JP2003188665A - マイクロ波高出力増幅器 - Google Patents
マイクロ波高出力増幅器Info
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- JP2003188665A JP2003188665A JP2002313632A JP2002313632A JP2003188665A JP 2003188665 A JP2003188665 A JP 2003188665A JP 2002313632 A JP2002313632 A JP 2002313632A JP 2002313632 A JP2002313632 A JP 2002313632A JP 2003188665 A JP2003188665 A JP 2003188665A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロ波高出力増幅器の高出力化を図るこ
とを目的とする。 【解決手段】マイクロ波高出力増幅器において、入力整
合回路をマイクロストリップ線路で構成し、かつ、この
マイクロストリップ線路の中央部からマイクロ波の伝ぱ
ん方向と垂直をなす方向に向って徐々に抵抗値が大きく
なるような抵抗をマイクロストリップ線路に直列に装荷
した。また、入力整合回路をマイクロストリップ線路で
構成し、かつ、このマイクロストリップ線路の中央部か
らマイクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす方向に向かっ
て、徐々に抵抗値が大きくなるような抵抗をマイクロス
トリップ線路に直列に装荷し、さらにこの抵抗の一部を
金属細線で短絡するようにした。
とを目的とする。 【解決手段】マイクロ波高出力増幅器において、入力整
合回路をマイクロストリップ線路で構成し、かつ、この
マイクロストリップ線路の中央部からマイクロ波の伝ぱ
ん方向と垂直をなす方向に向って徐々に抵抗値が大きく
なるような抵抗をマイクロストリップ線路に直列に装荷
した。また、入力整合回路をマイクロストリップ線路で
構成し、かつ、このマイクロストリップ線路の中央部か
らマイクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす方向に向かっ
て、徐々に抵抗値が大きくなるような抵抗をマイクロス
トリップ線路に直列に装荷し、さらにこの抵抗の一部を
金属細線で短絡するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はレーダあるいは通
信等に用いるマイクロ波高出力増幅器に関するものであ
る。
信等に用いるマイクロ波高出力増幅器に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＦＥＴ等の半導体増幅素子の高周
波化、高出力化が進み、レーダあるいは通信用の高出力
増幅器として、半導体増幅素子を用いたものが一般に用
いられている。図３は例えば電子情報通信学会、マイク
ロ波研究会資料ＭＷ８８−５２に記載された従来のマイ
クロ波高出力増幅器の斜視図である。公知資料では入出
力整合回路として、マイクロストリップ線路から成る２
段のインピーダンス変成器を用いた場合について示して
いるが、ここでは説明を簡単にするために、入出力整合
回路として、マイクロストリップ線路から成る１段のイ
ンピーダンス変成器を用い、かつ、半導体増幅素子とし
てＦＥＴを用いた場合について述べる。図において、１
は半導体増幅素子の一つであるＦＥＴ、２はマイクロス
トリップ線路、３は誘電体基板、４は入力端子、５は入
力整合回路、６はマイクロストリップ線路、７は出力端
子、８は出力整合回路、９は金属細線である。このマイ
クロ波高出力増幅器はチップ状のＦＥＴ１とＦＥＴ１の
入出力部にそれぞれ設けた入力整合回路５、出力整合回
路８とからなり、入力整合回路５とＦＥＴ１間及び出力
整合回路８とＦＥＴ１間を金属細線９によりそれぞれ接
続した構成のものである。入力整合回路５はアルミナセ
ラミック基板等の誘電体基板３上に形成されたマイクロ
ストリップ線路２からなり、マイクロストリップ線路２
の一端には入力端子４が接続されている。また、マイク
ロストリップ線路２の長さ及び特性インピーダンスはＦ
ＥＴ１の入力インピーダンスと入力端子４に接続される
電源インピーダンスとを整合させるような値に選ばれて
おり、通常、長さは所要周波数帯で１／４波長に、特性
インピーダンスはＦＥＴ１の入力インピーダンスと電源
インピーダンスとの相乗平均値に選ばれている。このよ
