JP2003229059A - 電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法及びそのキャップ製造方法 - Google Patents
電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法及びそのキャップ製造方法Info
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空の空間でキャップをシーリングすること
で、酸素がパネルの内部に流入されることを防止し得る
電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法を提
供しようとする。 【解決手段】 真空チャンバの内部に挿入されて、ホー
ルが穿孔形成されたパネルの基板上にシーリング材が塗
布されたキャップを載置させる段階と、ホールを被覆す
るためにキャップのシーリング材にレーザーを照射して
硬化させる段階と、を順次行うように電界放出ディスプ
レイのキャップシールリング方法を構成する。
で、酸素がパネルの内部に流入されることを防止し得る
電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法を提
供しようとする。 【解決手段】 真空チャンバの内部に挿入されて、ホー
ルが穿孔形成されたパネルの基板上にシーリング材が塗
布されたキャップを載置させる段階と、ホールを被覆す
るためにキャップのシーリング材にレーザーを照射して
硬化させる段階と、を順次行うように電界放出ディスプ
レイのキャップシールリング方法を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出ディスプ
レイ（ＦＥＤ）に係るもので、詳しくは、真空の空間内
でキャップをシーリングし得る電界放出ディスプレイの
キャップシールリング方法と、そのキャップを製造する
方法とに関する。
レイ（ＦＥＤ）に係るもので、詳しくは、真空の空間内
でキャップをシーリングし得る電界放出ディスプレイの
キャップシールリング方法と、そのキャップを製造する
方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、マルチメディアの発達に伴ってデ
ィスプレイに対する関心が高まり、かつその重要性が増
加している。例えば、携帯型情報機器のように移動性が
強調される環境においては、重さ、容積及び消費電力の
少ないディスプレイが要求されている。また、大勢のた
めの情報伝達媒体として使用される場合には、視野角が
広い大画面のディスプレイが要求される。従って、この
ような要求を満足させるために既存のカソード線管に代
わる軽くて薄いフラットパネルディスプレイの開発が必
要となっている。現在、ディスプレイ装置の大部分を占
めているカソード線管（ＣＲＴ）は、性能は優秀である
が、画面が大きくなるほど容積及び重さが増加し、か
つ、高電圧及び高消費電力の問題が発生している。
ィスプレイに対する関心が高まり、かつその重要性が増
加している。例えば、携帯型情報機器のように移動性が
強調される環境においては、重さ、容積及び消費電力の
少ないディスプレイが要求されている。また、大勢のた
めの情報伝達媒体として使用される場合には、視野角が
広い大画面のディスプレイが要求される。従って、この
ような要求を満足させるために既存のカソード線管に代
わる軽くて薄いフラットパネルディスプレイの開発が必
要となっている。現在、ディスプレイ装置の大部分を占
めているカソード線管（ＣＲＴ）は、性能は優秀である
が、画面が大きくなるほど容積及び重さが増加し、か
つ、高電圧及び高消費電力の問題が発生している。
【０００３】従って、このような問題を解決するために
現在用いられているフラットパネルディスプレイには、
液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル
（ＰＤＰ）、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）及び電界
放出ディスプレイ（ＦＥＤ）などがある。
現在用いられているフラットパネルディスプレイには、
液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル
（ＰＤＰ）、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）及び電界
放出ディスプレイ（ＦＥＤ）などがある。
【０００４】それら中、電界放出ディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）は、従来のカソード線管のような３極管であるが、
熱カソードを利用することなく、尖鋭なカソードを利用
し、エミッタに高電界を集中することで、量子力学的な
トンネル効果により電子を放出する例カソードが利用さ
れている。
Ｄ）は、従来のカソード線管のような３極管であるが、
熱カソードを利用することなく、尖鋭なカソードを利用
し、エミッタに高電界を集中することで、量子力学的な
トンネル効果により電子を放出する例カソードが利用さ
れている。
【０００５】従って、エミッタから放出された電子は、
アノードとカソードの間に印加された電圧により加速さ
れてアノードに形成された蛍光体に衝突し、蛍光体を発
光させるようになっている。且つ、ＦＥＤは電極構造が
他のディスプレイに比べて比較的簡単で、電子線による
蛍光体発光を利用して高速動作が可能であるため、フル
カラー、フル-グレースケール、高い輝度、高いビデオ
レート速度などの長所を全て揃えている。
アノードとカソードの間に印加された電圧により加速さ
れてアノードに形成された蛍光体に衝突し、蛍光体を発
光させるようになっている。且つ、ＦＥＤは電極構造が
他のディスプレイに比べて比較的簡単で、電子線による
蛍光体発光を利用して高速動作が可能であるため、フル
カラー、フル-グレースケール、高い輝度、高いビデオ
レート速度などの長所を全て揃えている。
【０００６】このような従来のＦＥＤは、図８及び図９
に示したように、上部ガラス基板２及び下部ガラス基板
８と、それら上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間の
真空空間を支持するスペーサ４０と、下部ガラス基板８
上に形成される電界放出アレイ３２とを備えている。
に示したように、上部ガラス基板２及び下部ガラス基板
８と、それら上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間の
真空空間を支持するスペーサ４０と、下部ガラス基板８
上に形成される電界放出アレイ３２とを備えている。
