JP2003192436A - 積層型圧電セラミック素子の製造方法 - Google Patents
積層型圧電セラミック素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2003192436A JP2003192436A JP2001394060A JP2001394060A JP2003192436A JP 2003192436 A JP2003192436 A JP 2003192436A JP 2001394060 A JP2001394060 A JP 2001394060A JP 2001394060 A JP2001394060 A JP 2001394060A JP 2003192436 A JP2003192436 A JP 2003192436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- volume
- oxygen concentration
- firing
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】圧電特性がさらに優れ、高い信頼性を示す圧電
セラミック素子の製造方法を提供する。 【解決手段】Ｐｂ元素の化合物を含有する圧電セラミッ
ク材料のセラミックグリーンシート上に、Ａｇを主成分
とする合金を含む導電性ペーストを塗布し、該セラミッ
クグリーンシートを積み重ねて積層体とする工程と、該
積層体を焼成時の昇温過程と保持過程での酸素濃度が２
１体積％以上で、かつ降温過程での酸素濃度が０．０５
体積％〜３体積％となる雰囲気中で焼成する工程とを備
える。
セラミック素子の製造方法を提供する。 【解決手段】Ｐｂ元素の化合物を含有する圧電セラミッ
ク材料のセラミックグリーンシート上に、Ａｇを主成分
とする合金を含む導電性ペーストを塗布し、該セラミッ
クグリーンシートを積み重ねて積層体とする工程と、該
積層体を焼成時の昇温過程と保持過程での酸素濃度が２
１体積％以上で、かつ降温過程での酸素濃度が０．０５
体積％〜３体積％となる雰囲気中で焼成する工程とを備
える。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電共振子、圧電
アクチュエータ、圧電フィルタ、圧電ブザー、圧電トラ
ンス等に使用される圧電セラミック素子の製造方法に関
する。特に、Ａｇを主成分とする合金を内部電極とする
圧電セラミック素子の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来から、圧電共振子、圧電アクチュエ
ータ、圧電フィルタ、圧電ブザー、圧電トランス等に使
用される圧電セラミック素子において、それぞれの用途
に応じて、構造欠陥がなく、信頼性の高い優れた部品特
性を有するためには、最適な条件で焼成することが必要
不可欠であることはよく知られており、これまでにも種
々の取り組みがなされている。 【０００３】たとえば、特開平２−７４５６６号公報で
は、焼成温度までの昇温過程で、炉内雰囲気を酸素濃度
５０体積％以上に保ち、かつ焼成温度における保持過程
では、炉内雰囲気を酸素濃度が昇温過程の場合の１／２
ないし１０体積％の条件下で焼成するプロセスを示して
いる。これにより、酸素濃度５０体積％以上となる高酸
素雰囲気条件下の昇温過程で、この時期に形成されるセ
ラミックの閉気孔内の酸素濃度を高め、次いで焼成温度
における保持過程で、酸素濃度を昇温過程の場合の１／
２ないし１０体積％にすると、前述のセラミックの閉気
孔内と外気の酸素濃度差が大きくなり、よって酸素の拡
散速度が大きくなるので、酸化物で構成される圧電セラ
ミックスを量産性よく緻密に焼結させることができると
提案されている。 【０００４】また、特開平４−３５７１６４号公報や特
開平１０−９５６６５号公報などでは、全焼成プロファ
イルにおいて、酸素濃度８０体積％以上となる雰囲気条
件下で焼成するプロセスを示している。これにより、セ
ラミック焼結体の空孔や構造欠陥を抑制した緻密で高信
頼性の圧電セラミック素子、特に圧電共振子を得ること
ができるとされている。 【０００５】さらに、内部電極の種類に依らず、全焼成
プロファイルにおいて、大気中、すなわち酸素濃度が約
２１体積％の雰囲気中で焼成するプロセスも知られてお
り、種々の圧電セラミック部品において一般的に適用さ
れている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記に
示したような圧電セラミック素子において用いられてき
た従来の焼成プロセスの場合では、内部電極がＡｇを主
成分とする合金からなる未焼成の積層体を焼成すると、
内部電極に含まれるＡｇが圧電セラミック層中のセラミ
ック粒内に取り込まれて、圧電特性を劣化させるという
問題点があった。 【０００７】そこで、本発明の目的は、圧電特性がさら
に優れ、高い信頼性を示す積層型圧電セラミック素子の
製造方法を提供することにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の積層型圧電セラミック素子の製造方法は、
圧電セラミック材料を含有するセラミックグリーンシー
ト上に、Ａｇを主成分とする合金を含む導電性ペースト
を塗布し、該セラミックグリーンシートを積み重ねて積
層体とする工程と、該積層体を焼成時の昇温過程と保持
過程での酸素濃度が２１体積％以上で、かつ降温過程で
の酸素濃度が０．０５体積％以上３体積％以下となる雰
囲気中で焼成する工程とを備えることを特徴とする。 【０００９】ここで、焼成時の降温過程における酸素濃
度を０．０５体積％以上３体積％以下と限定したのは、
以下の理由による。 【００１０】０．０５体積％以上３体積％以下の酸素雰
囲気条件下で焼成した場合では、酸素濃度が低くなるこ
とによって、昇温過程や保持過程においてセラミック粒
内に固溶していたＡｇが、降温過程において粒界に析出
し、固溶前の圧電セラミックに近い状態となるので、圧
電特性や信頼性を阻害させない方向に働くため、圧電特
性、および信頼性を向上させている。 【００１１】しかし、３体積％を越える場合では、前述
に見られたような、セラミック粒内に取り込まれている
Ａｇが、セラミックの粒界に析出する効果が十分に発揮
されないため、圧電特性および信頼性が向上しないから
である。 【００１２】また、０．０３体積％未満の場合では、圧
電セラミックの表面に異相の析出が認められ、この異相
の存在が圧電特性や信頼性を阻害させるため、圧電特性
および信頼性が向上しないからである。 【００１３】また、焼成時の昇温過程および保持過程に
おける酸素濃度を２１体積％以上と限定したのは、以下
