JP2003213147A - 導電性樹脂組成物及びパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細な形状にパターニングすることができ、
耐熱性、耐溶剤性、及び機械的強度を有する導電性樹脂
膜を形成しうる導電性樹脂組成物及びパターン形成方法
を提供する。 【解決手段】 光又は電子線の照射により溶解性が変化
する樹脂と、所定のドーパントを添加することにより導
電性を示すポリマと、エネルギーが与えられることによ
り、前記ポリマに導電性を付与するドーパントを発生す
るドーパント前駆体とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、静電気放電や電磁
波障害等の障害から電子装置等を保護する膜を形成しう
る導電性樹脂組成物及びパターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】導電性ポリマは、有機物でありながら電
気導伝性を示すという特性を有する。このため、金属に
比べて導電層の形成及び除去が容易であることや可撓性
がある等の利点を生かし、電極材料や、配線材料、帯電
防止膜材料等の幅広い応用分野への適用が期待されてい
る。

【０００３】導電性ポリマを用いた導電性樹脂組成物と
しては、これまでに例えば次のようなものが提案されて
いる。

【０００４】特許第２６５７９５６号明細書には、ポリ
パラフェニレンビニリデンや、ポリアニリン、ポリアジ
ン、ポリピロール等と、光に曝露することによりドーパ
ントを発生するドーパント前駆体とを含む導電性ポリマ
組成物が開示されている。この導電性ポリマ組成物は、
光に曝露した領域が導電性を有すると同時に、非曝露領
域に比べて不溶性となるので、非曝露領域を溶媒に溶解
させて除去することができる。

【０００５】また、特開平１１−１７２１０３号公報に
は、ポリアニリン分子内に不飽和二重結合を有するスル
ホン酸基を含有する化合物が導入されたドープ状態のポ
リアニリン誘導体に、紫外線等の活性エネルギー線に反
応する光重合開始剤を添加した導電性樹脂組成物が開示
されている。この導電性樹脂組成物では、ドープ状態の
ポリアニリン自体が感光性を有する樹脂となっている。
また、ポアニリンのドーパントとして不飽和二重結合を
有するスルホン酸を含有する化合物を添加した導電性樹
脂組成物も開示されている。この場合は、光重合剤が混
合されることにより、ドーパント部分が感光性を有する
樹脂となっている。いずれの導電性樹脂組成物の場合
も、任意の形状に形成することができ、簡単に除去する
ことができる導電性樹脂膜を形成することができること
が記載されている。

【０００６】近年、電子装置や素子の小型化、高速化、
省エネルギー化に伴い、電子装置や電子素子等の構造の
微細化が進行している。このため、静電気放電（Electr
oStatic Discharge；ＥＳＤ）や電磁波障害（ElectroMa
gnetic Interference；ＥＭＩ）に対する電子装置等の
耐性の低下が懸念されている。

【０００７】このような電気、磁気的な障害から電子装
置等を保護する方法として、上述したような導電性樹脂
組成物を用いる方法が考えられる。すなわち、電子装置
等の表面に塗布して導電性樹脂膜を形成し、導電性樹脂
膜を所定の形状に形成して保護する。その後、ＥＳＤ、
ＥＭＩが起こる可能性が低減された時点で、表面に形成
した導電性樹脂膜を除去する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】特許第２６５７９５６
号明細書に開示された導電性樹脂組成物は、微細な形状
を形成できるという点においては優れていると考えられ
る。しかしながら、この導電性樹脂組成物により形成さ
れた導電性樹脂膜は、本質的に形成面との密着性が弱
く、洗浄プロセス等の際に容易に剥離してしまう可能性
が高いと考えられる。特に、機械的な摩擦が加わった場
合にその可能性が高い。

【０００９】一方、特開平１１−１７２１０３号公報に
開示された導電性樹脂組成物は、内部又は外部のドーパ
ントが感光性を担っている。このため、感光性樹脂とし
て最適化されているとはいえず、微細な形状を正確に形
成することができない。

【００１０】このように、従来の導電性樹脂組成物で
は、得られる樹脂膜の密着性や機械的強度が低かった
り、微細な形状を形成することが困難であった。このた
め、ＥＳＤ、ＥＭＩ等の電気、磁気的な障害から、微細
化された電子装置等を高い信頼度で保護することは困難
であると考えられる。

【００１１】本発明の目的は、微細な形状にパターニン
グすることができ、耐熱性、耐溶剤性、及び機械的強度
を有する導電性樹脂膜を形成しうる導電性樹脂組成物及
びパターン形成方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的は、光又は電子
線の照射により溶解性が変化する樹脂と、所定のドーパ
ントを添加することにより導電性を示すポリマと、エネ
ルギーが与えられることにより、前記ポリマに導電性を
付与するドーパントを発生するドーパント前駆体とを有
することを特徴とする導電性樹脂組成物により達成され
る。

【００１３】また、上記目的は、光又は電子線の照射に
より溶解性が変化する樹脂と、所定のドーパントを添加
することにより導電性を示すポリマと、前記ポリマに導
電性を付与するドーパントと、前記ポリマが凝集又は凝
固することを防止する凝集阻止剤とを有することを特徴
とする導電性樹脂組成物により達成される。

【００１４】また、上記目的は、上記の導電性樹脂組成
物を基板の表面に塗布する工程と、前記基板の表面上に
塗布した前記導電性樹脂組成物の所定の領域に、選択的
に光又は電子線を照射する工程と、前記基板の表面上の
前記導電性樹脂組成物のうち可溶化した領域を除去して
所定のパターンを有する導電性樹脂膜を形成する工程
と、前記導電性樹脂膜にエネルギーを与えることによ
り、前記導電性樹脂膜中の前記ドーパント前駆体から前
記ドーパントを発生させ、前記ポリマに導電性を付与す
る工程とを有することを特徴とするパターン形成方法に
より達成される。

【００１５】また、上記目的は、上記の導電性樹脂組成
物を基材の表面に塗布する工程と、前記基板の表面上に
塗布した前記導電性樹脂組成物の所定の領域に、選択的
に光又は電子線を照射する工程と、前記基板の表面上の
前記導電性樹脂組成物のうち可溶化した領域を除去して
所定のパターンを有する導電性樹脂膜を形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法により達成
される。

