JP2003179409A - 非可逆回路素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】小型で、かつ、組立の容易な非可逆回路素子を
提供する。 【解決手段】ケース部材１の底部１６は、全体として四
角形状であり、側壁１００〜４００は底部１６の周辺に
立設されている。磁気回転子６の軟磁性基体６０は底部
１６の平面積よりも小さな略四角形状である。磁気回転
子６はケース部材１の内部において底部１６の上に配置
されている。キャパシタＣ１〜Ｃ３、抵抗器Ｒは、磁気
回転子６とケース部材１の側壁２００〜４００との間に
生じる間隔内に、磁気回転子６に隣接して配置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非可逆回路素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、アイソレータ等の非可逆回路素
子は、例えば携帯電話等の移動体無線機器等に使用され
ている。この種の非可逆回路素子としては、例えば、特
開平１１−２０５０１１号公報等に開示されているもの
が知られている。この公知技術では、３つのキャパシ
タ、抵抗器及び磁気回転子を、ケースの内部に配置す
る。磁気回転子は３つの中心導体を含み、中心導体の各
々は、端子部を有する。端子部の各々はキャパシタ及び
抵抗器の上に載置される。そして、中心導体の端子部を
キャパシタ及び抵抗器の電極に接続する。永久磁石は磁
気回転子に対して直流磁界を印加する。

【０００３】ケースは、樹脂ケースと下ヨークとの組み
合わせからなる。樹脂ケースには、磁気回転子、キャパ
シタ、抵抗器の位置決めをするための凹部または仕切が
設けられており、これらの凹部または仕切によって区画
された各領域内に磁気回転子、キャパシタ、抵抗器を配
置した構造となっている。

【０００４】下ヨークは、樹脂ケースの下側に配置さ
れ、下ヨークによって磁気回転子を下面側から支持す
る。

【０００５】この従来技術によれば、円盤状の磁気回転
子と、四角形状の樹脂ケースとの組み合わせであるた
め、磁気回転子の周りにデッドスペースが生じ易い。

【０００６】しかも、樹脂ケースに凹部または仕切を設
け、凹部または仕切によって区画された領域内に、磁気
回転子、キャパシタ、抵抗器を配置する構造であるた
め、その分だけ、非可逆回路素子の全体形状が大型化す
る。

【０００７】また、凹部または仕切によって区画された
領域内に、磁気回転子、キャパシタ、抵抗器を嵌め込む
作業が必要であるため、非可逆回路素子の形状が小型に
なるにつれて、組立作業が困難になる。

【０００８】更に、凹部や仕切を有する複雑な樹脂ケー
スを成形する必要があるため、樹脂ケースの製作コスト
が高くなる。

【０００９】別の従来技術として、特許第３１６４０２
９号公報は、円板状の磁気回転子に変えて、四角形状の
磁気回転子を用い、これを四角形状の樹脂ケースと組み
合わせた非可逆回路素子を開示している。

【００１０】しかし、この従来技術においても、樹脂ケ
ースには、磁気回転子、キャパシタ、抵抗器の位置決め
をするための凹部または仕切が設けられており、形状の
大型化を招く、という問題を回避することはできない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、小型
で、かつ、組立の簡単な非可逆回路素子を提供すること
である。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る非可逆回路素子は、ケース部材と、
複数のキャパシタと、磁気回転子とを含む。前記ケース
部材は、底部と、第１乃至第４の側壁とを含む。前記底
部は、全体として四角形状であり、前記第１乃至第４の
側壁は、前記底部の周辺に立設されている。

【００１３】前記磁気回転子は、軟磁性基体を含み、前
記ケース部材の内部において前記底部上に配置されてい
る。前記軟磁性基体は、平面形状が前記底部の平面積よ
りも小さな略四角形状である。

