JP2003204223A - ２端子対高周波発振器 - Google Patents
２端子対高周波発振器Info
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/147—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a stripline resonator
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】インピーダンスの整合を含めた各種の回路設計
及び高出力化を容易にして生産性を高める高周波発振器
を提供する。 【構成】中央の信号線と両側の接地導体とからなる有限
長としたコプレーナライン型の共振回路を基板の一主面
に形成し、前記コプレーナラインの信号線と接地導体に
２端子対の負性抵抗体を接続し、前記基板の他主面に前
記コプレーナラインと電磁結合した出力線としてのマイ
クロストリップラインを形成した構成とする。
及び高出力化を容易にして生産性を高める高周波発振器
を提供する。 【構成】中央の信号線と両側の接地導体とからなる有限
長としたコプレーナライン型の共振回路を基板の一主面
に形成し、前記コプレーナラインの信号線と接地導体に
２端子対の負性抵抗体を接続し、前記基板の他主面に前
記コプレーナラインと電磁結合した出力線としてのマイ
クロストリップラインを形成した構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波やミリ
波帯の高周波発振器を産業上の技術分野とし、特にコプ
レーナライン（ＣＰＷとする）型の平面共振回路を用い
た高周波発振器に関する。
波帯の高周波発振器を産業上の技術分野とし、特にコプ
レーナライン（ＣＰＷとする）型の平面共振回路を用い
た高周波発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】（発明の背景）マイクロ波・ミリ波帯の
高周波発振器は高速・高周波装置の心臓部として、性能
的にもコスト的にも重要な位置付けにある。このような
ものの一つに、マイクロストリップライン（ＭＳＬとす
る）型の平面共振回路（ＭＳＬ共振回路とする）を用い
たものがある。
高周波発振器は高速・高周波装置の心臓部として、性能
的にもコスト的にも重要な位置付けにある。このような
ものの一つに、マイクロストリップライン（ＭＳＬとす
る）型の平面共振回路（ＭＳＬ共振回路とする）を用い
たものがある。
【０００３】（従来技術の一例）第１７図はこの種の一
従来例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平
面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。高周波発振器
は、ＭＳＬ共振回路１と２端子対の負性抵抗体（発振素
子）としての例えばガンダイオード２とからなる。ＭＳ
Ｌ共振回路１は、誘電体等からなる基板３の一主面に円
形状の回路導体１Ａを形成し、他主面に接地導体４を設
けてなる。ガンダイオード２は、ＭＳＬ共振回路１の一
端外周（左端）から延出した整合線路５に一端側を接続
し、他端側を図示しないビアホールによって接地導体４
に接続する。そして、ＭＳＬからなる出力線６をＭＳＬ
共振回路１の他端外周（右端）に接続するとともに、出
力線６には容量性の整合線路５を設けてなる。
従来例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平
面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。高周波発振器
は、ＭＳＬ共振回路１と２端子対の負性抵抗体（発振素
子）としての例えばガンダイオード２とからなる。ＭＳ
Ｌ共振回路１は、誘電体等からなる基板３の一主面に円
形状の回路導体１Ａを形成し、他主面に接地導体４を設
けてなる。ガンダイオード２は、ＭＳＬ共振回路１の一
端外周（左端）から延出した整合線路５に一端側を接続
し、他端側を図示しないビアホールによって接地導体４
に接続する。そして、ＭＳＬからなる出力線６をＭＳＬ
共振回路１の他端外周（右端）に接続するとともに、出
力線６には容量性の整合線路５を設けてなる。
【０００４】このようなものでは、ガンダイオード２は
ＭＳＬ共振回路１の共振周波数領域で負性抵抗を示す。
そして、ＭＳＬ共振回路１に電力を供給することから、
共振状態を維持即ち発振する。発振周波数は、概ね、回
路導体１Ａの大きさ及び基板３の誘電率によって決定さ
れるＭＳＬ共振回路１の共振周波数に依存する。なお、
ガンダイオード２のような個別素子（ディスクリート素
子）は比較的低価格であるので、特にミリ波帯等での発
振素子として大いに期待される。
ＭＳＬ共振回路１の共振周波数領域で負性抵抗を示す。
そして、ＭＳＬ共振回路１に電力を供給することから、
共振状態を維持即ち発振する。発振周波数は、概ね、回
路導体１Ａの大きさ及び基板３の誘電率によって決定さ
れるＭＳＬ共振回路１の共振周波数に依存する。なお、
ガンダイオード２のような個別素子（ディスクリート素
子）は比較的低価格であるので、特にミリ波帯等での発
振素子として大いに期待される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の高周波発振器では、ガンダイ
オード２等の負性抵抗体はインピーダンスが比較的小さ
く、これに対してＭＳＬ共振回路１はインピーダンスが
高いため、例えば整合線路５による両者のインピーダン
ス整合が一般に困難となる。また、ガンダイオード２の
高周波接地のためには基板３にビアホール工程が必要で
あり、特に高周波になる程、ビアホールのリアクタンス
（寄生成分）に起因する特性劣化例えば回路損失に伴う
