JP2003181238A - ガス透過層接合体およびガス透過層接合体を用いた部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】極薄のガス透過層を用いてもハンドリング性が
問題とならないような、ガス透過層接合体およびガス透
過層接合体を用いた部品の提供。 【解決手段】基体１１にガス透過層２８を積層してなる
積層体１０と、支持層２６に中間層２４を積層してなる
支持体１１とを積層してなるガス透過層接合体１２であ
って、ガス透過層２８と中間層２４の接合されるそれぞ
れの面を活性化処理した後、活性化処理面同士が対向す
るように当接して重ね合わせて積層接合してガス透過層
接合体１２を製造する。ガス透過層接合体１２より基体
２２を除去して支持体１１にエッチング加工を施して開
口接合材３０を製造してガス分離膜部品とし、またはメ
ッシュ板３４や基台３６を積層してガス分離膜ユニット
として、水素分離装置などに適用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、基体にガス透過層
を積層してなる積層体と、支持層に中間層を積層してな
る支持体とを積層してなるガス透過層接合体およびガス
透過層接合体を用いた部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、燃料電池システムの開発が進むに
つれて、高純度水素を得るための改質器用途に水素分離
膜を用いた水素分離装置が注目されてきており、これに
適用される各種の水素分離部品が提案されている。例え
ば、特願２０００−０９９６７４号では、金属支持体と
水素ガス分離性材料とをクラッド加工法により直接積層
した後、金属支持体にエッチング法を用いて多数の細孔
を設けることにより水素ガス分離ユニットを形成してい
る。しかしながらこのような直接積層では、材料のハン
ドリング性などの点から、より一層の水素ガス分離性材
料の薄箔化は困難であるという問題点があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の技術的
問題に鑑みて、極薄のガス透過層を用いてもハンドリン
グ性が問題とならないような、基体にガス透過層を積層
してなる積層体と、支持層に中間層を積層してなる支持
体とを積層してなるガス透過層接合体、およびガス透過
層接合体を用いた部品を提供することを課題とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】前記課題に対する第１の
解決手段として本発明のガス透過層接合体は、基体にガ
ス透過層を積層してなる積層体と、支持層に中間層を積
層してなる支持体とを積層してなるガス透過層接合体で
あって、積層体のガス透過層と支持体の中間層との接合
面が、接合されるそれぞれの面を活性化処理した後、活
性化処理面同士が対向するように当接して重ね合わせて
積層接合してなる構成である。好ましくは前記活性化処
理が、不活性ガス雰囲気中でグロー放電を行わせて、前
記接合されるそれぞれの面をスパッタエッチング処理す
る構成である。また好ましくは前記基体が、高分子層か
らなる構成である。

【０００５】前記課題に対する第２の解決手段として本
発明の部品は、第１の解決手段に記載のガス透過層接合
体を用いた構成である。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を説明
する。図３は、本発明のガス透過層接合体１２の一実施
形態を示す概略断面図であり、基体２２の片面にガス透
過層２８を積層してなる積層体１０と、支持層２６に中
間層２４を積層してなる支持体１１を積層接合してなる
例を示している。図１は、本発明のガス透過層接合体１
２の製造に用いる積層体１０の一実施形態を示す概略断
面図であり、基体２２の片面にガス透過層２８を積層し
てなる例を示しており、例えば基体２２に蒸着やスパッ
タリングなどの方法によりガス透過層２８を積層するこ
とで製造することができる。また図２は、本発明のガス
透過層接合体１２の製造に用いる支持体１１の一実施形
態を示す概略断面図であり、支持層２６の片面に中間層
２４を積層してなる例を示しており、例えば支持層２６
に蒸着やスパッタリングなどの方法により中間層２４を
積層することで製造することができる。なおガス透過層
や中間層が極薄である場合には、基体や支持層はそれぞ
れガス透過層や中間層のハンドリング性を確保する働き
をも担っている。

【０００７】支持層２６の材質としては、ガス透過層接
合体１２を製造可能であり、ガス透過層接合体を用いた
部品を充分に支持しうる強度などを有する素材で、エッ
チング加工が可能であれば特にその種類は限定されず、
ガス透過層接合体１２の用途により適宜選択して用いる
ことができる。例えば、ステンレス鋼、ニッケル、ニッ
ケル基合金、銅合金、鉄・ニッケル合金などを適用する
ことができる。ガス透過層接合体１２の用途が水素分離
装置などであれば、支持層２６としてはステンレス鋼な
どを適用することができる。また支持層２６の厚みは、
１０〜５００μｍが好ましい。１０μｍ未満では充分な
強度を維持することが難しく、５００μｍを超えるとエ
ッチング加工に向かなくなるとともに重くなり過ぎる。