うに入力整合回路５はＦＥＴ１の入力インピーダンスと
電源インピーダンスとを整合させる働きを有し、長さが
約１／４波長のマイクロストリップ線路２からなる１段
のインピーダンス変成器となっている。一方、出力整合
回路８は誘電体基板３上に形成されたマイクロストリッ
プ線路６からなり、マイクロストリップ線路６の一端に
は出力端子７が接続されている。この出力整合回路８は
ＦＥＴ１の出力インピーダンスと出力端子７に接続され
る負荷インピーダンスとを整合させるために設けてお
り、マイクロストリップ線路６の長さ及び特性インピー
ダンスはそれぞれ１／４波長及びＦＥＴ１の出力インピ
ーダンスと負荷インピーダンスとの相乗平均値に選ばれ
ている。従って、出力整合回路８も入力整合回路５と同
様に、長さが約１／４波長のマイクロストリップ線路６
からなる１段のインピーダンス変成器となっている。さ
らに、増幅器出力は使用するＦＥＴ１のゲート幅に依存
するため、所望の出力が得られるようなゲート幅のＦＥ
Ｔ１が用いられており、通常、ＦＥＴ１はゲート幅１０
ｍｍ当り３ｗの出力が得られる。
波化、高出力化が進み、レーダあるいは通信用の高出力
増幅器として、半導体増幅素子を用いたものが一般に用
いられている。図３は例えば電子情報通信学会、マイク
ロ波研究会資料ＭＷ８８−５２に記載された従来のマイ
クロ波高出力増幅器の斜視図である。公知資料では入出
力整合回路として、マイクロストリップ線路から成る２
段のインピーダンス変成器を用いた場合について示して
いるが、ここでは説明を簡単にするために、入出力整合
回路として、マイクロストリップ線路から成る１段のイ
ンピーダンス変成器を用い、かつ、半導体増幅素子とし
てＦＥＴを用いた場合について述べる。図において、１
は半導体増幅素子の一つであるＦＥＴ、２はマイクロス
トリップ線路、３は誘電体基板、４は入力端子、５は入
力整合回路、６はマイクロストリップ線路、７は出力端
子、８は出力整合回路、９は金属細線である。このマイ
クロ波高出力増幅器はチップ状のＦＥＴ１とＦＥＴ１の
入出力部にそれぞれ設けた入力整合回路５、出力整合回
路８とからなり、入力整合回路５とＦＥＴ１間及び出力
整合回路８とＦＥＴ１間を金属細線９によりそれぞれ接
続した構成のものである。入力整合回路５はアルミナセ
ラミック基板等の誘電体基板３上に形成されたマイクロ
ストリップ線路２からなり、マイクロストリップ線路２
の一端には入力端子４が接続されている。また、マイク
ロストリップ線路２の長さ及び特性インピーダンスはＦ
ＥＴ１の入力インピーダンスと入力端子４に接続される
電源インピーダンスとを整合させるような値に選ばれて
おり、通常、長さは所要周波数帯で１／４波長に、特性
インピーダンスはＦＥＴ１の入力インピーダンスと電源
インピーダンスとの相乗平均値に選ばれている。このよ
うに入力整合回路５はＦＥＴ１の入力インピーダンスと
電源インピーダンスとを整合させる働きを有し、長さが
約１／４波長のマイクロストリップ線路２からなる１段
のインピーダンス変成器となっている。一方、出力整合
回路８は誘電体基板３上に形成されたマイクロストリッ
プ線路６からなり、マイクロストリップ線路６の一端に
は出力端子７が接続されている。この出力整合回路８は
ＦＥＴ１の出力インピーダンスと出力端子７に接続され
る負荷インピーダンスとを整合させるために設けてお
り、マイクロストリップ線路６の長さ及び特性インピー
ダンスはそれぞれ１／４波長及びＦＥＴ１の出力インピ
ーダンスと負荷インピーダンスとの相乗平均値に選ばれ
ている。従って、出力整合回路８も入力整合回路５と同
様に、長さが約１／４波長のマイクロストリップ線路６
からなる１段のインピーダンス変成器となっている。さ
らに、増幅器出力は使用するＦＥＴ１のゲート幅に依存
するため、所望の出力が得られるようなゲート幅のＦＥ
Ｔ１が用いられており、通常、ＦＥＴ１はゲート幅１０
ｍｍ当り３ｗの出力が得られる。
【０００３】次に動作について説明する。マイクロ波高
出力増幅器の入力端子４から入射したマイクロ波信号は
入力整合回路５を通り、ＦＥＴ１に供給される。供給さ
れたマイクロ波信号はＦＥＴ１で増幅され、出力整合回
路８を介して出力端子７に出力され、さらに、アンテナ
等の負荷へ供給される。このように所望のゲート幅のＦ
ＥＴ１を用い、ＦＥＴ１の入力インピーダンスと電源イ
ンピーダンス、ＦＥＴ１の出力インピーダンスと負荷イ
ンピーダンスとを整合させる入力整合回路５、出力整合
回路８をＦＥＴ１の入出力部にそれぞれ設けることによ
り、マイクロ波高出力増幅器を実現することができる。
