JP2003219272A - 欠陥画素判定方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録光Ｌ１の照射により放射線画像情報の記
録された放射線固体検出器１０から画素毎の画素信号を
読み取り、その読み取られた画素信号に基づいて欠陥画
素を判定する欠陥画素判定方法において、正常な画素信
号を出力せず、その画素信号に対して補正処理を施した
としても正常な画素信号に近い値にはすることができな
いような画素を適切に欠陥画素と判定する。 【解決手段】 複数の異なるエネルギーの記録光のそれ
ぞれについて、放射斜線固体検出器１０への照射による
欠陥画素検出用画像情報の記録およびその欠陥画素検出
用画像情報に対応した画素信号の読取りを行なうことに
より、各画素毎に複数の画素信号を取得し、画素毎に複
数の画素信号に基づいて欠陥画素であるか否かを判定す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録用の電磁波の
照射により画像情報を潜像電荷として記録する固体検出
器における各画素が欠陥画素であるか否かを判定する欠
陥画素判定方法および装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】今日、医療診断等を目的とする放射線撮
影において、放射線を検出して放射線画像情報を表す画
像信号を出力する放射線固体検出器を使用した放射線画
像記録読取装置が知られている。この装置に使用される
検出器としては、種々のタイプのものが提案、実用化さ
れている。

【０００３】例えば、放射線を電荷に変換する電荷生成
プロセスの面からは、放射線が照射されることにより蛍
光体から発せられた蛍光を光電変換素子で検出して得た
信号電荷を光電変換素子の蓄電部に一旦蓄積し、蓄積電
荷を画像信号（画素信号）に変換して出力する光変換方
式の放射線固体検出器（例えば特開昭５９−２１１２６
３号、特開平２−１６４０６７号、ＰＣＴ国際公開番号
ＷＯ９２／０６５０１号、ＳＰＩＥ Ｖoｌ.１４４３ Ｍ
ｅｄｉｃａｌＩｍａｇｉｎｇ Ｖ;ＩｍａｇｅＰｈｙｓｉ
ｃｓ(１９９１) ，ｐ.１０８−１１９等）、あるいは、
放射線が照射されることにより放射線導電体内で発生し
た信号電荷を電荷収集電極で集めて蓄電部に一旦蓄積
し、蓄積電荷を電気信号に変換して出力する直接変換方
式の放射線固体検出器（ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＰＡＲＡＭ
ＥＴＥＲＳ ＩＮ ＴＨＩＣＫ ＨＹＤＲＯＧＥＮＡＴＥ
Ｄ ＡＭＯＲＰＨＯＵＳ ＳＩＬＩＣＯＮＲＡＤＩＡＴＩ
ＯＮＤＥＴＥＣＴＯＳ、Ｌａｗｒｅｎｃｅ Ｂｅｒｋｅ
ｌｅｙ Ｌ.Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｃａｌｉｆｏｒ
ｎｏｉａ、Ｂｅｒｋｅｌｅｙ.ＣＡ ９４７２０ Ｘｅｒ
ｏｘ Ｐａｒｃ.Ｐａｌｏ Ａｌｔｏ.ＣＡ ９４３０４、
Ｍｅｔａｌ／Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｌｉｃｏｎ Ｍ
ｕｔｉｌａｙｅｒ Ｒａｄｉａｔｏｎ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ
ｓ、ＩＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＮＵＣＬ
ＥＡＲ ＳＣＩＥＮＣＥ.ＶＯＬ.３６.ＮＯ.２.ＡＰＲＩ
Ｌ １９８９、特開平１−２１６２９０号等）等があ
る。

【０００４】また、蓄積された電荷を外部に読み出す電
荷読出プロセスの面からは、前記蓄電部と接続されたＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）を走査駆動して読み出すＴＦ
Ｔ読出方式のものや、読取光（読取用の電磁波）を放射
線固体検出器に照射して読み出す光読出方式のもの等が
ある。