【００１６】

【発明の実施の形態】電子装置等をＥＳＤ、ＥＭＩから
保護する膜を形成するための導電性樹脂組成物には、以
下のような特性が要求される。

【００１７】第一に、電子装置等の構造の微細化に対応
するため、微細なパターンを形成することができること
が必要である。

【００１８】第二に、ＥＳＤ、ＥＭＩから電子装置等を
保護するために十分な導電性を有することが必要であ
る。

【００１９】第三に、機械的強度と耐溶剤性とを有し、
膜形成面との密着性が良好であることが必要である。電
子装置等の製造工程において洗浄プロセス等が存在する
場合、洗浄等の後に、形成した導電性樹脂膜が剥離した
り、その導電性が低下したりしない必要があるからであ
る。

【００２０】第四に、ある程度の耐熱性を有することが
必要である。電子装置等の製造工程において高温プロセ
スが存在する場合に、加熱処理後も、形成した導電性樹
脂膜が剥離したり、その導電性が低下したりしない必要
があるからである。

【００２１】第五に、導電性樹脂膜を形成した電子装置
等の表面を腐食しないことが必要である。

【００２２】第六に、導電性樹脂膜を形成することが容
易であるとともに、形成した導電性樹脂膜を除去するこ
とが容易であることが必要である。導電性樹脂膜の形成
及び除去プロセスが複雑であると、そのプロセスの間に
ＥＳＤ、ＥＭＩが起こり、電子装置等が破壊されてしま
う虞があるからである。

【００２３】本発明は、上述した特性を有する導電性樹
脂組成物を提供するべく、次のような指針に基づきなさ
れたものである。

【００２４】まず、導電性樹脂組成物の導電性を、ドー
パントを添加することにより導電性を示すポリマに担わ
せる。また、パターンの形成能を、光又は電子線が照射
されることにより溶解性が変化する樹脂に担わせる。こ
のパターン形成用樹脂には、膜形成面との密着性や、機
械的強度、耐熱性、耐溶剤性をも担わせる。さらに、上
述した必要とされる特性を満たすべく、その他の組成物
を決定する。

【００２５】すなわち、本発明による導電性樹脂組成物
は、光又は電子線の照射により溶解性が変化するパター
ン形成用樹脂と、所定のドーパントを添加することによ
り導電性を示すポリマと、エネルギーが与えられること
により、前記ポリマに導電性を付与するドーパントを発
生するドーパント前駆体とを有することに主たる特徴の
１つがある。

【００２６】また、本発明による導電性樹脂組成物は、
光又は電子線の照射により溶解性が変化するパターン形
成用樹脂と、所定のドーパントを添加することにより導
電性を示すポリマと、前記ポリマに導電性を付与するド
ーパントと、前記ポリマが凝集又は凝固することを防止
する凝集阻止剤とを有することに主たる特徴の１つがあ
る。

【００２７】以下に、本発明による導電性樹脂組成物の
各組成物について詳述する。

【００２８】ドーパントを添加することにより導電性を
示すポリマとしては、例えば、ポリアニリンや、ポリピ
ロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリパラフェニ
レン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチエニレンビ
ニレン、ポリイソチアナフテン、ポリアセチレン、或い
はこれらの誘導体等、いわゆる導電性高分子の範疇に含
まれる化合物を用いることができる。

【００２９】なお、これら化合物の中には、前駆体或い
はモノマ類の電解重合等の重合反応を行うことにより導
電性を示し、導電性を示す形では溶媒に溶解しないもの
がある。得られる導電性樹脂膜のパターンを形成するこ
とが容易であるという観点から、ドーパントを添加する
ことにより導電性を示すポリマとしては、導電性を示す
形で溶媒等に溶解するものであることが望ましい。例え
ば、ポリアニリン若しくはその誘導体又はそれらの混合
物が望ましい。

【００３０】また、上述のポリマに導電性を発現させる
ためには、ドーパントを添加する必要があるが、以下の
ような難点がある。

【００３１】溶媒に溶解するポリマであれば、導電性樹
脂組成物において、パターン形成用樹脂中に分子レベル
に近い状態で分散することができると考えられる。した
がって、溶媒に溶解するポリマによれば、金属フィラー
等の導電性担持体を混合する場合に比べて、少量の添加
で導電性樹脂組成物の導電性が発現されることが期待で
きる。

【００３２】しかしながら、溶媒に溶解するポリマにお
いても、溶解状態が不安定であり、ドーピング等により
容易に凝集、ゲル化する場合がある。

【００３３】ポリマの凝集が起こると、ポリマの凝集し
た部分は、金属フィラー類と同じ状態となってしまい、
結局、ポリマを多量に添加する必要が生ずる。また、凝
集粒子により光又は電子線が遮られ、樹脂膜をパターニ
ングする際の解像度の低下を招く。さらには、ゲル化が
起こると、保護すべき電子装置等の表面に導電性樹脂組
成物を塗布したり、コートすることができなくなってし
まう。

【００３４】上述したポリマのドーピング等による凝
集、ゲル化を抑制し、樹脂膜を形成した後に十分な導電
性を発現させる方法としては、例えば以下の２つの方法
が考えられる。

【００３５】第１の方法としては、熱や光等のエネルギ
ーが与えられることにより容易に外れるブロック部分が
結合したドーパント前駆体を導電性樹脂組成物に含有さ
せる。ドーパント前駆体は、ブロック部分が外れること
によりドーパントとなり、ポリマに導電性を発現させる
ものである。したがって、エネルギーを与える前の導電
性樹脂組成物の状態では、ポリマはドープされていない
ため、ポリマの凝集、ゲル化を抑制することができる。

【００３６】この場合は、次のようにしてポリマの導電
性を発現させることができる。すなわち、導電性樹脂組
成物を塗布して形成した樹脂膜をパターニングするとと
もに、或いはパターニング後に、光を照射したり加熱し
たりすることによりエネルギーを樹脂膜に与える。これ
により、ドーパント前駆体のブロック部分が外れ、ドー
パント前駆体がドーパントに変換される。こうして樹脂
膜中に発生したドーパントにより、ポリマに導電性が発
現される。

【００３７】ドーパント前駆体のドーパント部分として
は、例えば有機酸類を用いることができるが、形成する
樹脂膜の熱的安定性を考慮すると、加熱処理により容易
に揮発したり分解したりしない物質であることが望まし
い。ドーパント前駆体のドーパント部分として、例え
ば、ドデシルベンゼンスルホン酸や、ナフタレンスルホ
ン酸等のスルホン酸類或いはポリスルホン酸類とするこ
とができる。