【００１４】前記キャパシタは、前記磁気回転子と前記
ケース部材の前記側壁との間に生じる間隔内に、前記磁
気回転子に隣接して配置されている。

【００１５】上述したように、本発明に係る非可逆回路
素子において、磁気回転子はケース部材の内部において
底部上に配置されている。ケース部材は、底部が全体と
して四角形状であり、底部の周辺には第１乃至第４の側
壁が立設されている。磁気回転子の軟磁性基体は、平面
形状が底部の平面積よりも小さな略四角形状の平板であ
る。従って、ケース部材の内部に磁気回転子を配置した
場合、磁気回転子とケース部材の側壁との間には、ケー
ス部材の底部と、磁気回転子の軟磁性基体との間の平面
形状の差に起因する間隔が生じる。

【００１６】キャパシタは、磁気回転子とケース部材の
側壁との間に生じる間隔内に配置されている。この配置
によれば、磁気回転子の側面とケース部材の側壁との間
に生じる間隔を有効に利用し、磁気回転子及びキャパシ
タを、デッドスペースを極力小さくした状態で、高密度
で配置できる。

【００１７】しかも、キャパシタは、磁気回転子に隣接
して配置されているので、磁気回転子の側面を利用し
て、キャパシタを位置決めできる。従って、従来と異な
って、磁気回転子及びキャパシタを位置決めするための
凹部や仕切が不要である。このため、デッドスペースの
縮小、高密度配置とともに、非可逆回路素子の小型化に
寄与することができる。

【００１８】また、ケース部材に凹部や仕切を設ける必
要がないので、ケース部材の小型化、低コスト化が可能
になるとともに、組立が容易になる。

【００１９】組立容易性に関して、更に言及すると、組
立作業においては、キャパシタを、ケース部材の側壁に
隣接するように配置し、次に、ケース部材及びキャパシ
タによって囲まれた領域内に、磁気回転子を嵌め込むと
いうステップを採ることができる。この組立作業は、凹
部や仕切によって区画された領域内に、キャパシタ及び
磁気回転子を個別に嵌め込む場合よりも、簡単に、か
つ、精度よく実行できる。

【００２０】しかも、ケース部材は、底部が全体として
四角形状であり、磁気回転子の軟磁性基体も、平面形状
が略四角形状であるから、磁気回転子とケース部材の側
壁との間に生じる間隔は、キャパシタの形状として一般
に採用される略四角形状に、よく対応し得る形状にな
る。このため、キャパシタを、デッドスペースを最小化
した状態で、高密度で配置できる。

【００２１】非可逆回路素子がアイソレータである場
合、キャパシタの他に抵抗器が含まれる。抵抗器の配置
に関しても、ケース部材及び磁気回転子とキャパシタと
の配置関係に関して述べた上記事項が、そのまま適用で
きる。

【００２２】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面
は、単に、例示に過ぎない。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る非可逆回路素
子の分解斜視図、図２は図１に示した非可逆回路素子の
斜視図、図３は図２の３−３線に沿った断面図、図４は
図２の４−４線に沿った断面図である。図示する非可逆
回路素子は、アイソレータであって、ケース部材１と、
第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３と、抵抗器Ｒと、磁
気回転子６とを含む。図示実施例では、更に、押圧部材
７と、永久磁石８と、カバー部材９とを含む。

【００２４】ケース部材１は、図５、６にも図示するよ
うに、底部１６と、第１〜第４の側壁１００〜４００と
を含む。底部１６は、全体として四角形状である。図示
実施例において、底部１６は磁性金属板材で構成されて
いる。底部１６は導電性を有する導電性高段部１１、１
３を備える。

【００２５】底部１６は更に絶縁性高段部２７を備え
る。絶縁性高段部２７は、導電性高段部１１、１３の間
に設置される。絶縁性高段部２７はエンジニアリングプ
ラスチック等の絶縁材料からなり、表面に導体膜３１を
備える。導体膜３１は金属膜である。絶縁性高段部２７
の高さは、導電性高段部１１、１３の高さと略等しい。