の理由による。 【００１４】２１体積％未満では、十分な焼結性が得ら
れないため、特性の低下を引き起こすからである。 【００１５】昇温過程と保持過程では、たとえば、チタ
ン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）系の化合物では、酸素濃度
が約２１体積％の大気雰囲気、もしくは酸素濃度が約２
１体積％以上の雰囲気条件下で焼成される。最高温度域
の焼成温度は前記雰囲気条件下で、積層体の焼結が完了
する温度、すなわち具体的には積層焼成体の充填密度が
理論密度に対して９９％以上となる温度に設定される。
なお、最高温度域での保持時間も前記の焼成温度の場合
と同様な思想で設定される。 【００１６】なお、昇温速度および降温速度は、たとえ
ば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）系の化合物では、
いずれも、毎分１〜１０℃の範囲で設定されており、最
高温度域における保持時間は１〜１０時間の範囲で設定
される。 【００１７】ただし、焼成条件は、上記の条件に限定さ
れるものではなく、Ｐｂ元素の化合物を含有する圧電セ
ラミック材料の種類（組成系）によって、最適な焼成温
度、昇温速度、保持時間、および降温速度を選択すれば
よい。 【００１８】なお、前記セラミックグリーンシート中の
圧電セラミック材料としては、上記に示したチタン酸ジ
ルコン酸鉛（ＰＺＴ）系の化合物のほか、チタン酸鉛
（ＰｂＴｉＯ3）系の化合物、メタニオブ酸鉛（ＰｂＮ
ｂ2Ｏ6）系の化合物、およびメタタンタル酸鉛（ＰｂＴ
ａ2Ｏ6）系化合物等を含有しているものからなる。 【００１９】また、内部電極用導電性ペーストに含まれ
る導体は、Ａｇを主成分とするもので構成され、Ａｇが
１００重量％、もしくはＰｄが５０重量％以下を含有し
ているものからなる。 【００２０】このように、本発明の積層型圧電セラミッ
ク素子の製造方法において、Ａｇを主成分とする合金を
含む内部電極とセラミック層を、焼成時の昇温過程と保
持過程での酸素濃度が２１体積％以上で、かつ降温過程
での酸素濃度が０．０５体積％〜３体積％となる雰囲気
中で同時焼成することにより、焼成時の昇温過程と保持
過程で粒内に取り込まれていたＡｇが、降温過程で粒界
に析出し、Ａｇを取り込むことで低下していた圧電特性
が改善されるため、圧電特性、特に圧電歪定数（ｄ）を
向上させ、高信頼性を十分確保することができる。 【００２１】したがって、圧電特性および信頼性のさら
に優れた積層型圧電セラミック素子を得ることが可能と
なる。 【００２２】 【発明の実施の形態】以下、本発明の積層型圧電セラミ
ック素子の一例である積層型圧電アクチュエータの製造
方法について、実施例を用いて、実施の形態を詳細に説
明する。 【００２３】［実施例１］まず、出発原料として、Ｐｂ
3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｒＣＯ3を用意した。次い
で、Ｐｂ0.98Ｓｒ0.02（Ｚｒ0.45Ｔｉ0.55）Ｏ3となる
圧電セラミック組成物が得られるように、上記原料を秤
量し、ボールミルにて湿式混合した。さらに、上述の混
合物を脱水、乾燥して、８００℃の温度で２時間仮焼
し、粉砕することにより、仮焼粉末を得た。 【００２４】次いで、この仮焼粉末に、アクリル系有機
バインダー、有機溶剤、および可塑剤などの添加物を加
えて、ボールミルにて湿式混合して、スラリーを得た。 【００２５】このスラリーをドクターブレード法にて成
形し、約４０μｍの厚さのセラミックグリーンシートを
作製した。 【００２６】このセラミックグリーンシート上に、Ａｇ
／Ｐｄ＝８０重量％／２０重量％の割合となる導体を含
有する導電性ペーストを、スクリーン印刷法により、焼
成後の厚みが１．０〜３．０μｍとなるように塗布し、
乾燥させて、内部電極用の層が形成されたセラミックグ
リーンシートを得た。 【００２７】その後、このセラミックグリーンシートを
積み重ね、熱プレスにより圧着させて、一体化させた積
層体を得た。 【００２８】次いで、この積層体をあらかじめ、約５０
０℃の温度でバインダー成分を十分に除去させ、表１に
示す焼成プロファイルおよび焼成雰囲気を用いて焼成を
行った。 【００２９】なお、昇温速度は毎分３℃、保持過程の保
持時間は２時間、および降温速度は毎分４℃とした。 【００３０】また、表１において、＊印を付したもの
は、本発明の範囲外のものであり、それ以外はすべて本
発明の範囲内ものである。 【００３１】 【表１】【００３２】この焼成後の積層体を、所定の大きさにカ
ットした後、外部電極を塗布、焼成にて形成して、内部
電極と電気的に接続させた、圧電セラミック素子を得
た。 【００３３】次に、６０℃の絶縁オイル中で、４．０ｋ
Ｖ／ｍｍの直流電界を６０分間印加して、分極処理を施
した。その後、１２０〜２００℃の空気中で、３０〜６
０分間、エージングして、図１、図２に示すような目的
とする積層型圧電アクチュエータ１０を得た。なお、図
１、図２において、１１は内部電極、１２は外部電極、
１３は圧電セラミックをそれぞれ示す。 【００３４】これらの積層型圧電アクチュエータの圧電
歪定数｜ｄ31｜、および圧電セラミックの電気抵抗率ρ
を求めた。その結果を表２に示す。 【００３５】なお、｜ｄ31｜はレーザードップラー振動
計にて歪み量を測定し、３１方向の圧電歪定数を算出し
て求めた。また、ρはセラミック層を介した内部電極間
にＤＣ５０Ｖの電圧を３０秒間印加した時の絶縁抵抗を
測定し、その絶縁抵抗に電極面積を乗じ、この値を内部
電極間のセラミック層厚みで割って求めた。 【００３６】表２において、＊印を付したものは、本発
明の範囲外のものであり、それ以外は全て本発明の範囲
内のものである。 【００３７】 【表２】 【００３８】表１、２から明らかなように、本発明の範
囲内の試料番号２ないし５によれば、圧電セラミックの
電気抵抗率ρおよび圧電歪定数ｄ31が向上されているこ
とがわかる。 【００３９】しかし、一方、６００℃〜１０５０℃の昇
温過程、１０５０℃での保持過程、および１０５０℃〜
３００℃の降温過程の焼成温度範囲において、全過程で
酸素濃度が２１体積％や９０体積％の焼成雰囲気条件で
ある試料番号９および１０や、昇温過程で酸素濃度が１
体積％でかつ保持過程と降温過程で酸素濃度が２１体積
％の焼成雰囲気である試料番号１１では、本発明の範囲
内の試料番号２ないし５と比べて、圧電セラミックの電
気抵抗率ρや圧電歪定数ｄ31は十分に向上されていない
ことがわかる。 【００４０】これは、焼成の降温過程における雰囲気の
酸素濃度を低くしたことによる効果と考えられる。 【００４１】すなわち、昇温過程もしくは保持過程の段
