JP2003213345A

JP2003213345A - 金属の精製方法

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Publication number: JP2003213345A
Application number: JP2002006420A
Authority: JP
Inventors: Hiroyasu Fujiwara; 弘康藤原; Yoshitatsu Otsuka; 良達大塚; Kenji Wada; 健司和田; Toshiaki Fukuyama; 稔章福山
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2002-01-15
Filing date: 2002-01-15
Publication date: 2003-07-30
Anticipated expiration: 2022-01-15
Also published as: JP4274728B2

Abstract

(57)【要約】【課題】太陽電池として用いられる純度６Ｎ程度のシ
リコンを効率よく安価に製造することができるように改
良された金属の精製方法を提供することを主要な目的と
する。【解決手段】ボロンを含有した原料シリコンと酸化カ
ルシウムを主たる成分とするスラグを溶融し、回転駆動
機構により軸５を回転させて、溶融シリコンを攪拌す
る。処理ガス、溶融スラグ、溶融シリコンの３相が非常
に効率よく混合され、ボロン除去反応が進行する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、一般に金属の精
製方法に関するものであり、より特定的には、太陽電池
用シリコン原料の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】鉄、アルミニウム、銅、シリコン等の金
属元素は、一般的には単体で自然界に存在することは非
常に稀であり、大部分が酸化物等の化合物として存在し
ている。そのため、構造材料や導電性材料、あるいは半
導体材料といった用途にそれら金属元素を用いるには、
多くの場合、酸化物等を還元して金属元素単体の形態と
する必要がある。

【０００３】また、酸化物等を還元したままでは、前述
した用途に用いるには所望する金属元素以外の不純物量
が適切でないことが多く、不純物量を調整、多くの場合
は低減することが一般的に行なわれる。このような不純
物を低減する工程を精製という。

【０００４】精製とは、不純物を別の形態として金属元
素単体から取出すことであり、母体となる金属、または
不純物元素の物理化学的特性に応じて、適切な物理化学
的手法を施すことで、その目的を達成する。構造用材料
として最も一般的に用いられている鉄鋼材料を例にとる
と、靭性を著しく損なう不純物であるリン、硫黄等につ
いては、高炉から取出した銑鉄にスラグと呼ばれる溶融
酸化物を接触させて、スラグ中にそれらの不純物を取込
むことで、銑鉄中の含有量を低減している。

【０００５】また、鉄鋼材料の機械強度を基本的に決定
する不純物元素である炭素については、溶鋼中に酸素ガ
スを吹き込み、溶鋼中の炭素を酸化して二酸化炭素ガス
として排出することで、鋼中の炭素量の調整を行なって
いる。

【０００６】また、一般的な電線材料の１つである銅の
場合には、平衡状態における固体金属中での不純物濃度
と溶融金属中でのそれとの比、いわゆる不純物の偏析係
数が一般的に小さいことを利用して、平衡状態に近くな
るような遅い速度で凝固させることで、固体銅中の不純
物濃度を低減する、いわゆる一方向凝固法により高純度
化を行ない、低い電気抵抗値を有する電線材料としてい
る。

【０００７】半導体材料として最も一般的に用いられて
いるシリコンの場合は、珪石を還元して得られる純度９
８％以上の金属シリコンを、シラン（ＳｉＨ₄）あるい
はトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ₃）といったガスに変
換し、さらにそれらのガスをベルジャー炉内で水素還元
することで、純度１１Ｎの多結晶シリコンを得ている。
このようにして得られた多結晶シリコンを単結晶成長さ
せることで、ＬＳＩ等の電子デバイス向けに用いられる
シリコンウェハとしている。電子デバイス用途に用いる
要求を満たすためには、非常に複雑な製造工程および厳
格な製造工程管理が必要とされるため、その製造コスト
は必然的に高くならざるを得ない。

【０００８】一方、化石燃料資源の枯渇や地球温暖化と
いったエネルギ・環境問題に関する意識の高まりから、
近年急速に需要が伸びている太陽電池用原料としてのシ
リコンの場合は、太陽電池として要求される性能を発揮
するために要求される純度が６Ｎ程度であり、これまで
太陽電池用原料として使用されてきた電子デバイス用シ
リコンの規格外品は、純度の観点からすれば、太陽電池
用原料として過剰な品質である。