出力増幅器の入力端子４から入射したマイクロ波信号は
入力整合回路５を通り、ＦＥＴ１に供給される。供給さ
れたマイクロ波信号はＦＥＴ１で増幅され、出力整合回
路８を介して出力端子７に出力され、さらに、アンテナ
等の負荷へ供給される。このように所望のゲート幅のＦ
ＥＴ１を用い、ＦＥＴ１の入力インピーダンスと電源イ
ンピーダンス、ＦＥＴ１の出力インピーダンスと負荷イ
ンピーダンスとを整合させる入力整合回路５、出力整合
回路８をＦＥＴ１の入出力部にそれぞれ設けることによ
り、マイクロ波高出力増幅器を実現することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、マイクロ波高出
力増幅器には高周波化、高出力化が増々要求されるよう
になって来ている。このため、高周波帯においても波長
に比べて無視できないチップサイズの大きなゲート幅の
広いＦＥＴ１が用いられるようになった。このようなゲ
ート幅の広いＦＥＴ１を高周波帯で使用する場合、次の
ような問題点が発生する。
力増幅器には高周波化、高出力化が増々要求されるよう
になって来ている。このため、高周波帯においても波長
に比べて無視できないチップサイズの大きなゲート幅の
広いＦＥＴ１が用いられるようになった。このようなゲ
ート幅の広いＦＥＴ１を高周波帯で使用する場合、次の
ような問題点が発生する。
【０００５】また、図４に示すように、マイクロストリ
ップ線路２，６では中央部よりも両端の方がマイクロ波
信号の電流密度が高くなる。このため、ＦＥＴ１の中央
部に比べ両端部には大きな振幅のマイクロ波信号が供給
される。従って、ＦＥＴ１の両端部は過飽和状態で動作
するのに対し、中央部はあまり飽和しない状態で動作す
るようになる。このように入力端子４から入射したマイ
クロ波信号はＦＥＴ１で増幅される際、ＦＥＴ１の各部
に振幅差が生じるため、増幅されたマイクロ波信号がマ
イクロストリップ線路６の出力端子７側で、効率良く合
成されなくなり、この場合も大きな出力が得られない問
題点があった。
ップ線路２，６では中央部よりも両端の方がマイクロ波
信号の電流密度が高くなる。このため、ＦＥＴ１の中央
部に比べ両端部には大きな振幅のマイクロ波信号が供給
される。従って、ＦＥＴ１の両端部は過飽和状態で動作
するのに対し、中央部はあまり飽和しない状態で動作す
るようになる。このように入力端子４から入射したマイ
クロ波信号はＦＥＴ１で増幅される際、ＦＥＴ１の各部
に振幅差が生じるため、増幅されたマイクロ波信号がマ
イクロストリップ線路６の出力端子７側で、効率良く合
成されなくなり、この場合も大きな出力が得られない問
題点があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、出力を向上させることができるマ
イクロ波増幅器を得る事を目的とする。
めになされたもので、出力を向上させることができるマ
イクロ波増幅器を得る事を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波高出力増幅器は、入力整合回路をマイクロストリップ
線路で構成し、かつ、このマイクロストリップ線路の中
央部からマイクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす方向に向
って徐々に抵抗値が大きくなるような抵抗をマイクロス
トリップ線路に直列に装荷したものである。
波高出力増幅器は、入力整合回路をマイクロストリップ
線路で構成し、かつ、このマイクロストリップ線路の中
央部からマイクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす方向に向
って徐々に抵抗値が大きくなるような抵抗をマイクロス
トリップ線路に直列に装荷したものである。
【０００８】また、この発明に係るマイクロ波高出力増
幅器は、入力整合回路をマイクロストリップ線路で構成
し、かつ、このマイクロストリップ線路の中央部からマ
イクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす方向に向かって、徐
々に抵抗値が大きくなるような抵抗をマイクロストリッ
プ線路に直列に装荷し、さらにこの抵抗の一部を金属細
線で短絡したものである。
幅器は、入力整合回路をマイクロストリップ線路で構成
し、かつ、このマイクロストリップ線路の中央部からマ
イクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす方向に向かって、徐