発振出力（電力）の低下が発生する。そして、生産性の
向上を阻害する問題があった。
しかしながら、上記構成の高周波発振器では、ガンダイ
オード２等の負性抵抗体はインピーダンスが比較的小さ
く、これに対してＭＳＬ共振回路１はインピーダンスが
高いため、例えば整合線路５による両者のインピーダン
ス整合が一般に困難となる。また、ガンダイオード２の
高周波接地のためには基板３にビアホール工程が必要で
あり、特に高周波になる程、ビアホールのリアクタンス
（寄生成分）に起因する特性劣化例えば回路損失に伴う
発振出力（電力）の低下が発生する。そして、生産性の
向上を阻害する問題があった。
【０００６】このことから、例えばＭＳＬ共振回路１の
高次モード（ＴＭ２１）を利用し、第１８図に示したよ
うに幾何学的な対称点である同電位点に複数のガンダイ
オード２を接続して発振出力を合成したものがある。し
かし、この場合においても、ビアホールによる回路損失
に起因して電力の合成効率が悪い。
高次モード（ＴＭ２１）を利用し、第１８図に示したよ
うに幾何学的な対称点である同電位点に複数のガンダイ
オード２を接続して発振出力を合成したものがある。し
かし、この場合においても、ビアホールによる回路損失
に起因して電力の合成効率が悪い。
【０００７】（発明の目的）本発明は、インピーダンス
の整合を含めた各種の回路設計及び高出力化を容易にし
て生産性を高める高周波発振器を提供することを目的と
する。
の整合を含めた各種の回路設計及び高出力化を容易にし
て生産性を高める高周波発振器を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】（着目点）本発明では、
上述した従来技術の問題が基板の一主面に回路導体（信
号線）を他主面に接地導体を有するＭＳＬ共振回路に起
因することから、信号線と接地導体４を同一主面に有す
るＣＰＷ型の平面共振回路（ＣＰＷ共振回路とする）に
着目した。
上述した従来技術の問題が基板の一主面に回路導体（信
号線）を他主面に接地導体を有するＭＳＬ共振回路に起
因することから、信号線と接地導体４を同一主面に有す
るＣＰＷ型の平面共振回路（ＣＰＷ共振回路とする）に
着目した。
【０００９】（解決手段、請求項１）本発明は、中央の
信号線と両側の接地導体とからなる有限長としたコプレ
ーナライン型の共振回路を基板の一主面に形成し、前記
コプレーナラインの信号線と接地導体に２端子対の負性
抵抗体を接続し、前記基板の他主面に前記コプレーナラ
インと電磁結合した出力線としてのマイクロストリップ
ラインを形成したことを基本的な解決手段とする。
信号線と両側の接地導体とからなる有限長としたコプレ
ーナライン型の共振回路を基板の一主面に形成し、前記
コプレーナラインの信号線と接地導体に２端子対の負性
抵抗体を接続し、前記基板の他主面に前記コプレーナラ
インと電磁結合した出力線としてのマイクロストリップ
ラインを形成したことを基本的な解決手段とする。
【００１０】
【作用】本発明では、ＣＰＷ共振回路を適用して２端子
対の負性抵抗体を接続するので、負性抵抗体の高周波接
地が同一主面上で行える。したがって、ＭＳＬ共振回路
のように高周波接地用のビアホールを必要としないの
で、回路損失（寄生成分）を少なくした実装を容易に
し、高周波での優れた発振特性を得られる。また、ＣＰ
Ｗ共振回路７はＣＰＷに沿って定在波が生じて各点での
インピーダンスを異にするので、整合線路（回路）を要
することなく、負性抵抗体の接続位置を決めるのみでイ
ンピーダンス整合を容易にする。以下本発明に基づく各
実施例を説明する。
対の負性抵抗体を接続するので、負性抵抗体の高周波接
地が同一主面上で行える。したがって、ＭＳＬ共振回路
のように高周波接地用のビアホールを必要としないの
で、回路損失（寄生成分）を少なくした実装を容易に
し、高周波での優れた発振特性を得られる。また、ＣＰ
Ｗ共振回路７はＣＰＷに沿って定在波が生じて各点での
インピーダンスを異にするので、整合線路（回路）を要
することなく、負性抵抗体の接続位置を決めるのみでイ
ンピーダンス整合を容易にする。以下本発明に基づく各
実施例を説明する。
【００１１】
【第１実施例、請求項２、３】第１図は本発明の第１実
施例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図
（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。高周波発振器は、概ね
ＣＰＷ共振回路７と、２端子対の負性抵抗素子としての
ガンダイオード２からなる。ＣＰＷ共振回路７は基板３
の一主面に形成され、発振周波数の約１／２波長（λ／
２）とした有限長の信号線７Ａと、両側及び上下の接地
導体４からなる。なお、ＣＰＷはλ／２としたが、この
整数倍であればよい。すなわち、ＣＰＷ共振回路７は両
端高周波開放としたＣＰＷの伝送線路からなる。ガンダ
イオード２は、ここでは例えばカソード電極を挟む２つ
のアノード電極を有する構造で、外表面の中央部に一方
の端子を両端部に他方の端子を有する計３つの端子を有
する２端子対とする。
施例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図
（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。高周波発振器は、概ね
ＣＰＷ共振回路７と、２端子対の負性抵抗素子としての
ガンダイオード２からなる。ＣＰＷ共振回路７は基板３
の一主面に形成され、発振周波数の約１／２波長（λ／
２）とした有限長の信号線７Ａと、両側及び上下の接地
導体４からなる。なお、ＣＰＷはλ／２としたが、この
整数倍であればよい。すなわち、ＣＰＷ共振回路７は両
端高周波開放としたＣＰＷの伝送線路からなる。ガンダ