【００３８】一方、ドーパント部分をブロックするブロ
ック部分としては、光を照射したり加熱したりすること
によりエネルギーを与えることによって容易に分解、揮
発して系から除去されるものであることが望ましい。ド
ーパント前駆体のブロック部分としては、例えば、アン
モニウムや、トリエチルアミン、ｎ−ブチルアミン等の
アミン類とすることができる。

【００３９】したがって、ドーパント前駆体としては、
例えば、スルホン酸類あるいはポリスルホン酸類のアン
モニウム塩若しくはアミン類の塩等を用いることができ
る。

【００４０】第２の方法としては、分子内にケトンや、
アミノ基、イミノ基等の極性部分と、アルキル基などの
非極性部分とを有する有機性液体、或いは液体の芳香族
化合物を導電性樹脂組成物に含有させる。このような液
体分子は、導電性有機樹脂組成物におけるポリマや、こ
れを溶解している溶媒に結合する。これにより、ドーピ
ング等を行った場合であっても、ポリマ分子同士が寄り
集まるのを防止することができる。この結果、ポリマの
凝集、ゲル化を防止することができる。分子内に極性部
分と非極性部分とを有する有機性液体としては、例えば
シクロヘキサノン等を用いることができる。液体の芳香
族化合物としては、トルエンやキシレン等を用いること
ができる。

【００４１】この場合のドーパントとしては、第１の方
法の場合と同様に、例えば有機酸類を用いることができ
るが、形成する樹脂膜の熱的安定性を考慮すると、加熱
処理により容易に揮発したり分解したりしない物質であ
ることが望ましい。ドーパントとして、例えば、ドデシ
ルベンゼンスルホン酸や、ナフタレンスルホン酸等のス
ルホン酸類或いはポリスルホン酸類とすることができ
る。

【００４２】本発明では、例えば上述した２つの方法に
より、ポリマのドーピング等による凝集、ゲル化を抑制
する。これにより、ドーパントを添加することにより導
電性を示すポリマを、導電性樹脂組成物に多量に含有さ
せることができ、より高い導電性を有する樹脂膜を形成
することが可能となる。さらに、導電性樹脂組成物を安
定な混合状態とすることができ、長期間にわたって、凝
集、ゲル化等が起こることなく安定した状態で導電性樹
脂組成物を保存することができる。

【００４３】また、本発明では、ドーパント前駆体のド
ーパント部分又はドーパントとして用いる有機酸に起因
する樹脂膜の腐食性を抑制するため、ドーパントを添加
することにより導電性を示すポリマと、ドーパント前駆
体又はドーパントの濃度及び組成比を決定する。

【００４４】本発明による導電性樹脂組成物における腐
食性を抑制する機構について、ドーパントを添加するこ
とにより導電性を示すポリマとしてポリアニリンを用
い、ドーパント前駆体のドーパント部分又はドーパント
としてスルホン酸類を用いる場合を例に説明する。

【００４５】スルホン酸は強い酸であるが、（ポリ）ア
ニリンも強い塩基性を有している。したがって、ポリア
ニリンをスルホン酸類でドープすることにより、同時に
スルホン酸が中和される。これにより、スルホン酸によ
る腐食性を抑制することができる。この場合、導電性樹
脂組成物において、アニリンユニット１に対してスルホ
ン酸ユニットが１を超えると、形成した樹脂膜は腐食性
を示すようになる。また、アニリンユニット１に対して
スルホン酸ユニットが１／６を下回ると、ポリアニリン
を十分にドープすることができず、樹脂膜の導電性が低
下してしまう。したがって、アニリンユニットに対する
スルホン酸ユニットの比を１／６〜１の範囲内に設定す
ることにより、導電性の低下を招くことなく、腐食性を
抑制することができる。

【００４６】このように、本発明では、ドーパント前駆
体のドーパント部分又はドーパントの有機酸ユニット
が、ドーパントを添加することにより導電性を示すポリ
マの塩基性ユニットにより十分に中和されるように、ポ
リマと、ドーパント前駆体又はドーパントの濃度及び組
成比を決定する。これにより、導電性樹脂組成物により
形成される樹脂膜の腐食性を抑制することができる。

【００４７】なお、本発明では、ドーパント前駆体又は
ドーパントを導電性樹脂組成物に含有させずに、樹脂膜
を形成した後に外部からドーピングを行う方法は、次の
理由から適用しない。まず、樹脂膜を形成する工程の数
が増大するからである。また、本発明による導電性樹脂
組成物により形成される導電性樹脂膜は、機械的強度、
耐熱性、及び耐溶剤性を有するため、外部からドーパン
トを膜内に浸透させることが困難であるからである。外
部からドーパントを膜内に浸透させようとすれば、非常
に低いｐＨ等の過激な条件が必要となり、樹脂膜を形成
した表面を腐食する虞があるからである。

【００４８】パターン形成用樹脂は、導電性樹脂組成物
のパターン形成能を担うものである。また、パターン形
成用樹脂は、膜形成面との密着性や、機械的強度、耐熱
性、耐溶剤性をも担うものである。

【００４９】パターン形成用樹脂としては、光又は電子
線が照射されることにより溶解性を変化する感光性樹脂
又は電子線感受性樹脂を用いることができる。パターン
形成用樹脂は、光又は電子線が照射された部分が不溶化
するネガ型、或いは光又は電子線が照射された部分が可
溶化するポジ型のいずれであってもよい。可溶化した部
分を現像液により溶出除去することにより、パターンを
形成することができる。

【００５０】パターン形成用樹脂としては、例えば、ポ
リエステルアクリレート系、ウレタンアクリレート系、
エポキシアクリレート系、ポリエーテルアクリレート
系、スピランアクリレート系、ポリブタジエンアクリレ
ート系等のアクリレート系樹脂や、メタクリレート系樹
脂、ノボラック樹脂類、ポリビニルフェノール樹脂、ポ
リ（メチルイソプロペニルケトン）樹脂、ポリグルタル
イミド樹脂、ポリ（オレフィンスルホン）樹脂、ポリイ
ミド系樹脂等を用いることができる。また、これら樹脂
の混合物或いはこれらの樹脂と他の樹脂との混合物を用
いることができる。

【００５１】なお、パターン形成用樹脂としては、得ら
れる導電性樹脂膜に必要とされる密着性や、耐熱性、耐
溶剤性、除去特性に応じて適宜選択することができる。

【００５２】また、得られる導電性樹脂膜の密着性や、
耐溶剤性、除去特性を調整する必要がある場合には、上
述した樹脂とその樹脂に適した硬化剤を組合わせてもよ
い。例えば、ポリエステルアクリレート樹脂と、ラクタ
ム類やオキシム類でブロックされたブロックドイソシア
ネート化合物とを組合わせてパターン形成用樹脂として
用いることができる。