【０００８】中間層２４の材質としては、ガス透過層接
合体１２を製造可能であり、支持層２６をエッチング加
工する際にガス透過層２８に悪影響が及ぶことを抑止し
うる素材であれば特にその種類は限定されずガス透過層
接合体１２の用途により適宜選択して用いることができ
る。例えば、ガス透過層接合体１２の用途が水素分離装
置などであれば、中間層２４としては、銀などを適用す
ることができる。中間層２４は、板材でもよいし、メッ
キや蒸着やスパッタリングなどによる膜材であってもよ
い。また中間層２４の厚みは、１〜２００μｍが好まし
い。１μ未満ではガス透過層に及ぶ可能性のある悪影響
を充分に抑止することが難しく、２００μｍを超えると
エッチング加工に向かなくなるとともに重くなり過ぎ
る。より好ましくは、５〜１００μｍである。

【０００９】ガス透過層２８の材質としては、ガス透過
層接合体１２を製造可能であり、目的とするガスなどを
充分に透過しうる素材であれば特にその種類は限定され
ずガス透過層接合体１２の用途により適宜選択して用い
ることができる。ガス透過層接合体１２の用途が水素分
離装置などであれば、ガス透過層２８としては、パラジ
ウム、パラジウムを含む合金（例えばパラジウム・銀合
金、パラジウム・ホルミウム合金、パラジウム・ガドリ
ニウム合金など）、ジルコニウム・ニッケル合金などを
適用することができる。ガス透過層２８は、板材でもよ
いし、メッキや蒸着やスパッタリングなどによる膜材で
あってもよいし、アモルファスであってもよいし、複数
層のガス透過層からなる積層材であってもよい。またガ
ス透過層２８の厚みは、１〜１００μｍが好ましい。１
μ未満ではピンホールを生じやすくなり、１００μｍを
超えると透過効率が低下したり重くなり過ぎる。より好
ましくは、１〜２０μｍである。

【００１０】基体２２の材質としては、ガス透過層接合
体１２を製造可能であり、ガス透過層２８を積層可能な
素材であれば特にその種類は限定されず、ガス透過層接
合体１２の用途により適宜選択して用いることができ
る。例えば、支持層に適用できる素材や高分子素材など
である。ガス透過層接合体１２の用途が水素分離装置な
どであれば、基体２２としてはポリイミドなどを適用す
ることができる。また基体２２の厚みは、１０〜５００
μｍが好ましい。１０μｍ未満では充分な強度を維持す
ることが難しく、５００μｍを超えると重くなり過ぎ
る。より好ましくは、２５〜１５０μｍである。

【００１１】高分子素材としては、例えば、プラスチッ
クなどの有機高分子物質やプラスチックに粉末や繊維な
どを混ぜた混合体などを適用することができる。プラス
チックとしては、例えば、アクリル樹脂、アミノ樹脂
（メラミン樹脂、ユリア樹脂、ベンゾグアナミン樹脂な
ど）、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、液晶
ポリマー、ＥＥＡ樹脂（Ethylene Ethylacrylate 樹
脂）、ＡＡＳ樹脂（Acrylonitrile Acrylate Styrene
樹脂）、ＡＢＳ樹脂（Acrylonitrile Butadiene Styren
e 樹脂）、ＡＣＳ樹脂（Acrylnitrile Chlorinated Pol
yethylene Styrene 樹脂）、ＡＳ樹脂（Acrylonitrile
Styrene 樹脂）、アイオノマー樹脂、エチレンポリテト
ラフルオロエチレン共重合体、エポキシ樹脂、珪素樹
脂、スチレンブタジエン樹脂、フェノール樹脂、弗化エ
チレンプロピレン、弗素樹脂、ポリアセタール、ポリア
リレート、ポリアミド（６ナイロン、１１ナイロン、１
２ナイロン、６６ナイロン、６１０ナイロン、６１２ナ
イロンなど）、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルホン、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート、ポリシクロヘキンジメルテレフタレート、ポ
リトリメチレンテレフタレート、ポリトリメチレンナフ
タレートなど）、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリ
プロピレンなど）、ポリカーボネート、ポリクロロトリ
フルオロエチレン、ポリサルホン、ポリスチレン、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリブタジエン、ポリブテ
ン、ポリメチルペンテンなどを適用することができる。