イオード２は、ここでは例えばカソード電極を挟む２つ
のアノード電極を有する構造で、外表面の中央部に一方
の端子を両端部に他方の端子を有する計３つの端子を有
する２端子対とする。
【００１２】そして、ＣＰＷ共振回路７の中央領域ここ
では中心線上において、ガンダイオード２における中央
部の一方の端子をＣＰＷの信号線７Ａに、両端部の他方
の端子を両側の接地導体４にバンプ８を用いたフリップ
チップ実装によって接続する。基板３の一主面にはＣＰ
Ｗの一端側で電磁結合したＭＳＬが、ＣＰＷの延長方向
に出力線６として形成される。
では中心線上において、ガンダイオード２における中央
部の一方の端子をＣＰＷの信号線７Ａに、両端部の他方
の端子を両側の接地導体４にバンプ８を用いたフリップ
チップ実装によって接続する。基板３の一主面にはＣＰ
Ｗの一端側で電磁結合したＭＳＬが、ＣＰＷの延長方向
に出力線６として形成される。
【００１３】このような構成であれば、ＣＰＷ共振回路
７は信号線と両側の接地導体４との間で生ずる電界及び
これによる磁界によって高周波がＣＰＷを伝播し、ここ
では両端開放したことにより中央部を最小として両端部
を最大とした電圧分布の定在波による共振モードとな
る。但し、電流はこれとは逆の分布となる。そして、こ
こでは、ＣＰＷ共振回路７に２端子対としたガンダイオ
ード２の中央部の一方の端子を信号線７Ａに、両端部の
他方の端子を両側の接地導体４に接続する。したがっ
て、ＣＰＷ共振回路７には共振周波数領域での電力が供
給されて発振する。そして、電磁結合した出力線６（Ｍ
ＳＬ）により、発振出力を得る。
７は信号線と両側の接地導体４との間で生ずる電界及び
これによる磁界によって高周波がＣＰＷを伝播し、ここ
では両端開放したことにより中央部を最小として両端部
を最大とした電圧分布の定在波による共振モードとな
る。但し、電流はこれとは逆の分布となる。そして、こ
こでは、ＣＰＷ共振回路７に２端子対としたガンダイオ
ード２の中央部の一方の端子を信号線７Ａに、両端部の
他方の端子を両側の接地導体４に接続する。したがっ
て、ＣＰＷ共振回路７には共振周波数領域での電力が供
給されて発振する。そして、電磁結合した出力線６（Ｍ
ＳＬ）により、発振出力を得る。
【００１４】そして、ガンダイオード２をＣＰＷ共振回
路７の中央領域に接続するので、インピーダンス整合を
容易にする。すなわち、共振モードの電流が最大（電圧
が最小）となる個所に低インピーダンスのガンダイオー
ド２を接続するので、格別の整合回路（線路）を設ける
ことなく、インピーダンス整合を容易にする。また、Ｃ
ＰＷ共振回路７の信号線と接地導体４が同一面にあるの
で、ガンダイオード２を容易に実装できる。そして、基
板３にはビアホールを要しないので、回路損失を少なく
して発振出力を大きくできる。
路７の中央領域に接続するので、インピーダンス整合を
容易にする。すなわち、共振モードの電流が最大（電圧
が最小）となる個所に低インピーダンスのガンダイオー
ド２を接続するので、格別の整合回路（線路）を設ける
ことなく、インピーダンス整合を容易にする。また、Ｃ
ＰＷ共振回路７の信号線と接地導体４が同一面にあるの
で、ガンダイオード２を容易に実装できる。そして、基
板３にはビアホールを要しないので、回路損失を少なく
して発振出力を大きくできる。
【００１５】また、基板３表面には出力線６であるＭＳ
Ｌを電磁結合させている。この構造であるために、ガン
ダイオード２の装荷ポイントは、ＣＰＷ共振モードに整
合する点を選べばよく、また、ガンダイオードへの直流
バイアス（電源電圧）の供給ポイントは、例えばＣＰＷ
の幅方向の中心線上となる共振モードの電圧ゼロ点を選
べば高周波発振への影響は回避できる。供給ポイントに
は、図示しない給電線を接続して電源電圧を印加する。
Ｌを電磁結合させている。この構造であるために、ガン
ダイオード２の装荷ポイントは、ＣＰＷ共振モードに整
合する点を選べばよく、また、ガンダイオードへの直流
バイアス（電源電圧）の供給ポイントは、例えばＣＰＷ
の幅方向の中心線上となる共振モードの電圧ゼロ点を選
べば高周波発振への影響は回避できる。供給ポイントに
は、図示しない給電線を接続して電源電圧を印加する。
【００１６】なお、上記例では、中央部に一方の端子を
両端部に他方の端子を有するガンダイオード２を適用し
て説明したが、一端部に一方の端子を他端部に他方の端
子を有する場合はこれを一組（２個）用意し、第２図に
示したように接続すればよい（請求項３）。すなわち、
各ガンダイオード２の一方の端子を信号線７Ａに接続
し、他方の端子を両側の接地導体４に接続すれはよい。
但し、ガンダイオード２の個数を少なくできるので、上
記例の方が実装が容易である。
両端部に他方の端子を有するガンダイオード２を適用し
て説明したが、一端部に一方の端子を他端部に他方の端
子を有する場合はこれを一組（２個）用意し、第２図に
示したように接続すればよい（請求項３）。すなわち、
各ガンダイオード２の一方の端子を信号線７Ａに接続
し、他方の端子を両側の接地導体４に接続すれはよい。
但し、ガンダイオード２の個数を少なくできるので、上
記例の方が実装が容易である。
【００１７】また、出力線６は直線状としてＣＰＷの延
出方向としたが、第３図に示したようにＣＰＷの電流分
布の大きい中央領域にループ状の出力線６としてのＭＳ
Ｌを形成して磁界結合によって出力を取り出すこともで
きる（第３図）。
出方向としたが、第３図に示したようにＣＰＷの電流分
布の大きい中央領域にループ状の出力線６としてのＭＳ
Ｌを形成して磁界結合によって出力を取り出すこともで
きる（第３図）。
【００１８】また、ＣＰＷ共振回路７はＣＰＷを両端高
周波開放としたが、第４図に示したように例えば両端側
にコンデンサ９を設けて両端高周波短絡としてもよい。