【００５３】このように、本発明では、導電性樹脂組成
物のパターン形成能を、光又は電子線の照射により溶解
性が変化する光感光性樹脂又は電子線感受性樹脂に担わ
せるので、微細パターンを形成することができる。ま
た、また、導電性樹脂膜として必要とされる密着性や、
耐熱性、耐溶剤性、除去特性等の特性に応じてパターン
形成用樹脂の材料を適宜選択できるので、所望の特性を
有する導電性樹脂膜を形成することができる。

【００５４】次に、本発明による導電性樹脂組成物を用
いたパターン形成方法及び形成したパターンの除去方法
について説明する。

【００５５】まず、樹脂膜を形成して保護すべき電子装
置等の表面上に、本発明による導電性樹脂組成物を塗布
する。塗布方法としては、例えば、スピンコート法や、
バーコート法、ディップコート法等の種々の方法を用い
ることができる。

【００５６】次いで、導電性樹脂組成物におけるパター
ン形成用樹脂の特性に従い、プリベークやフィルムによ
る被覆等の処理を行う。

【００５７】次いで、電子装置等の表面上に塗布した導
電性樹脂組成物の所定の領域に、所定のパターンを有す
るマスクを介して、選択的に光又は電子線を照射する。

【００５８】次いで、導電性樹脂組成物の可溶化した領
域を現像液により溶出除去する。これにより、所定のパ
ターンを有する樹脂膜が形成される。

【００５９】次いで、必要に応じて、現像により所定の
パターンに形成された樹脂膜に対して、ポストベークや
乾燥処理を行う。

【００６０】ポリマに導電性を発現させるためにドーパ
ント前駆体を用いる場合には、光を照射したり加熱した
りすることによりエネルギーを与えることにより、樹脂
膜中のドーパント前駆体をドーパントに変換する。これ
により、所定のパターンに形成された樹脂膜に導電性が
発現される。

【００６１】なお、パターン形成用樹脂がネガ型の場合
は、パターン形成時の光又は電子線の照射により、同時
にドーパント前駆体をドーパントに変換することができ
る。

【００６２】こうして、本発明による導電性樹脂組成物
により所定のパターンを有する導電性樹脂膜が電子装置
等の表面上に形成される。

【００６３】また、上述のようにして形成された導電性
樹脂膜は、強い溶解力を有する溶媒の吹きつけ洗浄や、
強い溶解力を有する溶媒中での超音波洗浄により除去す
ることができる。導電性樹脂膜を除去するための溶媒と
しては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンや、ブチ
ルオクタン、プロピレンカーボネート、Ｎ−エチルピロ
リドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、トリメチルオキサ
ゾール、或いはこれらの混合物等を用いることができ
る。

【００６４】このような溶媒による吹きつけ洗浄等によ
り、必要に応じて、形成した導電性樹脂膜を十分に除去
することができる。これにより、樹脂膜を除去した後の
電子装置等の動作特性に影響を及ぼすことはない。

【００６５】

【実施例】［実施例１］化学重合法により作製した酸化
型脱ドープポリアニリンの２重量％のＮ−メチル−２−
ピロリドン溶液に、ドデシルベンゼンスルホン酸のアン
モニウム塩を２．５重量％（アニリンユニット：スルホ
ン酸ユニット＝１：１／３）を加え、混和した。この混
合物１重量部を、感光性ポリエステルアクリレート樹脂
（旭化成株式会社製）２重量部に加え、撹拌装置（商品
名ＭＸ−２０１、シンキー株式会社製）により３０秒間
攪拌した。こうして、導電性樹脂組成物を作製した。

【００６６】作製した導電性樹脂組成物を、金を蒸着し
たガラス基板上に間隔２０μｍのブレードにより塗布し
た。次いで、厚さ２０μｍのポリプロピレンフィルムで
全面を覆った。次いで、１０〜２００μｍのラインパタ
ーンを有する石英ガラスマスクを介して、３６５ｎｍに
中心波長を有する高圧水銀ランプの光を７００ｍＪ／ｃ
ｍ²で照射した。これにより、ガラス基板上に塗布した
導電性樹脂組成物を硬化させた。次いで、現像を行い、
１６０℃、３０分間の乾燥を行った。こうして、金を蒸
着したガラス基板上に、厚さ８μｍの樹脂膜を形成し
た。

【００６７】上述のようにして形成した樹脂膜のマスク
による解像パターンについては、幅６０μｍのラインパ
ターンを形成することができた。

【００６８】また、樹脂膜の体積抵抗率を測定した結
果、８×１０⁸Ωｃｍであった。この後、１６０℃、２
時間の加熱処理を行った後、同様に体積抵抗率を測定し
た結果、１×１０⁹Ωｃｍであった。なお、体積抵抗率
の測定には、ＴＲ−８４１１（株式会社アドバンテスト
製）を用いた。

【００６９】さらに、樹脂膜を形成したガラス基板を４
０℃の２−プロパノール中で２０分間超音波を印加し
た。次いで、６０℃、５分間の乾燥を行った後、１ｍｍ
間隔で１０×１０個のクロスカットを樹脂膜に入れ、テ
ープによる引き剥がし試験を行った。この結果、クロス
カットを入れた樹脂膜の残存率は９９／１００であっ
た。

【００７０】さらに、この基板を６０℃のＮ−メチル−
２−ピロリドン中で２０分間の超音波洗浄を行った結
果、樹脂膜は基板上から膨潤剥離した。樹脂膜が剥離し
たガラス基板の金蒸着面を高感度反射ＦＴ−ＩＲにより
測定した結果、ポリエステル樹脂に特徴的な１７３０ｃ
ｍ^-1にはピークが観察されなかった。

【００７１】［比較例１］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの２重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液にドデシルベンゼンスルホン酸を２．
４重量％（アニリンユニット：スルホン酸ユニット＝
１：１／３）を加え、混和した。この結果、目視で確認
できる凝集粒子が観察された。また、この混合物は２４
時間後にゲル化し、塗布等が不可能となった。