【００１２】図３に示すガス透過層接合体１２は、図１
に示す基体２２にガス透過層２８を積層してなる積層体
１０と、図２に示す支持層２６に中間層２４を積層して
なる支持体１１を積層接合してなるものであって、以下
に説明する活性化接合法を用いることによって製造する
ことができる。図９に示すように、真空槽５２内におい
て、巻き戻しリール６２に設置された積層体１０を形成
するガス透過層２８側の、支持体１１を形成する中間層
２４との接合予定面側を、活性化処理装置７０で活性化
処理する。同様にして巻き戻しリール６４に設置された
支持体１１を形成する中間層２４側の、積層体１０を形
成するガス透過層２８との接合予定面側を、活性化処理
装置８０で活性化処理する。

【００１３】活性化処理は、以下のようにして実施す
る。すなわち、真空槽５２内に装填された支持体１１を
形成する支持層２６側、積層体１０を形成する基体２２
側をそれぞれアース接地された一方の電極Ａと接触さ
せ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に、１０〜１×１
０^−３Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気好ましくはアルゴ
ンガス中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放
電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露
出される電極Ａと接触した支持体１１を形成する中間層
２４側、積層体１０を形成するガス透過層２８側のそれ
ぞれの面積が、電極Ｂの面積の１／３以下となるように
スパッタエッチング処理する。なお不活性ガス圧力が１
×１０^−３Ｐａ未満では安定したグロー放電が行いにく
く高速エッチングが困難であり、１０Ｐａを超えると活
性化処理効率が低下する。印加する交流は、１ＭＨｚ未
満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エ
ッチングが困難であり、５０ＭＨｚを超えると発振し易
く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率
よくエッチングするためには電極Ａと接触した支持体１
１を形成する中間層２４側、積層体１０を形成するガス
透過層２８側のそれぞれの面積を電極Ｂの面積より小さ
くする必要があり、１／３以下とすることにより充分な
効率でエッチング可能となる。

【００１４】その後これら活性化処理された支持体１１
を形成する中間層２４側、積層体１０を形成するガス透
過層２８側を積層接合する。積層接合は、支持体１１を
形成する中間層２４側、積層体１０を形成するガス透過
層２８側のそれぞれ活性化処理された面が対向するよう
にして両者を当接して重ね合わせ圧接ユニット６０で冷
間圧接を施すことによって達成することができる。この
際の積層接合は低温度で可能であり、積層体１０、支持
体１１ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などと
いった悪影響を軽減または排除することが可能である。
Ｔを積層体、支持体の温度（℃）とするとき、０℃＜Ｔ
≦３００℃で良好な圧接状態が得られる。０℃以下では
特別な冷却装置が必要となり、３００℃を超えると組織
変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。また
Ｔ＜（基体の耐熱温度）であることが好ましい。さらに
この際の積層接合は低加圧力での接合が可能であるた
め、ガス透過層接合体の残留応力を低く抑えることがで
きる。

【００１５】このように積層接合することにより、所要
の層厚みを有するガス透過層接合体１２を形成すること
ができ、巻き取りロール６６に巻き取られる。さらに必
要により所定の大きさに切り出して、図３に示すガス透
過層接合体１２を製造することができる。またこのよう
にして製造されたガス透過層接合体１２に、接合界面で
の合金層の形成などの問題が起こらない程度に必要によ
り残留応力の除去または低減などのために熱処理を施し
てもよい。なお図１に示す積層体１０は、上記の図９の
説明において、支持体１１の代わりに基体２２を用い、
積層体１０の代わりに電解箔や圧延箔などの板材のガス
透過層２８を用いることによっても製造することが可能
であり、同様に図２に示す支持体１１は、上記の図９の
説明において、支持体１１の代わりに電解箔や圧延箔な
どの板材の支持層２６を用い、積層体１０の代わりに電
解箔や圧延箔などの板材の中間層２４を用いることによ
っても製造することが可能である。

