JP2003202672A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 半導体基板を有する基体上に素子分離領域を形成する工程と、
   前記基体上に導電性膜を形成する工程と、
   カルボン酸構造を含む感光性組成物からなるレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜の所定のパタンを露光し、前記カルボン酸構造の一部をラクトン構造に変化させる工程と、
   前記レジスト膜を現像して、レジストパタンを形成する工程と、
   前記レジストパタンをマスクとして用いて、前記導電性膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記ラクトン構造は、γ―ラクトンまたはδ―ラクトンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   照射された前記カルボン酸構造の少なくとも50%は、ラクトン構造に変化されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記レジスト膜は、250nm以下の波長を有する光を用いることによって露光されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   前記光は、ArFエキシマレーザ光により発生されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記レジスト膜は、位相シフトマスクを介して露光されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
   前記位相シフトマスクは、レベンソン型の位相シフトマスクであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 基板を準備する工程と、
   前記基板上に、カルボン酸構造を含む感光性組成物からなる塗膜を形成する工程と、
   位相シフトマスクを介して前記塗膜の所定のパタンに250nm以下の波長を有する光を照射し、前記感光性組成膜内に含まれる前記カルボン酸構造の一部をラクトン構造に変化させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
   前記光は、ArFエキシマレーザ光により発生されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
    前記位相シフトマスクは、レベンソン型の位相シフトマスクであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 基板を準備する工程と、
    前記基板上に素子分離領域を形成する工程と、
    前記基板上に導電性膜を形成する工程と、
    カルボン酸構造を含む感光性組成物からなるレジスト膜を形成する工程と、
    前記レジスト膜の所定のパタンに250ｎｍ以下の波長を有する光を照射し、
    前記感光性組成物内に含まれる前記カルボン酸構造の一部をラクトン構造に変化させる工程と、
    前記レジスト膜を現像して、レジストパタンを形成する工程と、
    前記レジストパタンをマスクとして用いて、前記導電性膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記光は、ArFエキシマレーザ光により発生されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記レジスト膜は、位相シフトマスクを介して照射されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
    前記位相シフトマスクは、レベンソン型の位相シフトマスクであることを特徴とする半導体装置の製造方法。