【００７２】この混合物１重量部を、感光性ポリエステ
ルアクリレート樹脂（旭化成株式会社製）２重量部に加
え、撹拌装置（商品名ＭＸ−２０１、シンキー株式会社
製）により３０秒間攪拌した。こうして作製した導電性
樹脂組成物においても凝集粒子が生じた。また、この導
電性樹脂組成物は、８時間後にゲル化し、塗布等が不可
能となった。

【００７３】［実施例２］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの２重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液に、ドデシルベンゼンスルホン酸のア
ンモニウム塩を２．５重量％（アニリンユニット：スル
ホン酸ユニット＝１：１／３）を加え、混和した。この
混合物１重量部を、感光性ポリウレタンアクリレート樹
脂（ダイセルユービーシー株式会社製）２重量部に加
え、撹拌装置（商品名ＭＸ−２０１、シンキー株式会社
製）により３０秒間攪拌した。こうして、実施例１にお
ける感光性ポリエステルアクリレート樹脂の代わりに感
光性ポリウレタンアクリレート樹脂を用いた以外は、実
施例１と同様にして導電性樹脂組成物を作製した。

【００７４】作製した導電性樹脂組成物を、金を蒸着し
たガラス基板上に間隔３０μｍのブレードにより塗布し
た。次いで、厚さ２０μｍのポリプロピレンフィルムで
全面を覆った。次いで、１０〜２００μｍのラインパタ
ーンを有する石英ガラスマスクを介して、３６５ｎｍに
中心波長を有する高圧水銀ランプの光を６００ｍＪ／ｃ
ｍ²で照射した。これにより、ガラス基板上に塗布した
導電性樹脂組成物を硬化させた。次いで、現像を行い、
１６０℃、２０分間の乾燥を行った。こうして、金を蒸
着したガラス基板上に、厚さ９μｍの樹脂膜を形成し
た。

【００７５】上述のようにして形成した樹脂膜のマスク
による解像パターンについては、幅５０μｍのラインパ
ターンを形成することができた。

【００７６】また、樹脂膜の体積抵抗率を測定した結
果、１×１０⁹Ωｃｍであった。この後、１６０℃、２
時間の加熱処理を行った後、同様に体積抵抗率を測定し
た結果、３×１０⁹Ωｃｍであった。なお、体積抵抗率
の測定には、ＴＲ−８４１１（株式会社アドバンテスト
製）を用いた。

【００７７】さらに、樹脂膜を形成したガラス基板に対
し、４０℃の２−プロパノール中で２０分間超音波を印
加した。次いで、６０℃、５分間の乾燥を行った後、１
ｍｍ間隔で１０×１０個のクロスカットを樹脂膜に入
れ、テープによる引き剥がし試験を行った。この結果、
クロスカットを入れた樹脂膜の残存率は９５／１００で
あった。

【００７８】［実施例３］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの２重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液に、ドデシルベンゼンスルホン酸のア
ンモニウム塩を２．５重量％（アニリンユニット：スル
ホン酸ユニット＝１：１／３）を加え、混和した。この
混合物１重量部を、感光性ポリアクリレート樹脂（東京
応化工業株式会社製）２重量部に加え、撹拌装置（商品
名ＭＸ−２０１、シンキー株式会社製）により３０秒間
攪拌した。こうして、導電性樹脂組成物を作製した。

【００７９】作製した導電性樹脂組成物を、金を蒸着し
たガラス基板上に間隔３０μｍのブレードにより塗布し
た。次いで、厚さ２０μｍのポリプロピレンフィルムで
全面を覆った。次いで、１０〜２００μｍのラインパタ
ーンを有する石英ガラスマスクを介して、３６５ｎｍに
中心波長を有する高圧水銀ランプの光を３５０ｍＪ／ｃ
ｍ²で照射した。これにより、ガラス基板上に塗布した
導電性樹脂組成物を硬化させた。次いで、現像を行い、
１６０℃、３０分間の乾燥を行った。こうして、金を蒸
着したガラス基板上に、厚さ６μｍの樹脂膜を形成し
た。

【００８０】上述のようにして形成した樹脂膜のマスク
による解像パターンについては、幅６０μｍのラインパ
ターンを形成することができた。

【００８１】また、樹脂膜の体積抵抗率を測定した結
果、２×１０⁹Ωｃｍであった。この後、１６０℃、２
時間の加熱処理を行った後、同様に体積抵抗率を測定し
た結果、加熱前と変化なく、３×１０⁹Ωｃｍであっ
た。なお、体積抵抗率の測定には、ＴＲ−８４１１（株
式会社アドバンテスト製）を用いた。

【００８２】さらに、樹脂膜を形成したガラス基板に対
し、４０℃の２−プロパノール中で２０分間超音波を印
加した。次いで、６０℃、５分間の乾燥を行った後、１
ｍｍ間隔で１０×１０個のクロスカットを樹脂膜に入
れ、テープによる引き剥がし試験を行った。この結果、
クロスカットを入れた樹脂膜の残存率は９８／１００で
あった。

【００８３】［実施例４］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの５重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液１重量部にシクロヘキサノン１重量部
を加え、混和した。このシクロヘキサノン混合物に、ド
デシルベンゼンスルホン酸を３重量％（アニリンユニッ
ト：スルホン酸ユニット＝１：１／３）を加え、混和し
た。さらに、この混合物２重量部を、感光性ポリエステ
ルアクリレート樹脂（旭化成株式会社製）５重量部に加
え、撹拌装置（商品名ＭＸ−２０１、シンキー株式会社
製）により３０秒間攪拌した。こうして、導電性樹脂組
成物を作製した。

【００８４】作製した導電性樹脂組成物を、金を蒸着し
たガラス基板上に間隔２０μｍのブレードにより塗布し
た。次いで、厚さ２０μｍのポリプロピレンフィルムで
全面を覆った。次いで、１０〜２００μｍのラインパタ
ーンを有する石英ガラスマスクを介して、３６５ｎｍに
中心波長を有する高圧水銀ランプの光を３５０ｍＪ／ｃ
ｍ²で照射した。これにより、ガラス基板上に塗布した
導電性樹脂組成物を硬化させた。次いで、現像を行い、
１６０℃、３０分間の乾燥を行った。こうして、金を蒸
着したガラス基板上に、厚さ７μｍの樹脂膜を形成し
た。

【００８５】上述のようにして形成した樹脂膜のマスク
による解像パターンについては、幅７０μｍのラインパ
ターンを形成することができた。

【００８６】また、樹脂膜の体積抵抗率を測定した結
果、８×１０⁸Ωｃｍであった。この後、１６０℃、２
時間の加熱処理を行った後、同様に体積抵抗率を測定し
た結果、２×１０⁹Ωｃｍであった。なお、体積抵抗率
の測定には、ＴＲ−８４１１（株式会社アドバンテスト
製）を用いた。