【０００９】これまでは、電子デバイス用規格外品の発
生量が太陽電池の需要に勝っていたが、近い将来、太陽
電池の需要が電子デバイス用規格外品の発生量を上回る
のは確実視されており、太陽電池用原料としてのシリコ
ンの安価な製造技術の確立が強く求められている。その
手段として、前述した純度９８％程度の金属シリコンを
酸化還元反応や凝固偏析を利用した冶金学的手法により
精製する手法が、近年注目されている。

【００１０】太陽電池として使用するシリコン中の不純
物のうち、その含有量を最も厳格に制御されるべきは、
シリコンの導電型を決定する元素であり、代表的なもの
としては、リンおよびボロンである。ところが、これら
の元素の偏析係数は、それぞれ０．３５、０．８程度と
非常に大きいため、前述した一方向凝固法に代表される
凝固偏析を利用した精製方法はほとんど効果がないこと
が知られている。

【００１１】リンに関しては、蒸気圧が高い特性を利用
して、たとえば特許第２９０５３５３号公報に開示され
ているような、溶融シリコンを減圧下で保持してリンを
気相中に放出する方法がある。一方、ボロンに関して
は、特許第３２０５３５２号公報に開示されているよう
な、アルゴンまたはアルゴンに水素を添加したガスに水
蒸気ガス、さらにはシリカ粉末を含んだ混合ガスのプラ
ズマを溶融シリコン表面に照射する方法や、米国特許第
５９７２１０７号公報に開示されているような、水素と
酸素を燃焼させ、かつシリカ粉末を投入するトーチを溶
融シリコンに浸漬する方法がある。

【００１２】また、特開２００１−５８８１１公報に
は、回転する翼車やローレンツ力を用いてシリコンの溶
湯を攪拌しつつ、水蒸気を含有させたアルゴン等の処理
ガスを吹込む方法が開示されている。さらには、特許第
２８５１２５７号公報に開示されているような、溶融シ
リコン中にスラグを連続的に投入する方法がある。いず
れの方法も原理としては、酸化反応によりボロンを酸化
物の形態として溶融シリコンから除去するものである。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】冶金学的手法によるシ
リコンの精製方法には、上述したようなものが挙げられ
るが、いずれもコストの問題から商業的に成立していな
いのが現状である。ボロン除去を一例にとると、特許第
３２０５３５２号に開示されているプラズマを溶融シリ
コン表面に照射する方法は、反応熱源としてプラズマを
利用するので反応部位が局所的なものとなってしまうた
めに、得られるスループットに制限があることや、装置
自体が高額なものとなってしまう問題がある。

【００１４】特許第２８５１２５７号に開示されている
溶融シリコン中に、ＣａＯおよびＳｉＯ₂を主成分とす
るスラグを投入する方法は、シリコン中のボロン量に対
するスラグ中に取込まれるボロン量の比、いわゆる分配
比が高々２〜３程度であり、元々ボロンを１０〜５０ｐ
ｐｍ程度含有している金属シリコンを原料とした場合、
ボロン濃度を太陽電池用として要求される０．３ｐｐｍ
程度とするためには、シリコン量の数倍ものスラグを必
要とすることとなり、商業目的としては現実的なもので
はない。

【００１５】特開２００１−５８８１１公報に開示され
ている、回転する翼車やローレンツ力を用いてシリコン
の溶湯を攪拌しつつ、水蒸気を含有させたアルゴン等の
処理ガスを吹き込む方法は、装置が簡便であるため、装
置コストの低減に期待が持てるが、反応速度が飛躍的に
向上したものではなく、未だ商業化への見通しは立って
いない。

【００１６】本発明の目的は、シリコン等の金属が含有
する不純物元素を非常に効率よくかつ安価なプロセスで
精製する方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、不純物元素を
含有する金属を溶融状態に保持し、溶融金属中の不純物
元素を吸収する媒体を溶融金属へ添加し、該媒体を経由
して不純物元素を含む気体を溶融金属外へ放出する過程
を含むことを特徴とする金属の精製方法である。