この場合は、中央部で最大として両端側で最小とした電
圧分布の共振モードとなる。但し、電流の分布は逆であ
る。したがって、電流分布が最大領域のＣＰＷの一端側
にガンダイオード２を配置し、前述したループ状のＭＳ
Ｌを出力線６として磁界結合によって出力を得る。
周波開放としたが、第４図に示したように例えば両端側
にコンデンサ９を設けて両端高周波短絡としてもよい。
この場合は、中央部で最大として両端側で最小とした電
圧分布の共振モードとなる。但し、電流の分布は逆であ
る。したがって、電流分布が最大領域のＣＰＷの一端側
にガンダイオード２を配置し、前述したループ状のＭＳ
Ｌを出力線６として磁界結合によって出力を得る。
【００１９】また、コンデンサ９に代え、第５図に示し
たようにＣＰＷの両端側で一部が重畳したλ／２のＭＳ
Ｌを他主面に設けて両端高周波短絡端としてもよい。こ
の場合、出力線６は同様にループ状としたＭＳＬとすれ
ばよい。あるいは、ループ状とした出力線（ＭＳＬ）６
を共振系からはずれて形成し、疎結合としてもよい（第
６図）。
たようにＣＰＷの両端側で一部が重畳したλ／２のＭＳ
Ｌを他主面に設けて両端高周波短絡端としてもよい。こ
の場合、出力線６は同様にループ状としたＭＳＬとすれ
ばよい。あるいは、ループ状とした出力線（ＭＳＬ）６
を共振系からはずれて形成し、疎結合としてもよい（第
６図）。
【００２０】また、第７図に示したように、コンデンサ
９及びλ／２のＭＳＬ１０に代え、ＣＰＷ共振回路７の
両端側にガンダイオードを直接に接続して両端高周波短
絡端としてもよい。この場合も、ループ状とした出力線
（ＭＳＬ）６によって出力を得られる。
９及びλ／２のＭＳＬ１０に代え、ＣＰＷ共振回路７の
両端側にガンダイオードを直接に接続して両端高周波短
絡端としてもよい。この場合も、ループ状とした出力線
（ＭＳＬ）６によって出力を得られる。
【００２１】さらに、ＣＰＷ共振回路７の一端側を開放
とし、他端側を高周波短絡として形成することもでき
る。この場合、例えば第８図に示したように、ＣＰＷ共
振回路７の一端側にガンダイオード２を設けて、一端側
を高周波短絡端とし、他端を高周波開放端とすればよ
い。また、前述したＣＰＷ共振回路７の両側にダイオー
ドを配置した場合でも、ＣＰＷの一端側にコンデンサ９
やλ／２のＭＳＬ１０を設けることによって形成できる
（未図示）。但し、ＣＰＷ共振回路７の線路長は概ねλ
／４の奇数倍となる。これらの場合、電流分布が最大と
なる高周波短絡端側にループ状の出力線６を設けること
によって出力を得る。これらの場合でも、上記例と作用
効果は基本的に同じである。
とし、他端側を高周波短絡として形成することもでき
る。この場合、例えば第８図に示したように、ＣＰＷ共
振回路７の一端側にガンダイオード２を設けて、一端側
を高周波短絡端とし、他端を高周波開放端とすればよ
い。また、前述したＣＰＷ共振回路７の両側にダイオー
ドを配置した場合でも、ＣＰＷの一端側にコンデンサ９
やλ／２のＭＳＬ１０を設けることによって形成できる
（未図示）。但し、ＣＰＷ共振回路７の線路長は概ねλ
／４の奇数倍となる。これらの場合、電流分布が最大と
なる高周波短絡端側にループ状の出力線６を設けること
によって出力を得る。これらの場合でも、上記例と作用
効果は基本的に同じである。
【００２２】
【第２実施例、請求項５】第９図は本発明の第２実施例
を説明する高周波発振器の平面図である。なお、これ以
降の各実施例では、前従来例と同一部分には同番号を付
与してその説明は簡略又は省略する。前第１実施例では
負性抵抗体としてのガンダイオード２をＣＰＷ共振回路
７の中央領域の一箇所に配置したが、第２実施例では２
箇所に配置して電力合成する例である。すなわち、第２
実施例では中央部に一方の端子を両端部に他方の端子を
有する計３つの端子を有する２端子対のガンダイオード
２（２個）を、例えば両端高周波開放としたＣＰＷ共振
回路７の中央領域の２箇所に中心線に対して対称に並設
する。そして、一端側に直線状の出力線６を設ける。
を説明する高周波発振器の平面図である。なお、これ以
降の各実施例では、前従来例と同一部分には同番号を付
与してその説明は簡略又は省略する。前第１実施例では
負性抵抗体としてのガンダイオード２をＣＰＷ共振回路
７の中央領域の一箇所に配置したが、第２実施例では２
箇所に配置して電力合成する例である。すなわち、第２
実施例では中央部に一方の端子を両端部に他方の端子を
有する計３つの端子を有する２端子対のガンダイオード
２（２個）を、例えば両端高周波開放としたＣＰＷ共振
回路７の中央領域の２箇所に中心線に対して対称に並設
する。そして、一端側に直線状の出力線６を設ける。
【００２３】このような構成であれば、ＣＰＷ共振回路
７の２箇所にて共振周波数での電力が各ガンダイオード
２から供給されるので、それぞれからの発振出力が合成
されて倍加する。この場合、前述したようにビアホール
を要しないので、電力合成の損失も少なく効率的な電力
合成が可能になる。また、この場合でも、ＣＰＷ共振回
路７の中央領域はインピーダンスが比較的小さいので、
ガンダイオード２とのインピーダンス整合を容易にす
る。また、中央領域の整合しやすい個所を選択すればよ
い。
７の２箇所にて共振周波数での電力が各ガンダイオード
２から供給されるので、それぞれからの発振出力が合成
されて倍加する。この場合、前述したようにビアホール
を要しないので、電力合成の損失も少なく効率的な電力
合成が可能になる。また、この場合でも、ＣＰＷ共振回
路７の中央領域はインピーダンスが比較的小さいので、
ガンダイオード２とのインピーダンス整合を容易にす
る。また、中央領域の整合しやすい個所を選択すればよ
い。
【００２４】なお、上記例では両端高周波開放とした
が、両端高周波短絡又は一端を高周波開放として他端を
高周波短絡として構成できる。ちなみに、第１０図はコ