【００２６】第１〜第４の側壁１００〜４００は、絶縁
側壁部を含み、底部１６の周辺に立設されている。第１
の側壁１００及び第２の側壁２００は相対向する。第３
及び第４の側壁３００、４００は、第１の側壁１００及
び第２の側壁２００の配置方向とは直交する方向におい
て相対向し、第１の側壁１００及び第２の側壁２００の
それぞれと垂直に交わる。

【００２７】第１〜第４の側壁１００〜４００につい
て、図示実施例を参照して、更に具体的に述べると、第
１の側壁１００は、その大部分が電気絶縁物で構成され
ており、第２の側壁２００もその大部分が電気絶縁物で
構成されている。その意味で、第１及び第２の側壁１０
０、２００は絶縁側壁２５、２６と称することができ
る。

【００２８】第３の側壁３００は、第１の側壁１００か
ら延長された絶縁側壁部２８を有する。絶縁側壁部２８
には、磁性金属側壁部１２が隣接している。磁性金属側
壁部１２は底部１６から延長された部分である。

【００２９】第４の側壁４００は、第１の側壁１００か
ら延長された絶縁側壁部２９を有する。絶縁側壁部２９
には、磁性金属側壁部１４が隣接している。磁性金属側
壁部１４は底部１６から延長された部分である。

【００３０】図示実施例において、ケース部材１は、磁
性金属材料で構成された第１のケース部材と、絶縁樹脂
等の絶縁材料で構成された第２のケース部材とを組み合
わせて構成されている。第１のケース部材は、磁性金属
側壁部１２、１４及び底部１６を含んでいる。第２のケ
ース部材は、絶縁側壁部２５、２６、２８、２９を含ん
でいる。

【００３１】絶縁側壁２５及び絶縁側壁２８が直交する
角部分には、金属からなる第１の端子１５が設けられ
る。第１の端子１５は絶縁側壁２５、２８に組み込ま
れ、ケース部材１の内部に露出する。第１の端子１５
は、ケース部材１の内部において露出し、且、絶縁側壁
２５に沿って延びる。

【００３２】同様に、絶縁側壁２５と絶縁側壁２９が直
交する角部分には、金属からなる第２の端子１７が設け
られる。第２の端子１７は絶縁側壁２５、２９に組み込
まれ、ケース部材１の内部に露出する。第２の端子１７
は、ケース部材１の内部において露出し、且、絶縁側壁
２５に沿って延びる。

【００３３】導電性高段部１１と第１の端子１５との間
には絶縁性高段部２２が設けられており、段差部１３と
第２の端子１７との間には絶縁性高段部２４が設けられ
ている。絶縁性高段部２２、２４の高さは、導電性高段
部１１、１３の高さとほぼ一致する。

【００３４】再び、図１〜図４を参照して説明する。磁
気回転子６は、軟磁性基体６０と、第１〜第３の中心導
体６４〜６６とを含む。軟磁性基体６０は、平面形状が
底部１６の平面積よりも小さな略四角形状の平板であ
る。軟磁性基体６０は、よく知られているように、イッ
トリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）等の軟磁性材料か
らなる。

【００３５】第１〜第３の中心導体６４〜６６は、第１
〜第３の端子部６４１〜６６１をそれぞれ有する。第１
〜第３の中心導体６４〜６６は、軟磁性基体６０の下面
６２に接触し、且、軟磁性基体６０の側面６３１〜６３
４に沿って上面６１に導かれている。第１〜第３の中心
導体６４〜６６は、軟磁性基体６０の上面において、約
１２０度で交わるように配置される。

【００３６】具体的には、第１の中心導体６４は、軟磁
性基体６０の第１の側端面６３１をとおり、第１の端子
部６４１が第１の側端面６３１と対向する第２の側端面
６３２の外部に導出されている。第２の中心導体６５
は、第２の端子部６５１が第３の側端面６３３の外部に
導出されている。第３の中心導体６６は、第３の端子部
６６１が第４の側端面６３４の外部に導出されている。