【００８７】さらに、樹脂膜を形成したガラス基板に対
し、４０℃の２−プロパノール中で２０分間超音波を印
加した。次いで、６０℃、５分間の乾燥を行った後、１
ｍｍ間隔で１０×１０個のクロスカットを樹脂膜に入
れ、テープによる引き剥がし試験を行った。この結果、
クロスカットを入れた樹脂膜の残存率は９８／１００で
あった。

【００８８】さらに、この基板を６０℃のＮ−メチル−
２−ピロリドン中で２０分間の超音波洗浄を行った結
果、樹脂膜は基板上から膨潤剥離した。樹脂膜が剥離し
たガラス基板の金蒸着面を高感度反射ＦＴ−ＩＲにより
測定した結果、ポリエステル樹脂に特徴的な１７３０ｃ
ｍ^-1にはピークが観察されなかった。

【００８９】また、導電性樹脂組成物を遮光環境中で保
存したところ、作製から３ヶ月後においても凝集や凝固
などはみられず、作製時と同様の特性を示した。

【００９０】［実施例５］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの５重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液１重量部にキシレン１重量部を加え、
混和した。このキシレン混合物に、ドデシルベンゼンス
ルホン酸を３重量％（アニリンユニット：スルホン酸ユ
ニット＝１：１／３）を加え、混和した。さらに、この
混合物２重量部を、感光性ポリエステルアクリレート樹
脂（旭化成株式会社製）５重量部に加え、撹拌装置（商
品名ＭＸ−２０１、シンキー株式会社製）により３０秒
間攪拌した。こうして、実施例４におけるシクロヘキサ
ノンの代わりにキシレンを用いた以外は実施例４と同様
にして、導電性樹脂組成物を作製した。

【００９１】作製した導電性樹脂組成物を用いて、実施
例４と同様の方法により、金を蒸着したガラス基板上
に、厚さ８μｍの樹脂膜を形成した。形成した樹脂膜の
マスクによる解像パターンについては、幅１００μｍの
ラインパターンを形成することができた。

【００９２】また、樹脂膜の体積抵抗率を測定した結
果、３×１０⁹Ωｃｍであった。この後、１６０℃、２
時間の加熱処理を行った後、同様に体積抵抗率を測定し
た結果、８×１０⁹Ωｃｍであった。なお、体積抵抗率
の測定には、ＴＲ−８４１１（株式会社アドバンテスト
製）を用いた。

【００９３】さらに、樹脂膜を形成したガラス基板に対
し、４０℃の２−プロパノール中で２０分間超音波を印
加した。次いで、６０℃、５分間の乾燥を行った後、１
ｍｍ間隔で１０×１０個のクロスカットを樹脂膜に入
れ、テープによる引き剥がし試験を行った。この結果、
クロスカットを入れた樹脂膜の残存率は９５／１００で
あった。

【００９４】また、導電性樹脂組成物を遮光環境中で保
存したところ、作製から３ヶ月後においても凝集や凝固
などはみられず、作製時と同様の特性を示した。

【００９５】［実施例６］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの５重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液１重量部にシクロヘキサノン１重量部
を加え、混和した。このシクロヘキサノン混合物に、ド
デシルベンゼンスルホン酸を３重量％（アニリンユニッ
ト：スルホン酸ユニット＝１：１／３）を加え、混和し
た。さらに、この混合物２重量部と、オキシムブロック
ドイソシアネート（ヒュルス・ジャパン株式会社製）の
２０重量％のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液０．２５
重量部とを、感光性ポリエステルアクリレート樹脂（旭
化成株式会社製）５重量部に加え、撹拌装置（商品名Ｍ
Ｘ−２０１、シンキー株式会社製）により３０秒間攪拌
した。こうして、導電性樹脂組成物を作製した。

【００９６】作製した導電性樹脂組成物を用いて、実施
例４と同様の方法により、金を蒸着したガラス基板上
に、厚さ７μｍの樹脂膜を形成した。形成した樹脂膜の
マスクによる解像パターンについては、幅７０μｍのラ
インパターンを形成することができた。

【００９７】また、樹脂膜の体積抵抗率を測定した結
果、７×１０⁸Ωｃｍであった。この後、１６０℃、２
時間の加熱処理を行った後、同様に体積抵抗率を測定し
た結果、１×１０⁹Ωｃｍであった。

【００９８】さらに、樹脂膜を形成したガラス基板に対
し、４０℃の２−プロパノール中で２０分間超音波を印
加した。次いで、６０℃、５分間の乾燥を行った後、１
ｍｍ間隔で１０×１０個のクロスカットを樹脂膜に入
れ、テープによる引き剥がし試験を行った。この結果、
クロスカットを入れた樹脂膜の残存率は１００／１００
であった。

【００９９】さらに、この基板を６０℃のＮ−メチル−
２−ピロリドン中で２０分間の超音波洗浄を行った結
果、樹脂膜は基板上から膨潤剥離した。樹脂膜が剥離し
たガラス基板の金蒸着面を高感度反射ＦＴ−ＩＲにより
測定した結果、ポリエステル樹脂に特徴的な１７３０ｃ
ｍ^-1にはピークが観察されなかった。

【０１００】また、導電性樹脂組成物を遮光環境中で保
存したところ、作製から３ヶ月後においても凝集や凝固
などはみられず、作製時と同様の特性を示した。

【０１０１】［実施例７］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの５重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液１重量部にシクロヘキサノン１重量部
を加え、混和した。このシクロヘキサノン混合物に、ド
デシルベンゼンスルホン酸を１．５重量％（アニリンユ
ニット：スルホン酸ユニット＝１：１／６）を加え、混
和した。さらに、この混合物２重量部を、感光性ポリエ
ステルアクリレート樹脂（旭化成株式会社製）５重量部
に加え、撹拌装置（商品名ＭＸ−２０１、シンキー株式
会社製）により３０秒間攪拌した。こうして、実施例４
におけるドデシルベンゼンスルホン酸を１．５重量％と
した以外は実施例４と同様にして、導電性樹脂組成物を
作製した。

