JP2003221213A - 二フッ化カルボニルの精製方法 - Google Patents
二フッ化カルボニルの精製方法Info
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Abstract
ングガス、エッチングガス等に有用な二フッ化カルボニ
ル(COF2)の精製方法を提供する。 【解決手段】 少なくともトリフルオロメチルハイポフ
ルオライト(CF3OF)を不純物として含む二フッ化
カルボニルを、活性炭と接触させる。
Description
半導体製造装置のクリーニングガス、エッチングガス等
に有用な二フッ化カルボニル(COF2)の精製方法に
関するものである。 【0002】 【従来の技術および発明が解決しようとする課題】CO
F2は、一酸化炭素とフッ素との直接反応により比較的
容易に製造可能であるが、この場合生成したCOF2ガ
ス中には、0.1vol%〜5vol%程度のトリフル
オロメチルハイポフルオライト(CF3OF)が副生す
る。CF3OFは、COF2と比較的沸点が近接してお
り、蒸留等では完全に除去分離することが困難であり、
また、COF2及びCF3OFは、水で加水分解するため
水に不活性なガスとの分離は可能であるが、COF2か
らCF3OFを除去分離する方法については文献等では
全く開示されていなかった。 【0003】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる問
題点に鑑み鋭意検討の結果、活性炭を用いてCOF2中
のCF3OFを分離、除去できることを見出し、本発明
に到達した。 【0004】すなわち、本発明は、少なくともトリフル
オロメチルハイポフルオライトを不純物として含む二フ
ッ化カルボニルを、活性炭と接触させることを特徴とす
る二フッ化カルボニルの精製方法を提供するものであ
る。 【0005】本発明によれば、CF3OFを含有するC
OF2から、ほぼ完全にCF3OFを分離精製することが
可能となる。 【0006】 【発明の実施の形態】本発明において、使用可能な活性
炭は、通常市販されている活性炭を適宜選択すればよい
が、COF2が非常に加水分解し易い物質であるため、
水分、あるいは水酸基をできるだけ含まないような活性
炭が好ましい。また、CF3OFは、酸化力を有してお
り、活性炭に含まれる不純物を酸化して揮発性のフッ化
物を生成しやすいため、珪素、砒素、リン、ホウ素、窒
素、硫黄、塩素等の元素を含まない活性炭が好ましい。 【0007】活性炭は、使用する前に水分を完全に除去
するために、できる限り乾燥することが好ましい。水分
を効率的に除去するために、300℃以上で真空乾燥す
ることが好ましい。 【0008】活性炭とCF3OFを含有するCOF2を接
触させるときの温度としては、−85℃以上100℃未
満で適宜選択すればよいが、通常室温付近が操作性が良
く好ましい。−85℃より低い温度では、COF2が液
化し、100℃以上の温度では、CF3OFの吸着能力
が低下するため好ましくない。 【0009】活性炭と接触させるときの圧力は、適宜選
択すれば良いが、通常大気圧付近が操作性が良く好まし
い。 【0010】活性炭との接触方法は、封入法、流通法の
いずれを用いても良いが、生産性の面から流通法が好ま
しい。 【0011】本発明において、活性炭で精製する前に、
あらかじめCOF2を封入して、活性炭を前処理するこ
とにより、活性炭に含まれる微量な水分等を反応除去で
き、COF2の純度を向上することができる。前処理は
室温でも可能であるが、100℃以上の温度でCOF2
処理すると、より効果的である。また、活性炭中に前述
のような不純物が含有している場合には、あらかじめC
F3OFを吸着、反応させた後、300℃以上で真空脱
気してCF3OFの脱着を行ってから使用するのが好ま
しい。 【0012】 【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。 【0013】実施例1 φ1/2インチ×70cmのステンレス鋼製チューブ
(容量63ml)に、活性炭(和光純薬製、顆粒状)を
60g仕込み精製塔とした。この精製塔を300℃で2
時間真空加熱処理した後、ヘリウムで置換し、室温まで
降温した。真空状態とした精製塔に、1.1vol%の
CF3OFが含有するCOF2を101KPa導入し、5
分間放置した。精製塔内部のガスをサンプリングしGC
−MSで分析した結果、CF3OFは検出されなかった
が0.05%のSiF4が検出された。 【0014】実施例2 実施例1で使用した精製塔にCF3OFを101KPa
まで導入し、2時間放置した。更に、この精製塔を真空
引きしてCF3OFを脱着しつつ、300℃まで昇温し
完全にCF3OFを脱着させた。この精製塔をヘリウム
で置換した後、室温まで降温し、真空状態とした。1.
1vol%のCF3OFが含有するCOF2を101KP
a導入し、5分間放置した。精製塔内部のガスをサンプ
リングしGC−MSで分析した結果、CF3OFは検出
されず、SiF4についても検出されなくなった。 【0015】実施例3 実施例2で使用した精製塔を300℃で2時間真空脱気
を行い、ヘリウムで置換後降温した。この精製塔に、室
温、101KPa、流量20sccmの条件で、1.1
vol%のCF3OFが含有するCOF2を2時間流通さ
せた。精製したガスは1L−トラップに液体窒素温度で
捕集し、GC−MSで分析した結果、CF3OF、Si
F4は検出されず、COF2の回収率は90%であった。 【0016】 【発明の効果】本発明によると、COF2中のCF3OF
を簡便に除去でき、高純度で高回収率で、しかも生産性
良くCOF2を精製することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 少なくともトリフルオロメチルハイポフ
ルオライトを不純物として含む二フッ化カルボニルを、
活性炭と接触させることを特徴とする二フッ化カルボニ
ルの精製方法。
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---|---|---|---|
JP2002022627A JP4059679B2 (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 二フッ化カルボニルの精製方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP4059679B2 JP4059679B2 (ja) | 2008-03-12 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005051841A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Daikin Industries, Ltd. | 二フッ化カルボニルの精製方法 |
WO2005070824A1 (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Daikin Industries, Ltd. | 二フッ化カルボニルの精製方法 |
JP2006282487A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Kanto Denka Kogyo Co Ltd | 金属フッ化物脱酸剤及びその製造方法、並びにフッ化水素濃度が低減されたガスの製造方法 |
WO2011052559A1 (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-05 | 昭和電工株式会社 | フッ素含有化合物の精製方法 |
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2002
- 2002-01-31 JP JP2002022627A patent/JP4059679B2/ja not_active Expired - Fee Related
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WO2011052559A1 (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-05 | 昭和電工株式会社 | フッ素含有化合物の精製方法 |
US8692038B2 (en) | 2009-10-27 | 2014-04-08 | Showa Denko K.K. | Fluorine-containing compound purification method |
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---|---|
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