【００１６】なおガス透過層接合体１２の製造にはバッ
チ処理を用いることができる。すなわち真空槽内に予め
所定の大きさに切り出された支持体や積層体の板材を複
数枚装填して活性化処理装置に搬送して垂直または水平
など適切な位置に処理すべき面を対向または並置した状
態などで設置または把持して固定して活性化処理を行
い、さらに支持体や積層体の板材を保持する装置が圧接
装置を兼ねる場合には活性化処理後に設置または把持し
たまま圧接し、支持体や積層体の板材を保持する装置が
圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置などの圧接装置
に搬送して圧接を行うことにより達成される。なお活性
化処理は、支持体や積層体の板材を絶縁支持された一方
の電極Ａとし、アース接地された他の電極Ｂとの間で行
うことが好ましい。

【００１７】本発明の部品は、例えば基体２２が高分子
素材からなる場合には、図４に示すようにガス透過層接
合体１２から基体２２を除去した３層構造のガス透過層
積層材１４や、図５、６に示すように３層構造のガス透
過層積層材１４に１段または複数段のエッチング加工を
施した中間開口材１６や開口接合材３０、ガス透過層接
合体１２の支持体１１に１段または複数段のエッチング
加工を施したもの、さらに図７に示すように開口接合材
３０にメッシュ板３４や基台３６を積層したユニット３
２などである。図３に示すガス透過層接合体１２におい
て、基体２２とガス透過層２８の接合強度が、ガス透過
層２８と中間層２４との接合強度や、中間層２４と支持
層２６との接合強度や、ガス透過層２８自体の強度など
よりも充分に低い場合には、基体２２を容易に剥離させ
ることが可能である。また必要により基体２２に熱処理
や化学処理などの適切な手段を用いて、基体２２を溶融
・溶解させたり、基体２２とガス透過層２８の接合強度
を低下させて、基体２２を除去しやすくさせることも可
能である。さらに基体２２が支持体１１に適用される素
材からなる場合には、ガス透過層接合体が支持層−中間
層−ガス透過層−中間層−支持層の５層構造となり、こ
の両面に１段または複数段のエッチング加工を施した中
間開口材や開口接合材、さらにこれらにメッシュ板３４
や基台３６を積層したユニットなども部品とすることが
できる。

【００１８】図４に示す基体２２を除去した支持層−中
間層−ガス透過層の３層構造のガス透過層積層材１４
に、２段のエッチング加工を施して、所定の開口率で支
持層２６や中間層２４に少なくとも１つの開口を設ける
ことができる。この場合、支持層２６、中間層２４の材
質、エッチング液などを適切に選定することにより、こ
の中間層２４をエッチングストップ層として機能させる
ことができ、ガス透過層２８に悪影響を与えることなく
エッチング加工を施すことができる。すなわち、支持層
２６を加工する１段目のエッチングでは中間層２４をエ
ッチングストップ層として機能させて図５に示す中間開
口材１６を製造し、支持層２６の開口を通じて中間層２
４を加工する２段目のエッチングではガス透過層２８が
エッチングの影響を受けないように開口を設けることが
でき、図６に示す開口接合材３０を製造することができ
る。例えば図４に示す３層構造のガス透過層積層材１４
が、ステンレス（支持層２６）−銀（中間層２４）−パ
ラジウム合金（ガス透過層２８）構造である場合、エッ
チング液として、ステンレス箔２６に対しては塩化第二
鉄液を用い、銀箔２４に対しては硝酸第二鉄液を用いる
ことにより、銀箔２４をエッチングストップ層として機
能させることができ、ガス透過層２８に悪影響を与える
ことなく支持層２６および中間層２４に開口を設けるこ
とができる。同様にして支持層−中間層−ガス透過層−
中間層−支持層の５層構造のガス透過層接合体にエッチ
ング加工を施すことによって、ガス透過層の両面に開口
を設けた開口接合材を製造することができる。

【００１９】本発明の部品はガス分離膜部品やガス分離
膜ユニットに適用することができる。さらにガス分離膜
部品やガス分離膜ユニットは水素分離装置などへ適用す
ることもできる。ガス分離膜部品は、例えば、ガス透過
層接合体の支持体にエッチング加工を施したものや、３
層構造のガス透過層接合材の支持体にエッチング加工を
施した中間開口材や開口接合材、支持層−中間層−ガス
透過層−中間層−支持層の５層構造のガス透過層接合体
の両面にエッチング加工を施した中間開口材や開口接合
材などである。