【０００５】また、本願出願人は、特開２０００−１０
５２９７号公報や特開２０００−１６７２６号公報にお
いて改良型直接変換方式の放射線固体検出器を提案して
いる。改良型直接変換方式の放射線固体検出器とは、直
接変換方式、且つ光読出方式のものであり、記録用の放
射線に対して透過性を有する第１の電極層、該第１の電
極層を透過した記録用の放射線の照射を受けることによ
り導電性を呈する記録用光導電層、第１の電極層に帯電
される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作
用し、かつ、該電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体
として作用する電荷輸送層、読取用の電磁波の照射を受
けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取用
の電磁波に対して透過性を有する第２の電極層を、この
順に積層して成るものであり、記録用光導電層と電荷輸
送層との界面に、画像情報を担持する潜像電荷を蓄積す
るものである。

【０００６】この改良型直接変換方式の放射線固体検出
器において潜像電荷が担持する静電潜像を読み出す方式
としては、第２の電極層を平板状のものとし、この第２
の電極層にレーザ等のスポット状の読取光を走査して潜
像電荷を検出する方式と、第２の電極層における電極を
クシ歯状のストライプ状電極とし、ストライプ状電極の
長手方向と略直角な方向に延びたライン光源を該ストラ
イプ状電極の長手方向に走査して潜像電荷を検出する方
式がある。

【０００７】また、光読出方式においては、平板電極も
しくはストライプ電極から読み出された信号はサンプリ
ング等されて画素信号として得られるが、この画素信号
に対応する範囲が放射線固体検出器における画素といえ
る。そして、ＴＦＴ読出方式においては、各トランジス
タから出力された信号が画素信号として読み出されるた
め、各トランジスタが放射線固体検出器における画素と
いえる。

【０００８】ここで、上記のような放射線固体検出器等
は、製造工程中のゴミ付着や使用過程における損傷によ
るひっかきキズ等によって、正常な画素信号を出力でき
ず、例え補正処理をその正常でない画素信号に施したと
しても正常な画素信号に補正することはできないような
欠陥画素が生じることがある。この欠陥画素は、上記の
ようにゴミ等によって生ずるもので、微細なものである
ため、目視検査によって判定するのは非常に困難であ
る。そのため、放射線固体検出器から読み取られた画素
毎の画素信号に基づいて欠陥画素を判定する方法が各種
提案されている。例えば、米国特許５５１９７５１号明
細書では、周辺画素に応じた画素信号との差が、規定値
以上の画素信号に応じた画素を欠陥画素と判定し、この
判定された欠陥画素の画素信号を補正するようにしてい
る。また、特開２０００−２４４８２５号公報では、暗
状態（可視光または放射線を全く照射しない状態および
一定且つ微小量の可視光または放射線を被写体を介する
ことなく放射線固体検出器に照射した状態のいずれをも
含む）における放射線固体検出器等の画素から読み取ら
れた画素信号のヒストグラムおよび／または明状態（一
定量の光または放射線を被写体を介さずに照射した状
態）における放射線固体検出器等の画素から読み取られ
た画素信号のヒストグラムを取得し、各画素信号のう
ち、正常と思われる画素の代表値を求め、ヒストグラム
の度数が代表値の度数から最初に所定の度数以下となる
画素信号の値を欠陥画素判定値とし、代表値から欠陥画
素判定値までの範囲から外れる画素信号を欠陥画素と判
定する方法が記載されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、米国特
許５５１９７５１号明細書に記載のような欠陥画素判定
方法では、例えば、常に一定の値の画素信号しか出力し
ないような欠陥画素を規定値の大きさによっては正常な
画素と判定してしまったりする。また、所定の放射線の
エネルギーに対しては正常な画素信号を出力するが、そ
の他の放射線のエネルギーに対しては正常な画素信号を
出力しないような欠陥画素に対しては、上記の方法では
１つの画素値しか判定の対象としないので適切に欠陥画
素と判定することがでいない。また、このような欠陥画
素は特開２０００−２４４８２５号公報に記載の欠陥画
素判定方法においても、欠陥画素判定値の大きさによっ
ては欠陥画素と判定することができない場合がある。ま
た、上記のような方法では、規定値や欠陥画素判定値の
大きさによっては、ゲイン補正やオフセット補正を施せ
ば正常な画素値に近い値に補正できるような画素まで欠
陥画素と判定してしまう可能性がある。