階において、本発明の範囲内の試料番号２ないし５を含
めて上述のいずれの場合も、酸素濃度が２１体積％と高
い酸素雰囲気条件で焼成しているため、積層型圧電アク
チュエータの内部電極に含まれるＡｇが圧電セラミック
の粒内に入り込み、Ａｇとの固溶体を形成する。 【００４２】この状態のまま、降温過程においても本発
明の範囲外の酸素雰囲気条件下で焼成すると、圧電特性
や信頼性を阻害させる方向に働いてしまう。 【００４３】しかしながら、降温過程において本発明の
０．０５体積％以上３体積％以下の酸素雰囲気条件下で
焼成した場合では、酸素濃度が低くなることによって、
セラミック粒内に固溶していたＡｇが粒界に析出し、固
溶前の圧電セラミックに近い状態となるので、圧電特性
や信頼性を阻害させない方向に働いていると考えられ
る。 【００４４】また、上述の焼成温度範囲において、試料
番号１のように、昇温過程と保持過程で酸素濃度が２１
体積％でかつ降温過程で酸素濃度が５体積％の焼成雰囲
気条件では、本発明の範囲内の試料番号２ないし５と比
較すると、圧電歪定数ｄ31は同等レベルであるが、圧電
セラミックの電気抵抗率ρは低くなり、絶縁性を十分確
保できていないことがわかる。 【００４５】これは、降温過程での酸素濃度が５体積％
の焼成雰囲気では、上述で説明したような、酸素濃度を
低くすることによって、セラミック粒内に固溶していた
Ａｇを粒界に析出するようにして、圧電特性や信頼性を
阻害させにくくする効果が十分でないためと考えられ
る。したがって、少なくともこの条件では、好ましくな
いことがわかる。 【００４６】さらに、試料番号６のように、昇温過程と
保持過程で酸素濃度が２１体積％でかつ降温過程で酸素
濃度が０．０３体積％の焼成雰囲気条件では、本発明の
範囲内の試料番号２ないし５と比較すると、圧電歪定数
ｄ31は低く、かつ、圧電セラミックの電気抵抗率ρも低
くなり、圧電特性および絶縁性を十分確保できていない
ことがわかる。 【００４７】これは、降温過程での酸素濃度が０．０３
体積％の焼成雰囲気では、圧電セラミックの表面に異相
の析出が認められ、この異相の存在が圧電特性や信頼性
を阻害させる原因になっていると考えられる。したがっ
て、少なくともこの条件では、好ましくないことがわか
る。 【００４８】また、試料番号７ないし８のように、昇温
過程と保持過程で酸素濃度が９０体積％でかつ降温過程
で酸素濃度が０．５体積％以上１体積％以下の焼成雰囲
気条件では、圧電セラミックの電気抵抗率ρを向上さ
せ、かつ、圧電歪定数ｄ31も同等レベル以上で保持され
ていることがわかる。 【００４９】すなわち、上述の試料番号２ないし５の場
合と同等レベルの特性が得られていることがわかる。 【００５０】以上の通り、降温過程で酸素濃度が０．０
５体積％以上３体積％以下の焼成雰囲気条件を満足し、
かつ昇温過程と保持過程での酸素濃度が２１体積％以上
の焼成雰囲気条件を満足させることにより、圧電特性や
絶縁性を向上させることができる。 【００５１】［実施例２］まず、出発原料として、Ｐｂ
3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＮｉＯおよびＦｅ
2Ｏ3を用意した。次いで、９９重量％のＰｂ1.00｛（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）0. 40Ｚｒ0.25Ｔｉ0.35｝Ｏ3からなる主
成分に、添加物として１重量％のＦｅ2Ｏ3を含有する圧
電セラミック組成物が得られるように、上記原料を秤量
し、ボールミルにて湿式混合した。 【００５２】次いで、上述の混合物を脱水、乾燥して、
８００℃の温度で２時間仮焼し、粉砕することにより、
仮焼粉末を得た。 【００５３】以下、上記実施例１と同様な方法にて、実
施例１と同様に、図１、図２に示すような目的とする積
層型圧電アクチュエータ１０を得た。 【００５４】これらの積層型圧電アクチュエータの圧電
歪定数｜ｄ31｜、および圧電セラミックの電気抵抗率ρ
を求めた。その結果を表３に示す。 【００５５】｜ｄ31｜はレーザードップラー振動計にて
歪み量を測定し、３１方向の圧電歪定数を算出して求め
た。また、ρはセラミック層を介した内部電極間の絶縁
抵抗をＤＣ５０Ｖ、３０ｓｅｃで印加した条件で測定
し、その絶縁抵抗に電極面積を乗じた値を内部電極間の
セラミック層厚みで割って求めた。 【００５６】なお、表３において、＊印を付したもの
は、本発明の範囲外のものであり、それ以外はすべて本
発明の範囲内のものである。 【００５７】 【表３】【００５８】表１、３から明らかなように、本発明の範
囲内の試料番号１３ないし１６によれば、圧電セラミッ
クの電気抵抗率ρおよび圧電歪定数ｄ31が向上されてい
ることがわかる。 【００５９】しかし、一方、６００℃〜１０５０℃の昇
温過程、１０５０℃での保持過程、および１０５０℃〜
３００℃の降温過程の焼成温度範囲において、全過程で
酸素濃度が２１体積％や９０体積％の焼成雰囲気条件で
ある試料番号２０および２１や、昇温過程で酸素濃度が
１体積％でかつ保持過程と降温過程で酸素濃度が２１体
積％の焼成雰囲気である試料番号２２では、本発明の範
囲内の試料番号１３ないし１６と比べて、圧電セラミッ
クの電気抵抗率ρや圧電歪定数ｄ31は十分に向上されて
いないことがわかる。 【００６０】これは、焼成の降温過程における雰囲気の
酸素濃度を低くしたことによる効果と考えられる。 【００６１】すなわち、昇温過程もしくは保持過程の段
階において、本発明の範囲内の試料番号１３ないし１６
を含めて上述のいずれの場合も、酸素濃度が２１体積％
と高い酸素雰囲気条件で焼成しているため、積層型圧電
アクチュエータの内部電極に含まれるＡｇが圧電セラミ
ックの粒内に入り込み、Ａｇとの固溶体を形成する。 【００６２】この状態のまま、降温過程においても本発
明の範囲外の酸素雰囲気条件下で焼成すると、圧電特性
や信頼性を阻害させる方向に働いてしまう。 【００６３】しかしながら、降温過程において本発明の
０．０５体積％以上３体積％以下の酸素雰囲気条件下で
焼成した場合では、酸素濃度が低くなることによって、
セラミック粒内に固溶していたＡｇが粒界に析出し、固
溶前の圧電セラミックに近い状態となるので、圧電特性
や信頼性を阻害させない方向に働いていると考えられ
る。 【００６４】また、上述の焼成温度範囲において、試料
番号１２のように、昇温過程と保持過程で酸素濃度が２
１体積％でかつ降温過程で酸素濃度が５体積％の焼成雰
囲気条件では、本発明の範囲内の試料番号１３ないし１
６と比較すると、圧電歪定数ｄ31は同等レベルである
が、圧電セラミックの電気抵抗率ρは低くなり、絶縁性
を十分確保できていないことがわかる。 【００６５】これは、降温過程での酸素濃度が５体積％