【００２０】ガス分離膜ユニットは、例えば図７に示す
ように、開口接合材３０にメッシュ板３４を積層したも
のであり、あるいは基台３６をさらに積層したものであ
る。図６に示す開口接合材３０は、図４に示す支持層−
中間層−ガス透過層の３層構造のガス透過層積層材１４
の支持体１１に複数段のエッチング加工を施して製造し
たもので、ガス透過層２８の片面に開口を有し他面が露
出した形態である。この開口接合材３０のガス透過層露
出面側にメッシュ板３４を、また必要により基台３６を
積層してレーザー溶接などで接合することにより図７に
示すユニット３２を製造することができる。メッシュ板
３４は開口接合材の保護や補強などを図るためのもので
あり、ステンレス鋼などにエッチング加工などを施して
貫通孔を設けたものである。基台３６は、開口接合材の
保持やガス透過層より透過した水素などの目的とする透
過ガスを集めるためのものであり、例えば図８に示すよ
うに基台の表面や内部に透過ガスＨのための溝やトンネ
ルなどの導出路を設けたものである。また必要により、
基台表面にガス分離膜部品やメッシュ板を支える基台の
凸部３９を設けることによってガス分離膜部品やメッシ
ュ板の変形を抑止することができる。さらに基台の他の
面にも適切な導出路を設けることにより、基台の上下面
や側面にも開口接合材を配置することができ、ガス分離
膜ユニットのガス分離能力を高めることができる。例え
ば、基台の上下面に導出路を設けて２つの開口接合材を
積層した場合、ガス分離能力はほぼ２倍となる。なお必
要により開口接合材の供給ガスＧ側にメッシュ板を積層
してもよいし、ガス透過層の両面に開口を有する開口接
合材を用いる場合は、開口接合材と基台３６の間のメッ
シュ板３４を省略してもよい。

【００２１】本発明の部品をガス分離膜部品やガス分離
膜ユニットに適用する場合、図７に示すように、目的と
するガスの分離効率を高めるために、供給ガスＧ側の開
口部は開口の総面積を増してガス透過層と供給ガスＧと
の接触面積を大きくすることが求められる。ガス透過層
接合材の支持体部分に丸孔や長孔などの開口を多数設け
ることでは開口間に支持体部分が残るため開口率は低く
なり、そのためガス透過層接合材自体を大きくしなけれ
ばらなくなが、逆に各開口を大きくして開口間の残部を
減らすことにより開口率を上げて開口の総面積を増すこ
とができる。本発明の部品では、支持体に複数段のエッ
チング加工を施すことにより、各開口の面積を増しても
支持体のエッチング加工によるガス透過層へのピンホー
ル発生などの悪影響はないため、各開口の大きさはエッ
チング加工による制限は受けずに、ガス透過層の強度な
どにより決定することができる。各開口の大きさは形状
により異なるが、幅または短径で１ｍｍ〜１００ｍｍ、
あるいは面積で１ｍｍ^２〜１００００ｍｍ^２であること
が好ましい。１ｍｍ未満では充分な接触面積が得られ
ず、１００ｍｍを超えると強度が不足してくる。同様に
１ｍｍ^２未満では充分な接触面積が得られず、１０００
０ｍｍ^２を超えると強度が不足してくる。より好ましく
は、幅または短径で２ｍｍ〜１０ｍｍ、あるいは面積で
４ｍｍ^２〜１００ｍｍ^２である。開口接合材は、溶接し
ろなどの固定や保持のための領域の枠部とガス透過層を
露出させるための孔開け加工を施された領域の開口部か
らなり、さらに開口部はガス透過層を露出させる少なく
とも１つの開口と開口間に残された支持体部分の仕切か
らなる。開口面積を開口部におけるガス透過層の露出し
た面積とし、仕切面積を開口部におけるガス透過層が隠
れた非露出面積とするとき、開口面積の総和と仕切面積
の総和の比率である開口率は、開口率（％）＝露出総面
積／（露出総面積＋仕切総面積）で表すことができる。
なお開口率は５０％〜９９％が好ましい。５０％未満で
はガス分離効率が悪く９９％を超えると強度が不足す
る。より好ましくは７０％〜９５％であり、さらに好ま
しくは８０％〜９０％である。