【００１０】本発明は、上記のような問題点に鑑み、放
射線固体検出器等から出力された各画素の画素信号に基
づいて欠陥画素を判定する欠陥画素判定方法および装置
において、上記のような正常な画素信号を出力せず、そ
の画素信号に対して補正処理を施したとしても正常な画
素信号に近い値にはすることができないような画素を適
切に欠陥画素と判定することができる欠陥画素判定方法
および装置を提供することを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の欠陥画素判定方
法は、画像情報を担持した記録用の電磁波の照射により
画像情報が記録された固体検出器から画像情報に応じた
画素毎の画素信号を読み取り、その読み取られた画素信
号に基づいて欠陥画素を判定する欠陥画素判定方法にお
いて、複数の異なるエネルギーの記録用の電磁波のそれ
ぞれについて、固体検出器への照射による欠陥画素検出
用画像情報の記録およびその欠陥画素検出用画像情報に
対応した画素信号の読取りを行なうことにより、各画素
毎に複数の画素信号を取得し、画素毎に複数の画素信号
に基づいて欠陥画素であるか否かを判定することを特徴
とする。

【００１２】ここで、上記「記録用の電磁波」とは、例
えば、放射線などを意味するが、放射線の照射により発
せられた蛍光なども含むものとする。

【００１３】また、上記「欠陥画素」とは、正常な画素
信号を出力できず、かつ、その正常でない画素信号を補
正しても正常な画素信号に近い値にすることができない
画素を意味する。

【００１４】また、「複数の異なるエネルギーの記録用
の電磁波のそれぞれについて、固体検出器への照射によ
る欠陥画素検出用画像情報の記録およびその欠陥画素検
出用画像情報に対応した画素信号の読取りを行なうこと
により、各画素毎に複数の画素信号を取得する」とは、
例えば、上記「複数の異なるエネルギーの記録用の電磁
波」を第１の記録用の電磁波および第２の記録用の電磁
波とした場合には、まず、第１の記録用の電磁波の照射
により固体検出器に第１の欠陥画素検出用画像情報を記
録し、その記録された第１の欠陥画素検出用画像情報を
読み取った後、上記固体検出器と同じ固体検出器を用い
て、第２の記録用の電磁波の照射により第２の欠陥画素
検出用画像情報を記録し、その記録された第２の欠陥画
素検出用画像情報を読み取るといったように、同じ固体
検出器を用いて、複数の記録用の電磁波の照射による複
数の欠陥画素検出用画像情報の記録とその読取りを繰り
返して行なうことを意味する。

【００１５】また、所定画素における複数の画素信号の
うち少なくとも２つの画素信号の大きさが異なる場合に
おいて、複数の画素信号についてそれぞれオフセット補
正を施し、オフセット補正の施された複数の画素信号
を、記録用の電磁波のエネルギーの大きさをｘ軸とし、
そのエネルギーに応じた画素信号の大きさをｙ軸とした
ｘｙ座標上に示した際、オフセット補正の施された複数
の画素信号のうちの所定の２点を結んだ直線が少なくと
も１つ原点を通らない場合に、所定画素を欠陥画素とす
るようにすることができる。

【００１６】ここで、上記「オフセット補正」とは、オ
フセットを補正する方法であれば如何なる方法としても
よいが、例えば、記録用の電磁波を照射していない状態
で放固体検出の読取りを行ない、このときの各画素の画
素信号を欠陥画素検出用画像情報を読み取ったときの各
画素の画素信号からそれぞれ減算するような処理とすれ
ばよい。

【００１７】また、所定画素における複数の画素信号の
大きさが全て略同一である場合、所定画素を欠陥画素と
するようにすることができる。

【００１８】本発明の欠陥画素判定装置は、画像情報を
担持した記録用の電磁波の照射により画像情報が記録さ
れた固体検出器から読み取られた画像情報に応じた画素
毎の画素信号に基づいて欠陥画素を判定する判定手段を
備えた欠陥画素判定装置において、判定手段が、複数の
異なるエネルギーの記録用の電磁波のそれぞれについ
て、固体検出器への照射による欠陥画素検出用画像情報
の記録およびその欠陥画素検出用画像情報に対応した画
素信号の読取りを行うことにより、各画素毎に複数取得
された画素信号を用いて、画素毎に複数の画素信号に基
づいて欠陥画素であるか否かを判定するものであること
を特徴とするものである。