【００１８】本発明においては、不純物元素と反応して
気体状化合物を形成する成分を含むガスを、溶融金属に
接触させてよく、不純物元素と反応して気体状化合物を
形成する成分を含むガスを、溶融金属および溶融金属中
の不純物元素を吸収する媒体に同時に接触させてもよ
い。

【００１９】本発明においては、溶融金属を攪拌し、溶
融金属中に不純物元素を吸収する媒体を分散させること
はさらによく、溶融金属中に浸漬させた攪拌部を回転さ
せてよい。

【００２０】本発明においては、攪拌部から、不純物元
素と反応して気体状化合物を形成する成分を含むガスを
溶融金属中へ噴出してよい。

【００２１】本発明においては、溶融金属中の不純物元
素を吸収する媒体は、溶融状態にあってよい。

【００２２】本発明においては、溶融金属中の不純物元
素を吸収する媒体は、酸化物を含んでよい。

【００２３】本発明においては、不純物元素を吸収する
媒体は、主としてＣａＯからなってよい。

【００２４】本発明においては、不純物元素と反応して
気体状化合物を形成する成分を含むガスは酸化性であっ
てよい。

【００２５】本発明においては、金属はシリコンであっ
てよく、不純物はボロンまたは炭素のいずれか１つを含
んでよい。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、溶
融シリコンからボロンを除去する方法について説明す
る。しかしながら、本発明の効果は酸化反応を利用した
ものであることから、除去される不純物元素はボロンに
限定されるものではない。酸化反応により除去される不
純物元素のうち代表的なものとしては、炭素も挙げられ
る。

【００２７】本発明の効果を明確に示すため、純度１１
Ｎの半導体級シリコン中に、ボロンが６５ｐｐｍ含有し
ているスクラップシリコンを、重量比でおよそ８：１で
混合することにより、ボロンを約７ｐｐｍに調整したも
のを、精製対象であるボロンを含有する原料シリコンと
した。

【００２８】なお、原料シリコンは半導体級シリコンと
ボロン含有スクラップシリコンの混合物を用いたが、ボ
ロン以外の元素が含有している原料、たとえば工業的に
よく利用されている純度９８％程度の金属シリコンであ
っても、本発明の効果が実現することは言うまでもな
い。

【００２９】原料シリコンの他に、酸化ケイ素（ＳｉＯ
₂）と酸化カルシウム（ＣａＯ）とを混合したものをス
ラグ材料として同時に坩堝２内に挿入する。ＳｉＯ₂−
ＣａＯ２元系状態図からわかるように、シリコンの融点
１４１４℃より僅かに高い１４３６℃以上で酸化ケイ素
と酸化カルシウムとの混合物であるスラグを溶融状態と
できる。

【００３０】粉末の酸化ケイ素が酸化剤として有用であ
ることは、たとえば前述の特許第３２０５３５２号公報
や米国特許第５９７２１０７号公報に開示されている
が、粉末の酸化ケイ素は溶融シリコンとの濡れ性が悪
く、大量に導入することができないため、精製処理速度
が制限されてしまう。

【００３１】一方、たとえば前述の特許第２８５１２５
７号公報に開示されているようなＳｉＯ₂−ＣａＯ系溶
融スラグを添加するのみでは、分配係数が小さくボロン
吸収量がすぐに飽和してしまうため、必要なスラグ消費
量が著しく増大する。

【００３２】そこで、本発明者らは、ボロンを吸収した
スラグからボロンを除去する過程について鋭意検討を重
ねた結果、ボロンを含有するスラグと水蒸気を反応させ
ることで、スラグ中のボロン含有量が減少することを発
見した。その原理は未だ明らかではないが、スラグ中の
ボロン酸化物と水蒸気とが反応してＨＢＯ₂といった気
体状のボロン化合物が発生するためであると考えられ
る。

【００３３】ただし、スラグ全量が溶融している必要は
なく、その一部が固体状態であってもほぼ同様の効果が
得られる。このとき、ボロンの吸収能力が高い酸化カル
シウムを主とするスラグを使用する方が好ましい。