ンデンサ９による両端高周波短絡とした例である。な
お、前述した第７図の両端側にガンダイオードを配置し
た場合でも電力合成ができる。
が、両端高周波短絡又は一端を高周波開放として他端を
高周波短絡として構成できる。ちなみに、第１０図はコ
ンデンサ９による両端高周波短絡とした例である。な
お、前述した第７図の両端側にガンダイオードを配置し
た場合でも電力合成ができる。
【００２５】また、一端を高周波開放として他端を高周
波短絡とする場合は、例えば第１１図に示したように、
ＣＰＷ共振回路７の一端側の延長方向と横断方向にガン
ダイオード２を配置すればよい。この場合、ＣＰＷの線
路長は例えばλ／４で他端側は電圧分布が最大となるこ
とから、電流分布が最小となる一端側にガンダイオード
を配置して電力合成とする。
波短絡とする場合は、例えば第１１図に示したように、
ＣＰＷ共振回路７の一端側の延長方向と横断方向にガン
ダイオード２を配置すればよい。この場合、ＣＰＷの線
路長は例えばλ／４で他端側は電圧分布が最大となるこ
とから、電流分布が最小となる一端側にガンダイオード
を配置して電力合成とする。
【００２６】
【第３実施例、請求項６、７】第１２図は本発明の第３
実施例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平
面図、同図（ｂ）は断面図である。第３実施例は高周波
発振器を可変リアクタンスを用いた周波数可変型とする
例である。すなわち、第３実施例では、例えばＣＰＷ共
振器はＣＰＷを両端高周波開放とし、ガンダイオード２
を２個並設して電力合成とし、線状の出力線６（ＭＳ
Ｌ）を一端側に設ける。そして、基板３の一主面にガン
ダイオード２を取り囲みＣＰＷ共振回路７と電磁結合し
たループ状のＭＳＬ１１を形成し、ＣＰＷの両側で２個
の可変リアクタンス素子としての電圧可変容量ダイオー
ド１２をループ状のＭＳＬ１１に接続する。そして、各
電圧可変容量素子に図示しない供給線を接続して制御電
圧を印加する。
実施例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平
面図、同図（ｂ）は断面図である。第３実施例は高周波
発振器を可変リアクタンスを用いた周波数可変型とする
例である。すなわち、第３実施例では、例えばＣＰＷ共
振器はＣＰＷを両端高周波開放とし、ガンダイオード２
を２個並設して電力合成とし、線状の出力線６（ＭＳ
Ｌ）を一端側に設ける。そして、基板３の一主面にガン
ダイオード２を取り囲みＣＰＷ共振回路７と電磁結合し
たループ状のＭＳＬ１１を形成し、ＣＰＷの両側で２個
の可変リアクタンス素子としての電圧可変容量ダイオー
ド１２をループ状のＭＳＬ１１に接続する。そして、各
電圧可変容量素子に図示しない供給線を接続して制御電
圧を印加する。
【００２７】このような構成であれば、制御電圧による
電圧可変容量ダイオードの容量変化がＣＰＷ共振器７の
電磁場に影響を与えてＣＰＷの実質的な電気長を異なら
せる。したがって、これに伴い発振周波数も変化するの
で、簡易な構成で周波数可変型とすることができる。
電圧可変容量ダイオードの容量変化がＣＰＷ共振器７の
電磁場に影響を与えてＣＰＷの実質的な電気長を異なら
せる。したがって、これに伴い発振周波数も変化するの
で、簡易な構成で周波数可変型とすることができる。
【００２８】上記例ではＣＰＷを両端高周波開放とした
が、両端高周波短絡であったとしても構成できる。すな
わち、例えば第１３図に示したように高周波短絡端とす
るコンデンサ９と接地導体４との間に電圧可変容量ダイ
オード１２を接続して、制御電圧を印加すればよい。こ
の場合、電圧可変容量ダイオード１２はＣＰＷの一端側
のみでもよい。
が、両端高周波短絡であったとしても構成できる。すな
わち、例えば第１３図に示したように高周波短絡端とす
るコンデンサ９と接地導体４との間に電圧可変容量ダイ
オード１２を接続して、制御電圧を印加すればよい。こ
の場合、電圧可変容量ダイオード１２はＣＰＷの一端側
のみでもよい。
【００２９】
【第４実施例、請求項８】第１４図は本発明の第４実施
例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）は断面図である。第４実施例は、発振周
波数f0に対して１／ｎ（ｎは整数）の信号（ｆ0／ｎ）
で発振同期をとる、所謂、サブ・ハーモニック注入同期
発振器の構成例である。この例では、比較的低周波数で
あるサブ・ハーモニック注入同期信号f0/nはＣＰＷ共振
器７の設けられた基板３の同一面（一主面）にＣＰＷ１
３を形成し、これに接続した注入線１４によってＣＰＷ
共振回路７のＣＰＷに注入する。注入線１４はＣＰＷ
（信号線７Ａ）の幅方向の中点に接続して対称性を維持
する。なお、注入線１４は同期信号の周波数が低いの
で、これによる寄生成分の影響は小さい。
例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）は断面図である。第４実施例は、発振周
波数f0に対して１／ｎ（ｎは整数）の信号（ｆ0／ｎ）
で発振同期をとる、所謂、サブ・ハーモニック注入同期
発振器の構成例である。この例では、比較的低周波数で
あるサブ・ハーモニック注入同期信号f0/nはＣＰＷ共振
器７の設けられた基板３の同一面（一主面）にＣＰＷ１
３を形成し、これに接続した注入線１４によってＣＰＷ
共振回路７のＣＰＷに注入する。注入線１４はＣＰＷ
（信号線７Ａ）の幅方向の中点に接続して対称性を維持
する。なお、注入線１４は同期信号の周波数が低いの
で、これによる寄生成分の影響は小さい。
【００３０】この場合、共振モードへの影響が少ない低
インピーダンスポイントで幅方向の中心線上に注入する
ことが可能であり、位相雑音特性と周波数安定化を図る