【０００７】電界放出アレイ３２は、下部ガラス基板８
上に順次形成されるカソード電極１０と、抵抗層１２
と、抵抗層１２の上に形成されるゲート絶縁層１４及び
電子放出源であるエミッタ２２と、前記ゲート絶縁層１
４上に形成されるゲート電極１６とからなっている。
上に順次形成されるカソード電極１０と、抵抗層１２
と、抵抗層１２の上に形成されるゲート絶縁層１４及び
電子放出源であるエミッタ２２と、前記ゲート絶縁層１
４上に形成されるゲート電極１６とからなっている。
【０００８】カソード電極１０はエミッタ２２に電流を
供給し、抵抗層１２はカソード電極１０からエミッタ２
２側に印加される過電流を制限してエミッタ２２に均一
な電流を供給する役割を果たしている。
供給し、抵抗層１２はカソード電極１０からエミッタ２
２側に印加される過電流を制限してエミッタ２２に均一
な電流を供給する役割を果たしている。
【０００９】ゲート絶縁層１４はカソード電極１０とゲ
ート電極１６間を絶縁し、ゲート電極１６は電子を引出
させるための引出電極として利用される。又、スペーサ
４０は上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間の高真空
状態を維持させるために上部ガラス基板２と下部ガラス
基板８を所定の間隔に支持する。
ート電極１６間を絶縁し、ゲート電極１６は電子を引出
させるための引出電極として利用される。又、スペーサ
４０は上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間の高真空
状態を維持させるために上部ガラス基板２と下部ガラス
基板８を所定の間隔に支持する。
【００１０】又、画像を表示するために、カソード電極
１０には負極性（−）のカソード電圧が印加されてアノ
ード電極４には正極性（＋）のアノード電圧が印加さ
れ、ゲート電極１６には、正極性（＋）のゲート電圧が
印加される。従って、カソード電極１０及びゲート電極
１６に充分な電圧が印加されることで、強い電界が形成
され、その形成された電界によってエミッタ２２のチッ
プから量子力学的トンネルリング現象が発生して電子３
０が放出される。次いで、放出された電子３０は、ゲー
ト電極のホールを通過して赤、緑及び青色を発色する蛍
光体６に衝突して励起させ、蛍光体６によって赤、緑及
び青色中、何れか一つの可視光を発光させる。
１０には負極性（−）のカソード電圧が印加されてアノ
ード電極４には正極性（＋）のアノード電圧が印加さ
れ、ゲート電極１６には、正極性（＋）のゲート電圧が
印加される。従って、カソード電極１０及びゲート電極
１６に充分な電圧が印加されることで、強い電界が形成
され、その形成された電界によってエミッタ２２のチッ
プから量子力学的トンネルリング現象が発生して電子３
０が放出される。次いで、放出された電子３０は、ゲー
ト電極のホールを通過して赤、緑及び青色を発色する蛍
光体６に衝突して励起させ、蛍光体６によって赤、緑及
び青色中、何れか一つの可視光を発光させる。
【００１１】又、従来のフォーカシング電極が形成され
た電界放出ディスプレイにおいては、図１０に示したよ
うに、ゲート電極１６上には、エミッタ２２から放出さ
れた電子３０を集束するためのフォーカシング電極２０
が形成され、そのフォーカシング電極２０に負極性
（−）のフォーカシング電圧を印加して電子ビーム３０
を蛍光体６に集束させるようになっている。また、フォ
ーカシング電極２０とゲート電極１６間にはフォーカシ
ング絶縁層１８が形成される。
た電界放出ディスプレイにおいては、図１０に示したよ
うに、ゲート電極１６上には、エミッタ２２から放出さ
れた電子３０を集束するためのフォーカシング電極２０
が形成され、そのフォーカシング電極２０に負極性
（−）のフォーカシング電圧を印加して電子ビーム３０
を蛍光体６に集束させるようになっている。また、フォ
ーカシング電極２０とゲート電極１６間にはフォーカシ
ング絶縁層１８が形成される。
【００１２】このように構成された従来のＦＥＤは、駆
動特性上、パネルの内部真空が１０ −６Torr以上の高真
空を要求するため、例えば、ゲート電極１６とエミッタ
２２の間はサブミクロン程度の距離が維持されて、１０
７Ｖ／ｃｍ程度の高電界が印加される。このとき、若
し、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間に高真空が
維持されないと、ゲート電極１６とエミッタ２２間で絶
縁破壊が発生する恐れがある。即ち、パネルの内部に存
在している各中性粒子が電子ビームと衝突して陽イオン
が発生する。その陽イオンがエミッタ２２チップにスパ
ッタリングされて素子を劣化させる。一方、中性粒子と
衝突した電子３０は、エネルギーを失って蛍光体６を充
分に励起させることができなくなるため、発光輝度が低
下する。
動特性上、パネルの内部真空が１０ −６Torr以上の高真
空を要求するため、例えば、ゲート電極１６とエミッタ
２２の間はサブミクロン程度の距離が維持されて、１０
７Ｖ／ｃｍ程度の高電界が印加される。このとき、若
し、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間に高真空が
維持されないと、ゲート電極１６とエミッタ２２間で絶
縁破壊が発生する恐れがある。即ち、パネルの内部に存
在している各中性粒子が電子ビームと衝突して陽イオン
が発生する。その陽イオンがエミッタ２２チップにスパ
ッタリングされて素子を劣化させる。一方、中性粒子と
衝突した電子３０は、エネルギーを失って蛍光体６を充
分に励起させることができなくなるため、発光輝度が低
下する。
【００１３】以下、このように構成された従来の電界放
出ディスプレイのパッケージング工程に対し、説明す
る。
出ディスプレイのパッケージング工程に対し、説明す
る。
【００１４】図１１は、従来の電界放出ディスプレイに
対し、大気中で真空ポンプを用いて真空パッケージング
する工程を示したフローチャートで、図１２は、従来の
電界放出ディスプレイに対するチューブ設置工程及びシ
ーリング材塗布工程を夫々示した図である。
対し、大気中で真空ポンプを用いて真空パッケージング
する工程を示したフローチャートで、図１２は、従来の
電界放出ディスプレイに対するチューブ設置工程及びシ
ーリング材塗布工程を夫々示した図である。
【００１５】チューブ設置工程は、図１１及び図１２に
示したように、下部ガラス基板８上に第１シーリング材
としてフリットガラスを塗布した後、チューブ５０を設
置する（ＳＴ２）。この時、チューブ５０は、下部ガラ
ス基板８のホール５１に形成される。
示したように、下部ガラス基板８上に第１シーリング材
としてフリットガラスを塗布した後、チューブ５０を設
置する（ＳＴ２）。この時、チューブ５０は、下部ガラ