の焼成雰囲気では、上述で説明したような、酸素濃度を
低くすることによって、セラミック粒内に固溶していた
Ａｇを粒界に析出するようにして、圧電特性や信頼性を
阻害させにくくする効果が十分でないためと考えられ
る。したがって、少なくともこの条件では、好ましくな
いことがわかる。 【００６６】さらに、試料番号１７のように、昇温過程
と保持過程で酸素濃度が２１体積％でかつ降温過程で酸
素濃度が０．０３体積％の焼成雰囲気条件では、本発明
の範囲内の試料番号１３ないし１６と比較すると、圧電
歪定数ｄ31は低く、かつ、圧電セラミックの電気抵抗率
ρも低くなり、圧電特性および絶縁性を十分確保できて
いないことがわかる。 【００６７】これは、降温過程での酸素濃度が０．０３
体積％の焼成雰囲気では、圧電セラミックの表面に異相
の析出が認められ、この異相の存在が圧電特性や信頼性
を阻害させる原因になっていると考えられる。したがっ
て、少なくともこの条件では、好ましくないことがわか
る。 【００６８】また、試料番号１８ないし１９のように、
昇温過程と保持過程で酸素濃度が９０体積％でかつ降温
過程で酸素濃度が０．５体積％以上１体積％以下の焼成
雰囲気条件では、圧電セラミックの電気抵抗率ρを向上
させ、かつ、圧電歪定数ｄ31も同等レベル以上で保持さ
れていることがわかる。 【００６９】すなわち、上述の試料番号１３ないし１６
の場合と同等レベルの特性が得られていることがわか
る。 【００７０】以上の通り、降温過程で酸素濃度が０．０
５体積％以上３体積％以下の焼成雰囲気条件を満足し、
かつ昇温過程と保持過程での酸素濃度が２１体積％以上
の焼成雰囲気条件を満足させることにより、圧電特性や
絶縁性を向上させることができる。 【００７１】なお、前記実施例には積層型圧電アクチュ
エータの場合についてのみ示したが、勿論この場合に限
定されることはなく、圧電効果を利用した圧電共振子、
圧電フィルタ、圧電ブザー、および圧電トランス等の積
層型圧電セラミック素子全般について適用できることは
言うまでもないことである。図３に本発明が適用され得
るインクジェット用の積層型圧電素子３０の斜視図を示
す。３１は圧電セラミック、３２は内部電極、３３は外
部電極を示す。 【００７２】 【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
積層型圧電セラミック素子の製造方法によれば、Ａｇを
主成分とする合金を含む内部電極とセラミック層を、焼
成時の昇温過程と保持過程での酸素濃度が２１体積％以
上で、かつ降温過程での酸素濃度が０．０５体積％〜３
体積％となる雰囲気中で同時焼成することにより、焼成
時の昇温過程と保持過程で粒内に取り込まれていたＡｇ
が、降温過程で粒界に析出し、Ａｇを取り込むことで低
下していた圧電特性が改善されるため、圧電特性、特に
圧電歪定数（ｄ）を向上させ、高信頼性を十分確保する
ことができる。したがって、圧電特性および信頼性のさ
らに優れた積層型圧電セラミック素子を得ることが可能
となる。
アクチュエータ、圧電フィルタ、圧電ブザー、圧電トラ
ンス等に使用される圧電セラミック素子の製造方法に関
する。特に、Ａｇを主成分とする合金を内部電極とする
圧電セラミック素子の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来から、圧電共振子、圧電アクチュエ
ータ、圧電フィルタ、圧電ブザー、圧電トランス等に使
用される圧電セラミック素子において、それぞれの用途
に応じて、構造欠陥がなく、信頼性の高い優れた部品特
性を有するためには、最適な条件で焼成することが必要
不可欠であることはよく知られており、これまでにも種
々の取り組みがなされている。 【０００３】たとえば、特開平２−７４５６６号公報で
は、焼成温度までの昇温過程で、炉内雰囲気を酸素濃度
５０体積％以上に保ち、かつ焼成温度における保持過程
では、炉内雰囲気を酸素濃度が昇温過程の場合の１／２
ないし１０体積％の条件下で焼成するプロセスを示して
いる。これにより、酸素濃度５０体積％以上となる高酸
素雰囲気条件下の昇温過程で、この時期に形成されるセ
ラミックの閉気孔内の酸素濃度を高め、次いで焼成温度
における保持過程で、酸素濃度を昇温過程の場合の１／
２ないし１０体積％にすると、前述のセラミックの閉気
孔内と外気の酸素濃度差が大きくなり、よって酸素の拡
散速度が大きくなるので、酸化物で構成される圧電セラ
ミックスを量産性よく緻密に焼結させることができると
提案されている。 【０００４】また、特開平４−３５７１６４号公報や特
開平１０−９５６６５号公報などでは、全焼成プロファ
イルにおいて、酸素濃度８０体積％以上となる雰囲気条
件下で焼成するプロセスを示している。これにより、セ
ラミック焼結体の空孔や構造欠陥を抑制した緻密で高信
頼性の圧電セラミック素子、特に圧電共振子を得ること
ができるとされている。 【０００５】さらに、内部電極の種類に依らず、全焼成
プロファイルにおいて、大気中、すなわち酸素濃度が約
２１体積％の雰囲気中で焼成するプロセスも知られてお
り、種々の圧電セラミック部品において一般的に適用さ
れている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記に
示したような圧電セラミック素子において用いられてき
た従来の焼成プロセスの場合では、内部電極がＡｇを主
成分とする合金からなる未焼成の積層体を焼成すると、
内部電極に含まれるＡｇが圧電セラミック層中のセラミ
ック粒内に取り込まれて、圧電特性を劣化させるという
問題点があった。 【０００７】そこで、本発明の目的は、圧電特性がさら
に優れ、高い信頼性を示す積層型圧電セラミック素子の
製造方法を提供することにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の積層型圧電セラミック素子の製造方法は、
圧電セラミック材料を含有するセラミックグリーンシー
ト上に、Ａｇを主成分とする合金を含む導電性ペースト
を塗布し、該セラミックグリーンシートを積み重ねて積
層体とする工程と、該積層体を焼成時の昇温過程と保持
過程での酸素濃度が２１体積％以上で、かつ降温過程で
の酸素濃度が０．０５体積％以上３体積％以下となる雰
囲気中で焼成する工程とを備えることを特徴とする。 【０００９】ここで、焼成時の降温過程における酸素濃
度を０．０５体積％以上３体積％以下と限定したのは、
以下の理由による。 【００１０】０．０５体積％以上３体積％以下の酸素雰
囲気条件下で焼成した場合では、酸素濃度が低くなるこ
とによって、昇温過程や保持過程においてセラミック粒
内に固溶していたＡｇが、降温過程において粒界に析出