ことができる。さらに、注入同期信号を周波数シンセサ
イザーからとすれば、これに基づいて高周波での周波数
シンセサイザーの実現も可能である。なお、注入同期信
号は前述のように周波数が低くて影響が小さいので、電
磁結合やビアホールを介して結合したＭＳＬで注入して
もよい。
インピーダンスポイントで幅方向の中心線上に注入する
ことが可能であり、位相雑音特性と周波数安定化を図る
ことができる。さらに、注入同期信号を周波数シンセサ
イザーからとすれば、これに基づいて高周波での周波数
シンセサイザーの実現も可能である。なお、注入同期信
号は前述のように周波数が低くて影響が小さいので、電
磁結合やビアホールを介して結合したＭＳＬで注入して
もよい。
【００３１】
【第５実施例、請求項９】第１５図は本発明の第５実施
例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）は断面図である。第５実施例は、前述し
たＣＰＷ共振回路７にガンダイオード２を設けた発振回
路系を２系統用いることによって、基本発振周波数ｆ0
の２倍の発振周波数２ｆ0を効率よく得る2相Push-Push
発振の例である。すなわち、ここでは、いずれもガンダ
イオード２を設けた第１と第２のＣＰＷ共振回路７（ａ
ｂ）からなる発振回路系をＣＰＷ（信号線）の延長方向
に配置し、各出力線を共通接続した第１ＭＳＬ（第１出
力線）６ａにより電磁結合する。そして、基本発振周波
数ｆ0にとって概ね4分の1波長である先端開放ＭＳＬを
中点から一側面に向かって突出し、同中点から２倍の発
振周波数２ｆ0を得るＭＳＬからなる第２出力線６ｂを
他側面の端部に延出する。
例を説明する高周波発振器の図で、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）は断面図である。第５実施例は、前述し
たＣＰＷ共振回路７にガンダイオード２を設けた発振回
路系を２系統用いることによって、基本発振周波数ｆ0
の２倍の発振周波数２ｆ0を効率よく得る2相Push-Push
発振の例である。すなわち、ここでは、いずれもガンダ
イオード２を設けた第１と第２のＣＰＷ共振回路７（ａ
ｂ）からなる発振回路系をＣＰＷ（信号線）の延長方向
に配置し、各出力線を共通接続した第１ＭＳＬ（第１出
力線）６ａにより電磁結合する。そして、基本発振周波
数ｆ0にとって概ね4分の1波長である先端開放ＭＳＬを
中点から一側面に向かって突出し、同中点から２倍の発
振周波数２ｆ0を得るＭＳＬからなる第２出力線６ｂを
他側面の端部に延出する。
【００３２】このような構成であれば、第１と第２の発
振回路系の出力は、互いに逆相で合成されるので基本周
波数ｆ0は相殺されて、基本周波数ｆ0の２倍の発振周波
数２ｆ0が得られる。したがって、極めて簡易な回路構
成で2相Push-Push発振を構成できる。
振回路系の出力は、互いに逆相で合成されるので基本周
波数ｆ0は相殺されて、基本周波数ｆ0の２倍の発振周波
数２ｆ0が得られる。したがって、極めて簡易な回路構
成で2相Push-Push発振を構成できる。
【００３３】
【実施例６、請求項１０】第１６図は本発明の第６実施
例を説明する高周波発振器の平面図である。前第５実施
例では2相Push-Push発振の例を示したが、第６実施例は
基本発振周波数f0の4倍の発振周波数出力4f0を発振させ
る4相Push-Push発振の例である。すなわち、第６実施例
は、前述した第５実施例のＣＰＷの延長方向に配置した
２個の発振回路系を並列に配置する。そして、各第１出
力線６ａを横断した第２出力線６ｂを共通接続して第３
出力線６ｃとし、基本発振周波数ｆ0にとって８分の1波
長である先端開放ＭＳＬが第３出力線６の中点から突出
した４倍波4f0の第４出力線６ｄを接続する。但し、第１
出力線の中点間となる第３出力線６ｃは基本発振周波数
ｆ0に対してλ／４とする。
例を説明する高周波発振器の平面図である。前第５実施
例では2相Push-Push発振の例を示したが、第６実施例は
基本発振周波数f0の4倍の発振周波数出力4f0を発振させ
る4相Push-Push発振の例である。すなわち、第６実施例
は、前述した第５実施例のＣＰＷの延長方向に配置した
２個の発振回路系を並列に配置する。そして、各第１出
力線６ａを横断した第２出力線６ｂを共通接続して第３
出力線６ｃとし、基本発振周波数ｆ0にとって８分の1波
長である先端開放ＭＳＬが第３出力線６の中点から突出
した４倍波4f0の第４出力線６ｄを接続する。但し、第１
出力線の中点間となる第３出力線６ｃは基本発振周波数
ｆ0に対してλ／４とする。
【００３４】このような構成であれば、第２出力線６ｃ
は2倍波の2分の1波長共振回路として動作するので、Pus
h-Push原理に基づいて４ｆ0の発振出力が得られる。こ
のように、極めて簡易な回路構成で4倍の周波数の高周
波発振も実現できるので、特にミリ波やサブミリ波帯の
発振源として有効である。勿論、これをさらにPush-Pus
h化すれば基本周波数に対して８倍以上の発振周波数を
得られる。
は2倍波の2分の1波長共振回路として動作するので、Pus
h-Push原理に基づいて４ｆ0の発振出力が得られる。こ
のように、極めて簡易な回路構成で4倍の周波数の高周
波発振も実現できるので、特にミリ波やサブミリ波帯の
発振源として有効である。勿論、これをさらにPush-Pus
h化すれば基本周波数に対して８倍以上の発振周波数を
得られる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、所謂、
両平面回路技術によって、基板３の両面に形成したコプ
レーナラインとマイクロストリップラインの伝送特性と
線路構造を活用して、従来技術の課題である高周波帯発
振器の簡易化、高出力化、高周波化さらに高品質特性を