ス基板８のホール５１に形成される。
【００１６】次いで、上部ガラス基板２には、スペーサ
４０を形成してその周辺部に第２シーリング材５４とし
てフリットガラスを配置して乾燥させる（ＳＴ４）。こ
の時、第２シーリング材５４は、スペーサ４０より所定
値（Ｈ１：普通、１ｍｍ〜２ｍｍ）以上高く設置され
る。その理由は、仮焼成の時、フリットガラスの高さが
３０％〜４０％減るからである。
４０を形成してその周辺部に第２シーリング材５４とし
てフリットガラスを配置して乾燥させる（ＳＴ４）。こ
の時、第２シーリング材５４は、スペーサ４０より所定
値（Ｈ１：普通、１ｍｍ〜２ｍｍ）以上高く設置され
る。その理由は、仮焼成の時、フリットガラスの高さが
３０％〜４０％減るからである。
【００１７】次いで、上部ガラス基板２に第２シーリン
グ材５４を形成した後、その第２シーリング材５４を仮
焼成する（ＳＴ６）。
グ材５４を形成した後、その第２シーリング材５４を仮
焼成する（ＳＴ６）。
【００１８】図１３は、従来のシーリング材仮焼成工程
を示した例示図で、図示されたように、仮焼成するとき
は、シーリング材５４のフリットガラスに含まれる有機
物成分のバインダを完全に燃やし尽くすためにフリット
材質によって夫々異なる焼成温度を用いる。一般に、仮
焼成は、第２シーリング材５４を約３００℃の温度で３
０分〜１時間の間保持する。このようにして、第２シー
リング材５４を仮焼成した後、上部ガラス基板２と下部
ガラス基板８を押しつけながら整列させて接着する。
を示した例示図で、図示されたように、仮焼成するとき
は、シーリング材５４のフリットガラスに含まれる有機
物成分のバインダを完全に燃やし尽くすためにフリット
材質によって夫々異なる焼成温度を用いる。一般に、仮
焼成は、第２シーリング材５４を約３００℃の温度で３
０分〜１時間の間保持する。このようにして、第２シー
リング材５４を仮焼成した後、上部ガラス基板２と下部
ガラス基板８を押しつけながら整列させて接着する。
【００１９】次いで、上部ガラス基板２及び下部ガラス
基板８を加熱チャンバに入れて第１シーリング材５２と
２シーリング材５４を本燒結する（ＳＴ６）。
基板８を加熱チャンバに入れて第１シーリング材５２と
２シーリング材５４を本燒結する（ＳＴ６）。
【００２０】次いで、図１４に示したように、パネルを
加熱チャンバ７０に入れて仮焼成温度より高い約４００
℃〜４５０℃の温度で本焼成を施す。その際、大気圧雰
囲気下で本焼成工程を施すと、ＦＥＤの電子放出源のカ
ソード電極１０、ゲート絶縁層１４、ゲート電極１６、
エミッタ２２、フォーカシング絶縁層１８及びフォーカ
シング電極２０が大気中の酸素又は炭素と反応して損傷
される恐れがある。特に、エミッタのような金属物質は
容易に酸化される。それによって発光特性が大きく低下
する。
加熱チャンバ７０に入れて仮焼成温度より高い約４００
℃〜４５０℃の温度で本焼成を施す。その際、大気圧雰
囲気下で本焼成工程を施すと、ＦＥＤの電子放出源のカ
ソード電極１０、ゲート絶縁層１４、ゲート電極１６、
エミッタ２２、フォーカシング絶縁層１８及びフォーカ
シング電極２０が大気中の酸素又は炭素と反応して損傷
される恐れがある。特に、エミッタのような金属物質は
容易に酸化される。それによって発光特性が大きく低下
する。
【００２１】従って、このような損傷を防止するため、
加熱チャンバ７０から延ばされたチューブ５６を利用し
てパネルの内部に窒素及びアルゴンなどの不活性ガス５
８を供給することで、高温工程中に電界放出アレイの各
素子が酸素と反応しないようにする。
加熱チャンバ７０から延ばされたチューブ５６を利用し
てパネルの内部に窒素及びアルゴンなどの不活性ガス５
８を供給することで、高温工程中に電界放出アレイの各
素子が酸素と反応しないようにする。
【００２２】又、図１５は、従来のシーリング材本焼成
工程を示した他の例示図で、示されたように、加熱チャ
ンバ７０の内部の下段及び上段にガス吸気ポート６０と
ガス吐出ポート６２を夫々設置して窒素及びアルゴンの
不活性ガスを加熱チャンバ７０の内部に流入させて高温
工程中に電子放出源物質が酸素と反応しないようにして
いる。この時、不活性ガスの流入は、吐出ポート６２の
外側のバルブを遮断した状態で吸気ポート６０を開放す
ることで、ガスの流入を１０〜２０分の間持続させ、加
熱を施して内部を充分に窒素及びアルゴンの不活性ガス
雰囲気とした後に、外方側のバルブを開放して流れを継
続進行させる。
工程を示した他の例示図で、示されたように、加熱チャ
ンバ７０の内部の下段及び上段にガス吸気ポート６０と
ガス吐出ポート６２を夫々設置して窒素及びアルゴンの
不活性ガスを加熱チャンバ７０の内部に流入させて高温
工程中に電子放出源物質が酸素と反応しないようにして
いる。この時、不活性ガスの流入は、吐出ポート６２の
外側のバルブを遮断した状態で吸気ポート６０を開放す
ることで、ガスの流入を１０〜２０分の間持続させ、加
熱を施して内部を充分に窒素及びアルゴンの不活性ガス
雰囲気とした後に、外方側のバルブを開放して流れを継
続進行させる。
【００２３】このような雰囲気下でパネルの温度を約４
００℃〜４５０℃の温度で３０分〜１時間の間維持させ
ると、第１及び第２シーリング材５２、５４が本焼成さ
れて完全なパネルのシーリングが行われる。このような
従来のシーリング方法を大気シーリング方法と定義す
る。この時、第２シーリング材５４の高さは、焼成工程
中に収縮されてスペーサより高いフリットガラスとスペ
ーサ４０の高さと殆ど同じになる。
００℃〜４５０℃の温度で３０分〜１時間の間維持させ
ると、第１及び第２シーリング材５２、５４が本焼成さ
れて完全なパネルのシーリングが行われる。このような
従来のシーリング方法を大気シーリング方法と定義す
る。この時、第２シーリング材５４の高さは、焼成工程
中に収縮されてスペーサより高いフリットガラスとスペ
ーサ４０の高さと殆ど同じになる。
【００２４】図１６は、従来のチューブにゲッタが挿合
されることを示した例示図で、図１７は、従来のチュー
ブの切断工程を示した例示図で、図示されたように、上
部ガラス基板２と下部ガラス基板８とを接着した後、チ
ューブ５０を通ってパネルの内部にゲッタ６６を入れて
ポンピング工程を遂行する（図１１のＳＴ８）。即ち、
加熱チャンバ７０の内部で上部ガラス基板２と下部ガラ
ス基板８とが接着されたパネルを加熱すると同時に、真
空ポンプ７２を利用してパネルの内部をポンピングし、
パネルが所望の真空度に至った時、チューブ５０の中間
部分を局部加熱装置６８により加熱してチューブ５０を
切り出してパネルを加熱チャンバ６４と隔離させる（Ｓ
１０）。
されることを示した例示図で、図１７は、従来のチュー
ブの切断工程を示した例示図で、図示されたように、上