【００３７】磁気回転子６は、第１〜第３の端子部６４
１〜６６１が、第２〜第４の側壁２００〜４００の絶縁
側壁部２６、２８、２９に対応するようにして、ケース
部材１の内部において、底部１６の上に配置されてい
る。具体的に説明すると、第１の端子部６４１は、第２
の側壁２００それ自体が構成する絶縁側壁部２６に対応
し、第２の端子部６５１が、第３の側壁３００の絶縁側
壁部２８に対応し、第３の端子部６６１が、第４の側壁
１００〜４００の絶縁側壁部２９に、それぞれ対応する
ようにして、ケース部材１の底部１６の上に配置されて
いる。また、第１の中心導体６４のうち、軟磁性基体６
０の第１の側端面６３１を通る中間部分が、第１の側壁
１００それ自体が構成する絶縁側壁２５に対応するよう
に配置される。

【００３８】図７、８はケース部材１の内部における磁
気回転子６、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３、及
び、抵抗器Ｒの配置関係を示す図である。これらの図を
参照すると、磁気回転子６は、第１の側端面６３１が第
１の側壁１００と対向し、第２乃至第４の側端面６３２
〜６３４が第２乃至第４の側壁２００〜４００とそれぞ
れ間隔を隔て、更に、第１〜第３の端子部６４１〜６６
１が第２乃至第４の側壁の絶縁側壁部２６、２８、２９
に対応するようにして、ケース部材１の内部に配置され
ている。

【００３９】第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３、及
び、抵抗器Ｒは、磁気回転子６とケース部材１の第２〜
第４の側壁２００〜４００との間に生じる間隔内に配置
され、絶縁側壁部２６、２８、２９に対応する部分で、
第１〜第３の端子部６４１〜６６１に接続されている。
第１のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒは、チップ状
であり、相対する両端に端部電極を有するので、第１〜
第３の端子部６４１〜６６１は、端部電極において、第
１のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒに接続される。

【００４０】第１のキャパシタＣ１は、絶縁側壁２８及
び磁性金属側壁１２に沿って載置される。第２のキャパ
シタＣ２及び抵抗器Ｒは絶縁側壁２６に沿って載置され
る。第３のキャパシタＣ３は絶縁側壁２９及び磁性金属
側壁１４に沿って載置される。

【００４１】第１のキャパシタＣ１の端部電極の１つは
絶縁性高段部２２の上に載置される。絶縁性高段部２２
は導電性高段部１１と第１の端子１５との間に設けられ
ている。第１のキャパシタＣ１の端部電極の他方は導電
性高段部１１の上に載置される。導電性高段部１１は磁
性金属側壁１２に近接する。絶縁性高段部２２の高さは
導電性高段部１１の高さとほぼ一致するから、第１のキ
ャパシタＣ１はケース部材１の内部に平面状に載置され
る。

【００４２】第２のキャパシタＣ２の端部電極の１つ
は、絶縁性高段部２７の上面の上で、導体膜３１の上に
載置される。第２のキャパシタＣ２の端部電極の他方
は、導電性高段部１１の上に載置される。絶縁性高段部
２７の高さは導電性高段部１１の高さとほぼ一致するか
ら、第２のキャパシタＣ２もケース部材１の内部に平面
状に載置され、はんだ付される。

【００４３】第３のキャパシタＣ３の端部電極の１つは
絶縁性高段部２４の上に載置され、絶縁性高段部２４は
段差部１３と第２の端子１７との間に設けられる。第３
のキャパシタＣ３の端部電極の他方は段差部１３の上に
載置され、段差部１３は磁性金属側壁１４に近接する。
絶縁性高段部２４の高さは段差部１３の高さとほぼ一致
するから、第３のキャパシタＣ３はケース部材１の内部
に平面状に載置され、はんだ付される。

【００４４】抵抗器Ｒの端部電極の１つは、絶縁性高段
部２７の上面の上で、導体膜３１の上に載置される。抵
抗器Ｒの端部電極の他方は、段差部１３の上に載置され
る。絶縁性高段部２７の高さは、段差部１３の高さとほ
ぼ一致するから、抵抗器Ｒもケース部材１の内部に平面
状に載置され、はんだ付される。