【００３４】しかしながら、後で比較例２で示すが、溶
融シリコンと溶融スラグが共存する系に水蒸気を含有す
るガスを単に吹込むだけでは、ボロン除去速度は増大し
なかった。さらに検討を重ねたところ、溶融スラグが溶
融シリコン中に分散されておらず、溶融スラグと水蒸気
が十分接触できていないことが問題であることがわかっ
た。

【００３５】ＳｉＯ₂−ＣａＯ系溶融スラグの粘度は１
Ｐａ・ｓ程度であり、溶融シリコンの粘度０．００１Ｐ
ａ・ｓと比較して圧倒的に大きいことが要因として考え
られる。そして、溶融スラグが溶融シリコン中に分散さ
れるように攪拌することで、ボロン除去速度を飛躍的に
増大するに至った。溶融スラグが溶融シリコン中に分散
する状態を実現するために求められる装置の構成の一例
について、以下で説明する。

【００３６】図１は、本発明を実施するのに使用した装
置の概略である。溶解炉１の壁はステンレス製であり、
原料シリコンおよびスラグ材料を挿入する黒鉛製の坩堝
２、電磁誘導加熱装置３、軸５、軸５の下部に設置され
た攪拌部６を、溶解炉１の内部に備える。原料シリコン
およびスラグ材料を挿入する黒鉛製の坩堝に、電磁誘導
加熱装置３、軸５、軸５の下部に設置された攪拌部６
を、溶解炉１の内部に備える。

【００３７】軸５の上部には、回転駆動機構が取付けら
れており、攪拌部６を溶融シリコンに浸漬させつつ軸５
を回転させて溶融シリコンに速い流れを生じさせて、溶
融シリコンと溶融スラグとの接触部で発生する大きな剪
断力により、粘度の高い溶融スラグを微細化して溶融シ
リコン中に均一に分散させることを可能としている。な
お、攪拌部６は、翼車形状をしているが、溶融スラグを
均一に分散できるものであれば、その形状が限定される
ものではない。

【００３８】軸５が溶解炉１の壁を貫通する部分には、
溶解炉内部の密閉性を確保するとともに軸５を回転可能
とするための、シール機構を設けている。軸５の上端に
は、処理時には攪拌部６を坩堝２内の溶融シリコンに浸
漬させ、処理前後には攪拌部６を溶融シリコンから離脱
するための昇降機構が備わる。

【００３９】軸５はその内部に処理ガス導入通路４を備
えており、攪拌部６は処理ガス導入通路４と連通した処
理ガス吹出口７を備えている。なお、軸５には処理ガス
導入通路４、攪拌部６には処理ガス吹出口７が備わって
いるが、これらを同時に備える必要はなく、軸５および
攪拌部６と、処理ガス導入機構等は別に備えていてもよ
い。

【００４０】軸５の回転と併用して、水蒸気を含有した
処理ガスを溶融シリコン中に吹込むことで、ボロン除去
速度をより増大できる。処理ガス中の水蒸気量は簡便な
加湿装置を用いて、ガス露点を代表的には２０〜９０℃
の範囲とすることで、体積比でおよそ２〜７０％の範囲
内で容易に制御できる。この処理ガス中に水素ガスを適
宜添加してもよい。なお、処理ガスは水蒸気含有ガスに
限定されることはなく、たとえば酸素ガスであってよい
のはもちろん、一酸化炭素ガス等の酸素を含有するガス
であってもよい。さらに広義の酸化反応を考えれば、塩
酸等のハロゲン系ガス等であっても同様の効果が期待さ
れる。また、キャリアガスはシリコンとの反応性が小さ
いガス、たとえばアルゴン等の不活性ガスが特に好まし
く、窒素等も使用できる。

【００４１】次に、ボロン除去処理を行なう手順につい
て説明する。溶解炉１の内部をアルゴン等の不活性ガス
雰囲気として、電磁誘導加熱装置３により坩堝２を加熱
することで、坩堝２からの伝熱により原料シリコンおよ
びスラグの温度が上昇し、ついには溶融する。そのよう
にしてできた融液を所定の処理温度に保持する。この段
階では、溶融シリコンと溶融スラグは互いに完全に分離
している。この際、処理前のボロン含有量を測定するた
め、溶融スラグが混入しないように溶融シリコン数ｇを
抽出しておく。