【００２２】

【実施例】以下に、実施例を図面に基づいて説明する。
図１に示す積層体１０として５０μｍ厚みのポリイミド
フィルムからなる基体２２にパラジウム・銀合金からな
るガス透過層２８を蒸着法により５μｍ積層したものを
用い、図２に示す支持体１１として厚み１００μｍのス
テンレス（ＪＩＳ規定のＳＵＳ４３０）箔からなる支持
層２６に厚み２０μｍの銀層からなる中間層２４を積層
したものを用いた。積層体１０、支持体１１を図９に示
す製造装置５０にセットし、真空槽５２内の活性化処理
ユニット７０および８０でスパッタエッチング法により
それぞれ活性化処理した。次に圧接ユニット６０を用い
て、これら活性化処理された積層体１０、支持体１１
を、活性化処理面同士を重ね合わせて圧接して積層接合
して図３に示すガス透過層接合体１２を製造した。次に
ガス透過層接合体１２よりポリイミドフィルム２２を除
去して図４に示すガス透過層積層材１４を製造し、ガス
透過層積層材１４に１段目のエッチング加工を施して図
５に示す中間開口材１６を製造し、続いて中間開口材１
６に２段目のエッチング加工を施して図６に示す開口接
合材３０を製造した。さらに開口接合材３０にメッシュ
板３４、基台３６を接合して図７に示すユニット３２を
製造した。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように本発明のガス透過層
接合体は、基体にガス透過層を積層してなる積層体と、
支持層に中間層を積層してなる支持体とを積層接合して
なるものであり、本発明の部品はガス透過層接合体を用
いたものである。このため極薄のガス透過層を用いても
ハンドリング性が問題とはならず、ガス分離膜ユニット
などへの適用も好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のガス透過層接合体に用いる積層体の一
実施形態を示す概略断面図である。

【図２】本発明のガス透過層接合体に用いる支持体の一
実施形態を示す概略断面図である。

【図３】本発明のガス透過層接合体の一実施形態を示す
概略断面図である。

【図４】本発明の部品の一実施形態を示す概略断面図で
ある。

【図５】本発明の部品の他の一実施形態を示す概略断面
図である。

【図６】本発明の部品のさらに他の一実施形態を示す概
略断面図である。

【図７】本発明の部品のまたさらに他の一実施形態を示
す概略断面図である。

【図８】本発明の部品の製造に用いる基台の一実施形態
を示す概略平面図である。

【図９】ガス透過層接合体の製造に用いる装置の一実施
形態を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１０ 積層体 １１ 支持体 １２ ガス透過層接合体 １４ ガス透過層積層材 １６ 中間開口材 ２２ 基体 ２４ 中間層 ２６ 支持層 ２８ ガス透過層 ３０ 開口接合材 ３２ ユニット ３４ メッシュ板 ３６ 基台 ３７ 溝 ３８ トンネル ３９ 基台の凸部 ５０ 製造装置 ５２ 真空槽 ６０ 圧接ユニット ６２ 巻き戻しリール ６４ 巻き戻しリール ６６ 巻き取りロール ７０ 活性化処理装置 ７２ 電極ロール ７４ 電極 ８０ 活性化処理装置 ８２ 電極ロール ８４ 電極 Ａ 電極Ａ Ｂ 電極Ｂ Ｇ 供給ガス Ｈ 透過ガス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D006 GA41 HA42 JB04 MA07 MA09 MA19 MA26 MB04 MC02X NA31 NA32 NA33 NA47 PB66 4G040 FA06 FB09 FC01 FE01 4G075 AA30 BA05 BC02 BD26 CA16 CA63 EA01 EB12

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体にガス透過層を積層してなる積層体
   と、支持層に中間層を積層してなる支持体とを積層して
   なるガス透過層接合体であって、積層体のガス透過層と
   支持体の中間層との接合面が、接合されるそれぞれの面
   を活性化処理した後、活性化処理面同士が対向するよう
   に当接して重ね合わせて積層接合してなることを特徴と
   するガス透過層接合体。
2. 【請求項２】 前記活性化処理が、不活性ガス雰囲気中
   でグロー放電を行わせて、前記接合されるそれぞれの面
   をスパッタエッチング処理することを特徴とする請求項
   １に記載のガス透過層接合体。
3. 【請求項３】 前記基体が、高分子層からなることを特
   徴とする請求項１乃至２のいずれかに記載のガス透過層
   接合体。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載のガス
   透過層接合体を用いたことを特徴とする部品。