し、固溶前の圧電セラミックに近い状態となるので、圧
電特性や信頼性を阻害させない方向に働くため、圧電特
性、および信頼性を向上させている。 【００１１】しかし、３体積％を越える場合では、前述
に見られたような、セラミック粒内に取り込まれている
Ａｇが、セラミックの粒界に析出する効果が十分に発揮
されないため、圧電特性および信頼性が向上しないから
である。 【００１２】また、０．０３体積％未満の場合では、圧
電セラミックの表面に異相の析出が認められ、この異相
の存在が圧電特性や信頼性を阻害させるため、圧電特性
および信頼性が向上しないからである。 【００１３】また、焼成時の昇温過程および保持過程に
おける酸素濃度を２１体積％以上と限定したのは、以下
の理由による。 【００１４】２１体積％未満では、十分な焼結性が得ら
れないため、特性の低下を引き起こすからである。 【００１５】昇温過程と保持過程では、たとえば、チタ
ン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）系の化合物では、酸素濃度
が約２１体積％の大気雰囲気、もしくは酸素濃度が約２
１体積％以上の雰囲気条件下で焼成される。最高温度域
の焼成温度は前記雰囲気条件下で、積層体の焼結が完了
する温度、すなわち具体的には積層焼成体の充填密度が
理論密度に対して９９％以上となる温度に設定される。
なお、最高温度域での保持時間も前記の焼成温度の場合
と同様な思想で設定される。 【００１６】なお、昇温速度および降温速度は、たとえ
ば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）系の化合物では、
いずれも、毎分１〜１０℃の範囲で設定されており、最
高温度域における保持時間は１〜１０時間の範囲で設定
される。 【００１７】ただし、焼成条件は、上記の条件に限定さ
れるものではなく、Ｐｂ元素の化合物を含有する圧電セ
ラミック材料の種類（組成系）によって、最適な焼成温
度、昇温速度、保持時間、および降温速度を選択すれば
よい。 【００１８】なお、前記セラミックグリーンシート中の
圧電セラミック材料としては、上記に示したチタン酸ジ
ルコン酸鉛（ＰＺＴ）系の化合物のほか、チタン酸鉛
（ＰｂＴｉＯ3）系の化合物、メタニオブ酸鉛（ＰｂＮ
ｂ2Ｏ6）系の化合物、およびメタタンタル酸鉛（ＰｂＴ
ａ2Ｏ6）系化合物等を含有しているものからなる。 【００１９】また、内部電極用導電性ペーストに含まれ
る導体は、Ａｇを主成分とするもので構成され、Ａｇが
１００重量％、もしくはＰｄが５０重量％以下を含有し
ているものからなる。 【００２０】このように、本発明の積層型圧電セラミッ
ク素子の製造方法において、Ａｇを主成分とする合金を
含む内部電極とセラミック層を、焼成時の昇温過程と保
持過程での酸素濃度が２１体積％以上で、かつ降温過程
での酸素濃度が０．０５体積％〜３体積％となる雰囲気
中で同時焼成することにより、焼成時の昇温過程と保持
過程で粒内に取り込まれていたＡｇが、降温過程で粒界
に析出し、Ａｇを取り込むことで低下していた圧電特性
が改善されるため、圧電特性、特に圧電歪定数（ｄ）を
向上させ、高信頼性を十分確保することができる。 【００２１】したがって、圧電特性および信頼性のさら
に優れた積層型圧電セラミック素子を得ることが可能と
なる。 【００２２】 【発明の実施の形態】以下、本発明の積層型圧電セラミ
ック素子の一例である積層型圧電アクチュエータの製造
方法について、実施例を用いて、実施の形態を詳細に説
明する。 【００２３】［実施例１］まず、出発原料として、Ｐｂ
3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｒＣＯ3を用意した。次い
で、Ｐｂ0.98Ｓｒ0.02（Ｚｒ0.45Ｔｉ0.55）Ｏ3となる
圧電セラミック組成物が得られるように、上記原料を秤
量し、ボールミルにて湿式混合した。さらに、上述の混
合物を脱水、乾燥して、８００℃の温度で２時間仮焼
し、粉砕することにより、仮焼粉末を得た。 【００２４】次いで、この仮焼粉末に、アクリル系有機
バインダー、有機溶剤、および可塑剤などの添加物を加
えて、ボールミルにて湿式混合して、スラリーを得た。 【００２５】このスラリーをドクターブレード法にて成
形し、約４０μｍの厚さのセラミックグリーンシートを
作製した。 【００２６】このセラミックグリーンシート上に、Ａｇ
／Ｐｄ＝８０重量％／２０重量％の割合となる導体を含
有する導電性ペーストを、スクリーン印刷法により、焼
成後の厚みが１．０〜３．０μｍとなるように塗布し、
乾燥させて、内部電極用の層が形成されたセラミックグ
リーンシートを得た。 【００２７】その後、このセラミックグリーンシートを
積み重ね、熱プレスにより圧着させて、一体化させた積
層体を得た。 【００２８】次いで、この積層体をあらかじめ、約５０
０℃の温度でバインダー成分を十分に除去させ、表１に
示す焼成プロファイルおよび焼成雰囲気を用いて焼成を
行った。 【００２９】なお、昇温速度は毎分３℃、保持過程の保
持時間は２時間、および降温速度は毎分４℃とした。 【００３０】また、表１において、＊印を付したもの
は、本発明の範囲外のものであり、それ以外はすべて本
発明の範囲内ものである。 【００３１】 【表１】【００３２】この焼成後の積層体を、所定の大きさにカ
ットした後、外部電極を塗布、焼成にて形成して、内部
電極と電気的に接続させた、圧電セラミック素子を得
た。 【００３３】次に、６０℃の絶縁オイル中で、４．０ｋ
Ｖ／ｍｍの直流電界を６０分間印加して、分極処理を施
した。その後、１２０〜２００℃の空気中で、３０〜６
０分間、エージングして、図１、図２に示すような目的
とする積層型圧電アクチュエータ１０を得た。なお、図
１、図２において、１１は内部電極、１２は外部電極、
１３は圧電セラミックをそれぞれ示す。 【００３４】これらの積層型圧電アクチュエータの圧電
歪定数｜ｄ31｜、および圧電セラミックの電気抵抗率ρ
を求めた。その結果を表２に示す。 【００３５】なお、｜ｄ31｜はレーザードップラー振動
計にて歪み量を測定し、３１方向の圧電歪定数を算出し
て求めた。また、ρはセラミック層を介した内部電極間
にＤＣ５０Ｖの電圧を３０秒間印加した時の絶縁抵抗を
測定し、その絶縁抵抗に電極面積を乗じ、この値を内部
電極間のセラミック層厚みで割って求めた。 【００３６】表２において、＊印を付したものは、本発
明の範囲外のものであり、それ以外は全て本発明の範囲
内のものである。 【００３７】 【表２】 【００３８】表１、２から明らかなように、本発明の範
囲内の試料番号２ないし５によれば、圧電セラミックの
電気抵抗率ρおよび圧電歪定数ｄ31が向上されているこ