【０１０２】作製した導電性樹脂組成物を用いて、実施
例４と同様の方法により、一般用冷間圧延鋼板（ＳＰＣ
Ｃ板）上に樹脂膜を形成した。

【０１０３】樹脂膜を形成したＳＰＣＣ板を、５０℃、
８０％ＲＨ（Relataive Humidity）環境下で１週間保存
した後、ＳＰＣＣ板表面を調査した。この結果、ＳＰＣ
Ｃ板表面上には、腐食の痕は観察されなかった。

【０１０４】また、作製した導電性樹脂組成物を用い
て、実施例４と同様の方法により、金を蒸着したガラス
基板上に樹脂膜を形成した。形成した樹脂膜の体積抵抗
率は、１×１０⁹Ωｃｍであった。

【０１０５】［実施例８］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの５重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液１重量部にシクロヘキサノン１重量部
を加え、混和した。このシクロヘキサノン混合物に、ド
デシルベンゼンスルホン酸を９重量％（アニリンユニッ
ト：スルホン酸ユニット＝１：１）を加え、混和した。
さらに、この混合物２重量部を、感光性ポリエステルア
クリレート樹脂（旭化成株式会社製）５重量部に加え、
撹拌装置（商品名ＭＸ−２０１、シンキー株式会社製）
により３０秒間攪拌した。こうして、実施例４における
ドデシルベンゼンスルホン酸を９重量％とした以外は実
施例４と同様にして、導電性樹脂組成物を作製した。

【０１０６】作製した導電性樹脂組成物を用いて、実施
例４と同様の方法により、ＳＰＣＣ板上に樹脂膜を形成
した。

【０１０７】樹脂膜を形成したＳＰＣＣ板を、５０℃、
８０％ＲＨ環境下で１週間保存した後、ＳＰＣＣ板表面
を調査した。この結果、ＳＰＣＣ板表面上には、腐食の
痕は観察されなかった。

【０１０８】また、作製した導電性樹脂組成物を用い
て、実施例４と同様の方法により、金を蒸着したガラス
基板上に樹脂膜を形成した。形成した樹脂膜の体積抵抗
率は、３×１０⁸Ωｃｍであった。

【０１０９】［比較例２］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの５重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液１重量部にシクロヘキサノン１重量部
を加え、混和した。このシクロヘキサノン混合物に、ド
デシルベンゼンスルホン酸を０．９重量％（アニリンユ
ニット：スルホン酸ユニット＝１：１／１０）を加え、
混和した。さらに、この混合物２重量部を、感光性ポリ
エステルアクリレート樹脂（旭化成株式会社製）５重量
部に加え、撹拌装置（商品名ＭＸ−２０１、シンキー株
式会社製）により３０秒間攪拌した。こうして、実施例
４におけるドデシルベンゼンスルホン酸を０．９重量％
とした以外は実施例４と同様にして、導電性樹脂組成物
を作製した。

【０１１０】作製した導電性樹脂組成物を用いて、実施
例４と同様の方法により、ＳＰＣＣ板上に樹脂膜を形成
した。

【０１１１】樹脂膜を形成したＳＰＣＣ板を、５０℃、
８０％ＲＨ環境下で１週間保存した後、ＳＰＣＣ板表面
を調査した。この結果、ＳＰＣＣ板表面上には、腐食の
痕は観察されなかった。

【０１１２】また、作製した導電性樹脂組成物を用い
て、実施例４と同様の方法により、金を蒸着したガラス
基板上に樹脂膜を形成した。形成した樹脂膜の体積抵抗
率は、２×１０¹³Ωｃｍであった。

【０１１３】［比較例３］化学重合法により作製した酸
化型脱ドープポリアニリンの５重量％のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液１重量部にシクロヘキサノン１重量部
を加え、混和した。このシクロヘキサノン混合物に、ド
デシルベンゼンスルホン酸を１３．５重量％（アニリン
ユニット：スルホン酸ユニット＝１：１．５）を加え、
混和した。さらに、この混合物２重量部を、感光性ポリ
エステルアクリレート樹脂（旭化成株式会社製）５重量
部に加え、撹拌装置（商品名ＭＸ−２０１、シンキー株
式会社製）により３０秒間攪拌した。こうして、実施例
４におけるドデシルベンゼンスルホン酸を１３．５重量
％とした以外は実施例４と同様にして、導電性樹脂組成
物を作製した。

【０１１４】作製した導電性樹脂組成物を用いて、実施
例４と同様の方法により、ＳＰＣＣ板上に樹脂膜を形成
した。

【０１１５】樹脂膜を形成したＳＰＣＣ板を、５０℃、
８０％ＲＨ環境下で１週間保存した後、ＳＰＣＣ板表面
を調査した。この結果、樹脂膜の下のＳＰＣＣ板表面が
腐食していた。

【０１１６】また、作製した導電性樹脂組成物を用い
て、実施例４と同様の方法により、金を蒸着したガラス
基板上に樹脂膜を形成した。形成した樹脂膜の体積抵抗
率は、１×１０⁸Ωｃｍであった。

【０１１７】以上詳述したように、本発明による導電性
樹脂組成物及びパターン形成方法の特徴をまとめると以
下の通りとなる。

【０１１８】（付記１） 光又は電子線の照射により溶
解性が変化する樹脂と、所定のドーパントを添加するこ
とにより導電性を示すポリマと、エネルギーが与えられ
ることにより、前記ポリマに導電性を付与するドーパン
トを発生するドーパント前駆体とを有することを特徴と
する導電性樹脂組成物。

【０１１９】（付記２） 付記１記載の導電性樹脂組成
物において、前記ドーパント前駆体は、スルホン酸類若
しくはポリスルホン酸類のアンモニウム塩又はアミン類
の塩であることを特徴とする導電性樹脂組成物。

【０１２０】（付記３） 光又は電子線の照射により溶
解性が変化する樹脂と、所定のドーパントを添加するこ
とにより導電性を示すポリマと、前記ポリマに導電性を
付与するドーパントと、前記ポリマが凝集又は凝固する
ことを防止する凝集阻止剤とを有することを特徴とする
導電性樹脂組成物。

【０１２１】（付記４） 付記３記載の導電性樹脂組成
物において、前記凝集阻止剤は、分子内に極性部分と非
極性部分とを有する有機化合物からなる液体又は芳香族
化合物からなる液体であることを特徴とする導電性樹脂
組成物。

【０１２２】（付記５） 付記３又は４記載の導電性樹
脂組成物において、前記ドーパントは、スルホン酸類若
しくはポリスルホン酸類であることを特徴とする導電性
樹脂組成物。