【００１９】また、判定手段が、所定画素における複数
の画素信号のうち少なくとも２つの画素信号の大きさが
異なるか否かを判断し、少なくとも２つの画素信号の大
きさが異なる場合、複数の画素信号についてそれぞれオ
フセット補正を施し、オフセット補正の施された複数の
画素信号を、記録用の電磁波のエネルギーの大きさをｘ
軸とし、そのエネルギーに応じた画素信号の大きさをｙ
軸としたｘｙ座標上に示した際、オフセット補正の施さ
れた複数の画素信号のうちの所定の２点を結んだ直線が
少なくとも１つ原点を通らない場合に、所定画素を欠陥
画素とするようにすることができる。

【００２０】また、判定手段が、所定画素における複数
の画素信号の大きさが全て略同一である場合、所定画素
を欠陥画素とするようにすることができる。

【００２１】また、欠陥画素検出用画像情報が、略均一
なエネルギーの記録用の電磁波の照射により固体検出器
に記録されたベタ画像情報とすることができる。

【００２２】

【発明の効果】本発明の欠陥画素判定方法および装置に
よれば、複数の異なるエネルギーの記録用の電磁波のそ
れぞれについて、固体検出器への照射による欠陥画素検
出用画像情報の記録およびその欠陥画素検出用画像情報
に対応した画素信号の読取りを行なうことにより、各画
素毎に複数の画素信号を取得し、画素毎に複数の画素信
号に基づいて欠陥画素であるか否かを判定するようにし
たので、正常な画素信号を出力せず、その画素信号に対
して補正処理を施したとしても正常な画素信号に近い値
にはすることができないような画素を適切に欠陥画素と
判定することができる。

【００２３】具体的には、所定画素における複数の画素
信号のうち少なくとも２つの画素信号の大きさが異なる
場合において、複数の画素信号についてそれぞれオフセ
ット補正を施し、オフセット補正の施された複数の画素
信号を、記録用の電磁波のエネルギーの大きさをｘ軸と
し、そのエネルギーに応じた画素信号の大きさをｙ軸と
したｘｙ座標上に示した際、オフセット補正の施された
複数の画素信号のうちの所定の２点を結んだ直線が少な
くとも１つ原点を通らない場合に、所定画素を欠陥画素
とするようにした場合には、上記のようなオフセット補
正処理やゲイン補正処理を施しただけでは補正すること
が困難である画素を簡易な演算処理にて欠陥画素と判定
することができる。

【００２４】また、所定画素における複数の画素信号の
大きさが全て略同一である場合、所定画素を欠陥画素と
するようにした場合には、ほとんど画素信号を出力しな
いような欠陥画素や常に一定の値の画素信号しか出力し
ないような欠陥画素を適切に欠陥画素と判定することが
できる。

【００２５】また、欠陥画素検出用画像情報が、略均一
なエネルギーの記録用の電磁波の照射により固体検出器
に記録されたものとした場合には、より簡易な方法によ
り欠陥画素検出用画像情報の記録を行なことができ、か
つ適切な欠陥画素であるか否かの判定を行なうことがで
きる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明による欠陥画
素判定方法を実施する欠陥画素判定装置の一実施形態を
用いた放射線画像記録読取装置の概略構成を示す図であ
り、図２は本実施の形態に用いられる放射線固体検出器
の概略構成図を示す図である。図２（Ａ）は斜視図、図
２（Ｂ）はＱ矢指部のＸＺ断面図、図２（Ｃ）はＰ矢指
部のＸＹ断面図である。

【００２７】まず、本放射線画像記録読取装置に用いら
れる放射線固体検出器１０について説明を行う。放射線
固体検出器１０は、記録用の電磁波（例えば、Ｘ線等の
放射線。以下記録光という。）Ｌ１を透過する第１の電
極層１１、この第１の電極層１１を透過した記録光Ｌ１
の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電
層１２、潜像電荷（例えば負電荷）に対しては略絶縁体
として作用し、かつ、該潜像電荷と逆極性の輸送電荷
（上述の例においては正電荷）に対しては略導電体とし
て作用する電荷輸送層１３、読取用の電磁波（以下読取
光という）Ｌ２の照射を受けることにより導電性を呈す
る読取用光導電層１４、読取光Ｌ２を透過する第２の電
極層１５をこの順に積層してなるものである。なお、放
射線固体検出器１０は読取光Ｌ２を透過する支持体上に
第２の電極層１５から順に形成されるものであるが、支
持体は図示省略している。