【００４５】第１の中心導体６４の第１の端子部６４１
は、第２のキャパシタＣ２の端部電極、及び、抵抗器Ｒ
の上に搭載される。第２のキャパシタＣ２の端部電極、
及び、抵抗器Ｒの端部電極は、絶縁性高段部２７の導体
膜３１に搭載され、はんだ付される。

【００４６】第２の中心導体６５の第２の端子部６５１
は、ケース部材１の内部に設置される第１の端子１５
と、第１のキャパシタＣ１の端部電極とに、平面状に搭
載される。

【００４７】第３の中心導体６６の第３の端子部６６１
は、ケース部材１に設置された第２の端子１７と、第３
のキャパシタＣ３の端部電極とに、平面状に搭載され
る。

【００４８】導電性高段部１１の高さは、ケース部材１
の内部に露出する第１の端子１５の高さより低くなる。
換言すれば、ケース部材１の内部に露出する第１の端子
１５の高さは、導電性高段部１１の高さより高くなる。
同様に、絶縁性高段部２２は、導電性高段部１１と第１
の端子１５との間に設けられると共に、導電性高段部１
１の高さとほぼ等しい高さを有する。

【００４９】同じく、段差部１３の高さは、ケース部材
１の内部に露出する第２の端子１７の高さより低くな
る。換言すれば、ケース部材１の内部に露出する第２の
端子１７の高さは、段差部１３の高さより高くなる。同
様に、絶縁性高段部２４は、段差部１３と第２の端子１
７との間に設けられると共に、段差部１３の高さとほぼ
等しい高さを有する。

【００５０】押圧部材７は、空洞部７０及び枠部７４を
有し、ケース部材１の内部に設けられている。枠部７４
は第１〜第３の端子部６４１〜６６１に接触し、これ
を、第１のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒの端部電
極の方向に押し付ける。空洞部７０は、上面７１及び下
面７２において開口する。下面７２は磁気回転子６と向
き合う。押圧部材７は、主に、組立工程において、第１
〜第３の端子部６４１〜６６１を、第１のキャパシタＣ
１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒの端部電極の方向に押し付け、そ
れによって、第１〜第３の端子部６４１〜６６１を、第
１のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒの端部電極に確
実に固定させるために用いられるものである。

【００５１】押圧部材７は、図示実施例では、Ｕ字形状
（若しくはＣ字形状）であって、空洞部７０は四角形状
をとる。押圧部材７はエンジニアリングプラスチック等
の絶縁材料からなる。

【００５２】永久磁石８は、空洞部７０の内部に設置さ
れる。永久磁石８は、その厚みが押圧部材７の厚みより
も大きくならない。永久磁石８は四角形状であって、押
圧部材７の空洞部７０に設置される。永久磁石８は、上
面８１と、下面８２及び側面８３を含む。下面８２は磁
気回転子６に面する。永久磁石８は、磁気回転子６に直
流磁界を印加する。

【００５３】カバー部材９は永久磁石８に接触し、ケー
ス部材１と結合され、ヨークを構成する。カバー部材９
は、上面９１、下面９２及び側面９３を含む。図２乃至
図４で図示するように、ケース部材１がカバー部材９と
結合される際、側面９３はケース部材１の磁性金属側壁
１２と接触する。

【００５４】上述したように、磁気回転子６はケース部
材１の内部において底部１６上に配置されている。ケー
ス部材１は、底部１６が全体として四角形状であり、底
部１６の周辺には第１〜第４の側壁１００〜４００が立
設されている。磁気回転子６の軟磁性基体６０は、平面
形状が底部１６の平面積よりも小さな略四角形状の平板
である。従って、ケース部材１の内部に磁気回転子６を
配置した場合、磁気回転子６とケース部材１の第１〜第
４の側壁１００〜４００との間には、ケース部材１の底
部１６と、磁気回転子６の軟磁性基体６０との間の平面
形状の差に起因する間隔が生じる。