とがわかる。 【００３９】しかし、一方、６００℃〜１０５０℃の昇
温過程、１０５０℃での保持過程、および１０５０℃〜
３００℃の降温過程の焼成温度範囲において、全過程で
酸素濃度が２１体積％や９０体積％の焼成雰囲気条件で
ある試料番号９および１０や、昇温過程で酸素濃度が１
体積％でかつ保持過程と降温過程で酸素濃度が２１体積
％の焼成雰囲気である試料番号１１では、本発明の範囲
内の試料番号２ないし５と比べて、圧電セラミックの電
気抵抗率ρや圧電歪定数ｄ31は十分に向上されていない
ことがわかる。 【００４０】これは、焼成の降温過程における雰囲気の
酸素濃度を低くしたことによる効果と考えられる。 【００４１】すなわち、昇温過程もしくは保持過程の段
階において、本発明の範囲内の試料番号２ないし５を含
めて上述のいずれの場合も、酸素濃度が２１体積％と高
い酸素雰囲気条件で焼成しているため、積層型圧電アク
チュエータの内部電極に含まれるＡｇが圧電セラミック
の粒内に入り込み、Ａｇとの固溶体を形成する。 【００４２】この状態のまま、降温過程においても本発
明の範囲外の酸素雰囲気条件下で焼成すると、圧電特性
や信頼性を阻害させる方向に働いてしまう。 【００４３】しかしながら、降温過程において本発明の
０．０５体積％以上３体積％以下の酸素雰囲気条件下で
焼成した場合では、酸素濃度が低くなることによって、
セラミック粒内に固溶していたＡｇが粒界に析出し、固
溶前の圧電セラミックに近い状態となるので、圧電特性
や信頼性を阻害させない方向に働いていると考えられ
る。 【００４４】また、上述の焼成温度範囲において、試料
番号１のように、昇温過程と保持過程で酸素濃度が２１
体積％でかつ降温過程で酸素濃度が５体積％の焼成雰囲
気条件では、本発明の範囲内の試料番号２ないし５と比
較すると、圧電歪定数ｄ31は同等レベルであるが、圧電
セラミックの電気抵抗率ρは低くなり、絶縁性を十分確
保できていないことがわかる。 【００４５】これは、降温過程での酸素濃度が５体積％
の焼成雰囲気では、上述で説明したような、酸素濃度を
低くすることによって、セラミック粒内に固溶していた
Ａｇを粒界に析出するようにして、圧電特性や信頼性を
阻害させにくくする効果が十分でないためと考えられ
る。したがって、少なくともこの条件では、好ましくな
いことがわかる。 【００４６】さらに、試料番号６のように、昇温過程と
保持過程で酸素濃度が２１体積％でかつ降温過程で酸素
濃度が０．０３体積％の焼成雰囲気条件では、本発明の
範囲内の試料番号２ないし５と比較すると、圧電歪定数
ｄ31は低く、かつ、圧電セラミックの電気抵抗率ρも低
くなり、圧電特性および絶縁性を十分確保できていない
ことがわかる。 【００４７】これは、降温過程での酸素濃度が０．０３
体積％の焼成雰囲気では、圧電セラミックの表面に異相
の析出が認められ、この異相の存在が圧電特性や信頼性
を阻害させる原因になっていると考えられる。したがっ
て、少なくともこの条件では、好ましくないことがわか
る。 【００４８】また、試料番号７ないし８のように、昇温
過程と保持過程で酸素濃度が９０体積％でかつ降温過程
で酸素濃度が０．５体積％以上１体積％以下の焼成雰囲
気条件では、圧電セラミックの電気抵抗率ρを向上さ
せ、かつ、圧電歪定数ｄ31も同等レベル以上で保持され
ていることがわかる。 【００４９】すなわち、上述の試料番号２ないし５の場
合と同等レベルの特性が得られていることがわかる。 【００５０】以上の通り、降温過程で酸素濃度が０．０
５体積％以上３体積％以下の焼成雰囲気条件を満足し、
かつ昇温過程と保持過程での酸素濃度が２１体積％以上
の焼成雰囲気条件を満足させることにより、圧電特性や
絶縁性を向上させることができる。 【００５１】［実施例２］まず、出発原料として、Ｐｂ
3Ｏ4、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＮｉＯおよびＦｅ
2Ｏ3を用意した。次いで、９９重量％のＰｂ1.00｛（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）0. 40Ｚｒ0.25Ｔｉ0.35｝Ｏ3からなる主
成分に、添加物として１重量％のＦｅ2Ｏ3を含有する圧
電セラミック組成物が得られるように、上記原料を秤量
し、ボールミルにて湿式混合した。 【００５２】次いで、上述の混合物を脱水、乾燥して、
８００℃の温度で２時間仮焼し、粉砕することにより、
仮焼粉末を得た。 【００５３】以下、上記実施例１と同様な方法にて、実
施例１と同様に、図１、図２に示すような目的とする積
層型圧電アクチュエータ１０を得た。 【００５４】これらの積層型圧電アクチュエータの圧電
歪定数｜ｄ31｜、および圧電セラミックの電気抵抗率ρ
を求めた。その結果を表３に示す。 【００５５】｜ｄ31｜はレーザードップラー振動計にて
歪み量を測定し、３１方向の圧電歪定数を算出して求め
た。また、ρはセラミック層を介した内部電極間の絶縁
抵抗をＤＣ５０Ｖ、３０ｓｅｃで印加した条件で測定
し、その絶縁抵抗に電極面積を乗じた値を内部電極間の
セラミック層厚みで割って求めた。 【００５６】なお、表３において、＊印を付したもの
は、本発明の範囲外のものであり、それ以外はすべて本
発明の範囲内のものである。 【００５７】 【表３】【００５８】表１、３から明らかなように、本発明の範
囲内の試料番号１３ないし１６によれば、圧電セラミッ
クの電気抵抗率ρおよび圧電歪定数ｄ31が向上されてい
ることがわかる。 【００５９】しかし、一方、６００℃〜１０５０℃の昇
温過程、１０５０℃での保持過程、および１０５０℃〜
３００℃の降温過程の焼成温度範囲において、全過程で
酸素濃度が２１体積％や９０体積％の焼成雰囲気条件で
ある試料番号２０および２１や、昇温過程で酸素濃度が
１体積％でかつ保持過程と降温過程で酸素濃度が２１体
積％の焼成雰囲気である試料番号２２では、本発明の範
囲内の試料番号１３ないし１６と比べて、圧電セラミッ
クの電気抵抗率ρや圧電歪定数ｄ31は十分に向上されて
いないことがわかる。 【００６０】これは、焼成の降温過程における雰囲気の
酸素濃度を低くしたことによる効果と考えられる。 【００６１】すなわち、昇温過程もしくは保持過程の段
階において、本発明の範囲内の試料番号１３ないし１６
を含めて上述のいずれの場合も、酸素濃度が２１体積％
と高い酸素雰囲気条件で焼成しているため、積層型圧電
アクチュエータの内部電極に含まれるＡｇが圧電セラミ
ックの粒内に入り込み、Ａｇとの固溶体を形成する。 【００６２】この状態のまま、降温過程においても本発
明の範囲外の酸素雰囲気条件下で焼成すると、圧電特性
や信頼性を阻害させる方向に働いてしまう。 【００６３】しかしながら、降温過程において本発明の