【００２８】また、第２の電極層１５の電極は、多数の
エレメント（線状電極）１６ａをストライプ状に配列し
たストライプ電極１６として形成されている。エレメン
ト１６ａの間１５ａは、例えば、カーボンブラック等の
顔料を若干量分散させたポリエチレン等の高分子材料を
充填したものとし、読取光Ｌ２に対して遮光性を有する
ものとされている。

【００２９】次に、本実施形態の放射線画像記録読取装
置について説明を行う。図１には放射線固体検出器１０
のＸＺ断面図と共に電流検出回路４０の詳細が示されて
いる。

【００３０】本放射線画像記録読取装置は、放射線固体
検出器１０、記録光照射手段２０、読取光照射手段３
０、電流検出回路４０、判定手段５０および補正手段６
０とからなる。

【００３１】記録光照射手段２０は記録光Ｌ１を被写体
９に一様に爆射するものである。

【００３２】読取光照射手段３０は、ライン状の略一様
な読取光Ｌ２をストライプ電極１６の各エレメント１６
ａの長手方向（図２における副走査方向）と概略直交さ
せつつ、該長手方向（副走査方向）に走査露光するもの
である。この走査露光においては、連続光を照射しても
よいし、パルス光を照射するようにしてもよい。

【００３３】電流検出回路４０は、蓄電部１９に蓄積さ
れた潜像電荷の量に応じたレベルの画像信号を得るもの
であり、ストライプ電極１６の各エレメント１６ａ毎に
接続された電流検出アンプを多数有している。

【００３４】判定手段５０は、複数の異なるエネルギー
の記録光のそれぞれについて、放射線固体検出器１０へ
の照射による欠陥画素検出用画像情報の記録およびその
欠陥画素検出用画像情報に対応した画素信号の読取りを
行うことにより、各画素毎に複数取得された画素信号を
用いて、画素毎に複数の画素信号に基づいて欠陥画素で
あるか否かを判定するものである。

【００３５】補正手段６０は、上記判定手段５０から欠
陥画素と判定された画素の位置情報を受け取って記憶す
る。そして、実際の放射線画像情報の読取りの際、この
位置情報に基づいて、上記欠陥画素の上記放射線画像情
報に応じた画素信号を、欠陥画素の近傍に位置する正常
画素の上記放射線画像情報に応じた画素信号から算出し
て補正するものである。

【００３６】次に、本放射線画像記録読取装置により放
射線固体検出器１０に放射線画像情報を静電潜像として
記録し、さらに記録された静電潜像を読み出す方法につ
いて説明する。なお、以下の説明は、実際に被写体を透
過した放射線画像情報についての放射線固体検出器１０
への記録読取過程を説明するものである。

【００３７】最初に静電潜像記録過程について、図３に
示す電荷モデルを参照しつつ説明する。なお、記録光Ｌ
１によって記録用光導電層１２内に生成される負電荷お
よび正電荷を、図面上では−または＋を丸で囲んで表す
ものとする。

【００３８】本放射線画像記録読取装置により放射線固
体検出器１０に静電潜像を記録する際には、第１の電極
層１１とストライプ電極１６との間に直流電圧を印加
し、両者を帯電させる。これにより、第１の電極層１１
とストライプ電極１６との間には略Ｕの字状の電界が形
成され、記録用光導電層１２の大部分の所は概略平行な
電場が存在するが、光導電層１２と電荷輸送層１３との
界面、すなわち蓄電部１９には電界が存在しない部分が
生じる。そして、このＵの字状の電界がエレメント１６
ａの長さ方向に連続した電界分布が形成される（図３
（Ａ））。

【００３９】次に放射線を被写体９に爆射し、記録光Ｌ
１を放射線固体検出器１０に照射する。すると、放射線
固体検出器１０の記録用光導電層１２内で正負の電荷対
が発生し、その内の負電荷が上述の電界分布に沿って蓄
電部１９に移動する（図３（Ｂ））。一方、記録用光導
電層１２内で発生した正電荷は第１の電極層１１に向か
って高速に移動し、第１の電極層１１と記録用光導電層
１２との界面で電源７２から注入された負電荷と電荷再
結合し消滅する。また、記録光Ｌ１は被写体９の遮光部
９ｂを透過しないから、放射線固体検出器１０の遮光部
９ｂの下部にあたる部分は何ら変化を生じない（図３
（Ｂ），（Ｃ））。