【００４２】処理ガス導入通路４を通じて処理ガスを攪
拌部６の処理ガス吹出口７から噴出しつつ、昇降機構に
より軸５を下降させ、攪拌部６を溶融シリコンに浸漬さ
せる。この際、処理ガス導入圧力を１気圧より大きく、
たとえば０．１５〜０．３ＭＰａ程度の範囲とすること
で、粘度の高い溶融スラグが混合した場合でも処理ガス
の噴出を安定して継続できる。

【００４３】溶融シリコンの下方、好ましくは溶融スラ
グと溶融シリコンとの界面付近へ攪拌部６を下降させた
後、回転駆動機構により軸５を回転させる。軸５の回転
により、処理ガス吹出口７から噴出される処理ガスの気
泡および溶融スラグが微細化され、かつ均一に分散され
る。

【００４４】処理ガス、溶融スラグ、溶融シリコンの３
層が非常に効率よく混合されることとなり、各層間の接
触面積が著しく増大する。そのような状態となると、溶
融シリコン中のボロンが溶融シリコンに吸収される反
応、および処理ガス中の水蒸気と溶融スラグ中のボロン
との反応が著しく促進される。

【００４５】なお、本発明の効果が発現するところは、
スラグ材料に限定されるものではないことは言うまでも
ない。たとえば、融点や粘度を調整する等、種々の目的
を達するために、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）と酸化カルシ
ウム（ＣａＯ）との比率を変更してもよく、あるいは、
酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、フッ化カルシウム
（ＣａＦ₂）、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）等、鉄鋼等の精
錬分野で一般的に用いられている添加剤を適宜添加して
もよい。

【００４６】本発明においては、スラグの酸化剤として
の効果を大きく損なうことなく融点または粘度を低減す
ることが望ましい。そのためには、酸化カルシウムの一
部または全部を酸化マグネシウム、フッ化カルシウムあ
るいは酸化リチウムに置き換えることが好ましい。

【００４７】所定の時間だけ処理を行なった後、溶融シ
リコン界面から十分上方に攪拌部７が位置するまで、昇
降機構により軸５を上昇させる。数分間静置し、溶融シ
リコンと溶融スラグを十分に分離させた後、溶融スラグ
が混入しないように、処理後のボロン含有量を測定する
ための溶融シリコンを数ｇ程度取り出す。ボロン含有量
の測定は、公知のＩＣＰ発光分析法により行なった。

【００４８】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。

【００４９】実施例１本例では、酸化シリコン粉末と酸化カルシウム粉末を重
量比４５：５５で混合したものをスラグ材料として使用
した。ボロン濃度を７ｐｐｍに調整した原料シリコンと
スラグ材料を重量比４：１としたもの１ｋｇを坩堝２に
装入し、溶解炉１の内部を１気圧のアルゴンガス雰囲気
として、電磁誘導加熱装置３により坩堝２を加熱するこ
とにより、原料シリコンおよびスラグ材料を溶融して、
１５５０℃で保持した。溶融スラグは溶融シリコンに対
して比重が大きいので、坩堝２の底部に沈殿していた。
攪拌部６の処理ガス吹出口７が溶融スラグと溶融シリコ
ンとの界面付近に達するまで昇降機構により軸５を下降
させた。

【００５０】アルゴンガスに対して水蒸気含有率をおよ
そ３０％とした処理ガスを、処理ガス吹出口７から流速
１ｌ／ｍｉｎで吹出しつつ、回転駆動機構６により軸５
を４００ｒｐｍで回転させて、２時間の処理を行なっ
た。処理前後のボロン含有量を測定したところ、処理前
は７．８ｐｐｍ、処理後は１．８ｐｐｍであった。

【００５１】実施例２ボロン濃度を７ｐｐｍに調整した原料シリコンとスラグ
材料を重量比９：１とし、処理ガスを吹出口７から流速
３ｌ／ｍｉｎで吹出しつつ、回転駆動機構により軸５を
６００ｒｐｍで回転させること以外は、実施例１と同様
にして２時間の処理を行なった。処理前後のボロン含有
量を測定したところ、処理前は７．２ｐｐｍ、処理後は
１．２ｐｐｍであった。