０．０５体積％以上３体積％以下の酸素雰囲気条件下で
焼成した場合では、酸素濃度が低くなることによって、
セラミック粒内に固溶していたＡｇが粒界に析出し、固
溶前の圧電セラミックに近い状態となるので、圧電特性
や信頼性を阻害させない方向に働いていると考えられ
る。 【００６４】また、上述の焼成温度範囲において、試料
番号１２のように、昇温過程と保持過程で酸素濃度が２
１体積％でかつ降温過程で酸素濃度が５体積％の焼成雰
囲気条件では、本発明の範囲内の試料番号１３ないし１
６と比較すると、圧電歪定数ｄ31は同等レベルである
が、圧電セラミックの電気抵抗率ρは低くなり、絶縁性
を十分確保できていないことがわかる。 【００６５】これは、降温過程での酸素濃度が５体積％
の焼成雰囲気では、上述で説明したような、酸素濃度を
低くすることによって、セラミック粒内に固溶していた
Ａｇを粒界に析出するようにして、圧電特性や信頼性を
阻害させにくくする効果が十分でないためと考えられ
る。したがって、少なくともこの条件では、好ましくな
いことがわかる。 【００６６】さらに、試料番号１７のように、昇温過程
と保持過程で酸素濃度が２１体積％でかつ降温過程で酸
素濃度が０．０３体積％の焼成雰囲気条件では、本発明
の範囲内の試料番号１３ないし１６と比較すると、圧電
歪定数ｄ31は低く、かつ、圧電セラミックの電気抵抗率
ρも低くなり、圧電特性および絶縁性を十分確保できて
いないことがわかる。 【００６７】これは、降温過程での酸素濃度が０．０３
体積％の焼成雰囲気では、圧電セラミックの表面に異相
の析出が認められ、この異相の存在が圧電特性や信頼性
を阻害させる原因になっていると考えられる。したがっ
て、少なくともこの条件では、好ましくないことがわか
る。 【００６８】また、試料番号１８ないし１９のように、
昇温過程と保持過程で酸素濃度が９０体積％でかつ降温
過程で酸素濃度が０．５体積％以上１体積％以下の焼成
雰囲気条件では、圧電セラミックの電気抵抗率ρを向上
させ、かつ、圧電歪定数ｄ31も同等レベル以上で保持さ
れていることがわかる。 【００６９】すなわち、上述の試料番号１３ないし１６
の場合と同等レベルの特性が得られていることがわか
る。 【００７０】以上の通り、降温過程で酸素濃度が０．０
５体積％以上３体積％以下の焼成雰囲気条件を満足し、
かつ昇温過程と保持過程での酸素濃度が２１体積％以上
の焼成雰囲気条件を満足させることにより、圧電特性や
絶縁性を向上させることができる。 【００７１】なお、前記実施例には積層型圧電アクチュ
エータの場合についてのみ示したが、勿論この場合に限
定されることはなく、圧電効果を利用した圧電共振子、
圧電フィルタ、圧電ブザー、および圧電トランス等の積
層型圧電セラミック素子全般について適用できることは
言うまでもないことである。図３に本発明が適用され得
るインクジェット用の積層型圧電素子３０の斜視図を示
す。３１は圧電セラミック、３２は内部電極、３３は外
部電極を示す。 【００７２】 【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
積層型圧電セラミック素子の製造方法によれば、Ａｇを
主成分とする合金を含む内部電極とセラミック層を、焼
成時の昇温過程と保持過程での酸素濃度が２１体積％以
上で、かつ降温過程での酸素濃度が０．０５体積％〜３
体積％となる雰囲気中で同時焼成することにより、焼成
時の昇温過程と保持過程で粒内に取り込まれていたＡｇ
が、降温過程で粒界に析出し、Ａｇを取り込むことで低
下していた圧電特性が改善されるため、圧電特性、特に
圧電歪定数（ｄ）を向上させ、高信頼性を十分確保する
ことができる。したがって、圧電特性および信頼性のさ
らに優れた積層型圧電セラミック素子を得ることが可能
となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる一実施例の積層型圧電アクチュ
エータを示す斜視図である。 【図２】図１に示す積層型圧電アクチュエータのａ−ｂ
方向における断面図である。 【図３】本発明が適用され得るインクジェット用の積層
型圧電素子の一例を示す斜視図である。 【符号の説明】 １０．積層型圧電アクチュエータ １１．内部電極 １２．外部電極 １３．圧電セラミック ３０．インクジェット用積層型圧電素子 ３１．圧電セラミック ３２．内部電極 ３３．外部電極
エータを示す斜視図である。 【図２】図１に示す積層型圧電アクチュエータのａ−ｂ
方向における断面図である。 【図３】本発明が適用され得るインクジェット用の積層
型圧電素子の一例を示す斜視図である。 【符号の説明】 １０．積層型圧電アクチュエータ １１．内部電極 １２．外部電極 １３．圧電セラミック ３０．インクジェット用積層型圧電素子 ３１．圧電セラミック ３２．内部電極 ３３．外部電極
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 41/24 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ａ
Ｆターム(参考） 4G031 AA05 AA11 AA12 AA14 AA21
AA23 AA32 AA39 BA10 CA03
GA09
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 Ｐｂ元素の化合物を含有している圧電セ
ラミック材料のセラミックグリーンシート上に、Ａｇを
主成分とする合金を含む導電性ペーストを塗布し、該セ
ラミックグリーンシートを積み重ねて積層体とする工程
と、該積層体を焼成時の昇温過程と保持過程での酸素濃
度が２１体積％以上で、かつ降温過程での酸素濃度が
０．０５体積％以上３体積％以下となる雰囲気中で焼成
する工程とを備えることを特徴とする、積層型圧電セラ
ミック素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001394060A JP4069622B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 積層型圧電セラミック素子の製造方法 |
| US10/327,039 US6749706B2 (en) | 2001-12-26 | 2002-12-24 | Method of manufacturing monolithic piezoelectric ceramic device |
| KR10-2002-0083232A KR100533578B1 (ko) | 2001-12-26 | 2002-12-24 | 적층형 압전 세라믹 소자의 제조방법 |