部ガラス基板２と下部ガラス基板８とを接着した後、チ
ューブ５０を通ってパネルの内部にゲッタ６６を入れて
ポンピング工程を遂行する（図１１のＳＴ８）。即ち、
加熱チャンバ７０の内部で上部ガラス基板２と下部ガラ
ス基板８とが接着されたパネルを加熱すると同時に、真
空ポンプ７２を利用してパネルの内部をポンピングし、
パネルが所望の真空度に至った時、チューブ５０の中間
部分を局部加熱装置６８により加熱してチューブ５０を
切り出してパネルを加熱チャンバ６４と隔離させる（Ｓ
１０）。
【００２５】このとき、チューブ５０を切り出すピンチ
オフ工程は大気中に露出されたチューブ５０を切り出す
ため、パネルの真空度が低くなる。このように真空度が
低くなったパネルの真空度を高めるためにパネルの内部
のゲッタ６６に温度を加えてゲッタ６６を活性化させる
（Ｓ１２）。ゲッタ６６が活性化されると、パネルの真
空度が高くなるので、真空度を再び回復させて最終のパ
ネルを完成する。
オフ工程は大気中に露出されたチューブ５０を切り出す
ため、パネルの真空度が低くなる。このように真空度が
低くなったパネルの真空度を高めるためにパネルの内部
のゲッタ６６に温度を加えてゲッタ６６を活性化させる
（Ｓ１２）。ゲッタ６６が活性化されると、パネルの真
空度が高くなるので、真空度を再び回復させて最終のパ
ネルを完成する。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＦＥ
Ｄのピンチオフ工程においては、上記のようにピンチオ
フが大気中で行なわれるため、ホール５１を通って酸素
が流入する。このようにパネルの内部に酸素が流入する
と、エミッタのような金属物質が容易に酸化されるた
め、ＦＥＤの寿命が短縮されて発光特性が低下するとい
う不都合な点があった。
Ｄのピンチオフ工程においては、上記のようにピンチオ
フが大気中で行なわれるため、ホール５１を通って酸素
が流入する。このようにパネルの内部に酸素が流入する
と、エミッタのような金属物質が容易に酸化されるた
め、ＦＥＤの寿命が短縮されて発光特性が低下するとい
う不都合な点があった。
【００２７】且つ、酸素の流入によってパネルの各場所
ごとにディスプレイ時の色純度の差が発生するという不
都合な点があった。又、従来のパネルシーリング方法
は、高温で行なわれるため、工程時間が長引くという不
都合な点があった。且つ、チューブ５０設置工程中、チ
ューブは、第１シーリング材５２により下部ガラス基板
８に取り付けられるため、第１シーリング材５２の有機
バインダによって下部ガラス基板８に形成された各電極
が汚染されるという不都合な点があった。
ごとにディスプレイ時の色純度の差が発生するという不
都合な点があった。又、従来のパネルシーリング方法
は、高温で行なわれるため、工程時間が長引くという不
都合な点があった。且つ、チューブ５０設置工程中、チ
ューブは、第１シーリング材５２により下部ガラス基板
８に取り付けられるため、第１シーリング材５２の有機
バインダによって下部ガラス基板８に形成された各電極
が汚染されるという不都合な点があった。
【００２８】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたもので、真空空間でキャップをシーリングする
ことで、酸素がパネルの内部に流入されることを防止す
ることができる電界放出ディスプレイのキャップシール
リング方法を提供することを目的とする。
なされたもので、真空空間でキャップをシーリングする
ことで、酸素がパネルの内部に流入されることを防止す
ることができる電界放出ディスプレイのキャップシール
リング方法を提供することを目的とする。
【００２９】又、キャップを製造する時、焼成工程によ
ってキャップに塗布されたシーリング材中の有機バイン
ダを除去することで、パネルに形成された各電極の汚染
を防止することができる電界放出ディスプレイのキャッ
プ製造方法を提供することを目的とする。
ってキャップに塗布されたシーリング材中の有機バイン
ダを除去することで、パネルに形成された各電極の汚染
を防止することができる電界放出ディスプレイのキャッ
プ製造方法を提供することを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係る電界放出ディスプレイのキャップ
シールリング方法は、真空チャンバの内部でホールが形
成されたパネルの基板にシーリング材が塗布されたキャ
ップを位置させる段階と、ホールを被覆するためにキャ
ップのシーリング材にレーザーを照射して硬化させる段
階とを有することを特徴とする。
るため、本発明に係る電界放出ディスプレイのキャップ
シールリング方法は、真空チャンバの内部でホールが形
成されたパネルの基板にシーリング材が塗布されたキャ
ップを位置させる段階と、ホールを被覆するためにキャ
ップのシーリング材にレーザーを照射して硬化させる段
階とを有することを特徴とする。
【００３１】又、本発明に係る電界放出ディスプレイの
キャップ製造方法は、ガラス材質の基板にシーリング材
を塗布する段階と、そのシーリング材が塗布されたガラ
ス材質の基板を焼成する段階と、シーリング材が塗布さ
れたガラス材質の基板を切断する段階とを有することを
特徴とする。
キャップ製造方法は、ガラス材質の基板にシーリング材
を塗布する段階と、そのシーリング材が塗布されたガラ
ス材質の基板を焼成する段階と、シーリング材が塗布さ
れたガラス材質の基板を切断する段階とを有することを
特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対
し、図を用いて説明する。図１〜図３は、本発明実施形
態に係る電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）パネルの真空
シーリング方法を示した図である。図１〜図３に示した
ように、本実施形態に係るＦＥＤのシーリング形成ユニ
ット１１０は、フレーム１００と、本フレーム１００の
上／下部に塗布される第１及び第２シーリング材１０
２、１０４とからなる。且つ、シーリング形成ユニット
１１０上下双方にあるそれぞれの第１及び第２シーリン
グ１０２、１０４のフレーム１００と反対側にはそれぞ
れ上部ガラス基板１０６及び下部ガラス基板１０８が整
列されている。上部ガラス基板１０６と下部ガラス基板
１０８間には、パネルの内部に残留するガス成分を吸収
して高真空状態を維持させるためのゲッタ１２２が挿入
される。
し、図を用いて説明する。図１〜図３は、本発明実施形
態に係る電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）パネルの真空
シーリング方法を示した図である。図１〜図３に示した
ように、本実施形態に係るＦＥＤのシーリング形成ユニ
