JP2019043846A - 多結晶シリコンの収容治具および多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
成分の総濃度が200ppmw以下であるプラスチックから成ることを特徴とする。
ラフィー質量分析(GC−MS)法で定量した。なお、揮発成分の吸着は、−60℃(液体窒素を使用)にて発生したガス成分を吸着剤に凝縮・吸着させた、また、吸着剤からの脱着は、−60℃から250℃/25秒で高速度に昇温し、ガス税分をGC−MS分析装
置に注入した。
た。また、カラム注入口温度は300℃、スプリット比=20:1の条件を設定した。質量分析モードは電子衝撃イオン化モードを使用した。
た。この10分間の次の10分間には何も検出、発生していなかったことを確認している。
注入した。
る。分離カラムは、50℃で5分間保持した後に10℃/分で300℃まで昇温し、分析
を行った。測定時のキャリアガスはHe(流量1ml/分)を使用し、カラム注入口温度
は300℃、スプリット比=20:1の条件を設定した。質量分析モードは電子衝撃イオン化モードを使用した。
された。BHTの変成物は、その質量スペクトルより変成していることを確認した。
Claims (3)
- 多結晶シリコン塊を収容するプラスチック製の治具であって、
前記収容治具は、
Heガス雰囲気下において、250℃以上の温度で加熱した際に揮発する有機成分の濃度をガスクロマトグラフィー質量分析(GC−MS)法で定量した際の揮発有機成分の総濃度が200ppmw以下であるプラスチックから成る、多結晶シリコンの収容治具。 - 前記揮発有機成分の総濃度は、直鎖状テトラデカン(n−C14H30)を標準物質として定量された値である、請求項1に記載の多結晶シリコンの収容治具。
- 請求項1または2に記載の収容治具に多結晶シリコン塊を収容し、該多結晶シリコン塊を清浄化する工程を備えている、多結晶シリコンの製造方法。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07242494A (ja) * | 1994-03-08 | 1995-09-19 | Koujiyundo Silicon Kk | シリコン片の洗浄方法 |
JP2000026687A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-25 | Kyodo Chem Co Ltd | ポリ塩化ビニル樹脂用安定化剤及びポリ塩化ビニル樹脂系組成物 |
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2018
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JP2020128332A (ja) * | 2020-04-30 | 2020-08-27 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの収容治具および多結晶シリコンの製造方法 |
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