【００５５】第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３、及
び、抵抗器Ｒは、磁気回転子６とケース部材１の第２〜
第４の側壁２００〜４００との間に生じる間隔内に配置
されている。この配置によれば、磁気回転子６とケース
部材１の第２〜第４の側壁２００〜４００との間に生じ
る間隔を有効に利用して、磁気回転子６、第１〜第３の
キャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒを、デッドスペース
を極力小さくして、高密度で配置できる。

【００５６】しかも、キャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器
Ｒは、磁気回転子６に隣接して配置されているので、磁
気回転子６の側面を利用して、キャパシタＣ１〜Ｃ３及
び抵抗器Ｒを位置決めできる。従って、従来と異なっ
て、磁気回転子６、キャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒ
を位置決めするための凹部や仕切が不要である。このた
め、デッドスペースの縮小、高密度配置とともに、非可
逆回路素子の小型化にも寄与することができる。

【００５７】また、ケース部材１に凹部や仕切を設ける
必要がないので、ケース部材１の小型化、低コスト化が
可能になるとともに、組立が容易になる。

【００５８】組立容易性に関して、更に言及すると、組
立作業においては、キャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒ
を、ケース部材１の側壁に隣接するように配置し、次
に、ケース部材１キャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒに
よって囲まれた領域内に、磁気回転子６を嵌め込むとい
うステップを採ることができる。この組立作業は、凹部
や仕切によって区画された領域内に、キャパシタＣ１〜
Ｃ３、抵抗器Ｒ及び磁気回転子６を個別に嵌め込む場合
よりも、簡単に、かつ、精度よく実行できる。

【００５９】しかも、ケース部材１１は、底部１６が全
体として四角形状であり、磁気回転子６の軟磁性基体６
０も、平面形状が略四角形状であるから、磁気回転子６
とケース部材１１の第２〜第４の側壁２００〜４００と
の間に生じる間隔は、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ
３及び抵抗器Ｒの形状として一般に採用される略四角形
状に、よく対応し得る形状になる。このため、第１〜第
３のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒを、デッドスペ
ースを最小化した状態で、高密度で配置できる。

【００６０】次に、図示実施例の作用効果について説明
する。ケース部材１の第１〜第４の側壁１００〜４００
は、絶縁側壁部２５、２６、２８、２９を含み、磁気回
転子６は、第１〜第３の中心導体６４〜６６の第１〜第
３の端子部６４１〜６６１が、第２〜第４の側壁２００
〜４００の絶縁側壁部に対応するようにして、ケース部
材１の内部において、底部１６上に配置されている。従
って、磁気回転子６をケース部材１内部に挿入した場
合、第１〜第３の中心導体６４〜６６の第１〜第３の端
子部６４１〜６６１を、通常はアース電位に落とされる
ケース部材１の導電部分、例えば、磁性金属側壁１２、
１４等から、電気的に確実に絶縁し得る。カバー部材９
との関係でも同様である。

【００６１】第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３、及
び、抵抗器Ｒは、絶縁側壁部２６、２８、２９に対応す
る部分で、第１〜第３の中心導体６４〜６６の第１〜第
３の端子部６４１〜６６１に接続される。従って、非可
逆回路素子として必要な第１〜第３のキャパシタＣ１〜
Ｃ３、及び、抵抗器Ｒを、アース電位に落とされるケー
ス部材１の導電部分から、電気的に確実に絶縁した状態
で、第１〜第３の中心導体６４〜６６の第１〜第３の端
子部６４１〜６６１に接続し得る。

【００６２】ケース部材１は、必要な箇所に絶縁側壁部
２５、２６、２８、２９を有する限り、他の部分は、導
電性を有していてもよい。ケース部材１は、通常は、カ
バー部材９との組み合わせにより、ヨークを構成するの
で、導電性を有する部分は、磁性金属部分として構成さ
れる。底部１６、磁性金属側壁１２、１４等がこの導電
性磁性金属部分に相当する。