ット１１０は、フレーム１００と、本フレーム１００の
上／下部に塗布される第１及び第２シーリング材１０
２、１０４とからなる。且つ、シーリング形成ユニット
１１０上下双方にあるそれぞれの第１及び第２シーリン
グ１０２、１０４のフレーム１００と反対側にはそれぞ
れ上部ガラス基板１０６及び下部ガラス基板１０８が整
列されている。上部ガラス基板１０６と下部ガラス基板
１０８間には、パネルの内部に残留するガス成分を吸収
して高真空状態を維持させるためのゲッタ１２２が挿入
される。
【００３３】以下、このように構成されたＦＥＤパネル
の真空シーリング方法に対し、説明する。
の真空シーリング方法に対し、説明する。
【００３４】フレーム１００は、上部ガラス基板１０６
及び下部ガラス基板１０８と同じ熱膨張係数を有する物
質から選択されるが、例えば、ガラス材質から選択され
る。
及び下部ガラス基板１０８と同じ熱膨張係数を有する物
質から選択されるが、例えば、ガラス材質から選択され
る。
【００３５】ペースト状態のフリットガラスは粘性を有
するが、粘度が低いと、成形と同時にフリットガラスが
流れてて高さの調節が容易でないため、第１及び第２シ
ーリング材１０２、１０４の塗布は、従来のようにスク
リーンプリンティング方法が用いられる。
するが、粘度が低いと、成形と同時にフリットガラスが
流れてて高さの調節が容易でないため、第１及び第２シ
ーリング材１０２、１０４の塗布は、従来のようにスク
リーンプリンティング方法が用いられる。
【００３６】次いで、上部ガラス基板１０６、下部ガラ
ス基板１０８及びシーリング形成ユニット１１０は、真
空チャンバー１２０に移動される。
ス基板１０８及びシーリング形成ユニット１１０は、真
空チャンバー１２０に移動される。
【００３７】その際、それらの上下のガラス基板１０
６、１０８の間には、補助ジグとして、四つ以上の補助
ジグ１１２を設けて上部ガラス基板１０６と下部ガラス
基板１０８間の間隔を一定に維持する。次いで、下部ガ
ラス基板１０８に所定荷重を加えて上部ガラス基板１０
６と下部ガラス基板１０８を接着する。このようなシー
リング方法を真空シーリング方法と定義する。
６、１０８の間には、補助ジグとして、四つ以上の補助
ジグ１１２を設けて上部ガラス基板１０６と下部ガラス
基板１０８間の間隔を一定に維持する。次いで、下部ガ
ラス基板１０８に所定荷重を加えて上部ガラス基板１０
６と下部ガラス基板１０８を接着する。このようなシー
リング方法を真空シーリング方法と定義する。
【００３８】図４は、本発明に係る電界放出ディスプレ
イのキャップシールリング方法の実施形態を示した説明
図で、図示されたように、本発明に係る電界放出素子の
キャップシーリング方法は、真空シーリング方法により
下部ガラス基板１０８と上部ガラス基板１０６とを接着
させた後、キャップシールリング方法として真空チャン
バの内部にホール１２４が穿孔形成されたパネルを入れ
て、そのパネルの下部基板のホール１２４の上面に、シ
ーリング材が塗布されたキャップ１３６を載せる。次い
で、キャップ１３６のシーリング材１３８にレーザーを
照射して硬化させ、ホールを被覆する。
イのキャップシールリング方法の実施形態を示した説明
図で、図示されたように、本発明に係る電界放出素子の
キャップシーリング方法は、真空シーリング方法により
下部ガラス基板１０８と上部ガラス基板１０６とを接着
させた後、キャップシールリング方法として真空チャン
バの内部にホール１２４が穿孔形成されたパネルを入れ
て、そのパネルの下部基板のホール１２４の上面に、シ
ーリング材が塗布されたキャップ１３６を載せる。次い
で、キャップ１３６のシーリング材１３８にレーザーを
照射して硬化させ、ホールを被覆する。
【００３９】又、本発明に係るキャップシールリング方
法の他の実施形態として、従来の大気シーリング方法に
より下部ガラス基板１０８と上部ガラス基板１０６とを
接着させた後に、本発明方法を適用することができる。
この時、従来の大気シーリング方法におけるチューブ５
０は設ける必要がない。
法の他の実施形態として、従来の大気シーリング方法に
より下部ガラス基板１０８と上部ガラス基板１０６とを
接着させた後に、本発明方法を適用することができる。
この時、従来の大気シーリング方法におけるチューブ５
０は設ける必要がない。
【００４０】以下、本発明に係るＦＥＤパネルのキャッ
プシールリング方法に対し、説明する。
プシールリング方法に対し、説明する。
【００４１】即ち、図４に示したように、大気シーリン
グ方法又は真空シーリング方法によって接着された上部
ガラス基板１４０と下部ガラス基板１３０の内部には、
上部ガラス基板１４０と下部ガラス基板１３０を支持す
るための複数のスペーサ１４４が設置され、かつ上部ガ
ラス基板１４０と下部ガラス基板１３０とを接着させる
ためのシーリング形成ユニット１１０が設置されてい
る。下部ガラス基板１３０にはホール１３２が穿孔形成
されている。
グ方法又は真空シーリング方法によって接着された上部
ガラス基板１４０と下部ガラス基板１３０の内部には、
上部ガラス基板１４０と下部ガラス基板１３０を支持す
るための複数のスペーサ１４４が設置され、かつ上部ガ
ラス基板１４０と下部ガラス基板１３０とを接着させる
ためのシーリング形成ユニット１１０が設置されてい
る。下部ガラス基板１３０にはホール１３２が穿孔形成
されている。
【００４２】次いで、相互接着された上部ガラス基板１
４０と下部ガラス基板１３０からなるパネルが、真空チ
ャンバ１４２の内に入れられる。真空チャンバ１４２
は、パネルが挿入された後、真空ポンプにより所定圧力
（好ましくは、１０−７ Torr）の真空状態に排気さ
れ、ホール１３２を通ってパネルの内部も排気されてパ
ネルの内部が真空状態になる。
４０と下部ガラス基板１３０からなるパネルが、真空チ
ャンバ１４２の内に入れられる。真空チャンバ１４２
は、パネルが挿入された後、真空ポンプにより所定圧力
（好ましくは、１０−７ Torr）の真空状態に排気さ
れ、ホール１３２を通ってパネルの内部も排気されてパ
ネルの内部が真空状態になる。
【００４３】次いで、シーリング材が塗布されたキャッ
プ１３６を、下部ガラス基板のホール１３２を被覆する
ように載せる。このとき、真空状態のパネルの内部では
ロボットアーム（図示されず）によってキャップ１３６
を下部ガラス基板のホール１３２に載せる。これによっ
て、キャップのシーリング材１３８により下部ガラス基
板のホール１３２にキャップ１３６が被覆される。
プ１３６を、下部ガラス基板のホール１３２を被覆する
ように載せる。このとき、真空状態のパネルの内部では
ロボットアーム（図示されず）によってキャップ１３６
を下部ガラス基板のホール１３２に載せる。これによっ