| CNB021597979A CN100365841C (zh) | 2001-12-26 | 2002-12-26 | 层叠型压电陶瓷元件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001394060A JP4069622B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 積層型圧電セラミック素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003192436A true JP2003192436A (ja) | 2003-07-09 |
| JP4069622B2 JP4069622B2 (ja) | 2008-04-02 |
Family
ID=27600898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001394060A Expired - Lifetime JP4069622B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 積層型圧電セラミック素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4069622B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266566A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 積層圧電アクチュエータ、その製造方法、および印刷ヘッド |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001394060A patent/JP4069622B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266566A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 積層圧電アクチュエータ、その製造方法、および印刷ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4069622B2 (ja) | 2008-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108735508B (zh) | 多层陶瓷电容器及其制造方法 | |
| JP7227690B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2006188414A (ja) | 圧電磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品 | |
| JP5641668B2 (ja) | 低焼結温度を有する強誘電性セラミック材料 | |
| JP5804064B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH11273985A (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| US11472742B2 (en) | Dielectric composition and electronic component | |
| JP2009263209A (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法 | |
| JP4924169B2 (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
| JP7197985B2 (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| KR100869093B1 (ko) | 압전자기 디바이스의 제조방법 | |
| JP2002208743A (ja) | 積層体変位素子 | |
| JP4321526B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品 | |
| JP2006269813A (ja) | 圧電磁器の製造方法及び圧電素子 | |
| KR100492813B1 (ko) | 적층형 압전 세라믹 소자의 제조방법 | |
| JP4462438B2 (ja) | 圧電磁器組成物、積層型圧電素子及び積層型圧電素子の製造方法 | |
| JP2003192436A (ja) | 積層型圧電セラミック素子の製造方法 | |
| JPH11233364A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2003197997A (ja) | 積層型圧電セラミック素子の製造方法 | |
| JP4736585B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP5115342B2 (ja) | 圧電磁器、圧電素子及び積層型圧電素子 | |
| JP4793579B2 (ja) | 圧電磁器組成物および積層型圧電素子 | |
| JP2003277142A (ja) | 圧電セラミックスおよび圧電アクチュエータ | |
| JP2006269982A (ja) | 圧電素子の製造方法及び圧電素子 | |
| JP5115356B2 (ja) | 圧電磁器、及び圧電素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060818 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060912 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070619 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071225 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080107 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4069622 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140125 Year of fee payment: 6 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |