
| JP3343492B2 (ja) * | 1997-04-02 | 2002-11-11 | シャープ株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| JP4454720B2 (ja) * | 1998-07-13 | 2010-04-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光学レンズ、ビームホモジェナイザー、レーザー照射装置、及びレーザー照射方法 |
| JP2000277450A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザアニール装置及びこの装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP3491571B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2004-01-26 | 日本電気株式会社 | 半導体薄膜の形成方法 |
| JP4986332B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2012-07-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US6872607B2 (en) * | 2000-03-21 | 2005-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
2002
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