【００４０】このようにして、被写体９に記録光Ｌ１を
爆射することにより、被写体像に応じた電荷を記録用光
導電層１２と電荷転送層１３との界面である蓄電部１９
に蓄積することができるようになる。この蓄積される潜
像電荷（負電荷）の量は被写体９を透過し放射線固体検
出器１０に入射した放射線の線量に略比例するので、こ
の潜像電荷が静電潜像を担持することとなり、該静電潜
像が放射線固体検出器１０に記録される。

【００４１】次に、本放射線画像記録読取装置による静
電潜像読取過程について説明する。放射線固体検出器１
０から静電潜像を読み取る際には、第１の電極層１１と
ストライプ電極１６とを電流検出回路４０における電流
検出アンプのイマジナリショートを介して短絡し、電荷
の再配列を行う。次いで、エレメント１６ａの長手方向
（副走査方向）に読取光照射手段３０を副走査すること
により、ライン状の読取光Ｌ２で放射線固体検出器１０
を走査露光する。この読取光Ｌ２の走査露光により副走
査位置に対応する読取光Ｌ２が入射した光導電層１４内
に正負の電荷対が発生する。

【００４２】蓄電部１９とストライプ電極１６との間
は、電場（強電界）が形成されており、また、電荷輸送
層１３は正電荷に対しては導電体として作用するもので
あるから、読取用光導電層１４に生じた正電荷は蓄積部
１９の潜像電荷に引きつけられるように電荷輸送層１３
の中を急速に移動し、蓄電部１９で潜像電荷と電荷再結
合をし消滅する。一方、読取用光導電層１４に生じた負
電荷は第１の電極層１１、ストライプ電極１６の正電荷
と電荷再結合し消滅する。上記電荷再結合による第１の
電極層１１とストライプ電極１６との間の電圧変化を電
流検出アンプ４１により電流変化として検出する。この
読取りの際に放射線固体検出器１０内を流れる電流は、
潜像電荷すなわち静電潜像に応じたものであるから、こ
の電流を電流検出アンプにより検出することにより各画
素の画素信号を得ることができる。電流検出アンプによ
り検出された各画素の画素信号は判定手段５０に出力さ
れる。

【００４３】ここで、本実施形態において欠陥画素判定
方法を実施する際には、上記のように被写体１０を用い
ず、２つの異なるエネルギーの記録光Ｘ１，Ｘ２のそれ
ぞれについて、放射線固体検出器１０への照射による欠
陥画素検出用画像情報の記録（ここで記録される欠陥画
素検出用画像情報はいわゆるベタ画像情報である）およ
びその読取りを行い、各画素毎に２つの異なる画素信号
Ｙ１，Ｙ２を得る。そして、判定手段５０では、画素毎
の２つの異なる画素信号Ｙ１，Ｙ２に基づいて、その画
素が欠陥画素であるか否かを判定する。

【００４４】判定手段５０における欠陥画素であるか否
かの判定方法は、まず、上記２つの異なる画素信号Ｙ
１，Ｙ２の大きさが異なる場合には、この異なる２つの
画素信号Ｙ１，Ｙ２にオフセット補正処理を施す。上記
オフセット補正処理とは、例えば、放射線を照射してい
ない状態で放射線固体検出１０の読取りを行ない、この
ときの各画素の画素信号をそれぞれ減算するような処理
とすればよい。そして、オフセット補正処理後の２つの
異なる画素信号Ｙ１，Ｙ２を、図４に示すような記録光
のエネルギーの大きさをｘ軸とし、画素信号の大きさを
ｙ軸したｘｙ座標上に示す。そして、この２つの画素信
号Ｙ１，Ｙ２を通過するように直線を引いたとき、この
直線が原点を通る場合には、画素信号Ｙ１，Ｙ２に応じ
た画素は欠陥画素でない、つまり正常画素と判定する。
図４においては、例えば、黒丸で示す画素信号が正常な
画素信号であるとすると、この黒丸と同一の画素信号に
応じた画素はもちろん正常画素と判定されるが、白丸や
２重丸で示した画素信号に応じた画素についてもその２
つの画素信号を通過する直線が原点を通るので正常画素
と判定される。これは、これらの画素は、黒丸で示した
画素信号に応じた正常画素とは異なる画素信号を出力す
るものであるが、ゲイン補正処理を施すことにより正常
画素に応じた画素信号と同じ画素信号の大きさに補正す
ることができるので、本実施形態では正常画素と判定す
ることにしている。上記ゲイン補正処理とは、例えば、
放射線を一様に照射したときの各画素の画素信号のばら
つきを求め、このばらつきに基づいて各画素の画素信号
の大きさが一定となるように補正値を加減する処理をい
う。一方、×印で示される画素信号に応じた画素は、２
つの画素信号を通過する直線が原点を通らないのでこれ
らの画素信号に応じた画素は欠陥画素と判定される。２
つの画素信号を通過する直線が原点を通らない画素は、
上記の正常画素と判定された画素の画素信号のようにゲ
イン補正を施しても、正常画素に応じた画素信号と同じ
大きさに補正することが困難だからである。