て、キャップのシーリング材１３８により下部ガラス基
板のホール１３２にキャップ１３６が被覆される。
【００４４】次いで、図５（Ａ）、（Ｂ）に示したよう
に、レーザー１４６をキャップ１３６のシーリング材１
３８に照射すると、シーリング材１３８が硬化してキャ
ップ１３６が下部ガラス基板１３０に接着される。
に、レーザー１４６をキャップ１３６のシーリング材１
３８に照射すると、シーリング材１３８が硬化してキャ
ップ１３６が下部ガラス基板１３０に接着される。
【００４５】例えば、キャップ１３６に塗布されたシー
リング材１３８を、キャップ１３６を下面に環状に塗布
しているときは、レーザー１４６をシーリング材１３８
に円状に照射する。そのとき、キャップ１３６に塗布さ
れたシーリング材１３８の径が小さいとき、シーリング
材１３８はその中心部が焼成されるとき、殆ど溶融され
る。一方、キャップ１３６に塗布されたシーリング材１
３８の径が大きい時は、シーリング材１３８を何度かレ
ーザー１４６を照射してキャップ１３６を下部ガラス基
板１３０に密着させる。その際、レーザー１４６の局部
的な高温エネルギーによりキャップ１３６又は上部／下
部ガラス基板１４０、１３０が破損するのを防止するた
め、２００℃〜３５０℃の温度とする。したがって、キ
ャップシールリング材１３８の焼成時に酸化及びその他
の熱工程による素子の損傷を最小にすることができると
共に、従来の焼成方法に比べて焼成温度差だけ工程時間
を短縮させることができる。
リング材１３８を、キャップ１３６を下面に環状に塗布
しているときは、レーザー１４６をシーリング材１３８
に円状に照射する。そのとき、キャップ１３６に塗布さ
れたシーリング材１３８の径が小さいとき、シーリング
材１３８はその中心部が焼成されるとき、殆ど溶融され
る。一方、キャップ１３６に塗布されたシーリング材１
３８の径が大きい時は、シーリング材１３８を何度かレ
ーザー１４６を照射してキャップ１３６を下部ガラス基
板１３０に密着させる。その際、レーザー１４６の局部
的な高温エネルギーによりキャップ１３６又は上部／下
部ガラス基板１４０、１３０が破損するのを防止するた
め、２００℃〜３５０℃の温度とする。したがって、キ
ャップシールリング材１３８の焼成時に酸化及びその他
の熱工程による素子の損傷を最小にすることができると
共に、従来の焼成方法に比べて焼成温度差だけ工程時間
を短縮させることができる。
【００４６】図６は、本発明に係るキャップのシーリン
グ材と下部基板の間にレーザーを照射する時、シーリン
グ材が硬化される過程を示した説明図である。図示され
たように、第１シーリング材部分１５２は、レーザー１
４６が最初に照射された地点から現在の地点までの範囲
を示すもので、エネルギーを受けて溶解された後、固体
化されている。現在、レーザー１４６が位置された第２
シーリング材部分１５４は溶解が進行している部分を示
す。これに対して、第３シーリング材部分１５０は、レ
ーザー１４６によりまだ焼成されていない仮焼成状態の
部分を示す。このように、レーザー１４６による接着が
順次行われるため、シーリング材１３８が溶融した箇所
もレーザー１４６のエネルギーが到達しない箇所によっ
て支持されている。したがって、第１シーリング材部分
１５２は所定の高さをそのまま維持した状態で溶解され
た後、固体化が進行するため、仮焼成状態の第３シーリ
ング材部分１５０と同じ高さを維持している。同様に、
第２シーリング材部分１５４もレーザーの照射が進行中
であるが、第１及び第３シーリング材部分１５０、１５
２により支持されているため、シーリング材１３８の高
さの差は変化することがない。
グ材と下部基板の間にレーザーを照射する時、シーリン
グ材が硬化される過程を示した説明図である。図示され
たように、第１シーリング材部分１５２は、レーザー１
４６が最初に照射された地点から現在の地点までの範囲
を示すもので、エネルギーを受けて溶解された後、固体
化されている。現在、レーザー１４６が位置された第２
シーリング材部分１５４は溶解が進行している部分を示
す。これに対して、第３シーリング材部分１５０は、レ
ーザー１４６によりまだ焼成されていない仮焼成状態の
部分を示す。このように、レーザー１４６による接着が
順次行われるため、シーリング材１３８が溶融した箇所
もレーザー１４６のエネルギーが到達しない箇所によっ
て支持されている。したがって、第１シーリング材部分
１５２は所定の高さをそのまま維持した状態で溶解され
た後、固体化が進行するため、仮焼成状態の第３シーリ
ング材部分１５０と同じ高さを維持している。同様に、
第２シーリング材部分１５４もレーザーの照射が進行中
であるが、第１及び第３シーリング材部分１５０、１５
２により支持されているため、シーリング材１３８の高
さの差は変化することがない。
【００４７】然し、レーザー１４６の照射速度が速い
時、レーザー１４６が照射される第１シーリング材部分
１５２が広く分布されているため、若干のキャップ１３
６の収縮が起ることがある。このような場合は、キャッ
プ１３６及び下部ガラス基板１３０を含むパネルの基準
枠の上段に所定圧力を加えてレーザー１４６を照射する
ことで、キャップ１３６の高さの差の変化を防止するこ
とができる。
時、レーザー１４６が照射される第１シーリング材部分
１５２が広く分布されているため、若干のキャップ１３
６の収縮が起ることがある。このような場合は、キャッ
プ１３６及び下部ガラス基板１３０を含むパネルの基準
枠の上段に所定圧力を加えてレーザー１４６を照射する
ことで、キャップ１３６の高さの差の変化を防止するこ
とができる。
【００４８】図７は、本発明に係る電界放出ディスプレ
イのキャップ製造方法の実施形態を示した図で、図示さ
れたように、先ず、ガラス材質の基板１６０を準備す
る。ガラス材質の基板１６０は、上部ガラス基板１４０
と下部ガラス基板１３０と同様な材質が利用される。
イのキャップ製造方法の実施形態を示した図で、図示さ
れたように、先ず、ガラス材質の基板１６０を準備す
る。ガラス材質の基板１６０は、上部ガラス基板１４０
と下部ガラス基板１３０と同様な材質が利用される。
【００４９】次いで、ガラス基板１６０上にスクリーン
プリンティング方法を利用して環状に複数のシーリング
材１３８を塗布する。この時、環状のシーリング材１３
８の内側には、シーリング材１３８がホール１３２と重
畳されないようにシーリング材１３８を塗布しない。
又、キャップ１３６のシーリング材１３８は、レーザー
１４６の入射エネルギーを容易に吸収すると共に、パネ
ルの内部の真空が確実に維持されるように数μｍ〜数百
μｍの厚さにプリンティングされる。又、シーリング材
１３８はフリットガラスを使用する。そのフリットガラ
スは、質量比１０：１以上にガラス粉末とバインダとを
混合して形成される。