々に抵抗値が大きくなるような抵抗をマイクロストリッ
プ線路に直列に装荷し、さらにこの抵抗の一部を金属細
線で短絡したものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１（ａ），
（ｂ）はＦＥＴ１の中央部及び両端部に供給されるマイ
クロ波の振幅を等しくし、高出力化を図るためのマイク
ロ波高出力増幅器の一実施例を示す斜視図であり、図
中、１８は抵抗である。図１（ａ）に示したマイクロ波
高出力増幅器ではマイクロストリップ線路２に直列に、
マイクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす方向、つまり、マ
イクロストリップ線路２の中央部から両端部に向かって
抵抗値が大きくなる複数個の抵抗１８を設けたものであ
り、抵抗１８はマイクロストリップ線路２と同時にマイ
クロ波集積回路技術により誘電体基板３上に構成されて
いる。このように中央部よりも両端部の方が大きな抵抗
値の抵抗１８をマイクロストリップ線路２に直列に装荷
することにより、入力端子４から入射し、マイクロスト
リップ線路２を伝ぱんするマイクロ波信号は図の矢印で
示すように中央部よりも両端部を通る方が大きく減衰さ
れる。このため、入力端子４から入射し、マイクロスト
リップ線路２の両端部を通る振幅の大きなマイクロ波信
号は大きく減衰されるようになる。従って、ＦＥＴ１の
中央部及び両端部に供給されるマイクロ波信号の振幅を
ほぼ等しくでき、ＦＥＴ１を同振幅で動作させることが
できるため高出力を図ることができる。特にこのマイク
ロ波高出力増幅器ではＦＥＴ１の入力側に直列に抵抗１
８が装荷される構成となるため、利得はやや低くなるが
高安定なマイクロ波高出力増幅器を得ることもできる。
なお、上記、実施例ではマイクロストリップ線路２に直
列に３個の抵抗１８を装荷した場合について述べたが、
この発明のマイクロ波高出力増幅器では、図１（ｂ）に
示すようにマイクロストリップ線路２の中央部から両端
部に向かって徐々に幅が広がるような１個の抵抗１８を
設けた場合であっても良い。
（ｂ）はＦＥＴ１の中央部及び両端部に供給されるマイ
クロ波の振幅を等しくし、高出力化を図るためのマイク
ロ波高出力増幅器の一実施例を示す斜視図であり、図
中、１８は抵抗である。図１（ａ）に示したマイクロ波
高出力増幅器ではマイクロストリップ線路２に直列に、
マイクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす方向、つまり、マ
イクロストリップ線路２の中央部から両端部に向かって
抵抗値が大きくなる複数個の抵抗１８を設けたものであ
り、抵抗１８はマイクロストリップ線路２と同時にマイ
クロ波集積回路技術により誘電体基板３上に構成されて
いる。このように中央部よりも両端部の方が大きな抵抗
値の抵抗１８をマイクロストリップ線路２に直列に装荷
することにより、入力端子４から入射し、マイクロスト
リップ線路２を伝ぱんするマイクロ波信号は図の矢印で
示すように中央部よりも両端部を通る方が大きく減衰さ
れる。このため、入力端子４から入射し、マイクロスト
リップ線路２の両端部を通る振幅の大きなマイクロ波信
号は大きく減衰されるようになる。従って、ＦＥＴ１の
中央部及び両端部に供給されるマイクロ波信号の振幅を
ほぼ等しくでき、ＦＥＴ１を同振幅で動作させることが
できるため高出力を図ることができる。特にこのマイク
ロ波高出力増幅器ではＦＥＴ１の入力側に直列に抵抗１
８が装荷される構成となるため、利得はやや低くなるが
高安定なマイクロ波高出力増幅器を得ることもできる。
なお、上記、実施例ではマイクロストリップ線路２に直
列に３個の抵抗１８を装荷した場合について述べたが、
この発明のマイクロ波高出力増幅器では、図１（ｂ）に
示すようにマイクロストリップ線路２の中央部から両端
部に向かって徐々に幅が広がるような１個の抵抗１８を
設けた場合であっても良い。
【００１０】実施の形態２．図２（ａ），（ｂ）はＦＥ
Ｔ１の各部に供給されるマイクロ波の振幅を等しくし、
高出力化を図ることができるマイクロ波高出力増幅器の
他の実施例を示す斜視図であり、図２（ａ）はマイクロ
ストリップ線路２の両端部にのみ抵抗１８を装荷した場
合、図２（ｂ）はマイクロストリップ線路２の中央部か
ら両端部まで抵抗１８を装荷した場合である。これらは
図１（ａ），（ｂ）に示した実施例５のものと基本的な
回路構成は同じであるが、この発明のマイクロ波高出力
増幅器ではマイクロストリップ線路２に直列に装荷した
抵抗１８の一部を金属細線１４で短絡したものである。