実現するものである。この回路構造によって、以下のよ
うな効用を実現することが出来る。 （１） コプレ−ナラインを用いているために、発振ダ
イオードあるいは負性抵抗IC をバンプ実装や表面実装
によって高精度にかつ効率よく製造できる。従って、特
にミリ波等の超高周波帯発振器としても有効である。 （２） 回路構造上、多素子発振も容易であり電力合成
による高出力化、および低位相雑音化にも優れている。 （３） 発振周波数の可変制御や2倍波・４倍波出力等の
Push-Push発振も容易に実現可能である。
両平面回路技術によって、基板３の両面に形成したコプ
レーナラインとマイクロストリップラインの伝送特性と
線路構造を活用して、従来技術の課題である高周波帯発
振器の簡易化、高出力化、高周波化さらに高品質特性を
実現するものである。この回路構造によって、以下のよ
うな効用を実現することが出来る。 （１） コプレ−ナラインを用いているために、発振ダ
イオードあるいは負性抵抗IC をバンプ実装や表面実装
によって高精度にかつ効率よく製造できる。従って、特
にミリ波等の超高周波帯発振器としても有効である。 （２） 回路構造上、多素子発振も容易であり電力合成
による高出力化、および低位相雑音化にも優れている。 （３） 発振周波数の可変制御や2倍波・４倍波出力等の
Push-Push発振も容易に実現可能である。
【００３６】要するに、本発明は、中央の信号線と両側
の接地導体とからなる有限長としたコプレーナライン型
の共振回路を基板３の一主面に形成し、前記コプレーナ
ラインの信号線と接地導体に２端子対の負性抵抗体を接
続し、前記基板の他主面に前記コプレーナラインと電磁
結合した出力線としてのマイクロストリップラインを形
成したので、インピーダンスの整合を含めた各種の回路
設計及び高出力化を容易にして生産性を高める高周波発
振器を提供できる。
の接地導体とからなる有限長としたコプレーナライン型
の共振回路を基板３の一主面に形成し、前記コプレーナ
ラインの信号線と接地導体に２端子対の負性抵抗体を接
続し、前記基板の他主面に前記コプレーナラインと電磁
結合した出力線としてのマイクロストリップラインを形
成したので、インピーダンスの整合を含めた各種の回路
設計及び高出力化を容易にして生産性を高める高周波発
振器を提供できる。
【図１】本発明の第１実施例を説明する高周波発振器の
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の他の例を説明する高周波
発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図で
ある。
発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図で
ある。
【図３】本発明の第１実施例を説明する高周波発振器の
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。
【図４】本発明の第１実施例の他の例を説明する高周波
発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図で
ある。
発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図で
ある。
【図５】本発明の第１実施例を説明する高周波発振器の
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。
【図６】本発明の第１実施例の他の例を説明する高周波
発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図で
ある。
発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図で
ある。
【図７】本発明の第１実施例を説明する高周波発振器の
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図である。
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図である。
【図８】本発明の第１実施例の他の例を説明する高周波
発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図９】本発明の第２実施例を説明する高周波発振器の
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。
図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例の他の例を説明する高周
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図
である。
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図
である。
【図１１】本発明の第２実施例の他の例を説明する高周
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図
である。
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（ｃ）は同Ｂ−Ｂ断面図
である。
【図１２】本発明の第３実施例の他の例を説明する高周
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１３】本発明の第３実施例の他の例を説明する高周
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１４】本発明の第４実施例の他の例を説明する高周
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１５】本発明の第５実施例の他の例を説明する高周