【００４５】また、三角印の画素信号のように上記２つ
の異なる画素信号Ｙ１，Ｙ２の大きさが同一（略０の
値）の場合には、これらの画素信号に応じた画素も欠陥
画素と判定される。上記のような判定方法を各画素毎に
行なっていき、全ての画素について欠陥画素であるか否
かを判定する。なお、上記の判定方法において、「２つ
の異なる画素信号Ｙ１，Ｙ２を、図４に示すような記録
光のエネルギーの大きさをｘ軸とし、画素信号の大きさ
をｙ軸したｘｙ座標上に示す」とは、実際にこのような
座標軸を設けたり、画像として表示したりするわけでは
なく、実質的に上記内容のような演算処理を行なうこと
を意味する。もちろん、図４に示すような座標軸を画像
として表示させるようにしてもよい。

【００４６】そして、判定手段５０は、上記のようにし
て欠陥画素と判定された画素の位置情報を補正手段６０
に出力し、補正手段６０はこれを記憶する。

【００４７】補正手段６０は、実際に被写体を透過した
放射線画像情報の読取りの際、上記のようにして記憶さ
れた欠陥画素の位置情報に基づいて、欠陥画素の上記放
射線画像情報に応じた画素信号を、欠陥画素の近傍に位
置する正常画素の上記放射線画像情報に応じた画素信号
に基づいて算出して補正する。

【００４８】上記放射線画像記録読取装置によれば、複
数の異なるエネルギーの記録光のそれぞれについて、放
射線固体検出器１０への照射による欠陥画素検出用画像
情報の記録およびその欠陥画素検出用画像情報に対応し
た画素信号の読取りを行なうことにより、各画素毎に複
数の画素信号を取得し、画素毎に複数の画素信号に基づ
いて欠陥画素であるか否かを判定するようにしたので、
正常な画素信号を出力せず、その画素信号に対して補正
処理を施したとしても正常な画素信号に近い値にはする
ことができないような画素を適切に欠陥画素と判定する
ことができる。

【００４９】また、所定画素における複数の画素信号の
大きさが全て略同一である場合、所定画素を欠陥画素と
するようにしたので、ほとんど画素信号を出力しないよ
うな欠陥画素や常に一定の値の画素信号しか出力しない
ような欠陥画素を適切に欠陥画素と判定することができ
る。

【００５０】また、実際の放射線画像情報の読取りの際
には、欠陥画素の上記放射線画像情報に応じた画素信号
を、その欠陥画素の近傍に位置する正常画素の上記放射
線画像情報に応じた画素信号に基づいて補正するように
したので、欠陥画素についても適切な画素信号を得るこ
とができ、再生画像の画質の向上を図ることができる。

【００５１】また、本実施形態では、２つの異なる記録
光のエネルギーに応じた２つの画素信号に基づいて欠陥
画素か否かの判定を行うようにしたが、３つ以上の異な
る記録光のエネルギーに応じた３つ以上の画素信号に基
づいて判定するようにしてもよい。この場合には、オフ
セット補正の施された複数の画素信号のうちの所定の２
点を結んだ直線が、少なくとも１つ原点を通らない場合
に、これらの画素信号に応じた画素を欠陥画素と判定す
るようにすればよい。

【００５２】また、上記実施形態では、記録光の照射に
より電荷を発生し、この電荷を検出することにより放射
線画像情報の読み取りを行なう放射線固体検出器を用い
るようにしたが、記録光の照射により蛍光を発し、この
蛍光の検出することによって放射線画像情報の読み取り
を行なう放射線固体検出器を用いるようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による欠陥画素判定方法を実施する欠陥
画素判定装置の一実施形態を用いた放射線画像記録読取
装置の概略構成図