これにより抵抗１８でのマイクロ波の減衰量を決めるこ
とができる。即ち、金属細線１４の長さが短く、本数が
多いほど、短絡近傍での抵抗１８によるマイクロ波の減
衰量が小さくなる。以上のように、この発明のマイクロ
波高出力増幅器では抵抗１８の一部を金属細線１４で短
絡することにより、その近傍での抵抗１８によるマイク
ロ波の減衰量を可変することができ、入力端子４から入
射したマイクロ波信号のＦＥＴ１端での振幅をより等し
くすることができる。これにより、ＦＥＴ１の各部を同
振幅で動作させることができ、より高出力化を図ること
ができる。なお、実施例５，６ではＦＥＴ１の各部での
マイクロ波の振幅をほぼ等しくする方法について述べた
が、この発明ではこれらの手法と先に実施例１〜４で述
べた位相を等しくする手法とを組み合せて用いることに
より、さらに高出力化を図ることができる。
Ｔ１の各部に供給されるマイクロ波の振幅を等しくし、
高出力化を図ることができるマイクロ波高出力増幅器の
他の実施例を示す斜視図であり、図２（ａ）はマイクロ
ストリップ線路２の両端部にのみ抵抗１８を装荷した場
合、図２（ｂ）はマイクロストリップ線路２の中央部か
ら両端部まで抵抗１８を装荷した場合である。これらは
図１（ａ），（ｂ）に示した実施例５のものと基本的な
回路構成は同じであるが、この発明のマイクロ波高出力
増幅器ではマイクロストリップ線路２に直列に装荷した
抵抗１８の一部を金属細線１４で短絡したものである。
これにより抵抗１８でのマイクロ波の減衰量を決めるこ
とができる。即ち、金属細線１４の長さが短く、本数が
多いほど、短絡近傍での抵抗１８によるマイクロ波の減
衰量が小さくなる。以上のように、この発明のマイクロ
波高出力増幅器では抵抗１８の一部を金属細線１４で短
絡することにより、その近傍での抵抗１８によるマイク
ロ波の減衰量を可変することができ、入力端子４から入
射したマイクロ波信号のＦＥＴ１端での振幅をより等し
くすることができる。これにより、ＦＥＴ１の各部を同
振幅で動作させることができ、より高出力化を図ること
ができる。なお、実施例５，６ではＦＥＴ１の各部での
マイクロ波の振幅をほぼ等しくする方法について述べた
が、この発明ではこれらの手法と先に実施例１〜４で述
べた位相を等しくする手法とを組み合せて用いることに
より、さらに高出力化を図ることができる。
【００１１】上記、実施例１〜実施例２では入力端子４
から入射したマイクロ波の位相あるいは振幅をＦＥＴ１
の中央部及び両端部で揃え、ＦＥＴ１の各部を均一動作
させることによりマイクロ波高出力増幅器の高出力化を
図る方法について述べた。
から入射したマイクロ波の位相あるいは振幅をＦＥＴ１
の中央部及び両端部で揃え、ＦＥＴ１の各部を均一動作
させることによりマイクロ波高出力増幅器の高出力化を
図る方法について述べた。
【００１２】
【発明の効果】また、この発明によれば入力整合回路を
マイクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす両端部に向かって
徐々に抵抗値が大きくなるような抵抗を直列に装荷した
マイクロストリップ線路で構成することにより、マイク
ロストリップ線路の両端部を通るマイクロ波信号を大き
く減衰させることができ、半導体増幅素子の中央部ある
いは両端部に供給されるマイクロ波信号の振幅をほぼ一
定にできる。このため、半導体増幅素子の中央部あるい
は両端部を同振幅で動作させることができ、マイクロ波
高出力増幅器の高出力化を図ることができるとともに安
定化も図れる効果がある。
マイクロ波の伝ぱん方向と垂直をなす両端部に向かって
徐々に抵抗値が大きくなるような抵抗を直列に装荷した
マイクロストリップ線路で構成することにより、マイク
ロストリップ線路の両端部を通るマイクロ波信号を大き
く減衰させることができ、半導体増幅素子の中央部ある
いは両端部に供給されるマイクロ波信号の振幅をほぼ一
定にできる。このため、半導体増幅素子の中央部あるい
は両端部を同振幅で動作させることができ、マイクロ波
高出力増幅器の高出力化を図ることができるとともに安
定化も図れる効果がある。
【００１３】また、この発明によれば上記抵抗の一部を
金属細線で短絡することにより、抵抗でのマイクロ波の
減衰量を調整できるため、半導体増幅素子の中央部ある
いは両端部に供給されるマイクロ波信号の振幅をより等
しくすることができ、マイクロ波高出力増幅器のより高
出力化が可能となる。
金属細線で短絡することにより、抵抗でのマイクロ波の
減衰量を調整できるため、半導体増幅素子の中央部ある