【００５２】比較例１スラグ材料を入れないこと以外は実施例１と同様の条件
として、１時間の処理を行なった。処理前後のボロン含
有量を測定したところ、処理前は７．４ｐｐｍ、処理後
は４．４ｐｐｍであった。

【００５３】比較例２軸５を回転させないこと以外は実施例１と同様の条件と
して、１時間の処理を行なった。処理前後のボロン含有
量を測定したところ、処理前は７．５ｐｐｍ、処理後は
３．６ｐｐｍであった。

【００５４】なお、本発明が適用されるところは、本実
施例に限定されるものではなく、たとえばスラグ材料の
添加量、処理ガス流量および軸の回転数等は、処理を行
なう原料シリコンの量、あるいは坩堝形状等により最適
な状態となるよう適宜選択されるべきものである。

【００５５】また、本発明の実施の形態として、溶融シ
リコンからボロンを除去する方法について説明したが、
本発明の効果が実現するところは、本明細書の記載に限
定されるものではなく、たとえば、鉄、銅、アルミニウ
ム等の溶融金属であっても、適切な媒体さらには処理ガ
ス等を選択することで含有不純物を除去することが可能
であり、同様の手法が適用し得るものであることは言う
までもない。

【００５６】今回開示された実施の形態および実施例は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。

【００５７】

【発明の効果】以上説明した通り、従来技術と比較し
て、溶融シリコンからボロンを除去する能力が飛躍的に
向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法の実施に用いられる装置の概念
図である。

【符号の説明】

１溶解炉、２黒鉛坩堝、３電磁誘導加熱装置、４
処理ガス導入通路、５軸、６攪拌部、７処理ガ
ス吹出口。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者和田健司大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者福山稔章大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内Ｆターム(参考） 4G072 AA01 BB01 GG03 HH01 JJ01 JJ11 LL03 MM08 MM38 UU02 4K001 AA23 EA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】不純物元素を含有する金属を溶融状態に
保持し、溶融金属中の不純物元素を吸収する媒体を溶融
金属へ添加し、該媒体を経由して不純物元素を含む気体
を溶融金属外へ放出する過程を含むことを特徴とする金
属の精製方法。
【請求項２】前記不純物元素と反応して気体状化合物
を形成する成分を含むガスを、前記溶融金属に接触させ
る、請求項１に記載の金属の精製方法。
【請求項３】前記不純物元素と反応して気体状化合物
を形成する成分を含むガスを、前記溶融金属中の不純物
元素を吸収する前記媒体に接触させる、請求項１に記載
の金属の精製方法。
【請求項４】前記不純物元素と反応して気体状化合物
を形成する成分を含むガスを、前記溶融金属および溶融
金属中の不純物元素を吸収する前記媒体に同時に接触さ
せる、請求項１に記載の金属の精製方法。
【請求項５】前記溶融金属を攪拌し、該溶融金属と該
溶融金属中の不純物元素を吸収する前記媒体を分散させ
る、請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属の精製方
法。
【請求項６】前記溶融金属中に浸漬させた攪拌部を回
転させる、請求項５に記載の金属の精製方法。
【請求項７】前記攪拌部から、前記不純物元素と反応
して気体状化合物を形成する成分を含むガスを前記溶融
金属中へ噴出する、請求項６に記載の金属の精製方法。
【請求項８】前記溶融金属中の不純物元素を吸収する
前記媒体は、溶融状態にある、請求項１〜７のいずれか
１項に記載の金属の精製方法。
【請求項９】前記溶融金属中の不純物元素を吸収する
前記媒体は、酸化物を含む、請求項１〜８のいずれか１
項に記載の金属の精製方法。
【請求項１０】前記不純物元素を吸収する媒体は主と
してＣａＯからなる請求項９に記載の金属の精製方法。
【請求項１１】前記不純物元素と反応して気体状化合
物を形成する成分を含むガスは酸化性である、請求項１
〜１０のいずれか１項に記載の金属の精製方法。
【請求項１２】前記金属はシリコンである、請求項１
〜１１のいずれか１項に記載の金属の精製方法。
【請求項１３】前記不純物はボロンまたは炭素のいず
れか１つを含む、請求項１１に記載の金属の精製方法。