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１６】本発明の第６実施例の他の例を説明する高周
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
波発振器の図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１７】従来例を説明する高周波発振器の図で、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面
図である。
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面
図である。
【図１８】従来例を説明する高周波発振器の平面図であ
る。
る。
１ ＭＳＬ共振回路、２ ガンダイオード、３ 基板、
４ 接地導体、５ 整合線路、６ 出力線、７ ＣＰＷ
共振回路、８ バンプ、９ コンデンサ、１０、１１
ＭＳＬ、１２ 電圧可変容量ダイオード、１３ ＣＰ
Ｗ．
４ 接地導体、５ 整合線路、６ 出力線、７ ＣＰＷ
共振回路、８ バンプ、９ コンデンサ、１０、１１
ＭＳＬ、１２ 電圧可変容量ダイオード、１３ ＣＰ
Ｗ．
フロントページの続き
(72)発明者 浅村 文雄
埼玉県狭山市大字上広瀬1275番地の２ 日
本電波工業株式会社狭山事業所内
(72)発明者 追田 武雄
埼玉県狭山市大字上広瀬1275番地の２ 日
本電波工業株式会社狭山事業所内
Claims (10)
- 【請求項１】中央の信号線と両側の接地導体とからなる
有限長としたコプレーナライン型の共振回路を基板の一
主面に形成し、前記コプレーナラインの信号線と接地導
体に２端子対の負性抵抗体を接続し、前記基板の他主面
に前記コプレーナラインと電磁結合した出力線としての
マイクロストリップラインを形成したことを特徴とする
２端子対高周波発振器。 - 【請求項２】前記２端子対の負性抵抗体は中央部に一方
の端子を両端部に他方の端子を有し、前記一方の端子を
前記コプレーナラインの中央の信号線に接続し、前記他
方の端子を前記コプレーナラインの両側の接地導体に接
続した２端子対高周波発振器。 - 【請求項3】前記２端子対の負性抵抗体は一端部に一方
の端子を他端部に他方の端子を有し、前記負性抵抗体の
一組のそれぞれ一方の端子を前記コプレーナラインの中
央のの信号線に接続し、前記負性抵抗体の一組のそれぞ
れ他方の端子を前記コプレーナラインの両側の接地導体
に接続した２端子対高周波発振器。 - 【請求項４】前記有限長のコプレナーライン型の共振回
路は、前記コプレーナランが両端高周波開放、両端高周
波短絡、又は一端を高周波開放として他端を高周波短絡
とした伝送線路である請求項１の２端子対高周波発振
器。 - 【請求項５】前記２端子対の負性抵抗体の複数を前記コ
プレーナライン上に並設して電力合成とした請求項１の
２端子対高周波発振器。 - 【請求項６】前記コプレーナライン型の共振回路に可変
リアクタンス素子を装荷して、発振周波数を可変とした
請求項１の２端子対高周波発振器。 - 【請求項７】前記コプレーナライン型の共振回路に電磁
結合したマイクロストリップラインを基板の他主面に形
成し、前記マイクロストリップラインに可変リアクタン
ス素子を接続して発振周波数を可変とした請求項１の２
端子対高周波発振器。 - 【請求項８】前記コプレナーライン型とした共振回路の
信号線にサブ・ハーモニック注入同期信号を印加した請
求項１の２端子対高周波発振器。 - 【請求項９】請求項１の２端子高周波発振器を前記コプ
レーナラインの延長方向に配置して、前記出力線として
のマイクロストリップラインを互いに対向する側に設け
て共通接続して第１出力線とし、前記第１出力線の中点
から基本発振周波数において概ね４分の１波長の先端開
放マイクロストリップラインが突出した基本発振周波数
の２倍の発振周波数を得る第２出力線６を形成した２端
子対高周波発振器。 - 【請求項１０】請求項９の２端子高周波発振器を並列に
配置して、前記第２出力線６の先端開放マイクロストリ
ップラインを共通接続して第３出力線とし、前記第３出
力線の中点から基本波周波数の概ね８分の１波長のマイ
クロストリップラインが突出した基本波発振周波数の４
倍の発振周波数を得る第４出力線を形成した２端子対高
周波発振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001402066A JP4588947B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | コプレーナライン型の高周波発振器 |
| US10/329,861 US6909333B2 (en) | 2001-12-28 | 2002-12-26 | Coplanar line based high frequency oscillator |
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| JP2001402066A JP4588947B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | コプレーナライン型の高周波発振器 |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2003204223A true JP2003204223A (ja) | 2003-07-18 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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