いは両端部に供給されるマイクロ波信号の振幅をより等
しくすることができ、マイクロ波高出力増幅器のより高
出力化が可能となる。
【図１】この発明のまた他の実施例を示すマイクロ波高
出力増幅器の斜視図である。
出力増幅器の斜視図である。
【図２】この発明のまた他の実施例を示すマイクロ波高
出力増幅器の斜視図である。
出力増幅器の斜視図である。
【図３】従来のマイクロ波高出力増幅器の斜視図であ
る。
る。
【図４】マイクロ波信号の流れを表わすモデル図であ
る。
る。
１ ＦＥＴ
２ マイクロストリップ線路
３ 誘電体基板
４ 入力端子
５ 入力整合回路
６ マイクロストリップ線路
７ 出力端子
８ 出力整合回路
９ 金属細線
１０ スリット
１１ スリット
１２ スリット
１３ キャパシタ
１４ 金属細線
１５ 絶縁体膜
１６ 先端開放線路
１７ コの字形のスリット
１８ 抵抗
１９ １／４波長の先端開放線路
Claims (2)
- 【請求項１】 入力整合回路と出力整合回路と半導体増
幅素子とから成るマイクロ波高出力増幅器において、上
記、入力整合回路を誘電体基板あるいは半導体基板上に
形成されたマイクロストリップ線路で構成し、かつ、上
記、マイクロストリップ線路の中央部からマイクロ波の
伝ぱん方向と垂直をなす方向に向かって徐々に抵抗値が
大きくなる抵抗を上記、マイクロストリップ線路に直列
に装荷したことを特徴とするマイクロ波高出力増幅器。 - 【請求項２】 上記、抵抗の一部を金属細線で短絡した
ことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波高出力増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002313632A JP3731122B2 (ja) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | マイクロ波高出力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002313632A JP3731122B2 (ja) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | マイクロ波高出力増幅器 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6098615A Division JPH07307626A (ja) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | マイクロ波高出力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188665A true JP2003188665A (ja) | 2003-07-04 |
| JP3731122B2 JP3731122B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=27606742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002313632A Expired - Fee Related JP3731122B2 (ja) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | マイクロ波高出力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3731122B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009303027A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 安定化回路及び増幅器 |
| JP2014179681A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
| WO2018134999A1 (ja) * | 2017-01-23 | 2018-07-26 | 三菱電機株式会社 | 可変利得増幅器 |
| CN114709580A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-07-05 | 南京恒讯微波科技有限公司 | 一种具有精确调试功能的传输电路 |
-
2002
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