プリンティング方法を利用して環状に複数のシーリング
材１３８を塗布する。この時、環状のシーリング材１３
８の内側には、シーリング材１３８がホール１３２と重
畳されないようにシーリング材１３８を塗布しない。
又、キャップ１３６のシーリング材１３８は、レーザー
１４６の入射エネルギーを容易に吸収すると共に、パネ
ルの内部の真空が確実に維持されるように数μｍ〜数百
μｍの厚さにプリンティングされる。又、シーリング材
１３８はフリットガラスを使用する。そのフリットガラ
スは、質量比１０：１以上にガラス粉末とバインダとを
混合して形成される。
【００５０】ガラス基板１６０上にシーリング材１３８
がプリンティングされた後、ガラス基板１６０は、３０
０℃〜４００℃の温度に焼成される。この時、シーリン
グ材１３８に含まれた有機バインダの成分が完全に焼き
尽くされて除去される。
がプリンティングされた後、ガラス基板１６０は、３０
０℃〜４００℃の温度に焼成される。この時、シーリン
グ材１３８に含まれた有機バインダの成分が完全に焼き
尽くされて除去される。
【００５１】最後に、ガラス基板１６０は、所定大きさ
にカッティングされてシーリング材１３８がプリンティ
ングされたキャップ１３６が形成される。
にカッティングされてシーリング材１３８がプリンティ
ングされたキャップ１３６が形成される。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電界
放出ディスプレイのキャップシールリング方法及びその
製造方法においては、真空空間でキャップをシーリング
することで、キャップシールリング工程中に酸素がパネ
ルの内部に流入することを防止し得るという効果があ
る。従って、酸化及びその他の熱工程による素子の損傷
を最小にでき、ディスプレイ時にパネルの各箇所毎に一
定の色純度を維持することができるという効果がある。
又、従来の焼成方法に比べて焼成温度差だけ製造時間を
短縮し得るという効果がある。又、従来の大気シーリン
グ方法のように、パネルに直接チューブ５０を設置する
必要がないため、工程が簡単になり工程時間を短縮し得
るという効果がある。又、キャップ製造時に焼成工程に
よってキャップに塗布されたシーリング材に含まれてい
た有機バインダを除去するため、下部ガラス基板に形成
された各電極の汚染を防止し得るという効果がある。
放出ディスプレイのキャップシールリング方法及びその
製造方法においては、真空空間でキャップをシーリング
することで、キャップシールリング工程中に酸素がパネ
ルの内部に流入することを防止し得るという効果があ
る。従って、酸化及びその他の熱工程による素子の損傷
を最小にでき、ディスプレイ時にパネルの各箇所毎に一
定の色純度を維持することができるという効果がある。
又、従来の焼成方法に比べて焼成温度差だけ製造時間を
短縮し得るという効果がある。又、従来の大気シーリン
グ方法のように、パネルに直接チューブ５０を設置する
必要がないため、工程が簡単になり工程時間を短縮し得
るという効果がある。又、キャップ製造時に焼成工程に
よってキャップに塗布されたシーリング材に含まれてい
た有機バインダを除去するため、下部ガラス基板に形成
された各電極の汚染を防止し得るという効果がある。
【図１】 本発明実施形態におけるＦＥＤパネルの真空
シーリング方法を示した説明図である。
シーリング方法を示した説明図である。
【図２】 本発明実施形態におけるＦＥＤパネルの真空
シーリング方法を示した説明図である。
シーリング方法を示した説明図である。
【図３】 本発明実施形態におけるＦＥＤパネルの真空
シーリング方法を示した説明図である。
シーリング方法を示した説明図である。
【図４】 本発明に係る電界放出ディスプレイのキャッ
プシールリング方法の実施形態を示した縦断面図であ
る。
プシールリング方法の実施形態を示した縦断面図であ
る。
【図５】 キャップのシーリング材にレーザーが照射さ
れることを示した説明図である。
れることを示した説明図である。
【図６】 本発明に係るキャップのシーリング材と下部
基板間にレーザーが照射される時にシーリング材が硬化
される状態を示した説明図である。
基板間にレーザーが照射される時にシーリング材が硬化
される状態を示した説明図である。
【図７】 本発明に係る電界放出ディスプレイのキャッ
プ製造方法の実施形態を示した平面図である。
プ製造方法の実施形態を示した平面図である。
【図８】 従来の電界放出ディスプレイの構造を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図９】 従来の電界放出ディスプレイの構造を示した
縦断面図である。
縦断面図である。
【図１０】 従来電界放出ディスプレイのフォーカシン
グ電極の構成を示した縦断面図である。
グ電極の構成を示した縦断面図である。
【図１１】 従来の電界放出ディスプレイに対し、大気
中の真空ポンプを用いて真空パッケージングする工程を
示したフローチャートである。
中の真空ポンプを用いて真空パッケージングする工程を
示したフローチャートである。
【図１２】 従来の電界放出ディスプレイのチューブ設
置工程及びシーリング材塗布工程を示した縦断面図であ
る。
置工程及びシーリング材塗布工程を示した縦断面図であ
る。
【図１３】 従来のシーリング材仮焼成工程を示した縦
断面図である。
断面図である。
【図１４】 従来のシーリング材本焼成工程を示した縦
断面図である。
断面図である。
【図１５】 従来のシーリング材本焼成工程の他の例を
示した縦断面図である。
示した縦断面図である。
【図１６】 従来のチューブにゲッタが挿合されること
を示した縦断面図である。
を示した縦断面図である。
【図１７】 従来のチューブの切断工程を示した縦断面
図である。
図である。
２、１０６、１４０：上部ガラス基板、４：アノード電
極、６：蛍光体、８、１０８、１３０：下部ガラス基
板、１０：カソード電極、１２：抵抗層、１４：ゲート
絶縁層、１６：ゲート電極、１８：フォーカシング絶縁
層、２０：フォーカシング電極、２２：エミッタ、３
２：電界放出アレイ、４０：スペーサ、５０：チュー
ブ、５１、１３２：ホール、５２：第１シーリング材、
５４、１０４：第２シーリング材、５８：不活性ガス、
６０：ガス吸気ポート、６２：ガス吐出ポート、６６、
１２２：ゲッタ、６８：局部加熱装置、７０：加熱チャ
ンバ、７２：真空ポンプ、１００：フレーム、１０２：
第１シーリング材、１１０：シーリング形成ユニット、
１１２：補助ジグ、１２０：真空チャンバ、１３４、１
３８：シーリング材、１３６：キャップ、１４４：スペ
ーサ、１４６：レーザー、１６０：基板。
極、６：蛍光体、８、１０８、１３０：下部ガラス基
板、１０：カソード電極、１２：抵抗層、１４：ゲート
絶縁層、１６：ゲート電極、１８：フォーカシング絶縁