【０１２３】（付記６） 付記１乃至５のいずれかに記
載の導電性樹脂組成物において、前記ポリマは、ポリア
ニリン、ポリアニリン誘導体、及びこれらの混合物から
なる群から選ばれる一のポリマであることを特徴とする
導電性樹脂組成物。

【０１２４】（付記７） 付記１記載の導電性樹脂組成
物において、前記ポリマは、ポリアニリン、ポリアニリ
ン誘導体、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる
一のポリマであり、前記ドーパント前駆体は、スルホン
酸類若しくはポリスルホン酸類のアンモニウム塩又はア
ミン類の塩であり、前記ポリマのアニリンユニットに対
する前記ドーパント前駆体のスルホン酸ユニットの比
が、１／６〜１の範囲内にあることを特徴とする導電性
樹脂組成物。

【０１２５】（付記８） 付記３又は４記載の導電性樹
脂組成物において、前記ポリマは、ポリアニリン、ポリ
アニリン誘導体、及びこれらの混合物からなる群から選
ばれる一のポリマであり、前記ドーパントは、スルホン
酸類又はポリスルホン酸類であり、前記ポリマのアニリ
ンユニットに対する前記ドーパント前駆体のスルホン酸
ユニットの比が、１／６〜１の範囲内にあることを特徴
とする導電性樹脂組成物。

【０１２６】（付記９） 付記１乃至８のいずれかに記
載の導電性樹脂組成物において、前記樹脂は、アクリレ
ート系樹脂、メタクリレート系樹脂、ノボラック樹脂、
ポリビニルフェノール樹脂、ポリ（メチルイソプロペニ
ルケトン）樹脂、ポリグルタルイミド樹脂、ポリ（オレ
フィンスルホン）樹脂、ポリイミド系樹脂、及びこれら
の樹脂の混合物、並びにこれらの樹脂又は混合物と他の
樹脂との混合物からなる群から選ばれる一の樹脂である
ことを特徴とする導電性樹脂組成物。

【０１２７】（付記１０） 付記１記載の導電性樹脂組
成物を基板の表面に塗布する工程と、前記基板の表面上
に塗布した前記導電性樹脂組成物の所定の領域に、選択
的に光又は電子線を照射する工程と、前記基板の表面上
の前記導電性樹脂組成物のうち可溶化した領域を除去し
て所定のパターンを有する導電性樹脂膜を形成する工程
と、前記導電性樹脂膜にエネルギーを与えることによ
り、前記導電性樹脂膜中の前記ドーパント前駆体から前
記ドーパントを発生させ、前記ポリマに導電性を付与す
る工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。

【０１２８】（付記１１） 付記３記載の導電性樹脂組
成物を基材の表面に塗布する工程と、前記基板の表面上
に塗布した前記導電性樹脂組成物の所定の領域に、選択
的に光又は電子線を照射する工程と、前記基板の表面上
の前記導電性樹脂組成物のうち可溶化した領域を除去し
て所定のパターンを有する導電性樹脂膜を形成する工程
とを有することを特徴とするパターン形成方法。

【０１２９】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、導電性樹
脂組成物のパターン形成能を、光又は電子線が照射され
ることにより溶解性を変化する光感光性樹脂又は電子線
感受性樹脂に担わせるので、微細パターンを形成するこ
とができる。

【０１３０】また、本発明によれば、導電性樹脂膜とし
て必要とされる特性に応じて、パターン形成用樹脂の材
料を適宜選択できるので、所望の特性を有する導電性樹
脂膜を形成することができる。

【０１３１】また、本発明によれば、導電性樹脂組成物
の導電性を、ドーパントを添加することにより導電性を
示すポリマに担わせ、ポリマの導電性を発現させるため
にドーパント前駆体を用いるので、ポリマの凝集、ゲル
化を防止することができる。また、ドーパントを用いて
ポリマの導電性を発現させる場合には、ポリマの凝集を
阻止する凝集阻止剤を用いるので、同様に、ポリマの凝
集、ゲル化を防止することができる。これにより、導電
性樹脂組成物におけるポリマの含有量を多くすることが
でき、より高い導電性を有する樹脂膜を形成することが
できる。また、特性を変化することなく長期間保存する
ことができる導電性樹脂組成物を提供することができ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿久津 智 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 皆川 厚紀 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 BE01W BE05W BG04W BL02W BM00X CC04W CD19W CE00X CF21W CH00W CK02W CM01X CM02X CM04W CN01X CN03W EV236 5G301 DA28 DA42 DD01 5G323 CA04

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光又は電子線の照射により溶解性が変化
   する樹脂と、 所定のドーパントを添加することにより導電性を示すポ
   リマと、 エネルギーが与えられることにより、前記ポリマに導電
   性を付与するドーパントを発生するドーパント前駆体と
   を有することを特徴とする導電性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 光又は電子線の照射により溶解性が変化
   する樹脂と、 所定のドーパントを添加することにより導電性を示すポ
   リマと、 前記ポリマに導電性を付与するドーパントと、 前記ポリマが凝集又は凝固することを防止する凝集阻止
   剤とを有することを特徴とする導電性樹脂組成物。
3. 【請求項３】 請求項２記載の導電性樹脂組成物におい
   て、 前記凝集阻止剤は、分子内に極性部分と非極性部分とを
   有する有機化合物からなる液体又は芳香族化合物からな
   る液体であることを特徴とする導電性樹脂組成物。
4. 【請求項４】 請求項１記載の導電性樹脂組成物を基板
   の表面に塗布する工程と、 前記基板の表面上に塗布した前記導電性樹脂組成物の所
   定の領域に、選択的に光又は電子線を照射する工程と、 前記基板の表面上の前記導電性樹脂組成物のうち可溶化
   した領域を除去して所定のパターンを有する導電性樹脂
   膜を形成する工程と、 前記導電性樹脂膜にエネルギーを与えることにより、前
   記導電性樹脂膜中の前記ドーパント前駆体から前記ドー
   パントを発生させ、前記ポリマに導電性を付与する工程
   とを有することを特徴とするパターン形成方法。
5. 【請求項５】 請求項２又は３記載の導電性樹脂組成物
   を基材の表面に塗布する工程と、 前記基板の表面上に塗布した前記導電性樹脂組成物の所
   定の領域に、選択的に光又は電子線を照射する工程と、 前記基板の表面上の前記導電性樹脂組成物のうち可溶化
   した領域を除去して所定のパターンを有する導電性樹脂
   膜を形成する工程とを有することを特徴とするパターン
   形成方法。