【図２】図１に示す放射線画像記録読取装置にて用いら
れる放射線固体検出器の斜視図（Ａ）、Ｑ矢指部のＸＺ
断面図（Ｂ）、Ｐ矢指部のＸＹ断面図（Ｃ）

【図３】上記放射線固体検出器に静電潜像を記録する方
法を説明する図

【図４】図１に示す放射線画像記録読取装置における欠
陥画素判定方法を説明する図

【符号の説明】

９ 被写体 １０ 放射線固体検出器 １１ 第１の電極層 １２ 記録用光導電層 １３ 電荷輸送層 １４ 読取用光導電層 １５ 第２の電極層 １６ ストライプ電極 １９ 蓄電部 ２０ 記録光照射手段 ３０ 読取光照射手段 ４０ 電流検出回路 ５０ 判定手段 ６０ 補正手段 Ｌ１ 記録光 Ｌ２ 読取光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H013 AC04 4C093 AA16 CA36 EA07 EB13 EB17 FA32 FC18 FC19 FC30 FD13 5C024 AX16 CX22 CY01 CY40 CY44 HX14 5C072 AA01 CA11 VA01

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画像情報を担持した記録用の電磁波の照
   射により前記画像情報が記録された固体検出器から前記
   画像情報に応じた画素毎の画素信号を読み取り、該読み
   取られた画素信号に基づいて欠陥画素を判定する欠陥画
   素判定方法において、 複数の異なるエネルギーの前記記録用の電磁波のそれぞ
   れについて、前記固体検出器への照射による欠陥画素検
   出用画像情報の記録および該欠陥画素検出用画像情報に
   対応した画素信号の読取りを行なうことにより、各画素
   毎に複数の画素信号を取得し、 各画素毎に前記複数の画素信号に基づいて欠陥画素であ
   るか否かを判定することを特徴とする欠陥画素判定方
   法。
2. 【請求項２】 所定画素における前記複数の画素信号の
   うち少なくとも２つの画素信号の大きさが異なる場合に
   おいて、 前記複数の画素信号についてそれぞれオフセット補正を
   施し、 該オフセット補正の施された複数の画素信号を、前記記
   録用の電磁波のエネルギーの大きさをｘ軸とし、該エネ
   ルギーに応じた画素信号の大きさをｙ軸としたｘｙ座標
   上に示した際、 前記オフセット補正の施された複数の画素信号のうちの
   所定の２点を結んだ直線が少なくとも１つ原点を通らな
   い場合に、前記所定画素を欠陥画素とすることを特徴と
   する請求項１記載の欠陥画素判定方法。
3. 【請求項３】 画像情報を担持した記録用の電磁波の照
   射により前記画像情報が記録された固体検出器から読み
   取られた前記画像情報に応じた画素毎の画素信号に基づ
   いて欠陥画素を判定する判定手段を備えた欠陥画素判定
   装置において、 前記判定手段が、複数の異なるエネルギーの前記記録用
   の電磁波のそれぞれについて、前記固体検出器への照射
   による欠陥画素検出用画像情報の記録および該欠陥画素
   検出用画像情報に対応した画素信号の読取りを行うこと
   により、各画素毎に複数取得された画素信号を用いて、
   前記画素毎に前記複数の画素信号に基づいて欠陥画素で
   あるか否かを判定するものであることを特徴とする欠陥
   画素判定装置。
4. 【請求項４】 前記判定手段が、 所定画素における前記複数の画素信号のうち少なくとも
   ２つの画素信号の大きさが異なるか否かを判断し、 少なくとも２つの画素信号の大きさが異なる場合、 前記複数の画素信号についてそれぞれオフセット補正を
   施し、 該オフセット補正の施された複数の画素信号を、前記記
   録用の電磁波のエネルギーの大きさをｘ軸とし、該エネ
   ルギーに応じた画素信号の大きさをｙ軸としたｘｙ座標
   上に示した際、 前記オフセット補正の施された複数の画素信号のうちの
   所定の２点を結んだ直線が少なくとも１つ原点を通らな
   い場合に、前記所定画素を欠陥画素とするものであるこ
   とを特徴とする請求項３記載の欠陥画素判定装置。