層、２０：フォーカシング電極、２２：エミッタ、３
２：電界放出アレイ、４０：スペーサ、５０：チュー
ブ、５１、１３２：ホール、５２：第１シーリング材、
５４、１０４：第２シーリング材、５８：不活性ガス、
６０：ガス吸気ポート、６２：ガス吐出ポート、６６、
１２２：ゲッタ、６８：局部加熱装置、７０：加熱チャ
ンバ、７２：真空ポンプ、１００：フレーム、１０２：
第１シーリング材、１１０：シーリング形成ユニット、
１１２：補助ジグ、１２０：真空チャンバ、１３４、１
３８：シーリング材、１３６：キャップ、１４４：スペ
ーサ、１４６：レーザー、１６０：基板。
Claims (20)
- 【請求項１】 真空チャンバの内部に挿入されて、ホー
ルが穿孔形成されたパネルの基板上に、シーリング材が
塗布されたキャップを載置する段階と、 前記ホールを被覆するため前記キャップのシーリング材
に、レーザーを照射して硬化させる段階とを有すること
を特徴とする電界放出ディスプレイのキャップシールリ
ング方法。 - 【請求項２】 前記真空チャンバの内部で、真空ポンプ
により前記パネルの内部を所定圧力の真空状態に排気す
る排気段階が含まれることを特徴とする請求項１記載の
電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。 - 【請求項３】 前記真空状態は、１０−７Torrであるこ
とを特徴とする請求項２記載の電界放出ディスプレイの
キャップシールリング方法。 - 【請求項４】 前記シーリング材は、フリットガラスを
使用し、そのフリットガラスの質量比は、１０：１以上
にガラス粉末とバインダとを混合して形成されることを
特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャ
ップシールリング方法。 - 【請求項５】 フレームにシーリング材を塗布してシー
リング形成ユニットを形成する段階と、 シーリング形成ユニットを介して上部基板と下部基板と
を整列させる段階と、 それら上部基板、下部基板及びシーリング形成ユニット
を含むパネルを真空チャンバの内部に挿入させる段階と
を有することを特徴とする請求項１記載の電界放出ディ
スプレイのキャップシールリング方法。 - 【請求項６】 前記フレームは、上部基板及び下部基板
と同じ熱膨張係数を有する物質であることを特徴とする
請求項５記載の電界放出ディスプレイのキャップシール
リング方法。 - 【請求項７】 前記シーリング形成ユニットは、フレー
ムの上／下部にスクリーンプリンティング方法によって
各シーリング材を塗布することを特徴とする請求項５記
載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方
法。 - 【請求項８】 前記キャップは、底面にシーリング材が
塗布され、前記パネルのホールを被覆するように形成さ
れることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプ
レイのキャップシールリング方法。 - 【請求項９】 前記キャップは、ロボットアームにより
前記パネルの下部ガラス基板上のホールの上面に該ホー
ルを被覆するように載置されることを特徴とする請求項
８記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング
方法。 - 【請求項１０】 前記キャップは、前記上部基板及び下
部基板と同じ材質であることを特徴とする請求項１記載
の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。 - 【請求項１１】 前記キャップの熱膨張係数は、前記上
部基板及び下部基板の熱膨張係数と殆ど同様なガラス材
質であることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディ
スプレイのキャップシールリング方法。 - 【請求項１２】 前記シーリング材硬化段階における雰
囲気温度は、２００゜Ｃ〜３５０゜Ｃに維持されること
を特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキ
ャップシールリング方法。 - 【請求項１３】 前記キャップのシーリング材にレーザ
ーが照射される時、前記キャップの高さが一定に維持さ
れるように、該キャップに所定圧力が加えられることを
特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャ
ップシールリング方法。 - 【請求項１４】 前記キャップのシーリング材にレーザ
ーが照射される時は、前記レーザーにより溶融されてシ
ーリング材の高さが変わるのを防止するために前記キャ
ップ及び下部ガラス基板が含まれた前記パネルの基準枠
に所定圧力が加えられることを特徴とする請求項１記載
の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。 - 【請求項１５】 前記パネルは、上部ガラス基板及び下
部ガラス基板を支持する複数のスペーサと、 それらスペーサと上部ガラス基板及び下部ガラス基板と
を接着させるためのシーリング材とを有することを特徴
とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップ
シールリング方法。 - 【請求項１６】 前記パネルは、上部ガラス基板と下部
ガラス基板間の間隔を一定に維持するために補助ジグを
備えていることを特徴とする請求項１記載の電界放出デ
ィスプレイのキャップシールリング方法。 - 【請求項１７】 ガラス材質の基板上にシーリング材を
塗布する段階と、 該シーリング材が塗布されたガラス材質の基板を焼成さ
せる段階と、 前記シーリング材が塗布された前記ガラス材質の基板を
切断する段階とを有することを特徴とする電界放出ディ
スプレイのキャップ製造方法。 - 【請求項１８】 前記シーリング材が塗布されたガラス
材質の基板を３００℃〜４００℃の温度に焼成して前記
シーリング材に含まれた有機バインダ成分を除去する段
階が含まれることを特徴とする請求項１７記載の電界放
出ディスプレイのキャップ製造方法。 - 【請求項１９】 前記シーリング材は、数μｍ〜数百μ
ｍの厚さに塗布されることを特徴とする請求項１７記載
の電界放出ディスプレイのキャップ製造方法。 - 【請求項２０】 前記シーリング材は、前記ガラス材質
の基板上にスクリーンプリンティング方法を利用して環
状に塗布され、該環状のシーリング材の内部は、塗布さ
れないことを特徴とする請求項１７記載の電界放出ディ
スプレイのキャップ製造方法。
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