【００６３】また、第１の中心導体６４のうち、軟磁性
基体６０の第１の側端面６３１を通る中間部分が、第１
の側壁１００それ自体が構成する絶縁側壁２５に対応す
るように配置されているから、軟磁性基体６０の第１の
側端面６３１を、第１の側壁１００それ自体が構成する
絶縁側壁２５に密着させ、ケース部材内容積を最小化す
ることができる。

【００６４】更に、実施例の場合、押圧部材７は空洞部
７０を含み、空洞部７０は上面７１及び下面７２におい
て開口し、磁気回転子６に向きあっている。永久磁石８
は空洞部７０に設けられる。永久磁石８は、その厚みが
押圧部材７の厚みよりも小さい。この構造によれば、永
久磁石８の厚みが変わっても、非可逆回路素子の総合的
な厚みは変わらない。

【００６５】押圧部材７は空洞部７０を含み、空洞部７
０は上面７１及び下面７２において開口し、下面７２は
磁気回転子６に面する。そして、永久磁石８が空洞部７
０に設けられる。換言すれば、押圧部材７は永久磁石８
の上面８１を覆っていない。従って、非可逆回路素子の
シリーズ化に伴い、永久磁石８の厚みが変わっても、押
圧部材７の枠部７４は第１〜第３の中心導体６４〜６６
の各端子部６４１〜６６１と接触し続けることになり、
第１〜第３の中心導体６４〜６６の各端子部６４１〜６
６１も、第１のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒの端
部電極と接触し続けることになる。このため、はんだ等
で接触部を固着させる際、導通不良が生じなくなる。

【００６６】図９は本発明に係る非可逆回路素子の回路
図である。図９を参照すると、図示する非可逆回路素子
は、第１のキャパシタＣ１〜Ｃ３と抵抗器Ｒを含み、第
１のキャパシタＣ１〜Ｃ３と抵抗器Ｒは磁気回転子６に
電気的に導通している。

【００６７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、小
型で、かつ、組立の簡単な非可逆回路素子を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る非可逆回路素子の分解斜視図であ
る。

【図２】図１に示した非可逆回路素子の斜視図である。

【図３】図２の３−３線に沿った断面図である。

【図４】図２の４−４線に沿った断面図である。

【図５】本発明に係る非可逆回路素子のケース部材の斜
視図である。

【図６】図５に示したケース部材の拡大平面図である。

【図７】本発明に係る非可逆回路素子のケース部材の内
部における磁気回転子、キャパシタ及び抵抗器の配置関
係を示す斜視図である。

【図８】図７に示した配置の拡大平面図である。

【図９】本発明に係る非可逆回路素子の電気回路図であ
る。

【符号の説明】

１ ケース部材 Ｃ１〜Ｃ３ キャパシタ Ｒ 抵抗器 ６ 磁気回転子 ６４〜６６ 中心導体 ６４１〜６６１ 端子部 ８ 永久磁石 ９ カバー部材

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ケース部材と、複数のキャパシタと、磁
   気回転子とを含む非可逆回路素子であって、 前記ケース部材は、底部と、第１乃至第４の側壁とを含
   み、 前記底部は、全体として四角形状であり、 前記第１乃至第４の側壁は、前記底部の周辺に立設され
   ており、 前記磁気回転子は、軟磁性基体を含み、前記ケース部材
   の内部において前記底部上に配置されており、 前記軟磁性基体は、平面形状が前記底部の平面積よりも
   小さな略四角形状であり、 前記キャパシタは、前記磁気回転子と前記ケース部材の
   前記側壁との間に生じる間隔内に、前記磁気回転子に隣
   接して配置されている非可逆回路素子。
2. 【請求項２】 請求項１に記載された非可逆回路素子で
   あって、 更に、抵抗器を含み、前記抵抗器は、前記磁気回転子と
   前記ケース部材の前記側壁との間に生じる間隔内に、前
   記磁気回転子に隣接して配置されている非可逆回路素
   子。